JP3120662B2 - 結晶育成用るつぼ - Google Patents
結晶育成用るつぼInfo
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- JP3120662B2 JP3120662B2 JP06185959A JP18595994A JP3120662B2 JP 3120662 B2 JP3120662 B2 JP 3120662B2 JP 06185959 A JP06185959 A JP 06185959A JP 18595994 A JP18595994 A JP 18595994A JP 3120662 B2 JP3120662 B2 JP 3120662B2
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- Japan
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- crystal
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、結晶育成用るつぼに関
するものであり、特に、化合物半導体の単結晶を製造す
るための結晶育成用るつぼに関するものである。
するものであり、特に、化合物半導体の単結晶を製造す
るための結晶育成用るつぼに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、単結晶の製造方法としては、ＨＢ
（Horizontal Bridgman ）法、ＧＦ（Gradient Freezin
g ）法、ＶＢ（Vertical Bridgman ）法、ＶＧＦ（Vert
ical Gradient Freezing）法およびＶＺＭ（Vertical Z
one Melting ）法などがある。これらの方法は、ボート
またはるつぼの一部に種結晶を配置し、原料融液を種結
晶に接触させ、種結晶側より徐々に温度を降下させるこ
とによって、単結晶を育成するものである。特に、ＶＢ
法およびＶＧＦ法においては、通常、特開平４−３６７
５８３に示されているような円柱状のるつぼが用いられ
る。
（Horizontal Bridgman ）法、ＧＦ（Gradient Freezin
g ）法、ＶＢ（Vertical Bridgman ）法、ＶＧＦ（Vert
ical Gradient Freezing）法およびＶＺＭ（Vertical Z
one Melting ）法などがある。これらの方法は、ボート
またはるつぼの一部に種結晶を配置し、原料融液を種結
晶に接触させ、種結晶側より徐々に温度を降下させるこ
とによって、単結晶を育成するものである。特に、ＶＢ
法およびＶＧＦ法においては、通常、特開平４−３６７
５８３に示されているような円柱状のるつぼが用いられ
る。
【０００３】図５は、従来のＶＢ法において用いられる
るつぼの一例を示す断面図である。図５を参照して、こ
のるつぼ１１は、種結晶２を設置するるつぼ先端部３
と、製品となる結晶を育成するための先端部３の径より
大きい径を有する直胴部４と、その両者を連続した面で
繋ぐための肩部５とから構成されている。化合物半導体
結晶育成の場合、るつぼの材質としては、一般に、石英
または窒化ほう素が用いられる。このようなるつぼを用
いて、実際の結晶成長には、以下に示すような製造設備
が用いられる。
るつぼの一例を示す断面図である。図５を参照して、こ
のるつぼ１１は、種結晶２を設置するるつぼ先端部３
と、製品となる結晶を育成するための先端部３の径より
大きい径を有する直胴部４と、その両者を連続した面で
繋ぐための肩部５とから構成されている。化合物半導体
結晶育成の場合、るつぼの材質としては、一般に、石英
または窒化ほう素が用いられる。このようなるつぼを用
いて、実際の結晶成長には、以下に示すような製造設備
が用いられる。
【０００４】図６（Ａ）は、結晶製造装置の一例を示す
図であり、図６（Ｂ）は温度プロファイルを示す図であ
る。
図であり、図６（Ｂ）は温度プロファイルを示す図であ
る。
【０００５】図６（Ａ）を参照して、この結晶製造装置
は、気密容器６内の中央に配置されたるつぼ設置部８上
にるつぼ１１が設置され、さらにこのるつぼ１１の周囲
には加熱部７が設けられている。加熱部７は、図６
（Ｂ）に示すような温度勾配を持つ温度プロファイルを
持つように制御され、このプロファイルの移動により、
原料を溶かし、融液状態で種結晶に接触させ、その後結
晶を固化させて単結晶育成を行なっていた。
は、気密容器６内の中央に配置されたるつぼ設置部８上
にるつぼ１１が設置され、さらにこのるつぼ１１の周囲
には加熱部７が設けられている。加熱部７は、図６
（Ｂ）に示すような温度勾配を持つ温度プロファイルを
持つように制御され、このプロファイルの移動により、
原料を溶かし、融液状態で種結晶に接触させ、その後結
晶を固化させて単結晶育成を行なっていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種のるつぼを用いた結晶育成方法では、単結晶を育
成する際に、結晶の径方向（中心部と外周部）に温度差
が生じるという問題があった。すなわち外周部は速く冷
え、周辺部から固化するのに対して、中心部は固化潜熱
を取りきれないため、周辺より遅れて成長する。この場
合、成長直後の径方向の温度差が大きい場合には、結晶
中に熱歪みが生じ、転位（結晶欠陥）が発生するという
問題があった。
この種のるつぼを用いた結晶育成方法では、単結晶を育
成する際に、結晶の径方向（中心部と外周部）に温度差
が生じるという問題があった。すなわち外周部は速く冷
え、周辺部から固化するのに対して、中心部は固化潜熱
を取りきれないため、周辺より遅れて成長する。この場
合、成長直後の径方向の温度差が大きい場合には、結晶
中に熱歪みが生じ、転位（結晶欠陥）が発生するという
問題があった。
【０００７】このような転位は、結晶から製造する基板
の品質を左右することになる。そのため、できるだけ径
方向の温度差を低減して、低転位密度結晶を育成するこ
とが望ましい。しかしながら、現状では、この径方向の
温度差を低減するための方策としては、成長速度をたと
えば１ｍｍ／Ｈ程度まで遅くする以外に方法がなかっ
た。したがって、従来、成長時間が長くなるという問題
があった。また、成長速度を遅くしても、安定して低転
位密度の結晶を育成することは非常に困難であるという
問題があった。
の品質を左右することになる。そのため、できるだけ径
方向の温度差を低減して、低転位密度結晶を育成するこ
とが望ましい。しかしながら、現状では、この径方向の
温度差を低減するための方策としては、成長速度をたと
えば１ｍｍ／Ｈ程度まで遅くする以外に方法がなかっ
た。したがって、従来、成長時間が長くなるという問題
があった。また、成長速度を遅くしても、安定して低転
位密度の結晶を育成することは非常に困難であるという
問題があった。
【０００８】この発明の目的は、前述の問題点を解決
し、低転位密度の結晶を育成することができる、結晶育
成用るつぼを提供することにある。
し、低転位密度の結晶を育成することができる、結晶育
成用るつぼを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明による結
晶育成用るつぼは、種結晶を設置するための円柱状の先
端部と、先端部の上方に形成された結晶を育成するため
の、先端部の径より大きい径を有する円柱状の直胴部と
を含む窒化ほう素製るつぼであって、先端部の厚みＴ1
と直胴部の厚みＴ2 とは、 ０．１ｍｍ≦Ｔ2 ≦Ｔ1 ≦５ｍｍ の関係にあることを特徴としている。
晶育成用るつぼは、種結晶を設置するための円柱状の先
端部と、先端部の上方に形成された結晶を育成するため
の、先端部の径より大きい径を有する円柱状の直胴部と
を含む窒化ほう素製るつぼであって、先端部の厚みＴ1
と直胴部の厚みＴ2 とは、 ０．１ｍｍ≦Ｔ2 ≦Ｔ1 ≦５ｍｍ の関係にあることを特徴としている。
【００１０】請求項２の発明による結晶育成用るつぼ
は、請求項１の発明において、先端部の厚みＴ1 と直胴
部の厚みＴ2 とは、 Ｔ1 ≦０．９ｍｍかつＴ2 ≦０．６ｍｍ の関係にあることを特徴としている。
は、請求項１の発明において、先端部の厚みＴ1 と直胴
部の厚みＴ2 とは、 Ｔ1 ≦０．９ｍｍかつＴ2 ≦０．６ｍｍ の関係にあることを特徴としている。
【００１１】請求項３の発明による結晶育成用るつぼ
は、請求項１または請求項２の発明において、先端部の
内径Ｄ1 と直胴部の内径Ｄ2 とは、 １／２０≦Ｄ1 ／Ｄ2 ≦１／５ の関係にあることを特徴としている。
は、請求項１または請求項２の発明において、先端部の
内径Ｄ1 と直胴部の内径Ｄ2 とは、 １／２０≦Ｄ1 ／Ｄ2 ≦１／５ の関係にあることを特徴としている。
【００１２】請求項４の発明による結晶育成用るつぼ
は、請求項１〜請求項３のいずれかの発明において、先
端部の内径Ｄ1 と種結晶の外径Ｓ1 とが、室温で、 ０．０１ｍｍ≦Ｄ1 −Ｓ1 ≦１ｍｍ の関係にあることを特徴としている。
は、請求項１〜請求項３のいずれかの発明において、先
端部の内径Ｄ1 と種結晶の外径Ｓ1 とが、室温で、 ０．０１ｍｍ≦Ｄ1 −Ｓ1 ≦１ｍｍ の関係にあることを特徴としている。
【００１３】
【作用】本発明者らは、前述の問題点を解決するため
に、結晶を収容しているるつぼの材質と構造に着目し
た。そして、結晶成長時に、周辺からの冷えを抑制し、
かつ中心部から速く冷やすことによって、結晶の径方向
の温度差を低減するため、るつぼ材質とるつぼ厚みとる
つぼ先端部および直胴部の内径および種結晶径を考慮し
た最適るつぼを用いることにより、低転位密度の結晶を
育成できることを見出した。
に、結晶を収容しているるつぼの材質と構造に着目し
た。そして、結晶成長時に、周辺からの冷えを抑制し、
かつ中心部から速く冷やすことによって、結晶の径方向
の温度差を低減するため、るつぼ材質とるつぼ厚みとる
つぼ先端部および直胴部の内径および種結晶径を考慮し
た最適るつぼを用いることにより、低転位密度の結晶を
育成できることを見出した。
【００１４】本発明は、窒化ほう素からなるるつぼの先
端部の厚みＴ1 と直胴部の厚みＴ2とが、 ０．１ｍｍ≦Ｔ2 ≦Ｔ1 ≦５ｍｍ の関係にあることを特徴としている。
端部の厚みＴ1 と直胴部の厚みＴ2とが、 ０．１ｍｍ≦Ｔ2 ≦Ｔ1 ≦５ｍｍ の関係にあることを特徴としている。
【００１５】この発明によれば、窒化ほう素の熱伝導率
の異方性を利用することにより、結晶の径方向の温度差
が低減される。この点について、以下に詳しく説明す
る。
の異方性を利用することにより、結晶の径方向の温度差
が低減される。この点について、以下に詳しく説明す
る。
【００１６】るつぼの材質として用いられる窒化ほう素
（ｐＢＮ）は、以下のように、熱伝導率が、厚み方向と
面方向で大きく異なっている。
（ｐＢＮ）は、以下のように、熱伝導率が、厚み方向と
面方向で大きく異なっている。
【００１７】 厚み方向の熱伝導率：Ｋ＝０．２５〜１．７Ｗ／ｍＫ 面方向の熱伝導率：Ｋ＝２５〜１００Ｗ／ｍＫ 一方、結晶が化合物半導体の場合、たとえばＧａＡｓの
場合の熱伝導率は、以下のとおりである。
場合の熱伝導率は、以下のとおりである。
【００１８】 ＧａＡｓの熱伝導率：Ｋ＝７．３Ｗ／ｍＫ したがって、ｐＢＮをるつぼに用いた結晶成長における
熱の流れには、るつぼ厚みが非常に大きく影響する。す
なわち、るつぼの厚みを薄くすると、厚み方向の熱伝導
率が支配的となるため、熱の逃げが抑制される。一方、
るつぼの厚みを厚くすると、面方向の熱伝導率が支配的
となるため、熱の逃がしが促進される。
熱の流れには、るつぼ厚みが非常に大きく影響する。す
なわち、るつぼの厚みを薄くすると、厚み方向の熱伝導
率が支配的となるため、熱の逃げが抑制される。一方、
るつぼの厚みを厚くすると、面方向の熱伝導率が支配的
となるため、熱の逃がしが促進される。
【００１９】この発明によれば、るつぼ先端部の厚みを
厚く、直胴部の厚みを薄くすることにより、結晶の中心
部から熱を逃がし、周辺部から熱の逃げを抑制すること
ができる。
厚く、直胴部の厚みを薄くすることにより、結晶の中心
部から熱を逃がし、周辺部から熱の逃げを抑制すること
ができる。
【００２０】また、この発明において、均一に熱流を制
御するためには、成長する結晶の熱伝導率を考慮し、る
つぼ先端部と直胴部の断面積（内径）を、ある最適な比
に設定することが効果的である。この発明によれば、先
端部の内径Ｄ1 と直胴部の内径Ｄ2 とを、 １／２０≦Ｄ1 ／Ｄ2 ≦１／５ の関係にすることにより、均一な熱流の制御が可能とな
る。
御するためには、成長する結晶の熱伝導率を考慮し、る
つぼ先端部と直胴部の断面積（内径）を、ある最適な比
に設定することが効果的である。この発明によれば、先
端部の内径Ｄ1 と直胴部の内径Ｄ2 とを、 １／２０≦Ｄ1 ／Ｄ2 ≦１／５ の関係にすることにより、均一な熱流の制御が可能とな
る。
【００２１】さらに、この発明において、るつぼ先端部
からの熱流を制御するためには、種結晶とるつぼ先端部
の隙間を制御し、熱抵抗を制御することが必要である。
種結晶とるつぼ内径の隙間を制御することにより、熱の
流れがよりよくなり、中心部の熱を取ることができるか
らである。この発明によれば、先端部の内径Ｄ1 と種結
晶の外径Ｓ1 とを、室温の値で、０．０１ｍｍ≦Ｄ1 −
Ｓ1 ≦１ｍｍの関係にすることにより、先端部からの熱
流を制御することが可能となる。
からの熱流を制御するためには、種結晶とるつぼ先端部
の隙間を制御し、熱抵抗を制御することが必要である。
種結晶とるつぼ内径の隙間を制御することにより、熱の
流れがよりよくなり、中心部の熱を取ることができるか
らである。この発明によれば、先端部の内径Ｄ1 と種結
晶の外径Ｓ1 とを、室温の値で、０．０１ｍｍ≦Ｄ1 −
Ｓ1 ≦１ｍｍの関係にすることにより、先端部からの熱
流を制御することが可能となる。
【００２２】
【実施例】図１は、本発明による結晶育成用るつぼの一
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【００２３】図１を参照して、このｐＢＮるつぼ１は大
きく分けて３つの部分に分けることができ、先端部２
と、直胴部３と、この両者を繋ぐ肩部４とから構成され
る。今回用いたるつぼの先端部２、直胴部３、および肩
部４の各々の長さは、それぞれ７５ｍｍ、３００ｍｍ、
２５ｍｍである。
きく分けて３つの部分に分けることができ、先端部２
と、直胴部３と、この両者を繋ぐ肩部４とから構成され
る。今回用いたるつぼの先端部２、直胴部３、および肩
部４の各々の長さは、それぞれ７５ｍｍ、３００ｍｍ、
２５ｍｍである。
【００２４】このように構成されるるつぼを利用して、
図６（Ａ）に示す単結晶製造装置により、ＧａＡｓ結晶
の育成を以下のように行なった。
図６（Ａ）に示す単結晶製造装置により、ＧａＡｓ結晶
の育成を以下のように行なった。
【００２５】まず、製造するＧａＡｓ結晶の成長予定重
量を３ｋｇとし、それに必要な原料とドーパントである
Ｓｉを３００ｍｇるつぼ内に充填して、成長実験を行な
った。成長速度は８ｍｍ／Ｈであり、図６（Ｂ）に示す
成長位置付近の温度プロファイルにおける温度勾配は１
０℃／ｃｍであった。
量を３ｋｇとし、それに必要な原料とドーパントである
Ｓｉを３００ｍｇるつぼ内に充填して、成長実験を行な
った。成長速度は８ｍｍ／Ｈであり、図６（Ｂ）に示す
成長位置付近の温度プロファイルにおける温度勾配は１
０℃／ｃｍであった。
【００２６】本実験で用いたるつぼは、直胴部の径を６
０ｍｍ、先端部の内径を８ｍｍとした。また、種結晶と
しては、その径が７．４ｍｍ〜７．８ｍｍのものを使用
した。ここで、先端部の厚みＴ1 と直胴部の厚みＴ2 を
変化させ、それぞれ単結晶を育成した後、各結晶からウ
ェハを３枚取り、１枚あたり９点の測定点で単位面積あ
たりの転位数を求め、平均し、結晶あたりの平均転位密
度を求めた。その結果を図２に示す。図２において、横
軸は先端部の厚みＴ1 （ｍｍ）を示し、縦軸は直胴部の
厚みＴ2 （ｍｍ）を示す。
０ｍｍ、先端部の内径を８ｍｍとした。また、種結晶と
しては、その径が７．４ｍｍ〜７．８ｍｍのものを使用
した。ここで、先端部の厚みＴ1 と直胴部の厚みＴ2 を
変化させ、それぞれ単結晶を育成した後、各結晶からウ
ェハを３枚取り、１枚あたり９点の測定点で単位面積あ
たりの転位数を求め、平均し、結晶あたりの平均転位密
度を求めた。その結果を図２に示す。図２において、横
軸は先端部の厚みＴ1 （ｍｍ）を示し、縦軸は直胴部の
厚みＴ2 （ｍｍ）を示す。
【００２７】図２より明らかなように、Ｔ2 ≦Ｔ1 の条
件下において、転位密度を１００００ケ／ｃｍ2 まで低
減できることがわかる。なお、るつぼの厚みの上限は、
５ｍｍであり、これ以上厚いとるつぼ単価も高くなり、
また、転位密度にほとんど影響を及ぼさなくなる。一
方、下限については、技術的に０．１ｍｍが限度であ
る。ただし、るつぼの外側に石英、カーボンからなる保
護用の容器を配置することにより、厚みが０．１ｍｍ以
下のるつぼを作製することも可能であるが、今回はその
ような実験は行なわなかった。
件下において、転位密度を１００００ケ／ｃｍ2 まで低
減できることがわかる。なお、るつぼの厚みの上限は、
５ｍｍであり、これ以上厚いとるつぼ単価も高くなり、
また、転位密度にほとんど影響を及ぼさなくなる。一
方、下限については、技術的に０．１ｍｍが限度であ
る。ただし、るつぼの外側に石英、カーボンからなる保
護用の容器を配置することにより、厚みが０．１ｍｍ以
下のるつぼを作製することも可能であるが、今回はその
ような実験は行なわなかった。
【００２８】さらに、図２より明らかなように、先端部
の厚みＴ1 と直胴部の厚みＴ2 とが、 ０．１ｍｍ≦Ｔ1 ≦０．９ｍｍ ０．１ｍｍ≦Ｔ2 ≦０．６ｍｍ Ｔ2 ≦Ｔ1 の関係を満たするつぼを用いると、平均転位密度を５０
０ケ／ｃｍ2 以下に低減できることがわかる。なお、る
つぼの厚みを薄くすることにより、Ｔ1 とＴ2 の差をあ
まり大きくつけないでも、結晶の熱伝導率の方が支配的
となり、転位密度を低減できる。しかしながら、るつぼ
の取扱上、クラック等の問題がでてくるため、るつぼの
厚みとしては０．１ｍｍが最下限である。
の厚みＴ1 と直胴部の厚みＴ2 とが、 ０．１ｍｍ≦Ｔ1 ≦０．９ｍｍ ０．１ｍｍ≦Ｔ2 ≦０．６ｍｍ Ｔ2 ≦Ｔ1 の関係を満たするつぼを用いると、平均転位密度を５０
０ケ／ｃｍ2 以下に低減できることがわかる。なお、る
つぼの厚みを薄くすることにより、Ｔ1 とＴ2 の差をあ
まり大きくつけないでも、結晶の熱伝導率の方が支配的
となり、転位密度を低減できる。しかしながら、るつぼ
の取扱上、クラック等の問題がでてくるため、るつぼの
厚みとしては０．１ｍｍが最下限である。
【００２９】次に、直胴部の内径Ｄ2 を６０ｍｍに固定
し、るつぼ先端部の厚みＴ1 を０．７〜０．９ｍｍ、直
胴部の厚みＴ2 を０．４〜０．６ｍｍとし、先端部の内
径Ｄ 1 を変化させて、転位密度への影響を調べた。ここ
で、るつぼ先端部の内径Ｄ1と種結晶の外径Ｓ1 との差
は、１ｍｍ以内に抑えた。その結果を図３に示す。図３
において、横軸は先端部の内径Ｄ1 （ｍｍ）を示し、縦
軸は平均転位密度（ケ／ｃｍ2 ）を示す。
し、るつぼ先端部の厚みＴ1 を０．７〜０．９ｍｍ、直
胴部の厚みＴ2 を０．４〜０．６ｍｍとし、先端部の内
径Ｄ 1 を変化させて、転位密度への影響を調べた。ここ
で、るつぼ先端部の内径Ｄ1と種結晶の外径Ｓ1 との差
は、１ｍｍ以内に抑えた。その結果を図３に示す。図３
において、横軸は先端部の内径Ｄ1 （ｍｍ）を示し、縦
軸は平均転位密度（ケ／ｃｍ2 ）を示す。
【００３０】図３より明らかなように、先端部の内径Ｄ
1 と直胴部の内径Ｄ2 との比には、転位密度に対して緩
やかな相関があることがわかる。また、最小可能種結晶
径を考慮すると、先端部の内径Ｄ1 と直胴部の内径Ｄ2
とは、 １／２０≦Ｄ1 ／Ｄ2 ≦１／５ の範囲内では、平均転位密度を５００ケ／ｃｍ2 以下に
低減できることがわかる。
1 と直胴部の内径Ｄ2 との比には、転位密度に対して緩
やかな相関があることがわかる。また、最小可能種結晶
径を考慮すると、先端部の内径Ｄ1 と直胴部の内径Ｄ2
とは、 １／２０≦Ｄ1 ／Ｄ2 ≦１／５ の範囲内では、平均転位密度を５００ケ／ｃｍ2 以下に
低減できることがわかる。
【００３１】さらに、熱接触抵抗の点から問題となるる
つぼの内径と種結晶との隙間についても、以下のような
実験を行なった。直胴部の内径Ｄ2 を６０ｍｍ、厚みＴ
2 を０．４〜０．６ｍｍとし、先端部の内径Ｄ1 を８ｍ
ｍ、厚みＴ1 を０．７〜０．９ｍｍとし、種結晶の外径
Ｓ1 を変化させて結晶成長を行ない、転位密度への影響
を調べた。その結果を図４に示す。図４において、横軸
はるつぼ先端部内径と種結晶の外径との差（Ｄ1 −
Ｓ1 ）（ｍｍ）を示し、縦軸は平均転位密度（ケ／ｃｍ
2 ）を示す。
つぼの内径と種結晶との隙間についても、以下のような
実験を行なった。直胴部の内径Ｄ2 を６０ｍｍ、厚みＴ
2 を０．４〜０．６ｍｍとし、先端部の内径Ｄ1 を８ｍ
ｍ、厚みＴ1 を０．７〜０．９ｍｍとし、種結晶の外径
Ｓ1 を変化させて結晶成長を行ない、転位密度への影響
を調べた。その結果を図４に示す。図４において、横軸
はるつぼ先端部内径と種結晶の外径との差（Ｄ1 −
Ｓ1 ）（ｍｍ）を示し、縦軸は平均転位密度（ケ／ｃｍ
2 ）を示す。
【００３２】図４より明らかなように、隙間としては、
１ｍｍ以下に押えることにより、安定して比較的低い転
位密度の結晶を得ることができることがわかる。また、
隙間を変化させる場合、るつぼ表面の形状上、０．０１
ｍｍ以下に抑えることはコスト上も望ましくない。した
がって、るつぼの内径と種結晶の隙間としては、０．０
１〜１ｍｍが適当である。
１ｍｍ以下に押えることにより、安定して比較的低い転
位密度の結晶を得ることができることがわかる。また、
隙間を変化させる場合、るつぼ表面の形状上、０．０１
ｍｍ以下に抑えることはコスト上も望ましくない。した
がって、るつぼの内径と種結晶の隙間としては、０．０
１〜１ｍｍが適当である。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
結晶の育成において、結晶の径方向の温度差を低減する
ことにより、低転位密度結晶を育成することができる。
結晶の育成において、結晶の径方向の温度差を低減する
ことにより、低転位密度結晶を育成することができる。
【図１】本発明による結晶育成用るつぼの一例を示す断
面図である。
面図である。
【図２】先端部の厚みＴ1 および直胴部の厚みＴ2 と平
均転位密度との関係を示す図である。
均転位密度との関係を示す図である。
【図３】先端部の内径Ｄ1 と平均転位密度との関係を示
す図である。
す図である。
【図４】るつぼ先端部の内径と種結晶の外径との差（Ｄ
1 −Ｓ1 ）と平均転位密度との関係を示す図である。
1 −Ｓ1 ）と平均転位密度との関係を示す図である。
【図５】従来のＶＢ法において用いられるるつぼの一例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図６】（Ａ）は結晶製造装置の一例を示す図であり、
（Ｂ）は温度プロファイルを示す図である。
（Ｂ）は温度プロファイルを示す図である。
１ 結晶育成用るつぼ ２ 種結晶 ３ 先端部 ５ 直胴部 Ｄ1 先端部の内径 Ｄ2 直胴部の内径 Ｓ1 種結晶の外径 Ｔ1 先端部の厚み Ｔ2 直胴部の厚み なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (4)
- 【請求項１】 種結晶を設置するための円柱状の先端部
と、前記先端部の上方に形成された結晶を育成するため
の、前記先端部の径より大きい径を有する円柱状の直胴
部とを含む窒化ほう素製るつぼであって、 前記先端部の厚みＴ1 と前記直胴部の厚みＴ2 とは、 ０．１ｍｍ≦Ｔ2 ≦Ｔ1 ≦５ｍｍ の関係にあることを特徴とする、結晶育成用るつぼ。 - 【請求項２】 前記先端部の厚みＴ1 と前記直胴部の厚
みＴ2 とは、 Ｔ1 ≦０．９ｍｍかつＴ2 ≦０．６ｍｍ の関係にあることを特徴とする、請求項１記載の結晶育
成用るつぼ。 - 【請求項３】 前記先端部の内径Ｄ1 と前記直胴部の内
径Ｄ2 とは、 １／２０≦Ｄ1 ／Ｄ2 ≦１／５ の関係にあることを特徴とする、請求項１または請求項
２記載の結晶育成用るつぼ。 - 【請求項４】 前記先端部の内径Ｄ1 と前記種結晶の外
径Ｓ1 とが、室温で、 ０．０１ｍｍ≦Ｄ1 −Ｓ1 ≦１ｍｍ の関係にあることを特徴とする、請求項１〜請求項３の
いずれか記載の結晶育成用るつぼ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06185959A JP3120662B2 (ja) | 1994-08-08 | 1994-08-08 | 結晶育成用るつぼ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP06185959A JP3120662B2 (ja) | 1994-08-08 | 1994-08-08 | 結晶育成用るつぼ |
Publications (2)
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| JP3120662B2 true JP3120662B2 (ja) | 2000-12-25 |
Family
ID=16179877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06185959A Expired - Lifetime JP3120662B2 (ja) | 1994-08-08 | 1994-08-08 | 結晶育成用るつぼ |
Country Status (1)
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-
1994
- 1994-08-08 JP JP06185959A patent/JP3120662B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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| JPH0848591A (ja) | 1996-02-20 |
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