JP3119439B2 - めっき処理用タイバー及び内部配線のめっき処理方法 - Google Patents
めっき処理用タイバー及び内部配線のめっき処理方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はめっき処理用タイバ
ー及び内部配線のめっき処理方法に関し、より詳細に
は、例えばセラミック基板のマルチキャビティ間に形成
された内部配線露出部にメッキ処理を施す際に用いるめ
っき処理用タイバー及び該タイバーを用いた内部配線の
めっき処理方法に関する。
ー及び内部配線のめっき処理方法に関し、より詳細に
は、例えばセラミック基板のマルチキャビティ間に形成
された内部配線露出部にメッキ処理を施す際に用いるめ
っき処理用タイバー及び該タイバーを用いた内部配線の
めっき処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器はますます小型化、高速
動作化が進んできており、これらの要求に答えるため、
最近ではマルチチップモジュール（ＭＣＭ）が採用され
つつある。ＭＣＭは、高密度配線が形成されたセラミッ
ク多層配線基板（以下、セラミック基板と記す）に複数
のベアチップが搭載されたものである。前記ＭＣＭ用の
セラミック基板には、複数のベアチップを搭載するため
に複数のキャビティ部が形成され、またその表面や内部
には前記キャビティ部に搭載される半導体素子をマザー
ボードに接続するための外部配線と、前記半導体素子同
士を接続するための内部配線とが形成されている。
動作化が進んできており、これらの要求に答えるため、
最近ではマルチチップモジュール（ＭＣＭ）が採用され
つつある。ＭＣＭは、高密度配線が形成されたセラミッ
ク多層配線基板（以下、セラミック基板と記す）に複数
のベアチップが搭載されたものである。前記ＭＣＭ用の
セラミック基板には、複数のベアチップを搭載するため
に複数のキャビティ部が形成され、またその表面や内部
には前記キャビティ部に搭載される半導体素子をマザー
ボードに接続するための外部配線と、前記半導体素子同
士を接続するための内部配線とが形成されている。
【０００３】前記セラミック基板を製造するには、ま
ず、アルミナ等のセラミック原料粉末等を主成分とする
グリーンシートに貫通孔等を形成した後、タングステン
（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）等を主成分とする導体ペー
ストを前記貫通孔に充填し、また前記グリーンシート上
に導体パターンを形成する。その後、上記処理が施され
たグリーンシートを積層して焼成し、セラミック基板用
の焼結体を製造する。前記焼結体の表面には、前記内部
配線及び前記外部配線を構成するＷ等の金属層が形成さ
れているが、前記金属層のままでは半田付け等が難しい
ため、通常、前記金属層に電解めっきによるＮｉめっき
処理及びＡｕめっき処理を施す。
ず、アルミナ等のセラミック原料粉末等を主成分とする
グリーンシートに貫通孔等を形成した後、タングステン
（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）等を主成分とする導体ペー
ストを前記貫通孔に充填し、また前記グリーンシート上
に導体パターンを形成する。その後、上記処理が施され
たグリーンシートを積層して焼成し、セラミック基板用
の焼結体を製造する。前記焼結体の表面には、前記内部
配線及び前記外部配線を構成するＷ等の金属層が形成さ
れているが、前記金属層のままでは半田付け等が難しい
ため、通常、前記金属層に電解めっきによるＮｉめっき
処理及びＡｕめっき処理を施す。
【０００４】前記内部配線は、前記半導体素子同士を接
続するものであり、基本的にセラミック基板の外部に接
続するための配線を必要としない。従って、前記内部配
線に電解めっき処理を施すためには、セラミック基板の
側壁部又は底部に形成するめっき用電極に接続するため
の特別の配線が必要となる。
続するものであり、基本的にセラミック基板の外部に接
続するための配線を必要としない。従って、前記内部配
線に電解めっき処理を施すためには、セラミック基板の
側壁部又は底部に形成するめっき用電極に接続するため
の特別の配線が必要となる。
【０００５】図３（ａ）は従来のＭＣＭ用のセラミック
基板の一例を模式的に示した平面図であり、（ｂ）は
（ａ）に示した平面図におけるＡ−Ａ線断面図である。
また、図４は図３に示したセラミック基板２１におい
て、めっき処理用タイバー２４が形成されたキャビティ
部１２の段部１２ａ近傍を模式的に示した部分拡大斜視
図である。
基板の一例を模式的に示した平面図であり、（ｂ）は
（ａ）に示した平面図におけるＡ−Ａ線断面図である。
また、図４は図３に示したセラミック基板２１におい
て、めっき処理用タイバー２４が形成されたキャビティ
部１２の段部１２ａ近傍を模式的に示した部分拡大斜視
図である。
【０００６】略直方体板形状のセラミック基板２１の所
定箇所には２個のキャビティ部１２が形成されており、
キャビティ部１２の内部周辺には段部１２ａが形成され
ている。キャビティ部１２間には隔壁部１１ａを通る複
数個の内部配線２３が形成されており、キャビティ部１
２の段部１２ａ上には内部配線２３の両端（露出）部２
３ａが露出している。各内部配線２３の右端部はめっき
処理用タイバー２４にそれぞれ接続され、めっき処理用
タイバー２４の一端はスルーホール２４ａ、及び内層配
線２４ｂを介してセラミック基板２１の側壁部１１ｂ側
に形成されためっき用電極１５に接続されている。めっ
き処理用タイバー２４の一端がスルーホール（図示せ
ず）を介して底部１１ｃに形成されためっき用電極（図
示せず）に直接接続されている場合もある。
定箇所には２個のキャビティ部１２が形成されており、
キャビティ部１２の内部周辺には段部１２ａが形成され
ている。キャビティ部１２間には隔壁部１１ａを通る複
数個の内部配線２３が形成されており、キャビティ部１
２の段部１２ａ上には内部配線２３の両端（露出）部２
３ａが露出している。各内部配線２３の右端部はめっき
処理用タイバー２４にそれぞれ接続され、めっき処理用
タイバー２４の一端はスルーホール２４ａ、及び内層配
線２４ｂを介してセラミック基板２１の側壁部１１ｂ側
に形成されためっき用電極１５に接続されている。めっ
き処理用タイバー２４の一端がスルーホール（図示せ
ず）を介して底部１１ｃに形成されためっき用電極（図
示せず）に直接接続されている場合もある。
【０００７】一方図示しないが、キャビティ部１２とセ
ラミック基板２１の各側壁部１１ｂとの間には複数個の
外部配線が形成されており、キャビティ部１２の段部１
２ａ上にはこの外部配線の一端部が露出する一方、該外
部配線の他端部は側壁部１１ｂ側のめっき用電極に接続
されている。あるいは前記外部配線の所定箇所にスルー
ホールが形成され、該スルーホールを介して前記外部配
線がセラミック基板２１の底部１１ｃ側のめっき用電極
に接続されている場合もある。
ラミック基板２１の各側壁部１１ｂとの間には複数個の
外部配線が形成されており、キャビティ部１２の段部１
２ａ上にはこの外部配線の一端部が露出する一方、該外
部配線の他端部は側壁部１１ｂ側のめっき用電極に接続
されている。あるいは前記外部配線の所定箇所にスルー
ホールが形成され、該スルーホールを介して前記外部配
線がセラミック基板２１の底部１１ｃ側のめっき用電極
に接続されている場合もある。
【０００８】このように構成されたセラミック基板２１
にめっき処理を施す場合、電解めっき装置の電源から導
出された端子をめっき用電極１５及び他の部分に形成さ
れた図示しない前記めっき用電極に接続し、その後セラ
ミック基板２１をＮｉめっき浴やＡｕめっき浴に浸漬し
た後、所定量の電流を通す。上記めっき処理により、内
部配線２３露出部１３ａや、前記外部配線の露出部等に
Ｎｉめっき層及びＡｕめっき層（ともに図示せず）が形
成される。
にめっき処理を施す場合、電解めっき装置の電源から導
出された端子をめっき用電極１５及び他の部分に形成さ
れた図示しない前記めっき用電極に接続し、その後セラ
ミック基板２１をＮｉめっき浴やＡｕめっき浴に浸漬し
た後、所定量の電流を通す。上記めっき処理により、内
部配線２３露出部１３ａや、前記外部配線の露出部等に
Ｎｉめっき層及びＡｕめっき層（ともに図示せず）が形
成される。
【０００９】上記めっき処理が終了した後、各内部配線
２３を電気的に分離するため、いわゆるレーザトリミン
グ処理の技術を用い、内部配線２３とめっき処理用タイ
バー２４とを切り離す。図５（ａ）はレーザ光の照射に
より各内部配線が切断された状態を模式的に示した部分
拡大斜視図であり、（ｂ）は（ａ）に示した部分拡大斜
視図におけるＢ−Ｂ線断面図である。
２３を電気的に分離するため、いわゆるレーザトリミン
グ処理の技術を用い、内部配線２３とめっき処理用タイ
バー２４とを切り離す。図５（ａ）はレーザ光の照射に
より各内部配線が切断された状態を模式的に示した部分
拡大斜視図であり、（ｂ）は（ａ）に示した部分拡大斜
視図におけるＢ−Ｂ線断面図である。
【００１０】図５に示したように、レーザ光を照射する
ことによりめっき処理用タイバー２４近傍の各内部配線
２３、及びセラミック基板２１を構成するセラミックの
一部を溶解又は分解させ、内部配線２３を切断する。こ
の内部配線２３の切断により各内部配線２３をめっき処
理用タイバー２４より電気的に切り離す。
ことによりめっき処理用タイバー２４近傍の各内部配線
２３、及びセラミック基板２１を構成するセラミックの
一部を溶解又は分解させ、内部配線２３を切断する。こ
の内部配線２３の切断により各内部配線２３をめっき処
理用タイバー２４より電気的に切り離す。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記レーザトリミング
処理においては、レーザ光を照射した際、内部配線２３
を構成する導電性金属やセラミック基板２１を構成する
セラミック材料（アルミナ等）が溶解、又は分解し、滓
２７となって周囲に流出又は飛散する。特に、内部配線
２３を構成する金属が滓２７となって周囲に流出又は飛
散すると、内部配線２３とめっき処理用タイバー２４と
の間や、内部配線２３同士の絶縁性が不良となる。この
ため、上記レーザトリミング処理を施した後、エッチン
グ処理を施し、滓２７の除去を行う。
処理においては、レーザ光を照射した際、内部配線２３
を構成する導電性金属やセラミック基板２１を構成する
セラミック材料（アルミナ等）が溶解、又は分解し、滓
２７となって周囲に流出又は飛散する。特に、内部配線
２３を構成する金属が滓２７となって周囲に流出又は飛
散すると、内部配線２３とめっき処理用タイバー２４と
の間や、内部配線２３同士の絶縁性が不良となる。この
ため、上記レーザトリミング処理を施した後、エッチン
グ処理を施し、滓２７の除去を行う。
【００１２】しかし、図５（ｂ）に示したように、レー
ザトリミング処理により形成された溝２６の内部に流れ
込んだ滓２７は、セラミック材料と導電性金属とが混合
された溶融物となっているため、上記エッチング処理に
よっても容易に除去することができず、内部配線２３と
めっき処理用タイバー２４との間や、内部配線２３同士
の絶縁性が不良になるという課題があった。特に内部配
線２３同士の間隔が短くなると、内部配線２３同士の絶
縁性が不良となり易い。
ザトリミング処理により形成された溝２６の内部に流れ
込んだ滓２７は、セラミック材料と導電性金属とが混合
された溶融物となっているため、上記エッチング処理に
よっても容易に除去することができず、内部配線２３と
めっき処理用タイバー２４との間や、内部配線２３同士
の絶縁性が不良になるという課題があった。特に内部配
線２３同士の間隔が短くなると、内部配線２３同士の絶
縁性が不良となり易い。
【００１３】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
り、上記レーザトリミング処理により内部配線とめっき
処理用タイバーとを電気的に切り離した際、内部配線同
士や該内部配線とタイバーとの絶縁性を良好にすること
ができる形状を有するめっき処理用タイバー及び該めっ
き処理用タイバーを用いた内部配線のめっき処理方法を
提供することを目的としている。
り、上記レーザトリミング処理により内部配線とめっき
処理用タイバーとを電気的に切り離した際、内部配線同
士や該内部配線とタイバーとの絶縁性を良好にすること
ができる形状を有するめっき処理用タイバー及び該めっ
き処理用タイバーを用いた内部配線のめっき処理方法を
提供することを目的としている。
【００１４】
【課題を解決するための手段及びその効果】上記目的を
達成するために本発明に係るめっき処理用タイバー
（１）は、複数のキャビティ部間に多数配線されている
セラミック基板の内部配線を接続しておくためのもので
あり、前記セラミック基板上に形成された導体パターン
からなるめっき処理用タイバーにおいて、前記各内部配
線に対する接続部の導体パターンの幅が前記内部配線の
幅よりも小さく設定されていることを特徴としている。
達成するために本発明に係るめっき処理用タイバー
（１）は、複数のキャビティ部間に多数配線されている
セラミック基板の内部配線を接続しておくためのもので
あり、前記セラミック基板上に形成された導体パターン
からなるめっき処理用タイバーにおいて、前記各内部配
線に対する接続部の導体パターンの幅が前記内部配線の
幅よりも小さく設定されていることを特徴としている。
【００１５】上記めっき処理用タイバー（１）によれ
ば、レーザトリミング処理により切断する前記接続部の
導体パターンの幅が狭いので、レーザ光の照射により発
生する滓のうち導電性金属の量が少なくなり、前記レー
ザトリミング後の内部配線同士や、該内部配線とタイバ
ーとの間の電気絶縁性を良好に保つことができる。
ば、レーザトリミング処理により切断する前記接続部の
導体パターンの幅が狭いので、レーザ光の照射により発
生する滓のうち導電性金属の量が少なくなり、前記レー
ザトリミング後の内部配線同士や、該内部配線とタイバ
ーとの間の電気絶縁性を良好に保つことができる。
【００１６】また本発明に係るめっき処理用タイバー
（２）は、めっき処理用タイバー（１）において、前記
内部配線の幅に対する前記接続部の導体パターンの幅の
割合が６０％以下であることを特徴としている。
（２）は、めっき処理用タイバー（１）において、前記
内部配線の幅に対する前記接続部の導体パターンの幅の
割合が６０％以下であることを特徴としている。
【００１７】上記めっき処理用タイバー（２）によれ
ば、レーザトリミングにより切断する前記接続部の導体
パターンの幅がより狭いので、内部配線同士や該内部配
線とタイバーとの絶縁性を極めて良好に保つことができ
る。
ば、レーザトリミングにより切断する前記接続部の導体
パターンの幅がより狭いので、内部配線同士や該内部配
線とタイバーとの絶縁性を極めて良好に保つことができ
る。
【００１８】また本発明に係る内部配線のめっき処理方
法は、上記めっき処理用タイバー（１）又は（２）によ
り接続された内部配線に電解めっき処理を施した後、前
記接続部の導体パターンをレーザ光を用いて切断するこ
とを特徴としている。
法は、上記めっき処理用タイバー（１）又は（２）によ
り接続された内部配線に電解めっき処理を施した後、前
記接続部の導体パターンをレーザ光を用いて切断するこ
とを特徴としている。
【００１９】上記内部配線のめっき処理方法によれば、
前記めっき処理用タイバーを用いるため、内部配線の露
出部に容易に電解めっき処理を施すことができ、かつ前
記レーザ光を用いたレーザトリミングにより内部配線同
士や該内部配線とタイバーとの絶縁性を良好に保って前
記めっき処理用タイバーを切り離すことができる。
前記めっき処理用タイバーを用いるため、内部配線の露
出部に容易に電解めっき処理を施すことができ、かつ前
記レーザ光を用いたレーザトリミングにより内部配線同
士や該内部配線とタイバーとの絶縁性を良好に保って前
記めっき処理用タイバーを切り離すことができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るめっき処理用
タイバー及び内部配線のめっき処理方法の実施の形態を
図面に基づいて説明する。なお、従来例と同一機能を有
する構成部品には同一の符号を付すこととする。図１は
実施の形態に係るめっき処理用タイバーが形成されたキ
ャビティ部の段部近傍を模式的に示した部分拡大斜視図
である。内部配線１３の露出部１３ａ及びめっき処理用
タイバー１４の形状を除いた部分は図３に示した従来の
セラミック基板２１と同様に構成されているので、ここ
では上記した内部配線１３の露出部１３ａ等についての
み説明する。
タイバー及び内部配線のめっき処理方法の実施の形態を
図面に基づいて説明する。なお、従来例と同一機能を有
する構成部品には同一の符号を付すこととする。図１は
実施の形態に係るめっき処理用タイバーが形成されたキ
ャビティ部の段部近傍を模式的に示した部分拡大斜視図
である。内部配線１３の露出部１３ａ及びめっき処理用
タイバー１４の形状を除いた部分は図３に示した従来の
セラミック基板２１と同様に構成されているので、ここ
では上記した内部配線１３の露出部１３ａ等についての
み説明する。
【００２１】各内部配線１３の露出部１３ａはめっき処
理用タイバー１４により接続されているが、露出部１３
ａの長さ（ｃ）は従来よりも短く設定されており、露出
部１３ａの端部はめっき処理用タイバー１４に形成され
た櫛状の接続部１４ａにより接続されている。また、接
続部１４ａの幅（ｂ）は内部配線１３（露出部１３ａ）
の幅（ａ）よりも狭く設定されている。通常内部配線１
３の幅（ａ）は８０〜１５０μｍであるのに対し、接続
部１４ａの幅（ｂ）はそれより狭い４０〜９０μｍに設
定するのが好ましく、内部配線１３の幅（ａ）に対する
接続部１４ａの幅（ｂ）の割合は３０〜６０％が好まし
い。また、接続部１４ａの長さ（ｄ）は１００〜２００
μｍが好ましい。
理用タイバー１４により接続されているが、露出部１３
ａの長さ（ｃ）は従来よりも短く設定されており、露出
部１３ａの端部はめっき処理用タイバー１４に形成され
た櫛状の接続部１４ａにより接続されている。また、接
続部１４ａの幅（ｂ）は内部配線１３（露出部１３ａ）
の幅（ａ）よりも狭く設定されている。通常内部配線１
３の幅（ａ）は８０〜１５０μｍであるのに対し、接続
部１４ａの幅（ｂ）はそれより狭い４０〜９０μｍに設
定するのが好ましく、内部配線１３の幅（ａ）に対する
接続部１４ａの幅（ｂ）の割合は３０〜６０％が好まし
い。また、接続部１４ａの長さ（ｄ）は１００〜２００
μｍが好ましい。
【００２２】このように構成されたセラミック基板１１
にめっき処理を施す際には、電解めっき用装置の電源か
ら導出された端子をめっき用電極１５（図３）及び図示
しないめっき用電極に接続し、その後セラミック基板１
１をＮｉめっき浴やＡｕめっき浴に浸漬し、所定量の電
流を通す。上記めっき処理により、内部配線１３の露出
部１３ａや、外部配線の露出部等にＮｉめっき層及びＡ
ｕめっき層（ともに図示せず）が形成される。
にめっき処理を施す際には、電解めっき用装置の電源か
ら導出された端子をめっき用電極１５（図３）及び図示
しないめっき用電極に接続し、その後セラミック基板１
１をＮｉめっき浴やＡｕめっき浴に浸漬し、所定量の電
流を通す。上記めっき処理により、内部配線１３の露出
部１３ａや、外部配線の露出部等にＮｉめっき層及びＡ
ｕめっき層（ともに図示せず）が形成される。
【００２３】その後、レーザトリミング処理を施し、各
内部配線１３とめっき処理用タイバー１４とを切り離
す。図２はレーザ光の照射により接続部が切断された状
態を模式的に示した部分拡大斜視図である。
内部配線１３とめっき処理用タイバー１４とを切り離
す。図２はレーザ光の照射により接続部が切断された状
態を模式的に示した部分拡大斜視図である。
【００２４】レーザトリミングに用いるレーザとして
は、通常、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ等が挙げら
れ、その照射強度は２．０×１０4 〜２．０×１０6 Ｊ
／ｃｍ2が好ましく、その走査速度は０．１〜２ｃｍ／
秒が好ましい。
は、通常、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ等が挙げら
れ、その照射強度は２．０×１０4 〜２．０×１０6 Ｊ
／ｃｍ2が好ましく、その走査速度は０．１〜２ｃｍ／
秒が好ましい。
【００２５】本実施の形態においては、めっき処理用タ
イバー１４の接続部１４ａの幅（ｂ）が内部配線１３ａ
の幅（ｄ）よりも狭くなっているので、レーザ光を照射
して接続部１４ａを溶解しても、滓１７となる導体金属
金属の流出量又は飛散量は少なく、そのため内部配線１
３同士や内部配線１３とめっき処理用タイバー１４との
絶縁性を良好に保つことができる。
イバー１４の接続部１４ａの幅（ｂ）が内部配線１３ａ
の幅（ｄ）よりも狭くなっているので、レーザ光を照射
して接続部１４ａを溶解しても、滓１７となる導体金属
金属の流出量又は飛散量は少なく、そのため内部配線１
３同士や内部配線１３とめっき処理用タイバー１４との
絶縁性を良好に保つことができる。
【００２６】
【実施例及び比較例】以下、本発明に係るめっき処理用
タイバー及び内部配線のめっき処理方法を説明する。ま
た、比較例として、従来のめっき処理用タイバー及び内
部配線のめっき処理方法も説明する。下記の表１にその
条件及び評価結果を示す。
タイバー及び内部配線のめっき処理方法を説明する。ま
た、比較例として、従来のめっき処理用タイバー及び内
部配線のめっき処理方法も説明する。下記の表１にその
条件及び評価結果を示す。
【００２７】なお、絶縁性の評価については、内部配線
１３、２３同士又は内部配線１３、２３とめっき処理用
タイバー１４、２４との間の絶縁性が１０10Ω以上のも
のを絶縁性良好とした。
１３、２３同士又は内部配線１３、２３とめっき処理用
タイバー１４、２４との間の絶縁性が１０10Ω以上のも
のを絶縁性良好とした。
【００２８】
【表１】
【００２９】表１に示した実施例１〜２の結果より明ら
かなように、実施例の場合には、めっき処理用タイバー
１４の接続部１４ａの幅（ｂ）が内部配線１３の幅
（ａ）の６０％以下であるため、レーザトリミング処理
により接続部１４ａを切断しても滓１７として流出又は
飛散する導電性金属の量が少なく、そのため内部配線１
３同士又は内部配線１３とめっき処理用タイバー１４と
の間の絶縁性を良好に保つことができた。
かなように、実施例の場合には、めっき処理用タイバー
１４の接続部１４ａの幅（ｂ）が内部配線１３の幅
（ａ）の６０％以下であるため、レーザトリミング処理
により接続部１４ａを切断しても滓１７として流出又は
飛散する導電性金属の量が少なく、そのため内部配線１
３同士又は内部配線１３とめっき処理用タイバー１４と
の間の絶縁性を良好に保つことができた。
【００３０】一方、比較例の場合には、レーザ光により
切断する内部配線２３の幅（ａ）が広いため、レーザト
リミングにより滓２７として飛散する導電性金属の量が
多く、この滓２７に起因して内部配線２３同士又は内部
配線２３とめっき処理用タイバー２４との間の絶縁性が
悪化し、絶縁性不良の製品の割合が約８１％にもなっ
た。
切断する内部配線２３の幅（ａ）が広いため、レーザト
リミングにより滓２７として飛散する導電性金属の量が
多く、この滓２７に起因して内部配線２３同士又は内部
配線２３とめっき処理用タイバー２４との間の絶縁性が
悪化し、絶縁性不良の製品の割合が約８１％にもなっ
た。
【図１】本発明の実施の形態に係るめっき処理用タイバ
ーが形成されたキャビティ部の段部近傍を模式的に示し
た部分拡大斜視図である。
ーが形成されたキャビティ部の段部近傍を模式的に示し
た部分拡大斜視図である。
【図２】実施の形態に係るめっき処理用タイバーの接続
部がレーザ光の照射により切断された状態を模式的に示
した部分拡大斜視図である。
部がレーザ光の照射により切断された状態を模式的に示
した部分拡大斜視図である。
【図３】（ａ）は従来のセラミック基板を模式的に示し
た平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示した平面図におけ
るＡ−Ａ線断面図である。
た平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示した平面図におけ
るＡ−Ａ線断面図である。
【図４】従来のセラミック基板において、めっき処理用
タイバーが形成されたキャビティ部の段部近傍を模式的
に示した部分拡大斜視図である。
タイバーが形成されたキャビティ部の段部近傍を模式的
に示した部分拡大斜視図である。
【図５】（ａ）は、従来のセラミック基板において、レ
ーザ光の照射により各内部配線が切断された状態を模式
的に示した部分拡大斜視図であり、（ｂ）は（ａ）に示
した部分拡大斜視図におけるＢ−Ｂ線断面図である。
ーザ光の照射により各内部配線が切断された状態を模式
的に示した部分拡大斜視図であり、（ｂ）は（ａ）に示
した部分拡大斜視図におけるＢ−Ｂ線断面図である。
１１ セラミック基板 １２ キャビティ部 １３ 内部配線 １３ａ 内部配線露出部 １４ めっき処理用タイバー １４ａ 接続部
Claims (3)
- 【請求項１】 複数のキャビティ部間に多数配線されて
いるセラミック基板の内部配線を接続しておくためのも
のであり、前記セラミック基板上に形成された導体パタ
ーンからなるめっき処理用タイバーにおいて、前記各内
部配線に対する接続部の導体パターンの幅が前記内部配
線の幅よりも小さく設定されていることを特徴とするめ
っき処理用タイバー。 - 【請求項２】 前記内部配線の幅に対する前記接続部の
導体パターンの幅の割合が６０％以下であることを特徴
とする請求項１記載のめっき処理用タイバー。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２記載のめっき処
理用タイバーにより接続された内部配線に電解めっき処
理を施した後、前記接続部の導体パターンをレーザ光を
用いて切断することを特徴とする内部配線のめっき処理
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7010196A JP3119439B2 (ja) | 1996-03-26 | 1996-03-26 | めっき処理用タイバー及び内部配線のめっき処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7010196A JP3119439B2 (ja) | 1996-03-26 | 1996-03-26 | めっき処理用タイバー及び内部配線のめっき処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09260565A JPH09260565A (ja) | 1997-10-03 |
| JP3119439B2 true JP3119439B2 (ja) | 2000-12-18 |
Family
ID=13421814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7010196A Expired - Fee Related JP3119439B2 (ja) | 1996-03-26 | 1996-03-26 | めっき処理用タイバー及び内部配線のめっき処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3119439B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6348142B1 (en) * | 2000-08-07 | 2002-02-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Electroplating multi-trace circuit board substrates using single tie bar |
| KR20030097089A (ko) * | 2002-06-19 | 2003-12-31 | 주식회사 심텍 | 타이 바 구조 |
| DE102014206558A1 (de) * | 2014-04-04 | 2015-10-08 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines MID-Schaltungsträgers und MID-Schaltungsträger |
| JP6496622B2 (ja) * | 2015-07-09 | 2019-04-03 | Ｎｇｋエレクトロデバイス株式会社 | セラミックス配線基板及び電子部品収納用パッケージ |
-
1996
- 1996-03-26 JP JP7010196A patent/JP3119439B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09260565A (ja) | 1997-10-03 |
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