JP3114233B2 - マルチ発光フラッシュ制御装置 - Google Patents

マルチ発光フラッシュ制御装置

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JP3114233B2
JP3114233B2 JP03118143A JP11814391A JP3114233B2 JP 3114233 B2 JP3114233 B2 JP 3114233B2 JP 03118143 A JP03118143 A JP 03118143A JP 11814391 A JP11814391 A JP 11814391A JP 3114233 B2 JP3114233 B2 JP 3114233B2
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light
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信明 笹垣
直樹 富野
泰志 坂上
伸一 鈴木
憲司 田崎
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、一駒の露出中に複数回
のフラッシュ発光を行うマルチ発光フラッシュ制御装置
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の制御装置としては、マル
チ発光時の周波数、発光量、発光回数を予め設定し、し
かる後にカメラのレリーズによりマルチ発光動作を開始
するものが知られている。このような装置により移動す
る被写体を撮影した場合、被写体の動きが各発光ごとに
止められた分解写真が得られる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のマルチ発光フラッシュ装置においては、一駒
の露出中マルチ発光の各発光量、及び撮影レンズの絞り
値が一定となっていたため、被写体がカメラに対して等
距離で移動する場合は良いが、近づく、あるいは遠ざか
る場合はかならず露出の過不足を生じるものであった。
【0004】本発明は、このような従来の問題点に鑑み
てなされたもので、一駒の露出中に被写体の距離が変化
しても、各発光による露出が常に適正となるようなマル
チ発光フラッシュ制御装置を提供することを目的とす
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明にあっては、一駒の露光中に複数回のフラッシュ
発光が可能なカメラシステムに於いて、複数回の各発光
ごとに、適正露出を得るために発光量を制御する制御手
段を備えたことを特徴とする。具体的に制御手段は、被
写体からの反射光を検出するための複数に分割された測
光手段と、該複数の測光手段に対応した複数の露出判定
手段と、該複数の露出判定手段の中から一つを選択する
選択手段と、該選択手段によって選択された箇所の露出
が適正となるようにフラッシュの発光量を制御する発光
制御手段とから構成される。
【0006】
【作用】このような構成を備えた本発明のマルチ発光フ
ラッシュ制御装置によれば次の作用が得られる。マルチ
発光を伴う撮影動作を開始すると、分割された測光手段
の全てにつき露出判定が並列的に行われ、いずれかの判
定手段から最初に得られる1つの判定結果を選択して発
光を停止する制御を各発光毎に繰り返し、一駒の撮影中
に被写体の距離が変化しても各発光による露出が常に適
正となる撮影ができる。
【0007】
【実施例】図1は本発明の一実施例を示したブロック図
である。図1において、3は測光用の受光素子であり、
図2に示すように撮影領域に対応した測光領域を12分
割した受光部3(a,a)〜3(d,c)により構成さ
れている。受光素子3のカメラ内の配置は図3のカメラ
の光学系説明図に示される。図3において、1は撮影レ
ンズであり、撮影レンズ1によりフィルム2上に結像さ
れた像を、受光素子3上に再結像させる。尚、受光素子
3の分割数は図2に限らず、必要に応じて任意の数とで
きる。
【0008】再び図1を参照するに、5はフラッシュ発
光部、10は発光制御回路であり、発光制御回路10は
Lレベルで発光を開始させるTRG端子と、Hレベルで
発光を停止させるSTOP端子を備える。11は発光回
数設定手段であり、一駒中にフラッシュ発光部5を発光
させる回数Nを操作部材の操作等により設定する。12
は発光周波数設定手段であり、フラッシュ発光部5の発
光周期t1を決める発光周波数fを操作部材の操作等に
より設定する。13は公知のX接点である。
【0009】14はパルス発生器であり、発光回数設定
手段11で設定した発光回数Nと発光周波数設定手段1
2で設定した発光周波数fとの設定値に基づき、X接点
13のONを開始点として発光周期t1を与える制御パ
ルスTRGと、積分最大時間を決めるリセットパルスR
STを出力する。即ちパルス発生器14は t1=1/f となる間隔でN回の制御パルスTRGを出力し、同時に
制御パルスTRGと共にLレベルとなり、t1間隔でN
回発光させる場合の1回あたりの最大発光量を与える発
光時間t2後にHレベルとなるリセットパルスRSTを
発生する。
【0010】15(a,a)〜15(d,c)は増幅器
であり、受光素子3の受光部3(a,a)〜3(d,
c)の各出力を公知の対数圧縮、指数伸張等を行い増幅
する。16(a,a)〜16(d,c)は積分回路であ
り、増幅器15(a,a)〜15(d,c)の各出力を
積分する。積分回路16(a,a)〜16(d,c)は
リセットパルスRSTがHレベルの間はリセットとなっ
て積分動作を停止している。
【0011】17(a,a)〜17(d,c)は比較回
路であり、基準レベル発生回路19からの基準レベルと
積分回路16(a,a)〜16(d,c)の各出力を比
較し、両者が一致した時にHレベル出力を生ずる。18
はフィルム感度設定手段であり、DXコードの読み取
り、または手動操作等によりフィルム感度設定を行う。
更に基準レベル発生回路19は、フィルム感度設定手段
18の出力及び受光素子3の受光部分割数などに基づ
き、適正露出を得るための基準電圧Voを発生させる。
20は選択手段としてのOR回路であり、リセットパル
スRST及び比較回路17(a,a)〜17(d,c)
の出力が入力され、いずれか一つがHレベルになると、
発光制御回路10のSTOP端子にHレべル出力を与え
てフラッシュ発光部5の発光を停止させる。
【0012】次に図4を参照として図1の実施例の動作
を説明する。図4のタイミングチャートはt1間隔で5
回の発光を行った際に、被写体が図2の画面右上(d,
c)から画面左下(a,a)に向かって近づいてきた場
合の例を示している。尚、積分回路16(a,a)〜1
6(d,c)の出力は主要なものだけを記載し、他は省
略している。
【0013】まずX接点13が撮影操作に伴ってオンす
ると、パルス発生器14からのパルスTRGがHレベル
からLレベルとなり、発光制御回路10によりフラッシ
ュ発光部5の発光が開始される。被写体からの反射光は
撮影レンズ1によってフィルム2上に結像され、さらに
結像レンズ4によって受光素子3上に再結像される。受
光素子3の各受光部3(a,a)〜3(d,c)で得ら
れた光電流は増幅器15(a,a)〜15(d,c)で
増幅され、それぞれ積分回路16(a,a)〜16
(d,c)で積分される。よって積分回路16(a,
a)〜16(d,c)の各出力は発光開始と同時に増加
していく。
【0014】図4の場合、積分回路16(d,c)の出
力が最も早く基準電位Voに到達し、これにより比較回
路17(d,c)がHレベル出力を生じ、OR回路20
の出力、即ち発光制御回路10のSTOP端子がLレベ
ルからHレベルに変化し、フラッシュ発光部5の発光を
停止させる。続いて最初の発光開始よりt2時間経過後
にRST端子がLレベルからHレベルに変化する。も
し、この時点に至るまで積分回路16(a,a)〜16
(d,c)のどの出力も基準電位Voに到達していなか
った場合には、STOP端子を強制的にHレベルにし、
発光を停止させる。これにより設定回数Nの発光が完了
する前に、コンデンサに蓄えられた発光のためのエネル
ギーが無くなることを防止している。
【0015】続いて発光周波数設定手段12によって設
定された発光周波数fに対応する時間t1後に、TRG
端子はHレベルからLレベルとなり、2度目の発光が開
始される。2度目の発光においては被写体が移動したた
めに、積分回路16(c,c)の出力が最も早く基準電
位Voに到達している。よって、この時点で発光は停止
される。
【0016】以下同様にして発光回数設定手段11で設
定された発光回数N=5の制御が実行される。
【0017】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、一
駒の露出中に被写体の距離が変化しても、各発光による
露出を常に適正とすることができる。また設定回数の発
光が完了する前に発光エネルギーが不足し、発光不能と
なるということが防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示したブロック図
【図2】本発明のカメラに用いられる受光素子の分割説
明図
【図3】本発明が適用されるカメラの光学系説明図
【図4】図1の実施例の動作を示したタイミングチャー
【符号の説明】
1:撮影レンズ 2:フィルム 3:受光素子 3(a,a)〜3(d,c):受光部 4:結像レンズ 5:フラッシュ発光部 10:発光制御回路 11:発光回数設定手段 12:発光周波数設定手段 13:X接点 14:パルス発生器 15(a,a)〜15(d,c):増幅器 16(a,a)〜16(d,c):積分回路 17(a,a)〜17(d,c):比較回路 18:フィルム感度設定手段 19:基準レベル発生回路 20:OR回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 伸一 東京都品川区西大井1丁目6番3号 株 式会社ニコン大井製作所内 (72)発明者 田崎 憲司 東京都品川区西大井1丁目6番3号 株 式会社ニコン大井製作所内 (56)参考文献 特開 平4−22932(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G03B 15/05 G03B 7/00 - 7/28

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一駒の露光中に複数回のフラッシュ発光が
    可能なカメラシステムに於いて、 前記複数回の各発光ごとに、適正露出を得るために発光
    量を制御する制御手段と、 分割測光素子とを有し、測光出力に応じて毎回の発光量
    を制御する ことを特徴とするマルチ発光フラッシュ制御
    装置。
  2. 【請求項2】請求項1記載のマルチ発光フラッシュ制御
    装置に於いて、 前記制御手段は、被写体からの反射光を検出するための
    複数に分割された測光手段と、該複数の測光手段に対応
    した複数の露出判定手段と、該複数の露出判定手段の中
    から一つを選択する選択手段と、該選択手段によって選
    択された箇所の露出が適正となるようにフラッシュの発
    光量を制御する発光制御手段とからなることを特徴とす
    るマルチ発光フラッシュ制御装置。
  3. 【請求項3】請求項1記載のマルチ発光フラッシュ制御
    装置に於いて、 毎回被写体からの情報を検出し、発光量を制御すること
    を特徴とするマルチ発光フラッシュ制御装置。
JP03118143A 1991-05-23 1991-05-23 マルチ発光フラッシュ制御装置 Expired - Lifetime JP3114233B2 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6303425B1 (en) 1994-05-26 2001-10-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device and method of manufacturing the same

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6303425B1 (en) 1994-05-26 2001-10-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device and method of manufacturing the same
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