JP3111409B2 - プラズマ表示装置の隔壁用の組成物及びその組成物を使用した隔壁形成方法 - Google Patents
プラズマ表示装置の隔壁用の組成物及びその組成物を使用した隔壁形成方法Info
- Publication number
- JP3111409B2 JP3111409B2 JP11247125A JP24712599A JP3111409B2 JP 3111409 B2 JP3111409 B2 JP 3111409B2 JP 11247125 A JP11247125 A JP 11247125A JP 24712599 A JP24712599 A JP 24712599A JP 3111409 B2 JP3111409 B2 JP 3111409B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pbo
- partition
- composition
- sio
- zno
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/04—Manufacture of electrodes or electrode systems of thermionic cathodes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
- C03C3/07—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead
- C03C3/072—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead containing boron
- C03C3/074—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead containing boron containing zinc
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ表示装置
に係るもので、詳しくは、プラズマ表示装置用隔壁の組
成物及びその組成物を利用した隔壁形成方法に関するも
のである。
に係るもので、詳しくは、プラズマ表示装置用隔壁の組
成物及びその組成物を利用した隔壁形成方法に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】最近、液晶表示装置、電界放出表示装置
(Field Emission Display)及びプラズマ表示装置
(以下、“PDP”と称す)などの平面表示装置に関す
る研究が活発に行われ、技術的にも大いに進歩してい
る。本発明は上記PDPに関する。PDPにも様々な種
類があるが、主流となっているのは面放電極型AC P
DPのセル構造である。以下面放電極型AC PDPに
よって説明するが、本発明はそれに限定されない。この
PDPは、図3に示したように、可視光線が透過できる
ようにガラスなどの透明材料により構成された上部基板
1とガラス又は金属により構成された下部基板15とが
平行に配置されて形成されている。
(Field Emission Display)及びプラズマ表示装置
(以下、“PDP”と称す)などの平面表示装置に関す
る研究が活発に行われ、技術的にも大いに進歩してい
る。本発明は上記PDPに関する。PDPにも様々な種
類があるが、主流となっているのは面放電極型AC P
DPのセル構造である。以下面放電極型AC PDPに
よって説明するが、本発明はそれに限定されない。この
PDPは、図3に示したように、可視光線が透過できる
ようにガラスなどの透明材料により構成された上部基板
1とガラス又は金属により構成された下部基板15とが
平行に配置されて形成されている。
【0003】前記上部基板1の一面、下部基板を向く面
には透明電極3とバス電極とからなる維持電極5が形成
されている。3電極型の場合、維持電極は各セルごとに
2列が一対となるように配置される。ここで、前記透明
電極3の材料としてはITO(Indium Tin Oxide)が使
用され、バス電極7の材料としてはアルミニウム(A
l)またはクロム/銅/クロム(Cr/Cu/Cr)が
使用される。維持電極5を形成した上部基板1の上に前
記維持電極5を覆うようにPbO系列の第1誘電膜10
が形成され、その上にMgOからなる保護膜12が蒸着
される。この保護膜12は、イオンのスパッタリングか
ら第1誘電膜10を保護し、また、PDPは、プラズマ
放電時に低いエネルギのイオンが表面にぶっつかったと
きの2次電子発生係数が比較的高いので、放電プラズマ
の駆動電圧及び維持電圧を低下させる役割をする。
には透明電極3とバス電極とからなる維持電極5が形成
されている。3電極型の場合、維持電極は各セルごとに
2列が一対となるように配置される。ここで、前記透明
電極3の材料としてはITO(Indium Tin Oxide)が使
用され、バス電極7の材料としてはアルミニウム(A
l)またはクロム/銅/クロム(Cr/Cu/Cr)が
使用される。維持電極5を形成した上部基板1の上に前
記維持電極5を覆うようにPbO系列の第1誘電膜10
が形成され、その上にMgOからなる保護膜12が蒸着
される。この保護膜12は、イオンのスパッタリングか
ら第1誘電膜10を保護し、また、PDPは、プラズマ
放電時に低いエネルギのイオンが表面にぶっつかったと
きの2次電子発生係数が比較的高いので、放電プラズマ
の駆動電圧及び維持電圧を低下させる役割をする。
【0004】一方、下部基板15の上部基板に向く面に
はアドレス電極17が配置され、そのアドレス電極17
を覆うように第2誘電膜19が形成されている。第2誘
電膜が形成された下部基板にはアドレス電極17が中心
になるように一定の間隔を置いて相互平行に多数の隔壁
21がセルを区画するように形成されている。それら隔
壁21の先端にはブラックマトリックス23が形成され
ている。そのブラックマトリックス23はPDPのコン
トラストを向上させるためのものである。各隔壁21間
の第2誘電膜19の表面と、隔壁21及びブラックマト
リックス23の側面とには可視光線を放出する蛍光体2
5が形成されている。蛍光体25は赤色、緑色及び青色
を発光するものがあり、それらが集まって1つの画素を
形成している。上部基板1と下部基板15とを接合し、
各隔壁21間に形成される放電空間にNe+Xeなどの
混合ガスを注入して素子を完成していた。なお、図にお
いては説明の便宜上上下の基板の一方を90度向きを変
えて描いている。
はアドレス電極17が配置され、そのアドレス電極17
を覆うように第2誘電膜19が形成されている。第2誘
電膜が形成された下部基板にはアドレス電極17が中心
になるように一定の間隔を置いて相互平行に多数の隔壁
21がセルを区画するように形成されている。それら隔
壁21の先端にはブラックマトリックス23が形成され
ている。そのブラックマトリックス23はPDPのコン
トラストを向上させるためのものである。各隔壁21間
の第2誘電膜19の表面と、隔壁21及びブラックマト
リックス23の側面とには可視光線を放出する蛍光体2
5が形成されている。蛍光体25は赤色、緑色及び青色
を発光するものがあり、それらが集まって1つの画素を
形成している。上部基板1と下部基板15とを接合し、
各隔壁21間に形成される放電空間にNe+Xeなどの
混合ガスを注入して素子を完成していた。なお、図にお
いては説明の便宜上上下の基板の一方を90度向きを変
えて描いている。
【0005】以下、このように構成された従来のPDP
の駆動過程について説明する。先ず、一対の維持電極5
中の1つとアドレス電極17間に所定電圧を印加してア
ドレス放電を行うと、それらが交差する表示しようとす
るセルに壁電荷が発生する。アドレス放電が終了した
後、一対の維持電極5双方に交流電圧を印加すると、ア
ドレス放電の際に選択された表示セルのみが選択的に放
電して、可視光線が放出されて維持放電が発生する。こ
の維持放電は、放電期間に従って輝度レベルが異なるよ
うに制御される。
の駆動過程について説明する。先ず、一対の維持電極5
中の1つとアドレス電極17間に所定電圧を印加してア
ドレス放電を行うと、それらが交差する表示しようとす
るセルに壁電荷が発生する。アドレス放電が終了した
後、一対の維持電極5双方に交流電圧を印加すると、ア
ドレス放電の際に選択された表示セルのみが選択的に放
電して、可視光線が放出されて維持放電が発生する。こ
の維持放電は、放電期間に従って輝度レベルが異なるよ
うに制御される。
【0006】このように動作する従来PDPの構造にお
ける隔壁21は、(1)上部基板1と下部基板15間の
気体放電空間を確保し、(2)各色毎に蛍光体25を区
分して各放電セルを分割し、(3)放電を行うための各
電極間の距離を決定し、(4)隣接するセルから発生す
る放電による混信を防止し、(5)蛍光体25から発光
された光を上部基板1側に反射させる、などの役割を行
う。
ける隔壁21は、(1)上部基板1と下部基板15間の
気体放電空間を確保し、(2)各色毎に蛍光体25を区
分して各放電セルを分割し、(3)放電を行うための各
電極間の距離を決定し、(4)隣接するセルから発生す
る放電による混信を防止し、(5)蛍光体25から発光
された光を上部基板1側に反射させる、などの役割を行
う。
【0007】そして、このような役割を果たす各隔壁2
1が有しなければならない特性としては、低い熱膨張係
数、熱的安定性、低い焼成温度、緻密な組織及び低い誘
電率などである。従来隔壁21の材料としては、大量の
PbO成分(60〜80wt%)を包含するPbO−B
2O3−SiO2 系及びPbO−B2O3−ZnO系のガラ
ス粉末が使用されている。そのPbO−B2O3−SiO
2 系のガラス粉末の組成を表1に示す。
1が有しなければならない特性としては、低い熱膨張係
数、熱的安定性、低い焼成温度、緻密な組織及び低い誘
電率などである。従来隔壁21の材料としては、大量の
PbO成分(60〜80wt%)を包含するPbO−B
2O3−SiO2 系及びPbO−B2O3−ZnO系のガラ
ス粉末が使用されている。そのPbO−B2O3−SiO
2 系のガラス粉末の組成を表1に示す。
【0008】表1 PbO 60〜80wt% B2O3 5〜15wt% SiO2 15〜20wt%
【0009】以下、図4に基づいて従来PDPの隔壁の
製造方法について説明する。先ず、PbO−B2O3−S
iO2 系またはPbO−B2O3−ZnO系のガラス粉末
に酸化物充填材を所定比率(例えば、4:6〜7:3の
比率)に添加し、所定時間の間混合して形成されたガラ
スーセラミック材料を、10μm以下の微細粉末に形成
して混合粉末を形成する(S31)。酸化物充填材とし
ては、Al2O3とTiO2との混合物が使用される。そ
の組成を表2に示す。
製造方法について説明する。先ず、PbO−B2O3−S
iO2 系またはPbO−B2O3−ZnO系のガラス粉末
に酸化物充填材を所定比率(例えば、4:6〜7:3の
比率)に添加し、所定時間の間混合して形成されたガラ
スーセラミック材料を、10μm以下の微細粉末に形成
して混合粉末を形成する(S31)。酸化物充填材とし
ては、Al2O3とTiO2との混合物が使用される。そ
の組成を表2に示す。
【0010】表2 Al2O3 95〜100wt% TiO2 0〜5wt%
【0011】次いで、混合粉末を有機溶媒と混合してペ
ーストまたはスラリーを形成する(S32)。ここで、
前記有機溶媒としてはBCA(Butyl-Carbitol-Acetat
e)、BC(Butyl-Carbitol)及びEC(Ethyl-Cellulo
se)が所定比率に混合された有機溶媒が使用される。次
いで、ペーストまたはスラリーを下部基板15に形成さ
れた第2誘電膜19の上に所定厚さに塗布した後、隔壁
21を形成する(S33)。その隔壁の形成法として
は、スクリーンプリント法、サンドブラスト法、エッチ
ング法、添加法及びスタンピング法などがあるが、詳細
な説明は後述する。次いで、隔壁21が形成された下部
基板15を300〜350℃で所定時間の間(例えば、
15〜23分)焼成して隔壁の形成を終了する。
ーストまたはスラリーを形成する(S32)。ここで、
前記有機溶媒としてはBCA(Butyl-Carbitol-Acetat
e)、BC(Butyl-Carbitol)及びEC(Ethyl-Cellulo
se)が所定比率に混合された有機溶媒が使用される。次
いで、ペーストまたはスラリーを下部基板15に形成さ
れた第2誘電膜19の上に所定厚さに塗布した後、隔壁
21を形成する(S33)。その隔壁の形成法として
は、スクリーンプリント法、サンドブラスト法、エッチ
ング法、添加法及びスタンピング法などがあるが、詳細
な説明は後述する。次いで、隔壁21が形成された下部
基板15を300〜350℃で所定時間の間(例えば、
15〜23分)焼成して隔壁の形成を終了する。
【0012】以下、図5〜図8に基づいて従来の隔壁各
形成方法に対し詳しく説明する。図5に示すスクリーン
プリント法においては、誘電体厚膜41が形成された下
部基板40上にスクリーン(未図示)を正確に位置合わ
せし、そのスクリーンを介してペースト又はスラリーを
塗布させた後、乾燥させて隔壁43を形成する(a段
階)。次いで、スクリーンを再び位置合わせした後、上
述した過程を数回繰り返して隔壁を形成する(b段階及
びc段階)。
形成方法に対し詳しく説明する。図5に示すスクリーン
プリント法においては、誘電体厚膜41が形成された下
部基板40上にスクリーン(未図示)を正確に位置合わ
せし、そのスクリーンを介してペースト又はスラリーを
塗布させた後、乾燥させて隔壁43を形成する(a段
階)。次いで、スクリーンを再び位置合わせした後、上
述した過程を数回繰り返して隔壁を形成する(b段階及
びc段階)。
【0013】図6はサンドブラストである。先ず、下部
基板40の上面に形成された誘電体厚膜41の上面に所
定厚さ、例えば、150〜200μmのペースト又はス
ラリー42を塗布する(a段階)。次いで、塗布された
ペースト又はスラリー42の上にラミネート45を塗布
した後(b段階)、マスク47を利用したリソグラフィ
工程を施してラミネートパターン49を形成する(c段
階及びd段階)。ここで、ラミネートとは、フォトレジ
ストまたはスラリーに有機物又は無機物を所定比率に添
加してシート状に制作したものである。次いで、ラミネ
ートパターン49と垂直な方向に砂のような研磨材を吹
き込んで、ラミネートパターン49の間に位置するペー
スト又はスラリー42を除去した後(e段階)、上部の
ラミネートを除去して隔壁43を形成する(f段階)。
基板40の上面に形成された誘電体厚膜41の上面に所
定厚さ、例えば、150〜200μmのペースト又はス
ラリー42を塗布する(a段階)。次いで、塗布された
ペースト又はスラリー42の上にラミネート45を塗布
した後(b段階)、マスク47を利用したリソグラフィ
工程を施してラミネートパターン49を形成する(c段
階及びd段階)。ここで、ラミネートとは、フォトレジ
ストまたはスラリーに有機物又は無機物を所定比率に添
加してシート状に制作したものである。次いで、ラミネ
ートパターン49と垂直な方向に砂のような研磨材を吹
き込んで、ラミネートパターン49の間に位置するペー
スト又はスラリー42を除去した後(e段階)、上部の
ラミネートを除去して隔壁43を形成する(f段階)。
【0014】エッチング法においては、上述したサンド
ブラスト法のe段階で、ラミネートパターンの形成され
てないペースト又はスラリー42を除去するとき、研磨
材を使用する代わりに5〜10wt%の濃度の塩酸(H
Cl)を利用してエッチングする。その他は前記サンド
ブラスト法と同様に行う。なお、エッチング法及びサン
ドブラスト法を実施する場合、ペースト又はスラリー自
体が感光性を有するように形成すると、別のラミネート
パターンを利用せずに、ペースト又はスラリー自体をパ
ターニングして隔壁を形成することもできる。
ブラスト法のe段階で、ラミネートパターンの形成され
てないペースト又はスラリー42を除去するとき、研磨
材を使用する代わりに5〜10wt%の濃度の塩酸(H
Cl)を利用してエッチングする。その他は前記サンド
ブラスト法と同様に行う。なお、エッチング法及びサン
ドブラスト法を実施する場合、ペースト又はスラリー自
体が感光性を有するように形成すると、別のラミネート
パターンを利用せずに、ペースト又はスラリー自体をパ
ターニングして隔壁を形成することもできる。
【0015】図7は添加法を示す。図に示したように、
先ず、下部基板40の上面に形成された誘電体厚膜41
の上に所定厚さ、例えば、150〜200μmのペース
ト又はスラリー42を塗布する(a段階)。次いで、マ
スク47を利用したリソグラフィ工程を施してラミネー
トパターン51を形成する(b段階及びc段階)。この
とき、ラミネートパターン51は、後続の工程により形
成される隔壁43が形成されない位置に形成する。次い
で、ラミネートパターン51を形成した下部基板40の
上にペースト又はスラリー53を塗布した後、ラミネー
トパターン51の上面が露出するまでペーストを研磨し
て、ラミネートパターンの間にペースト又はスラリー5
3を充填させた後、ペースト又はスラリー53を乾燥さ
せる(d段階)。次いで、充填されたペースト又はスラ
リー間のラミネートパターン51を除去して隔壁43を
形成する(e段階)。
先ず、下部基板40の上面に形成された誘電体厚膜41
の上に所定厚さ、例えば、150〜200μmのペース
ト又はスラリー42を塗布する(a段階)。次いで、マ
スク47を利用したリソグラフィ工程を施してラミネー
トパターン51を形成する(b段階及びc段階)。この
とき、ラミネートパターン51は、後続の工程により形
成される隔壁43が形成されない位置に形成する。次い
で、ラミネートパターン51を形成した下部基板40の
上にペースト又はスラリー53を塗布した後、ラミネー
トパターン51の上面が露出するまでペーストを研磨し
て、ラミネートパターンの間にペースト又はスラリー5
3を充填させた後、ペースト又はスラリー53を乾燥さ
せる(d段階)。次いで、充填されたペースト又はスラ
リー間のラミネートパターン51を除去して隔壁43を
形成する(e段階)。
【0016】最後に図8に基づいてスタンピング法を説
明する。図に示したように、先ず、下部基板40の上に
形成された誘電体厚膜41の上に所定厚さ、例えば、1
50〜200μmのペースト又はスラリー42を塗布す
る(a段階)。次いで、ペースト又はスラリーの上に隔
壁の形に切り込んだ溝を有する金型55を載せてスタン
ピングを行う(b段階)。この場合、下部基板40の材
質がガラスであると、所定の焼成温度下の状態でスタン
ピングを行うが、下部基板40の材質が金属であると、
常温でスタンピングを行う。次いで、前記金型55を除
去して隔壁43を形成する(c段階)。
明する。図に示したように、先ず、下部基板40の上に
形成された誘電体厚膜41の上に所定厚さ、例えば、1
50〜200μmのペースト又はスラリー42を塗布す
る(a段階)。次いで、ペースト又はスラリーの上に隔
壁の形に切り込んだ溝を有する金型55を載せてスタン
ピングを行う(b段階)。この場合、下部基板40の材
質がガラスであると、所定の焼成温度下の状態でスタン
ピングを行うが、下部基板40の材質が金属であると、
常温でスタンピングを行う。次いで、前記金型55を除
去して隔壁43を形成する(c段階)。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のPD
Pの各隔壁製造方法により製造された各隔壁の特性は表
3に示す通りであった。 表3 焼成温度(℃) 600〜650 誘電率(1MHz) 12〜15 熱膨張係数 80〜85×10-7/℃ 光吸収率(400〜800nm) 5〜10% エッチング速度(μm/nim) 4.0(5% HCl)
Pの各隔壁製造方法により製造された各隔壁の特性は表
3に示す通りであった。 表3 焼成温度(℃) 600〜650 誘電率(1MHz) 12〜15 熱膨張係数 80〜85×10-7/℃ 光吸収率(400〜800nm) 5〜10% エッチング速度(μm/nim) 4.0(5% HCl)
【0018】即ち、従来の技術により製造された隔壁の
誘電率は12〜15と比較的高い値であるため、アドレ
ス電極のアドレス信号の遅延が発生する恐れがあった。
また、従来の技術により製造された隔壁の主材料である
PbO成分の比重が高いため、重量が増加し、さらに環
境汚染が発生するという不都合な点があった。さらに、
従来の技術により製造された隔壁を焼成するためには6
00℃以上の高温が要求され、80〜85×10-7/℃
の熱膨張係数を有するため、既存のガラス基板に適用す
ると焼成工程中基板が変形するか、又は亀裂が発生する
という不都合な点があった。さらに、従来の技術により
製造されたペースト又はスラリーからなる厚膜層は、混
合粉末の製造工程中に添加するAl2O3及びTiO2 な
どの酸化物充填材のため厚膜の組織緻密度が低下し、隔
壁を形成するためにエッチング工程を行うと、エッチン
グ面が均一にならないという不都合な点があった。さら
に、従来の技術により製造された隔壁の光吸収率は5〜
10%にすぎないため、PDPのコントラストを向上さ
せるためには隔壁の先端にブラックマトリックスを形成
しなければならず、そのため、構造及び製造工程が複雑
になるという不都合な点があった。
誘電率は12〜15と比較的高い値であるため、アドレ
ス電極のアドレス信号の遅延が発生する恐れがあった。
また、従来の技術により製造された隔壁の主材料である
PbO成分の比重が高いため、重量が増加し、さらに環
境汚染が発生するという不都合な点があった。さらに、
従来の技術により製造された隔壁を焼成するためには6
00℃以上の高温が要求され、80〜85×10-7/℃
の熱膨張係数を有するため、既存のガラス基板に適用す
ると焼成工程中基板が変形するか、又は亀裂が発生する
という不都合な点があった。さらに、従来の技術により
製造されたペースト又はスラリーからなる厚膜層は、混
合粉末の製造工程中に添加するAl2O3及びTiO2 な
どの酸化物充填材のため厚膜の組織緻密度が低下し、隔
壁を形成するためにエッチング工程を行うと、エッチン
グ面が均一にならないという不都合な点があった。さら
に、従来の技術により製造された隔壁の光吸収率は5〜
10%にすぎないため、PDPのコントラストを向上さ
せるためには隔壁の先端にブラックマトリックスを形成
しなければならず、そのため、構造及び製造工程が複雑
になるという不都合な点があった。
【0019】本発明は、このような従来の問題を考慮し
てなされたもので、PDPの各隔壁の誘電率を低下させ
てアドレス電極のアドレス信号が遅延するのを防止し、
隔壁の重量を減少させてPDPを軽量化させ、より環境
に優しい材料を使用し、隔壁の製造に必要な焼成温度を
低下させ及び隔壁の熱膨張係数を低下させて隔壁と下部
基板の熱的安定性を増加し、ペースト又はスラリーによ
り構成される厚膜の組織緻密度を増加させてエッチング
面を均一化し、光吸収率を増大させてPDPのコントラ
ストを増加するための別のブラックマトリックス製造工
程を省き、PDPの構造及び製造工程を単純化し得るプ
ラズマ表示装置用隔壁の組成物及びその隔壁の製造方法
を提供することを目的とする。
てなされたもので、PDPの各隔壁の誘電率を低下させ
てアドレス電極のアドレス信号が遅延するのを防止し、
隔壁の重量を減少させてPDPを軽量化させ、より環境
に優しい材料を使用し、隔壁の製造に必要な焼成温度を
低下させ及び隔壁の熱膨張係数を低下させて隔壁と下部
基板の熱的安定性を増加し、ペースト又はスラリーによ
り構成される厚膜の組織緻密度を増加させてエッチング
面を均一化し、光吸収率を増大させてPDPのコントラ
ストを増加するための別のブラックマトリックス製造工
程を省き、PDPの構造及び製造工程を単純化し得るプ
ラズマ表示装置用隔壁の組成物及びその隔壁の製造方法
を提供することを目的とする。
【0020】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るため、本発明に係るプラズマ表示装置の隔壁用組成物
は、SiO2−ZnO−PbO−B2O3 系のガラス粉末
を主原料とすることを特徴とする。かつ、本発明に係る
PDP用隔壁の製造方法においては、SiO2 −ZnO
−PbO−B2O3系のガラス粉末を製造し、そのガラス
粉末を有機溶媒と混合してペースト又はスラリーを製造
して厚膜を形成した後、その厚膜にエッチング法または
スタンピング法を施して隔壁を形成する。
るため、本発明に係るプラズマ表示装置の隔壁用組成物
は、SiO2−ZnO−PbO−B2O3 系のガラス粉末
を主原料とすることを特徴とする。かつ、本発明に係る
PDP用隔壁の製造方法においては、SiO2 −ZnO
−PbO−B2O3系のガラス粉末を製造し、そのガラス
粉末を有機溶媒と混合してペースト又はスラリーを製造
して厚膜を形成した後、その厚膜にエッチング法または
スタンピング法を施して隔壁を形成する。
【0021】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態に対
し、図1及び図2を用いて説明する。本発明に係るプラ
ズマ表示装置用隔壁においては、SiO2 −ZnO−P
bO−B2O3系のガラス粉末により形成される。そのS
iO2−ZnO−PbO−B2O3系のガラス粉末は非晶
質構造を有する。ここで、前記SiO2−ZnO−Pb
O−B2O3系のガラス粉末の組成を表4に示す。
し、図1及び図2を用いて説明する。本発明に係るプラ
ズマ表示装置用隔壁においては、SiO2 −ZnO−P
bO−B2O3系のガラス粉末により形成される。そのS
iO2−ZnO−PbO−B2O3系のガラス粉末は非晶
質構造を有する。ここで、前記SiO2−ZnO−Pb
O−B2O3系のガラス粉末の組成を表4に示す。
【0022】表4成分 組成比(重量%) SiO2 10〜30wt% ZnO 10〜30wt% B2O3 10〜30wt% PbO 5〜30wt% K2O 2〜10wt% CaO 1〜5wt% Na2O 3〜8wt% Al2O3 1〜5wt% Sb2O3 0〜2wt% Li2O 0〜5wt%
【0023】本実施形態では、表4に表したSiO2−
ZnO−PbO−B2O3系のガラス粉末の各成分はそれ
ぞれ上記組成比の範囲で下記条件を満たして全体として
100%となるように選択される。詳しく説明すると、
PbOは50wt%以下の含量を有し、好ましくは、5
〜30wt%の含量を有する。SiO2−ZnO−Pb
O−B2O3 系のガラス粉末の構成成分中、SiO2、Z
nO、PbO、B2O3の含量の合計が85wt%以下と
なり、Li2O、K2O、Na2Oの含量の合計が25w
t%以下となることが好ましい。また、SiO2−Zn
O−PbO−B2O3 系のガラス粉末の構成成分中、P
bOの含量とSiO2、ZnO、B2O3の含量の合計と
の重量比が2/5〜4/5の値を有することが好まし
い。なお、SiO2−ZnO−PbO−B2O3 系のガラ
ス粉末をブラックマトリックス及び下部基板の上面に形
成される誘電体に適用することも可能である。
ZnO−PbO−B2O3系のガラス粉末の各成分はそれ
ぞれ上記組成比の範囲で下記条件を満たして全体として
100%となるように選択される。詳しく説明すると、
PbOは50wt%以下の含量を有し、好ましくは、5
〜30wt%の含量を有する。SiO2−ZnO−Pb
O−B2O3 系のガラス粉末の構成成分中、SiO2、Z
nO、PbO、B2O3の含量の合計が85wt%以下と
なり、Li2O、K2O、Na2Oの含量の合計が25w
t%以下となることが好ましい。また、SiO2−Zn
O−PbO−B2O3 系のガラス粉末の構成成分中、P
bOの含量とSiO2、ZnO、B2O3の含量の合計と
の重量比が2/5〜4/5の値を有することが好まし
い。なお、SiO2−ZnO−PbO−B2O3 系のガラ
ス粉末をブラックマトリックス及び下部基板の上面に形
成される誘電体に適用することも可能である。
【0024】以下、SiO2−ZnO−PbO−B2O3
系のガラス粉末の製造方法を説明する。先ず、前記表4
に表した組成比を有するように各成分の原材料の粉末を
秤量した後、タンブリング混合機により所定時間の間
(例えば、10時間)混合する。次いで、混合された原
材料粉末を電気溶融炉を利用して白金坩堝で約1000
〜1200℃の温度範囲で所定時間の間(例えば、1〜
5時間)溶融し、その途中、溶融されたガラスを2〜3
回撹拌して溶融されたガラスが均質化されて緻密な組織
となるようにする。次いで、溶融されたガラス粉末を急
冷ローラを通過させて急冷させることにより、微細な亀
裂を有する破砕ガラスを形成する。次いで、破砕ガラス
をボールミーリングによりミーリングした後、#170
及び#270網ふるいに順次通過させて、平均粒子サイ
ズ10μm以下で良好な粒度を有するSiO2−ZnO
−PbO−B2O3 系のガラス粉末を製造する。
系のガラス粉末の製造方法を説明する。先ず、前記表4
に表した組成比を有するように各成分の原材料の粉末を
秤量した後、タンブリング混合機により所定時間の間
(例えば、10時間)混合する。次いで、混合された原
材料粉末を電気溶融炉を利用して白金坩堝で約1000
〜1200℃の温度範囲で所定時間の間(例えば、1〜
5時間)溶融し、その途中、溶融されたガラスを2〜3
回撹拌して溶融されたガラスが均質化されて緻密な組織
となるようにする。次いで、溶融されたガラス粉末を急
冷ローラを通過させて急冷させることにより、微細な亀
裂を有する破砕ガラスを形成する。次いで、破砕ガラス
をボールミーリングによりミーリングした後、#170
及び#270網ふるいに順次通過させて、平均粒子サイ
ズ10μm以下で良好な粒度を有するSiO2−ZnO
−PbO−B2O3 系のガラス粉末を製造する。
【0025】このときのミーリング条件をは表5に示
す。 表5 Mill jar ボールの個数 ミーリング 潤滑剤 ミーリング充填量 (cylinder type) 速度 時間 250g 44個/jar 70rpm IPA溶液(2ml) 16時間
す。 表5 Mill jar ボールの個数 ミーリング 潤滑剤 ミーリング充填量 (cylinder type) 速度 時間 250g 44個/jar 70rpm IPA溶液(2ml) 16時間
【0026】なお、本発明の実施形態においては、従来
の技術とは異なってガラス粉末の製造工程中、Al2O3
及びTiO2などの酸化物充填材を添加しない。
の技術とは異なってガラス粉末の製造工程中、Al2O3
及びTiO2などの酸化物充填材を添加しない。
【0027】以下、このように製造されたSiO2−Z
nO−PbO−B2O3 系のガラス粉末を利用してペー
スト又はスラリーを形成する工程に対し説明する。Si
O2−ZnO−PbO−B2O3 系のガラス粉末を約15
0℃の乾燥オーブンに入れて2時間以上乾燥させた後、
所定量の有機バインダと有機溶剤とが混合された有機溶
媒と混合してペーストまたはスラリーを製造する。この
とき、ガラス粉末と有機溶媒との混合比率は70:30
程度が好ましいが、ペースト又はスラリーの状態に従っ
てその比率は調節される。なお、本実施形態において
は、BCA(Butyl-Carbitol-Acetate)、BC(Butyl-
Carbitol)及びEC(Ethyl-Cellulose )が所定比率に
混合された有機溶媒を使用する。ECの量によってペー
ストの粘度が変化して流動性と組成特性が変化するた
め、ECの混合比率は10%程度が好ましい。且つ、B
CAの混合比率は60%、BCの混合比率は20%程度
が好ましく、前記工程により形成されたペーストの粘度
は70,000〜100,000CPSが好ましく、ス
ラリーの粘度は700〜1,000CPS程度が好まし
い。このとき、ペーストはスクリーンプリンティングの
際に使用され、スラリーは液状状態を維持してテープキ
ャスティング(tape casting)に使用される。また、有
機溶媒の中に感光性樹脂を適量混合すると、感光用ペー
ストまたはスラリーを形成することが可能になり、隔壁
の形成工程が単純化される。
nO−PbO−B2O3 系のガラス粉末を利用してペー
スト又はスラリーを形成する工程に対し説明する。Si
O2−ZnO−PbO−B2O3 系のガラス粉末を約15
0℃の乾燥オーブンに入れて2時間以上乾燥させた後、
所定量の有機バインダと有機溶剤とが混合された有機溶
媒と混合してペーストまたはスラリーを製造する。この
とき、ガラス粉末と有機溶媒との混合比率は70:30
程度が好ましいが、ペースト又はスラリーの状態に従っ
てその比率は調節される。なお、本実施形態において
は、BCA(Butyl-Carbitol-Acetate)、BC(Butyl-
Carbitol)及びEC(Ethyl-Cellulose )が所定比率に
混合された有機溶媒を使用する。ECの量によってペー
ストの粘度が変化して流動性と組成特性が変化するた
め、ECの混合比率は10%程度が好ましい。且つ、B
CAの混合比率は60%、BCの混合比率は20%程度
が好ましく、前記工程により形成されたペーストの粘度
は70,000〜100,000CPSが好ましく、ス
ラリーの粘度は700〜1,000CPS程度が好まし
い。このとき、ペーストはスクリーンプリンティングの
際に使用され、スラリーは液状状態を維持してテープキ
ャスティング(tape casting)に使用される。また、有
機溶媒の中に感光性樹脂を適量混合すると、感光用ペー
ストまたはスラリーを形成することが可能になり、隔壁
の形成工程が単純化される。
【0028】以下、上記したガラス粉末から形成された
スラリー又はペーストを利用して、本発明に係るPDP
用隔壁を製造する各実施形態に対し、図1に基づいて説
明する。本発明に係るPDP用隔壁の製造方法の第1実
施形態においては、先ず、SiO2−ZnO−PbO−
B2O3 系のガラス粉末を製造する(S101)。次い
で、そのガラス粉末を利用してペースト又はスラリーを
形成する(S103)。得られたペースト又はスラリー
を下部基板に形成された誘電体厚膜の上に所定厚さに塗
布して厚膜を形成する(S105)。そのペースト又は
スラリーが塗布された下部基板を550〜650℃の温
度で焼成する(S107)。このように、本実施形態に
おいては、焼成温度を従来(600〜650℃)よりも
低い温度とすることができる。次いで、ペースト又はス
ラリーにより形成された厚膜の上にラミネートまたはフ
ォトレジストなどの感光性材料を利用してパターンを形
成し、そのパターンをマスクとしてエッチング法または
サンドブラスト法を施して、パターン間にあるペースト
又はスラリーからなる厚膜を除去し、隔壁を形成する
(S111)。
スラリー又はペーストを利用して、本発明に係るPDP
用隔壁を製造する各実施形態に対し、図1に基づいて説
明する。本発明に係るPDP用隔壁の製造方法の第1実
施形態においては、先ず、SiO2−ZnO−PbO−
B2O3 系のガラス粉末を製造する(S101)。次い
で、そのガラス粉末を利用してペースト又はスラリーを
形成する(S103)。得られたペースト又はスラリー
を下部基板に形成された誘電体厚膜の上に所定厚さに塗
布して厚膜を形成する(S105)。そのペースト又は
スラリーが塗布された下部基板を550〜650℃の温
度で焼成する(S107)。このように、本実施形態に
おいては、焼成温度を従来(600〜650℃)よりも
低い温度とすることができる。次いで、ペースト又はス
ラリーにより形成された厚膜の上にラミネートまたはフ
ォトレジストなどの感光性材料を利用してパターンを形
成し、そのパターンをマスクとしてエッチング法または
サンドブラスト法を施して、パターン間にあるペースト
又はスラリーからなる厚膜を除去し、隔壁を形成する
(S111)。
【0029】なお、本第1実施形態においては、5〜1
0%のHClを利用してエッチングを行う。また、隔壁
を形成した後に追加的に焼成を実施することもできる。
一方、前述したように、ペースト又はスラリー自体が感
光性を有すると、別途のラミネート及びフォトレジスト
などの感光性材料の塗布やそのエッチング工程を施行せ
ずに、リソグラフィ工程を経て感光性を有するペースト
又はスラリーからなる厚膜をパターニングして隔壁を製
造することができる。
0%のHClを利用してエッチングを行う。また、隔壁
を形成した後に追加的に焼成を実施することもできる。
一方、前述したように、ペースト又はスラリー自体が感
光性を有すると、別途のラミネート及びフォトレジスト
などの感光性材料の塗布やそのエッチング工程を施行せ
ずに、リソグラフィ工程を経て感光性を有するペースト
又はスラリーからなる厚膜をパターニングして隔壁を製
造することができる。
【0030】次に、本発明に係るPDP用隔壁の製造方
法の第2実施形態においては、前記第1実施形態と同様
にSiO2−ZnO−PbO−B2O3 系のガラス粉末を
形成する段階(S101)、ペースト又はスラリーを形
成する段階(S103)及び厚膜を形成する段階(S1
05)を施した後、厚膜の上に隔壁となる位置に隔壁の
ための溝を形成させた金型を正確に位置合わせしてスタ
ンピングを行う(S109)。このとき、スタンピング
工程と同時に焼成することもでき、かつ、スタンピング
工程を行った後、焼成することもできる。特に、下部基
板がガラスで形成されているときは、スタンピングと同
時に焼成を行うが、下部基板がTi合金、Cu合金及び
Ni合金などの金属により形成されているときは、スタ
ンピング工程を終了した後焼成を行う。なお、一旦隔壁
を形成した後に追加的に焼成を施すことも可能で、この
ときの焼成は550〜650℃の温度範囲で実施するこ
とが好ましい。
法の第2実施形態においては、前記第1実施形態と同様
にSiO2−ZnO−PbO−B2O3 系のガラス粉末を
形成する段階(S101)、ペースト又はスラリーを形
成する段階(S103)及び厚膜を形成する段階(S1
05)を施した後、厚膜の上に隔壁となる位置に隔壁の
ための溝を形成させた金型を正確に位置合わせしてスタ
ンピングを行う(S109)。このとき、スタンピング
工程と同時に焼成することもでき、かつ、スタンピング
工程を行った後、焼成することもできる。特に、下部基
板がガラスで形成されているときは、スタンピングと同
時に焼成を行うが、下部基板がTi合金、Cu合金及び
Ni合金などの金属により形成されているときは、スタ
ンピング工程を終了した後焼成を行う。なお、一旦隔壁
を形成した後に追加的に焼成を施すことも可能で、この
ときの焼成は550〜650℃の温度範囲で実施するこ
とが好ましい。
【0031】第1実施形態のエッチングを施して製造さ
れた本発明に係るPDP隔壁においては、図2に示した
ように、下部基板134の上面にペースト又はスラリー
からなる厚膜層132が形成され、厚膜層132の上面
のラミネートパターンまたは感光膜パターンが形成され
ていない部分をエッチングすると、きれいな半円状の均
一なエッチング断面が形成されながらエッチングされて
ゆく。結果的に側面はきれいにエッチングされた面とな
る。これは、本発明に係るPDP用隔壁の組成物である
SiO2−ZnO−PbO−B2O3 系のガラス粉末を製
造するとき、酸化物充填材を添加しないため、ペースト
又はスラリーからなる厚膜層の組織が緻密になるからで
ある。
れた本発明に係るPDP隔壁においては、図2に示した
ように、下部基板134の上面にペースト又はスラリー
からなる厚膜層132が形成され、厚膜層132の上面
のラミネートパターンまたは感光膜パターンが形成され
ていない部分をエッチングすると、きれいな半円状の均
一なエッチング断面が形成されながらエッチングされて
ゆく。結果的に側面はきれいにエッチングされた面とな
る。これは、本発明に係るPDP用隔壁の組成物である
SiO2−ZnO−PbO−B2O3 系のガラス粉末を製
造するとき、酸化物充填材を添加しないため、ペースト
又はスラリーからなる厚膜層の組織が緻密になるからで
ある。
【0032】このように製造された本発明に係るPDP
用隔壁の諸特性を表6に示す。 焼成温度(℃) 550〜650 誘電率(1MHz) 6〜9 熱膨張係数 75〜85×10-7/℃ 光吸収率(400〜800nm) 85〜90% エッチング速度(μm/nim) 4.0〜6.5(5% HCl)
用隔壁の諸特性を表6に示す。 焼成温度(℃) 550〜650 誘電率(1MHz) 6〜9 熱膨張係数 75〜85×10-7/℃ 光吸収率(400〜800nm) 85〜90% エッチング速度(μm/nim) 4.0〜6.5(5% HCl)
【0033】ここで、表6に表した本発明に係るPDP
用隔壁の特性と表3に表した従来の技術によるPDP用
隔壁の特性とを比較してみる。本発明に係る隔壁の場合
は製造工程中の焼成温度及び隔壁の熱膨張係数が従来の
隔壁に比べて低下するため、焼成工程中、下部基板が変
形したり、または亀裂の発生が防止される。且つ、本発
明に係るPDP用隔壁は従来の隔壁に比べて光吸収率が
大幅に増加するため、PDPのコントラストを増加させ
るために別にブラックマトリックスを形成する必要がな
い。また、本発明に係るPDP用隔壁は従来の隔壁に比
べて誘電率が減少するため、アドレス電極のアドレス信
号遅延の発生を抑制することができる。
用隔壁の特性と表3に表した従来の技術によるPDP用
隔壁の特性とを比較してみる。本発明に係る隔壁の場合
は製造工程中の焼成温度及び隔壁の熱膨張係数が従来の
隔壁に比べて低下するため、焼成工程中、下部基板が変
形したり、または亀裂の発生が防止される。且つ、本発
明に係るPDP用隔壁は従来の隔壁に比べて光吸収率が
大幅に増加するため、PDPのコントラストを増加させ
るために別にブラックマトリックスを形成する必要がな
い。また、本発明に係るPDP用隔壁は従来の隔壁に比
べて誘電率が減少するため、アドレス電極のアドレス信
号遅延の発生を抑制することができる。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るプラ
ズマ表示装置用隔壁の組成物及び隔壁においては、 (1)隔壁の組成物中のPbOの成分を減少させたた
め、PbO成分による環境汚染の問題点を低減すること
ができる。且つ、PbOの高比重により下部基板の重量
が増加する問題点を解消してプラズマ表示装置の重量を
軽量化することができる。 (2)隔壁の誘電率を低下させたので、アドレス電極の
アドレス信号遅延の発生を抑制することができる。さら
に、隔壁の光吸収率を増大させたため、従来のようにP
DPのコントラストを増加させるために別途のブラック
マトリックスを形成させる必要性がなくなり、PDPの
構造及び製造工程を単純化することができる。 (3)隔壁を製造するためのガラス粉末に酸化物充填材
を添加しないため、ペースト又はスラリーにより形成さ
れる厚膜の緻密度を増大させることができ、エッチング
を施したときエッチング面を均一に形成することができ
る。また、従来に比べて隔壁のエッチング速度が早くな
るため、製造工程時間を短縮することができる。 (4)隔壁の製造に必要な焼成温度を低下させることが
でき、かつ隔壁の熱膨張係数を低下させることができた
ので、隔壁及び下部基板の熱的安定性を増加させて、焼
成工程中、下部基板及び隔壁の変形、または、亀裂の発
生現象を解消して、下部基板及び隔壁の熱的安定性を向
上することができる。
ズマ表示装置用隔壁の組成物及び隔壁においては、 (1)隔壁の組成物中のPbOの成分を減少させたた
め、PbO成分による環境汚染の問題点を低減すること
ができる。且つ、PbOの高比重により下部基板の重量
が増加する問題点を解消してプラズマ表示装置の重量を
軽量化することができる。 (2)隔壁の誘電率を低下させたので、アドレス電極の
アドレス信号遅延の発生を抑制することができる。さら
に、隔壁の光吸収率を増大させたため、従来のようにP
DPのコントラストを増加させるために別途のブラック
マトリックスを形成させる必要性がなくなり、PDPの
構造及び製造工程を単純化することができる。 (3)隔壁を製造するためのガラス粉末に酸化物充填材
を添加しないため、ペースト又はスラリーにより形成さ
れる厚膜の緻密度を増大させることができ、エッチング
を施したときエッチング面を均一に形成することができ
る。また、従来に比べて隔壁のエッチング速度が早くな
るため、製造工程時間を短縮することができる。 (4)隔壁の製造に必要な焼成温度を低下させることが
でき、かつ隔壁の熱膨張係数を低下させることができた
ので、隔壁及び下部基板の熱的安定性を増加させて、焼
成工程中、下部基板及び隔壁の変形、または、亀裂の発
生現象を解消して、下部基板及び隔壁の熱的安定性を向
上することができる。
【図1】 本発明に係るPDP用隔壁の製造方法を示し
たフローチャートである。
たフローチャートである。
【図2】 本発明に係るPDP用隔壁の製造方法により
製造された隔壁を示した断面図である。
製造された隔壁を示した断面図である。
【図3】 従来プラズマ表示装置のセルの構造を示した
断面図である。
断面図である。
【図4】 従来PDPの隔壁製造方法を示したフローチ
ャートである。
ャートである。
【図5】 スクリーンプリント法による従来のPDPの
隔壁の製造方法を示した工程縦断面図である。
隔壁の製造方法を示した工程縦断面図である。
【図6】 サンドブラスト法による従来のPDPの隔壁
の製造方法を示した工程縦断面図である。
の製造方法を示した工程縦断面図である。
【図7】 添加法による従来PDPの隔壁の製造方法を
示した工程縦断面図である。
示した工程縦断面図である。
【図8】 スタンピング法による従来PDPの隔壁の製
造方法を示した工程縦断面図である。
造方法を示した工程縦断面図である。
130:ペースト又はスラリーの厚膜、132:誘電体
厚膜 134:下部基板、135:厚膜のエッチング面
厚膜 134:下部基板、135:厚膜のエッチング面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平9−231910(JP,A) 特開 平11−139846(JP,A) 特開2000−67649(JP,A) 特開2000−16833(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C03C 1/00 - 14/00 H01J 11/00 - 17/64
Claims (6)
- 【請求項1】 SiO 2 、ZnO、B 2 O 3 、PbO、K 2
O、CaO、Na 2 O、Al 2 O 3 、Sb 2 O 3 及びLi 2 O
からなるSiO2−ZnO−PbO−B2O3系のガラス
粉末を主成分とするプラズマ表示装置の隔壁用組成物。 - 【請求項2】 SiO2−ZnO−PbO−B2O3系の
ガラス粉末の構成成分中、PbOの含量は50wt%以
下であることを特徴とする請求項1記載のプラズマ表示
装置の隔壁用組成物。 - 【請求項3】 SiO2−ZnO−PbO−B2O3 系の
ガラス粉末を構成する組成物は、SiO2(10〜30
wt%)、ZnO(10〜30wt%)、B2O3(10
〜30wt%)、PbO(5〜30wt%)、K2O
(2〜10wt%)、CaO(1〜5wt%)、Na2
O(3〜8wt%)、Al2O3(1〜5wt%)、Sb
2O3(2wt%未満)及びLi 2 O(5wt%未満)か
らなることを特徴とする請求項1記載のプラズマ表示装
置の隔壁用組成物。 - 【請求項4】 SiO2−ZnO−PbO−B2O3 系の
ガラス粉末の組成物中、SiO2、ZnO、B2O3及び
PbOの含量の合計は85wt%以下で、Li2O、K2
O及びNa2Oの含量の合計は25wt%以下であるこ
とを特徴とする請求項1記載のプラズマ表示装置の隔壁
用組成物。 - 【請求項5】 SiO2−ZnO−PbO−B2O3 系の
ガラス粉末の組成物中、PbOの含量とSiO2、Zn
O及びB2O3の含量の合計との重量比が2/5〜4/5
範囲内の値を有することを特徴とする請求項1記載のプ
ラズマ表示装置の隔壁用組成物。 - 【請求項6】 SiO 2 、ZnO、B 2 O 3 、PbO、K 2
O、CaO、Na 2 O、Al 2 O 3 、Sb 2 O 3 及びLi 2 O
からなるSiO2−ZnO−PbO−B2O3系のガラス
粉末を製造し、そのガラス粉末を有機溶媒と混合してペ
ースト又はスラリーを得、それを誘電体を形成させた下
部基板の上に厚膜として形成した後、その厚膜にエッチ
ング法またはスタンピング法を施して隔壁を形成したこ
とを特徴とするプラズマ表示装置の隔壁形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019980035901A KR100326558B1 (ko) | 1998-09-01 | 1998-09-01 | 플라즈마용표시장치용격벽조성물 |
KR1998-35901 | 1998-09-01 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000095542A JP2000095542A (ja) | 2000-04-04 |
JP3111409B2 true JP3111409B2 (ja) | 2000-11-20 |
Family
ID=19549188
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11247125A Expired - Fee Related JP3111409B2 (ja) | 1998-09-01 | 1999-09-01 | プラズマ表示装置の隔壁用の組成物及びその組成物を使用した隔壁形成方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6271161B1 (ja) |
JP (1) | JP3111409B2 (ja) |
KR (1) | KR100326558B1 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100605755B1 (ko) * | 1999-05-18 | 2006-07-31 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 표시장치용 유전체 조성물 |
DE10057635A1 (de) * | 2000-11-21 | 2002-05-23 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum Bearbeiten von Substraten |
US6660184B2 (en) | 2001-12-13 | 2003-12-09 | Osram Sylvania Inc. | Phosphor paste compositions |
KR100444520B1 (ko) * | 2002-02-01 | 2004-08-16 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽재료 및 격벽 제조방법 |
KR20030068935A (ko) * | 2002-02-19 | 2003-08-25 | 오리온전기 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 엘티씨씨-엠 백 패널용 유리 조성물 |
KR100495488B1 (ko) * | 2002-12-07 | 2005-06-16 | 엘지마이크론 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널의 후면판 |
KR100533720B1 (ko) * | 2002-12-09 | 2005-12-06 | 엘지마이크론 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널의 후면판 |
TW200520008A (en) * | 2003-11-06 | 2005-06-16 | Asahi Glass Co Ltd | Glass for forming barrier ribs, and plasma display panel |
KR20050072220A (ko) * | 2004-01-06 | 2005-07-11 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 제조방법 |
JP2006032044A (ja) * | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル |
KR20060022200A (ko) * | 2004-09-06 | 2006-03-09 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 표시 패널 |
KR100763389B1 (ko) * | 2005-07-01 | 2007-10-05 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법 |
JP5018032B2 (ja) * | 2005-12-09 | 2012-09-05 | 旭硝子株式会社 | 電極被覆用無鉛ガラス |
JP2007305411A (ja) * | 2006-05-11 | 2007-11-22 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd | プラズマディスプレイパネル |
CN102167518B (zh) * | 2010-09-30 | 2013-02-06 | 四川虹欧显示器件有限公司 | 等离子显示屏的介质材料、等离子显示屏下基板的制造方法以及等离子显示屏 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2842458A (en) * | 1954-05-28 | 1958-07-08 | O Hommel Company | Low temperature vitreous coatings for steel |
US2930713A (en) * | 1959-02-05 | 1960-03-29 | Du Pont | Vitreous enamel frit |
US3544508A (en) * | 1966-01-06 | 1970-12-01 | Owens Illinois Inc | Vitreous enamel composition to produce a matte finish on a glass surface |
US4451761A (en) * | 1982-01-13 | 1984-05-29 | Burroughs Corporation | Glass composition and gas-filled display panel incorporating the glass as an insulating layer |
US5079193A (en) * | 1988-08-01 | 1992-01-07 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Encapsulant composition |
AU641249B2 (en) * | 1989-11-08 | 1993-09-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Zinc oxide varistor, manufacture thereof, and crystallized glass composition for coating |
JP3079715B2 (ja) * | 1990-12-18 | 2000-08-21 | 松下電器産業株式会社 | 結晶化ガラス |
US5674634A (en) * | 1994-12-05 | 1997-10-07 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Insulator composition, green tape, and method for forming plasma display apparatus barrier-rib |
JPH1067534A (ja) * | 1996-08-22 | 1998-03-10 | Central Glass Co Ltd | 被膜形成用低融点ガラス |
JP3317161B2 (ja) * | 1996-10-04 | 2002-08-26 | 松下電器産業株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
JP3317175B2 (ja) * | 1997-01-27 | 2002-08-26 | 松下電器産業株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
JP3829887B2 (ja) * | 1997-07-02 | 2006-10-04 | 日本電気硝子株式会社 | プラズマディスプレーパネル用誘電体材料 |
JP3904102B2 (ja) * | 1997-08-06 | 2007-04-11 | 日本電気硝子株式会社 | プラズマディスプレーパネル用誘電体形成材料 |
US6184163B1 (en) * | 1998-03-26 | 2001-02-06 | Lg Electronics Inc. | Dielectric composition for plasma display panel |
-
1998
- 1998-09-01 KR KR1019980035901A patent/KR100326558B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-08-30 US US09/385,438 patent/US6271161B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-09-01 JP JP11247125A patent/JP3111409B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100326558B1 (ko) | 2002-09-17 |
US6271161B1 (en) | 2001-08-07 |
JP2000095542A (ja) | 2000-04-04 |
KR20000018344A (ko) | 2000-04-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3111409B2 (ja) | プラズマ表示装置の隔壁用の組成物及びその組成物を使用した隔壁形成方法 | |
JP3827987B2 (ja) | 無鉛ガラスフリット | |
US6777872B2 (en) | Plasma display panel and method for production thereof | |
JP2006008496A (ja) | プラズマディスプレイパネル隔壁用無鉛ガラス組成物,及びプラズマディスプレイパネル | |
JP4024959B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル用の誘電体の組成物 | |
JP2001199737A (ja) | ガラス組成物及びその混合体、並びにそれを用いたペースト、グリーンシート、絶縁体、誘電体、厚膜及びfpd | |
US20010051585A1 (en) | Composition for barrier ribs of plasma display panel and method of fabricating such barrier ribs using the composition | |
JP4100591B2 (ja) | 無鉛ガラス粉末およびプラズマディスプレイパネル隔壁形成用組成物 | |
JP2000226231A (ja) | 無鉛低融点ガラス組成物 | |
JP2005194120A (ja) | ガラスセラミック粉末組成物及びガラスペースト | |
JP4924304B2 (ja) | 導電性黒色ペースト組成物及び該組成物を用いたバス電極の製造方法 | |
JP2001151532A (ja) | 電極被覆用低融点ガラスおよびプラズマディスプレイ装置 | |
JP4282885B2 (ja) | 電極被覆用低融点ガラスおよびプラズマディスプレイ装置 | |
JP4151143B2 (ja) | 電極被覆用低融点ガラス粉末およびプラズマディスプレイ装置 | |
JP4380589B2 (ja) | 電極被覆用低融点ガラスおよびプラズマディスプレイ装置 | |
JP2008050252A (ja) | 隔壁付きガラス基板の製造方法 | |
KR100500778B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 조성물과 그 제조방법및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 제조방법 | |
JP4016560B2 (ja) | 電極被覆用低融点ガラスおよび電極被覆用ガラスセラミック組成物 | |
KR100268587B1 (ko) | 플라즈마 표시장치용 유전체 조성물 | |
KR100404083B1 (ko) | 피디피 표시소자 | |
KR100575630B1 (ko) | 플라즈마 표시장치의 격벽 성형용 조성물 및 조성물을 이용한 격벽재의 제조방법 | |
JP2002367518A (ja) | プラズマディスプレイパネル用電極、プラズマディスプレイパネル | |
KR20060076253A (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널의 후면판 | |
JP4016484B2 (ja) | プラズマディスプレイの製造方法 | |
KR100841230B1 (ko) | 디스플레이 패널 및 디스플레이 패널의 전극 조성물 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000815 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080922 Year of fee payment: 8 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |