JP3111409B2 - プラズマ表示装置の隔壁用の組成物及びその組成物を使用した隔壁形成方法 - Google Patents
プラズマ表示装置の隔壁用の組成物及びその組成物を使用した隔壁形成方法Info
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- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/04—Manufacture of electrodes or electrode systems of thermionic cathodes
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ表示装置
に係るもので、詳しくは、プラズマ表示装置用隔壁の組
成物及びその組成物を利用した隔壁形成方法に関するも
のである。
に係るもので、詳しくは、プラズマ表示装置用隔壁の組
成物及びその組成物を利用した隔壁形成方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】最近、液晶表示装置、電界放出表示装置
（Field Emission Display）及びプラズマ表示装置
（以下、“ＰＤＰ”と称す）などの平面表示装置に関す
る研究が活発に行われ、技術的にも大いに進歩してい
る。本発明は上記ＰＤＰに関する。ＰＤＰにも様々な種
類があるが、主流となっているのは面放電極型ＡＣ Ｐ
ＤＰのセル構造である。以下面放電極型ＡＣ ＰＤＰに
よって説明するが、本発明はそれに限定されない。この
ＰＤＰは、図３に示したように、可視光線が透過できる
ようにガラスなどの透明材料により構成された上部基板
１とガラス又は金属により構成された下部基板１５とが
平行に配置されて形成されている。
（Field Emission Display）及びプラズマ表示装置
（以下、“ＰＤＰ”と称す）などの平面表示装置に関す
る研究が活発に行われ、技術的にも大いに進歩してい
る。本発明は上記ＰＤＰに関する。ＰＤＰにも様々な種
類があるが、主流となっているのは面放電極型ＡＣ Ｐ
ＤＰのセル構造である。以下面放電極型ＡＣ ＰＤＰに
よって説明するが、本発明はそれに限定されない。この
ＰＤＰは、図３に示したように、可視光線が透過できる
ようにガラスなどの透明材料により構成された上部基板
１とガラス又は金属により構成された下部基板１５とが
平行に配置されて形成されている。
【０００３】前記上部基板１の一面、下部基板を向く面
には透明電極３とバス電極とからなる維持電極５が形成
されている。３電極型の場合、維持電極は各セルごとに
２列が一対となるように配置される。ここで、前記透明
電極３の材料としてはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）が使
用され、バス電極７の材料としてはアルミニウム（Ａ
ｌ）またはクロム／銅／クロム（Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ）が
使用される。維持電極５を形成した上部基板１の上に前
記維持電極５を覆うようにＰｂＯ系列の第１誘電膜１０
が形成され、その上にＭｇＯからなる保護膜１２が蒸着
される。この保護膜１２は、イオンのスパッタリングか
ら第１誘電膜１０を保護し、また、ＰＤＰは、プラズマ
放電時に低いエネルギのイオンが表面にぶっつかったと
きの２次電子発生係数が比較的高いので、放電プラズマ
の駆動電圧及び維持電圧を低下させる役割をする。
には透明電極３とバス電極とからなる維持電極５が形成
されている。３電極型の場合、維持電極は各セルごとに
２列が一対となるように配置される。ここで、前記透明
電極３の材料としてはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）が使
用され、バス電極７の材料としてはアルミニウム（Ａ
ｌ）またはクロム／銅／クロム（Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ）が
使用される。維持電極５を形成した上部基板１の上に前
記維持電極５を覆うようにＰｂＯ系列の第１誘電膜１０
が形成され、その上にＭｇＯからなる保護膜１２が蒸着
される。この保護膜１２は、イオンのスパッタリングか
ら第１誘電膜１０を保護し、また、ＰＤＰは、プラズマ
放電時に低いエネルギのイオンが表面にぶっつかったと
きの２次電子発生係数が比較的高いので、放電プラズマ
の駆動電圧及び維持電圧を低下させる役割をする。
【０００４】一方、下部基板１５の上部基板に向く面に
はアドレス電極１７が配置され、そのアドレス電極１７
を覆うように第２誘電膜１９が形成されている。第２誘
電膜が形成された下部基板にはアドレス電極１７が中心
になるように一定の間隔を置いて相互平行に多数の隔壁
２１がセルを区画するように形成されている。それら隔
壁２１の先端にはブラックマトリックス２３が形成され
ている。そのブラックマトリックス２３はＰＤＰのコン
トラストを向上させるためのものである。各隔壁２１間
の第２誘電膜１９の表面と、隔壁２１及びブラックマト
リックス２３の側面とには可視光線を放出する蛍光体２
５が形成されている。蛍光体２５は赤色、緑色及び青色
を発光するものがあり、それらが集まって１つの画素を
形成している。上部基板１と下部基板１５とを接合し、
各隔壁２１間に形成される放電空間にＮｅ＋Ｘｅなどの
混合ガスを注入して素子を完成していた。なお、図にお
いては説明の便宜上上下の基板の一方を９０度向きを変
えて描いている。
はアドレス電極１７が配置され、そのアドレス電極１７
を覆うように第２誘電膜１９が形成されている。第２誘
電膜が形成された下部基板にはアドレス電極１７が中心
になるように一定の間隔を置いて相互平行に多数の隔壁
２１がセルを区画するように形成されている。それら隔
壁２１の先端にはブラックマトリックス２３が形成され
ている。そのブラックマトリックス２３はＰＤＰのコン
トラストを向上させるためのものである。各隔壁２１間
の第２誘電膜１９の表面と、隔壁２１及びブラックマト
リックス２３の側面とには可視光線を放出する蛍光体２
５が形成されている。蛍光体２５は赤色、緑色及び青色
を発光するものがあり、それらが集まって１つの画素を
形成している。上部基板１と下部基板１５とを接合し、
各隔壁２１間に形成される放電空間にＮｅ＋Ｘｅなどの
混合ガスを注入して素子を完成していた。なお、図にお
いては説明の便宜上上下の基板の一方を９０度向きを変
えて描いている。
【０００５】以下、このように構成された従来のＰＤＰ
の駆動過程について説明する。先ず、一対の維持電極５
中の１つとアドレス電極１７間に所定電圧を印加してア
ドレス放電を行うと、それらが交差する表示しようとす
るセルに壁電荷が発生する。アドレス放電が終了した
後、一対の維持電極５双方に交流電圧を印加すると、ア
ドレス放電の際に選択された表示セルのみが選択的に放
電して、可視光線が放出されて維持放電が発生する。こ
の維持放電は、放電期間に従って輝度レベルが異なるよ
うに制御される。
の駆動過程について説明する。先ず、一対の維持電極５
中の１つとアドレス電極１７間に所定電圧を印加してア
ドレス放電を行うと、それらが交差する表示しようとす
るセルに壁電荷が発生する。アドレス放電が終了した
後、一対の維持電極５双方に交流電圧を印加すると、ア
ドレス放電の際に選択された表示セルのみが選択的に放
電して、可視光線が放出されて維持放電が発生する。こ
の維持放電は、放電期間に従って輝度レベルが異なるよ
うに制御される。
【０００６】このように動作する従来ＰＤＰの構造にお
ける隔壁２１は、（１）上部基板１と下部基板１５間の
気体放電空間を確保し、（２）各色毎に蛍光体２５を区
分して各放電セルを分割し、（３）放電を行うための各
電極間の距離を決定し、（４）隣接するセルから発生す
る放電による混信を防止し、（５）蛍光体２５から発光
された光を上部基板１側に反射させる、などの役割を行
う。
ける隔壁２１は、（１）上部基板１と下部基板１５間の
気体放電空間を確保し、（２）各色毎に蛍光体２５を区
分して各放電セルを分割し、（３）放電を行うための各
電極間の距離を決定し、（４）隣接するセルから発生す
る放電による混信を防止し、（５）蛍光体２５から発光
された光を上部基板１側に反射させる、などの役割を行
う。
【０００７】そして、このような役割を果たす各隔壁２
１が有しなければならない特性としては、低い熱膨張係
数、熱的安定性、低い焼成温度、緻密な組織及び低い誘
電率などである。従来隔壁２１の材料としては、大量の
ＰｂＯ成分（６０〜８０ｗｔ％）を包含するＰｂＯ−Ｂ
2Ｏ3−ＳｉＯ2 系及びＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＺｎＯ系のガラ
ス粉末が使用されている。そのＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ
2 系のガラス粉末の組成を表１に示す。
１が有しなければならない特性としては、低い熱膨張係
数、熱的安定性、低い焼成温度、緻密な組織及び低い誘
電率などである。従来隔壁２１の材料としては、大量の
ＰｂＯ成分（６０〜８０ｗｔ％）を包含するＰｂＯ−Ｂ
2Ｏ3−ＳｉＯ2 系及びＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＺｎＯ系のガラ
ス粉末が使用されている。そのＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ
2 系のガラス粉末の組成を表１に示す。
【０００８】表１ ＰｂＯ ６０〜８０ｗｔ％ Ｂ2Ｏ3 ５〜１５ｗｔ％ ＳｉＯ2 １５〜２０ｗｔ％
【０００９】以下、図４に基づいて従来ＰＤＰの隔壁の
製造方法について説明する。先ず、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−Ｓ
ｉＯ2 系またはＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＺｎＯ系のガラス粉末
に酸化物充填材を所定比率（例えば、４：６〜７：３の
比率）に添加し、所定時間の間混合して形成されたガラ
スーセラミック材料を、１０μｍ以下の微細粉末に形成
して混合粉末を形成する（Ｓ３１）。酸化物充填材とし
ては、Ａｌ2Ｏ3とＴｉＯ2との混合物が使用される。そ
の組成を表２に示す。
製造方法について説明する。先ず、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−Ｓ
ｉＯ2 系またはＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＺｎＯ系のガラス粉末
に酸化物充填材を所定比率（例えば、４：６〜７：３の
比率）に添加し、所定時間の間混合して形成されたガラ
スーセラミック材料を、１０μｍ以下の微細粉末に形成
して混合粉末を形成する（Ｓ３１）。酸化物充填材とし
ては、Ａｌ2Ｏ3とＴｉＯ2との混合物が使用される。そ
の組成を表２に示す。
【００１０】表２ Ａｌ2Ｏ3 ９５〜１００ｗｔ％ ＴｉＯ2 ０〜５ｗｔ％
【００１１】次いで、混合粉末を有機溶媒と混合してペ
ーストまたはスラリーを形成する（Ｓ３２）。ここで、
前記有機溶媒としてはＢＣＡ（Butyl-Carbitol-Acetat
e）、ＢＣ（Butyl-Carbitol）及びＥＣ（Ethyl-Cellulo
se）が所定比率に混合された有機溶媒が使用される。次
いで、ペーストまたはスラリーを下部基板１５に形成さ
れた第２誘電膜１９の上に所定厚さに塗布した後、隔壁
２１を形成する（Ｓ３３）。その隔壁の形成法として
は、スクリーンプリント法、サンドブラスト法、エッチ
ング法、添加法及びスタンピング法などがあるが、詳細
な説明は後述する。次いで、隔壁２１が形成された下部
基板１５を３００〜３５０℃で所定時間の間（例えば、
１５〜２３分）焼成して隔壁の形成を終了する。
ーストまたはスラリーを形成する（Ｓ３２）。ここで、
前記有機溶媒としてはＢＣＡ（Butyl-Carbitol-Acetat
e）、ＢＣ（Butyl-Carbitol）及びＥＣ（Ethyl-Cellulo
se）が所定比率に混合された有機溶媒が使用される。次
いで、ペーストまたはスラリーを下部基板１５に形成さ
れた第２誘電膜１９の上に所定厚さに塗布した後、隔壁
２１を形成する（Ｓ３３）。その隔壁の形成法として
は、スクリーンプリント法、サンドブラスト法、エッチ
ング法、添加法及びスタンピング法などがあるが、詳細
な説明は後述する。次いで、隔壁２１が形成された下部
基板１５を３００〜３５０℃で所定時間の間（例えば、
１５〜２３分）焼成して隔壁の形成を終了する。
【００１２】以下、図５〜図８に基づいて従来の隔壁各
形成方法に対し詳しく説明する。図５に示すスクリーン
プリント法においては、誘電体厚膜４１が形成された下
部基板４０上にスクリーン（未図示）を正確に位置合わ
せし、そのスクリーンを介してペースト又はスラリーを
塗布させた後、乾燥させて隔壁４３を形成する（ａ段
階）。次いで、スクリーンを再び位置合わせした後、上
述した過程を数回繰り返して隔壁を形成する（ｂ段階及
びｃ段階）。
形成方法に対し詳しく説明する。図５に示すスクリーン
プリント法においては、誘電体厚膜４１が形成された下
部基板４０上にスクリーン（未図示）を正確に位置合わ
せし、そのスクリーンを介してペースト又はスラリーを
塗布させた後、乾燥させて隔壁４３を形成する（ａ段
階）。次いで、スクリーンを再び位置合わせした後、上
述した過程を数回繰り返して隔壁を形成する（ｂ段階及
びｃ段階）。
【００１３】図６はサンドブラストである。先ず、下部
基板４０の上面に形成された誘電体厚膜４１の上面に所
定厚さ、例えば、１５０〜２００μｍのペースト又はス
ラリー４２を塗布する（ａ段階）。次いで、塗布された
ペースト又はスラリー４２の上にラミネート４５を塗布
した後（ｂ段階）、マスク４７を利用したリソグラフィ
工程を施してラミネートパターン４９を形成する（ｃ段
階及びｄ段階）。ここで、ラミネートとは、フォトレジ
ストまたはスラリーに有機物又は無機物を所定比率に添
加してシート状に制作したものである。次いで、ラミネ
ートパターン４９と垂直な方向に砂のような研磨材を吹
き込んで、ラミネートパターン４９の間に位置するペー
スト又はスラリー４２を除去した後（ｅ段階）、上部の
ラミネートを除去して隔壁４３を形成する（ｆ段階）。
基板４０の上面に形成された誘電体厚膜４１の上面に所
定厚さ、例えば、１５０〜２００μｍのペースト又はス
ラリー４２を塗布する（ａ段階）。次いで、塗布された
ペースト又はスラリー４２の上にラミネート４５を塗布
した後（ｂ段階）、マスク４７を利用したリソグラフィ
工程を施してラミネートパターン４９を形成する（ｃ段
階及びｄ段階）。ここで、ラミネートとは、フォトレジ
ストまたはスラリーに有機物又は無機物を所定比率に添
加してシート状に制作したものである。次いで、ラミネ
ートパターン４９と垂直な方向に砂のような研磨材を吹
き込んで、ラミネートパターン４９の間に位置するペー
スト又はスラリー４２を除去した後（ｅ段階）、上部の
ラミネートを除去して隔壁４３を形成する（ｆ段階）。
【００１４】エッチング法においては、上述したサンド
ブラスト法のｅ段階で、ラミネートパターンの形成され
てないペースト又はスラリー４２を除去するとき、研磨
材を使用する代わりに５〜１０ｗｔ％の濃度の塩酸（Ｈ
Ｃｌ）を利用してエッチングする。その他は前記サンド
ブラスト法と同様に行う。なお、エッチング法及びサン
ドブラスト法を実施する場合、ペースト又はスラリー自
体が感光性を有するように形成すると、別のラミネート
パターンを利用せずに、ペースト又はスラリー自体をパ
ターニングして隔壁を形成することもできる。
ブラスト法のｅ段階で、ラミネートパターンの形成され
てないペースト又はスラリー４２を除去するとき、研磨
材を使用する代わりに５〜１０ｗｔ％の濃度の塩酸（Ｈ
Ｃｌ）を利用してエッチングする。その他は前記サンド
ブラスト法と同様に行う。なお、エッチング法及びサン
ドブラスト法を実施する場合、ペースト又はスラリー自
体が感光性を有するように形成すると、別のラミネート
パターンを利用せずに、ペースト又はスラリー自体をパ
ターニングして隔壁を形成することもできる。
【００１５】図７は添加法を示す。図に示したように、
先ず、下部基板４０の上面に形成された誘電体厚膜４１
の上に所定厚さ、例えば、１５０〜２００μｍのペース
ト又はスラリー４２を塗布する（ａ段階）。次いで、マ
スク４７を利用したリソグラフィ工程を施してラミネー
トパターン５１を形成する（ｂ段階及びｃ段階）。この
とき、ラミネートパターン５１は、後続の工程により形
成される隔壁４３が形成されない位置に形成する。次い
で、ラミネートパターン５１を形成した下部基板４０の
上にペースト又はスラリー５３を塗布した後、ラミネー
トパターン５１の上面が露出するまでペーストを研磨し
て、ラミネートパターンの間にペースト又はスラリー５
３を充填させた後、ペースト又はスラリー５３を乾燥さ
せる（ｄ段階）。次いで、充填されたペースト又はスラ
リー間のラミネートパターン５１を除去して隔壁４３を
形成する（ｅ段階）。
先ず、下部基板４０の上面に形成された誘電体厚膜４１
の上に所定厚さ、例えば、１５０〜２００μｍのペース
ト又はスラリー４２を塗布する（ａ段階）。次いで、マ
スク４７を利用したリソグラフィ工程を施してラミネー
トパターン５１を形成する（ｂ段階及びｃ段階）。この
とき、ラミネートパターン５１は、後続の工程により形
成される隔壁４３が形成されない位置に形成する。次い
で、ラミネートパターン５１を形成した下部基板４０の
上にペースト又はスラリー５３を塗布した後、ラミネー
トパターン５１の上面が露出するまでペーストを研磨し
て、ラミネートパターンの間にペースト又はスラリー５
３を充填させた後、ペースト又はスラリー５３を乾燥さ
せる（ｄ段階）。次いで、充填されたペースト又はスラ
リー間のラミネートパターン５１を除去して隔壁４３を
形成する（ｅ段階）。
【００１６】最後に図８に基づいてスタンピング法を説
明する。図に示したように、先ず、下部基板４０の上に
形成された誘電体厚膜４１の上に所定厚さ、例えば、１
５０〜２００μｍのペースト又はスラリー４２を塗布す
る（ａ段階）。次いで、ペースト又はスラリーの上に隔
壁の形に切り込んだ溝を有する金型５５を載せてスタン
ピングを行う（ｂ段階）。この場合、下部基板４０の材
質がガラスであると、所定の焼成温度下の状態でスタン
ピングを行うが、下部基板４０の材質が金属であると、
常温でスタンピングを行う。次いで、前記金型５５を除
去して隔壁４３を形成する（ｃ段階）。
明する。図に示したように、先ず、下部基板４０の上に
形成された誘電体厚膜４１の上に所定厚さ、例えば、１
５０〜２００μｍのペースト又はスラリー４２を塗布す
る（ａ段階）。次いで、ペースト又はスラリーの上に隔
壁の形に切り込んだ溝を有する金型５５を載せてスタン
ピングを行う（ｂ段階）。この場合、下部基板４０の材
質がガラスであると、所定の焼成温度下の状態でスタン
ピングを行うが、下部基板４０の材質が金属であると、
常温でスタンピングを行う。次いで、前記金型５５を除
去して隔壁４３を形成する（ｃ段階）。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のＰＤ
Ｐの各隔壁製造方法により製造された各隔壁の特性は表
３に示す通りであった。 表３ 焼成温度（℃） ６００〜６５０ 誘電率（１ＭＨｚ） １２〜１５ 熱膨張係数 ８０〜８５×１０-7／℃ 光吸収率（４００〜８００ｎｍ） ５〜１０％ エッチング速度（μｍ／ｎｉｍ） ４．０（５％ ＨＣｌ）
Ｐの各隔壁製造方法により製造された各隔壁の特性は表
３に示す通りであった。 表３ 焼成温度（℃） ６００〜６５０ 誘電率（１ＭＨｚ） １２〜１５ 熱膨張係数 ８０〜８５×１０-7／℃ 光吸収率（４００〜８００ｎｍ） ５〜１０％ エッチング速度（μｍ／ｎｉｍ） ４．０（５％ ＨＣｌ）
【００１８】即ち、従来の技術により製造された隔壁の
誘電率は１２〜１５と比較的高い値であるため、アドレ
ス電極のアドレス信号の遅延が発生する恐れがあった。
また、従来の技術により製造された隔壁の主材料である
ＰｂＯ成分の比重が高いため、重量が増加し、さらに環
境汚染が発生するという不都合な点があった。さらに、
従来の技術により製造された隔壁を焼成するためには６
００℃以上の高温が要求され、８０〜８５×１０-7／℃
の熱膨張係数を有するため、既存のガラス基板に適用す
ると焼成工程中基板が変形するか、又は亀裂が発生する
という不都合な点があった。さらに、従来の技術により
製造されたペースト又はスラリーからなる厚膜層は、混
合粉末の製造工程中に添加するＡｌ2Ｏ3及びＴｉＯ2 な
どの酸化物充填材のため厚膜の組織緻密度が低下し、隔
壁を形成するためにエッチング工程を行うと、エッチン
グ面が均一にならないという不都合な点があった。さら
に、従来の技術により製造された隔壁の光吸収率は５〜
１０％にすぎないため、ＰＤＰのコントラストを向上さ
せるためには隔壁の先端にブラックマトリックスを形成
しなければならず、そのため、構造及び製造工程が複雑
になるという不都合な点があった。
誘電率は１２〜１５と比較的高い値であるため、アドレ
ス電極のアドレス信号の遅延が発生する恐れがあった。
また、従来の技術により製造された隔壁の主材料である
ＰｂＯ成分の比重が高いため、重量が増加し、さらに環
境汚染が発生するという不都合な点があった。さらに、
従来の技術により製造された隔壁を焼成するためには６
００℃以上の高温が要求され、８０〜８５×１０-7／℃
の熱膨張係数を有するため、既存のガラス基板に適用す
ると焼成工程中基板が変形するか、又は亀裂が発生する
という不都合な点があった。さらに、従来の技術により
製造されたペースト又はスラリーからなる厚膜層は、混
合粉末の製造工程中に添加するＡｌ2Ｏ3及びＴｉＯ2 な
どの酸化物充填材のため厚膜の組織緻密度が低下し、隔
壁を形成するためにエッチング工程を行うと、エッチン
グ面が均一にならないという不都合な点があった。さら
に、従来の技術により製造された隔壁の光吸収率は５〜
１０％にすぎないため、ＰＤＰのコントラストを向上さ
せるためには隔壁の先端にブラックマトリックスを形成
しなければならず、そのため、構造及び製造工程が複雑
になるという不都合な点があった。
【００１９】本発明は、このような従来の問題を考慮し
てなされたもので、ＰＤＰの各隔壁の誘電率を低下させ
てアドレス電極のアドレス信号が遅延するのを防止し、
隔壁の重量を減少させてＰＤＰを軽量化させ、より環境
に優しい材料を使用し、隔壁の製造に必要な焼成温度を
低下させ及び隔壁の熱膨張係数を低下させて隔壁と下部
基板の熱的安定性を増加し、ペースト又はスラリーによ
り構成される厚膜の組織緻密度を増加させてエッチング
面を均一化し、光吸収率を増大させてＰＤＰのコントラ
ストを増加するための別のブラックマトリックス製造工
程を省き、ＰＤＰの構造及び製造工程を単純化し得るプ
ラズマ表示装置用隔壁の組成物及びその隔壁の製造方法
を提供することを目的とする。
てなされたもので、ＰＤＰの各隔壁の誘電率を低下させ
てアドレス電極のアドレス信号が遅延するのを防止し、
隔壁の重量を減少させてＰＤＰを軽量化させ、より環境
に優しい材料を使用し、隔壁の製造に必要な焼成温度を
低下させ及び隔壁の熱膨張係数を低下させて隔壁と下部
基板の熱的安定性を増加し、ペースト又はスラリーによ
り構成される厚膜の組織緻密度を増加させてエッチング
面を均一化し、光吸収率を増大させてＰＤＰのコントラ
ストを増加するための別のブラックマトリックス製造工
程を省き、ＰＤＰの構造及び製造工程を単純化し得るプ
ラズマ表示装置用隔壁の組成物及びその隔壁の製造方法
を提供することを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るため、本発明に係るプラズマ表示装置の隔壁用組成物
は、ＳｉＯ2−ＺｎＯ−ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3 系のガラス粉末
を主原料とすることを特徴とする。かつ、本発明に係る
ＰＤＰ用隔壁の製造方法においては、ＳｉＯ2 −ＺｎＯ
−ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3系のガラス粉末を製造し、そのガラス
粉末を有機溶媒と混合してペースト又はスラリーを製造
して厚膜を形成した後、その厚膜にエッチング法または
スタンピング法を施して隔壁を形成する。
るため、本発明に係るプラズマ表示装置の隔壁用組成物
は、ＳｉＯ2−ＺｎＯ−ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3 系のガラス粉末
を主原料とすることを特徴とする。かつ、本発明に係る
ＰＤＰ用隔壁の製造方法においては、ＳｉＯ2 −ＺｎＯ
−ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3系のガラス粉末を製造し、そのガラス
粉末を有機溶媒と混合してペースト又はスラリーを製造
して厚膜を形成した後、その厚膜にエッチング法または
スタンピング法を施して隔壁を形成する。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態に対
し、図１及び図２を用いて説明する。本発明に係るプラ
ズマ表示装置用隔壁においては、ＳｉＯ2 −ＺｎＯ−Ｐ
ｂＯ−Ｂ2Ｏ3系のガラス粉末により形成される。そのＳ
ｉＯ2−ＺｎＯ−ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3系のガラス粉末は非晶
質構造を有する。ここで、前記ＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｐｂ
Ｏ−Ｂ2Ｏ3系のガラス粉末の組成を表４に示す。
し、図１及び図２を用いて説明する。本発明に係るプラ
ズマ表示装置用隔壁においては、ＳｉＯ2 −ＺｎＯ−Ｐ
ｂＯ−Ｂ2Ｏ3系のガラス粉末により形成される。そのＳ
ｉＯ2−ＺｎＯ−ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3系のガラス粉末は非晶
質構造を有する。ここで、前記ＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｐｂ
Ｏ−Ｂ2Ｏ3系のガラス粉末の組成を表４に示す。
【００２２】表４成分 組成比（重量％） ＳｉＯ2 １０〜３０ｗｔ％ ＺｎＯ １０〜３０ｗｔ％ Ｂ2Ｏ3 １０〜３０ｗｔ％ ＰｂＯ ５〜３０ｗｔ％ Ｋ2Ｏ ２〜１０ｗｔ％ ＣａＯ １〜５ｗｔ％ Ｎａ2Ｏ ３〜８ｗｔ％ Ａｌ2Ｏ3 １〜５ｗｔ％ Ｓｂ2Ｏ3 ０〜２ｗｔ％ Ｌｉ2Ｏ ０〜５ｗｔ％
【００２３】本実施形態では、表４に表したＳｉＯ2−
ＺｎＯ−ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3系のガラス粉末の各成分はそれ
ぞれ上記組成比の範囲で下記条件を満たして全体として
１００％となるように選択される。詳しく説明すると、
ＰｂＯは５０ｗｔ％以下の含量を有し、好ましくは、５
〜３０ｗｔ％の含量を有する。ＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｐｂ
Ｏ−Ｂ2Ｏ3 系のガラス粉末の構成成分中、ＳｉＯ2、Ｚ
ｎＯ、ＰｂＯ、Ｂ2Ｏ3の含量の合計が８５ｗｔ％以下と
なり、Ｌｉ2Ｏ、Ｋ2Ｏ、Ｎａ2Ｏの含量の合計が２５ｗ
ｔ％以下となることが好ましい。また、ＳｉＯ2−Ｚｎ
Ｏ−ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3 系のガラス粉末の構成成分中、Ｐ
ｂＯの含量とＳｉＯ2、ＺｎＯ、Ｂ2Ｏ3の含量の合計と
の重量比が２／５〜４／５の値を有することが好まし
い。なお、ＳｉＯ2−ＺｎＯ−ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3 系のガラ
ス粉末をブラックマトリックス及び下部基板の上面に形
成される誘電体に適用することも可能である。
ＺｎＯ−ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3系のガラス粉末の各成分はそれ
ぞれ上記組成比の範囲で下記条件を満たして全体として
１００％となるように選択される。詳しく説明すると、
ＰｂＯは５０ｗｔ％以下の含量を有し、好ましくは、５
〜３０ｗｔ％の含量を有する。ＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｐｂ
Ｏ−Ｂ2Ｏ3 系のガラス粉末の構成成分中、ＳｉＯ2、Ｚ
ｎＯ、ＰｂＯ、Ｂ2Ｏ3の含量の合計が８５ｗｔ％以下と
なり、Ｌｉ2Ｏ、Ｋ2Ｏ、Ｎａ2Ｏの含量の合計が２５ｗ
ｔ％以下となることが好ましい。また、ＳｉＯ2−Ｚｎ
Ｏ−ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3 系のガラス粉末の構成成分中、Ｐ
ｂＯの含量とＳｉＯ2、ＺｎＯ、Ｂ2Ｏ3の含量の合計と
の重量比が２／５〜４／５の値を有することが好まし
い。なお、ＳｉＯ2−ＺｎＯ−ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3 系のガラ
ス粉末をブラックマトリックス及び下部基板の上面に形
成される誘電体に適用することも可能である。
【００２４】以下、ＳｉＯ2−ＺｎＯ−ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3
系のガラス粉末の製造方法を説明する。先ず、前記表４
に表した組成比を有するように各成分の原材料の粉末を
秤量した後、タンブリング混合機により所定時間の間
（例えば、１０時間）混合する。次いで、混合された原
材料粉末を電気溶融炉を利用して白金坩堝で約１０００
〜１２００℃の温度範囲で所定時間の間（例えば、１〜
５時間）溶融し、その途中、溶融されたガラスを２〜３
回撹拌して溶融されたガラスが均質化されて緻密な組織
となるようにする。次いで、溶融されたガラス粉末を急
冷ローラを通過させて急冷させることにより、微細な亀
裂を有する破砕ガラスを形成する。次いで、破砕ガラス
をボールミーリングによりミーリングした後、＃１７０
及び＃２７０網ふるいに順次通過させて、平均粒子サイ
ズ１０μｍ以下で良好な粒度を有するＳｉＯ2−ＺｎＯ
−ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3 系のガラス粉末を製造する。
系のガラス粉末の製造方法を説明する。先ず、前記表４
に表した組成比を有するように各成分の原材料の粉末を
秤量した後、タンブリング混合機により所定時間の間
（例えば、１０時間）混合する。次いで、混合された原
材料粉末を電気溶融炉を利用して白金坩堝で約１０００
〜１２００℃の温度範囲で所定時間の間（例えば、１〜
５時間）溶融し、その途中、溶融されたガラスを２〜３
回撹拌して溶融されたガラスが均質化されて緻密な組織
となるようにする。次いで、溶融されたガラス粉末を急
冷ローラを通過させて急冷させることにより、微細な亀
裂を有する破砕ガラスを形成する。次いで、破砕ガラス
をボールミーリングによりミーリングした後、＃１７０
及び＃２７０網ふるいに順次通過させて、平均粒子サイ
ズ１０μｍ以下で良好な粒度を有するＳｉＯ2−ＺｎＯ
−ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3 系のガラス粉末を製造する。
【００２５】このときのミーリング条件をは表５に示
す。 表５ Mill jar ボールの個数 ミーリング 潤滑剤 ミーリング充填量 （cylinder type） 速度 時間 250g 44個／jar 70rpm IPA溶液（2ml） 16時間
す。 表５ Mill jar ボールの個数 ミーリング 潤滑剤 ミーリング充填量 （cylinder type） 速度 時間 250g 44個／jar 70rpm IPA溶液（2ml） 16時間
【００２６】なお、本発明の実施形態においては、従来
の技術とは異なってガラス粉末の製造工程中、Ａｌ2Ｏ3
及びＴｉＯ2などの酸化物充填材を添加しない。
の技術とは異なってガラス粉末の製造工程中、Ａｌ2Ｏ3
及びＴｉＯ2などの酸化物充填材を添加しない。
【００２７】以下、このように製造されたＳｉＯ2−Ｚ
ｎＯ−ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3 系のガラス粉末を利用してペー
スト又はスラリーを形成する工程に対し説明する。Ｓｉ
Ｏ2−ＺｎＯ−ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3 系のガラス粉末を約１５
０℃の乾燥オーブンに入れて２時間以上乾燥させた後、
所定量の有機バインダと有機溶剤とが混合された有機溶
媒と混合してペーストまたはスラリーを製造する。この
とき、ガラス粉末と有機溶媒との混合比率は７０：３０
程度が好ましいが、ペースト又はスラリーの状態に従っ
てその比率は調節される。なお、本実施形態において
は、ＢＣＡ（Butyl-Carbitol-Acetate）、ＢＣ（Butyl-
Carbitol）及びＥＣ（Ethyl-Cellulose ）が所定比率に
混合された有機溶媒を使用する。ＥＣの量によってペー
ストの粘度が変化して流動性と組成特性が変化するた
め、ＥＣの混合比率は１０％程度が好ましい。且つ、Ｂ
ＣＡの混合比率は６０％、ＢＣの混合比率は２０％程度
が好ましく、前記工程により形成されたペーストの粘度
は７０，０００〜１００，０００ＣＰＳが好ましく、ス
ラリーの粘度は７００〜１，０００ＣＰＳ程度が好まし
い。このとき、ペーストはスクリーンプリンティングの
際に使用され、スラリーは液状状態を維持してテープキ
ャスティング（tape casting）に使用される。また、有
機溶媒の中に感光性樹脂を適量混合すると、感光用ペー
ストまたはスラリーを形成することが可能になり、隔壁
の形成工程が単純化される。
ｎＯ−ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3 系のガラス粉末を利用してペー
スト又はスラリーを形成する工程に対し説明する。Ｓｉ
Ｏ2−ＺｎＯ−ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3 系のガラス粉末を約１５
０℃の乾燥オーブンに入れて２時間以上乾燥させた後、
所定量の有機バインダと有機溶剤とが混合された有機溶
媒と混合してペーストまたはスラリーを製造する。この
とき、ガラス粉末と有機溶媒との混合比率は７０：３０
程度が好ましいが、ペースト又はスラリーの状態に従っ
てその比率は調節される。なお、本実施形態において
は、ＢＣＡ（Butyl-Carbitol-Acetate）、ＢＣ（Butyl-
Carbitol）及びＥＣ（Ethyl-Cellulose ）が所定比率に
混合された有機溶媒を使用する。ＥＣの量によってペー
ストの粘度が変化して流動性と組成特性が変化するた
め、ＥＣの混合比率は１０％程度が好ましい。且つ、Ｂ
ＣＡの混合比率は６０％、ＢＣの混合比率は２０％程度
が好ましく、前記工程により形成されたペーストの粘度
は７０，０００〜１００，０００ＣＰＳが好ましく、ス
ラリーの粘度は７００〜１，０００ＣＰＳ程度が好まし
い。このとき、ペーストはスクリーンプリンティングの
際に使用され、スラリーは液状状態を維持してテープキ
ャスティング（tape casting）に使用される。また、有
機溶媒の中に感光性樹脂を適量混合すると、感光用ペー
ストまたはスラリーを形成することが可能になり、隔壁
の形成工程が単純化される。
【００２８】以下、上記したガラス粉末から形成された
スラリー又はペーストを利用して、本発明に係るＰＤＰ
用隔壁を製造する各実施形態に対し、図１に基づいて説
明する。本発明に係るＰＤＰ用隔壁の製造方法の第１実
施形態においては、先ず、ＳｉＯ2−ＺｎＯ−ＰｂＯ−
Ｂ2Ｏ3 系のガラス粉末を製造する（Ｓ１０１）。次い
で、そのガラス粉末を利用してペースト又はスラリーを
形成する（Ｓ１０３）。得られたペースト又はスラリー
を下部基板に形成された誘電体厚膜の上に所定厚さに塗
布して厚膜を形成する（Ｓ１０５）。そのペースト又は
スラリーが塗布された下部基板を５５０〜６５０℃の温
度で焼成する（Ｓ１０７）。このように、本実施形態に
おいては、焼成温度を従来（６００〜６５０℃）よりも
低い温度とすることができる。次いで、ペースト又はス
ラリーにより形成された厚膜の上にラミネートまたはフ
ォトレジストなどの感光性材料を利用してパターンを形
成し、そのパターンをマスクとしてエッチング法または
サンドブラスト法を施して、パターン間にあるペースト
又はスラリーからなる厚膜を除去し、隔壁を形成する
（Ｓ１１１）。
スラリー又はペーストを利用して、本発明に係るＰＤＰ
用隔壁を製造する各実施形態に対し、図１に基づいて説
明する。本発明に係るＰＤＰ用隔壁の製造方法の第１実
施形態においては、先ず、ＳｉＯ2−ＺｎＯ−ＰｂＯ−
Ｂ2Ｏ3 系のガラス粉末を製造する（Ｓ１０１）。次い
で、そのガラス粉末を利用してペースト又はスラリーを
形成する（Ｓ１０３）。得られたペースト又はスラリー
を下部基板に形成された誘電体厚膜の上に所定厚さに塗
布して厚膜を形成する（Ｓ１０５）。そのペースト又は
スラリーが塗布された下部基板を５５０〜６５０℃の温
度で焼成する（Ｓ１０７）。このように、本実施形態に
おいては、焼成温度を従来（６００〜６５０℃）よりも
低い温度とすることができる。次いで、ペースト又はス
ラリーにより形成された厚膜の上にラミネートまたはフ
ォトレジストなどの感光性材料を利用してパターンを形
成し、そのパターンをマスクとしてエッチング法または
サンドブラスト法を施して、パターン間にあるペースト
又はスラリーからなる厚膜を除去し、隔壁を形成する
（Ｓ１１１）。
【００２９】なお、本第１実施形態においては、５〜１
０％のＨＣｌを利用してエッチングを行う。また、隔壁
を形成した後に追加的に焼成を実施することもできる。
一方、前述したように、ペースト又はスラリー自体が感
光性を有すると、別途のラミネート及びフォトレジスト
などの感光性材料の塗布やそのエッチング工程を施行せ
ずに、リソグラフィ工程を経て感光性を有するペースト
又はスラリーからなる厚膜をパターニングして隔壁を製
造することができる。
０％のＨＣｌを利用してエッチングを行う。また、隔壁
を形成した後に追加的に焼成を実施することもできる。
一方、前述したように、ペースト又はスラリー自体が感
光性を有すると、別途のラミネート及びフォトレジスト
などの感光性材料の塗布やそのエッチング工程を施行せ
ずに、リソグラフィ工程を経て感光性を有するペースト
又はスラリーからなる厚膜をパターニングして隔壁を製
造することができる。
【００３０】次に、本発明に係るＰＤＰ用隔壁の製造方
法の第２実施形態においては、前記第１実施形態と同様
にＳｉＯ2−ＺｎＯ−ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3 系のガラス粉末を
形成する段階（Ｓ１０１）、ペースト又はスラリーを形
成する段階（Ｓ１０３）及び厚膜を形成する段階（Ｓ１
０５）を施した後、厚膜の上に隔壁となる位置に隔壁の
ための溝を形成させた金型を正確に位置合わせしてスタ
ンピングを行う（Ｓ１０９）。このとき、スタンピング
工程と同時に焼成することもでき、かつ、スタンピング
工程を行った後、焼成することもできる。特に、下部基
板がガラスで形成されているときは、スタンピングと同
時に焼成を行うが、下部基板がＴｉ合金、Ｃｕ合金及び
Ｎｉ合金などの金属により形成されているときは、スタ
ンピング工程を終了した後焼成を行う。なお、一旦隔壁
を形成した後に追加的に焼成を施すことも可能で、この
ときの焼成は５５０〜６５０℃の温度範囲で実施するこ
とが好ましい。
法の第２実施形態においては、前記第１実施形態と同様
にＳｉＯ2−ＺｎＯ−ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3 系のガラス粉末を
形成する段階（Ｓ１０１）、ペースト又はスラリーを形
成する段階（Ｓ１０３）及び厚膜を形成する段階（Ｓ１
０５）を施した後、厚膜の上に隔壁となる位置に隔壁の
ための溝を形成させた金型を正確に位置合わせしてスタ
ンピングを行う（Ｓ１０９）。このとき、スタンピング
工程と同時に焼成することもでき、かつ、スタンピング
工程を行った後、焼成することもできる。特に、下部基
板がガラスで形成されているときは、スタンピングと同
時に焼成を行うが、下部基板がＴｉ合金、Ｃｕ合金及び
Ｎｉ合金などの金属により形成されているときは、スタ
ンピング工程を終了した後焼成を行う。なお、一旦隔壁
を形成した後に追加的に焼成を施すことも可能で、この
ときの焼成は５５０〜６５０℃の温度範囲で実施するこ
とが好ましい。
【００３１】第１実施形態のエッチングを施して製造さ
れた本発明に係るＰＤＰ隔壁においては、図２に示した
ように、下部基板１３４の上面にペースト又はスラリー
からなる厚膜層１３２が形成され、厚膜層１３２の上面
のラミネートパターンまたは感光膜パターンが形成され
ていない部分をエッチングすると、きれいな半円状の均
一なエッチング断面が形成されながらエッチングされて
ゆく。結果的に側面はきれいにエッチングされた面とな
る。これは、本発明に係るＰＤＰ用隔壁の組成物である
ＳｉＯ2−ＺｎＯ−ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3 系のガラス粉末を製
造するとき、酸化物充填材を添加しないため、ペースト
又はスラリーからなる厚膜層の組織が緻密になるからで
ある。
れた本発明に係るＰＤＰ隔壁においては、図２に示した
ように、下部基板１３４の上面にペースト又はスラリー
からなる厚膜層１３２が形成され、厚膜層１３２の上面
のラミネートパターンまたは感光膜パターンが形成され
ていない部分をエッチングすると、きれいな半円状の均
一なエッチング断面が形成されながらエッチングされて
ゆく。結果的に側面はきれいにエッチングされた面とな
る。これは、本発明に係るＰＤＰ用隔壁の組成物である
ＳｉＯ2−ＺｎＯ−ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3 系のガラス粉末を製
造するとき、酸化物充填材を添加しないため、ペースト
又はスラリーからなる厚膜層の組織が緻密になるからで
ある。
【００３２】このように製造された本発明に係るＰＤＰ
用隔壁の諸特性を表６に示す。 焼成温度（℃） ５５０〜６５０ 誘電率（１ＭＨｚ） ６〜９ 熱膨張係数 ７５〜８５×１０-7／℃ 光吸収率（４００〜８００ｎｍ） ８５〜９０％ エッチング速度（μｍ／ｎｉｍ） ４．０〜６．５（５％ ＨＣｌ）
用隔壁の諸特性を表６に示す。 焼成温度（℃） ５５０〜６５０ 誘電率（１ＭＨｚ） ６〜９ 熱膨張係数 ７５〜８５×１０-7／℃ 光吸収率（４００〜８００ｎｍ） ８５〜９０％ エッチング速度（μｍ／ｎｉｍ） ４．０〜６．５（５％ ＨＣｌ）
【００３３】ここで、表６に表した本発明に係るＰＤＰ
用隔壁の特性と表３に表した従来の技術によるＰＤＰ用
隔壁の特性とを比較してみる。本発明に係る隔壁の場合
は製造工程中の焼成温度及び隔壁の熱膨張係数が従来の
隔壁に比べて低下するため、焼成工程中、下部基板が変
形したり、または亀裂の発生が防止される。且つ、本発
明に係るＰＤＰ用隔壁は従来の隔壁に比べて光吸収率が
大幅に増加するため、ＰＤＰのコントラストを増加させ
るために別にブラックマトリックスを形成する必要がな
い。また、本発明に係るＰＤＰ用隔壁は従来の隔壁に比
べて誘電率が減少するため、アドレス電極のアドレス信
号遅延の発生を抑制することができる。
用隔壁の特性と表３に表した従来の技術によるＰＤＰ用
隔壁の特性とを比較してみる。本発明に係る隔壁の場合
は製造工程中の焼成温度及び隔壁の熱膨張係数が従来の
隔壁に比べて低下するため、焼成工程中、下部基板が変
形したり、または亀裂の発生が防止される。且つ、本発
明に係るＰＤＰ用隔壁は従来の隔壁に比べて光吸収率が
大幅に増加するため、ＰＤＰのコントラストを増加させ
るために別にブラックマトリックスを形成する必要がな
い。また、本発明に係るＰＤＰ用隔壁は従来の隔壁に比
べて誘電率が減少するため、アドレス電極のアドレス信
号遅延の発生を抑制することができる。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るプラ
ズマ表示装置用隔壁の組成物及び隔壁においては、 （１）隔壁の組成物中のＰｂＯの成分を減少させたた
め、ＰｂＯ成分による環境汚染の問題点を低減すること
ができる。且つ、ＰｂＯの高比重により下部基板の重量
が増加する問題点を解消してプラズマ表示装置の重量を
軽量化することができる。 （２）隔壁の誘電率を低下させたので、アドレス電極の
アドレス信号遅延の発生を抑制することができる。さら
に、隔壁の光吸収率を増大させたため、従来のようにＰ
ＤＰのコントラストを増加させるために別途のブラック
マトリックスを形成させる必要性がなくなり、ＰＤＰの
構造及び製造工程を単純化することができる。 （３）隔壁を製造するためのガラス粉末に酸化物充填材
を添加しないため、ペースト又はスラリーにより形成さ
れる厚膜の緻密度を増大させることができ、エッチング
を施したときエッチング面を均一に形成することができ
る。また、従来に比べて隔壁のエッチング速度が早くな
るため、製造工程時間を短縮することができる。 （４）隔壁の製造に必要な焼成温度を低下させることが
でき、かつ隔壁の熱膨張係数を低下させることができた
ので、隔壁及び下部基板の熱的安定性を増加させて、焼
成工程中、下部基板及び隔壁の変形、または、亀裂の発
生現象を解消して、下部基板及び隔壁の熱的安定性を向
上することができる。
ズマ表示装置用隔壁の組成物及び隔壁においては、 （１）隔壁の組成物中のＰｂＯの成分を減少させたた
め、ＰｂＯ成分による環境汚染の問題点を低減すること
ができる。且つ、ＰｂＯの高比重により下部基板の重量
が増加する問題点を解消してプラズマ表示装置の重量を
軽量化することができる。 （２）隔壁の誘電率を低下させたので、アドレス電極の
アドレス信号遅延の発生を抑制することができる。さら
に、隔壁の光吸収率を増大させたため、従来のようにＰ
ＤＰのコントラストを増加させるために別途のブラック
マトリックスを形成させる必要性がなくなり、ＰＤＰの
構造及び製造工程を単純化することができる。 （３）隔壁を製造するためのガラス粉末に酸化物充填材
を添加しないため、ペースト又はスラリーにより形成さ
れる厚膜の緻密度を増大させることができ、エッチング
を施したときエッチング面を均一に形成することができ
る。また、従来に比べて隔壁のエッチング速度が早くな
るため、製造工程時間を短縮することができる。 （４）隔壁の製造に必要な焼成温度を低下させることが
でき、かつ隔壁の熱膨張係数を低下させることができた
ので、隔壁及び下部基板の熱的安定性を増加させて、焼
成工程中、下部基板及び隔壁の変形、または、亀裂の発
生現象を解消して、下部基板及び隔壁の熱的安定性を向
上することができる。
【図１】 本発明に係るＰＤＰ用隔壁の製造方法を示し
たフローチャートである。
たフローチャートである。
【図２】 本発明に係るＰＤＰ用隔壁の製造方法により
製造された隔壁を示した断面図である。
製造された隔壁を示した断面図である。
【図３】 従来プラズマ表示装置のセルの構造を示した
断面図である。
断面図である。
【図４】 従来ＰＤＰの隔壁製造方法を示したフローチ
ャートである。
ャートである。
【図５】 スクリーンプリント法による従来のＰＤＰの
隔壁の製造方法を示した工程縦断面図である。
隔壁の製造方法を示した工程縦断面図である。
【図６】 サンドブラスト法による従来のＰＤＰの隔壁
の製造方法を示した工程縦断面図である。
の製造方法を示した工程縦断面図である。
【図７】 添加法による従来ＰＤＰの隔壁の製造方法を
示した工程縦断面図である。
示した工程縦断面図である。
【図８】 スタンピング法による従来ＰＤＰの隔壁の製
造方法を示した工程縦断面図である。
造方法を示した工程縦断面図である。
１３０：ペースト又はスラリーの厚膜、１３２：誘電体
厚膜 １３４：下部基板、１３５：厚膜のエッチング面
厚膜 １３４：下部基板、１３５：厚膜のエッチング面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平９−231910（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−139846（ＪＰ，Ａ) 特開2000−67649（ＪＰ，Ａ) 特開2000−16833（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C03C 1/00 - 14/00 H01J 11/00 - 17/64
Claims (6)
- 【請求項１】 ＳｉＯ 2 、ＺｎＯ、Ｂ 2 Ｏ 3 、ＰｂＯ、Ｋ 2
Ｏ、ＣａＯ、Ｎａ 2 Ｏ、Ａｌ 2 Ｏ 3 、Ｓｂ 2 Ｏ 3 及びＬｉ 2 Ｏ
からなるＳｉＯ2−ＺｎＯ−ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3系のガラス
粉末を主成分とするプラズマ表示装置の隔壁用組成物。 - 【請求項２】 ＳｉＯ2−ＺｎＯ−ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3系の
ガラス粉末の構成成分中、ＰｂＯの含量は５０ｗｔ％以
下であることを特徴とする請求項１記載のプラズマ表示
装置の隔壁用組成物。 - 【請求項３】 ＳｉＯ2−ＺｎＯ−ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3 系の
ガラス粉末を構成する組成物は、ＳｉＯ2（１０〜３０
ｗｔ％）、ＺｎＯ（１０〜３０ｗｔ％）、Ｂ2Ｏ3（１０
〜３０ｗｔ％）、ＰｂＯ（５〜３０ｗｔ％）、Ｋ2Ｏ
（２〜１０ｗｔ％）、ＣａＯ（１〜５ｗｔ％）、Ｎａ2
Ｏ（３〜８ｗｔ％）、Ａｌ2Ｏ3（１〜５ｗｔ％）、Ｓｂ
2Ｏ3（２ｗｔ％未満）及びＬｉ 2 Ｏ（５ｗｔ％未満）か
らなることを特徴とする請求項１記載のプラズマ表示装
置の隔壁用組成物。 - 【請求項４】 ＳｉＯ2−ＺｎＯ−ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3 系の
ガラス粉末の組成物中、ＳｉＯ2、ＺｎＯ、Ｂ2Ｏ3及び
ＰｂＯの含量の合計は８５ｗｔ％以下で、Ｌｉ2Ｏ、Ｋ2
Ｏ及びＮａ2Ｏの含量の合計は２５ｗｔ％以下であるこ
とを特徴とする請求項１記載のプラズマ表示装置の隔壁
用組成物。 - 【請求項５】 ＳｉＯ2−ＺｎＯ−ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3 系の
ガラス粉末の組成物中、ＰｂＯの含量とＳｉＯ2、Ｚｎ
Ｏ及びＢ2Ｏ3の含量の合計との重量比が２／５〜４／５
範囲内の値を有することを特徴とする請求項１記載のプ
ラズマ表示装置の隔壁用組成物。 - 【請求項６】 ＳｉＯ 2 、ＺｎＯ、Ｂ 2 Ｏ 3 、ＰｂＯ、Ｋ 2
Ｏ、ＣａＯ、Ｎａ 2 Ｏ、Ａｌ 2 Ｏ 3 、Ｓｂ 2 Ｏ 3 及びＬｉ 2 Ｏ
からなるＳｉＯ2−ＺｎＯ−ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3系のガラス
粉末を製造し、そのガラス粉末を有機溶媒と混合してペ
ースト又はスラリーを得、それを誘電体を形成させた下
部基板の上に厚膜として形成した後、その厚膜にエッチ
ング法またはスタンピング法を施して隔壁を形成したこ
とを特徴とするプラズマ表示装置の隔壁形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980035901A KR100326558B1 (ko) | 1998-09-01 | 1998-09-01 | 플라즈마용표시장치용격벽조성물 |
| KR1998-35901 | 1998-09-01 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000095542A JP2000095542A (ja) | 2000-04-04 |
| JP3111409B2 true JP3111409B2 (ja) | 2000-11-20 |
Family
ID=19549188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11247125A Expired - Fee Related JP3111409B2 (ja) | 1998-09-01 | 1999-09-01 | プラズマ表示装置の隔壁用の組成物及びその組成物を使用した隔壁形成方法 |
Country Status (3)
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