JP3105080B2 - 強誘電体薄膜の製造方法 - Google Patents
強誘電体薄膜の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ゾル・ゲル法を用いた
強誘電体薄膜の製造方法に関し、その薄膜の耐久性に関
する。
強誘電体薄膜の製造方法に関し、その薄膜の耐久性に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、残留分極性及び分極反転性を有す
る強誘電体薄膜を用いた半導体装置、主にメモリセルや
コンデンサーが多数報告されている。
る強誘電体薄膜を用いた半導体装置、主にメモリセルや
コンデンサーが多数報告されている。
【０００３】強誘電体薄膜の製造方法として、メモリセ
ルのゲート上に形成される強誘電体薄膜の製造方法につ
いて、メモリセル２の製造工程に即して以下に説明す
る。図３Ａ、Ｂ及び図４Ａ、Ｂにメモリセル２の製造工
程を断面構成図で示す。
ルのゲート上に形成される強誘電体薄膜の製造方法につ
いて、メモリセル２の製造工程に即して以下に説明す
る。図３Ａ、Ｂ及び図４Ａ、Ｂにメモリセル２の製造工
程を断面構成図で示す。
【０００４】図３Ａに示すように、Ｐ形シリコン基板１
７に、熱酸化によりシリコン酸化薄膜１９を形成した後
に、その上面にＣＶＤ（Chemical Vapour Deposition）
法により＜１１１＞配向の白金膜２１を堆積させる。
７に、熱酸化によりシリコン酸化薄膜１９を形成した後
に、その上面にＣＶＤ（Chemical Vapour Deposition）
法により＜１１１＞配向の白金膜２１を堆積させる。
【０００５】なお、白金結晶は優先配向性を有する。優
先配向性というのは、下地の結晶性にかかわらず配向性
を有した結晶が成長する性質をいう。従って、白金膜２
１も配向性に優れた結晶構造を有する。
先配向性というのは、下地の結晶性にかかわらず配向性
を有した結晶が成長する性質をいう。従って、白金膜２
１も配向性に優れた結晶構造を有する。
【０００６】次に、図３Ｂに示すように、白金膜２１上
面にゾル・ゲル法により強誘電体薄膜であるＰＺＴ薄膜
２３を形成する。なお、この白金膜２１は、上述のよう
に優先配向性を有するので配向性に優れた結晶構造を有
する。従って、白金膜２１は配向性に優れた下地として
働き、その上面に配向性に優れたＰＺＴ結晶を成長させ
ることができる。
面にゾル・ゲル法により強誘電体薄膜であるＰＺＴ薄膜
２３を形成する。なお、この白金膜２１は、上述のよう
に優先配向性を有するので配向性に優れた結晶構造を有
する。従って、白金膜２１は配向性に優れた下地として
働き、その上面に配向性に優れたＰＺＴ結晶を成長させ
ることができる。
【０００７】ここで、ゾル・ゲル法について簡単に説明
する。一般に、成膜技術としては真空蒸着法やスパッタ
リング法が一般的によく知られているが、これらの方法
では強誘電体や圧電体のような複雑な系において組成制
御が難しいといわれている。そのような背景から、近年
化学的手法であるゾル・ゲル法が新しい成膜技術として
応用されるようになってきた。
する。一般に、成膜技術としては真空蒸着法やスパッタ
リング法が一般的によく知られているが、これらの方法
では強誘電体や圧電体のような複雑な系において組成制
御が難しいといわれている。そのような背景から、近年
化学的手法であるゾル・ゲル法が新しい成膜技術として
応用されるようになってきた。
【０００８】ゾル・ゲル法による薄膜形成では、ゾル溶
液の塗布・乾燥・焼成という一連の工程を行うことによ
り成膜することができる。また、この一連の工程を繰り
返すことにより希望膜厚の薄膜を得るようにしている。
液の塗布・乾燥・焼成という一連の工程を行うことによ
り成膜することができる。また、この一連の工程を繰り
返すことにより希望膜厚の薄膜を得るようにしている。
【０００９】次に、ゾル・ゲル法を用いたＰＺＴ薄膜の
製造方法について詳しく述べる。まず、ゾル溶液を以下
の様に調整する。Ｐb(ＣＨ3ＣＯ2)・３Ｈ2Ｏ（酢酸鉛三
水和物）を１対５のモル比でメトキシエタノールに７０
℃で溶解した後、１２０℃になるまで加熱し、脱水を行
う。この溶液を９０℃まで冷却した後、ＰbＴiＯ3：Ｐb
ＴiＯ3＝４７：５３のモル比になるように所定量のチタ
ンイソプロポキシドとジルコニウムプロポキシドを攪拌
しながら加える。この溶液を１２５℃まで加熱し続けて
反応副生物を除去する。さらに、この溶液にＰＺＴ濃度
が0.5mol/ｌになるようにメトキシエタノールを加え、
その後ＰＺＴゾル溶液に対して２倍モルの蒸留水を添加
し、部分加水分解を行った液を塗布液とする。
製造方法について詳しく述べる。まず、ゾル溶液を以下
の様に調整する。Ｐb(ＣＨ3ＣＯ2)・３Ｈ2Ｏ（酢酸鉛三
水和物）を１対５のモル比でメトキシエタノールに７０
℃で溶解した後、１２０℃になるまで加熱し、脱水を行
う。この溶液を９０℃まで冷却した後、ＰbＴiＯ3：Ｐb
ＴiＯ3＝４７：５３のモル比になるように所定量のチタ
ンイソプロポキシドとジルコニウムプロポキシドを攪拌
しながら加える。この溶液を１２５℃まで加熱し続けて
反応副生物を除去する。さらに、この溶液にＰＺＴ濃度
が0.5mol/ｌになるようにメトキシエタノールを加え、
その後ＰＺＴゾル溶液に対して２倍モルの蒸留水を添加
し、部分加水分解を行った液を塗布液とする。
【００１０】次に、スピンコート法により5000rpm・20s
ecの条件下で調整済のゾル溶液を塗布し、ホットプレー
ト上で２００〜３００℃で乾燥した後、酸素雰囲気中６
５０℃で焼成する。この一連の焼成工程を複数回繰り返
すことによって希望の膜厚とする。このようにして、ペ
ロブスカイト型結晶のＰＺＴ薄膜２３を形成することが
できる。
ecの条件下で調整済のゾル溶液を塗布し、ホットプレー
ト上で２００〜３００℃で乾燥した後、酸素雰囲気中６
５０℃で焼成する。この一連の焼成工程を複数回繰り返
すことによって希望の膜厚とする。このようにして、ペ
ロブスカイト型結晶のＰＺＴ薄膜２３を形成することが
できる。
【００１１】なお、図４Ａに示すように、さらにＰＺＴ
薄膜２３上面にスパッタリング法により白金膜２５を堆
積させた後、レジストパタンをマスクにしてエッチング
することによりシリコン酸化薄膜１９、白金膜２１、Ｐ
ＺＴ薄膜２３、白金膜２５を成形する。次に、図４Ｂに
示すように、成形された白金膜２５をマスクにして、ヒ
素またはリンをイオン注入および熱拡散させて、ｎ+形
ドレイン層２７およびｎ+形ソース層２９を形成する。
薄膜２３上面にスパッタリング法により白金膜２５を堆
積させた後、レジストパタンをマスクにしてエッチング
することによりシリコン酸化薄膜１９、白金膜２１、Ｐ
ＺＴ薄膜２３、白金膜２５を成形する。次に、図４Ｂに
示すように、成形された白金膜２５をマスクにして、ヒ
素またはリンをイオン注入および熱拡散させて、ｎ+形
ドレイン層２７およびｎ+形ソース層２９を形成する。
【００１２】なお、以上のようにして形成されたメモリ
セル２では、シリコン基板１７と制御電極である白金膜
２５間に電界ＶＰを印加することにより、ＰＺＴ薄膜２
３は電界ＶＰ方向に分極し、電界ＶＰを取り除いても分
極は残留する。一方、電界ＶＰとは反対方向の電界ＶＱ
をシリコン基板１７・制御電極２５間に印加することに
より、ＰＺＴ薄膜２３の分極は、電界ＶＱ方向に反転
し、電界ＶＱを取り除いても分極は残留する。従って、
メモリセル２は、強誘電体薄膜の上記のような残留分極
及び分極反転の性質を利用することにより、情報を記憶
することが出来る。
セル２では、シリコン基板１７と制御電極である白金膜
２５間に電界ＶＰを印加することにより、ＰＺＴ薄膜２
３は電界ＶＰ方向に分極し、電界ＶＰを取り除いても分
極は残留する。一方、電界ＶＰとは反対方向の電界ＶＱ
をシリコン基板１７・制御電極２５間に印加することに
より、ＰＺＴ薄膜２３の分極は、電界ＶＱ方向に反転
し、電界ＶＱを取り除いても分極は残留する。従って、
メモリセル２は、強誘電体薄膜の上記のような残留分極
及び分極反転の性質を利用することにより、情報を記憶
することが出来る。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ゾル・
ゲル法を用いた従来の強誘電体薄膜の製造方法には次の
ような問題点があった。
ゲル法を用いた従来の強誘電体薄膜の製造方法には次の
ような問題点があった。
【００１４】一般に、強誘電性を示す絶縁体はペロブス
カイト型（ＡＢ０3）結晶構造を示す。上述の方法で製
造されたＰＺＴ薄膜２３では、このペロブスカイト型
（ＡＢ０3）結晶構造に酸素の空格子が生じることがあ
った。ペロブスカイト構造は、図５に示す単純立方単位
格子として描くことができる。図５に示すように、陽イ
オン（Ａ+）を頂点に、陽イオン（Ｂ+）を体心に、酸素
イオン（Ｏ2-）を面心に有する。この酸素イオンが欠損
したものを酸素の空格子という。
カイト型（ＡＢ０3）結晶構造を示す。上述の方法で製
造されたＰＺＴ薄膜２３では、このペロブスカイト型
（ＡＢ０3）結晶構造に酸素の空格子が生じることがあ
った。ペロブスカイト構造は、図５に示す単純立方単位
格子として描くことができる。図５に示すように、陽イ
オン（Ａ+）を頂点に、陽イオン（Ｂ+）を体心に、酸素
イオン（Ｏ2-）を面心に有する。この酸素イオンが欠損
したものを酸素の空格子という。
【００１５】この空格子が白金膜２１との界面付近に存
在する場合、分極反転の繰り返しに伴いＰＺＴ薄膜２３
が劣化することとなった。上述の様に強誘電体薄膜を記
憶素子として利用している場合には、ＰＺＴ薄膜２３の
劣化による分極反転性の低下及び抗電圧の増大が問題と
なっていた。
在する場合、分極反転の繰り返しに伴いＰＺＴ薄膜２３
が劣化することとなった。上述の様に強誘電体薄膜を記
憶素子として利用している場合には、ＰＺＴ薄膜２３の
劣化による分極反転性の低下及び抗電圧の増大が問題と
なっていた。
【００１６】よって、本発明は、上記の問題点を解決
し、ペロブスカイト構造内に酸素の空格子が生じないよ
うな強誘電体薄膜の製造方法を提供することである。
し、ペロブスカイト構造内に酸素の空格子が生じないよ
うな強誘電体薄膜の製造方法を提供することである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る強誘電体
薄膜製造方法においては、ゾル溶液を塗布した後に焼成
し成膜するゾル・ゲル法を用いた強誘電体薄膜の製造方
法であって、前期焼成をオゾン雰囲気内で行うことを特
徴としている。
薄膜製造方法においては、ゾル溶液を塗布した後に焼成
し成膜するゾル・ゲル法を用いた強誘電体薄膜の製造方
法であって、前期焼成をオゾン雰囲気内で行うことを特
徴としている。
【００１８】
【作用】請求項１に係る強誘電体薄膜製造方法では、オ
ゾン雰囲気内で焼成するようにしている。
ゾン雰囲気内で焼成するようにしている。
【００１９】従って、ラジカルな酸素イオンが誘起され
ることにより、ペロブスカイト型結晶における酸素の空
格子の発生を防止する。
ることにより、ペロブスカイト型結晶における酸素の空
格子の発生を防止する。
【００２０】
【実施例】本発明に係る強誘電体薄膜の製造方法の一実
施例として、メモリセルのゲート上に形成される強誘電
体薄膜の製造方法について、メモリセル１の製造工程に
即して以下に説明する。図１Ａ、Ｂ及び図２Ａ、Ｂにメ
モリセルの製造工程を断面構成図で示す。
施例として、メモリセルのゲート上に形成される強誘電
体薄膜の製造方法について、メモリセル１の製造工程に
即して以下に説明する。図１Ａ、Ｂ及び図２Ａ、Ｂにメ
モリセルの製造工程を断面構成図で示す。
【００２１】図１Ａに示すように、まずシリコンウエー
ハ３が準備される。次に、熱酸化によりシリコン酸化薄
膜５を形成した後に、その上面にＣＶＤ法により＜１１
１＞配向の白金膜７を堆積させる。
ハ３が準備される。次に、熱酸化によりシリコン酸化薄
膜５を形成した後に、その上面にＣＶＤ法により＜１１
１＞配向の白金膜７を堆積させる。
【００２２】次に、図１Ｂに示すように、ゾル・ゲル法
により強誘電体薄膜であるＰＺＴ薄膜９が白金膜７上面
に形成される。このゾル・ゲル法によるＰＺＴ薄膜の形
成は、以下の様に行う。
により強誘電体薄膜であるＰＺＴ薄膜９が白金膜７上面
に形成される。このゾル・ゲル法によるＰＺＴ薄膜の形
成は、以下の様に行う。
【００２３】まず、３種類のゾル溶液Ｑ、Ｒ、Ｔを用意
する。ゾル溶液Ｑは、Pb：Zr：Ti＝１：0.58：0.48のモ
ル比になるように調整される。また、ゾル溶液Ｒは、ゾ
ル溶液ＴのPb濃度だけが５モル％上昇するよう調整され
る。また、ゾル溶液Ｔは、ゾル溶液ＲのPb濃度だけが５
モル％上昇するよう調整される。
する。ゾル溶液Ｑは、Pb：Zr：Ti＝１：0.58：0.48のモ
ル比になるように調整される。また、ゾル溶液Ｒは、ゾ
ル溶液ＴのPb濃度だけが５モル％上昇するよう調整され
る。また、ゾル溶液Ｔは、ゾル溶液ＲのPb濃度だけが５
モル％上昇するよう調整される。
【００２４】この実施例では、上述のようにPb濃度の異
なる３種類のゾル溶液Ｑ、Ｒ、Ｔを用意し、Pbが失われ
やすい後期の成膜工程でPbが高濃度のゾル溶液Ｔを用い
ることによりPbの喪失分を補うようにしている。
なる３種類のゾル溶液Ｑ、Ｒ、Ｔを用意し、Pbが失われ
やすい後期の成膜工程でPbが高濃度のゾル溶液Ｔを用い
ることによりPbの喪失分を補うようにしている。
【００２５】次に、スピンコート法により3000rpmの条
件下で調整済のゾル溶液Ｑを塗布し、１００℃、１５分
の条件で乾燥した後、ＲＴＡ（Rapid Thermal Anneelin
g）装置を使用し、酸素雰囲気中７５０℃、２０秒の条
件で焼結させる。この成膜工程により、白金膜７の優れ
た配向性を受継いだＰＺＴ成膜９ａ（膜厚５０ｎｍ程
度）を形成することができる。また、この成膜工程をも
う一度繰り返すことにより、白金膜７の優れた配向性を
受継いだＰＺＴ成膜９ｂ（膜厚５０ｎｍ程度）を形成す
る。上述のように、はじめから２回目までの成膜工程に
おいては、白金膜の配向性を受継ぐことの出来るような
焼成温度（７５０℃）を設定している。
件下で調整済のゾル溶液Ｑを塗布し、１００℃、１５分
の条件で乾燥した後、ＲＴＡ（Rapid Thermal Anneelin
g）装置を使用し、酸素雰囲気中７５０℃、２０秒の条
件で焼結させる。この成膜工程により、白金膜７の優れ
た配向性を受継いだＰＺＴ成膜９ａ（膜厚５０ｎｍ程
度）を形成することができる。また、この成膜工程をも
う一度繰り返すことにより、白金膜７の優れた配向性を
受継いだＰＺＴ成膜９ｂ（膜厚５０ｎｍ程度）を形成す
る。上述のように、はじめから２回目までの成膜工程に
おいては、白金膜の配向性を受継ぐことの出来るような
焼成温度（７５０℃）を設定している。
【００２６】次に、スピンコート法により3000rpmの条
件下で調整済のゾル溶液Ｒを塗布し、１００℃、１５分
の条件で乾燥した後、ＲＴＡ装置を使用し、酸素雰囲気
中７００℃、２０秒の条件で焼結させる。この成膜工程
を二回を行うことにより、ＰＺＴ成膜９ｃ（５０ｎｍ程
度）及び９ｄ（５０ｎｍ程度）を形成する。なお、これ
らの成膜工程においては、必要な成分をなるべく喪失さ
せずに白金膜７及びＰＺＴ成膜９ｂの優れた配向性を受
継ぐことができる焼成の温度（７００℃）及び時間（２
０秒）を設定している。
件下で調整済のゾル溶液Ｒを塗布し、１００℃、１５分
の条件で乾燥した後、ＲＴＡ装置を使用し、酸素雰囲気
中７００℃、２０秒の条件で焼結させる。この成膜工程
を二回を行うことにより、ＰＺＴ成膜９ｃ（５０ｎｍ程
度）及び９ｄ（５０ｎｍ程度）を形成する。なお、これ
らの成膜工程においては、必要な成分をなるべく喪失さ
せずに白金膜７及びＰＺＴ成膜９ｂの優れた配向性を受
継ぐことができる焼成の温度（７００℃）及び時間（２
０秒）を設定している。
【００２７】次に、スピンコート法により3000rpmの条
件下で調整済のゾル溶液Ｔを塗布し、１００℃、１５分
の条件で乾燥した後、ＲＴＡ装置を使用し、オゾン雰囲
気中６５０℃、３０秒の条件で焼結させる。この工程を
二回行うことにより、ＰＺＴ成膜９ｅ（５０ｎｍ程度）
及び９ｆ（５０ｎｍ程度）を形成する。
件下で調整済のゾル溶液Ｔを塗布し、１００℃、１５分
の条件で乾燥した後、ＲＴＡ装置を使用し、オゾン雰囲
気中６５０℃、３０秒の条件で焼結させる。この工程を
二回行うことにより、ＰＺＴ成膜９ｅ（５０ｎｍ程度）
及び９ｆ（５０ｎｍ程度）を形成する。
【００２８】上記２回の成膜工程を最終成膜工程とし希
望膜厚とするとともに、上記の様にオゾン雰囲気内で焼
成するようにしている。従って、ＰＺＴ薄膜９の上部に
あたる成膜９ｅ及び９ｆではペロブスカイト構造内に酸
素の空格子が生じることを防止することができる。
望膜厚とするとともに、上記の様にオゾン雰囲気内で焼
成するようにしている。従って、ＰＺＴ薄膜９の上部に
あたる成膜９ｅ及び９ｆではペロブスカイト構造内に酸
素の空格子が生じることを防止することができる。
【００２９】また、この２回の成膜工程では初めの成膜
工程の焼成温度（７５０℃）より低い焼成温度（６５０
℃）で焼成している。従って、必要な成分を殆ど失うこ
となくＰＺＴ成膜９ｅ及び９ｆを形成することができ
る。また、初めの成膜工程の焼成時間（２０秒）よりも
長い焼成時間（３０秒）で焼成しているから、焼成温度
の低下による結晶化の不完全さを補うことができる。
工程の焼成温度（７５０℃）より低い焼成温度（６５０
℃）で焼成している。従って、必要な成分を殆ど失うこ
となくＰＺＴ成膜９ｅ及び９ｆを形成することができ
る。また、初めの成膜工程の焼成時間（２０秒）よりも
長い焼成時間（３０秒）で焼成しているから、焼成温度
の低下による結晶化の不完全さを補うことができる。
【００３０】なお、次に、図２のＡに示すように上部電
極１１をリフトオフ法により形成した後、レジストパタ
ンをマスクにしてエッチングすることによりシリコン酸
化薄膜５、白金膜７、ＰＺＴ薄膜９、上部電極１１を成
形する。次に、図２のＢに示すように成形された上部電
極１１ををマスクにして、ヒ素またはリンをイオン注入
および熱拡散させて、ｎ+形ドレイン層１３およびｎ+形
ソース層１５を形成する。
極１１をリフトオフ法により形成した後、レジストパタ
ンをマスクにしてエッチングすることによりシリコン酸
化薄膜５、白金膜７、ＰＺＴ薄膜９、上部電極１１を成
形する。次に、図２のＢに示すように成形された上部電
極１１ををマスクにして、ヒ素またはリンをイオン注入
および熱拡散させて、ｎ+形ドレイン層１３およびｎ+形
ソース層１５を形成する。
【００３１】以上のようにして形成されたメモリセル１
において、ＰＺＴ薄膜９は膜の深さ方向に対する組成判
御性が良好であるとともに上部電極１１との境界付近に
酸素の空格子の発生を抑えることにより、ＰＺＴ薄膜９
の分極反転の繰り返しによる薄膜の分極反転成の低下及
び抗電圧の増大を緩和することができた。
において、ＰＺＴ薄膜９は膜の深さ方向に対する組成判
御性が良好であるとともに上部電極１１との境界付近に
酸素の空格子の発生を抑えることにより、ＰＺＴ薄膜９
の分極反転の繰り返しによる薄膜の分極反転成の低下及
び抗電圧の増大を緩和することができた。
【００３２】なお、上記の実施例では、最後の２回の成
膜工程においてオゾン雰囲気内で焼成するようにしてい
るが、全ての成膜工程においてもオゾン雰囲気内で焼成
してもよい。
膜工程においてオゾン雰囲気内で焼成するようにしてい
るが、全ての成膜工程においてもオゾン雰囲気内で焼成
してもよい。
【００３３】
【発明の効果】請求項１に係る強誘電体薄膜製造方法で
は、オゾン雰囲気内で焼成するようにしている。よっ
て、ラジカルな酸素イオンが誘起することにより、強誘
電体薄膜のペロブスカイト構造内に酸素の空格子を生じ
させないようにすることができる。
は、オゾン雰囲気内で焼成するようにしている。よっ
て、ラジカルな酸素イオンが誘起することにより、強誘
電体薄膜のペロブスカイト構造内に酸素の空格子を生じ
させないようにすることができる。
【００３４】従って、分極反転の繰り返しによる強誘電
体薄膜の劣化を抑制することができる。
体薄膜の劣化を抑制することができる。
【図１】本発明の一実施例による結晶性薄膜の製造方法
を示す為の製造工程図である。
を示す為の製造工程図である。
【図２】本発明の一実施例による結晶性薄膜の製造方法
を示す為の製造工程図である。
を示す為の製造工程図である。
【図３】従来の結晶性薄膜を示す為の製造工程図であ
る。
る。
【図４】従来の結晶性薄膜を示す為の製造工程図であ
る。
る。
【図５】ペロブスカイト構造を説明する為の図である。
９・・・ＰＺＴ薄膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 27/04 27/108
Claims (1)
- 【請求項１】ゾル溶液を塗布した後に焼成し成膜するゾ
ル・ゲル法を用いた強誘電体薄膜の製造方法であって、 焼成をオゾン雰囲気内で行う、 ことを特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16253292A JP3105080B2 (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | 強誘電体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16253292A JP3105080B2 (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | 強誘電体薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065946A JPH065946A (ja) | 1994-01-14 |
| JP3105080B2 true JP3105080B2 (ja) | 2000-10-30 |
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ID=15756407
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16253292A Expired - Fee Related JP3105080B2 (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | 強誘電体薄膜の製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3105080B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6548342B1 (en) * | 1996-08-20 | 2003-04-15 | Hitachi, Ltd. | Method of producing oxide dielectric element, and memory and semiconductor device using the element |
| JP2007294986A (ja) * | 1996-08-20 | 2007-11-08 | Hitachi Ltd | 酸化物誘電体素子 |
| JP2000034575A (ja) | 1998-03-30 | 2000-02-02 | Minolta Co Ltd | 金属酸化物薄膜およびアレイ状金属酸化物機能性素子の製造法 |
| CN100481550C (zh) | 2004-07-13 | 2009-04-22 | 精工爱普生株式会社 | 用于形成铁电薄膜的组合物、铁电薄膜及其制造方法、液体喷射头 |
| JP5019020B2 (ja) | 2005-03-31 | 2012-09-05 | セイコーエプソン株式会社 | 誘電体膜の製造方法及び圧電体素子の製造方法並びに液体噴射ヘッドの製造方法 |
| JP4821974B2 (ja) * | 2005-11-29 | 2011-11-24 | セイコーエプソン株式会社 | 鉛含有複合酸化物形成用組成物の製造方法 |
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1992
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