JP3100488B2 - 電圧、温度および処理の変動に対する補償を備えたメモリ - Google Patents
電圧、温度および処理の変動に対する補償を備えたメモリInfo
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- JP3100488B2 JP3100488B2 JP05023267A JP2326793A JP3100488B2 JP 3100488 B2 JP3100488 B2 JP 3100488B2 JP 05023267 A JP05023267 A JP 05023267A JP 2326793 A JP2326793 A JP 2326793A JP 3100488 B2 JP3100488 B2 JP 3100488B2
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
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- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
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- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
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- G11C7/1084—Data input buffers, e.g. comprising level conversion circuits, circuits for adapting load
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は一般的にはメモリに関
し、かつより特定的には、電圧、温度および処理（ｐｒ
ｏｃｅｓｓｉｎｇ）の変化に対する補償を備えたメモリ
に関する。
し、かつより特定的には、電圧、温度および処理（ｐｒ
ｏｃｅｓｓｉｎｇ）の変化に対する補償を備えたメモリ
に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路のメモリの設計者にとっての絶
えざる関心事は動作パラメータの広範囲の変動にわたり
タイミング仕様に従って動作させるためにメモリをどの
ように設計するかということである。設計者は同時に２
つの仕様を満たすために信号タイミングの厳しいトレー
ドオフを行わなければならない。例えば、１つの重要な
仕様はアドレスのアクセス時間であり、これは“ｔ
ＡＶＱＶ”として示され、読出しサイクルの間における
有効な入力アドレスから有効な出力データまでの遅延と
して定義される。アクセスを開始するためには、アドレ
スバッファは有効な内部アドレスをローおよびコラムデ
コーダに与えなければならない。この結果、ローおよび
コラムデコーダは１つまたはそれ以上のメモリセルを選
択する。アドレスバッファにおける遅延を最小化するこ
とはｔＡＶＱＶを改善する。
えざる関心事は動作パラメータの広範囲の変動にわたり
タイミング仕様に従って動作させるためにメモリをどの
ように設計するかということである。設計者は同時に２
つの仕様を満たすために信号タイミングの厳しいトレー
ドオフを行わなければならない。例えば、１つの重要な
仕様はアドレスのアクセス時間であり、これは“ｔ
ＡＶＱＶ”として示され、読出しサイクルの間における
有効な入力アドレスから有効な出力データまでの遅延と
して定義される。アクセスを開始するためには、アドレ
スバッファは有効な内部アドレスをローおよびコラムデ
コーダに与えなければならない。この結果、ローおよび
コラムデコーダは１つまたはそれ以上のメモリセルを選
択する。アドレスバッファにおける遅延を最小化するこ
とはｔＡＶＱＶを改善する。
【０００３】同時に、書込み入力信号がインアクティブ
になる時に関連して特定の長さの時間の間有効な内部ア
ドレスを維持することによってあるアドレス位置に対す
る意図しない書込みを避けることが必要である。この仕
様は書込みリカバリータイムまたは“ｔＷＨＡＸ”とし
て知られている。メモリが容易に他の集積回路にインタ
フェースするためには、ｔＷＨＡＸ仕様ができるだけ小
さいことが望ましい。アドレスバッファにおける遅延を
増大することはｔＷＨＡＸを改善する。アドレス入力バ
ッファにおける実際の遅延はｔＡＶＱＶおよびｔ
ＷＨＡＸの間のトレードオフを反映し、前記遅延は公称
設計パラメータにおいて十分なマージンをもって両方の
仕様に合致するよう設計され、従って実際のパラメータ
が変化した時、製造された集積回路の大部分は前記仕様
を満たすことができる。
になる時に関連して特定の長さの時間の間有効な内部ア
ドレスを維持することによってあるアドレス位置に対す
る意図しない書込みを避けることが必要である。この仕
様は書込みリカバリータイムまたは“ｔＷＨＡＸ”とし
て知られている。メモリが容易に他の集積回路にインタ
フェースするためには、ｔＷＨＡＸ仕様ができるだけ小
さいことが望ましい。アドレスバッファにおける遅延を
増大することはｔＷＨＡＸを改善する。アドレス入力バ
ッファにおける実際の遅延はｔＡＶＱＶおよびｔ
ＷＨＡＸの間のトレードオフを反映し、前記遅延は公称
設計パラメータにおいて十分なマージンをもって両方の
仕様に合致するよう設計され、従って実際のパラメータ
が変化した時、製造された集積回路の大部分は前記仕様
を満たすことができる。
【０００４】３つのタイプの動作パラメータが特に関心
事である。すなわち、電源電圧、温度、および処理パラ
メータである。集積回路のメモリは通常は、１０％ある
いはそれ以上の変動を有する、５．０ボルトの公称電源
電圧に対して設計されている。より低い電源電圧では、
大部分のメモリにおいて使用されている、相補型金属−
酸化物−半導体（ＣＭＯＳ）およびバイポーラ−ＣＭＯ
Ｓ（ＢＩＣＭＯＳ）論理回路は一般により高い電源電圧
よりも低速で動作する。温度もまた回路性能に影響を与
える。集積回路メモリは通常セ氏０度から７０度で動作
するよう設定されている。温度が上昇すると、ドーピン
グされたシリコンの抵抗率が上昇し、ＣＭＯＳおよびＢ
ＩＣＭＯＳ回路のスイッチング速度の減少につながる。
いくつかの処理パラメータもまたトランジスタのスイッ
チング速度に影響を与えることによって回路動作に影響
を与える。ＣＭＯＳおよびＢＩＣＭＯＳ集積回路におい
ては、特に重要な１つの処理パラメータは、
“ＬＥＦＦ”として知られた、実効ＣＭＯＳトランジス
タチャネル長である。ＬＥＦＦが増大するに応じて、Ｃ
ＭＯＳおよびＢＩＣＭＯＳ論理回路は一般により低速に
なる。
事である。すなわち、電源電圧、温度、および処理パラ
メータである。集積回路のメモリは通常は、１０％ある
いはそれ以上の変動を有する、５．０ボルトの公称電源
電圧に対して設計されている。より低い電源電圧では、
大部分のメモリにおいて使用されている、相補型金属−
酸化物−半導体（ＣＭＯＳ）およびバイポーラ−ＣＭＯ
Ｓ（ＢＩＣＭＯＳ）論理回路は一般により高い電源電圧
よりも低速で動作する。温度もまた回路性能に影響を与
える。集積回路メモリは通常セ氏０度から７０度で動作
するよう設定されている。温度が上昇すると、ドーピン
グされたシリコンの抵抗率が上昇し、ＣＭＯＳおよびＢ
ＩＣＭＯＳ回路のスイッチング速度の減少につながる。
いくつかの処理パラメータもまたトランジスタのスイッ
チング速度に影響を与えることによって回路動作に影響
を与える。ＣＭＯＳおよびＢＩＣＭＯＳ集積回路におい
ては、特に重要な１つの処理パラメータは、
“ＬＥＦＦ”として知られた、実効ＣＭＯＳトランジス
タチャネル長である。ＬＥＦＦが増大するに応じて、Ｃ
ＭＯＳおよびＢＩＣＭＯＳ論理回路は一般により低速に
なる。
【０００５】より早い速度が一般に、しかしすべてでは
ないが、望ましい。ｔＡＶＱＶ／ｔＷＨＡＸ仕様の場合
は、より早い速度はｔＡＶＱＶを改善するが、ｔ
ＷＨＡＸを悪化させる。高い電圧および低い温度は「フ
ァーストコーナ（ｆａｓｔ ｃｏｒｎｅｒ）」を規定
し、該「ファーストコーナ」においてはアドレス信号は
デコーダに最も高速で到達する。前記ファーストコーナ
においては、ｔＡＶＱＶは（他のすべてが等しければ）
公称状態よりも改善されるが、ｔＷＨＡＸは悪化しかつ
違反状態（ｖｉｏｌａｔｅｄ）にさえもなり得る。これ
に対し、低い電圧および高い温度は「スローコーナ（ｓ
ｌｏｗ ｃｏｒｎｅｒ）」を規定し、該スローコーナに
おいては、アドレス信号はデコーダに最も低速で到達す
る。スローコーナにおいては、ｔＷＨＡＸは（他のもの
がすべて同じであれば）公称状態よりも改善されるが、
ｔＡＶＱＶは違反状態になる。処理パラメータが変化し
た時、タイミング仕様に合致することはより困難にな
る。従って、５．０ボルトおよびセ氏２５度のような公
称動作状態に対する設計はしばしば高い製造歩留りを保
証するためには適切ではなくなる。
ないが、望ましい。ｔＡＶＱＶ／ｔＷＨＡＸ仕様の場合
は、より早い速度はｔＡＶＱＶを改善するが、ｔ
ＷＨＡＸを悪化させる。高い電圧および低い温度は「フ
ァーストコーナ（ｆａｓｔ ｃｏｒｎｅｒ）」を規定
し、該「ファーストコーナ」においてはアドレス信号は
デコーダに最も高速で到達する。前記ファーストコーナ
においては、ｔＡＶＱＶは（他のすべてが等しければ）
公称状態よりも改善されるが、ｔＷＨＡＸは悪化しかつ
違反状態（ｖｉｏｌａｔｅｄ）にさえもなり得る。これ
に対し、低い電圧および高い温度は「スローコーナ（ｓ
ｌｏｗ ｃｏｒｎｅｒ）」を規定し、該スローコーナに
おいては、アドレス信号はデコーダに最も低速で到達す
る。スローコーナにおいては、ｔＷＨＡＸは（他のもの
がすべて同じであれば）公称状態よりも改善されるが、
ｔＡＶＱＶは違反状態になる。処理パラメータが変化し
た時、タイミング仕様に合致することはより困難にな
る。従って、５．０ボルトおよびセ氏２５度のような公
称動作状態に対する設計はしばしば高い製造歩留りを保
証するためには適切ではなくなる。
【０００６】知られたメモリはｔＷＨＡＸおよび同様の
仕様を入力信号経路に遅延を加えることによって改善す
る。該遅延は内部信号タイミングを変化させて２つの仕
様の間のトレードオフを最適化する。
仕様を入力信号経路に遅延を加えることによって改善す
る。該遅延は内部信号タイミングを変化させて２つの仕
様の間のトレードオフを最適化する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、メモリ
がより高速になるにつれて、このような従来の遅延回路
は仕様を満たすのに適切でなくなる。遅延回路それ自体
の遅延が電圧、温度および処理の変化によって変化する
から、動作状態に関する変動性が残る。メモリがより高
速になるに応じて、回路設計者がさらに一層厳しいタイ
ミング仕様を満たすことはますます困難になる。回路設
計者は電圧、温度および処理の広範囲の変化にわたり仕
様に従って動作するメモリを設計できることが必要であ
る。
がより高速になるにつれて、このような従来の遅延回路
は仕様を満たすのに適切でなくなる。遅延回路それ自体
の遅延が電圧、温度および処理の変化によって変化する
から、動作状態に関する変動性が残る。メモリがより高
速になるに応じて、回路設計者がさらに一層厳しいタイ
ミング仕様を満たすことはますます困難になる。回路設
計者は電圧、温度および処理の広範囲の変化にわたり仕
様に従って動作するメモリを設計できることが必要であ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段および作用】従って、１つ
の形態で、電圧、温度および処理の変動に対する補償を
備えたメモリが提供され、該メモリは入力手段、メモリ
本体（ｍｅｍｏｒｙ ｃｏｒｅ）、およびデコード手段
を具備する。前記入力手段は複数の入力信号を受け、か
つそれに応じて複数の内部信号を提供する。前記メモリ
本体は複数のメモリビットを複数のデコードされた信号
によって決定される位置に記憶する。前記デコード手段
は前記入力手段および前記メモリ本体に結合され、かつ
前記複数の内部信号に応答して前記複数のデコードされ
た信号の少なくとも１つをアクティベイトする。前記入
力手段は前記内部信号の少なくとも１つの遷移を遅延さ
せるための手段を含み、該遅延手段は電圧、温度および
処理の変動に対し前記遅延手段を補償するための手段を
含む。
の形態で、電圧、温度および処理の変動に対する補償を
備えたメモリが提供され、該メモリは入力手段、メモリ
本体（ｍｅｍｏｒｙ ｃｏｒｅ）、およびデコード手段
を具備する。前記入力手段は複数の入力信号を受け、か
つそれに応じて複数の内部信号を提供する。前記メモリ
本体は複数のメモリビットを複数のデコードされた信号
によって決定される位置に記憶する。前記デコード手段
は前記入力手段および前記メモリ本体に結合され、かつ
前記複数の内部信号に応答して前記複数のデコードされ
た信号の少なくとも１つをアクティベイトする。前記入
力手段は前記内部信号の少なくとも１つの遷移を遅延さ
せるための手段を含み、該遅延手段は電圧、温度および
処理の変動に対し前記遅延手段を補償するための手段を
含む。
【０００９】これらおよび他の特徴および利点は図面と
共に以下の詳細な説明を参照することによりさらに明瞭
に理解されるであろう。
共に以下の詳細な説明を参照することによりさらに明瞭
に理解されるであろう。
【００１０】
【実施例】図１は、回路図形式で従来技術において知ら
れている第１の遅延回路２０を示す。遅延回路２０は集
積回路メモリがタイミング仕様を達成するのを助けるた
めに入力信号バッファにおいて用いることができる遅延
回路の例であり、かつこの技術によって問題を説明す
る。遅延回路２０はインバータ２１、容量として構成さ
れたトランジスタ２２、インバータ２３、および容量と
して構成されたトランジスタ２４を含む。インバータ２
１は“ＶＩＮ”と名付けられた入力電圧を受けるための
入力端子および出力端子を有する。トランジスタ２２は
インバータ２１の出力端子に接続されたゲート、および
一緒に接続されかつ“ＶＤＤ”と名付けられた電源電圧
端子に接続されたソースおよびドレインを有する。Ｖ
ＤＤは通常５．０ボルトの公称電圧であるより正の電源
電圧端子である。インバータ２３はインバータ２１の出
力端子に接続された入力端子、および“ＶＯＵＴ”と名
付けられた出力信号を提供するための出力端子を有す
る。トランジスタ２４はインバータ２３の出力端子に接
続されたゲート、および一緒に接続されかつ“ＶＳＳ”
と名付けられた電源電圧端子に接続されたソースおよび
ドレインを有する。ＶＳＳは通常０ボルトのより負の電
源電圧端子である。遅延回路２０は公称動作状態により
よく整合するために内部信号のタイミングを最適化する
ために使用できるが、さらに電源電圧、温度および処理
の変動に関して変化する遅延を有する。例えば、インバ
ータ２１および２３はＣＭＯＳインバータである。もし
インバータ２１および２３におけるＰチャネルトランジ
スタが各々ゲート幅−ゲート長比率が１５ミクロン
（μ）／０．８μを有し、かつインバータ２１および２
３のＮチャネルトランジスタが各々ゲート幅−ゲート長
比率が１０μ／０．８μであり、トランジスタ２２およ
び２４が各々ゲート幅−ゲート長比率が４０μ／０．８
μを有しておれば、スローコーナからファーストコーナ
ーへの遅延は約０．９６ナノセカンド（ｎｓ．）だけ変
化する。約１０ｎｓ．のアクセス時間を有するメモリに
おいては、そのような変動は非常に望ましくない。
れている第１の遅延回路２０を示す。遅延回路２０は集
積回路メモリがタイミング仕様を達成するのを助けるた
めに入力信号バッファにおいて用いることができる遅延
回路の例であり、かつこの技術によって問題を説明す
る。遅延回路２０はインバータ２１、容量として構成さ
れたトランジスタ２２、インバータ２３、および容量と
して構成されたトランジスタ２４を含む。インバータ２
１は“ＶＩＮ”と名付けられた入力電圧を受けるための
入力端子および出力端子を有する。トランジスタ２２は
インバータ２１の出力端子に接続されたゲート、および
一緒に接続されかつ“ＶＤＤ”と名付けられた電源電圧
端子に接続されたソースおよびドレインを有する。Ｖ
ＤＤは通常５．０ボルトの公称電圧であるより正の電源
電圧端子である。インバータ２３はインバータ２１の出
力端子に接続された入力端子、および“ＶＯＵＴ”と名
付けられた出力信号を提供するための出力端子を有す
る。トランジスタ２４はインバータ２３の出力端子に接
続されたゲート、および一緒に接続されかつ“ＶＳＳ”
と名付けられた電源電圧端子に接続されたソースおよび
ドレインを有する。ＶＳＳは通常０ボルトのより負の電
源電圧端子である。遅延回路２０は公称動作状態により
よく整合するために内部信号のタイミングを最適化する
ために使用できるが、さらに電源電圧、温度および処理
の変動に関して変化する遅延を有する。例えば、インバ
ータ２１および２３はＣＭＯＳインバータである。もし
インバータ２１および２３におけるＰチャネルトランジ
スタが各々ゲート幅−ゲート長比率が１５ミクロン
（μ）／０．８μを有し、かつインバータ２１および２
３のＮチャネルトランジスタが各々ゲート幅−ゲート長
比率が１０μ／０．８μであり、トランジスタ２２およ
び２４が各々ゲート幅−ゲート長比率が４０μ／０．８
μを有しておれば、スローコーナからファーストコーナ
ーへの遅延は約０．９６ナノセカンド（ｎｓ．）だけ変
化する。約１０ｎｓ．のアクセス時間を有するメモリに
おいては、そのような変動は非常に望ましくない。
【００１１】図２は、従来技術において知られた第２の
遅延回路２５を回路図形式で示す。遅延回路２５はイン
バータ２６、抵抗２７、インバータ２８、および抵抗２
９を含む。インバータ２６はＶＩＮを受けるための入力
端子、および出力端子を有する。抵抗２７はインバータ
２６の出力端子に接続された第１の端子、および第２の
端子を有する。インバータ２８は抵抗２７の第２の端子
に接続された入力端子、および出力端子を有する。抵抗
２９はインバータ２８の出力端子に接続された第１の端
子、および信号ＶＯＵＴを提供するための第２の端子を
有する。遅延回路２５は、遅延回路２０のように、公称
動作状態によりよく整合するように内部信号のタイミン
グを最適化するために使用できるが、依然として電源電
圧、温度および処理の変動に関して変化する遅延を有す
る。もしインバータ２６および２８のＰチャネルトラン
ジスタが各々１５μ／０．８μのゲート幅−ゲート長比
率を有し、かつインバータ２６および２８のＮチャネル
トランジスタが各々１０μ／０．８μのゲート幅−ゲー
ト長比率を有し、かつもし抵抗２７および２９が各々約
５キロオームの値を有していれば、スローコーナなから
ファーストコーナへの遅延は約０．８９ｎｓ．だけ変化
する。この変動性もまた望ましくない。
遅延回路２５を回路図形式で示す。遅延回路２５はイン
バータ２６、抵抗２７、インバータ２８、および抵抗２
９を含む。インバータ２６はＶＩＮを受けるための入力
端子、および出力端子を有する。抵抗２７はインバータ
２６の出力端子に接続された第１の端子、および第２の
端子を有する。インバータ２８は抵抗２７の第２の端子
に接続された入力端子、および出力端子を有する。抵抗
２９はインバータ２８の出力端子に接続された第１の端
子、および信号ＶＯＵＴを提供するための第２の端子を
有する。遅延回路２５は、遅延回路２０のように、公称
動作状態によりよく整合するように内部信号のタイミン
グを最適化するために使用できるが、依然として電源電
圧、温度および処理の変動に関して変化する遅延を有す
る。もしインバータ２６および２８のＰチャネルトラン
ジスタが各々１５μ／０．８μのゲート幅−ゲート長比
率を有し、かつインバータ２６および２８のＮチャネル
トランジスタが各々１０μ／０．８μのゲート幅−ゲー
ト長比率を有し、かつもし抵抗２７および２９が各々約
５キロオームの値を有していれば、スローコーナなから
ファーストコーナへの遅延は約０．８９ｎｓ．だけ変化
する。この変動性もまた望ましくない。
【００１２】Ａ．Ｌｏｖｅによる“Ｄｅｌａｙ Ｓｔａ
ｇｅ ｗｉｔｈ ＲｅｄｕｃｅｄＶｄｄ Ｄｅｐｅｎｄ
ｅｎｃｅ”と題する、米国特許第５，０６８，５５３号
に開示された遅延回路は図１の回路２０および２５の変
形でありかつ入力信号のハイからローへの遷移時にロー
からハイへの遷移時よりも長い遅延を与える。しかしな
がら、Ｌｏｖｅによって開示された回路は電圧の依存性
の問題を完全に解決せずかつ温度および処理パラメータ
の変動に伴なう遅延の変動の問題を目指すものではな
い。Ｌｏｖｅの回路は依然としてプロセス変動の影響を
受けるＣＭＯＳ特性に依存しているから、ファーストコ
ーナからスローコーナへの変化が依然として存在する。
ｇｅ ｗｉｔｈ ＲｅｄｕｃｅｄＶｄｄ Ｄｅｐｅｎｄ
ｅｎｃｅ”と題する、米国特許第５，０６８，５５３号
に開示された遅延回路は図１の回路２０および２５の変
形でありかつ入力信号のハイからローへの遷移時にロー
からハイへの遷移時よりも長い遅延を与える。しかしな
がら、Ｌｏｖｅによって開示された回路は電圧の依存性
の問題を完全に解決せずかつ温度および処理パラメータ
の変動に伴なう遅延の変動の問題を目指すものではな
い。Ｌｏｖｅの回路は依然としてプロセス変動の影響を
受けるＣＭＯＳ特性に依存しているから、ファーストコ
ーナからスローコーナへの変化が依然として存在する。
【００１３】図３は、ブロック図形式で本発明に係わる
電圧、温度および処理の変動に対する補償を有するメモ
リを示す。図３は本発明の理解に関連する特徴部分を示
しているが、他の特徴部分は省略されている。メモリ３
０は概略的にブロックプリデコーダ３１、ローデコーダ
３２、入力／出力部３３、メモリブロック部３４、およ
びアドレス入力バッファ５６を具備する。入力／出力部
３３は読出し／書込み論理ブロック３５、コラムプリデ
コーダ３６、組合されたグローバルデータライン負荷お
よびマルチプレクサ部３７、データ出力バッファ３８、
およびデータ入力バッファ３９を具備する。メモリブロ
ック部３４は複数のメモリブロックを具備し、図示され
た実施例では、メモリブロック部３４は１６のメモリブ
ロック４０〜５５を具備する。
電圧、温度および処理の変動に対する補償を有するメモ
リを示す。図３は本発明の理解に関連する特徴部分を示
しているが、他の特徴部分は省略されている。メモリ３
０は概略的にブロックプリデコーダ３１、ローデコーダ
３２、入力／出力部３３、メモリブロック部３４、およ
びアドレス入力バッファ５６を具備する。入力／出力部
３３は読出し／書込み論理ブロック３５、コラムプリデ
コーダ３６、組合されたグローバルデータライン負荷お
よびマルチプレクサ部３７、データ出力バッファ３８、
およびデータ入力バッファ３９を具備する。メモリブロ
ック部３４は複数のメモリブロックを具備し、図示され
た実施例では、メモリブロック部３４は１６のメモリブ
ロック４０〜５５を具備する。
【００１４】アドレス入力バッファ５６は“ＡＤＤＲＥ
ＳＳ”と名付けられた複数のアドレス信号の第１の部分
を受信しかつそれに応じて“ＢＵＦＦＥＲＥＤ ＡＤＤ
ＲＥＳＳ”と名付けられた複数の対応する信号を提供す
る。ブロックプリデコーダ３１はＢＵＦＦＥＲＥＤ Ａ
ＤＤＲＥＳＳの第１の部分を受信しかつそれに応じて
“Ａ８”，“＊Ａ８”，“ＢＰ０−ＢＰ３”，“ＢＰ４
−ＢＰ７”および“ＢＰ８−ＢＰ１５”と名付けられた
プリデコードされたクロック信号を提供する。なお、こ
こで記号＊は信号の否定または反転を表わす。特定のメ
モリブロックは該ブロックが選択された時を決定する独
自の組合わせのプリデコードされたブロック信号を受信
する。偶数番号のメモリブロックは＊Ａ８を受信し、一
方奇数番号のブロックはＡ８を受信し、メモリブロック
４０と４１，４２と４３，４４と４５，４６と４７，４
８と４９，５０と５１，５２と５３，そして５４と５５
はそれぞれ信号ＢＰ８，ＢＰ９，ＢＰ１０，ＢＰ１１，
ＢＰ１２，ＢＰ１３，ＢＰ１４，およびＢＰ１５を受信
する。偶数番号のメモリブロックはＢＰ０−ＢＰ３を受
信し、一方奇数番号のメモリブロックはＢＰ４−ＢＰ７
を受信しさらにデコードを行なう。ローデコーダ３２は
ＢＵＦＦＥＲＤ ＡＤＤＲＥＳＳの第２の部分を受信し
かつそれに応じて“ＲＳ０−ＲＳ６３”と名付けられた
ロー選択信号を提供する。ＲＳ０−ＲＳ６３は各メモリ
ブロックに提供される。
ＳＳ”と名付けられた複数のアドレス信号の第１の部分
を受信しかつそれに応じて“ＢＵＦＦＥＲＥＤ ＡＤＤ
ＲＥＳＳ”と名付けられた複数の対応する信号を提供す
る。ブロックプリデコーダ３１はＢＵＦＦＥＲＥＤ Ａ
ＤＤＲＥＳＳの第１の部分を受信しかつそれに応じて
“Ａ８”，“＊Ａ８”，“ＢＰ０−ＢＰ３”，“ＢＰ４
−ＢＰ７”および“ＢＰ８−ＢＰ１５”と名付けられた
プリデコードされたクロック信号を提供する。なお、こ
こで記号＊は信号の否定または反転を表わす。特定のメ
モリブロックは該ブロックが選択された時を決定する独
自の組合わせのプリデコードされたブロック信号を受信
する。偶数番号のメモリブロックは＊Ａ８を受信し、一
方奇数番号のブロックはＡ８を受信し、メモリブロック
４０と４１，４２と４３，４４と４５，４６と４７，４
８と４９，５０と５１，５２と５３，そして５４と５５
はそれぞれ信号ＢＰ８，ＢＰ９，ＢＰ１０，ＢＰ１１，
ＢＰ１２，ＢＰ１３，ＢＰ１４，およびＢＰ１５を受信
する。偶数番号のメモリブロックはＢＰ０−ＢＰ３を受
信し、一方奇数番号のメモリブロックはＢＰ４−ＢＰ７
を受信しさらにデコードを行なう。ローデコーダ３２は
ＢＵＦＦＥＲＤ ＡＤＤＲＥＳＳの第２の部分を受信し
かつそれに応じて“ＲＳ０−ＲＳ６３”と名付けられた
ロー選択信号を提供する。ＲＳ０−ＲＳ６３は各メモリ
ブロックに提供される。
【００１５】読出し／書込み論理ブロック３５は入力と
して“＊Ｅ１”と名付けられたアクティブローのイネー
ブル信号、“Ｅ２”と名付けられた任意選択的なアクテ
ィブハイのイネーブル信号、“＊Ｇ”と名付けられた出
力イネーブル信号および“＊Ｗ”と名付けられた書込み
イネーブル信号を受信する。読出し／書込み論理ブロッ
ク３５は“＊ＷＲＴ”と名付けられた書込み信号を各々
のメモリブロック４０〜５５に提供し、“ＳＥＭＵＸ”
と名付けられたマルチプレクサ選択信号を組合わされた
グローバルデータライン負荷およびマルチプレクサ３７
に、“ＳＥ”および“＊ＳＥ”と名付けられた選択信号
をデータ出力バッファ３８に、そして“＊Ｗ１”と名付
けられた制御信号を上で言及した入力信号に応じてデー
タ入力バッファ３９に提供する。＊ＷＲＴは書込みサイ
クルが進行中であることを示すバッファリングされた信
号である。なお、ここで記号＊は信号の否定を表わす。
ＳＥＭＵＸは読出しサイクル中にアクティブであるアク
ティブハイの選択信号である。ＳＥおよび＊ＳＥはデー
タ出力バッファ３８をイネーブルするそれぞれアクティ
ブハイおよびアクティブローの信号である。＊Ｗ１は書
込みサイクルが進行中であることを示す信号である。読
出し／書込み論理ブロック３５はまた“＊ＷＦＡＳＴ”
と名付けられた書込み信号をコラムプリデコーダ３６に
提供する。
して“＊Ｅ１”と名付けられたアクティブローのイネー
ブル信号、“Ｅ２”と名付けられた任意選択的なアクテ
ィブハイのイネーブル信号、“＊Ｇ”と名付けられた出
力イネーブル信号および“＊Ｗ”と名付けられた書込み
イネーブル信号を受信する。読出し／書込み論理ブロッ
ク３５は“＊ＷＲＴ”と名付けられた書込み信号を各々
のメモリブロック４０〜５５に提供し、“ＳＥＭＵＸ”
と名付けられたマルチプレクサ選択信号を組合わされた
グローバルデータライン負荷およびマルチプレクサ３７
に、“ＳＥ”および“＊ＳＥ”と名付けられた選択信号
をデータ出力バッファ３８に、そして“＊Ｗ１”と名付
けられた制御信号を上で言及した入力信号に応じてデー
タ入力バッファ３９に提供する。＊ＷＲＴは書込みサイ
クルが進行中であることを示すバッファリングされた信
号である。なお、ここで記号＊は信号の否定を表わす。
ＳＥＭＵＸは読出しサイクル中にアクティブであるアク
ティブハイの選択信号である。ＳＥおよび＊ＳＥはデー
タ出力バッファ３８をイネーブルするそれぞれアクティ
ブハイおよびアクティブローの信号である。＊Ｗ１は書
込みサイクルが進行中であることを示す信号である。読
出し／書込み論理ブロック３５はまた“＊ＷＦＡＳＴ”
と名付けられた書込み信号をコラムプリデコーダ３６に
提供する。
【００１６】コラムプリデコーダ３６は信号＊ＷＦＡＳ
ＴおよびＢＵＦＦＥＲＥＤ ＡＤＤＲＥＳＳの第２の部
分を受信し、かつそれに応じて“ＣＰＲ０−ＣＰＲ７”
および“ＣＰＷ０−ＣＰＷ７”と名付けられた複数のプ
リデコードされたコラム信号を提供する。組合わされた
グローバルデータライン負荷およびマルチプレクサ３７
は“Ａ”および“＊Ａ”と名付けられたバッファリング
されたアドレス信号を受信し、かつ“ＲＧＤＬ０−ＲＧ
ＤＬ７”および“＊ＲＧＤＬ０−＊ＲＧＤＬ７”と名付
けられた８個の異なるグローバルデータライン対の各々
に結合する。組合わされたグローバルデータライン負荷
およびマルチプレクサ３７はそれに応じて“ＭＵＸ０−
ＭＵＸ３”および“＊ＭＵＸ０−＊ＭＵＸ３”と名付け
られた出力信号を提供する。データ出力バッファ３８は
ＭＵＸ０−ＭＵＸ３および＊ＭＵＸ０−＊ＭＵＸ３に結
合し、かつそれに応じて“ＤＡＴＡ”と名付けられた１
つまたはそれ以上のデータ信号を提供する。ＤＡＴＡに
おける信号の数は組合わされたグローバルデータライン
負荷およびマルチプレクサ３７によって与えられる出力
信号対の数に対応する。ここでは、組合わされたグロー
バルデータライン負荷およびマルチプレクサ３７によっ
て与えられる４つの出力信号対があり、かつ従って４つ
の出力信号がＤＡＴＡに提供される。従って、メモリ３
０の編成は×４である。メモリ３０により提供されるデ
ータビットの数は種々の実施例において変え得るから、
ＤＡＴＡ信号の数はこれを説明するために不確定のまま
になっている。データ入力バッファ３９はＤＡＴＡを受
信し、かつそれに応じて“ＷＧＤＬ０−ＷＧＤＬ７”お
よび“＊ＷＧＤＬ０−＊ＷＧＤＬ７”と名付けられた８
個の書込みデータライン信号対を提供する。メモリ３０
は×４であるから、データ入力バッファ３９はグループ
ＷＧＤＬ０−ＷＧＤＬ７および＊ＷＧＤＬ０−＊ＷＧＤ
Ｌ７の４つの信号対のみを駆動することに注意を要す
る。これらの信号の多重化は図３には示されていない。
ＴおよびＢＵＦＦＥＲＥＤ ＡＤＤＲＥＳＳの第２の部
分を受信し、かつそれに応じて“ＣＰＲ０−ＣＰＲ７”
および“ＣＰＷ０−ＣＰＷ７”と名付けられた複数のプ
リデコードされたコラム信号を提供する。組合わされた
グローバルデータライン負荷およびマルチプレクサ３７
は“Ａ”および“＊Ａ”と名付けられたバッファリング
されたアドレス信号を受信し、かつ“ＲＧＤＬ０−ＲＧ
ＤＬ７”および“＊ＲＧＤＬ０−＊ＲＧＤＬ７”と名付
けられた８個の異なるグローバルデータライン対の各々
に結合する。組合わされたグローバルデータライン負荷
およびマルチプレクサ３７はそれに応じて“ＭＵＸ０−
ＭＵＸ３”および“＊ＭＵＸ０−＊ＭＵＸ３”と名付け
られた出力信号を提供する。データ出力バッファ３８は
ＭＵＸ０−ＭＵＸ３および＊ＭＵＸ０−＊ＭＵＸ３に結
合し、かつそれに応じて“ＤＡＴＡ”と名付けられた１
つまたはそれ以上のデータ信号を提供する。ＤＡＴＡに
おける信号の数は組合わされたグローバルデータライン
負荷およびマルチプレクサ３７によって与えられる出力
信号対の数に対応する。ここでは、組合わされたグロー
バルデータライン負荷およびマルチプレクサ３７によっ
て与えられる４つの出力信号対があり、かつ従って４つ
の出力信号がＤＡＴＡに提供される。従って、メモリ３
０の編成は×４である。メモリ３０により提供されるデ
ータビットの数は種々の実施例において変え得るから、
ＤＡＴＡ信号の数はこれを説明するために不確定のまま
になっている。データ入力バッファ３９はＤＡＴＡを受
信し、かつそれに応じて“ＷＧＤＬ０−ＷＧＤＬ７”お
よび“＊ＷＧＤＬ０−＊ＷＧＤＬ７”と名付けられた８
個の書込みデータライン信号対を提供する。メモリ３０
は×４であるから、データ入力バッファ３９はグループ
ＷＧＤＬ０−ＷＧＤＬ７および＊ＷＧＤＬ０−＊ＷＧＤ
Ｌ７の４つの信号対のみを駆動することに注意を要す
る。これらの信号の多重化は図３には示されていない。
【００１７】メモリ３０は読出しおよび書込みサイクル
を行なうことが可能である。メモリ３０は１６のブロッ
クとして編成されており、各ブロックは２５６行（ｒｏ
ｗｓ）および６４列（ｃｏｌｕｍｎｓ）として編成され
ている。ローデコードと考えられる機能は該アドレスの
前記第１の部分を使用して１つのブロックをイネーブル
しかつ前記ブロックの１つのローカルワード線をイネー
ブルする。従って、ローデコードはメモリ３０の４０９
６のローカルワード線の１つをデコードする。該ローデ
コード機能はブロックプリデコーダ３１およびローデコ
ーダ３２を含む。ローカルワード線はブロックプリデコ
ーダ３１から受信された複数のプリデコードされたブロ
ック信号およびＲＳ０−ＲＳ６３に応じてイネーブルさ
れたメモリブロックおいてイネーブルされる。コラムデ
コードは前記イネーブルされたローカルワード線におけ
る６４ビット線対から４つのビット線対をデコードす
る。行の冗長性も可能であるが図３に示されていない。
多重化は単一のバッファリングされたアドレスビットお
よびその補数、Ａおよび＊Ａによって行なわれる。メモ
リ３０および特定のデコードのために使用される入力ア
ドレスの部分の編成は種々の実施例において変えること
ができるから、アドレス（ＡＤＤＲＥＳＳ）、Ａおよび
＊Ａは一般的に示されている。
を行なうことが可能である。メモリ３０は１６のブロッ
クとして編成されており、各ブロックは２５６行（ｒｏ
ｗｓ）および６４列（ｃｏｌｕｍｎｓ）として編成され
ている。ローデコードと考えられる機能は該アドレスの
前記第１の部分を使用して１つのブロックをイネーブル
しかつ前記ブロックの１つのローカルワード線をイネー
ブルする。従って、ローデコードはメモリ３０の４０９
６のローカルワード線の１つをデコードする。該ローデ
コード機能はブロックプリデコーダ３１およびローデコ
ーダ３２を含む。ローカルワード線はブロックプリデコ
ーダ３１から受信された複数のプリデコードされたブロ
ック信号およびＲＳ０−ＲＳ６３に応じてイネーブルさ
れたメモリブロックおいてイネーブルされる。コラムデ
コードは前記イネーブルされたローカルワード線におけ
る６４ビット線対から４つのビット線対をデコードす
る。行の冗長性も可能であるが図３に示されていない。
多重化は単一のバッファリングされたアドレスビットお
よびその補数、Ａおよび＊Ａによって行なわれる。メモ
リ３０および特定のデコードのために使用される入力ア
ドレスの部分の編成は種々の実施例において変えること
ができるから、アドレス（ＡＤＤＲＥＳＳ）、Ａおよび
＊Ａは一般的に示されている。
【００１８】読出しサイクルにおいては、信号＊Ｅ１ま
たはＥ２は肯定されかつ信号＊Ｗが否定される。別の実
施例では、信号＊Ｅ１がＶＳＳに接続されるか、あるい
は信号Ｅ２がＶＤＤに接続され、それによって残りの１
つがチップ選択信号になるようにすることができる。読
出し／書込み論理ブロック３５は信号＼Ｘ＼ＴＯ（ＷＲ
Ｔ）、＊ＷＦＡＳＴおよび＊Ｗ１を否定した状態に保
つ。ブロックプリデコーダ３１は選択的に信号Ａ８，＊
Ａ８およびＢＰ０−ＢＰ１５をＢＵＦＦＥＲＥＤＡＤＤ
ＲＥＳＳの前記第１の部分に応じて肯定する。ローデコ
ーダ３２は選択的にＢＵＦＦＥＲＥＤ ＡＤＤＲＥＳＳ
の前記第２の部分に応じてロー選択信号ＲＳ０−ＲＳ６
３を肯定する。プリデコードされた信号Ａ８，＊Ａ８お
よびグループＢＰ８−ＢＰ１５からの対応する信号によ
って選択されたメモリブロックは次に残りのプリデコー
ドされた信号ＢＰ０−ＢＰ７と共にアクティブのロー選
択信号ＲＳ０−ＲＳ６３を使用して１つのローカルワー
ド線をアクティベイトする。次に選択されたブロック内
へ、前記アクティベイトされたローカルワード線の各メ
モリセルがその内容を対応する差動ビット線対に提供す
る。さらに、前記ビット線対の間でのコラムデコードが
ＣＰＲ０−ＣＰＲ７を使用して行なわれる。進行中のサ
イクルのタイプがどの信号が肯定されるかを決定し、読
出しサイクルに対しＣＰＲ０−ＣＰＲ７の１つが、ある
いは書込みサイクルに対しＣＰＷ０−ＣＰＷ７の１つの
いずれが肯定されるかを決定する。読出しサイクルの間
に、ＣＰＲ０−ＣＰＲ７の１つの信号が肯定されて選択
されたメモリブロックにおける８つのビット線対の１つ
を選択し対応するグローバルデータライン対に出力す
る。従って、ＣＰＲ０−ＣＰＲ７は６４のビット線の内
の８つをデコードする。その結果、８つのビット線対が
選択される。選択されたメモリセルは従って、イネーブ
ルされたメモリブロックにおける、イネーブルされたロ
ーカルワード線および選択されたビット線対の交差部に
位置する。
たはＥ２は肯定されかつ信号＊Ｗが否定される。別の実
施例では、信号＊Ｅ１がＶＳＳに接続されるか、あるい
は信号Ｅ２がＶＤＤに接続され、それによって残りの１
つがチップ選択信号になるようにすることができる。読
出し／書込み論理ブロック３５は信号＼Ｘ＼ＴＯ（ＷＲ
Ｔ）、＊ＷＦＡＳＴおよび＊Ｗ１を否定した状態に保
つ。ブロックプリデコーダ３１は選択的に信号Ａ８，＊
Ａ８およびＢＰ０−ＢＰ１５をＢＵＦＦＥＲＥＤＡＤＤ
ＲＥＳＳの前記第１の部分に応じて肯定する。ローデコ
ーダ３２は選択的にＢＵＦＦＥＲＥＤ ＡＤＤＲＥＳＳ
の前記第２の部分に応じてロー選択信号ＲＳ０−ＲＳ６
３を肯定する。プリデコードされた信号Ａ８，＊Ａ８お
よびグループＢＰ８−ＢＰ１５からの対応する信号によ
って選択されたメモリブロックは次に残りのプリデコー
ドされた信号ＢＰ０−ＢＰ７と共にアクティブのロー選
択信号ＲＳ０−ＲＳ６３を使用して１つのローカルワー
ド線をアクティベイトする。次に選択されたブロック内
へ、前記アクティベイトされたローカルワード線の各メ
モリセルがその内容を対応する差動ビット線対に提供す
る。さらに、前記ビット線対の間でのコラムデコードが
ＣＰＲ０−ＣＰＲ７を使用して行なわれる。進行中のサ
イクルのタイプがどの信号が肯定されるかを決定し、読
出しサイクルに対しＣＰＲ０−ＣＰＲ７の１つが、ある
いは書込みサイクルに対しＣＰＷ０−ＣＰＷ７の１つの
いずれが肯定されるかを決定する。読出しサイクルの間
に、ＣＰＲ０−ＣＰＲ７の１つの信号が肯定されて選択
されたメモリブロックにおける８つのビット線対の１つ
を選択し対応するグローバルデータライン対に出力す
る。従って、ＣＰＲ０−ＣＰＲ７は６４のビット線の内
の８つをデコードする。その結果、８つのビット線対が
選択される。選択されたメモリセルは従って、イネーブ
ルされたメモリブロックにおける、イネーブルされたロ
ーカルワード線および選択されたビット線対の交差部に
位置する。
【００１９】８つの選択されたビット線対の各々におけ
る差動電圧は組合わされたグローバルデータライン負荷
およびマルチプレクサ３７によって受信されかつ検出さ
れる。読出しサイクルの間に、読出し／書込み論理３５
は信号ＳＥＭＵＸをアクティベイトして組合わされたグ
ローバルデータライン負荷およびマルチプレクサ３７を
イネーブルする。選択された場合、組合わされたグロー
バルデータライン負荷およびマルチプレクサ３７は２つ
の機能を達成する。すなわち、第１に、メモリブロック
の出力、差動電流、が差動電圧に変換される。第２に、
８つのグローバルデータライン信号の内の４つが多重化
されかつ信号ＭＵＸ０−ＭＵＸ３および＊ＭＵＸ０−＊
ＭＵＸ３として提供される。ＭＵＸ０−ＭＵＸ３および
＊ＭＵＸ０−＊ＭＵＸ３として差動的に表わされるデー
タビットは次に、信号ＳＥおよび＊ＳＥによってイネー
ブルされる、データ出力バッファ３８によってメモリ３
０に外部的に提供される。
る差動電圧は組合わされたグローバルデータライン負荷
およびマルチプレクサ３７によって受信されかつ検出さ
れる。読出しサイクルの間に、読出し／書込み論理３５
は信号ＳＥＭＵＸをアクティベイトして組合わされたグ
ローバルデータライン負荷およびマルチプレクサ３７を
イネーブルする。選択された場合、組合わされたグロー
バルデータライン負荷およびマルチプレクサ３７は２つ
の機能を達成する。すなわち、第１に、メモリブロック
の出力、差動電流、が差動電圧に変換される。第２に、
８つのグローバルデータライン信号の内の４つが多重化
されかつ信号ＭＵＸ０−ＭＵＸ３および＊ＭＵＸ０−＊
ＭＵＸ３として提供される。ＭＵＸ０−ＭＵＸ３および
＊ＭＵＸ０−＊ＭＵＸ３として差動的に表わされるデー
タビットは次に、信号ＳＥおよび＊ＳＥによってイネー
ブルされる、データ出力バッファ３８によってメモリ３
０に外部的に提供される。
【００２０】書込みサイクルにおいては、データの流れ
は本質的に反転される。読出し／書込み論理３５はコラ
ムプリデコーダ３６がコラムアドレスのデコードを開始
するために信号＊ＷＦＡＳＴをアクティベイトする。読
出し／書込み論理３５はまた信号＊ＷＲＴおよび＊Ｗ１
をアクティベイトする。データ入力バッファ３９はＤＡ
ＴＡを受信しそれに応じて４つのデータビットを差動的
に対応する書込みグローバルデータライン対に提供す
る。前に述べたように、書込みサイクル中の入力として
のＤＡＴＡの多重化は図３には示されていない。メモリ
３０はアクセスごとにメモリの４つのデータビットを記
憶しあるいは提供するよう編成されているから、ＤＡＴ
Ａは４つの対の８個の差動書込みグローバルデータライ
ン対ＷＧＤＬ０−ＷＧＤＬ７および＊ＷＧＤＬ０−＊Ｗ
ＧＤＬ７に提供される。コラムプリデコーダ３６からの
信号ＣＰＷ０−ＣＰＷ７は選択されたメモリブロックに
おいて使用されて４つの書込みグローバルデータライン
を４つのビット線対に結合するためにコラムデコードを
行なう。書込みサイクルの間は、ＣＰＷ０−ＣＰＷ７の
内の１つの信号が肯定されて選択されたメモリブロック
における８つのビット線対の１つを選択し対応するグロ
ーバルデータライン対に出力する。従って、ＣＰＷ０−
ＣＰＷ７は６４のビット線の内の８つをデコードする。
ローカルワード線のデコードは読出しサイクルと同様に
して行なわれる。ビット線対に出力される差動電圧は選
択されたメモリセルの内容をオーバライトするために読
出しサイクルに対するものよりも書込サイクルに対する
ものがずっと大きい。
は本質的に反転される。読出し／書込み論理３５はコラ
ムプリデコーダ３６がコラムアドレスのデコードを開始
するために信号＊ＷＦＡＳＴをアクティベイトする。読
出し／書込み論理３５はまた信号＊ＷＲＴおよび＊Ｗ１
をアクティベイトする。データ入力バッファ３９はＤＡ
ＴＡを受信しそれに応じて４つのデータビットを差動的
に対応する書込みグローバルデータライン対に提供す
る。前に述べたように、書込みサイクル中の入力として
のＤＡＴＡの多重化は図３には示されていない。メモリ
３０はアクセスごとにメモリの４つのデータビットを記
憶しあるいは提供するよう編成されているから、ＤＡＴ
Ａは４つの対の８個の差動書込みグローバルデータライ
ン対ＷＧＤＬ０−ＷＧＤＬ７および＊ＷＧＤＬ０−＊Ｗ
ＧＤＬ７に提供される。コラムプリデコーダ３６からの
信号ＣＰＷ０−ＣＰＷ７は選択されたメモリブロックに
おいて使用されて４つの書込みグローバルデータライン
を４つのビット線対に結合するためにコラムデコードを
行なう。書込みサイクルの間は、ＣＰＷ０−ＣＰＷ７の
内の１つの信号が肯定されて選択されたメモリブロック
における８つのビット線対の１つを選択し対応するグロ
ーバルデータライン対に出力する。従って、ＣＰＷ０−
ＣＰＷ７は６４のビット線の内の８つをデコードする。
ローカルワード線のデコードは読出しサイクルと同様に
して行なわれる。ビット線対に出力される差動電圧は選
択されたメモリセルの内容をオーバライトするために読
出しサイクルに対するものよりも書込サイクルに対する
ものがずっと大きい。
【００２１】商業的に販売するためには、メモリ３０は
いくつかのタイミング仕様を満たさなければならない。
高い製造歩留りを持つために、メモリ３０は電圧、温度
および処理の広い範囲にわたり前記タイミング仕様を満
たすよう設計されなければならない。すべての仕様を満
たすことは同時に入力信号から発生される、内部制御信
号が内部論理回路にある範囲の時間内に到達することが
必要である。従って、メモリ３０が仕様を満たす可能性
に関しては固有のトレードオフが存在する。しかしなが
ら、アドレス入力バッファ５６、読出し／書込み論理３
５、およびデータ入力バッファ３９は該トレードオフを
改善するために対応する入力信号のある遷移を他の遷移
よりも多く遅延させる。さらに、アドレス入力バッファ
５６、読出し／書込み論理３５、およびデータ入力バッ
ファ３９は電圧、温度および処理パラメータによる信号
タイミングの変動性を低減するために、以下に述べる、
補償を備えた制御された遅延回路を含む。
いくつかのタイミング仕様を満たさなければならない。
高い製造歩留りを持つために、メモリ３０は電圧、温度
および処理の広い範囲にわたり前記タイミング仕様を満
たすよう設計されなければならない。すべての仕様を満
たすことは同時に入力信号から発生される、内部制御信
号が内部論理回路にある範囲の時間内に到達することが
必要である。従って、メモリ３０が仕様を満たす可能性
に関しては固有のトレードオフが存在する。しかしなが
ら、アドレス入力バッファ５６、読出し／書込み論理３
５、およびデータ入力バッファ３９は該トレードオフを
改善するために対応する入力信号のある遷移を他の遷移
よりも多く遅延させる。さらに、アドレス入力バッファ
５６、読出し／書込み論理３５、およびデータ入力バッ
ファ３９は電圧、温度および処理パラメータによる信号
タイミングの変動性を低減するために、以下に述べる、
補償を備えた制御された遅延回路を含む。
【００２２】表１はいくつかの重要なタイミング仕様を
示しかつそれらを前記トレードオフを表わすために対に
グループ分けしている。１つのトレードオフはｔ
ＡＶＱＶ対ｔＷＨＡＸを含む。ｔＡＶＱＶ仕様を満たす
ためには、アドレス入力バッファ５６はＢＵＦＦＥＲＥ
Ｄ ＡＤＤＲＥＳＳをブロックプリデコーダ３１および
ローデコーダ３２に迅速に提供しなければならない。
（ｔＡＶＱＶ／ｔＷＨＡＸのトレードオフはメモリ３０
のアーキテクチャに対するブロックおよびローデコード
のようにコラムデコードに対して制限されていないか
ら、メモリ３０がコラムアドレスをバッファリングする
ためにアドレス入力バッファ５６と同様のバッファを含
む必要はない。）しかしながら、ｔＷＨＡＸに合致する
ために、アドレス情報は新しい（正しくない）アドレス
への書込みが発生するファーストコーナにおいてあまり
迅速に与えられてはならない。メモリ３０はこれら２つ
の仕様を非選択（ｄｅｓｅｌｅｃｔ）遷移に対するもの
よりも各々のＢＵＦＦＥＲＥＤ ＡＤＤＲＥＳＳ信号の
選択遷移（ローからハイ）に対してより長くかつ電圧、
温度および処理の変化に対する補償を有するＡＤＤＲＥ
ＳＳからＢＵＦＦＥＲＥＤ ＡＤＤＲＥＳＳへの遅延を
含めることによって同時に満足する。 表１ 仕 様 説 明 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− ｔＡＶＱＶ ＡＤＤＲＥＳＳ有効からＤＡＴＡ出力有効まで ｔＷＨＡＸ ＊ＷハイからＡＤＤＲＥＳＳ無効まで（書込みリカバリ） ｔＷＬＷＨ ＊Ｗローから＊Ｗハイまで（＊Ｗパルス幅） ｔＡＶＷＬ ＡＤＤＲＥＳＳ有効から＊Ｗローまで （アドレスセットアップ時間） ｔＷＨＱＶ ＊ＷハイからＤＡＴＡ出力有効まで （＊Ｗから出力アクセスまで） ｔＷＨＱＸ ＊ＷハイからＤＡＴＡ出力駆動 （＊Ｗから出力アクティブまで） ｔＥＬＱＶ ＊Ｅ１ローからＤＡＴＡ出力有効まで （＊Ｅ１から出力アクセスまで） ｔＥＬＱＸ ＊Ｅ１ローからＤＡＴＡ出力駆動まで （＊Ｅ１から出力アクティブまで） ｔＤＶＷＨ ＤＡＴＡ有効から＊Ｗハイまで （データセットアップ時間） ｔＷＨＤＸ ＊ＷハイからＤＡＴＡ無効まで（データ保持時間）
示しかつそれらを前記トレードオフを表わすために対に
グループ分けしている。１つのトレードオフはｔ
ＡＶＱＶ対ｔＷＨＡＸを含む。ｔＡＶＱＶ仕様を満たす
ためには、アドレス入力バッファ５６はＢＵＦＦＥＲＥ
Ｄ ＡＤＤＲＥＳＳをブロックプリデコーダ３１および
ローデコーダ３２に迅速に提供しなければならない。
（ｔＡＶＱＶ／ｔＷＨＡＸのトレードオフはメモリ３０
のアーキテクチャに対するブロックおよびローデコード
のようにコラムデコードに対して制限されていないか
ら、メモリ３０がコラムアドレスをバッファリングする
ためにアドレス入力バッファ５６と同様のバッファを含
む必要はない。）しかしながら、ｔＷＨＡＸに合致する
ために、アドレス情報は新しい（正しくない）アドレス
への書込みが発生するファーストコーナにおいてあまり
迅速に与えられてはならない。メモリ３０はこれら２つ
の仕様を非選択（ｄｅｓｅｌｅｃｔ）遷移に対するもの
よりも各々のＢＵＦＦＥＲＥＤ ＡＤＤＲＥＳＳ信号の
選択遷移（ローからハイ）に対してより長くかつ電圧、
温度および処理の変化に対する補償を有するＡＤＤＲＥ
ＳＳからＢＵＦＦＥＲＥＤ ＡＤＤＲＥＳＳへの遅延を
含めることによって同時に満足する。 表１ 仕 様 説 明 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− ｔＡＶＱＶ ＡＤＤＲＥＳＳ有効からＤＡＴＡ出力有効まで ｔＷＨＡＸ ＊ＷハイからＡＤＤＲＥＳＳ無効まで（書込みリカバリ） ｔＷＬＷＨ ＊Ｗローから＊Ｗハイまで（＊Ｗパルス幅） ｔＡＶＷＬ ＡＤＤＲＥＳＳ有効から＊Ｗローまで （アドレスセットアップ時間） ｔＷＨＱＶ ＊ＷハイからＤＡＴＡ出力有効まで （＊Ｗから出力アクセスまで） ｔＷＨＱＸ ＊ＷハイからＤＡＴＡ出力駆動 （＊Ｗから出力アクティブまで） ｔＥＬＱＶ ＊Ｅ１ローからＤＡＴＡ出力有効まで （＊Ｅ１から出力アクセスまで） ｔＥＬＱＸ ＊Ｅ１ローからＤＡＴＡ出力駆動まで （＊Ｅ１から出力アクティブまで） ｔＤＶＷＨ ＤＡＴＡ有効から＊Ｗハイまで （データセットアップ時間） ｔＷＨＤＸ ＊ＷハイからＤＡＴＡ無効まで（データ保持時間）
【００２３】第２のトレードオフはｔＷＬＷＨ対ｔ
ＡＶＷＬである。ｔＷＬＷＨに合致するためには、読出
し／書込み論理３５はスローコーナにおいて書込みサイ
クルの開始を迅速に始めなければならない。ｔＡＶＷＬ
に合致するためには、書込みサイクルのスタートはファ
ーストコーナにおいてあまりにも迅速に生じてはならな
い。読出し／書込み論理３５は、電圧、温度および処理
変動に対する補償を備えた＊Ｗから信号＊ＷＲＴ，＊Ｗ
ＦＡＳＴおよび＊Ｗ１への遅延を含めることによって２
つの仕様を同時に満足する。
ＡＶＷＬである。ｔＷＬＷＨに合致するためには、読出
し／書込み論理３５はスローコーナにおいて書込みサイ
クルの開始を迅速に始めなければならない。ｔＡＶＷＬ
に合致するためには、書込みサイクルのスタートはファ
ーストコーナにおいてあまりにも迅速に生じてはならな
い。読出し／書込み論理３５は、電圧、温度および処理
変動に対する補償を備えた＊Ｗから信号＊ＷＲＴ，＊Ｗ
ＦＡＳＴおよび＊Ｗ１への遅延を含めることによって２
つの仕様を同時に満足する。
【００２４】第３のトレードオフはｔＷＨＱＶ対ｔ
ＷＨＱＸである。ｔＷＨＱＶに合致するためは、ＤＡＴ
Ａ出力はスローコーナにおいて迅速に有効にならなけれ
ばならない。ｔＷＨＱＶはまたｔＡＶＱＶより小さいか
あるいは等しくなければならない。ｔＷＨＱＸに合致す
るために、ＤＡＴＡ出力はファーストコーナにおいてデ
ータ出力バッファ３８によってあまりにも迅速に駆動さ
れてはならない。読出し／書込み論理３５は選択された
遷移（信号ＳＥのローからハイへの遷移）に対してより
低速でありかつ電圧、温度および処理変動に対して補償
されている＊Ｗから信号ＳＥおよび＊ＳＥへの遅延を含
めることによってこれら２つの仕様を同時に満足する。
ＷＨＱＸである。ｔＷＨＱＶに合致するためは、ＤＡＴ
Ａ出力はスローコーナにおいて迅速に有効にならなけれ
ばならない。ｔＷＨＱＶはまたｔＡＶＱＶより小さいか
あるいは等しくなければならない。ｔＷＨＱＸに合致す
るために、ＤＡＴＡ出力はファーストコーナにおいてデ
ータ出力バッファ３８によってあまりにも迅速に駆動さ
れてはならない。読出し／書込み論理３５は選択された
遷移（信号ＳＥのローからハイへの遷移）に対してより
低速でありかつ電圧、温度および処理変動に対して補償
されている＊Ｗから信号ＳＥおよび＊ＳＥへの遅延を含
めることによってこれら２つの仕様を同時に満足する。
【００２５】第４のトレードオフはｔＥＬＱＶ対ｔ
ＥＬＱＸである。ｔＥＬＱＶを満たすためには、ＤＡＴ
Ａ出力はスローコーナにおいて迅速に提供されなければ
ならない。ｔＥＬＱＸを満たすために、ＤＡＴＡ出力は
ファーストコーナにおいてあまりにも迅速に提供されて
はならない。読出し／書込み論理３５は電圧、温度およ
び処理変動に対して補償されている信号＊Ｅ１またはＥ
２から信号ＳＥおよび＊ＳＥへの遅延を含めることによ
ってこれら２つの仕様を同時に満足する。
ＥＬＱＸである。ｔＥＬＱＶを満たすためには、ＤＡＴ
Ａ出力はスローコーナにおいて迅速に提供されなければ
ならない。ｔＥＬＱＸを満たすために、ＤＡＴＡ出力は
ファーストコーナにおいてあまりにも迅速に提供されて
はならない。読出し／書込み論理３５は電圧、温度およ
び処理変動に対して補償されている信号＊Ｅ１またはＥ
２から信号ＳＥおよび＊ＳＥへの遅延を含めることによ
ってこれら２つの仕様を同時に満足する。
【００２６】第５のトレードオフはｔＤＶＷＨ対ｔ
ＷＨＤＸである。ｔＤＶＷＨを満たすためには、データ
入力バッファ３９は書込みサイクル時間を最小にするた
めにスローコーナにおいてメモリブロック部３４に対し
迅速にデータを提供しなければならない。ｔＷＨＤＸを
満たすために、データ入力バッファ３９はファーストコ
ーナにおいてメモリブロック部３４にあまりにも迅速に
データを提供してはならなず、さもなければ正しくない
データが正しいデータの上に書かれることになる。デー
タ入力バッファ３９は電圧、温度および処理の変化に対
し補償されているＤＡＴＡから対応する内部信号への遅
延を含めることによってこれら２つの仕様を同時に満足
する。
ＷＨＤＸである。ｔＤＶＷＨを満たすためには、データ
入力バッファ３９は書込みサイクル時間を最小にするた
めにスローコーナにおいてメモリブロック部３４に対し
迅速にデータを提供しなければならない。ｔＷＨＤＸを
満たすために、データ入力バッファ３９はファーストコ
ーナにおいてメモリブロック部３４にあまりにも迅速に
データを提供してはならなず、さもなければ正しくない
データが正しいデータの上に書かれることになる。デー
タ入力バッファ３９は電圧、温度および処理の変化に対
し補償されているＤＡＴＡから対応する内部信号への遅
延を含めることによってこれら２つの仕様を同時に満足
する。
【００２７】図４は、図３のアドレス入力バッファ５６
の１つを部分的回路図形式および部分的ブロック図形式
で示す。図４に示されるアドレス入力バッファも５６で
示されており、もちろんアドレス入力バッファ５６は幾
つかのバッファを含み、その内の幾つかは以下に説明す
るように図４のバッファ５６と同じものである。バッフ
ァ５６は一般的に“ＡＸ”と示されたアドレス入力信号
を受けかつ、それぞれ、“ＢＡＸ”および“＊ＢＡＸ”
と名付けられた真の（ｔｒｕｅ）および補の（ｃｏｍｐ
ｌｅｍｅｎｔ）バッファリングされたアドレス信号を提
供する。バッファ５６は真の論理部８０、および補の論
理部８１を含む。真の論理部８０は制御された遅延回路
８２、およびＢＩＣＭＯＳインバータ／ドライバ回路８
３を含む。真の論理部８０はまたＰチャネルトランジス
タ９０、Ｎチャネルトランジスタ９１、Ｐチャネルトラ
ンジスタ９２および９３、およびインバータ９４，９５
および９６を含む。補論理部８１は制御された遅延回路
>８４、およびＢＩＣＭＯＳインバータ／ドライバ回路
８５を含む。補論理部８１はまたＰチャネルトランジス
タ９７、およびインバータ９８および９９を含む。
の１つを部分的回路図形式および部分的ブロック図形式
で示す。図４に示されるアドレス入力バッファも５６で
示されており、もちろんアドレス入力バッファ５６は幾
つかのバッファを含み、その内の幾つかは以下に説明す
るように図４のバッファ５６と同じものである。バッフ
ァ５６は一般的に“ＡＸ”と示されたアドレス入力信号
を受けかつ、それぞれ、“ＢＡＸ”および“＊ＢＡＸ”
と名付けられた真の（ｔｒｕｅ）および補の（ｃｏｍｐ
ｌｅｍｅｎｔ）バッファリングされたアドレス信号を提
供する。バッファ５６は真の論理部８０、および補の論
理部８１を含む。真の論理部８０は制御された遅延回路
８２、およびＢＩＣＭＯＳインバータ／ドライバ回路８
３を含む。真の論理部８０はまたＰチャネルトランジス
タ９０、Ｎチャネルトランジスタ９１、Ｐチャネルトラ
ンジスタ９２および９３、およびインバータ９４，９５
および９６を含む。補論理部８１は制御された遅延回路
>８４、およびＢＩＣＭＯＳインバータ／ドライバ回路
８５を含む。補論理部８１はまたＰチャネルトランジス
タ９７、およびインバータ９８および９９を含む。
【００２８】真の論理部８０においては、トランジスタ
９０はＶＤＤに接続されたソース、信号ＡＸを受けるた
めのゲート、およびドレインを有する。トランジスタ９
１はトランジスタ９０のドレインに接続されたドレイ
ン、信号ＡＸを受けるためのゲート、およびＶＳＳに接
続されたソースを有する。トランジスタ９２はＶＤＤに
接続されたソース、ＶＳＳに接続されたゲート、および
ドレインを有する。トランジスタ９３はトランジスタ９
２のドレインに接続されたソース、ゲート、およびトラ
ンジスタ９０のドレインに接続されたドレインを有す
る。制御された遅延回路８２はトランジスタ９０および
９３のドレインに接続された入力端子、および出力端子
を有する。インバータ９４は制御された遅延回路８２の
出力端子に接続された入力端子、および出力端子を有す
る。ＢＩＣＭＯＳインバータ／ドライバ８３はインバー
タ９４の出力端子に接続された入力端子、および出力信
号ＢＡＸを提供する出力端子を有する。インバータ９５
はＢＩＣＭＯＳインバータ／ドライバ８３の出力端子に
接続された入力端子、および出力端子を有する。インバ
ータ９６はインバータ９５の出力端子に接続された入力
端子、およびトランジスタ９３のゲートに接続された出
力端子を有する。
９０はＶＤＤに接続されたソース、信号ＡＸを受けるた
めのゲート、およびドレインを有する。トランジスタ９
１はトランジスタ９０のドレインに接続されたドレイ
ン、信号ＡＸを受けるためのゲート、およびＶＳＳに接
続されたソースを有する。トランジスタ９２はＶＤＤに
接続されたソース、ＶＳＳに接続されたゲート、および
ドレインを有する。トランジスタ９３はトランジスタ９
２のドレインに接続されたソース、ゲート、およびトラ
ンジスタ９０のドレインに接続されたドレインを有す
る。制御された遅延回路８２はトランジスタ９０および
９３のドレインに接続された入力端子、および出力端子
を有する。インバータ９４は制御された遅延回路８２の
出力端子に接続された入力端子、および出力端子を有す
る。ＢＩＣＭＯＳインバータ／ドライバ８３はインバー
タ９４の出力端子に接続された入力端子、および出力信
号ＢＡＸを提供する出力端子を有する。インバータ９５
はＢＩＣＭＯＳインバータ／ドライバ８３の出力端子に
接続された入力端子、および出力端子を有する。インバ
ータ９６はインバータ９５の出力端子に接続された入力
端子、およびトランジスタ９３のゲートに接続された出
力端子を有する。
【００２９】制御された遅延回路８２はＰチャネルトラ
ンジスタ１０１および１０２、およびＮチャネルトラン
ジスタ１０３を含む。トランジスタ１０１はＶＤＤに接
続されたソース、“ＰＢＩＡＳ”と名付けられたバイア
ス電圧を受けるためのゲート、およびドレインを有す
る。トランジスタ１０２はトランジスタ１０１のドレイ
ンに接続されたソース、制御された遅延回路８２の入力
端子を提供するゲート、および制御された遅延回路８２
の出力端子を提供するドレインを有する。トランジスタ
１０３はトランジスタ１０２のドレインに接続されたド
レイン、これもまた制御された遅延回路８２の入力端子
を提供しかつトランジスタ１０２のゲートに接続された
ゲート、およびＶＳＳに接続されたソースを有する。
ンジスタ１０１および１０２、およびＮチャネルトラン
ジスタ１０３を含む。トランジスタ１０１はＶＤＤに接
続されたソース、“ＰＢＩＡＳ”と名付けられたバイア
ス電圧を受けるためのゲート、およびドレインを有す
る。トランジスタ１０２はトランジスタ１０１のドレイ
ンに接続されたソース、制御された遅延回路８２の入力
端子を提供するゲート、および制御された遅延回路８２
の出力端子を提供するドレインを有する。トランジスタ
１０３はトランジスタ１０２のドレインに接続されたド
レイン、これもまた制御された遅延回路８２の入力端子
を提供しかつトランジスタ１０２のゲートに接続された
ゲート、およびＶＳＳに接続されたソースを有する。
【００３０】ＢＩＣＭＯＳインバータ／ドライバ８３は
Ｐチャネルトランジスタ１１０、Ｎチャネルトランジス
タ１１１，１１２および１１３、およびＮＰＮトランジ
スタ１１４および１１５を含む。トランジスタ１１０は
ＶＤＤに接続されたソース、ＢＩＣＭＯＳインバータ／
ドライバ８３の入力端子を提供するゲート、およびドレ
インを有する。トランジスタ１１１はトランジスタ１１
０のドレインに接続されたドレイン、これもまたＢＩＣ
ＭＯＳインバータ／ドライバ８３の入力端子を提供しか
つトランジスタ１１０のゲートに接続されたゲート、お
よびＶＳＳに接続されたソースを有する。トランジスタ
１１２はＢＩＣＭＯＳインバータ／ドライバ８３の出力
端子に接続されたドレイン、ＢＩＣＭＯＳインバータ／
ドライバ８３の入力端子に接続されたゲート、およびソ
ースを有する。トランジスタ１１３はトランジスタ１１
２のソースに接続されたドレイン、トランジスタ１１０
のドレインに接続されたゲート、およびＶＳＳに接続さ
れたソースを有する。トランジスタ１１４はＶＤＤに接
続されたコレクタ、トランジスタ１１０のドレインに接
続されたベース、およびトランジスタ１１２のドレイン
に接続されかつそこに出力信号ＢＡＸを提供するエミッ
タを有する。トランジスタ１１５はトランジスタ１１４
のエミッタに接続されたコレクタ、トランジスタ１１２
のソースに接続されたベース、およびＶＳＳに接続され
たエミッタを有する。
Ｐチャネルトランジスタ１１０、Ｎチャネルトランジス
タ１１１，１１２および１１３、およびＮＰＮトランジ
スタ１１４および１１５を含む。トランジスタ１１０は
ＶＤＤに接続されたソース、ＢＩＣＭＯＳインバータ／
ドライバ８３の入力端子を提供するゲート、およびドレ
インを有する。トランジスタ１１１はトランジスタ１１
０のドレインに接続されたドレイン、これもまたＢＩＣ
ＭＯＳインバータ／ドライバ８３の入力端子を提供しか
つトランジスタ１１０のゲートに接続されたゲート、お
よびＶＳＳに接続されたソースを有する。トランジスタ
１１２はＢＩＣＭＯＳインバータ／ドライバ８３の出力
端子に接続されたドレイン、ＢＩＣＭＯＳインバータ／
ドライバ８３の入力端子に接続されたゲート、およびソ
ースを有する。トランジスタ１１３はトランジスタ１１
２のソースに接続されたドレイン、トランジスタ１１０
のドレインに接続されたゲート、およびＶＳＳに接続さ
れたソースを有する。トランジスタ１１４はＶＤＤに接
続されたコレクタ、トランジスタ１１０のドレインに接
続されたベース、およびトランジスタ１１２のドレイン
に接続されかつそこに出力信号ＢＡＸを提供するエミッ
タを有する。トランジスタ１１５はトランジスタ１１４
のエミッタに接続されたコレクタ、トランジスタ１１２
のソースに接続されたベース、およびＶＳＳに接続され
たエミッタを有する。
【００３１】補論理部８１においては、制御された遅延
回路８４は信号ＡＸを受けるための入力端子、および出
力端子を有する。制御された遅延回路８４は制御された
遅延回路８２と同じでありかつ同じ参照番号を有するト
ランジスタを含む。トランジスタ９７はＶＤＤに接続さ
れたソース、ゲート、および制御された遅延回路８４の
出力端子に接続されたドレインを有する。インバータ９
８は制御された遅延回路８４の出力端子に接続された入
力端子、および出力端子を有する。ＢＩＣＭＯＳインバ
ータ／ドライバ回路８５はインバータ９８の出力端子に
接続された入力端子、および信号＊ＢＡＸを提供するた
めの出力端子を有する。ＢＩＣＭＯＳインバータ／ドラ
イバ回路８５はＢＩＣＭＯＳインバータ／ドライバ回路
８３と同じでありかつ同じ参照数字を有するトランジス
タを含む。インバータ９９はＢＩＣＭＯＳインバータ／
ドライバ回路８５の出力端子に接続された入力端子、お
よびトランジスタ９７のゲートに接続された出力端子を
有する。
回路８４は信号ＡＸを受けるための入力端子、および出
力端子を有する。制御された遅延回路８４は制御された
遅延回路８２と同じでありかつ同じ参照番号を有するト
ランジスタを含む。トランジスタ９７はＶＤＤに接続さ
れたソース、ゲート、および制御された遅延回路８４の
出力端子に接続されたドレインを有する。インバータ９
８は制御された遅延回路８４の出力端子に接続された入
力端子、および出力端子を有する。ＢＩＣＭＯＳインバ
ータ／ドライバ回路８５はインバータ９８の出力端子に
接続された入力端子、および信号＊ＢＡＸを提供するた
めの出力端子を有する。ＢＩＣＭＯＳインバータ／ドラ
イバ回路８５はＢＩＣＭＯＳインバータ／ドライバ回路
８３と同じでありかつ同じ参照数字を有するトランジス
タを含む。インバータ９９はＢＩＣＭＯＳインバータ／
ドライバ回路８５の出力端子に接続された入力端子、お
よびトランジスタ９７のゲートに接続された出力端子を
有する。
【００３２】真の論理部８０は信号ＢＡＸを出力するた
めに４つのインバータ段を介するバッファリングを含
む。この出力信号はインバータ９５および９６を介して
トランジスタ９３のゲートにフィードバックされ、該ト
ランジスタ９３はＡＸのハイからローへの遷移をラッチ
する。補論理部８１はＡＸおよび＊ＢＡＸの間で３つの
レベルの反転のみを提供するが、ＡＸのハイからローへ
の遷移を＊ＢＡＸにおける論理ハイとしてラッチする。
めに４つのインバータ段を介するバッファリングを含
む。この出力信号はインバータ９５および９６を介して
トランジスタ９３のゲートにフィードバックされ、該ト
ランジスタ９３はＡＸのハイからローへの遷移をラッチ
する。補論理部８１はＡＸおよび＊ＢＡＸの間で３つの
レベルの反転のみを提供するが、ＡＸのハイからローへ
の遷移を＊ＢＡＸにおける論理ハイとしてラッチする。
【００３３】アドレス入力バッファ５６は信号ＢＡＸま
たは＊ＢＡＸのいずれかのローからハイへの遷移に対し
てのみ制御された遅延を加え、かつ従ってメモリ３０が
同時にｔＡＶＱＶおよびｔＷＨＡＸによりよく適合でき
るようにする。制御された遅延回路８２の入力が降下す
ると、トランジスタ１０３は非導通になりかつトランジ
スタ１０２は導通になる。しかしながら、トランジスタ
１０２のソースはトランジスタ１０１を介してＶＤＤに
接続される。トランジスタ１０１のゲートはＰＢＩＡＳ
によってバイアスされ、引き続くインバータ９４に与え
られる電流の量を制限する。ＰＢＩＡＳは基準電流を流
すために基準Ｐチャネルトランジスタをバイアスするゲ
ート・ソース間バイアス電圧である。従って、トランジ
スタ１０１のゲート長は、以下に図９において説明され
る、ＰＢＩＡＳを発生する補償回路における基準トラン
ジスタのゲート長と同じであることが好ましい。温度、
電圧または処理条件が変化すると、ＰＢＩＡＳは前記基
準電流を流すために基準トランジスタをバイアスする電
圧と等しくなるよう補償される。制御された遅延回路８
２は、それぞれ、図１および図２の遅延回路２０および
２５に対する０．９６ｎｓ．および０．８９ｎｓ．と比
較して、スローコーナからファーストコーナへの回路８
２の出力の立上りエッジにおける遅延時間に無視できる
ほどの差を持つのみである。遅延回路８２および８４を
含めることによって、アドレスバッファ５６はｔ
ＷＨＡＸ／ｔＡＶＱＶのトレードオフにおいて約０．５
ｎｓ．の総合的な改善を達成することができる。
たは＊ＢＡＸのいずれかのローからハイへの遷移に対し
てのみ制御された遅延を加え、かつ従ってメモリ３０が
同時にｔＡＶＱＶおよびｔＷＨＡＸによりよく適合でき
るようにする。制御された遅延回路８２の入力が降下す
ると、トランジスタ１０３は非導通になりかつトランジ
スタ１０２は導通になる。しかしながら、トランジスタ
１０２のソースはトランジスタ１０１を介してＶＤＤに
接続される。トランジスタ１０１のゲートはＰＢＩＡＳ
によってバイアスされ、引き続くインバータ９４に与え
られる電流の量を制限する。ＰＢＩＡＳは基準電流を流
すために基準Ｐチャネルトランジスタをバイアスするゲ
ート・ソース間バイアス電圧である。従って、トランジ
スタ１０１のゲート長は、以下に図９において説明され
る、ＰＢＩＡＳを発生する補償回路における基準トラン
ジスタのゲート長と同じであることが好ましい。温度、
電圧または処理条件が変化すると、ＰＢＩＡＳは前記基
準電流を流すために基準トランジスタをバイアスする電
圧と等しくなるよう補償される。制御された遅延回路８
２は、それぞれ、図１および図２の遅延回路２０および
２５に対する０．９６ｎｓ．および０．８９ｎｓ．と比
較して、スローコーナからファーストコーナへの回路８
２の出力の立上りエッジにおける遅延時間に無視できる
ほどの差を持つのみである。遅延回路８２および８４を
含めることによって、アドレスバッファ５６はｔ
ＷＨＡＸ／ｔＡＶＱＶのトレードオフにおいて約０．５
ｎｓ．の総合的な改善を達成することができる。
【００３４】図５は図３の読出し／書込み論理回路３５
の第１の部分１２０を部分的回路図形式および部分的ブ
ロック形式で示す。部分１２０はインバータ１２１−１
２４、制御された遅延回路１２５、ＮＡＮＤゲート１２
６、およびＢＩＣＭＯＳインバータ／ドライバ回路１２
７を含む。インバータ１２１は信号Ｅ２を受けるための
入力端子、および出力端子を有する。インバータ１２２
はインバータ１２１の出力端子に接続された入力端子、
および出力端子を有する。インバータ１２３は信号＊Ｅ
１を受けるための入力端子、および出力端子を有する。
インバータ１２４は信号＊Ｗを受けるための入力端子、
および出力端子を有する。制御された遅延回路１２５は
インバータ１２４の出力端子に接続された入力端子、お
よび出力端子を有する。ＮＡＮＤゲート１２６はインバ
ータ１２２の出力端子に接続された第１の入力端子、イ
ンバータ１２３の出力端子に接続された第２の入力端
子、制御された遅延回路１２５の出力端子に接続された
第３の入力端子、および出力端子を有する。ＢＩＣＭＯ
Ｓインバータ／ドライバ回路１２７はＮＡＮＤゲート１
２６の出力に接続された入力、および信号＊ＷＲＴを提
供するための出力端子を有する。
の第１の部分１２０を部分的回路図形式および部分的ブ
ロック形式で示す。部分１２０はインバータ１２１−１
２４、制御された遅延回路１２５、ＮＡＮＤゲート１２
６、およびＢＩＣＭＯＳインバータ／ドライバ回路１２
７を含む。インバータ１２１は信号Ｅ２を受けるための
入力端子、および出力端子を有する。インバータ１２２
はインバータ１２１の出力端子に接続された入力端子、
および出力端子を有する。インバータ１２３は信号＊Ｅ
１を受けるための入力端子、および出力端子を有する。
インバータ１２４は信号＊Ｗを受けるための入力端子、
および出力端子を有する。制御された遅延回路１２５は
インバータ１２４の出力端子に接続された入力端子、お
よび出力端子を有する。ＮＡＮＤゲート１２６はインバ
ータ１２２の出力端子に接続された第１の入力端子、イ
ンバータ１２３の出力端子に接続された第２の入力端
子、制御された遅延回路１２５の出力端子に接続された
第３の入力端子、および出力端子を有する。ＢＩＣＭＯ
Ｓインバータ／ドライバ回路１２７はＮＡＮＤゲート１
２６の出力に接続された入力、および信号＊ＷＲＴを提
供するための出力端子を有する。
【００３５】制御された遅延回路１２５はＰチャネルト
ランジスタ１３１およびＮチャネルトランジスタ１３２
および１３３を含む。トランジスタ１３１はＶＤＤに接
続されたソース、制御された遅延回路１２５の入力端子
を提供するゲート、および制御された遅延回路１２５の
出力端子を提供するドレインを有する。トランジスタ１
３２はトランジスタ１３１のドレインに接続されたドレ
イン、トランジスタ１３１のゲートに接続されたゲー
ト、およびソースを有する。トランジスタ１３３はトラ
ンジスタ１３２のソースに接続されたドレイン、“ＮＢ
ＩＡＳ”と名付けられたバイアス電圧を受けるためのゲ
ート、およびＶＳＳに接続されたソースを有する。ＢＩ
ＣＭＯＳインバータ／ドライバ回路１２７は図４の回路
８３と同じでありかつ同じ参照数字を有するトランジス
タを含む。
ランジスタ１３１およびＮチャネルトランジスタ１３２
および１３３を含む。トランジスタ１３１はＶＤＤに接
続されたソース、制御された遅延回路１２５の入力端子
を提供するゲート、および制御された遅延回路１２５の
出力端子を提供するドレインを有する。トランジスタ１
３２はトランジスタ１３１のドレインに接続されたドレ
イン、トランジスタ１３１のゲートに接続されたゲー
ト、およびソースを有する。トランジスタ１３３はトラ
ンジスタ１３２のソースに接続されたドレイン、“ＮＢ
ＩＡＳ”と名付けられたバイアス電圧を受けるためのゲ
ート、およびＶＳＳに接続されたソースを有する。ＢＩ
ＣＭＯＳインバータ／ドライバ回路１２７は図４の回路
８３と同じでありかつ同じ参照数字を有するトランジス
タを含む。
【００３６】制御された遅延回路１２５は図４の制御さ
れた遅延回路８２と類似の動作を行う。制御された遅延
回路１２５の入力が立上ると、トランジスタ１３１は非
導通になりかつトランジスタ１３２は導通になる。しか
しながら、トランジスタ１３２のソースは抵抗１３３を
介してＶＳＳに接続されている。トランジスタ１３３の
ゲートはＮＢＩＡＳによってバイアスされており、ＮＡ
ＮＤゲート１２６の第３の入力端子に与えられる電流の
量を制限する。ＮＢＩＡＳは基準電流を導くために基準
Ｎチャネルトランジスタをバイアスするゲート・ソース
間バイアス電圧である。温度、電圧または処理条件が変
化すると、ＮＢＩＡＳは基準電流を導くために前記基準
トランジスタをバイアスする電圧を等しくするよう補償
される。従って、トランジスタ１３３のゲート長は、以
下に図１０を参照して説明する、ＮＢＩＡＳを発生する
補償回路における基準トランジスタのそれと等しくする
ことが好ましい。遅延回路１２５を含めることによっ
て、部分１２０はｔＷＬＷＨおよびｔＡＶＷＬのトレー
ドオフにおいて約０．５ｎｓ．の総合的な改善を達成す
ることができる。
れた遅延回路８２と類似の動作を行う。制御された遅延
回路１２５の入力が立上ると、トランジスタ１３１は非
導通になりかつトランジスタ１３２は導通になる。しか
しながら、トランジスタ１３２のソースは抵抗１３３を
介してＶＳＳに接続されている。トランジスタ１３３の
ゲートはＮＢＩＡＳによってバイアスされており、ＮＡ
ＮＤゲート１２６の第３の入力端子に与えられる電流の
量を制限する。ＮＢＩＡＳは基準電流を導くために基準
Ｎチャネルトランジスタをバイアスするゲート・ソース
間バイアス電圧である。温度、電圧または処理条件が変
化すると、ＮＢＩＡＳは基準電流を導くために前記基準
トランジスタをバイアスする電圧を等しくするよう補償
される。従って、トランジスタ１３３のゲート長は、以
下に図１０を参照して説明する、ＮＢＩＡＳを発生する
補償回路における基準トランジスタのそれと等しくする
ことが好ましい。遅延回路１２５を含めることによっ
て、部分１２０はｔＷＬＷＨおよびｔＡＶＷＬのトレー
ドオフにおいて約０．５ｎｓ．の総合的な改善を達成す
ることができる。
【００３７】図６は、図３の読出し／書込み論理回路３
５の第２の部分１４０を部分的回路図形式および部分的
ブロック形式で示す。部分１４０は概略的に入力部１４
１、多重選択信号部１４２、第１の遅延回路１４３、第
２の遅延回路１４４、論理回路１４５、およびＢＩＣＭ
ＯＳ ＮＡＮＤゲート／ドライバ回路１４６を含む。
５の第２の部分１４０を部分的回路図形式および部分的
ブロック形式で示す。部分１４０は概略的に入力部１４
１、多重選択信号部１４２、第１の遅延回路１４３、第
２の遅延回路１４４、論理回路１４５、およびＢＩＣＭ
ＯＳ ＮＡＮＤゲート／ドライバ回路１４６を含む。
【００３８】入力部１４１はインバータ１５０−１５
７、ＮＡＮＤゲート１５８、およびインバータ１５９を
含む。インバータ１５０は信号＊Ｇを受けるための入力
端子、および出力端子を有する。インバータ１５１はイ
ンバータ１５０の出力端子に接続された入力端子、およ
び出力端子を有する。インバータ１５２はインバータ１
５１の出力端子に接続された入力端子、および出力端子
を有する。インバータ１５３は信号＊Ｗを受けるための
入力端子、および出力端子を有する。インバータ１５４
はインバータ１５３の出力端子に接続された入力端子、
および出力端子を有する。インバータ１５５は信号Ｅ２
を受けるための入力端子、および出力端子を有する。イ
ンバータ１５６はインバータ１５５の出力端子に接続さ
れた入力端子、および出力端子を有する。インバータ１
５７は信号＊Ｅ１を受けるための入力端子、および出力
端子を有する。ＮＡＮＤゲート１５８はインバータ１５
６の出力端子に接続された第１の入力端子、インバータ
１５７の出力端子に接続された第２の入力端子、および
出力端子を有する。インバータ１５９はＮＡＮＤゲート
１５８の出力端子に接続された入力端子、および出力端
子を有する。
７、ＮＡＮＤゲート１５８、およびインバータ１５９を
含む。インバータ１５０は信号＊Ｇを受けるための入力
端子、および出力端子を有する。インバータ１５１はイ
ンバータ１５０の出力端子に接続された入力端子、およ
び出力端子を有する。インバータ１５２はインバータ１
５１の出力端子に接続された入力端子、および出力端子
を有する。インバータ１５３は信号＊Ｗを受けるための
入力端子、および出力端子を有する。インバータ１５４
はインバータ１５３の出力端子に接続された入力端子、
および出力端子を有する。インバータ１５５は信号Ｅ２
を受けるための入力端子、および出力端子を有する。イ
ンバータ１５６はインバータ１５５の出力端子に接続さ
れた入力端子、および出力端子を有する。インバータ１
５７は信号＊Ｅ１を受けるための入力端子、および出力
端子を有する。ＮＡＮＤゲート１５８はインバータ１５
６の出力端子に接続された第１の入力端子、インバータ
１５７の出力端子に接続された第２の入力端子、および
出力端子を有する。インバータ１５９はＮＡＮＤゲート
１５８の出力端子に接続された入力端子、および出力端
子を有する。
【００３９】多重選択信号部１４２はＮＡＮＤゲート１
６０、インバータ１６１、ＮＡＮＤゲート１６２、およ
びインバータ１６３を含む。ＮＡＮＤゲート１６０はイ
ンバータ１５９の出力端子に接続された第１の入力端
子、インバータ１５４の出力端子に接続された第２の入
力端子、および出力端子を有する。インバータ１６１は
ＮＡＮＤゲート１６０の出力端子に接続された入力端
子、および出力端子を有する。ＮＡＮＤゲート１６２は
インバータ１５０の出力端子に接続された第１の入力端
子、インバータ１６１の出力端子に接続された第２の入
力端子、および出力端子を有する。インバータ１６３は
ＮＡＮＤゲート１６２の出力端子に接続された入力端
子、および信号ＳＥＭＵＸを提供するための出力端子を
有する。
６０、インバータ１６１、ＮＡＮＤゲート１６２、およ
びインバータ１６３を含む。ＮＡＮＤゲート１６０はイ
ンバータ１５９の出力端子に接続された第１の入力端
子、インバータ１５４の出力端子に接続された第２の入
力端子、および出力端子を有する。インバータ１６１は
ＮＡＮＤゲート１６０の出力端子に接続された入力端
子、および出力端子を有する。ＮＡＮＤゲート１６２は
インバータ１５０の出力端子に接続された第１の入力端
子、インバータ１６１の出力端子に接続された第２の入
力端子、および出力端子を有する。インバータ１６３は
ＮＡＮＤゲート１６２の出力端子に接続された入力端
子、および信号ＳＥＭＵＸを提供するための出力端子を
有する。
【００４０】遅延回路１４３はインバータ１５４の出力
端子に接続された入力端子、および出力端子を有する。
遅延回路１４３は図５の制御された遅延回路１２５およ
び図４の制御された遅延回路８２に交互に対応する４つ
のインバータセクションを含む。遅延回路１４４はイン
バータ１５９の出力端子に接続された入力端子、および
出力端子を有する。遅延回路１４４は図５の制御された
遅延回路１２５および図４の制御された遅延回路８２に
交互に対応する２つのインバータセクションを含む。
端子に接続された入力端子、および出力端子を有する。
遅延回路１４３は図５の制御された遅延回路１２５およ
び図４の制御された遅延回路８２に交互に対応する４つ
のインバータセクションを含む。遅延回路１４４はイン
バータ１５９の出力端子に接続された入力端子、および
出力端子を有する。遅延回路１４４は図５の制御された
遅延回路１２５および図４の制御された遅延回路８２に
交互に対応する２つのインバータセクションを含む。
【００４１】論理回路１４５はＮＡＮＤゲート１７０、
インバータ１７１、ＮＡＮＤゲート１７２、およびイン
バータ１７３を含む。ＮＡＮＤゲート１７０はインバー
タ１５４の出力端子に接続された第１の入力端子、遅延
回路１４３の出力端子に接続された第２の入力端子、お
よび出力端子を有する。インバータ１７１はＮＡＮＤゲ
ート１７０の出力に接続された入力端子、および出力端
子を有する。ＮＡＮＤゲート１７２はインバータ１７１
の出力端子に接続された第１の入力端子、遅延回路１４
４の出力端子に接続された第２の入力端子、および出力
端子を有する。インバータ１７３はＮＡＮＤゲート１７
２の出力端子に接続された入力端子、および出力端子を
有する。
インバータ１７１、ＮＡＮＤゲート１７２、およびイン
バータ１７３を含む。ＮＡＮＤゲート１７０はインバー
タ１５４の出力端子に接続された第１の入力端子、遅延
回路１４３の出力端子に接続された第２の入力端子、お
よび出力端子を有する。インバータ１７１はＮＡＮＤゲ
ート１７０の出力に接続された入力端子、および出力端
子を有する。ＮＡＮＤゲート１７２はインバータ１７１
の出力端子に接続された第１の入力端子、遅延回路１４
４の出力端子に接続された第２の入力端子、および出力
端子を有する。インバータ１７３はＮＡＮＤゲート１７
２の出力端子に接続された入力端子、および出力端子を
有する。
【００４２】ＢＩＣＭＯＳ ＮＡＮＤゲート／ドライバ
回路１４６はＮＡＮＤゲート１８０、Ｎチャネルトラン
ジスタ１８１，１８２および１８３、ＮＰＮトランジス
タ１８４および１８５、およびインバータ１８６を含
む。ＮＡＮＤゲート１８０はインバータ１５２の出力端
子に接続された第１の入力端子、インバータ１７３の出
力端子に接続された第２の入力端子、および出力端子を
有する。トランジスタ１８１は信号＊ＳＥを提供するた
めのドレイン、インバータ１５２の出力端子に接続され
たゲート、およびソースを有する。トランジスタ１８２
はトランジスタ１８１のソースに接続されたドレイン、
インバータ１７３の出力に接続されたゲート、およびソ
ースを有する。トランジスタ１８３はトランジスタ１８
２のソースに接続されたドレイン、ＮＡＮＤゲート１８
０の出力端子に接続されたゲート、およびＶＳＳに接続
されたソースを有する。トランジスタ１８４はＶＤＤに
接続されたコレクタ、ＮＡＮＤゲート１８０の出力端子
に接続されたベース、およびトランジスタ１８１のドレ
インに接続されたエミッタを有する。トランジスタ１８
５はトランジスタ１８４のエミッタに接続されたコレク
タ、トランジスタ１８３のドレインに接続されたベー
ス、およびＶＳＳに接続されたエミッタを有する。イン
バータ１８６はトランジスタ１８４のエミッタに接続さ
れた入力端子、および信号ＳＥを提供するための出力端
子を有する。
回路１４６はＮＡＮＤゲート１８０、Ｎチャネルトラン
ジスタ１８１，１８２および１８３、ＮＰＮトランジス
タ１８４および１８５、およびインバータ１８６を含
む。ＮＡＮＤゲート１８０はインバータ１５２の出力端
子に接続された第１の入力端子、インバータ１７３の出
力端子に接続された第２の入力端子、および出力端子を
有する。トランジスタ１８１は信号＊ＳＥを提供するた
めのドレイン、インバータ１５２の出力端子に接続され
たゲート、およびソースを有する。トランジスタ１８２
はトランジスタ１８１のソースに接続されたドレイン、
インバータ１７３の出力に接続されたゲート、およびソ
ースを有する。トランジスタ１８３はトランジスタ１８
２のソースに接続されたドレイン、ＮＡＮＤゲート１８
０の出力端子に接続されたゲート、およびＶＳＳに接続
されたソースを有する。トランジスタ１８４はＶＤＤに
接続されたコレクタ、ＮＡＮＤゲート１８０の出力端子
に接続されたベース、およびトランジスタ１８１のドレ
インに接続されたエミッタを有する。トランジスタ１８
５はトランジスタ１８４のエミッタに接続されたコレク
タ、トランジスタ１８３のドレインに接続されたベー
ス、およびＶＳＳに接続されたエミッタを有する。イン
バータ１８６はトランジスタ１８４のエミッタに接続さ
れた入力端子、および信号ＳＥを提供するための出力端
子を有する。
【００４３】信号ＳＥＭＵＸは、アクティブの場合に、
図３の組合されたグローバルデータライン負荷およびマ
ルチプレクサ３７における出力データ多重回路をイネー
ブルする。信号ＳＥおよび＊ＳＥは図３のデータ出力バ
ッファ３８をイネーブルし、かつ信号＊Ｇがアクティブ
であり、メモリ３０が（信号＊Ｅ１およびＥ２の双方の
付勢によって）イネーブルされ、かつ書込みイネーブル
信号＊Ｗがインアクティブであることに応じてアクティ
ベイトされる。遅延回路１４３は一方向遅延（ｓｉｎｇ
ｌｅ−ｓｉｄｅｄ ｄｅｌａｙ）のみを提供し、これは
ｔＷＨＱＶ／ｔＷＨＱＸ（および、ｔＥＬＱＶ／ｔ
ＥＬＱＸ）のトレードオフにおけるかなりの改善を与え
る結果となる。信号＊Ｗがローからハイへの遷移を行っ
た時、インバータ１５４の出力もまた論理ローから論理
ハイに変化する。従って、ＮＡＮＤゲート１７０の第１
の入力は論理ハイであり、かつ前記第２の入力端子は論
理ローであり、ＮＡＮＤゲート１７０の出力を論理ハイ
に保っている。遅延回路１４３の入力端子が論理ローか
ら論理ハイに変化した時、電圧ＮＢＩＡＳによって補償
される、トランジスタ１３３は次の遅延段の入力に提供
される電流を制限する。同様に、該次の遅延段はその出
力のローからハイへの遷移を制限し、以下同様である。
従って、遅延回路１４３の出力におけるローからハイへ
の遷移は、前に述べたように、電圧、温度および処理の
変動に対して補償される様式で遅延される。ＮＡＮＤゲ
ート１７０の出力はその第２の入力端子も論理ハイに切
替わるまで論理ハイに留まっている。
図３の組合されたグローバルデータライン負荷およびマ
ルチプレクサ３７における出力データ多重回路をイネー
ブルする。信号ＳＥおよび＊ＳＥは図３のデータ出力バ
ッファ３８をイネーブルし、かつ信号＊Ｇがアクティブ
であり、メモリ３０が（信号＊Ｅ１およびＥ２の双方の
付勢によって）イネーブルされ、かつ書込みイネーブル
信号＊Ｗがインアクティブであることに応じてアクティ
ベイトされる。遅延回路１４３は一方向遅延（ｓｉｎｇ
ｌｅ−ｓｉｄｅｄ ｄｅｌａｙ）のみを提供し、これは
ｔＷＨＱＶ／ｔＷＨＱＸ（および、ｔＥＬＱＶ／ｔ
ＥＬＱＸ）のトレードオフにおけるかなりの改善を与え
る結果となる。信号＊Ｗがローからハイへの遷移を行っ
た時、インバータ１５４の出力もまた論理ローから論理
ハイに変化する。従って、ＮＡＮＤゲート１７０の第１
の入力は論理ハイであり、かつ前記第２の入力端子は論
理ローであり、ＮＡＮＤゲート１７０の出力を論理ハイ
に保っている。遅延回路１４３の入力端子が論理ローか
ら論理ハイに変化した時、電圧ＮＢＩＡＳによって補償
される、トランジスタ１３３は次の遅延段の入力に提供
される電流を制限する。同様に、該次の遅延段はその出
力のローからハイへの遷移を制限し、以下同様である。
従って、遅延回路１４３の出力におけるローからハイへ
の遷移は、前に述べたように、電圧、温度および処理の
変動に対して補償される様式で遅延される。ＮＡＮＤゲ
ート１７０の出力はその第２の入力端子も論理ハイに切
替わるまで論理ハイに留まっている。
【００４４】遅延回路１４３はＮＡＮＤゲート１７０と
共に信号＊Ｗのローからハイへの遷移の後に信号ＳＥお
よび＊ＳＥの付勢（ａｃｔｉｖａｔｉｏｎ）を遅延させ
るが、信号＊Ｗのハイからローへの遷移の後には信号Ｓ
Ｅおよび＊ＳＥの付勢解除（ｄｅａｃｔｉｖａｔｉｏ
ｎ）を遅延させない。従って、信号ＳＥおよび＊ＳＥの
付勢的遷移は書込みイネーブル信号＊Ｗのローからハイ
への遷移の後にのみ遅延され、その結果ｔＷＨＱＶ／ｔ
ＷＨＱＸのトレードオフの約２．０ｎｓ．の改善をもた
らす。同様に、遅延回路１４４は信号＊Ｅ１のハイから
ローへの遷移の後に（信号Ｅ２がアクティブであると仮
定して）信号ＳＥおよび＊ＳＥの付勢を遅延させる。部
分１４０はｔＥＬＱＶ／ｔＥＬＱＸのトレードオフにお
いて約１．０ｎｓ．の改善を与える。
共に信号＊Ｗのローからハイへの遷移の後に信号ＳＥお
よび＊ＳＥの付勢（ａｃｔｉｖａｔｉｏｎ）を遅延させ
るが、信号＊Ｗのハイからローへの遷移の後には信号Ｓ
Ｅおよび＊ＳＥの付勢解除（ｄｅａｃｔｉｖａｔｉｏ
ｎ）を遅延させない。従って、信号ＳＥおよび＊ＳＥの
付勢的遷移は書込みイネーブル信号＊Ｗのローからハイ
への遷移の後にのみ遅延され、その結果ｔＷＨＱＶ／ｔ
ＷＨＱＸのトレードオフの約２．０ｎｓ．の改善をもた
らす。同様に、遅延回路１４４は信号＊Ｅ１のハイから
ローへの遷移の後に（信号Ｅ２がアクティブであると仮
定して）信号ＳＥおよび＊ＳＥの付勢を遅延させる。部
分１４０はｔＥＬＱＶ／ｔＥＬＱＸのトレードオフにお
いて約１．０ｎｓ．の改善を与える。
【００４５】図７は、図３の読出し／書込み論理回路３
５の第３の部分２００を部分的回路図形式および部分的
ブロック形式で示す。部分２００は概略的に入力部２０
１、制御された遅延回路２０２、ＢＩＣＭＯＳ ＮＡＮ
Ｄゲート２０３、第１の論理部２０４、制御された遅延
回路２０５、第２の論理部２０６、およびＢＩＣＭＯＳ
ＮＡＮＤゲート２０７を含む。
５の第３の部分２００を部分的回路図形式および部分的
ブロック形式で示す。部分２００は概略的に入力部２０
１、制御された遅延回路２０２、ＢＩＣＭＯＳ ＮＡＮ
Ｄゲート２０３、第１の論理部２０４、制御された遅延
回路２０５、第２の論理部２０６、およびＢＩＣＭＯＳ
ＮＡＮＤゲート２０７を含む。
【００４６】入力部２０１はインバータ２１０−２１
３、およびＮＡＮＤゲート２１４を含む。インバータ２
１０は信号＊Ｗを受けるための入力端子、および出力端
子を有する。インバータ２１１は信号Ｅ２を受けるため
の入力端子、および出力端子を有する。インバータ２１
２はインバータ２１１の出力端子に接続された入力端
子、および出力端子を有する。インバータ２１３は信号
＊Ｅ１を受けるための入力端子、および出力端子を有す
る。ＮＡＮＤゲート２１４はインバータ２１０の出力端
子に接続された第１の入力端子、インバータ２１２の出
力端子に接続された第２の入力端子、インバータ２１３
の出力端子に接続された第３の入力端子、および出力端
子を有する。
３、およびＮＡＮＤゲート２１４を含む。インバータ２
１０は信号＊Ｗを受けるための入力端子、および出力端
子を有する。インバータ２１１は信号Ｅ２を受けるため
の入力端子、および出力端子を有する。インバータ２１
２はインバータ２１１の出力端子に接続された入力端
子、および出力端子を有する。インバータ２１３は信号
＊Ｅ１を受けるための入力端子、および出力端子を有す
る。ＮＡＮＤゲート２１４はインバータ２１０の出力端
子に接続された第１の入力端子、インバータ２１２の出
力端子に接続された第２の入力端子、インバータ２１３
の出力端子に接続された第３の入力端子、および出力端
子を有する。
【００４７】制御された遅延回路２０２はＮＡＮＤゲー
ト２１４の出力端子に接続された入力端子、および出力
端子を有する。制御された遅延回路２０２は図４の制御
された遅延回路８２と同様のものであり、かつ同じ参照
数字を有するトランジスタを含む。
ト２１４の出力端子に接続された入力端子、および出力
端子を有する。制御された遅延回路２０２は図４の制御
された遅延回路８２と同様のものであり、かつ同じ参照
数字を有するトランジスタを含む。
【００４８】ＢＩＣＭＯＳ ＮＡＮＤゲート２０３はＰ
チャネルトランジスタ２２０，２２１および２２２、Ｎ
チャネルトランジスタ２２３，２２４および２２６、お
よびＮＰＮトランジスタ２２７および２２８を含む。ト
ランジスタ２２０はＶＤＤに接続されたソース、インバ
ータ２１３の出力端子に接続されたゲート、およびドレ
インを有する。トランジスタ２２１はＶＤＤに接続され
たソース、インバータ２１２の出力端子に接続されたゲ
ート、トランジスタ２２０のドレインに接続されたドレ
インを有する。トランジスタ２２２はＶＤＤに接続され
たソース、インバータ２１０の出力端子に接続されたゲ
ート、およびトランジスタ２２０および２２１のドレイ
ンに接続されたドレインを有する。トランジスタ２２３
はトランジスタ２２０，２２１および２２２のドレイン
に接続されたドレイン、制御された遅延回路２０２の出
力端子に接続されたゲート、およびＶＳＳに接続された
ソースを有する。トランジスタ２２４は出力信号＊ＷＦ
ＡＳＴを提供するためのドレイン、制御された遅延回路
２０２の出力端子に接続されたゲート、およびソースを
有する。トランジスタ２２６はトランジスタ２２４のソ
ースに接続されたドレイン、トランジスタ２２０，２２
１および２２２のドレインに接続されたゲート、および
ＶＳＳに接続されたソースを有する。トランジスタ２２
７はＶＤＤに接続されたコレクタ、トランジスタ２２
０，２２１および２２２のドレインに接続されたベー
ス、およびトランジスタ２２４のドレインに接続された
エミッタを有する。トランジスタ２２８はトランジスタ
２２７のエミッタに接続されたコレクタ、トランジスタ
２２６のドレインに接続されたベース、およびＶＳＳに
接続されたエミッタを有する。
チャネルトランジスタ２２０，２２１および２２２、Ｎ
チャネルトランジスタ２２３，２２４および２２６、お
よびＮＰＮトランジスタ２２７および２２８を含む。ト
ランジスタ２２０はＶＤＤに接続されたソース、インバ
ータ２１３の出力端子に接続されたゲート、およびドレ
インを有する。トランジスタ２２１はＶＤＤに接続され
たソース、インバータ２１２の出力端子に接続されたゲ
ート、トランジスタ２２０のドレインに接続されたドレ
インを有する。トランジスタ２２２はＶＤＤに接続され
たソース、インバータ２１０の出力端子に接続されたゲ
ート、およびトランジスタ２２０および２２１のドレイ
ンに接続されたドレインを有する。トランジスタ２２３
はトランジスタ２２０，２２１および２２２のドレイン
に接続されたドレイン、制御された遅延回路２０２の出
力端子に接続されたゲート、およびＶＳＳに接続された
ソースを有する。トランジスタ２２４は出力信号＊ＷＦ
ＡＳＴを提供するためのドレイン、制御された遅延回路
２０２の出力端子に接続されたゲート、およびソースを
有する。トランジスタ２２６はトランジスタ２２４のソ
ースに接続されたドレイン、トランジスタ２２０，２２
１および２２２のドレインに接続されたゲート、および
ＶＳＳに接続されたソースを有する。トランジスタ２２
７はＶＤＤに接続されたコレクタ、トランジスタ２２
０，２２１および２２２のドレインに接続されたベー
ス、およびトランジスタ２２４のドレインに接続された
エミッタを有する。トランジスタ２２８はトランジスタ
２２７のエミッタに接続されたコレクタ、トランジスタ
２２６のドレインに接続されたベース、およびＶＳＳに
接続されたエミッタを有する。
【００４９】第１の論理部２０４はＮＡＮＤゲート２３
０およびインバータ２３１を含む。ＮＡＮＤゲート２３
０はインバータ２１０の出力端子に接続された第１の入
力端子、インバータ２１２の出力端子に接続された第２
の入力端子、インバータ２１３の出力端子に接続された
第３の入力端子、および出力端子を有する。インバータ
２３１はＮＡＮＤゲート２３０の出力端子に接続された
入力端子、および出力端子を有する。
０およびインバータ２３１を含む。ＮＡＮＤゲート２３
０はインバータ２１０の出力端子に接続された第１の入
力端子、インバータ２１２の出力端子に接続された第２
の入力端子、インバータ２１３の出力端子に接続された
第３の入力端子、および出力端子を有する。インバータ
２３１はＮＡＮＤゲート２３０の出力端子に接続された
入力端子、および出力端子を有する。
【００５０】制御された遅延回路２０５はインバータ２
３１の出力端子に接続された入力端子、および出力端子
を有する。制御された遅延回路２０５は図５の制御され
た遅延回路１２５と同様のものでありかつ同じ参照数字
を有するトランジスタを含む。
３１の出力端子に接続された入力端子、および出力端子
を有する。制御された遅延回路２０５は図５の制御され
た遅延回路１２５と同様のものでありかつ同じ参照数字
を有するトランジスタを含む。
【００５１】第２の論理部２０６はインバータ２３２，
２３３および２３４を含む。インバータ２３２は入力端
子および出力端子を有する。インバータ２３３はインバ
ータ２３２の出力端子に接続された入力端子、および出
力端子を有する。インバータ２３４は制御された遅延回
路２０５の出力端子に接続された入力端子、およびイン
バータ２３２の入力端子に接続された出力端子を有す
る。
２３３および２３４を含む。インバータ２３２は入力端
子および出力端子を有する。インバータ２３３はインバ
ータ２３２の出力端子に接続された入力端子、および出
力端子を有する。インバータ２３４は制御された遅延回
路２０５の出力端子に接続された入力端子、およびイン
バータ２３２の入力端子に接続された出力端子を有す
る。
【００５２】ＢＩＣＭＯＳ ＮＡＮＤゲート２０７はＢ
ＩＣＭＯＳ ＮＡＮＤゲート２０３と同様のものであ
り、かつ同じ要素には同じ参照数字が割当てられてい
る。ＢＩＣＭＯＳ ＮＡＮＤゲート２０７においては、
トランジスタ２２４のソースは代りに付加的なＮチャネ
ルトランジスタ２２５のドレインに接続されている。ト
ランジスタ２２６のドレインは代りにトランジスタ２２
５のソースに接続されている。トランジスタ２２５のゲ
ートはインバータ２３４の出力端子に接続されている。
トランジスタ２２３のゲートは代りにインバータ２３３
の出力端子に接続されている。トランジスタ２２４のゲ
ートは代りにインバータ２３１の出力端子に接続されて
いる。ＢＩＣＭＯＳ ＮＡＮＤゲート２０７は信号＊Ｗ
１を出力として提供する。
ＩＣＭＯＳ ＮＡＮＤゲート２０３と同様のものであ
り、かつ同じ要素には同じ参照数字が割当てられてい
る。ＢＩＣＭＯＳ ＮＡＮＤゲート２０７においては、
トランジスタ２２４のソースは代りに付加的なＮチャネ
ルトランジスタ２２５のドレインに接続されている。ト
ランジスタ２２６のドレインは代りにトランジスタ２２
５のソースに接続されている。トランジスタ２２５のゲ
ートはインバータ２３４の出力端子に接続されている。
トランジスタ２２３のゲートは代りにインバータ２３３
の出力端子に接続されている。トランジスタ２２４のゲ
ートは代りにインバータ２３１の出力端子に接続されて
いる。ＢＩＣＭＯＳ ＮＡＮＤゲート２０７は信号＊Ｗ
１を出力として提供する。
【００５３】信号＊ＷＦＡＳＴは図１のコラムプリデコ
ーダ３６をイネーブルしかつ書込みイネーブル信号＊Ｗ
およびチップ選択信号＊Ｅ１およびＥ２がすべてアクテ
ィブになることに応答してアクティベイトされる。制御
された遅延回路２０２のトランジスタ１０１はその立上
り時間を制限しかつトランジスタ２２３および２２４が
導通するのを遅延させる。従って、もし信号＊Ｅ１およ
びＥ２がアクティブであれば、部分２００は信号＊ＷＦ
ＡＳＴのハイからローへの遷移を＊Ｗのハイからローへ
の遷移から遅延させる。信号＊Ｗ１は図３のデータ入力
バッファ３９における書込みドライバをイネーブルしか
つ入力信号＼Ｘ＼ＴＯ（Ｗ），＼Ｘ＼ＴＯ（Ｅ１）およ
びＥ２に対し信号＊ＷＦＡＳＴと同じ論理関係を有す
る。制御された遅延回路２０５はトランジスタ２２５と
共に信号＊Ｗ１のハイからローへの遷移に対して付加的
な遅延を与える。全体として、部分２００はｔＷＬＷＨ
／ｔＡＶＷＬのトレードオフにおいて約０．５ｎｓ．の
改善を与える。
ーダ３６をイネーブルしかつ書込みイネーブル信号＊Ｗ
およびチップ選択信号＊Ｅ１およびＥ２がすべてアクテ
ィブになることに応答してアクティベイトされる。制御
された遅延回路２０２のトランジスタ１０１はその立上
り時間を制限しかつトランジスタ２２３および２２４が
導通するのを遅延させる。従って、もし信号＊Ｅ１およ
びＥ２がアクティブであれば、部分２００は信号＊ＷＦ
ＡＳＴのハイからローへの遷移を＊Ｗのハイからローへ
の遷移から遅延させる。信号＊Ｗ１は図３のデータ入力
バッファ３９における書込みドライバをイネーブルしか
つ入力信号＼Ｘ＼ＴＯ（Ｗ），＼Ｘ＼ＴＯ（Ｅ１）およ
びＥ２に対し信号＊ＷＦＡＳＴと同じ論理関係を有す
る。制御された遅延回路２０５はトランジスタ２２５と
共に信号＊Ｗ１のハイからローへの遷移に対して付加的
な遅延を与える。全体として、部分２００はｔＷＬＷＨ
／ｔＡＶＷＬのトレードオフにおいて約０．５ｎｓ．の
改善を与える。
【００５４】図８は、図３のデータ入力バッファ３９を
部分的回路図形式および部分的ブロック形式で示す。デ
ータ入力バッファ３９は概略的にインバータ２４０、変
更された制御された遅延回路（ｍｏｄｉｆｉｅｄ ｃｏ
ｎｔｒｏｌｌｅｄ ｄｅｌａｙ ｃｉｒｃｕｉｔ）２４
１、インバータ２４２、制御された遅延回路２４３、制
御された遅延回路２４４、書込みドライバ回路２４５、
および書込みドライバ回路２４６を含む。インバータ２
４０は“ＤＸ”と名付けられたデータ入力信号を受ける
ための入力端子、および出力端子を有する。信号ＤＸは
ＤＡＴＡの信号の１つである。変更された制御された遅
延回路２４１はインバータ２４０の出力端子に接続され
た入力端子、および出力端子を有する。変更された制御
された遅延回路２４１は図５の制御された遅延回路１２
６と同様のものであるが、トランジスタ１３１のソース
が代りに抵抗２４８の第２の端子に接続されている点が
異なる。抵抗２４８の第１の端子はＶＤＤに接続されて
いる。インバータ２４２は変更された制御された遅延回
路２４１の出力端子に接続された入力端子、および出力
端子を有する。制御された遅延回路２４３はインバータ
２４２の出力端子に接続された入力端子、および“ＤＩ
ＮＸ”と名付けられた信号を提供するための出力端子を
有する。制御された遅延回路２４３は図５の制御された
遅延回路１２５と同様のものでありかつ同じ参照数字を
有するトランジスタを含む。制御された遅延回路２４４
は変更された制御された遅延回路２４１の出力端子に接
続された入力端子、および“＊ＤＩＮＸ”と名付けられ
た信号を提供するための出力端子を有する。制御された
遅延回路２４４は図５の制御された遅延回路１２５と同
様のものでありかつ同じ参照数字を有するトランジスタ
を含む。書込みドライバ回路２４５は信号ＤＩＮＸを受
けるための入力端子、信号＊Ｗ１を受けるためのイネー
ブル入力端子、および信号ＷＧＤＬＸを提供するための
出力端子を有する。書込みドライバ回路２４６は信号＊
ＤＩＮＸを受けるための入力端子、信号＊Ｗ１を受ける
ためのイネーブル入力端子、および信号＊ＷＧＤＬＸを
提供するための出力端子を有する。
部分的回路図形式および部分的ブロック形式で示す。デ
ータ入力バッファ３９は概略的にインバータ２４０、変
更された制御された遅延回路（ｍｏｄｉｆｉｅｄ ｃｏ
ｎｔｒｏｌｌｅｄ ｄｅｌａｙ ｃｉｒｃｕｉｔ）２４
１、インバータ２４２、制御された遅延回路２４３、制
御された遅延回路２４４、書込みドライバ回路２４５、
および書込みドライバ回路２４６を含む。インバータ２
４０は“ＤＸ”と名付けられたデータ入力信号を受ける
ための入力端子、および出力端子を有する。信号ＤＸは
ＤＡＴＡの信号の１つである。変更された制御された遅
延回路２４１はインバータ２４０の出力端子に接続され
た入力端子、および出力端子を有する。変更された制御
された遅延回路２４１は図５の制御された遅延回路１２
６と同様のものであるが、トランジスタ１３１のソース
が代りに抵抗２４８の第２の端子に接続されている点が
異なる。抵抗２４８の第１の端子はＶＤＤに接続されて
いる。インバータ２４２は変更された制御された遅延回
路２４１の出力端子に接続された入力端子、および出力
端子を有する。制御された遅延回路２４３はインバータ
２４２の出力端子に接続された入力端子、および“ＤＩ
ＮＸ”と名付けられた信号を提供するための出力端子を
有する。制御された遅延回路２４３は図５の制御された
遅延回路１２５と同様のものでありかつ同じ参照数字を
有するトランジスタを含む。制御された遅延回路２４４
は変更された制御された遅延回路２４１の出力端子に接
続された入力端子、および“＊ＤＩＮＸ”と名付けられ
た信号を提供するための出力端子を有する。制御された
遅延回路２４４は図５の制御された遅延回路１２５と同
様のものでありかつ同じ参照数字を有するトランジスタ
を含む。書込みドライバ回路２４５は信号ＤＩＮＸを受
けるための入力端子、信号＊Ｗ１を受けるためのイネー
ブル入力端子、および信号ＷＧＤＬＸを提供するための
出力端子を有する。書込みドライバ回路２４６は信号＊
ＤＩＮＸを受けるための入力端子、信号＊Ｗ１を受ける
ためのイネーブル入力端子、および信号＊ＷＧＤＬＸを
提供するための出力端子を有する。
【００５５】制御された遅延回路２４１はさらに信号Ｄ
Ｘのハイからローへの遷移に加えて該信号のローからハ
イへの遷移をも遅延するためにレジスタ２４８を含む。
制御された遅延回路２４３はＤＸのハイからローへの遷
移からＷＧＤＬＸのハイからローへの遷移まで遅延を加
え、かつ制御された遅延回路２４４はＤＸのローからハ
イへの遷移から＊ＷＧＤＬＸのハイからローへの遷移ま
での遅延を加える。データ入力バッファ３９はｔ
ＷＨＤＸ／ｔＤＶＷＨのトレードオフに約１．０ｎｓ．
の改善を提供する。
Ｘのハイからローへの遷移に加えて該信号のローからハ
イへの遷移をも遅延するためにレジスタ２４８を含む。
制御された遅延回路２４３はＤＸのハイからローへの遷
移からＷＧＤＬＸのハイからローへの遷移まで遅延を加
え、かつ制御された遅延回路２４４はＤＸのローからハ
イへの遷移から＊ＷＧＤＬＸのハイからローへの遷移ま
での遅延を加える。データ入力バッファ３９はｔ
ＷＨＤＸ／ｔＤＶＷＨのトレードオフに約１．０ｎｓ．
の改善を提供する。
【００５６】両方の信号遷移に対し補償を有する他の制
御された遅延回路も可能であることに注目すべきであ
る。そのような回路は、Ｐチャネルトランジスタのソー
スとＶＤＤの間の信号ＰＢＩＡＳによってバイアスされ
る（図４に示されるトランジスタ１０１のような）Ｐチ
ャネルトランジスタ、およびＮチャネルトランジスタの
ソースとＶＳＳの間の電圧ＮＢＩＡＳによってバイアス
される（図５に示されるトランジスタ１３３のような）
Ｎチャネルトランジスタの双方を含むことができる。必
要な領域または面積および入力信号のどの遷移が重要で
あるかのような他の考察事項によって、そのような二方
向遅延回路または遅延回路８２または１２５のいずれが
好ましいかを決定する。
御された遅延回路も可能であることに注目すべきであ
る。そのような回路は、Ｐチャネルトランジスタのソー
スとＶＤＤの間の信号ＰＢＩＡＳによってバイアスされ
る（図４に示されるトランジスタ１０１のような）Ｐチ
ャネルトランジスタ、およびＮチャネルトランジスタの
ソースとＶＳＳの間の電圧ＮＢＩＡＳによってバイアス
される（図５に示されるトランジスタ１３３のような）
Ｎチャネルトランジスタの双方を含むことができる。必
要な領域または面積および入力信号のどの遷移が重要で
あるかのような他の考察事項によって、そのような二方
向遅延回路または遅延回路８２または１２５のいずれが
好ましいかを決定する。
【００５７】図９は、図４の制御された遅延回路８２お
よび信号ＰＢＩＡＳを受ける他の制御された遅延回路の
ための第１の補償回路２５０を示す。補償回路２５０は
Ｐチヤネルトランジスタ２５１および電流源２５２を含
む。トランジスタ２５１はＶＤＤに接続されたソース、
ゲート、および信号ＰＢＩＡＳを提供しかつそのゲート
に接続されたドレインを有する。電流源２５２はトラン
ジスタ２５１のドレインに接続された第１の端子、およ
びＶＳＳに接続された第２の端子を有する。
よび信号ＰＢＩＡＳを受ける他の制御された遅延回路の
ための第１の補償回路２５０を示す。補償回路２５０は
Ｐチヤネルトランジスタ２５１および電流源２５２を含
む。トランジスタ２５１はＶＤＤに接続されたソース、
ゲート、および信号ＰＢＩＡＳを提供しかつそのゲート
に接続されたドレインを有する。電流源２５２はトラン
ジスタ２５１のドレインに接続された第１の端子、およ
びＶＳＳに接続された第２の端子を有する。
【００５８】補償回路２５０は電圧ＰＢＩＡＳをＰチャ
ネルトランジスタをバイアスするために提供して第１の
基準電流を導通させる。電流源２５２はバンドギャップ
基準回路によって制御される精密電流源である。第１の
基準電流は精密電流源で発生されるから、それは実質的
に電源電圧、温度および処理の変化に無関係である。さ
らに、ＰＢＩＡＳは第１の基準電流を導通させるために
トランジスタ２５１をバイアスするため必要な電圧とし
て発生される。ＰＢＩＡＳは電圧、温度および処理の変
化にもかかわらずこの関係を維持する。例えば、もしＶ
ＤＤが減少すると、ＰＢＩＡＳは同様にトランジスタ２
５１のゲート・ソース間電圧がトランジスタ２５１に前
記第１の基準電流を導通させるのに十分になるまで同様
に減少する。従って、ＰＢＩＡＳは図４の制御された遅
延回路８２におけるトランジスタ１０１のような、他の
Ｐチャネルトランジスタをバイアスして前記第１の基準
電流に比例する電流を導通させるために使用できる。こ
の好ましい実施例においては、トランジスタ１０１およ
び２５１のゲート長は適切なトラッキングを維持するた
めに等しくなっている。信号ＰＢＩＡＳは幾つかの制御
された遅延回路に共通とすることができることに注目す
べきである。
ネルトランジスタをバイアスするために提供して第１の
基準電流を導通させる。電流源２５２はバンドギャップ
基準回路によって制御される精密電流源である。第１の
基準電流は精密電流源で発生されるから、それは実質的
に電源電圧、温度および処理の変化に無関係である。さ
らに、ＰＢＩＡＳは第１の基準電流を導通させるために
トランジスタ２５１をバイアスするため必要な電圧とし
て発生される。ＰＢＩＡＳは電圧、温度および処理の変
化にもかかわらずこの関係を維持する。例えば、もしＶ
ＤＤが減少すると、ＰＢＩＡＳは同様にトランジスタ２
５１のゲート・ソース間電圧がトランジスタ２５１に前
記第１の基準電流を導通させるのに十分になるまで同様
に減少する。従って、ＰＢＩＡＳは図４の制御された遅
延回路８２におけるトランジスタ１０１のような、他の
Ｐチャネルトランジスタをバイアスして前記第１の基準
電流に比例する電流を導通させるために使用できる。こ
の好ましい実施例においては、トランジスタ１０１およ
び２５１のゲート長は適切なトラッキングを維持するた
めに等しくなっている。信号ＰＢＩＡＳは幾つかの制御
された遅延回路に共通とすることができることに注目す
べきである。
【００５９】図１０は、図５の制御された遅延回路１２
５および信号ＮＢＩＡＳを受ける他の制御された遅延回
路のための第２の補償回路２６０を示す。補償回路２６
０は電流源２６１およびＮチャネルトランジスタ２６２
を含む。電流源２６１はＶＤＤに接続された第１の端
子、および第２の端子を有する。トランジスタ２６２は
電流源２６１の第２の端子に接続されかつ信号ＮＢＩＡ
Ｓを提供するドレイン、そのドレインに接続されたゲー
ト、およびＶＳＳに接続されたソースを有する。
５および信号ＮＢＩＡＳを受ける他の制御された遅延回
路のための第２の補償回路２６０を示す。補償回路２６
０は電流源２６１およびＮチャネルトランジスタ２６２
を含む。電流源２６１はＶＤＤに接続された第１の端
子、および第２の端子を有する。トランジスタ２６２は
電流源２６１の第２の端子に接続されかつ信号ＮＢＩＡ
Ｓを提供するドレイン、そのドレインに接続されたゲー
ト、およびＶＳＳに接続されたソースを有する。
【００６０】補償回路２６０は第２の基準電流を導通さ
せるためにＮチャネルトランジスタをバイアスするため
電圧ＮＢＩＡＳを提供する。電流源２６１はバンドギャ
ップ基準回路によって制御される精密電流源である。第
２の基準電流は精密電流源によって発生されるから、そ
れは実質的に電源電圧、温度および処理の変化に無関係
である。さらに、ＮＢＩＡＳはトランジスタ２６２をバ
イアスして前記第２の基準電流を導通させるために必要
な電圧として発生される。ＮＢＩＡＳはこの関係を電
圧、温度および処理の変化にかかわらず維持する。例え
ば、もしＮチャネルトランジスタのしきい値が減少すれ
ば、ＮＢＩＡＳも同様にトランジスタ２６２のゲート・
ソース間電圧がトランジスタ２６２にちょうど前記第２
の基準電流を導通させるのに十分なほど小さくなるまで
同様に減少する。従って、ＮＢＩＡＳは、図５の制御さ
れた遅延回路１２５におけるトランジスタ１３３のよう
な、他のＮチャネルトランジスタをバイアスして前記第
２の基準電流に比例する電流を導通させるために使用す
ることができる。この好ましい実施例においては、トラ
ンジスタ１３３および２６２のゲート長は適切なトラッ
キングを維持するために等しくされている。ＮＢＩＡＳ
もまた幾つかの制御された遅延回路によって共有するこ
とができる。
せるためにＮチャネルトランジスタをバイアスするため
電圧ＮＢＩＡＳを提供する。電流源２６１はバンドギャ
ップ基準回路によって制御される精密電流源である。第
２の基準電流は精密電流源によって発生されるから、そ
れは実質的に電源電圧、温度および処理の変化に無関係
である。さらに、ＮＢＩＡＳはトランジスタ２６２をバ
イアスして前記第２の基準電流を導通させるために必要
な電圧として発生される。ＮＢＩＡＳはこの関係を電
圧、温度および処理の変化にかかわらず維持する。例え
ば、もしＮチャネルトランジスタのしきい値が減少すれ
ば、ＮＢＩＡＳも同様にトランジスタ２６２のゲート・
ソース間電圧がトランジスタ２６２にちょうど前記第２
の基準電流を導通させるのに十分なほど小さくなるまで
同様に減少する。従って、ＮＢＩＡＳは、図５の制御さ
れた遅延回路１２５におけるトランジスタ１３３のよう
な、他のＮチャネルトランジスタをバイアスして前記第
２の基準電流に比例する電流を導通させるために使用す
ることができる。この好ましい実施例においては、トラ
ンジスタ１３３および２６２のゲート長は適切なトラッ
キングを維持するために等しくされている。ＮＢＩＡＳ
もまた幾つかの制御された遅延回路によって共有するこ
とができる。
【００６１】本発明の１つの特徴は、前記遅延手段（８
２，２５０，１２５，２６０）が第１のＰチャネルトラ
ンジスタ（１０１）、第２のトランジスタ（１０２）、
および第３のトランジスタ（１０３）を具備することで
ある。第１のＰチャネルトランジスタ（１０１）は第１
の電源電圧端子に結合されたソース、バイアス信号を受
けるためのゲート、およびドレインを有する。第２のト
ランジスタ（１０２）は前記第１のトランジスタ（１０
１）のドレインに接続された第１の電流電極、入力信号
を受けるための制御電極、および第２の電流電極を有す
る。第３のトランジスタ（１０３）は前記第２のトラン
ジスタ（１０２）の前記第２の電流電極に接続された第
１の電流電極、前記入力電圧を受けるための制御電極、
および第２の電源電圧端子に接続された第２の電流電極
を有する。前記補償手段（２５０）は前記第１のＰチヤ
ネルトランジスタをバイアスして基準電流を導通させる
ためにバイアス信号を発生する。
２，２５０，１２５，２６０）が第１のＰチャネルトラ
ンジスタ（１０１）、第２のトランジスタ（１０２）、
および第３のトランジスタ（１０３）を具備することで
ある。第１のＰチャネルトランジスタ（１０１）は第１
の電源電圧端子に結合されたソース、バイアス信号を受
けるためのゲート、およびドレインを有する。第２のト
ランジスタ（１０２）は前記第１のトランジスタ（１０
１）のドレインに接続された第１の電流電極、入力信号
を受けるための制御電極、および第２の電流電極を有す
る。第３のトランジスタ（１０３）は前記第２のトラン
ジスタ（１０２）の前記第２の電流電極に接続された第
１の電流電極、前記入力電圧を受けるための制御電極、
および第２の電源電圧端子に接続された第２の電流電極
を有する。前記補償手段（２５０）は前記第１のＰチヤ
ネルトランジスタをバイアスして基準電流を導通させる
ためにバイアス信号を発生する。
【００６２】本発明の他の特徴は、前記補償手段（２５
０）が第４のＰチャネルトランジスタ（２５１）および
精密電流源（２５２）を具備することである。前記第４
のＰチャネルトランジスタ（２５１）は前記第１の電源
電圧端子に結合されたソース、ゲート、およびそのゲー
トに接続されかつ前記バイアス信号を提供するドレイン
を有する。前記精密電流源（２５２）は前記第４のＰチ
ャネルトランジスタのドレインに結合された第１の端
子、および前記第２の電源電圧端子に接続された第２の
端子、精密電流をその第１の端子から第２の端子に導く
精密電流源を有する。
０）が第４のＰチャネルトランジスタ（２５１）および
精密電流源（２５２）を具備することである。前記第４
のＰチャネルトランジスタ（２５１）は前記第１の電源
電圧端子に結合されたソース、ゲート、およびそのゲー
トに接続されかつ前記バイアス信号を提供するドレイン
を有する。前記精密電流源（２５２）は前記第４のＰチ
ャネルトランジスタのドレインに結合された第１の端
子、および前記第２の電源電圧端子に接続された第２の
端子、精密電流をその第１の端子から第２の端子に導く
精密電流源を有する。
【００６３】本発明のさらに他の特徴は、前記遅延手段
が第１のトランジスタ（１３１）、第２のトランジスタ
（１３２）、および第３のＮチャネルトランジスタ（１
３３）を具備することである。前記第１のトランジスタ
（１３１）は第１の電源電圧端子に接続された第１の電
流電極、入力信号を受けるための制御電極、および第２
の電流電極を有する。前記第２のトランジスタ（１３
２）は前記第１のトランジスタ（１３１）の第２の電流
電極に接続された第１の電流電極、前記入力信号を受け
るための制御電極、および第２の電流電極を有する。前
記第３のＮチャネルトランジスタ（１３３）は前記第２
のトランジスタ（１３２）の第２の電流電極に接続され
たドレイン、第２のバイアス信号を受けるためのゲー
ト、および第２の電源電圧端子に結合されたソースを有
する。前記補償手段（２６０）は基準電流を導通させる
ために該Ｎチャネルトランジスタをバイアスするため前
記第２のバイアス信号を発生する。
が第１のトランジスタ（１３１）、第２のトランジスタ
（１３２）、および第３のＮチャネルトランジスタ（１
３３）を具備することである。前記第１のトランジスタ
（１３１）は第１の電源電圧端子に接続された第１の電
流電極、入力信号を受けるための制御電極、および第２
の電流電極を有する。前記第２のトランジスタ（１３
２）は前記第１のトランジスタ（１３１）の第２の電流
電極に接続された第１の電流電極、前記入力信号を受け
るための制御電極、および第２の電流電極を有する。前
記第３のＮチャネルトランジスタ（１３３）は前記第２
のトランジスタ（１３２）の第２の電流電極に接続され
たドレイン、第２のバイアス信号を受けるためのゲー
ト、および第２の電源電圧端子に結合されたソースを有
する。前記補償手段（２６０）は基準電流を導通させる
ために該Ｎチャネルトランジスタをバイアスするため前
記第２のバイアス信号を発生する。
【００６４】本発明のさらに他の特徴は、前記補償手段
（２６０）が精密電流源（２６１）および第４のＮチャ
ネルトランジスタ（２６２）を具備することである。前
記精密電流源（２６１）は第１の電源電圧端子に接続さ
れた第１の端子、および第２の端子を有し、前記精密電
流源（２６２）はその前記第１の端子から前記第２の端
子に精密電流を導通させる。前記第４のＮチャネルトラ
ンジスタ（２６２）は前記精密電流源（２６１）の第２
の端子に接続されかつそこに第２のバイアス信号を提供
するドレイン、そのドレインに接続されたゲート、およ
び前記第２の電源電圧端子に結合されたソースを有す
る。
（２６０）が精密電流源（２６１）および第４のＮチャ
ネルトランジスタ（２６２）を具備することである。前
記精密電流源（２６１）は第１の電源電圧端子に接続さ
れた第１の端子、および第２の端子を有し、前記精密電
流源（２６２）はその前記第１の端子から前記第２の端
子に精密電流を導通させる。前記第４のＮチャネルトラ
ンジスタ（２６２）は前記精密電流源（２６１）の第２
の端子に接続されかつそこに第２のバイアス信号を提供
するドレイン、そのドレインに接続されたゲート、およ
び前記第２の電源電圧端子に結合されたソースを有す
る。
【００６５】本発明のさらに他の特徴は、前記遅延手段
（１４４）が第１のトランジスタ（１３１）、第２のト
ランジスタ（１３２）、第３のＮチャネルトランジスタ
（１３３）、第４のＰチャネルトランジスタ（１０
１）、第５のトランジスタ（１０２）、および第６のト
ランジスタ（１０３）を具備することである。前記第１
のトランジスタ（１３１）は第１の電源電圧端子に結合
された第１の電流電極、入力信号を受けるための制御電
極、および第２の電流電極を有する。前記第２のトラン
ジスタ（１３２）は前記第１のトランジスタ（１３１）
の前記第２の電流電極に結合された第１の電流電極、前
記入力信号を受けるための制御電極、および第２の電流
電極を有する。第３のＮチャネルトランジスタ（１３
３）は前記第２のトランジスタ（１３２）の前記第２の
電流電極に接続されたドレイン、第１のバイアス信号を
受けるためのゲート、および第２の電源電圧端子に結合
されたソースを有する。前記第４のＰチャネルトランジ
スタ（１０１）は前記第１の電源電圧端子に結合された
ソース、第２のバイアス信号を受けるためのゲート、お
よびドレインを有する。前記第５のトランジスタ（１０
２）は前記第４のＰチャネルトランジスタ（１０１）の
ドレインに結合された第１の電流電極、前記第１のトラ
ンジスタ（１３１）の第２の電流電極に結合された制御
電極、および第２の電流電極を有する。前記第６のトラ
ンジスタ（１０３）は前記第５のトランジスタ（１０
２）の第２の電流電極に接続された第１の電流電極、前
記第１のトランジスタ（１３１）の第２の電流電極に接
続された制御電極、および前記第２の電源電圧端子に結
合された第２の電流電極を有する。前記補償手段（２５
０，２６０）は基準電流を導通させるために前記第３の
Ｎチャネルトランジスタ（１３３）をバイアスするため
前記第１のバイアス信号を発生し、かつ第２の基準電流
を導通するために前記第４のＰチャネルトランジスタ
（１０１）をバイアスするため第２のバイアス信号を発
生する。
（１４４）が第１のトランジスタ（１３１）、第２のト
ランジスタ（１３２）、第３のＮチャネルトランジスタ
（１３３）、第４のＰチャネルトランジスタ（１０
１）、第５のトランジスタ（１０２）、および第６のト
ランジスタ（１０３）を具備することである。前記第１
のトランジスタ（１３１）は第１の電源電圧端子に結合
された第１の電流電極、入力信号を受けるための制御電
極、および第２の電流電極を有する。前記第２のトラン
ジスタ（１３２）は前記第１のトランジスタ（１３１）
の前記第２の電流電極に結合された第１の電流電極、前
記入力信号を受けるための制御電極、および第２の電流
電極を有する。第３のＮチャネルトランジスタ（１３
３）は前記第２のトランジスタ（１３２）の前記第２の
電流電極に接続されたドレイン、第１のバイアス信号を
受けるためのゲート、および第２の電源電圧端子に結合
されたソースを有する。前記第４のＰチャネルトランジ
スタ（１０１）は前記第１の電源電圧端子に結合された
ソース、第２のバイアス信号を受けるためのゲート、お
よびドレインを有する。前記第５のトランジスタ（１０
２）は前記第４のＰチャネルトランジスタ（１０１）の
ドレインに結合された第１の電流電極、前記第１のトラ
ンジスタ（１３１）の第２の電流電極に結合された制御
電極、および第２の電流電極を有する。前記第６のトラ
ンジスタ（１０３）は前記第５のトランジスタ（１０
２）の第２の電流電極に接続された第１の電流電極、前
記第１のトランジスタ（１３１）の第２の電流電極に接
続された制御電極、および前記第２の電源電圧端子に結
合された第２の電流電極を有する。前記補償手段（２５
０，２６０）は基準電流を導通させるために前記第３の
Ｎチャネルトランジスタ（１３３）をバイアスするため
前記第１のバイアス信号を発生し、かつ第２の基準電流
を導通するために前記第４のＰチャネルトランジスタ
（１０１）をバイアスするため第２のバイアス信号を発
生する。
【００６６】本発明のさらに他の特徴は、前記アドレス
入力バッファがローアドレスを受信し、かつ前記複数の
デコードされた選択信号が複数のロー選択信号を含むこ
とである。
入力バッファがローアドレスを受信し、かつ前記複数の
デコードされた選択信号が複数のロー選択信号を含むこ
とである。
【００６７】本発明のさらに他の特徴は、前記遅延手段
（８２，２５０，１２５，２６０，１４３，１４４）が
前記書込みイネーブル信号のアクティブ−インアクティ
ブ遷移によって第２の内部書込み信号を遅延させる手段
（１２５，２６０）を含むことである。
（８２，２５０，１２５，２６０，１４３，１４４）が
前記書込みイネーブル信号のアクティブ−インアクティ
ブ遷移によって第２の内部書込み信号を遅延させる手段
（１２５，２６０）を含むことである。
【００６８】本発明のさらに他の特徴は、前記遅延手段
（８２，２５０，１２５，２６０，１４３，１４４）が
前記書込みイネーブル信号のインアクティブ−アクティ
ブ遷移に応じて第１の内部書込み信号を遅延させるため
の手段（２０２，２５０）を含むことである。
（８２，２５０，１２５，２６０，１４３，１４４）が
前記書込みイネーブル信号のインアクティブ−アクティ
ブ遷移に応じて第１の内部書込み信号を遅延させるため
の手段（２０２，２５０）を含むことである。
【００６９】本発明のさらに他の特徴は、前記遅延手段
（８２，２５０，１２５，２６０，１４３，１４４）が
前記書込みイネーブル信号のアクティブ−インアクティ
ブ遷移に応じて第３の内部書込み信号を遅延させる手段
（２０２，２５０）を含むことである。
（８２，２５０，１２５，２６０，１４３，１４４）が
前記書込みイネーブル信号のアクティブ−インアクティ
ブ遷移に応じて第３の内部書込み信号を遅延させる手段
（２０２，２５０）を含むことである。
【００７０】本発明のさらに他の特徴は、前記メモリが
さらにデータ出力手段（３８）を具備することである。
該データ出力手段（３８）は読出し／書込み手段（３
５）におよび前記メモリ本体部（３４）に接続され、か
つ選択信号に応じて内部データ信号をデータ出力信号と
して提供する。前記メモリ本体部（３４）は読出しサイ
クルの間前記内部データ信号を提供する。前記遅延手段
（８２，２５０，１２５，２６０，１４３，１４４）は
前記書込みイネーブル信号のアクティブ−インアクティ
ブ遷移に応じて前記選択信号を遅延させる手段（１４
３）を含む。
さらにデータ出力手段（３８）を具備することである。
該データ出力手段（３８）は読出し／書込み手段（３
５）におよび前記メモリ本体部（３４）に接続され、か
つ選択信号に応じて内部データ信号をデータ出力信号と
して提供する。前記メモリ本体部（３４）は読出しサイ
クルの間前記内部データ信号を提供する。前記遅延手段
（８２，２５０，１２５，２６０，１４３，１４４）は
前記書込みイネーブル信号のアクティブ−インアクティ
ブ遷移に応じて前記選択信号を遅延させる手段（１４
３）を含む。
【００７１】本発明のさらに他の特徴は、前記遅延手段
（８２，２５０，１２５，２６０，１４３，１４４）が
前記チップ選択信号のインアクティブ−アクティブ遷移
に応じて選択信号を遅延させるための手段（１４４）を
含むことである。
（８２，２５０，１２５，２６０，１４３，１４４）が
前記チップ選択信号のインアクティブ−アクティブ遷移
に応じて選択信号を遅延させるための手段（１４４）を
含むことである。
【００７２】本発明のさらに他の特徴は、前記データ入
力手段（３９）が内部データ信号（２４１，２４３，２
４４，２６０）を遅延させるための手段（２４１，２４
３，２４４）を含み、該内部データ信号（２４１，２４
３，２４４，２６０）を遅延させるための手段は電圧、
温度および処理の変化に対して前記内部データ信号を遅
延させるための手段（２４１，２４３，２４４，２６
０）を補償するための手段（２６０）を含む。
力手段（３９）が内部データ信号（２４１，２４３，２
４４，２６０）を遅延させるための手段（２４１，２４
３，２４４）を含み、該内部データ信号（２４１，２４
３，２４４，２６０）を遅延させるための手段は電圧、
温度および処理の変化に対して前記内部データ信号を遅
延させるための手段（２４１，２４３，２４４，２６
０）を補償するための手段（２６０）を含む。
【００７３】本発明のさらに他の特徴は、前記アドレス
入力バッファが前記バッファリングされたアドレスのロ
ーからハイへの遷移を遅延させるための手段（８２，２
５０）を含み、該手段は電圧、温度および処理の変動に
対し前記バッファリングされたアドレスのローからハイ
への遷移を遅延させるための前記手段（８２，２５０）
を補償するための手段（２５０）を含む。
入力バッファが前記バッファリングされたアドレスのロ
ーからハイへの遷移を遅延させるための手段（８２，２
５０）を含み、該手段は電圧、温度および処理の変動に
対し前記バッファリングされたアドレスのローからハイ
への遷移を遅延させるための前記手段（８２，２５０）
を補償するための手段（２５０）を含む。
【００７４】本発明が好ましい実施例に関して説明され
たが、当業者には本発明は数多くの方法で変更すること
ができかつ上に特定的に説明された以外の数多くの実施
例を取り得ることが明らかである。例えば、スペースを
犠牲にしても、適切な場合は、二方向遅延回路を代用で
きる。また、他のタイプの補償回路も可能であるが、も
しＰＢＩＡＳおよびＮＢＩＡＳが動作状態において適切
に変化を追跡しなければ知られた遅延回路に対するそれ
らの利点を失うことになる。さらに、遅延回路８２と同
様の遅延回路におけるＰチャネルトランジスタのソース
を正の電源電圧端子と異なる電圧に接続してさらに制御
を行うことができる。従って、添付の特許請求の範囲は
本発明の真の精神および範囲内にある本発明のすべての
変形をカバーするものと考える。
たが、当業者には本発明は数多くの方法で変更すること
ができかつ上に特定的に説明された以外の数多くの実施
例を取り得ることが明らかである。例えば、スペースを
犠牲にしても、適切な場合は、二方向遅延回路を代用で
きる。また、他のタイプの補償回路も可能であるが、も
しＰＢＩＡＳおよびＮＢＩＡＳが動作状態において適切
に変化を追跡しなければ知られた遅延回路に対するそれ
らの利点を失うことになる。さらに、遅延回路８２と同
様の遅延回路におけるＰチャネルトランジスタのソース
を正の電源電圧端子と異なる電圧に接続してさらに制御
を行うことができる。従って、添付の特許請求の範囲は
本発明の真の精神および範囲内にある本発明のすべての
変形をカバーするものと考える。
【００７５】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、高速度
で動作しかつ電圧、温度および処理の広範囲の変動に対
しても仕様に従って適切に動作できるメモリが実現でき
る。
で動作しかつ電圧、温度および処理の広範囲の変動に対
しても仕様に従って適切に動作できるメモリが実現でき
る。
【図１】従来技術において知られた第１の遅延回路を示
す回路図である。
す回路図である。
【図２】従来技術において知られた第２の遅延回路を示
す回路図である。
す回路図である。
【図３】本発明に係わる電圧、温度および処理の変動に
対する補償を備えたメモリを示すブロック図である。
対する補償を備えたメモリを示すブロック図である。
【図４】図３のアドレス入力バッファ５６の１つを部分
的に回路図形式でかつ部分的にブロック形式で示すブロ
ック回路図である。
的に回路図形式でかつ部分的にブロック形式で示すブロ
ック回路図である。
【図５】図３の読出し／書込み論理回路の第１の部分を
部分的に回路図形式でかつ部分的にブロック図形式で示
すブロック回路図である。
部分的に回路図形式でかつ部分的にブロック図形式で示
すブロック回路図である。
【図６】図３の読出し／書込み論理回路の第２の部分を
部分的に回路図形式でかつ部分的にブロック図形式で示
すブロック回路図である。
部分的に回路図形式でかつ部分的にブロック図形式で示
すブロック回路図である。
【図７】図３の読出し／書込み論理回路の第３の部分を
部分的に回路図形式でかつ部分的にブロック図形式で示
すブロック回路図である。
部分的に回路図形式でかつ部分的にブロック図形式で示
すブロック回路図である。
【図８】図３のデータ入力バッファを部分的に回路図形
式でかつ部分的にブロック図形式で示すブロック回路図
である。
式でかつ部分的にブロック図形式で示すブロック回路図
である。
【図９】信号ＰＢＩＡＳを受ける制御された遅延回路の
ための第１の補償回路を示す回路図である。
ための第１の補償回路を示す回路図である。
【図１０】信号ＮＢＩＡＳを受ける制御された遅延回路
のための第２の補償回路を示す回路図である。
のための第２の補償回路を示す回路図である。
３０ メモリ ３１ ブロックプリデコーダ ３２ ローデコーダ ３３ 入力／出力部 ３４ メモリブロック部 ３５ 読出し／書込み論理ブロック ３６ コラムプリデコーダ ３７ 組合わされたグローバルデータライン付加および
マルチプレクサ部 ３８ データ出力バッファ ３９ データ入力バッファ ４０，４１，…，５５ メモリブロック ５６ アドレス入力バッファ
マルチプレクサ部 ３８ データ出力バッファ ３９ データ入力バッファ ４０，４１，…，５５ メモリブロック ５６ アドレス入力バッファ
フロントページの続き (72)発明者 リューイ・ジェイ・ユウ アメリカ合衆国テキサス州78750、オー スチン、テイターウッド・ドライブ 11402 (56)参考文献 特開 平１−211298（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11C 11/40 - 11/419
Claims (3)
- 【請求項１】 電圧、温度および処理の変動に対する補
償を備えたメモリ（３０）であって、 複数の入力信号を受け、かつそれに応じて複数の内部信
号を提供するための入力手段（３５，３８，５６）、 複数のデコードされた信号によって決定される位置に複
数のメモリビットを記憶するためのメモリ本体部（３
４）、そして前記入力手段（３５，３８，５６）にかつ
前記メモリ本体部（３４）に結合され、前記複数の内部
信号に応答して前記複数のデコードされた信号の少なく
とも１つをアクティベイトするためのデコード手段（３
１，３２，３６）、 を具備し、前記入力手段（３５，３８，５６）は前記内
部信号の内の少なくとも１つの少なくとも１つの遷移を
第１の遅延量だけ遅延させるための遅延手段（８２，２
５０，１２５，２６０）を含み、前記遅延手段（８２，
２５０，１２５，２６０，１４４）は電圧、温度および
処理の変動に対し前記第１の遅延量を実質的に一定に保
つために前記遅延手段（８２，２５０，１２５，２６
０，１４４）を補償するための手段（２５０，２６０）
を含むことを特徴とする電圧、温度および処理の変動に
対する補償を備えたメモリ（３０）。 - 【請求項２】 電圧、温度および処理の変動に対する補
償を備えたメモリ（３０）であって、 複数のアドレス信号を受け、かつそれに応じて複数の対
応するバッファリングされたアドレス信号を提供するた
めのアドレス入力バッファ（３０）であって、該アドレ
ス入力バッファは前記バッファリングされたアドレス信
号の各々の第１の所定の遷移を第１の遅延量だけ遅延さ
せるための遅延手段（８２）を有し、前記遅延手段（８
２）は電圧、温度および処理の変動に対し前記第１の遅
延量を実質的に一定に保つために前記遅延手段（８２）
を補償するための手段（２５０，２６０）を含むもの、 前記アドレス入力バッファ（３０）に結合され前記複数
のバッファリングされたアドレス信号の前記第１の所定
の遷移に応じて複数のデコードされた選択信号の内のあ
るデコードされた選択信号をアクティベイトするための
デコード手段（３２）、そして前記デコード手段（３
２）に結合され、前記少なくとも１つのデコードされた
選択信号および第２のアドレスによって決定される位置
において記憶される複数のメモリビットを有するメモリ
本体部（３４）、 を具備することを特徴とする電圧、温度および処理の変
動に対する補償を備えたメモリ（３０）。 - 【請求項３】 電圧、温度および処理の変動に対する補
償を備えたメモリ（３０）であって、 入力アドレスを受信し、かつそれに応じてバッファリン
グされたアドレスを提供するためのアドレス入力バッフ
ァ（５６）、 前記アドレス入力バッファ（５６）に結合され、前記バ
ッファリングされたローアドレスに応じて複数のワード
線の内のあるワード線を選択するためのローデコード手
段（３１，３２）、 前記メモリ本体部（３４）に結合され、第１の内部書込
み信号によってイネーブルされた時コラムアドレスに応
じて複数の書込みコラム選択信号の内のある書込みコラ
ム選択信号を提供するためのコラムデコード手段（３
６）、 前記ローデコード手段（３１，３２）および前記コラム
デコード手段（３６）に結合され、第２の内部書込み信
号に応じて前記ローデコード手段（３２）および前記コ
ラムデコード手段（３６）によって選択された位置にデ
ータビットを記憶するためのメモリ本体部（３４）、 第３の内部書込み信号によってイネーブルされた時デー
タ信号を受信してそれに応じて内部データ信号を前記メ
モリ本体部（３４）に提供するためのデータ入力手段
（３９）、そして前記コラムデコーダ（３６）、前記デ
ータ入力バッファ（３９）および前記メモリ本体部（３
４）に結合され、チップ選択信号、書込みイネーブル信
号および出力イネーブル信号を含む複数の制御信号を受
信し、かつそれに応じて前記第１、第２および第３の内
部書込み信号および前記選択信号を提供するための読出
し／書込み論理手段（３５）、 を具備し、前記読出し／書込み論理手段（３５）は前記
第１、第２および第３の内部書込み信号および前記選択
信号の内の少なくとも１つの所定の遷移を第１の遅延量
だけ遅延させるための遅延手段（８２，２５０，１２
５，２６０，１４３，１４４）を含み、該遅延手段（８
２，２５０，１２５，２６０）は電圧、温度および処理
の変動に対し前記第１の遅延量を実質的に一定に保つた
めに前記遅延手段（８２，２５０，１２５，２６０，１
４３，１４４）を補償するための手段（２５０，２６
０）を含むことを特徴とする電圧、温度および処理の変
動に対する補償を備えたメモリ（３０）。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US824,666 | 1992-01-23 | ||
| US07/824,666 US5303191A (en) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | Memory with compensation for voltage, temperature, and processing variations |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05258575A JPH05258575A (ja) | 1993-10-08 |
| JP3100488B2 true JP3100488B2 (ja) | 2000-10-16 |
Family
ID=25242011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05023267A Expired - Lifetime JP3100488B2 (ja) | 1992-01-23 | 1993-01-18 | 電圧、温度および処理の変動に対する補償を備えたメモリ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5303191A (ja) |
| EP (1) | EP0552625A2 (ja) |
| JP (1) | JP3100488B2 (ja) |
| KR (1) | KR100199912B1 (ja) |
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