JP3083698B2 - ガス放電表示パネル - Google Patents
ガス放電表示パネルInfo
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- JP3083698B2 JP3083698B2 JP2133994A JP2133994A JP3083698B2 JP 3083698 B2 JP3083698 B2 JP 3083698B2 JP 2133994 A JP2133994 A JP 2133994A JP 2133994 A JP2133994 A JP 2133994A JP 3083698 B2 JP3083698 B2 JP 3083698B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は交流型のガス放電表示
パネルに関する。
パネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】交流型のガス放電表示パネルでは、表示
用電極上に順次に、壁電荷蓄積用誘電体及び保護膜を設
ける。そして表示のために対を成す一対の表示用電極の
間で、壁電荷蓄積用誘電体を介して電荷をやり取りし、
これにより放電ガスのプラズマ放電を生じさせる。保護
膜はプラズマ放電形成時に壁電荷蓄積用誘電体が損傷す
るのを防止するためのものである。一般には、放電開始
電圧をも低減できるＭｇＯ保護膜が用いられる。
用電極上に順次に、壁電荷蓄積用誘電体及び保護膜を設
ける。そして表示のために対を成す一対の表示用電極の
間で、壁電荷蓄積用誘電体を介して電荷をやり取りし、
これにより放電ガスのプラズマ放電を生じさせる。保護
膜はプラズマ放電形成時に壁電荷蓄積用誘電体が損傷す
るのを防止するためのものである。一般には、放電開始
電圧をも低減できるＭｇＯ保護膜が用いられる。
【０００３】ＭｇＯ保護膜の形成方法には、薄膜形成技
術を用いる方法（文献１：テレビジョン学会技術報告
ＩＤＹ９３−２ ｐ７〜１２特にｐ８参照）や、スクリ
ーン印刷法を用いる方法（文献２：テレビジョン学会技
術報告 ＩＤＹ９３−１０６ｐ７〜１２特にｐ８参照）
がある。大画面表示のガス放電表示パネルを作成する場
合、薄膜形成技術を用いると大型な薄膜形成装置が必要
となるのでコスト高となる。従ってコスト低減にはスク
リーン印刷法を用いる方が有利である。
術を用いる方法（文献１：テレビジョン学会技術報告
ＩＤＹ９３−２ ｐ７〜１２特にｐ８参照）や、スクリ
ーン印刷法を用いる方法（文献２：テレビジョン学会技
術報告 ＩＤＹ９３−１０６ｐ７〜１２特にｐ８参照）
がある。大画面表示のガス放電表示パネルを作成する場
合、薄膜形成技術を用いると大型な薄膜形成装置が必要
となるのでコスト高となる。従ってコスト低減にはスク
リーン印刷法を用いる方が有利である。
【０００４】スクリーン印刷法を用いる場合、ＭｇＯ粉
末を含むペーストを積層後に焼成して、ＭｇＯ保護膜を
形成する。文献２によれば、放電開始電圧を低減するた
めにはＭｇＯ保護膜の膜厚を薄くすることが好ましく、
またＭｇＯ保護膜の活性化を容易にするためにはＭｇＯ
粒子径を大きくすることが好ましいことが報告されてい
る。
末を含むペーストを積層後に焼成して、ＭｇＯ保護膜を
形成する。文献２によれば、放電開始電圧を低減するた
めにはＭｇＯ保護膜の膜厚を薄くすることが好ましく、
またＭｇＯ保護膜の活性化を容易にするためにはＭｇＯ
粒子径を大きくすることが好ましいことが報告されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらＭｇＯ保
護膜を薄くし或はＭｇＯ粒子径を大きくすると、ＭｇＯ
保護膜にピンホールを生じ易くなり、その結果パネル寿
命が短くなる。
護膜を薄くし或はＭｇＯ粒子径を大きくすると、ＭｇＯ
保護膜にピンホールを生じ易くなり、その結果パネル寿
命が短くなる。
【０００６】ピンホールの発生を防止するためには、Ｍ
ｇＯ粒子径を小さくする必要がある。しかしながらＭｇ
Ｏ粒子径を小さくすると、ガス放電表示パネルの特性、
例えば最高放電開始電圧Ｖf max 及び最高放電維持電圧
Ｖs max や発光効率が劣化する。
ｇＯ粒子径を小さくする必要がある。しかしながらＭｇ
Ｏ粒子径を小さくすると、ガス放電表示パネルの特性、
例えば最高放電開始電圧Ｖf max 及び最高放電維持電圧
Ｖs max や発光効率が劣化する。
【０００７】そこでこの出願の発明者等は種々の検討を
行ったところ、文献２においては海水法（湿式法とも称
す）で形成したＭｇＯ粒子を用いており、これがパネル
特性劣化の一因であることに気付いた。海水法は、Ｍｇ
（ＯＨ）2 粒子を加熱脱水してＭｇＯ粒子を形成するも
のであり、その加熱脱水工程や粒子形成或は粒径微細化
のための機械的粉砕工程により、ＭｇＯ粒子の表面形状
が複雑に成り易い。従ってＭｇＯ粒子表面の凹凸が大き
くなる。また海水法ではＭｇＯ粒子中に不純物が混入し
易くＭｇＯ粒子の純度も劣化し易い。これらの要因、特
に粒子表面の凹凸が大きいことに起因してＭｇＯ粒子の
活性化が難しくなり、その結果、パネル特性が劣化する
と考えられる。
行ったところ、文献２においては海水法（湿式法とも称
す）で形成したＭｇＯ粒子を用いており、これがパネル
特性劣化の一因であることに気付いた。海水法は、Ｍｇ
（ＯＨ）2 粒子を加熱脱水してＭｇＯ粒子を形成するも
のであり、その加熱脱水工程や粒子形成或は粒径微細化
のための機械的粉砕工程により、ＭｇＯ粒子の表面形状
が複雑に成り易い。従ってＭｇＯ粒子表面の凹凸が大き
くなる。また海水法ではＭｇＯ粒子中に不純物が混入し
易くＭｇＯ粒子の純度も劣化し易い。これらの要因、特
に粒子表面の凹凸が大きいことに起因してＭｇＯ粒子の
活性化が難しくなり、その結果、パネル特性が劣化する
と考えられる。
【０００８】この発明はこのような点に鑑み成されたも
のであり、この発明の目的は、ピンホールが少なくかつ
パネル特性の劣化の少ないＭｇＯ保護膜を備えたガス放
電表示パネルを提供することにある。
のであり、この発明の目的は、ピンホールが少なくかつ
パネル特性の劣化の少ないＭｇＯ保護膜を備えたガス放
電表示パネルを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、第一発明の交流型ガス放電表示パネルは、放電空間
を挟んで相対向する一方及び他方の基板と少なくとも一
方の基板上に設けた表示用電極と表示用電極上に順次に
設けた壁電荷蓄積用誘電体及び保護膜とを備え、保護膜
を、表面凹凸の小さな（或は少ない）複数の粒子をバイ
ンダーで結合して成る焼成体とし、実測した粒子径が、
ベット値から求めた粒子径の５倍以内の大きさであるこ
とを特徴とする。
め、第一発明の交流型ガス放電表示パネルは、放電空間
を挟んで相対向する一方及び他方の基板と少なくとも一
方の基板上に設けた表示用電極と表示用電極上に順次に
設けた壁電荷蓄積用誘電体及び保護膜とを備え、保護膜
を、表面凹凸の小さな（或は少ない）複数の粒子をバイ
ンダーで結合して成る焼成体とし、実測した粒子径が、
ベット値から求めた粒子径の５倍以内の大きさであるこ
とを特徴とする。
【００１０】
【００１１】
【作用】第一発明によれば、保護膜を形成するための粒
子を、表面凹凸の小さな粒子とするので、粒子径を小さ
くしても保護膜の活性化が容易になる。
子を、表面凹凸の小さな粒子とするので、粒子径を小さ
くしても保護膜の活性化が容易になる。
【００１２】
【００１３】
【実施例】以下、図面を参照して発明の実施例につき説
明する。尚、図面は発明が理解できる程度に概略的に示
してあるにすぎず、従って発明を図示例に限定するもの
ではない。
明する。尚、図面は発明が理解できる程度に概略的に示
してあるにすぎず、従って発明を図示例に限定するもの
ではない。
【００１４】図１は第一発明の実施例の要部構成を概略
的に示す断面図である。図１にあっては、ガス放電表示
パネルの一方の基板１２及び他方の基板１４を互いに封
着して、これら基板間に放電空間１０を画成している状
態を示す。
的に示す断面図である。図１にあっては、ガス放電表示
パネルの一方の基板１２及び他方の基板１４を互いに封
着して、これら基板間に放電空間１０を画成している状
態を示す。
【００１５】この実施例の交流型ガス放電表示パネル
は、図１にも示すように、放電空間１０を挟んで相対向
する一方の基板１２及び他方の基板１４と、少なくとも
一方の基板１２上に設けた表示用電極１６と、この電極
１６上に順次に設けた壁電荷蓄積用誘電体１８及び保護
膜２０とを備える。
は、図１にも示すように、放電空間１０を挟んで相対向
する一方の基板１２及び他方の基板１４と、少なくとも
一方の基板１２上に設けた表示用電極１６と、この電極
１６上に順次に設けた壁電荷蓄積用誘電体１８及び保護
膜２０とを備える。
【００１６】図２は第一発明の実施例の要部構成を概略
的に示す分解斜視図である。図２にあっては、一方の基
板１２及び他方の基板１４を封着せずに離間させ、放電
空間１０側の基板面１２ａ及び１４ａを互いに向き合わ
せた状態を示す。
的に示す分解斜視図である。図２にあっては、一方の基
板１２及び他方の基板１４を封着せずに離間させ、放電
空間１０側の基板面１２ａ及び１４ａを互いに向き合わ
せた状態を示す。
【００１７】この実施例では、表示用電極１６を一方の
基板１２上に設けると共にアドレス用電極２２を他方の
基板１４上に設けて、面放電型のガス放電表示パネルを
構成する。
基板１２上に設けると共にアドレス用電極２２を他方の
基板１４上に設けて、面放電型のガス放電表示パネルを
構成する。
【００１８】一方の基板１２を背面板とし、表示用電極
１６を、第一の方向Ｐに延在させて放電空間１０側の基
板面１２ａ上に設ける。２本の表示用電極１６を一対の
電極対Ｔとし、複数対の電極対Ｔを基板面１２ａ上に並
列配置する。一対の電極対Ｔを構成する２本の表示用電
極１６を、図中に、符号１６1 及び１６2 を付して示
す。さらに表示用電極１６上に順次に、壁電荷蓄積用誘
電体１８及び保護膜２０を設ける。保護膜２０は壁電荷
蓄積用誘電体１８のスパッタを防止するためのものであ
る。
１６を、第一の方向Ｐに延在させて放電空間１０側の基
板面１２ａ上に設ける。２本の表示用電極１６を一対の
電極対Ｔとし、複数対の電極対Ｔを基板面１２ａ上に並
列配置する。一対の電極対Ｔを構成する２本の表示用電
極１６を、図中に、符号１６1 及び１６2 を付して示
す。さらに表示用電極１６上に順次に、壁電荷蓄積用誘
電体１８及び保護膜２０を設ける。保護膜２０は壁電荷
蓄積用誘電体１８のスパッタを防止するためのものであ
る。
【００１９】また他方の基板１４を前面板とし、アドレ
ス用電極２２とバリアリブ２４とをそれぞれ、第二の方
向Ｑに延在させて放電空間１０側の基板面１４ａ上に設
ける。第二の方向Ｑは、平面的に見て、第一の方向Ｐと
交差する方向ここでは第一の方向Ｐと直交する方向であ
る。複数のアドレス用電極２２を並列配置し、隣接する
アドレス用電極２２の間に、バリアリブ２４を設ける。
そして蛍光体２６をアドレス電極２２上に設ける。赤、
緑及び青色の蛍光を発する３種類の蛍光体２６を所定の
配置関係で配置する。平面的に見て、表示用電極１６及
びアドレス用電極２２の交差領域に表示セルが形成され
る。バリアリブ２４により放電空間１０を分離し、隣接
する表示セル間での誤放電を防止する。
ス用電極２２とバリアリブ２４とをそれぞれ、第二の方
向Ｑに延在させて放電空間１０側の基板面１４ａ上に設
ける。第二の方向Ｑは、平面的に見て、第一の方向Ｐと
交差する方向ここでは第一の方向Ｐと直交する方向であ
る。複数のアドレス用電極２２を並列配置し、隣接する
アドレス用電極２２の間に、バリアリブ２４を設ける。
そして蛍光体２６をアドレス電極２２上に設ける。赤、
緑及び青色の蛍光を発する３種類の蛍光体２６を所定の
配置関係で配置する。平面的に見て、表示用電極１６及
びアドレス用電極２２の交差領域に表示セルが形成され
る。バリアリブ２４により放電空間１０を分離し、隣接
する表示セル間での誤放電を防止する。
【００２０】基板面１２ａ及び１４ａを向き合わせた状
態で、これら一方の基板１２及び他方の基板１４を封止
材（図示せず）により封着する。封着した基板１２、１
４間により放電空間１０を画成し、放電空間１０内に放
電ガスを封入する。基板１２、１４の離間間隔を、バリ
アリブ２４を介し一定に保つ。
態で、これら一方の基板１２及び他方の基板１４を封止
材（図示せず）により封着する。封着した基板１２、１
４間により放電空間１０を画成し、放電空間１０内に放
電ガスを封入する。基板１２、１４の離間間隔を、バリ
アリブ２４を介し一定に保つ。
【００２１】一対の表示用電極１６1 及び１６2 の間に
電位差を与えると、壁電荷蓄積用誘電体１８上に壁電荷
が蓄積され、この壁電荷が交流となって放電ガス中を流
れる。これら電極１６1 及び１６2 を介して、放電ガス
に交流を流すことにより、表示発光のためのプラズマ放
電を発生させ或は維持する。蛍光体２６は、プラズマ放
電で生じた紫外線により励起発光する。アドレス用電極
２２を利用することにより、各表示セル毎に選択的に、
プラズマ放電を形成する。
電位差を与えると、壁電荷蓄積用誘電体１８上に壁電荷
が蓄積され、この壁電荷が交流となって放電ガス中を流
れる。これら電極１６1 及び１６2 を介して、放電ガス
に交流を流すことにより、表示発光のためのプラズマ放
電を発生させ或は維持する。蛍光体２６は、プラズマ放
電で生じた紫外線により励起発光する。アドレス用電極
２２を利用することにより、各表示セル毎に選択的に、
プラズマ放電を形成する。
【００２２】図３は保護膜の構成を拡大して示す要部断
面図である。保護膜２０は、表面凹凸の小さな（或は少
ない）複数の粒子２０ａをバインダー２０ｂで結合して
成る焼成体である。
面図である。保護膜２０は、表面凹凸の小さな（或は少
ない）複数の粒子２０ａをバインダー２０ｂで結合して
成る焼成体である。
【００２３】この実施例では、粒子２０ａをＭｇＯ粒子
及びバインダー２０ｂをＭｇＯバインダーとする。粒子
２０ａ及びバインダー２０ｂの構成物質としては保護膜
２０に適した性質を有する、任意好適な物質を用いるこ
とができるが、現状では、壁電荷蓄積用誘電体１８の損
傷防止に加えガス放電表示パネルの放電特性の向上を図
れるＭｇＯを構成物質とするのが有利である。
及びバインダー２０ｂをＭｇＯバインダーとする。粒子
２０ａ及びバインダー２０ｂの構成物質としては保護膜
２０に適した性質を有する、任意好適な物質を用いるこ
とができるが、現状では、壁電荷蓄積用誘電体１８の損
傷防止に加えガス放電表示パネルの放電特性の向上を図
れるＭｇＯを構成物質とするのが有利である。
【００２４】さらに実測した粒子２０ａの粒子径、ここ
では顕微鏡観察により測定した粒子径を、ベット値（Ｂ
ＥＴ値）から求めた粒子径の５倍以内の大きさとする。
このような粒子２０ａとして、気相法により形成した粒
子を用いるのが好適である。気相法によるＭｇＯ粒子
は、Ｍｇ蒸気とＯ2 との気相酸化反応により形成される
（文献３：新材料 １９９２年４月号 ｐ４２〜４５特
にｐ４２参照）。
では顕微鏡観察により測定した粒子径を、ベット値（Ｂ
ＥＴ値）から求めた粒子径の５倍以内の大きさとする。
このような粒子２０ａとして、気相法により形成した粒
子を用いるのが好適である。気相法によるＭｇＯ粒子
は、Ｍｇ蒸気とＯ2 との気相酸化反応により形成される
（文献３：新材料 １９９２年４月号 ｐ４２〜４５特
にｐ４２参照）。
【００２５】図４は実施例の保護膜形成工程を段階的に
示す断面図であって、同図にあっては図３の断面に対応
する断面を概略的に示す。
示す断面図であって、同図にあっては図３の断面に対応
する断面を概略的に示す。
【００２６】まず、一方の基板面１２ａ上に順次に、表
示用電極１６及び壁電荷蓄積用誘電体１８を形成する
（図４（Ａ））。これら電極１６及び誘電体１８の形成
は、従来周知の厚膜印刷技術により形成すれば良い。
示用電極１６及び壁電荷蓄積用誘電体１８を形成する
（図４（Ａ））。これら電極１６及び誘電体１８の形成
は、従来周知の厚膜印刷技術により形成すれば良い。
【００２７】次に、表面凹凸の小さな（或は少ない）粒
子２０ａの粉末と焼成により固相バインダーを生成する
液相前駆体２８ａとを含むペースト２８を調製する。
子２０ａの粉末と焼成により固相バインダーを生成する
液相前駆体２８ａとを含むペースト２８を調製する。
【００２８】この実施例では、粒子２０ａを気相法によ
り形成したＭｇＯ粒子とする。気相法によれば表面凹凸
が小さく（或は少なく）しかも純度の高いＭｇＯ粒子２
０ａを得ることができる。また液相前駆体２８ａを、焼
成によりＭｇＯ固相バインダー２０ｂを生成する前駆体
とする。このような液相前駆体２８ａとしては、マグネ
シウムジエトキシド、ナフテン酸マグネシウム、オクチ
ル酸マグネシウム、マグネシウムジメトキシド、マグネ
シウムジｎ−プロポキシド、マグネシウムジｉ−プロポ
キシド及びマグネシウムジｎ−ブトキシドのなかから選
んだ一種類又は複数種類の物質を含んで成る前駆体を挙
げることができる。これら例示したマグネシウムジエト
キシド等の物質それ自体を液相の前駆体２８ａとして用
いても良いし、或はこれら例示した物質を溶媒と混合し
て液相の前駆体２８ａとして用いても良い。
り形成したＭｇＯ粒子とする。気相法によれば表面凹凸
が小さく（或は少なく）しかも純度の高いＭｇＯ粒子２
０ａを得ることができる。また液相前駆体２８ａを、焼
成によりＭｇＯ固相バインダー２０ｂを生成する前駆体
とする。このような液相前駆体２８ａとしては、マグネ
シウムジエトキシド、ナフテン酸マグネシウム、オクチ
ル酸マグネシウム、マグネシウムジメトキシド、マグネ
シウムジｎ−プロポキシド、マグネシウムジｉ−プロポ
キシド及びマグネシウムジｎ−ブトキシドのなかから選
んだ一種類又は複数種類の物質を含んで成る前駆体を挙
げることができる。これら例示したマグネシウムジエト
キシド等の物質それ自体を液相の前駆体２８ａとして用
いても良いし、或はこれら例示した物質を溶媒と混合し
て液相の前駆体２８ａとして用いても良い。
【００２９】次に、ペースト２８を壁電荷蓄積用誘電体
１８上に積層した後に焼成して、保護膜２０を形成す
る。
１８上に積層した後に焼成して、保護膜２０を形成す
る。
【００３０】この実施例では、スクリーン印刷法、コー
ターを用いた積層法或はそのほかの積層技術によりペー
スト２８を積層し（図４（Ｂ））、然る後、ペースト２
８を焼成して保護膜２０を形成する（図３）。前駆体２
８ａは液相であるので、ＭｇＯ粒子２０ａが凝集せずに
ペースト全体にわたってほぼ均一に分散した状態の、ペ
ースト２８を形成できる。従ってこのペースト２８を用
いることにより、ＭｇＯ粒子２０ａが保護膜全体にわた
ってほぼ均一に分散した状態の保護膜２０を形成でき
る。ＭｇＯ粒子２０ａの凝集はピンホール発生の要因と
成るので、ＭｇＯ粒子２０ａを均一に分散させることに
よりピンホールを生じにくくする。
ターを用いた積層法或はそのほかの積層技術によりペー
スト２８を積層し（図４（Ｂ））、然る後、ペースト２
８を焼成して保護膜２０を形成する（図３）。前駆体２
８ａは液相であるので、ＭｇＯ粒子２０ａが凝集せずに
ペースト全体にわたってほぼ均一に分散した状態の、ペ
ースト２８を形成できる。従ってこのペースト２８を用
いることにより、ＭｇＯ粒子２０ａが保護膜全体にわた
ってほぼ均一に分散した状態の保護膜２０を形成でき
る。ＭｇＯ粒子２０ａの凝集はピンホール発生の要因と
成るので、ＭｇＯ粒子２０ａを均一に分散させることに
よりピンホールを生じにくくする。
【００３１】次に、上述した図１の実施例に関わる交流
型ガス放電パネル（以下、実験パネル）の特性を調べた
実験につき説明する。
型ガス放電パネル（以下、実験パネル）の特性を調べた
実験につき説明する。
【００３２】図５は実験パネルの要部構成を概略的に示
す分解斜視図である。同図に示す実験パネルは、密着用
誘電体３０を設けアドレス用電極２２を設けていないほ
かは、上述した第一実施例と同様の構成を有する。密着
用誘電体３０はバリアリブ２４と基板１４との密着性を
高めるため、或は蛍光体２６の印刷だれを防止するため
のものである。以下、実験パネルの作成工程につき概略
的に説明する。
す分解斜視図である。同図に示す実験パネルは、密着用
誘電体３０を設けアドレス用電極２２を設けていないほ
かは、上述した第一実施例と同様の構成を有する。密着
用誘電体３０はバリアリブ２４と基板１４との密着性を
高めるため、或は蛍光体２６の印刷だれを防止するため
のものである。以下、実験パネルの作成工程につき概略
的に説明する。
【００３３】まず一方の基板１２としてソーダライムガ
ラス基板を用意し、この基板面１２ａ上に、スクリーン
印刷法により表示用電極端子と表示用電極１６とを形成
する。このため、表示用電極端子形成用の銀厚膜ペース
ト（ＥＳＬ社製 ＥＳＬ−５９０）を、印刷し然る後に
１５０℃で乾燥させる。次いで表示用電極形成用の金メ
タルオーガニックペースト（エンゲルハルド社製 Ａ−
３７２５）を、印刷し然る後に１５０℃で乾燥させる。
次いでこれらペーストを５８０℃で焼成し、表示用電極
端子及び表示用電極１６としての銀厚膜電極及び金電極
を得る。
ラス基板を用意し、この基板面１２ａ上に、スクリーン
印刷法により表示用電極端子と表示用電極１６とを形成
する。このため、表示用電極端子形成用の銀厚膜ペース
ト（ＥＳＬ社製 ＥＳＬ−５９０）を、印刷し然る後に
１５０℃で乾燥させる。次いで表示用電極形成用の金メ
タルオーガニックペースト（エンゲルハルド社製 Ａ−
３７２５）を、印刷し然る後に１５０℃で乾燥させる。
次いでこれらペーストを５８０℃で焼成し、表示用電極
端子及び表示用電極１６としての銀厚膜電極及び金電極
を得る。
【００３４】次に表示用電極１６上に、スクリーン印刷
法により壁電荷蓄積用誘電体１８を形成する。このた
め、壁電荷蓄積用誘電体形成用の鉛ガラスペースト（奥
野製薬工業社製 Ｇ３−０４９６）を、印刷し然る後に
１５０℃で乾燥させる。印刷及び乾燥を繰り返し所定の
高さまでペーストを積層する。次いでペーストを５８０
℃で焼成し、壁電荷蓄積用誘電体１８としての鉛ガラス
を得る。
法により壁電荷蓄積用誘電体１８を形成する。このた
め、壁電荷蓄積用誘電体形成用の鉛ガラスペースト（奥
野製薬工業社製 Ｇ３−０４９６）を、印刷し然る後に
１５０℃で乾燥させる。印刷及び乾燥を繰り返し所定の
高さまでペーストを積層する。次いでペーストを５８０
℃で焼成し、壁電荷蓄積用誘電体１８としての鉛ガラス
を得る。
【００３５】次に壁電荷蓄積用誘電体１８上に、スクリ
ーン印刷法により保護膜２０を形成する。ここでは、気
相法により形成したＭｇＯ粒子２０ａと焼成によりＭｇ
Ｏ固相バインダー２０ｂとなる液相前駆体２８ａとを含
んで成るペーストを用いて、保護膜２０を形成する。こ
のため、気相法により形成したＭｇＯ粒子２０ａの粉末
（宇部興産社製。ＭｇＯ純度９９．９８％及び粒子径
０．１μｍ）を２５ｗｔ％、液相前駆体２８ａとしての
マグネシウムジエトキシドを２５ｗｔ％、有機樹脂とし
てのエチルセルロースを５ｗｔ％及び溶媒としてのブチ
ルカルビトールを４５ｗｔ％混合して、ペーストを調製
する。次いでこのペーストを、印刷し然る後に１５０℃
で乾燥させる。次いでペーストを５８０℃で焼成し、Ｍ
ｇＯ粒子２０ａをＭｇＯバインダー２０ｂで結合して成
る保護膜２０を得る。尚、有機樹脂及び溶媒はペースト
の粘度を調製するためのものである。
ーン印刷法により保護膜２０を形成する。ここでは、気
相法により形成したＭｇＯ粒子２０ａと焼成によりＭｇ
Ｏ固相バインダー２０ｂとなる液相前駆体２８ａとを含
んで成るペーストを用いて、保護膜２０を形成する。こ
のため、気相法により形成したＭｇＯ粒子２０ａの粉末
（宇部興産社製。ＭｇＯ純度９９．９８％及び粒子径
０．１μｍ）を２５ｗｔ％、液相前駆体２８ａとしての
マグネシウムジエトキシドを２５ｗｔ％、有機樹脂とし
てのエチルセルロースを５ｗｔ％及び溶媒としてのブチ
ルカルビトールを４５ｗｔ％混合して、ペーストを調製
する。次いでこのペーストを、印刷し然る後に１５０℃
で乾燥させる。次いでペーストを５８０℃で焼成し、Ｍ
ｇＯ粒子２０ａをＭｇＯバインダー２０ｂで結合して成
る保護膜２０を得る。尚、有機樹脂及び溶媒はペースト
の粘度を調製するためのものである。
【００３６】次にパネル周辺部を被覆するオーバーコー
トを、スクリーン印刷法により形成する。このため、オ
ーバーコート形成用の誘電体ペーストを、印刷し然る後
に１５０℃で乾燥させる。次いでペーストを５８０℃で
焼成し、誘電体厚膜から成るオーバーコートを得、一方
の基板側の作成工程を終了する。
トを、スクリーン印刷法により形成する。このため、オ
ーバーコート形成用の誘電体ペーストを、印刷し然る後
に１５０℃で乾燥させる。次いでペーストを５８０℃で
焼成し、誘電体厚膜から成るオーバーコートを得、一方
の基板側の作成工程を終了する。
【００３７】また他方の基板１４としてソーダライムガ
ラス基板を用意し、この基板面１４ａ上に、スクリーン
印刷法により密着用誘電体３０を形成する。このため、
密着用誘電体形成用の誘電体ペースト（ＤｕＰｏｎｔ社
製 ９７４１）を、印刷し然る後に１５０℃で乾燥させ
る。次いでペーストを５８０℃で焼成し、誘電体厚膜か
ら成る密着用誘電体３０を得る。
ラス基板を用意し、この基板面１４ａ上に、スクリーン
印刷法により密着用誘電体３０を形成する。このため、
密着用誘電体形成用の誘電体ペースト（ＤｕＰｏｎｔ社
製 ９７４１）を、印刷し然る後に１５０℃で乾燥させ
る。次いでペーストを５８０℃で焼成し、誘電体厚膜か
ら成る密着用誘電体３０を得る。
【００３８】次に密着用誘電体３０上に、スクリーン印
刷法により蛍光体２６とバリアリブ２４とを形成する。
このため、緑色蛍光体粒子（化成オプトニクス社製 Ｐ
１−Ｇ１）及びスクリーンオイルを混合してペーストを
調製する。次いでペーストを、印刷し然る後に１５０で
乾燥させる。次いでバリアリブ形成用の誘電体ペースト
（ＤｕＰｏｎｔ社製 ９７４１）を、印刷し然る後に１
５０℃で乾燥させる。印刷及び乾燥を繰り返し１５０μ
ｍ程度の高さまでバリアリブ形成用ペーストを積層す
る。次いでペーストを５８０℃で焼成し、厚膜誘電体か
ら成るバリアリブ２４と蛍光体粒子から成る蛍光体２６
とを得、他方の基板側の作成工程を終了する。蛍光体２
６は緑色の１種のみとする。
刷法により蛍光体２６とバリアリブ２４とを形成する。
このため、緑色蛍光体粒子（化成オプトニクス社製 Ｐ
１−Ｇ１）及びスクリーンオイルを混合してペーストを
調製する。次いでペーストを、印刷し然る後に１５０で
乾燥させる。次いでバリアリブ形成用の誘電体ペースト
（ＤｕＰｏｎｔ社製 ９７４１）を、印刷し然る後に１
５０℃で乾燥させる。印刷及び乾燥を繰り返し１５０μ
ｍ程度の高さまでバリアリブ形成用ペーストを積層す
る。次いでペーストを５８０℃で焼成し、厚膜誘電体か
ら成るバリアリブ２４と蛍光体粒子から成る蛍光体２６
とを得、他方の基板側の作成工程を終了する。蛍光体２
６は緑色の１種のみとする。
【００３９】次に一方の基板１２と他方の基板１４とを
封着する。このため、一方の基板面１２ａと他方の基板
面１４ａとを向き合わせて位置合わせをする。次いで基
板端縁部分に封着材としての鉛ガラスペーストを塗布す
る。次いでペーストを焼成して基板１２及び１４を封着
し、放電空間１０を画成する。基板１２には図示しない
ガス封入口を設けてある。
封着する。このため、一方の基板面１２ａと他方の基板
面１４ａとを向き合わせて位置合わせをする。次いで基
板端縁部分に封着材としての鉛ガラスペーストを塗布す
る。次いでペーストを焼成して基板１２及び１４を封着
し、放電空間１０を画成する。基板１２には図示しない
ガス封入口を設けてある。
【００４０】次に放電空間１０内に放電ガスを封入す
る。このため、基板１２のガス封入口に排気管を接続す
る。次いで排気管を介して、放電空間１０内を真空排気
し然る後に放電空間１０内に放電ガスとしてのＨｅ−５
％Ｘｅガスを充填する。放電空間１０内のガス圧が５０
０Ｔｏｒｒとなったら、基板１２のガス封入口を封止す
ると共に排気管を取り外し、実験パネルを完成する。
る。このため、基板１２のガス封入口に排気管を接続す
る。次いで排気管を介して、放電空間１０内を真空排気
し然る後に放電空間１０内に放電ガスとしてのＨｅ−５
％Ｘｅガスを充填する。放電空間１０内のガス圧が５０
０Ｔｏｒｒとなったら、基板１２のガス封入口を封止す
ると共に排気管を取り外し、実験パネルを完成する。
【００４１】実験においては、上述のように作成した実
験パネルのほか、４種類の比較パネル１〜４を用意し
た。これら比較パネルは、ＭｇＯ粒子２０ａを海水法に
より形成した粒子とし、そのほかは上述した実験パネル
と同様に作成した。後掲の表１に、実験パネル及び比較
パネル１〜４で用いたＭｇＯ粒子２０ａの特性を示す。
ＭｇＯ粒子２０ａの特性としては、純度［％］、ＢＥＴ
値［ｍ2 ／ｇ］、ＢＥＴ値から算出した粒径（以下、Ｂ
ＥＴ値からの粒径）［μｍ］、電子顕微鏡を用いて測定
した粒径（以下、電顕からの粒径）［μｍ］及び粒径の
比（電顕からの粒径をＢＥＴ値からの粒径で除して得た
値）を示す。
験パネルのほか、４種類の比較パネル１〜４を用意し
た。これら比較パネルは、ＭｇＯ粒子２０ａを海水法に
より形成した粒子とし、そのほかは上述した実験パネル
と同様に作成した。後掲の表１に、実験パネル及び比較
パネル１〜４で用いたＭｇＯ粒子２０ａの特性を示す。
ＭｇＯ粒子２０ａの特性としては、純度［％］、ＢＥＴ
値［ｍ2 ／ｇ］、ＢＥＴ値から算出した粒径（以下、Ｂ
ＥＴ値からの粒径）［μｍ］、電子顕微鏡を用いて測定
した粒径（以下、電顕からの粒径）［μｍ］及び粒径の
比（電顕からの粒径をＢＥＴ値からの粒径で除して得た
値）を示す。
【００４２】表１に示すように、ＭｇＯ粒子２０ａの純
度は、実験パネルの方が比較パネル１〜４のいずれより
も高い。また粒径の比は、実験パネルの方が比較パネル
１〜４のいずれよりも小さい。但し、粒径の比は電顕か
らの粒径をＢＥＴ値からの粒径で除した値、電顕からの
粒径は電子顕微鏡を用いて測定したＭｇＯ粒子２０ａの
粒径、及び、ＢＥＴ値からの粒径はＢＥＴ値から算出し
た粒径を表す。実験パネルでは、粒径の比はほぼ１であ
り従ってＭｇＯ粒子表面の凹凸が非常に小さく或は少な
く、また比較パネル１〜４では、粒径の比は５〜２４で
あり従ってＭｇＯ粒子表面の凹凸が実験パネルに比して
大きい（或は多い）。
度は、実験パネルの方が比較パネル１〜４のいずれより
も高い。また粒径の比は、実験パネルの方が比較パネル
１〜４のいずれよりも小さい。但し、粒径の比は電顕か
らの粒径をＢＥＴ値からの粒径で除した値、電顕からの
粒径は電子顕微鏡を用いて測定したＭｇＯ粒子２０ａの
粒径、及び、ＢＥＴ値からの粒径はＢＥＴ値から算出し
た粒径を表す。実験パネルでは、粒径の比はほぼ１であ
り従ってＭｇＯ粒子表面の凹凸が非常に小さく或は少な
く、また比較パネル１〜４では、粒径の比は５〜２４で
あり従ってＭｇＯ粒子表面の凹凸が実験パネルに比して
大きい（或は多い）。
【００４３】後掲の表２には、実験パネル及び比較パネ
ル１〜４の特性を示す。各パネルの特性を調べるに当っ
ては、電極対Ｔを構成する表示用電極１６1 及び１６2
の一方の電極に周波数２０ＫＨｚの矩形パルスを印加す
ると共に、他方の電極にこの印加タイミングから半波長
ずらした（２５μｓずらした）タイミングで周波数２０
ＫＨｚの矩形パルスを印加して、放電ガスのプラズマ放
電を形成する。各パネルにおいて電極１６1 及び１６2
間に与える電位差は等しくする。そしてこのときの最大
放電開始電圧Ｖf max ［Ｖ］と、最大放電維持電圧Ｖs
max ［Ｖ］と、輝度［ｃｄ／ｍ2 ］と、電極１６1 、１
６2 の間に流れるセル電流（表示セル１セル当りに流れ
るセル電流）［μＡ／ｃｅｌｌ］と、発光効率［ｌm ／
Ｗ］とを各パネル毎に測定する。表２には、これらの測
定結果を示す。
ル１〜４の特性を示す。各パネルの特性を調べるに当っ
ては、電極対Ｔを構成する表示用電極１６1 及び１６2
の一方の電極に周波数２０ＫＨｚの矩形パルスを印加す
ると共に、他方の電極にこの印加タイミングから半波長
ずらした（２５μｓずらした）タイミングで周波数２０
ＫＨｚの矩形パルスを印加して、放電ガスのプラズマ放
電を形成する。各パネルにおいて電極１６1 及び１６2
間に与える電位差は等しくする。そしてこのときの最大
放電開始電圧Ｖf max ［Ｖ］と、最大放電維持電圧Ｖs
max ［Ｖ］と、輝度［ｃｄ／ｍ2 ］と、電極１６1 、１
６2 の間に流れるセル電流（表示セル１セル当りに流れ
るセル電流）［μＡ／ｃｅｌｌ］と、発光効率［ｌm ／
Ｗ］とを各パネル毎に測定する。表２には、これらの測
定結果を示す。
【００４４】表２に示すように、最高放電開始電圧Ｖf
max 及び最高放電維持電圧Ｖs maxは、実験パネルの方
が比較パネル１〜４のいずれよりも低い。また発光効率
も、実験パネルの方が比較パネル１〜４のいずれよりも
高い。従ってガス放電表示パネルにおいて消費する電力
は、実験パネルの方が比較パネル１〜４のいずれよりも
低くできる。
max 及び最高放電維持電圧Ｖs maxは、実験パネルの方
が比較パネル１〜４のいずれよりも低い。また発光効率
も、実験パネルの方が比較パネル１〜４のいずれよりも
高い。従ってガス放電表示パネルにおいて消費する電力
は、実験パネルの方が比較パネル１〜４のいずれよりも
低くできる。
【００４５】表２に示す実験パネル及び比較パネル１〜
４の測定結果はいずれも、放電空間１０内の真空度を１
０-6Ｔｏｒｒとし保護膜２０を４６０℃で３０分間加熱
して活性化した後に、放電ガスを封入して得たものであ
る。この活性化条件とは異なる条件のもとで行なった実
験として、この出願の発明者等は、放電空間１０内の真
空度を１０-6Ｔｏｒｒとし保護膜２０を４００℃で１０
分間加熱して活性化した場合についても、パネル特性を
測定した。この活性化条件のもとでは、実験パネルのパ
ネル特性は表２に示す測定結果と同様のパネル特性であ
ったが、比較パネル１〜４のパネル特性は表２に示す場
合よりも劣るパネル特性であった。すなわち加熱温度を
低くしかつ加熱時間を短くした場合、実験パネルではパ
ネル特性の劣化は見られなかったが、比較パネル１〜４
においては、放電開始電圧Ｖf ma x 及び最高放電維持電
圧Ｖs max は増加し、輝度及び発光効率は低下する。従
って実験パネルの保護膜２０の方が比較パネル１〜４よ
りも活性化がし易い。
４の測定結果はいずれも、放電空間１０内の真空度を１
０-6Ｔｏｒｒとし保護膜２０を４６０℃で３０分間加熱
して活性化した後に、放電ガスを封入して得たものであ
る。この活性化条件とは異なる条件のもとで行なった実
験として、この出願の発明者等は、放電空間１０内の真
空度を１０-6Ｔｏｒｒとし保護膜２０を４００℃で１０
分間加熱して活性化した場合についても、パネル特性を
測定した。この活性化条件のもとでは、実験パネルのパ
ネル特性は表２に示す測定結果と同様のパネル特性であ
ったが、比較パネル１〜４のパネル特性は表２に示す場
合よりも劣るパネル特性であった。すなわち加熱温度を
低くしかつ加熱時間を短くした場合、実験パネルではパ
ネル特性の劣化は見られなかったが、比較パネル１〜４
においては、放電開始電圧Ｖf ma x 及び最高放電維持電
圧Ｖs max は増加し、輝度及び発光効率は低下する。従
って実験パネルの保護膜２０の方が比較パネル１〜４よ
りも活性化がし易い。
【００４６】また６ケ月間大気中に放置したＭｇＯ粒子
２０ａを用いて作成した実験パネル及び比較パネル１〜
４を用いた他の実験では、実験パネルのパネル特性は表
２に示す場合とほとんど変わらなかったが、比較パネル
１〜４のパネル特性は表２に示す場合よりも劣化した。
２０ａを用いて作成した実験パネル及び比較パネル１〜
４を用いた他の実験では、実験パネルのパネル特性は表
２に示す場合とほとんど変わらなかったが、比較パネル
１〜４のパネル特性は表２に示す場合よりも劣化した。
【００４７】このようにいずれの実験においても、実験
パネルのパネル特性の方が比較パネル１〜４よりも優れ
ているのは、実験パネルの方がＭｇＯ粒子２０ａの表面
凹凸が小さいことに起因すると考えられる。表面凹凸が
小さいＭｇＯ粒子２０ａは、表面積が小さく従って活性
化を妨げるＨ2 Ｏ等の物質の吸着や吸蔵が生じ難いため
である。
パネルのパネル特性の方が比較パネル１〜４よりも優れ
ているのは、実験パネルの方がＭｇＯ粒子２０ａの表面
凹凸が小さいことに起因すると考えられる。表面凹凸が
小さいＭｇＯ粒子２０ａは、表面積が小さく従って活性
化を妨げるＨ2 Ｏ等の物質の吸着や吸蔵が生じ難いため
である。
【００４８】図６は実験パネル及び比較パネルにおける
最高放電開始電圧Ｖf max と粒子径の比との関係、及
び、実験パネル及び比較パネルにおける最高放電維持電
圧Ｖs max と粒子径の比との関係を、表２の測定結果に
基づいて示す図である。また図７は実験パネル及び比較
パネルにおける発光効率と粒子径の比との関係を、表２
の測定結果に基づいて示す図である。
最高放電開始電圧Ｖf max と粒子径の比との関係、及
び、実験パネル及び比較パネルにおける最高放電維持電
圧Ｖs max と粒子径の比との関係を、表２の測定結果に
基づいて示す図である。また図７は実験パネル及び比較
パネルにおける発光効率と粒子径の比との関係を、表２
の測定結果に基づいて示す図である。
【００４９】図６及び図７から理解できるように、粒径
の比をほぼ１以上ほぼ５以下とすることによって、従来
と同等かそれよりも改善された最高放電開始電圧Ｖf
max 、最高放電維持電圧Ｖs max 及び発光効率を得るこ
とができると考えられる。
の比をほぼ１以上ほぼ５以下とすることによって、従来
と同等かそれよりも改善された最高放電開始電圧Ｖf
max 、最高放電維持電圧Ｖs max 及び発光効率を得るこ
とができると考えられる。
【００５０】図８は第一発明の他の実施例の要部構成を
概略的に示す分解斜視図である。この実施例では、一方
の基板面１２ａ上に、アドレス用電極２２を設ける。そ
してアドレス用電極２２上に、多層配線用誘電体３２を
介して表示用電極１６を設ける。複数のアドレス用電極
２２を並列配置し、平面的に見て隣接するアドレス用電
極２２の間に位置するように、バリアリブ２４を配置す
る。そのほかは上述した第一実施例と同様である。
概略的に示す分解斜視図である。この実施例では、一方
の基板面１２ａ上に、アドレス用電極２２を設ける。そ
してアドレス用電極２２上に、多層配線用誘電体３２を
介して表示用電極１６を設ける。複数のアドレス用電極
２２を並列配置し、平面的に見て隣接するアドレス用電
極２２の間に位置するように、バリアリブ２４を配置す
る。そのほかは上述した第一実施例と同様である。
【００５１】発明は上述した実施例にのみ限定されるも
のではなく、従って各構成成分の形状、配設位置、形成
材料、数値的条件及びそのほかを任意好適に変更でき
る。
のではなく、従って各構成成分の形状、配設位置、形成
材料、数値的条件及びそのほかを任意好適に変更でき
る。
【００５２】例えば、上述した実施例では面放電型の交
流型ガス放電表示パネルにつき説明したが、単純マトリ
クス方式の交流型ガス放電表示パネルを構成するように
しても良い。単純マトリクス方式では、アドレス用電極
２２を設けずに、電極対Ｔを構成する一方の表示用電極
１６1 を一方の基板１２上に設ける。複数の表示用電極
１６1 を並列配置し、これら電極１６1 上に順次に壁電
荷蓄積用誘電体１８及び保護膜２０を設ける。さらに電
極対Ｔを構成する他方の表示用電極１６2 を他方の基板
１４上に設ける。複数の表示用電極１６2 を並列配置
し、これら電極１６2 上に順次に壁電荷蓄積用誘電体１
８及び保護膜２０を設ける。そして一方の表示用電極１
６1 と他方の表示用電極１６2 とを、平面的に見て交差
させように、配置する。
流型ガス放電表示パネルにつき説明したが、単純マトリ
クス方式の交流型ガス放電表示パネルを構成するように
しても良い。単純マトリクス方式では、アドレス用電極
２２を設けずに、電極対Ｔを構成する一方の表示用電極
１６1 を一方の基板１２上に設ける。複数の表示用電極
１６1 を並列配置し、これら電極１６1 上に順次に壁電
荷蓄積用誘電体１８及び保護膜２０を設ける。さらに電
極対Ｔを構成する他方の表示用電極１６2 を他方の基板
１４上に設ける。複数の表示用電極１６2 を並列配置
し、これら電極１６2 上に順次に壁電荷蓄積用誘電体１
８及び保護膜２０を設ける。そして一方の表示用電極１
６1 と他方の表示用電極１６2 とを、平面的に見て交差
させように、配置する。
【００５３】
【表１】
【００５４】
【表２】
【００５５】
【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、第
一発明のガス放電表示パネルによれば、保護膜を構成す
る粒子の径を小さくしてもガス放電表示パネルの特性劣
化を抑えることができる。そして粒子径を小さくするこ
とにより、保護膜のピンホールを少なくすることができ
る。従って、パネル特性の劣化が少なくかつピンホール
の少ない保護膜を備えたガス放電表示パネルを提供でき
る。
一発明のガス放電表示パネルによれば、保護膜を構成す
る粒子の径を小さくしてもガス放電表示パネルの特性劣
化を抑えることができる。そして粒子径を小さくするこ
とにより、保護膜のピンホールを少なくすることができ
る。従って、パネル特性の劣化が少なくかつピンホール
の少ない保護膜を備えたガス放電表示パネルを提供でき
る。
【００５６】
【００５７】
【図１】第一発明の実施例の要部構成を概略的に示す断
面図である。
面図である。
【図２】第一発明の実施例の要部構成を概略的に示す分
解斜視図である。
解斜視図である。
【図３】第一発明の実施例における保護膜の構成を拡大
して概略的に示す要部断面図である。
して概略的に示す要部断面図である。
【図４】（Ａ）及び（Ｂ）は保護膜形成方法の説明に供
する工程図である。
する工程図である。
【図５】第一発明の実施例に関わるガス放電パネル（実
験パネル）の要部構成を概略的に示す分解斜視図であ
る。
験パネル）の要部構成を概略的に示す分解斜視図であ
る。
【図６】実験パネル及び比較パネルにおける最高放電開
始電圧Ｖf max と粒子径の比との関係、及び、実験パネ
ル及び比較パネルにおける最高放電維持電圧Ｖs max と
粒子径の比との関係を示す図である。
始電圧Ｖf max と粒子径の比との関係、及び、実験パネ
ル及び比較パネルにおける最高放電維持電圧Ｖs max と
粒子径の比との関係を示す図である。
【図７】実験パネル及び比較パネルにおける発光効率と
粒子径の比との関係を示す図である。
粒子径の比との関係を示す図である。
【図８】第一発明の他の実施例の要部構成を概略的に示
す分解斜視図である。
す分解斜視図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金原 隆雄 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電 気工業株式会社内 (72)発明者 ▲高▼崎 茂 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電 気工業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−291840（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−10330（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−316671（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 11/02 H01J 9/02 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (3)
- 【請求項１】 放電空間を挟んで相対向する一方及び他
方の基板と、少なくとも一方の基板上に設けた表示用電
極と、該表示用電極上に順次に設けた壁電荷蓄積用誘電
体及び保護膜とを備えて成る交流型ガス放電表示パネル
において、 保護膜を、表面凹凸の小さな複数の粒子をバインダーで
結合して成る焼成体とし、実測した粒子径が、ベット値
から求めた粒子径の５倍以内の大きさであることを特徴
とするガス放電表示パネル。 - 【請求項２】 請求項１記載の交流型ガス放電表示パネ
ルにおいて、 前記粒子を気相法で形成した粒子としたことを特徴とす
るガス放電表示パネル。 - 【請求項３】 請求項１記載の交流型ガス放電表示パネ
ルにおいて、 前記粒子をＭｇＯ粒子とし、バインダーをＭｇＯバイン
ダーとしたことを特徴とするガス放電表示パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2133994A JP3083698B2 (ja) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | ガス放電表示パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2133994A JP3083698B2 (ja) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | ガス放電表示パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07230766A JPH07230766A (ja) | 1995-08-29 |
| JP3083698B2 true JP3083698B2 (ja) | 2000-09-04 |
Family
ID=12052361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2133994A Expired - Fee Related JP3083698B2 (ja) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | ガス放電表示パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3083698B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6013309A (en) * | 1997-02-13 | 2000-01-11 | Lg Electronics Inc. | Protection layer of plasma display panel and method of forming the same |
| KR100443493B1 (ko) * | 1997-03-14 | 2004-10-14 | 오리온전기 주식회사 | 교류형플라즈마표시소자의보호층형성방법 |
| JP4611939B2 (ja) * | 2003-09-26 | 2011-01-12 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
| JP4541832B2 (ja) * | 2004-03-19 | 2010-09-08 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
| JP4541108B2 (ja) * | 2004-04-26 | 2010-09-08 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイ装置 |
| JP4541834B2 (ja) * | 2004-10-28 | 2010-09-08 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
| JP4541840B2 (ja) * | 2004-11-08 | 2010-09-08 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
| JP4399344B2 (ja) | 2004-11-22 | 2010-01-13 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| JP4541124B2 (ja) * | 2004-12-15 | 2010-09-08 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイ装置 |
| JP4541868B2 (ja) * | 2004-12-17 | 2010-09-08 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| JP4788227B2 (ja) * | 2005-08-05 | 2011-10-05 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
| JP2007095436A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル |
| JP4542080B2 (ja) * | 2006-11-10 | 2010-09-08 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
| JP4598154B2 (ja) * | 2010-03-17 | 2010-12-15 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
-
1994
- 1994-02-18 JP JP2133994A patent/JP3083698B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH07230766A (ja) | 1995-08-29 |
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