JP4611939B2 - プラズマディスプレイパネル - Google Patents

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Description

この発明は、プラズマディスプレイパネルの構成およびプラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。
面放電方式交流型プラズマディスプレイパネル(以下、PDPという)は、放電ガスが封入されている放電空間を挟んで互いに対向される二枚のガラス基板のうち、一方のガラス基板に行方向に延びる行電極対が列方向に並設され、他方のガラス基板に列方向に延びる列電極が行方向に並設されていて、放電空間の行電極対と列電極がそれぞれ交差する部分に、マトリックス状に単位発光領域(放電セル)が形成されている。
そして、このPDPには、行電極や列電極を被覆するために形成された誘電体層上の単位発光領域内に面する位置に、誘電体層の保護機能と単位発光領域内への2次電子放出機能とを有する酸化マグネシウム(MgO)膜が形成されている。
このようなPDPの製造工程における酸化マグネシウム膜の形成方法としては、酸化マグネシウム粉末を混入したペーストを誘電体層上に塗布することによって形成するスクリーン印刷法が、簡便な手法であることから、その採用が検討されている(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、特許文献1のように、水酸化マグネシウムを熱処理して精製した多結晶片葉形の酸化マグネシウムを混入したペーストを用いて、スクリーン印刷法によってPDPの酸化マグネシウム膜を形成する場合には、PDPの放電特性は、蒸着法によって酸化マグネシウム膜を形成する場合とほとんど同じかまたは僅かに向上する程度に過ぎない。
このため、放電特性をより一層向上させることが出来る酸化マグネシウム膜(保護膜)をPDPに形成出来るようにすることが要望されている。
特開平6−325696号公報
この発明は、上記のような従来の酸化マグネシウム膜が形成されるPDPにおける問題点を解決することをその解決課題の一つとしている。
第1の発明(請求項1に記載の発明)によるプラズマディスプレイパネルは、上記課題を解決するために、放空間を介して対向する前面基板および背面基板と、この前面基板と背面基板の間に複数の行電極対およびこの行電極対に対して交差する方向に延びて行電極対との各交差部分の放電空間にそれぞれ単位発光領域を形成する複数の列電極が設けられているプラズマディスプレイパネルにおいて、前記放電空間が、画像形成のための放電が行われる表示放電セルと、画像形成のための放電を行う表示放電セルを選択するための放電が行われるアドレス放電セルとに区画され、前記アドレス放電セルの前記放電空間に面する部分に、2000オングストローム以上の粒径を有し、電子線によって励起されて波長域200〜300nm内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含む酸化マグネシウム層が設けられていることを特徴としている。
この発明によるPDPは、前面ガラス基板と背面ガラス基板の間に、行方向に延びる行電極対と、列方向に延びて行電極対との交差部分の放電空間に放電セル(単位発光領域)を形成する列電極が設けられ、この放電セルに面する部分に、酸化マグネシウム層が、電子線によって励起されて波長域200〜300nm内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含むペーストをスクリーン印刷法またはオフセット印刷法,ディスペンサ法,インクジェット法,ロールコート法などの方法による塗布によって、または、上記の酸化マグネシウム単結晶体の粉末をスプレー法や静電塗布法などの方法による付着によって形成されているPDPをその最良の実施形態としている。
この実施形態におけるPDPは、放電セルに面する部分に設けられた酸化マグネシウム層が、電子線によって励起されて波長域200〜300nm内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含んでいることにより、PDPにおける放電確率や放電遅れなどの放電特性が改善されて、良好な放電特性を得ることが出来る。
図1ないし4は、この発明の実施形態における第1の実施例を示している。
図1は、この第1実施例における面放電方式交流型PDPのセル構造を模式的に示す正面図であり、図2は図1のV1−V1線における断面図、図3は図1のV2−V2線における断面図、図4は図1のW1−W1線における断面図である。
この図1ないし4において、PDPは、表示面である前面ガラス基板1の背面に、複数の行電極対(X,Y)が、前面ガラス基板1の行方向(図1の左右方向)に延びるとともに列方向(図1の上下方向)に並設されている。
行電極Xは、T字形状に形成されたITO等の透明導電膜からなる透明電極Xaと、前面ガラス基板1の行方向に延びて透明電極Xaの幅が小さい基端部に接続された金属膜からなる黒色のバス電極Xbによって構成されている。
行電極Yも同様に、T字形状に形成されたITO等の透明導電膜からなる透明電極Yaと、前面ガラス基板1の行方向に延びて透明電極Yaの幅が小さい基端部に接続された金属膜からなる黒色のバス電極Ybと、透明電極Yaと一体的に形成されてバス電極Ybに対してこの透明電極Yaの基端部から反対側に突出するアドレス放電透明電極Ycとによって構成されている。
この行電極XとYは、前面ガラス基板1の列方向(図1の上下方向、および、図2の左右方向)に交互に配置されており、バス電極XbとYbに沿って等間隔に並列されたそれぞれの透明電極XaとYaが、互いに対となる相手の行電極側に延びて、この透明電極XaとYaの幅が広い先端部が、それぞれ所要の幅の放電ギャップgを介して互いに対向されている。
そして、行電極Yのアドレス放電透明電極Ycが、列方向において隣接する他の行電極対(X,Y)の間隔を開けて互いに背中合わせに位置されている行電極Xのバス電極Xbと行電極Yのバス電極Ybとの間に、それぞれ位置されている。
この各行電極対(X,Y)ごとに、それぞれ、行方向に延びる表示ラインLが構成されている。
前面ガラス基板1の背面には、行電極対(X,Y)を被覆するように誘電体層2が形成されており、この誘電体層2の背面側には、行方向において互いに隣接している行電極対(X,Y)の互いに背中合わせに位置するバス電極XbとYb、および、この背中合わせのバス電極XbとYbの間の領域部分(アドレス放電透明電極Ycが位置している部分)に対向する位置に、誘電体層2から背面側(図2において下方側)に向かって突出する黒色または暗色の第1嵩上げ誘電体層3Aが、バス電極Xb,Ybと平行に延びるように形成されている。
さらに、この第1嵩上げ誘電体層3Aの背面のバス電極Xbに対向する部分に、第1嵩上げ誘電体層3Aから背面側(図2において下方側)に向かって突出する第2嵩上げ誘電体層3Bが、バス電極Xbと平行に延びるように形成されている。
この誘電体層2と第1嵩上げ誘電体層3A,第2嵩上げ誘電体層3Bの背面側表面は、酸化マグネシウム(MgO)からなる図示しない保護層によって被覆されている。
前面ガラス基板1と放電空間を介して平行に配置された背面ガラス基板4の前面ガラス基板1と対向する側の面上には、複数の列電極Dが、各行電極対(X,Y)の互いに対となった透明電極XaおよびYaにそれぞれ対向する位置においてバス電極Xb,Ybと直交する方向(列方向)に延びるように、互いに所定の間隔を開けて平行に配列されている。
この背面ガラス基板4の前面ガラス基板1に対向する側の面上には、さらに、列電極Dを被覆する列電極保護層(誘電体層)5が形成され、この列電極保護層5上に、下記に詳述するような形状の隔壁6が形成されている。
すなわち、この隔壁6は、前面ガラス基板1側から見て、各行電極Xのバス電極Xbと対向する位置においてそれぞれ行方向に延びる第1横壁6Aと、行電極X,Yのバス電極Xb,Ybに沿って等間隔に配置された各透明電極Xa,Yaの間の位置においてそれぞれ列方向に延びる縦壁6Bと、各行電極Yのバス電極Ybと対向する位置においてそれぞれ第1横壁6Aと所要の間隔を空けて平行に延びる第2横壁6Cとによって構成されている。
そして、これら第1横壁6Aおよび縦壁6B,第2横壁6Cの高さは、第2嵩上げ誘電体層3Bの背面側を被覆している保護層と列電極Dを被覆している列電極保護層5との間の間隔に等しくなるように設定されている。
これによって、隔壁6の第1横壁6Aの表側の面(図2において上側の面)が第2嵩上げ誘電体層3Bを被覆している保護層に当接されている。
この隔壁6の第1横壁6Aと縦壁6B,第2横壁6Cによって、前面ガラス基板1と背面ガラス基板4の間の放電空間が、それぞれ、互いに対向されて対になっている透明電極XaとYaに対向する領域ごとに区画されて表示放電セル(第1発光領域)C1が形成され、さらに、第1横壁6Aと第2横壁6Cに挟まれて互いに隣接する行電極対(X,Y)の背中合わせに位置するバス電極XbとYbの間の領域に対向する部分の空間が、縦壁6Bによって区画されることによって、それぞれ表示放電セルC1と列方向において互い違いに配置されるアドレス放電セル(第2発光領域)C2が形成されている。
このアドレス放電セルC2は、行電極Yのアドレス放電透明電極Ycに対向されている。
そして、列方向において第2横壁6Cを挟んで隣接する表示放電セルC1とアドレス放電セルC2とは、それぞれ、第1嵩上げ誘電体層3Aを被覆している保護層と第2横壁6Cとの間に形成される隙間rを介して互いに連通されている。
各表示放電セルC1内の放電空間に面する隔壁6の第1横壁6Aおよび縦壁6B,第2横壁6Cの各側面と列電極保護層5の表面には、これらの五つの面をほぼ全て覆うように蛍光体層7が形成されており、この蛍光体層7の色は、各表示放電セルC1毎に赤(R),緑(G),青(B)の色が行方向に順に並ぶように配列されている。
また、各アドレス放電セルC2内の放電空間に面する隔壁6の第1横壁6Aおよび縦壁6B,第2横壁6Cの各側面と列電極保護層5の表面には、これらの五つの面をほぼ全て覆うように、後で詳述するような、電子線によって励起されることにより波長域200〜300nm内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光(CL発光)を行う酸化マグネシウム結晶体を含む酸化マグネシウム(MgO)層8が形成されている。
表示放電セルC1およびアドレス放電セルC2内には、キセノンを含む放電ガスが封入されている。
上記PDPの酸化マグネシウム層8は、下記の材料および方法によって形成されている。
すなわち、この酸化マグネシウム層8の形成材料となる電子線によって励起されることにより波長域200〜300nm内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体とは、例えば、マグネシウムを加熱して発生するマグネシウム蒸気を気相酸化して得られるマグネシウムの単結晶体(以下、このマグネシウムの単結晶体を気相法酸化マグネシウム単結晶体という)を含み、この気相法酸化マグネシウム単結晶体には、例えば、図5のSEM写真像に示されるような、立方体の単結晶構造を有する酸化マグネシウム単結晶体と、図6のSEM写真像に示されるような、立方体の結晶体が互いに嵌り込んだ構造(すなわち、立方体の多重結晶構造)を有する酸化マグネシウム単結晶体が含まれる。
この気相法酸化マグネシウム単結晶体は、後述するように、放電遅れの減少などの放電特性の改善に寄与する。
そして、この気相法酸化マグネシウム単結晶体は、他の方法によって得られる酸化マグネシウムと比較すると、高純度であるとともに微粒子が得られ、さらに、粒子の凝集が少ないなどの特徴を備えている。
この実施例においては、BET法によって測定した平均粒径が500オングストローム以上(好ましくは、2000オングストローム以上)の気相法酸化マグネシウム単結晶体が用いられる。
この酸化マグネシウム層8は、上記のような気相法酸化マグネシウム単結晶体を含有するペーストが、スクリーン印刷法またはオフセット印刷法,ディスペンサ法,インクジェット法,ロールコート法などの方法によってアドレス放電セルC2内の放電空間に面する隔壁6の第1横壁6Aおよび縦壁6B,第2横壁6Cの各側面と列電極保護層5の表面に塗布されたり、または、気相法酸化マグネシウム単結晶体粉末がスプレー法や静電塗布法などの方法によって付着されることにより形成される。
上記PDPは、画像形成の際に、先ず、表示放電セルC1およびアドレス放電セルC2内においてリセット放電が行われた後、アドレス放電セルC2内において、行電極Yのアドレス放電透明電極Ycと列電極Dとの間でアドレス放電が行われる。
このアドレス放電セルC2内のアドレス放電によって発生した荷電粒子は、第1嵩上げ誘電体層3Aと第2横壁6Cとの間の隙間rを通って表示放電セルC1内に導入され、この荷電粒子によって、壁電荷が形成されている表示放電セルC1(発光セル)と壁電荷が形成されていない表示放電セルC1(非発光セル)とが、形成する画像に対応してパネル面に分布される。
そして、このアドレス放電の後、各発光セル内において行電極対(X,Y)の透明電極Xaと透明電極Yaの間で維持放電が発生されることにより、赤(R),緑(G),青(B)の蛍光体層7が発光して、パネル面に画像が形成される。
上記PDPは、アドレス放電が蛍光体層7を発光させるための維持放電が行われる表示放電セルC1とは区画されたアドレス放電セルC2内において行われるようになっていることにより、アドレス放電が、蛍光材料の色ごとに異なる放電特性や製造工程において生じる蛍光体層の厚さのばらつきなどの蛍光体層に起因した影響を受けることが無くなり、安定したアドレス放電特性を得ることが出来る。
さらに、上記PDPは、アドレス放電の前に行われるリセット放電時に、アドレス放電セルC2内においても放電が発生し、このとき、アドレス放電セルC2内に酸化マグネシウム層8が形成されていることによって、リセット放電によるプライミング効果が長く持続し、これによってアドレス放電が高速化される。
さらに、上記PDPは、アドレス放電セルC2内に酸化マグネシウム層8が形成されていることによって、図7および8に示されるように、電子線の照射によって、酸化マグネシウム層8に含まれる粒径の大きな気相法酸化マグネシウム単結晶体から、300〜400nmにピークを有するCL(カソードルミネッセンス)発光に加えて、波長域200〜300nm内(特に、235nm付近,230〜250nm内)にピークを有するCL発光が励起される。
この波長域200〜300nm内(特に、235nm付近,230〜250nm内)にピークを有するCL発光は、図9に示されるように、通常の蒸着法によって形成される酸化マグネシウム層からは励起されず、300〜400nmにピークを有するCL発光のみが励起される。
また、図7および8から分かるように、波長域200〜300nm内(特に、235nm)にピークを有するCL発光は、気相法酸化マグネシウム単結晶体の粒径が大きくなるほどそのピーク強度が大きくなる。
なお、酸化マグネシウム層8を形成する気相法酸化マグネシウム単結晶体の粒径(DBET)は、窒素吸着法によってBET比表面積(s)が測定され、この値から次式によって算出される。
BET=A/s×ρ
A:形状計数(A=6)
ρ:マグネシウムの真密度
図10は、CL発光強度と放電遅れとの相関関係を示すグラフである。
この図10から、酸化マグネシウム層8から励起される235nmのCL発光によって、PDPでの放電遅れが短縮されることが分かり、さらに、この235nmのCL発光強度が強いほどこの放電遅れが短縮されることが分かる。
以上のように、上記PDPは、BET法によって測定した平均粒径が500オングストローム以上(好ましくは、2000オングストローム以上)の気相法酸化マグネシウム単結晶体を含んだ酸化マグネシウム層8が形成されていることによって、放電確率や放電遅れなどの放電特性の改善(放電遅れの減少および放電確率の向上)が図られて、良好な放電特性を備えることが出来る。
図11は、アドレス放電セルC2内に設けられる酸化マグネシウム層8を、平均粒径が2000〜3000オングストロームの気相法酸化マグネシウム単結晶体を含むペーストを塗布することによって形成した場合と、従来の蒸着法によって形成した場合と、形成しなかった場合におけるそれぞれの放電確率を比較したグラフであり、図12は、図11において放電の休止時間が1000μsecの場合のそれぞれの放電確率を示している。
さらに、図13は、同様に、酸化マグネシウム層8を、平均粒径が2000〜3000オングストロームの気相法酸化マグネシウム単結晶体を含むペーストを塗布することによって形成した場合と、従来の蒸着法によって形成した場合と、形成しなかった場合のそれぞれの放電遅れ時間を比較したグラフであり、図14は、図13において放電の休止時間が1000μsecの場合のそれぞれの放電遅れ時間を示している。
なお、この図11ないし14においては、酸化マグネシウム層8に多重結晶構造の気相法酸化マグネシウム単結晶体が含まれている場合が示されている。
この図11ないし14から、気相法酸化マグネシウム単結晶体を含んだ酸化マグネシウム層8が形成されていることによって、上記PDPの放電確率や放電遅れが大幅に改善され、さらに、放電遅れの休止時間依存性が減少されて、良好な放電特性を備えることが分かる。
図15は、酸化マグネシウム層8を形成する気相法酸化マグネシウム単結晶体の粒径と放電確率の関係を示すグラフである。
この図15から、酸化マグネシウム層8を形成する気相法酸化マグネシウム単結晶体の粒径が大きいほど放電確率が高く、上記したような235nmにピークを有するCL発光が励起される粒径(図示の例では、2000オングストロームと3000オングストローム)の気相法酸化マグネシウム単結晶体によって形成された酸化マグネシウム層8が、大幅に放電確率を向上させていることが分かる。
上記のようなPDPにおける酸化マグネシウム層8による放電特性の改善は、波長域200〜300nm内(特に、235nm付近,230〜250nm内)にピークを有するCL発光を行う気相法酸化マグネシウム単結晶体が、そのピーク波長に対応したエネルギ準位を有し、そのエネルギ準位によって電子を長時間(数msec以上)トラップすることができ、この電子が電界によって取り出されることで、放電開始に必要な初期電子が得られことによって為されるものと推測される。
そして、この気相法酸化マグネシウム単結晶体による放電特性の改善効果が、波長域200〜300nm内(特に、235nm付近,230〜250nm内)にピークを有するCL発光の強度が大きくなるほど大きくなるのは、前述したように、CL発光強度と気相法酸化マグネシウム単結晶体の粒径との間にも相関関係(図8参照)があるためである。
すなわち、大きな粒径の気相法酸化マグネシウム単結晶体を形成しようとする場合には、マグネシウム蒸気を発生させる際の加熱温度を高くする必要があるため、マグネシウムと酸素が反応する火炎の長さが長くなり、この火炎と周囲との温度差が大きくなることによって、粒径の大きい気相法酸化マグネシウム単結晶体ほど上述したようなCL発光のピーク波長(例えば、235nm付近,230〜250nm内)に対応したエネルギ準位が多数形成されるものと考えられる。
また、立方体の多重結晶構造の気相法酸化マグネシウム単結晶体については、結晶面欠陥を多く含んでいて、その面欠陥エネルギ準位の存在が放電確率の改善に寄与しているとも推測される。
なお、図15から、平均粒径が500オングストローム程度の気相法酸化マグネシウム単結晶体を含むペーストをスクリーン印刷法またはオフセット印刷法,ディスペンサ法,インクジェット法,ロールコート法等の方法を用いて塗布することによって酸化マグネシウム層8を形成した場合でも、従来の蒸着酸化マグネシウム層に比べて放電確率が大幅に向上していることが分かる。
上記の図7ないし15の結果は、気相法酸化マグネシウム単結晶体を含むペーストを、スクリーン印刷法またはノズル塗布,インクジェット法などの方法によって塗布することにより酸化マグネシウム層8を形成した場合のものであるが、気相法酸化マグネシウム単結晶体の粉末をスプレ法や静電塗布法などの方法を用いて形成される粉末層によって、酸化マグネシウム層8を形成するようにしても良い。
また、上記の実施例においては、気相法酸化マグネシウム単結晶体を含むペーストをアドレス放電セル内に塗布して酸化マグネシウム層8を形成する例が示されているが、前面基板側の誘電体層2を覆うように酸化マグネシウム単結晶体を含むペーストを塗布して保護層を形成するようにしても良い。
さらに、前面基板側の誘電体層2上に蒸着法によって従来の酸化マグネシウム膜を形成し、その上に気相法酸化マグネシウム単結晶体の粉末を含むペーストを塗布して2層目のMgO膜を形成するようにしても良い。
図16ないし18は、この発明によるPDPの実施形態の第2実施例を示しており、図16はこの第2実施例におけるPDPを模式的に示す正面図、図17は図16のV3−V3線における断面図、図18は図16のW2−W2線における断面図である。
この図16ないし18に示されるPDPは、表示面である前面ガラス基板10の背面に、複数の行電極対(X1,Y1)が、前面ガラス基板10の行方向(図16の左右方向)に延びるように平行に配列されている。
行電極X1は、T字形状に形成されたITO等の透明導電膜からなる透明電極X1aと、前面ガラス基板10の行方向に延びて透明電極X1aの狭小の基端部に接続された金属膜からなるバス電極X1bとによって構成されている。
行電極Y1も同様に、T字形状に形成されたITO等の透明導電膜からなる透明電極Y1aと、前面ガラス基板10の行方向に延びて透明電極Y1aの狭小の基端部に接続された金属膜からなるバス電極Y1bとによって構成されている。
この行電極X1とY1は、前面ガラス基板10の列方向(図16の上下方向)に交互に配列されており、バス電極X1bとY1bに沿って並列されたそれぞれの透明電極X1aとY1aが、互いに対となる相手の行電極側に延びて、透明電極X1aとY1aの幅広部の頂辺が、それぞれ所要の幅の放電ギャップg1を介して互いに対向されている。
前面ガラス基板10の背面には、列方向において隣接する行電極対(X1,Y1)の互いに背中合わせになったバス電極X1bとY1bの間に、このバス電極X1b,Y1bに沿って行方向に延びる黒色または暗色の光吸収層(遮光層)11が形成されている。
さらに、前面ガラス基板10の背面には、行電極対(X1,Y1)を被覆するように誘電体層12が形成されており、この誘電体層12の背面には、互いに隣接する行電極対(X1,Y1)の背中合わせに位置するバス電極X1bおよびY1bに対向する位置およびこの背中合わせに位置するバス電極X1bとバス電極Y1bの間の領域部分に対向する位置に、誘電体層12の背面側に突出する嵩上げ誘電体層12Aが、バス電極X1b,Y1bと平行に延びるように形成されている。
そして、この誘電体層12と嵩上げ誘電体層12Aの背面側には、後述するような電子線によって励起されることにより波長域200〜300nm内にピークを有するCL発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含む酸化マグネシウム層13が形成されている。
一方、前面ガラス基板10と平行に配置された背面ガラス基板14の表示側の面上には、列電極D1が、各行電極対(X1,Y1)の互いに対となった透明電極X1aおよびY1aに対向する位置において行電極対(X1,Y1)と直交する方向(列方向)に延びるように、互いに所定の間隔を開けて平行に配列されている。
背面ガラス基板14の表示側の面上には、さらに、列電極D1を被覆する白色の列電極保護層15が形成され、この列電極保護層15上に、隔壁16が形成されている。
この隔壁16は、各行電極対(X1,Y1)のバス電極X1bとY1bに対向する位置においてそれぞれ行方向に延びる一対の横壁16Aと、隣接する列電極D1の間の中間位置において一対の横壁16A間を列方向に延びる縦壁16Bとによって梯子形状に形成されており、各隔壁16が、隣接する他の隔壁16の背中合わせに対向する横壁16Aとの間において行方向に延びる隙間SLを介して、列方向に並設されている。
そして、この梯子状の隔壁16によって、前面ガラス基板10と背面ガラス基板13の間の放電空間Sが、各行電極対(X1,Y1)において対になっている透明電極X1a,Y1aに対向する部分毎に方形に区画されて、放電セルC3がそれぞれ形成されている。
放電セルC3に面する隔壁16の横壁16Aおよび縦壁16Bの側面と列電極保護層15の表面には、これらの五つの面を全て覆うように蛍光体層17が形成されており、この蛍光体層17の色は、各放電セルC3毎に赤,緑,青の三原色が行方向に順に並ぶように配列されている。
嵩上げ誘電体層12Aは、この嵩上げ誘電体層12Aを被覆している酸化マグネシウム層13が隔壁16の横壁16Aの表示側の面に当接される(図17参照)ことによって、放電セルC3と隙間SLの間がそれぞれ閉じられているが、縦壁16Bの表示側の面は酸化マグネシウム層13に当接されておらず(図18参照)、その間に隙間r1が形成されて、行方向において隣接する放電セルC3がこの隙間r1を介して互いに連通されている。
放電空間S内には、キセノンガスを含む放電ガスが封入されている。
上記酸化マグネシウム層13を形成する酸化マグネシウム結晶体は、第1実施例の場合と同様に、気相酸化法により、加熱されたマグネシウムから発生するマグネシウム蒸気を気相法酸化して生成される単結晶体、例えば、電子線によって励起されることにより波長域200〜300nm内(特に、235nm)にピークを有するCL発光を行う気相法酸化マグネシウム単結晶体を含んでおり、この気相法酸化マグネシウム単結晶体には、例えば、図5のSEM写真像に示されるような、立方体の単結晶構造を有する酸化マグネシウム単結晶体と、図6のSEM写真像に示されるような、立方体の結晶体が互いに嵌り込んだ多重結晶構造を有する酸化マグネシウム単結晶体が含まれる。
そして、酸化マグネシウム層13は、上記のような気相法酸化マグネシウム単結晶体を含むペーストが、スクリーン印刷法またはオフセット印刷法,ディスペンサ法,インクジェット法,ロールコート法などの方法によって誘電体層12および嵩上げ誘電体層12Aの表面に塗布されたり、気相法酸化マグネシウム単結晶体粉末がスプレー法や静電塗布法などの方法によって誘電体層12および嵩上げ誘電体層12Aの表面に付着されたりすることによって形成され、または、気相法酸化マグネシウム単結晶体を含有するペーストが支持フィルム上に塗布され乾燥されてフィルム状またはシート状にされた後、誘電体層上にラミネートされることによって形成される。
図19は、気相法酸化マグネシウム単結晶体を含むペーストがスクリーン印刷法またはオフセット印刷法,ディスペンサ法,インクジェット法,ロールコート法などの方法によって塗布されることによって、酸化マグネシウム層13(A)が形成されている状態を示している。
また、図20は、気相法酸化マグネシウム単結晶体の粉末がスプレー法または静電塗布法などの方法によって付着された粉末層によって、酸化マグネシウム層13(B)が構成されている状態を示している。
上記のPDPにおいても、放電セルC3内に面する位置に、電子線によって励起されることにより波長域200〜300nm内にピークを有するCL発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含んだ酸化マグネシウム層13が形成されていることによって、放電セルC3内において発生される放電の高速化(例えば、リセット放電によるプライミング効果が長く持続することによるアドレス放電の高速化)が実現される。
図21は、酸化マグネシウム単結晶体の粉末を例えば特定のアルコールなどの媒体に分散させ、この懸濁液をスプレーガンを用いてエアースプレ法によって誘電体層12および嵩上げ誘電体層12Aの表面に吹き付けて酸化マグネシウム単結晶体の粉末を付着させることにより酸化マグネシウム層13を形成した場合の放電遅れ時間を、他の例の場合の放電遅れ時間と比較したグラフである。
この図21において、グラフaは、平均粒径が500オングストロームの気相法酸化マグネシウム単結晶体の粉末よる粉末層を誘電体層12の表面に形成した場合の放電確率を示しており、グラフbは、従来の蒸着法によって酸化マグネシウム層を誘電体層12の表面に形成した場合の放電確率を示しており、グラフcは、第1実施例のように、放電セルが表示放電セルとアドレス放電セルに分割されているタイプのPDPにおいて、アドレス放電セル内に平均粒径が500オングストロームの気相法酸化マグネシウム単結晶体の粉末を含むペーストを塗布することによって酸化マグネシウム層を形成した場合の放電確率を示しており、グラフdが、同様のタイプのアドレス放電セル内に、従来の蒸着法を用いて酸化マグネシウム層を形成した場合の放電確率を示している。
この図21のグラフaとcの比較から、酸化マグネシウム層13を気相法酸化マグネシウム単結晶体の粉末の付着によって形成した粉末層によって構成した場合の放電確率(放電遅れ)についても、酸化マグネシウム層を酸化マグネシウム単結晶体を含むぺ−ストの塗布によって形成した場合とほぼ同等の特性を得ることが出来ることが分かる。
さらに、この図21から、平均粒径が500オングストローム程度の気相法酸化マグネシウム単結晶体を用いて、スクリーン印刷法またはオフセット印刷法,ディスペンサ法,インクジェット法,ロールコート法等の方法による塗布によって酸化マグネシウム層を形成した場合、および、スプレ法または静電塗布法等の方法による付着によって酸化マグネシウム層を形成した場合の何れの場合にも、従来の蒸着法を用いて酸化マグネシウム層を形成した場合と比べて、放電確率が大幅に向上していることが分かる。
この発明の実施形態の第1実施例を示す正面図である。 図1のV1−V1線における断面図である。 図1のV2−V2線における断面図である。 図1のW1−W1線における断面図である。 立方体の単結晶構造を有する酸化マグネシウム単結晶体のSEM写真像を示す図である。 立方体の多重結晶構造を有する酸化マグネシウム単結晶体のSEM写真像を示す図である。 第1実施例において酸化マグネシウム単結晶体の粒径とCL発光の波長との関係を示すグラフである。 同例において酸化マグネシウム単結晶体の粒径と235nmのCL発光のピーク強度との関係を示すグラフである。 蒸着法による酸化マグネシウム層からのCL発光の波長の状態を示すグラフである。 酸化マグネシウム単結晶体からの235nmのCL発光のピーク強度と放電遅れとの関係を示すグラフである。 同例における放電確率の改善の状態を示すグラフである。 同例における放電確率の改善の状態を示す表図である。 同例における放電遅れの改善の状態を示すグラフである。 同例における放電遅れの改善の状態を示す表図である。 同例において酸化マグネシウム単結晶体の粒径と放電確率との関係を示すグラフである。 この発明の実施形態の第2実施例を示す正面図である。 図16のV3−V3線における断面図である。 図16のW2−W2線における断面図である。 同例において酸化マグネシウム単結晶体を含むペーストの塗布によって形成された酸化マグネシウム層の状態を示す断面図である。 同例において酸化マグネシウム単結晶体の付着による粉末層によって形成された酸化マグネシウム層の状態を示す断面図である。 同例において酸化マグネシウム層を酸化マグネシウム単結晶体による粉末層によって形成した場合の放電確率と他の例における放電確率との比較を示すグラフである。
符号の説明
1,10 …前面ガラス基板(前面基板)
4,14 …背面ガラス基板(背面基板)
8,13 …酸化マグネシウム層
C1 …表示放電セル(単位発光領域,第1発光領域)
C2 …アドレス放電セル(単位発光領域,第2発光領域)
C3 …放電セル(単位発光領域)
X,Y,X1,Y1 …行電極(電極)
D,D1 …列電極(電極)

Claims (3)

  1. 空間を介して対向する前面基板および背面基板と、この前面基板と背面基板の間に複数の行電極対およびこの行電極対に対して交差する方向に延びて行電極対との各交差部分の放電空間にそれぞれ単位発光領域を形成する複数の列電極が設けられているプラズマディスプレイパネルにおいて、
    前記放電空間が、画像形成のための放電が行われる表示放電セルと、画像形成のための放電を行う表示放電セルを選択するための放電が行われるアドレス放電セルとに区画され、
    前記アドレス放電セルの前記放電空間に面する部分に、2000オングストローム以上の粒径を有し、電子線によって励起されて波長域200〜300nm内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含む酸化マグネシウム層が設けられていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
  2. 前記酸化マグネシウム結晶体が、電子線によって励起されて波長域230〜250nm内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。
  3. 前記酸化マグネシウム結晶体が、気相酸化法によって生成された酸化マグネシウム単結晶体である請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。
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