JP2006245018A - プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ＰＤＰの放電特性を改善する。
【解決手段】背面ガラス基板４上の列電極Ｄを被覆する列電極保護層５上に、電子線によって励起されて波長域２００〜３００nm内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含む層が設けられている。
【選択図】図２

Description

この発明は、プラズマディスプレイパネルの構成およびプラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。

面放電方式交流型プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）は、放電ガスが封入されている放電空間を挟んで互いに対向される二枚のガラス基板のうち、一方のガラス基板に行方向に延びる行電極対が列方向に並設され、他方のガラス基板に列方向に延びる列電極が行方向に並設されていて、放電空間の行電極対と列電極がそれぞれ交差する部分に、マトリックス状に単位発光領域（放電セル）が形成されている。

そして、このＰＤＰには、行電極や列電極を被覆するために形成された誘電体層上の単位発光領域内に面する位置に、誘電体層の保護機能と単位発光領域内への２次電子放出機能とを有する酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜が形成されている。

このようなＰＤＰの製造工程における酸化マグネシウム膜の形成方法としては、酸化マグネシウム粉末を混入したペーストを誘電体層上に塗布することによって形成するスクリーン印刷法が、簡便な手法であることから、その採用が検討されている（例えば、特許文献１参照）。

しかしながら、特許文献１のように、水酸化マグネシウムを熱処理して精製した多結晶片葉形の酸化マグネシウムを混入したペーストを用いて、スクリーン印刷法によってＰＤＰの酸化マグネシウム膜を形成する場合には、ＰＤＰの放電特性は、蒸着法によって酸化マグネシウム膜を形成する場合とほとんど同じかまたは僅かに向上する程度に過ぎない。

このため、放電特性をより一層向上させることが出来る酸化マグネシウム膜（保護膜）をＰＤＰに形成出来るようにすることが要望されている。

特開平６−３２５６９６号公報

この発明は、上記のような従来の酸化マグネシウム膜が形成されるＰＤＰにおける問題点を解決することをその解決課題の一つとしている。

第１の発明（請求項１に記載の発明）によるプラズマディスプレイパネルは、上記課題を解決するために、放電空間を介して対向する前面基板および背面基板と、この前面基板と背面基板の間に設けられた複数の行電極対およびこの行電極対に対して交差する方向に延びて行電極対との各交差部分の放電空間にそれぞれ単位発光領域を形成する複数の列電極と、背面基板上に設けられて列電極を被覆する列電極保護層とを備えたプラズマディスプレイパネルにおいて、前記列電極保護層上に、電子線によって励起されて波長域２００〜３００nm内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含む層が設けられていることを特徴としている。

この発明によるＰＤＰは、前面ガラス基板と背面ガラス基板の間に、行方向に延びる行電極対と、列方向に延びて行電極対との交差部分の放電空間に放電セル（単位発光領域）を形成する列電極が設けられ、この放電セルに面する部分に、酸化マグネシウム層が、電子線によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含むペーストをスクリーン印刷法またはオフセット印刷法，ディスペンサ法，インクジェット法，ロールコート法などの方法による塗布によって、または、上記の酸化マグネシウム単結晶体の粉末をスプレー法や静電塗布法などの方法による付着によって形成されているＰＤＰをその最良の実施形態としている。

この実施形態におけるＰＤＰは、放電セルに面する部分に設けられた酸化マグネシウム層が、電子線によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含んでいることにより、ＰＤＰにおける放電確率や放電遅れなどの放電特性が改善されて、良好な放電特性を得ることが出来る。

図１ないし４は、この発明の実施形態における第１の実施例を示している。

図１は、この第１実施例における面放電方式交流型ＰＤＰのセル構造を模式的に示す正面図であり、図２は図１のＶ１−Ｖ１線における断面図、図３は図１のＶ２−Ｖ２線における断面図、図４は図１のＷ１−Ｗ１線における断面図である。

この図１ないし４において、ＰＤＰは、表示面である前面ガラス基板１の背面に、複数の行電極対（Ｘ，Ｙ）が、前面ガラス基板１の行方向（図１の左右方向）に延びるとともに列方向（図１の上下方向）に並設されている。

行電極Ｘは、Ｔ字形状に形成されたＩＴＯ等の透明導電膜からなる透明電極Ｘａと、前面ガラス基板１の行方向に延びて透明電極Ｘａの幅が小さい基端部に接続された金属膜からなる黒色のバス電極Ｘｂによって構成されている。

行電極Ｙも同様に、Ｔ字形状に形成されたＩＴＯ等の透明導電膜からなる透明電極Ｙａと、前面ガラス基板１の行方向に延びて透明電極Ｙａの幅が小さい基端部に接続された金属膜からなる黒色のバス電極Ｙｂと、透明電極Ｙａと一体的に形成されてバス電極Ｙｂに対してこの透明電極Ｙａの基端部から反対側に突出するアドレス放電透明電極Ｙｃとによって構成されている。

この行電極ＸとＹは、前面ガラス基板１の列方向（図１の上下方向、および、図２の左右方向）に交互に配置されており、バス電極ＸｂとＹｂに沿って等間隔に並列されたそれぞれの透明電極ＸａとＹａが、互いに対となる相手の行電極側に延びて、この透明電極ＸａとＹａの幅が広い先端部が、それぞれ所要の幅の放電ギャップｇを介して互いに対向されている。

そして、行電極Ｙのアドレス放電透明電極Ｙｃが、列方向において隣接する他の行電極対（Ｘ，Ｙ）の間隔を開けて互いに背中合わせに位置されている行電極Ｘのバス電極Ｘｂと行電極Ｙのバス電極Ｙｂとの間に、それぞれ位置されている。

この各行電極対（Ｘ，Ｙ）ごとに、それぞれ、行方向に延びる表示ラインＬが構成されている。

前面ガラス基板１の背面には、行電極対（Ｘ，Ｙ）を被覆するように誘電体層２が形成されており、この誘電体層２の背面側には、行方向において互いに隣接している行電極対（Ｘ，Ｙ）の互いに背中合わせに位置するバス電極ＸｂとＹｂ、および、この背中合わせのバス電極ＸｂとＹｂの間の領域部分（アドレス放電透明電極Ｙｃが位置している部分）に対向する位置に、誘電体層２から背面側（図２において下方側）に向かって突出する黒色または暗色の第１嵩上げ誘電体層３Ａが、バス電極Ｘｂ，Ｙｂと平行に延びるように形成されている。

さらに、この第１嵩上げ誘電体層３Ａの背面のバス電極Ｘｂに対向する部分に、第１嵩上げ誘電体層３Ａから背面側（図２において下方側）に向かって突出する第２嵩上げ誘電体層３Ｂが、バス電極Ｘｂと平行に延びるように形成されている。

この誘電体層２と第１嵩上げ誘電体層３Ａ，第２嵩上げ誘電体層３Ｂの背面側表面は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる図示しない保護層によって被覆されている。

前面ガラス基板１と放電空間を介して平行に配置された背面ガラス基板４の前面ガラス基板１と対向する側の面上には、複数の列電極Ｄが、各行電極対（Ｘ，Ｙ）の互いに対となった透明電極ＸａおよびＹａにそれぞれ対向する位置においてバス電極Ｘｂ，Ｙｂと直交する方向（列方向）に延びるように、互いに所定の間隔を開けて平行に配列されている。

この背面ガラス基板４の前面ガラス基板１に対向する側の面上には、さらに、列電極Ｄを被覆する列電極保護層（誘電体層）５が形成され、この列電極保護層５上に、下記に詳述するような形状の隔壁６が形成されている。

すなわち、この隔壁６は、前面ガラス基板１側から見て、各行電極Ｘのバス電極Ｘｂと対向する位置においてそれぞれ行方向に延びる第１横壁６Ａと、行電極Ｘ，Ｙのバス電極Ｘｂ，Ｙｂに沿って等間隔に配置された各透明電極Ｘａ，Ｙａの間の位置においてそれぞれ列方向に延びる縦壁６Ｂと、各行電極Ｙのバス電極Ｙｂと対向する位置においてそれぞれ第１横壁６Ａと所要の間隔を空けて平行に延びる第２横壁６Ｃとによって構成されている。

そして、これら第１横壁６Ａおよび縦壁６Ｂ，第２横壁６Ｃの高さは、第２嵩上げ誘電体層３Ｂの背面側を被覆している保護層と列電極Ｄを被覆している列電極保護層５との間の間隔に等しくなるように設定されている。

これによって、隔壁６の第１横壁６Ａの表側の面（図２において上側の面）が第２嵩上げ誘電体層３Ｂを被覆している保護層に当接されている。

この隔壁６の第１横壁６Ａと縦壁６Ｂ，第２横壁６Ｃによって、前面ガラス基板１と背面ガラス基板４の間の放電空間が、それぞれ、互いに対向されて対になっている透明電極ＸａとＹａに対向する領域ごとに区画されて表示放電セル（第１発光領域）Ｃ１が形成され、さらに、第１横壁６Ａと第２横壁６Ｃに挟まれて互いに隣接する行電極対（Ｘ，Ｙ）の背中合わせに位置するバス電極ＸｂとＹｂの間の領域に対向する部分の空間が、縦壁６Ｂによって区画されることによって、それぞれ表示放電セルＣ１と列方向において互い違いに配置されるアドレス放電セル（第２発光領域）Ｃ２が形成されている。

このアドレス放電セルＣ２は、行電極Ｙのアドレス放電透明電極Ｙｃに対向されている。

そして、列方向において第２横壁６Ｃを挟んで隣接する表示放電セルＣ１とアドレス放電セルＣ２とは、それぞれ、第１嵩上げ誘電体層３Ａを被覆している保護層と第２横壁６Ｃとの間に形成される隙間ｒを介して互いに連通されている。

各表示放電セルＣ１内の放電空間に面する隔壁６の第１横壁６Ａおよび縦壁６Ｂ，第２横壁６Ｃの各側面と列電極保護層５の表面には、これらの五つの面をほぼ全て覆うように蛍光体層７が形成されており、この蛍光体層７の色は、各表示放電セルＣ１毎に赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の色が行方向に順に並ぶように配列されている。

また、各アドレス放電セルＣ２内の放電空間に面する隔壁６の第１横壁６Ａおよび縦壁６Ｂ，第２横壁６Ｃの各側面と列電極保護層５の表面には、これらの五つの面をほぼ全て覆うように、後で詳述するような、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光（ＣＬ発光）を行う酸化マグネシウム結晶体を含む酸化マグネシウム（ＭｇＯ）層８が形成されている。

表示放電セルＣ１およびアドレス放電セルＣ２内には、キセノンを含む放電ガスが封入されている。

上記ＰＤＰの酸化マグネシウム層８は、下記の材料および方法によって形成されている。

すなわち、この酸化マグネシウム層８の形成材料となる電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体とは、例えば、マグネシウムを加熱して発生するマグネシウム蒸気を気相酸化して得られるマグネシウムの単結晶体（以下、このマグネシウムの単結晶体を気相法酸化マグネシウム単結晶体という）を含み、この気相法酸化マグネシウム単結晶体には、例えば、図５のＳＥＭ写真像に示されるような、立方体の単結晶構造を有する酸化マグネシウム単結晶体と、図６のＳＥＭ写真像に示されるような、立方体の結晶体が互いに嵌り込んだ構造（すなわち、立方体の多重結晶構造）を有する酸化マグネシウム単結晶体が含まれる。

この気相法酸化マグネシウム単結晶体は、後述するように、放電遅れの減少などの放電特性の改善に寄与する。

そして、この気相法酸化マグネシウム単結晶体は、他の方法によって得られる酸化マグネシウムと比較すると、高純度であるとともに微粒子が得られ、さらに、粒子の凝集が少ないなどの特徴を備えている。

この実施例においては、ＢＥＴ法によって測定した平均粒径が５００オングストローム以上（好ましくは、２０００オングストローム以上）の気相法酸化マグネシウム単結晶体が用いられる。

この酸化マグネシウム層８は、上記のような気相法酸化マグネシウム単結晶体を含有するペーストが、スクリーン印刷法またはオフセット印刷法，ディスペンサ法，インクジェット法，ロールコート法などの方法によってアドレス放電セルＣ２内の放電空間に面する隔壁６の第１横壁６Ａおよび縦壁６Ｂ，第２横壁６Ｃの各側面と列電極保護層５の表面に塗布されたり、または、気相法酸化マグネシウム単結晶体粉末がスプレー法や静電塗布法などの方法によって付着されることにより形成される。

上記ＰＤＰは、画像形成の際に、先ず、表示放電セルＣ１およびアドレス放電セルＣ２内においてリセット放電が行われた後、アドレス放電セルＣ２内において、行電極Ｙのアドレス放電透明電極Ｙｃと列電極Ｄとの間でアドレス放電が行われる。

このアドレス放電セルＣ２内のアドレス放電によって発生した荷電粒子は、第１嵩上げ誘電体層３Ａと第２横壁６Ｃとの間の隙間ｒを通って表示放電セルＣ１内に導入され、この荷電粒子によって、壁電荷が形成されている表示放電セルＣ１（発光セル）と壁電荷が形成されていない表示放電セルＣ１（非発光セル）とが、形成する画像に対応してパネル面に分布される。

そして、このアドレス放電の後、各発光セル内において行電極対（Ｘ，Ｙ）の透明電極Ｘａと透明電極Ｙａの間で維持放電が発生されることにより、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の蛍光体層７が発光して、パネル面に画像が形成される。

上記ＰＤＰは、アドレス放電が蛍光体層７を発光させるための維持放電が行われる表示放電セルＣ１とは区画されたアドレス放電セルＣ２内において行われるようになっていることにより、アドレス放電が、蛍光材料の色ごとに異なる放電特性や製造工程において生じる蛍光体層の厚さのばらつきなどの蛍光体層に起因した影響を受けることが無くなり、安定したアドレス放電特性を得ることが出来る。

さらに、上記ＰＤＰは、アドレス放電の前に行われるリセット放電時に、アドレス放電セルＣ２内においても放電が発生し、このとき、アドレス放電セルＣ２内に酸化マグネシウム層８が形成されていることによって、リセット放電によるプライミング効果が長く持続し、これによってアドレス放電が高速化される。

さらに、上記ＰＤＰは、アドレス放電セルＣ２内に酸化マグネシウム層８が形成されていることによって、図７および８に示されるように、電子線の照射によって、酸化マグネシウム層８に含まれる粒径の大きな気相法酸化マグネシウム単結晶体から、３００〜４００ｎｍにピークを有するＣＬ（カソードルミネッセンス）発光に加えて、波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３５ｎｍ付近，２３０〜２５０ｎｍ内）にピークを有するＣＬ発光が励起される。

この波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３５ｎｍ付近，２３０〜２５０ｎｍ内）にピークを有するＣＬ発光は、図９に示されるように、通常の蒸着法によって形成される酸化マグネシウム層からは励起されず、３００〜４００ｎｍにピークを有するＣＬ発光のみが励起される。

また、図７および８から分かるように、波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３５ｎｍ）にピークを有するＣＬ発光は、気相法酸化マグネシウム単結晶体の粒径が大きくなるほどそのピーク強度が大きくなる。

なお、酸化マグネシウム層８を形成する気相法酸化マグネシウム単結晶体の粒径（Ｄ_BET）は、窒素吸着法によってＢＥＴ比表面積（ｓ）が測定され、この値から次式によって算出される。

Ｄ_BET＝Ａ／ｓ×ρ
Ａ：形状計数（Ａ＝６）
ρ：マグネシウムの真密度
図１０は、ＣＬ発光強度と放電遅れとの相関関係を示すグラフである。

この図１０から、酸化マグネシウム層８から励起される２３５ｎｍのＣＬ発光によって、ＰＤＰでの放電遅れが短縮されることが分かり、さらに、この２３５ｎｍのＣＬ発光強度が強いほどこの放電遅れが短縮されることが分かる。

以上のように、上記ＰＤＰは、ＢＥＴ法によって測定した平均粒径が５００オングストローム以上（好ましくは、２０００オングストローム以上）の気相法酸化マグネシウム単結晶体を含んだ酸化マグネシウム層８が形成されていることによって、放電確率や放電遅れなどの放電特性の改善（放電遅れの減少および放電確率の向上）が図られて、良好な放電特性を備えることが出来る。

図１１は、アドレス放電セルＣ２内に設けられる酸化マグネシウム層８を、平均粒径が２０００〜３０００オングストロームの気相法酸化マグネシウム単結晶体を含むペーストを塗布することによって形成した場合と、従来の蒸着法によって形成した場合と、形成しなかった場合におけるそれぞれの放電確率を比較したグラフであり、図１２は、図１１において放電の休止時間が１０００μｓｅｃの場合のそれぞれの放電確率を示している。

さらに、図１３は、同様に、酸化マグネシウム層８を、平均粒径が２０００〜３０００オングストロームの気相法酸化マグネシウム単結晶体を含むペーストを塗布することによって形成した場合と、従来の蒸着法によって形成した場合と、形成しなかった場合のそれぞれの放電遅れ時間を比較したグラフであり、図１４は、図１３において放電の休止時間が１０００μｓｅｃの場合のそれぞれの放電遅れ時間を示している。

なお、この図１１ないし１４においては、酸化マグネシウム層８に多重結晶構造の気相法酸化マグネシウム単結晶体が含まれている場合が示されている。

この図１１ないし１４から、気相法酸化マグネシウム単結晶体を含んだ酸化マグネシウム層８が形成されていることによって、上記ＰＤＰの放電確率や放電遅れが大幅に改善され、さらに、放電遅れの休止時間依存性が減少されて、良好な放電特性を備えることが分かる。

図１５は、酸化マグネシウム層８を形成する気相法酸化マグネシウム単結晶体の粒径と放電確率の関係を示すグラフである。

この図１５から、酸化マグネシウム層８を形成する気相法酸化マグネシウム単結晶体の粒径が大きいほど放電確率が高く、上記したような２３５ｎｍにピークを有するＣＬ発光が励起される粒径（図示の例では、２０００オングストロームと３０００オングストローム）の気相法酸化マグネシウム単結晶体によって形成された酸化マグネシウム層８が、大幅に放電確率を向上させていることが分かる。

上記のようなＰＤＰにおける酸化マグネシウム層８による放電特性の改善は、波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３５ｎｍ付近，２３０〜２５０ｎｍ内）にピークを有するＣＬ発光を行う気相法酸化マグネシウム単結晶体が、そのピーク波長に対応したエネルギ準位を有し、そのエネルギ準位によって電子を長時間（数ｍｓｅｃ以上）トラップすることができ、この電子が電界によって取り出されることで、放電開始に必要な初期電子が得られことによって為されるものと推測される。

そして、この気相法酸化マグネシウム単結晶体による放電特性の改善効果が、波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３５ｎｍ付近，２３０〜２５０ｎｍ内）にピークを有するＣＬ発光の強度が大きくなるほど大きくなるのは、前述したように、ＣＬ発光強度と気相法酸化マグネシウム単結晶体の粒径との間にも相関関係（図８参照）があるためである。

すなわち、大きな粒径の気相法酸化マグネシウム単結晶体を形成しようとする場合には、マグネシウム蒸気を発生させる際の加熱温度を高くする必要があるため、マグネシウムと酸素が反応する火炎の長さが長くなり、この火炎と周囲との温度差が大きくなることによって、粒径の大きい気相法酸化マグネシウム単結晶体ほど上述したようなＣＬ発光のピーク波長（例えば、２３５ｎｍ付近，２３０〜２５０ｎｍ内）に対応したエネルギ準位が多数形成されるものと考えられる。

また、立方体の多重結晶構造の気相法酸化マグネシウム単結晶体については、結晶面欠陥を多く含んでいて、その面欠陥エネルギ準位の存在が放電確率の改善に寄与しているとも推測される。

なお、図１５から、平均粒径が５００オングストローム程度の気相法酸化マグネシウム単結晶体を含むペーストをスクリーン印刷法またはオフセット印刷法，ディスペンサ法，インクジェット法，ロールコート法等の方法を用いて塗布することによって酸化マグネシウム層８を形成した場合でも、従来の蒸着酸化マグネシウム層に比べて放電確率が大幅に向上していることが分かる。

上記の図７ないし１５の結果は、気相法酸化マグネシウム単結晶体を含むペーストを、スクリーン印刷法またはノズル塗布，インクジェット法などの方法によって塗布することにより酸化マグネシウム層８を形成した場合のものであるが、気相法酸化マグネシウム単結晶体の粉末をスプレ法や静電塗布法などの方法を用いて形成される粉末層によって、酸化マグネシウム層８を形成するようにしても良い。

また、上記の実施例においては、気相法酸化マグネシウム単結晶体を含むペーストをアドレス放電セル内に塗布して酸化マグネシウム層８を形成する例が示されているが、前面基板側の誘電体層２を覆うように酸化マグネシウム単結晶体を含むペーストを塗布して保護層を形成するようにしても良い。

さらに、前面基板側の誘電体層２上に蒸着法によって従来の酸化マグネシウム膜を形成し、その上に気相法酸化マグネシウム単結晶体の粉末を含むペーストを塗布して２層目のＭｇＯ膜を形成するようにしても良い。

図１６ないし１８は、この発明によるＰＤＰの実施形態の第２実施例を示しており、図１６はこの第２実施例におけるＰＤＰを模式的に示す正面図、図１７は図１６のＶ３−Ｖ３線における断面図、図１８は図１６のＷ２−Ｗ２線における断面図である。

この図１６ないし１８に示されるＰＤＰは、表示面である前面ガラス基板１０の背面に、複数の行電極対（Ｘ１，Ｙ１）が、前面ガラス基板１０の行方向（図１６の左右方向）に延びるように平行に配列されている。

行電極Ｘ１は、Ｔ字形状に形成されたＩＴＯ等の透明導電膜からなる透明電極Ｘ１ａと、前面ガラス基板１０の行方向に延びて透明電極Ｘ１ａの狭小の基端部に接続された金属膜からなるバス電極Ｘ１ｂとによって構成されている。

行電極Ｙ１も同様に、Ｔ字形状に形成されたＩＴＯ等の透明導電膜からなる透明電極Ｙ１ａと、前面ガラス基板１０の行方向に延びて透明電極Ｙ１ａの狭小の基端部に接続された金属膜からなるバス電極Ｙ１ｂとによって構成されている。

この行電極Ｘ１とＹ１は、前面ガラス基板１０の列方向（図１６の上下方向）に交互に配列されており、バス電極Ｘ１ｂとＹ１ｂに沿って並列されたそれぞれの透明電極Ｘ１ａとＹ１ａが、互いに対となる相手の行電極側に延びて、透明電極Ｘ１ａとＹ１ａの幅広部の頂辺が、それぞれ所要の幅の放電ギャップｇ１を介して互いに対向されている。

前面ガラス基板１０の背面には、列方向において隣接する行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の互いに背中合わせになったバス電極Ｘ１ｂとＹ１ｂの間に、このバス電極Ｘ１ｂ，Ｙ１ｂに沿って行方向に延びる黒色または暗色の光吸収層（遮光層）１１が形成されている。

さらに、前面ガラス基板１０の背面には、行電極対（Ｘ１，Ｙ１）を被覆するように誘電体層１２が形成されており、この誘電体層１２の背面には、互いに隣接する行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の背中合わせに位置するバス電極Ｘ１ｂおよびＹ１ｂに対向する位置およびこの背中合わせに位置するバス電極Ｘ１ｂとバス電極Ｙ１ｂの間の領域部分に対向する位置に、誘電体層１２の背面側に突出する嵩上げ誘電体層１２Ａが、バス電極Ｘ１ｂ，Ｙ１ｂと平行に延びるように形成されている。

そして、この誘電体層１２と嵩上げ誘電体層１２Ａの背面側には、後述するような電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するＣＬ発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含む酸化マグネシウム層１３が形成されている。

一方、前面ガラス基板１０と平行に配置された背面ガラス基板１４の表示側の面上には、列電極Ｄ１が、各行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の互いに対となった透明電極Ｘ１ａおよびＹ１ａに対向する位置において行電極対（Ｘ１，Ｙ１）と直交する方向（列方向）に延びるように、互いに所定の間隔を開けて平行に配列されている。

背面ガラス基板１４の表示側の面上には、さらに、列電極Ｄ１を被覆する白色の列電極保護層１５が形成され、この列電極保護層１５上に、隔壁１６が形成されている。

この隔壁１６は、各行電極対（Ｘ１，Ｙ１）のバス電極Ｘ１ｂとＹ１ｂに対向する位置においてそれぞれ行方向に延びる一対の横壁１６Ａと、隣接する列電極Ｄ１の間の中間位置において一対の横壁１６Ａ間を列方向に延びる縦壁１６Ｂとによって梯子形状に形成されており、各隔壁１６が、隣接する他の隔壁１６の背中合わせに対向する横壁１６Ａとの間において行方向に延びる隙間ＳＬを介して、列方向に並設されている。

そして、この梯子状の隔壁１６によって、前面ガラス基板１０と背面ガラス基板１３の間の放電空間Ｓが、各行電極対（Ｘ１，Ｙ１）において対になっている透明電極Ｘ１ａ，Ｙ１ａに対向する部分毎に方形に区画されて、放電セルＣ３がそれぞれ形成されている。

放電セルＣ３に面する隔壁１６の横壁１６Ａおよび縦壁１６Ｂの側面と列電極保護層１５の表面には、これらの五つの面を全て覆うように蛍光体層１７が形成されており、この蛍光体層１７の色は、各放電セルＣ３毎に赤，緑，青の三原色が行方向に順に並ぶように配列されている。

嵩上げ誘電体層１２Ａは、この嵩上げ誘電体層１２Ａを被覆している酸化マグネシウム層１３が隔壁１６の横壁１６Ａの表示側の面に当接される（図１７参照）ことによって、放電セルＣ３と隙間ＳＬの間がそれぞれ閉じられているが、縦壁１６Ｂの表示側の面は酸化マグネシウム層１３に当接されておらず（図１８参照）、その間に隙間ｒ１が形成されて、行方向において隣接する放電セルＣ３がこの隙間ｒ１を介して互いに連通されている。

放電空間Ｓ内には、キセノンガスを含む放電ガスが封入されている。

上記酸化マグネシウム層１３を形成する酸化マグネシウム結晶体は、第１実施例の場合と同様に、気相酸化法により、加熱されたマグネシウムから発生するマグネシウム蒸気を気相法酸化して生成される単結晶体、例えば、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３５ｎｍ）にピークを有するＣＬ発光を行う気相法酸化マグネシウム単結晶体を含んでおり、この気相法酸化マグネシウム単結晶体には、例えば、図５のＳＥＭ写真像に示されるような、立方体の単結晶構造を有する酸化マグネシウム単結晶体と、図６のＳＥＭ写真像に示されるような、立方体の結晶体が互いに嵌り込んだ多重結晶構造を有する酸化マグネシウム単結晶体が含まれる。

そして、酸化マグネシウム層１３は、上記のような気相法酸化マグネシウム単結晶体を含むペーストが、スクリーン印刷法またはオフセット印刷法，ディスペンサ法，インクジェット法，ロールコート法などの方法によって誘電体層１２および嵩上げ誘電体層１２Ａの表面に塗布されたり、気相法酸化マグネシウム単結晶体粉末がスプレー法や静電塗布法などの方法によって誘電体層１２および嵩上げ誘電体層１２Ａの表面に付着されたりすることによって形成され、または、気相法酸化マグネシウム単結晶体を含有するペーストが支持フィルム上に塗布され乾燥されてフィルム状またはシート状にされた後、誘電体層上にラミネートされることによって形成される。

図１９は、気相法酸化マグネシウム単結晶体を含むペーストがスクリーン印刷法またはオフセット印刷法，ディスペンサ法，インクジェット法，ロールコート法などの方法によって塗布されることによって、酸化マグネシウム層１３（Ａ）が形成されている状態を示している。

また、図２０は、気相法酸化マグネシウム単結晶体の粉末がスプレー法または静電塗布法などの方法によって付着された粉末層によって、酸化マグネシウム層１３（Ｂ）が構成されている状態を示している。
上記のＰＤＰにおいても、放電セルＣ３内に面する位置に、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するＣＬ発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含んだ酸化マグネシウム層１３が形成されていることによって、放電セルＣ３内において発生される放電の高速化（例えば、リセット放電によるプライミング効果が長く持続することによるアドレス放電の高速化）が実現される。

図２１は、酸化マグネシウム単結晶体の粉末を例えば特定のアルコールなどの媒体に分散させ、この懸濁液をスプレーガンを用いてエアースプレ法によって誘電体層１２および嵩上げ誘電体層１２Ａの表面に吹き付けて酸化マグネシウム単結晶体の粉末を付着させることにより酸化マグネシウム層１３を形成した場合の放電遅れ時間を、他の例の場合の放電遅れ時間と比較したグラフである。

この図２１において、グラフａは、平均粒径が５００オングストロームの気相法酸化マグネシウム単結晶体の粉末よる粉末層を誘電体層１２の表面に形成した場合の放電確率を示しており、グラフｂは、従来の蒸着法によって酸化マグネシウム層を誘電体層１２の表面に形成した場合の放電確率を示しており、グラフｃは、第１実施例のように、放電セルが表示放電セルとアドレス放電セルに分割されているタイプのＰＤＰにおいて、アドレス放電セル内に平均粒径が５００オングストロームの気相法酸化マグネシウム単結晶体の粉末を含むペーストを塗布することによって酸化マグネシウム層を形成した場合の放電確率を示しており、グラフｄが、同様のタイプのアドレス放電セル内に、従来の蒸着法を用いて酸化マグネシウム層を形成した場合の放電確率を示している。

この図２１のグラフａとｃの比較から、酸化マグネシウム層１３を気相法酸化マグネシウム単結晶体の粉末の付着によって形成した粉末層によって構成した場合の放電確率（放電遅れ）についても、酸化マグネシウム層を酸化マグネシウム単結晶体を含むぺ−ストの塗布によって形成した場合とほぼ同等の特性を得ることが出来ることが分かる。

さらに、この図２１から、平均粒径が５００オングストローム程度の気相法酸化マグネシウム単結晶体を用いて、スクリーン印刷法またはオフセット印刷法，ディスペンサ法，インクジェット法，ロールコート法等の方法による塗布によって酸化マグネシウム層を形成した場合、および、スプレ法または静電塗布法等の方法による付着によって酸化マグネシウム層を形成した場合の何れの場合にも、従来の蒸着法を用いて酸化マグネシウム層を形成した場合と比べて、放電確率が大幅に向上していることが分かる。

この発明の実施形態の第１実施例を示す正面図である。 図１のＶ１−Ｖ１線における断面図である。 図１のＶ２−Ｖ２線における断面図である。 図１のＷ１−Ｗ１線における断面図である。 立方体の単結晶構造を有する酸化マグネシウム単結晶体のＳＥＭ写真像を示す図である。 立方体の多重結晶構造を有する酸化マグネシウム単結晶体のＳＥＭ写真像を示す図である。 第１実施例において酸化マグネシウム単結晶体の粒径とＣＬ発光の波長との関係を示すグラフである。 同例において酸化マグネシウム単結晶体の粒径と２３５ｎｍのＣＬ発光のピーク強度との関係を示すグラフである。 蒸着法による酸化マグネシウム層からのＣＬ発光の波長の状態を示すグラフである。 酸化マグネシウム単結晶体からの２３５ｎｍのＣＬ発光のピーク強度と放電遅れとの関係を示すグラフである。 同例における放電確率の改善の状態を示すグラフである。 同例における放電確率の改善の状態を示す表図である。 同例における放電遅れの改善の状態を示すグラフである。 同例における放電遅れの改善の状態を示す表図である。 同例において酸化マグネシウム単結晶体の粒径と放電確率との関係を示すグラフである。 この発明の実施形態の第２実施例を示す正面図である。 図１６のＶ３−Ｖ３線における断面図である。 図１６のＷ２−Ｗ２線における断面図である。 同例において酸化マグネシウム単結晶体を含むペーストの塗布によって形成された酸化マグネシウム層の状態を示す断面図である。 同例において酸化マグネシウム単結晶体の付着による粉末層によって形成された酸化マグネシウム層の状態を示す断面図である。 同例において酸化マグネシウム層を酸化マグネシウム単結晶体による粉末層によって形成した場合の放電確率と他の例における放電確率との比較を示すグラフである。

符号の説明

１，１０ …前面ガラス基板（前面基板）
４，１４ …背面ガラス基板（背面基板）
８，１３ …酸化マグネシウム層
Ｃ１ …表示放電セル（単位発光領域，第１発光領域）
Ｃ２ …アドレス放電セル（単位発光領域，第２発光領域）
Ｃ３ …放電セル（単位発光領域）
Ｘ，Ｙ，Ｘ１，Ｙ１ …行電極（電極）
Ｄ，Ｄ１ …列電極（電極）

Claims (11)

1. 放電空間を介して対向する前面基板および背面基板と、この前面基板と背面基板の間に設けられた複数の行電極対およびこの行電極対に対して交差する方向に延びて行電極対との各交差部分の放電空間にそれぞれ単位発光領域を形成する複数の列電極と、背面基板上に設けられて列電極を被覆する列電極保護層とを備えたプラズマディスプレイパネルにおいて、
   前記列電極保護層上に、電子線によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含む層が設けられている、
   ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
2. 前記酸化マグネシウム結晶体を含む層が、行電極対を構成する行電極のうち列電極との間でアドレス放電を発生させる一方の行電極と列電極の双方の電極に対向する部分に設けられている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
3. 前記酸化マグネシウム結晶体が、気相酸化法によって生成された酸化マグネシウム単結晶体である請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
4. 前記酸化マグネシウム結晶体が、２３０ないし２５０ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
5. 前記酸化マグネシウム結晶体が、２０００オングストローム以上の粒径を有している請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
6. 前記酸化マグネシウム結晶体を含む層が、さらに、行電極対を被覆する誘電体層上に形成されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
7. 前記酸化マグネシウム結晶体が放電空間に露出されている請求項６に記載のプラズマディスプレイパネル。
8. 前記酸化マグネシウム単結晶体が、立方体の単結晶構造を有する酸化マグネシウム単結晶体である請求項３に記載のプラズマディスプレイパネル。
9. 前記酸化マグネシウム単結晶体が、立方体の多重結晶構造を有する酸化マグネシウム単結晶体である請求項３に記載のプラズマディスプレイパネル。
10. 前記酸化マグネシウム単結晶体が、５００オングストローム以上の粒径を有している請求項３に記載のプラズマディスプレイパネル。
11. 前記酸化マグネシウム単結晶体が、２０００オングストローム以上の粒径を有している請求項３に記載のプラズマディスプレイパネル。