JP3082532B2 - セラミック電子部品の製造方法 - Google Patents
セラミック電子部品の製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は主として積層セラミック
コンデンサなどのセラミック電子部品の、電極とセラミ
ックの一体焼結体の製造方法に関するものである。
コンデンサなどのセラミック電子部品の、電極とセラミ
ックの一体焼結体の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＰｄあるいはＰｄを主要金属とす
る合金を電極とする一体焼結タイプのセラミック電子部
品は大気中で焼成されていた。大気中で焼成した場合、
Ｐｄは８２０℃までの温度で酸化が進行し酸化物になる
が、８２０℃以上の温度になると分解しＰｄ金属に変わ
るため、８２０℃以上の温度で焼成されるセラミックと
同時焼成を行ってもＰｄ金属あるいはＰｄ合金電極とし
て形成される。例えば、積層セラミックコンデンサの場
合、内部電極にＰｄが多く用いられているが、この場
合、セラミックシートと電極ペーストを交互に積み重ね
たグリーンチップを作り、脱バインダーを行った後空気
中で焼成を行い、内部にＰｄ電極を形成する方法が取ら
れていた。
る合金を電極とする一体焼結タイプのセラミック電子部
品は大気中で焼成されていた。大気中で焼成した場合、
Ｐｄは８２０℃までの温度で酸化が進行し酸化物になる
が、８２０℃以上の温度になると分解しＰｄ金属に変わ
るため、８２０℃以上の温度で焼成されるセラミックと
同時焼成を行ってもＰｄ金属あるいはＰｄ合金電極とし
て形成される。例えば、積層セラミックコンデンサの場
合、内部電極にＰｄが多く用いられているが、この場
合、セラミックシートと電極ペーストを交互に積み重ね
たグリーンチップを作り、脱バインダーを行った後空気
中で焼成を行い、内部にＰｄ電極を形成する方法が取ら
れていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】Ｐｄ電極あるいはＰｄ
を主要金属とする合金電極を有するセラミック電子部品
の一つである積層セラミックコンデンサのグリーンチッ
プを焼成する場合、内部電極のＰｄは脱バインダー時に
一時還元されるが、その後の焼成プロセスで酸化され体
積が膨張し、内部電極部分の体積が増加する。そのた
め、焼成後に内部構造欠陥を発生する場合が多くなると
いう問題点を有していた。
を主要金属とする合金電極を有するセラミック電子部品
の一つである積層セラミックコンデンサのグリーンチッ
プを焼成する場合、内部電極のＰｄは脱バインダー時に
一時還元されるが、その後の焼成プロセスで酸化され体
積が膨張し、内部電極部分の体積が増加する。そのた
め、焼成後に内部構造欠陥を発生する場合が多くなると
いう問題点を有していた。
【０００４】本発明は、上述の問題点を解決し、積層セ
ラミックコンデンサ等のセラミック電子部品の内部構造
欠陥の発生を抑制し得る一体焼結タイプの製造方法を提
供することを目的とする。
ラミックコンデンサ等のセラミック電子部品の内部構造
欠陥の発生を抑制し得る一体焼結タイプの製造方法を提
供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の製造方法は、上
述の課題を解決するために、Ｐｄあるいは前記Ｐｄを主
要金属とする合金を電極とし、セラミックと一体焼結を
行って得られるセラミック電子部品の製造方法であっ
て、該製造方法における脱バインダー後の焼成プロセス
において、前記Ｐｄが大気雰囲気で酸化される温度域は
前記Ｐｄが酸化しない雰囲気中で焼成し、大気中でＰｄ
Ｏが分解する温度以上の温度域では大気中で焼成するこ
とを特徴とするものである。
述の課題を解決するために、Ｐｄあるいは前記Ｐｄを主
要金属とする合金を電極とし、セラミックと一体焼結を
行って得られるセラミック電子部品の製造方法であっ
て、該製造方法における脱バインダー後の焼成プロセス
において、前記Ｐｄが大気雰囲気で酸化される温度域は
前記Ｐｄが酸化しない雰囲気中で焼成し、大気中でＰｄ
Ｏが分解する温度以上の温度域では大気中で焼成するこ
とを特徴とするものである。
【０００６】また、Ｐｄが酸化しない雰囲気として不活
性ガスを用いて大量焼成を行う場合、残存カーボンが多
くなり、焼成後のチップで特性不良を発生する。そのた
め、大気への置換の際、不活性ガスの減圧後大気置換を
行いカーボンが燃焼しやすくしたり、あるいは、大気中
ではＰｄが酸化する温度域はＰｄを酸化させずカーボン
を燃焼し得る雰囲気で焼成することにより残存カーボン
量を減少させた後、大気焼成することを特徴とするもの
である。
性ガスを用いて大量焼成を行う場合、残存カーボンが多
くなり、焼成後のチップで特性不良を発生する。そのた
め、大気への置換の際、不活性ガスの減圧後大気置換を
行いカーボンが燃焼しやすくしたり、あるいは、大気中
ではＰｄが酸化する温度域はＰｄを酸化させずカーボン
を燃焼し得る雰囲気で焼成することにより残存カーボン
量を減少させた後、大気焼成することを特徴とするもの
である。
【０００７】
【作用】焼成プロセスで発生する構造欠陥の発生原因の
１つとして、内部電極の酸化膨張時に発生する内部応力
がある。実験的には次のようにして確認することができ
る。通常のグリーンチップを図１に示すようにａ−ａ’
面で切断し大気焼成を行うと、焼成が進むにしたがい、
内部電極部分が酸化状態になる８２０℃までの間では図
２（ａ）に示すように有効層部分が膨張してそり、完全
焼結された時点で図２（ｂ）に示すようにほぼ平行にな
ったり、図２（ｃ）に示すように少し有効層部分が収縮
したりする。通常、酸化状態でのそりが大きいものほど
セラミックの焼結前にフリー空間を形成する確率が高く
なり、この時点で構造欠陥の要因をつくり、完全焼結時
に図２（ｃ）の状態になると焼結チップでは構造欠陥と
して現れることを本発明者は実験的に確認した。したが
って、Ｐｄ粒子の酸化を防止するために、大気中でＰｄ
の酸化が進行する温度域は不活性ガス中あるいは真空中
で焼結を行い、内部電極が存在する有効層部分の膨張を
無くすことにより、１０００℃以上のセラミックの焼結
前にフリー空間が形成されず、図３（ａ）に示すような
状態にならず電極とセラミックの一体焼結がスムーズに
行える。
１つとして、内部電極の酸化膨張時に発生する内部応力
がある。実験的には次のようにして確認することができ
る。通常のグリーンチップを図１に示すようにａ−ａ’
面で切断し大気焼成を行うと、焼成が進むにしたがい、
内部電極部分が酸化状態になる８２０℃までの間では図
２（ａ）に示すように有効層部分が膨張してそり、完全
焼結された時点で図２（ｂ）に示すようにほぼ平行にな
ったり、図２（ｃ）に示すように少し有効層部分が収縮
したりする。通常、酸化状態でのそりが大きいものほど
セラミックの焼結前にフリー空間を形成する確率が高く
なり、この時点で構造欠陥の要因をつくり、完全焼結時
に図２（ｃ）の状態になると焼結チップでは構造欠陥と
して現れることを本発明者は実験的に確認した。したが
って、Ｐｄ粒子の酸化を防止するために、大気中でＰｄ
の酸化が進行する温度域は不活性ガス中あるいは真空中
で焼結を行い、内部電極が存在する有効層部分の膨張を
無くすことにより、１０００℃以上のセラミックの焼結
前にフリー空間が形成されず、図３（ａ）に示すような
状態にならず電極とセラミックの一体焼結がスムーズに
行える。
【０００８】一方、大量焼成においては、Ｐｄが酸化し
ない雰囲気として不活性ガスまたは真空を用いると残存
カーボンが多くなる。特に不活性ガスを用いた場合、Ｐ
ｄＯが分解する温度以上の温度域において大気との置換
のため大気流入を行っても、前記不活性ガスを駆逐する
ことができず、残存カーボンの燃焼が不十分となり、焼
成後内部構造欠陥はないものの電気性能において性能低
下を起こすものが発生する場合があった。これに対し、
大気中でＰｄが酸化する温度域は不活性ガス中とし、Ｐ
ｄＯが分解する温度以上の温度域において減圧し、次に
大気を流入するという減圧ガス置換を行うことにより、
チップ内へ酸素を強制的に送り込み残存カーボンの燃焼
を促進させることができ、大量焼成においても特性の劣
化を抑制することができる。
ない雰囲気として不活性ガスまたは真空を用いると残存
カーボンが多くなる。特に不活性ガスを用いた場合、Ｐ
ｄＯが分解する温度以上の温度域において大気との置換
のため大気流入を行っても、前記不活性ガスを駆逐する
ことができず、残存カーボンの燃焼が不十分となり、焼
成後内部構造欠陥はないものの電気性能において性能低
下を起こすものが発生する場合があった。これに対し、
大気中でＰｄが酸化する温度域は不活性ガス中とし、Ｐ
ｄＯが分解する温度以上の温度域において減圧し、次に
大気を流入するという減圧ガス置換を行うことにより、
チップ内へ酸素を強制的に送り込み残存カーボンの燃焼
を促進させることができ、大量焼成においても特性の劣
化を抑制することができる。
【０００９】また、大気中でＰｄが酸化する温度域は窒
素ガスに炭酸ガスを添加した雰囲気中あるいは炭酸ガス
中で焼成を行うと、９００℃までの温度域でＰｄを酸化
させずにカーボンを減少させることが可能となる。また
同様の効果は、大気中でＰｄが酸化する温度域は雰囲気
ガス中に焼成温度に合わせてＰｄＯの分解酸素濃度以下
に分圧コントロールした酸素を混合しながら焼成するこ
とにより得られることは明らかである。これらにより、
セラミックの焼結前にフリー空間の形成を防止し電極と
セラミックの一体焼結がスムーズに行え、かつカーボン
による特性の劣化も抑制することができる。
素ガスに炭酸ガスを添加した雰囲気中あるいは炭酸ガス
中で焼成を行うと、９００℃までの温度域でＰｄを酸化
させずにカーボンを減少させることが可能となる。また
同様の効果は、大気中でＰｄが酸化する温度域は雰囲気
ガス中に焼成温度に合わせてＰｄＯの分解酸素濃度以下
に分圧コントロールした酸素を混合しながら焼成するこ
とにより得られることは明らかである。これらにより、
セラミックの焼結前にフリー空間の形成を防止し電極と
セラミックの一体焼結がスムーズに行え、かつカーボン
による特性の劣化も抑制することができる。
【００１０】本発明の一体焼結法は、上述の作用により
内部構造欠陥の発生を防止し、かつ大量焼成においても
特性の良いセラミック電子部品を提供することが可能と
なる。
内部構造欠陥の発生を防止し、かつ大量焼成においても
特性の良いセラミック電子部品を提供することが可能と
なる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例について詳細に述べ
る。
る。
【００１２】（実施例１）チタン酸バリウムを主成分と
する誘電体粉末と有機バインダーよりなる３０μｍ厚の
グリーンシートを作製し、金属成分として平均粒径０．
４μｍのＰｄ粉を用いた電極ペーストを３μｍ厚に印刷
し、有効層３０層からなるグリーンチップを作製した。
このグリーンチップを脱バインダー後、次の２種類の方
法で１３２０℃まで焼成を行い、内部構造欠陥の状態を
調べた。
する誘電体粉末と有機バインダーよりなる３０μｍ厚の
グリーンシートを作製し、金属成分として平均粒径０．
４μｍのＰｄ粉を用いた電極ペーストを３μｍ厚に印刷
し、有効層３０層からなるグリーンチップを作製した。
このグリーンチップを脱バインダー後、次の２種類の方
法で１３２０℃まで焼成を行い、内部構造欠陥の状態を
調べた。
【００１３】（１）１３２０℃まで大気中焼成。 （２）９００℃までＮ2 中焼成。９００℃から１３２０
℃まで大気中焼成。
℃まで大気中焼成。
【００１４】これらの実験では内部構造欠陥の発生し易
い状況を作るため昇温速度は２００℃／ｈｒとした。
い状況を作るため昇温速度は２００℃／ｈｒとした。
【００１５】この結果、（１）の焼成法では５％（５０
０個中２４個）に図３（ａ）および（ｂ）の様な内部構
造欠陥が現れたが、本発明の方法である（２）の焼成法
では、５００個中内部構造欠陥が発生したものは０個で
あった。
０個中２４個）に図３（ａ）および（ｂ）の様な内部構
造欠陥が現れたが、本発明の方法である（２）の焼成法
では、５００個中内部構造欠陥が発生したものは０個で
あった。
【００１６】（実施例２）チタン酸バリウムを主成分と
する誘電体粉末と有機バインダーよりなる２０μｍ厚の
グリーンシートを作製し、金属成分として平均粒径０．
４μｍのＰｄ粉を用いた電極ペーストを２．５μｍ厚に
印刷し、有効層４０層からなるグリーンチップを作製し
た。このグリーンチップを箱型セラミック連鉢（サヤ）
に３０ｍｍの高さまで詰めた。サヤはアルミナを主体と
し、その表面は安定化ジルコニアでコーティングしたも
のを使用し、グリーンチップは静電気により融着防止剤
を表面に付着させた。これを公知の方法であるＮ2 ガス
中で脱バインダー後、次の３種類の方法で１３２０℃ま
で焼成を行った。その後無作意に５００個を抜取り、内
部構造欠陥の状態を調べた。また、他の５００個につい
て端子電極を付与し、絶縁抵抗の測定を行った。
する誘電体粉末と有機バインダーよりなる２０μｍ厚の
グリーンシートを作製し、金属成分として平均粒径０．
４μｍのＰｄ粉を用いた電極ペーストを２．５μｍ厚に
印刷し、有効層４０層からなるグリーンチップを作製し
た。このグリーンチップを箱型セラミック連鉢（サヤ）
に３０ｍｍの高さまで詰めた。サヤはアルミナを主体と
し、その表面は安定化ジルコニアでコーティングしたも
のを使用し、グリーンチップは静電気により融着防止剤
を表面に付着させた。これを公知の方法であるＮ2 ガス
中で脱バインダー後、次の３種類の方法で１３２０℃ま
で焼成を行った。その後無作意に５００個を抜取り、内
部構造欠陥の状態を調べた。また、他の５００個につい
て端子電極を付与し、絶縁抵抗の測定を行った。
【００１７】（１）１３２０℃まで大気中焼成。 （２）９００℃までＮ2 中焼成。９００℃から１３２０
℃まで大気中焼成。
℃まで大気中焼成。
【００１８】（３）９００℃までＮ2 中焼成。９００℃
で１００ｍｍＨｇに減圧。その後大気を導入し、９００
℃から１３２０℃まで大気中焼成。
で１００ｍｍＨｇに減圧。その後大気を導入し、９００
℃から１３２０℃まで大気中焼成。
【００１９】これらの実験ではいずれも昇温速度は２０
０℃／ｈｒとした。実験の結果、（表１）に示すよう
に、（１）の焼成法では約６０％に内部構造欠陥が現れ
たが、本発明の方法である（２）および（３）の焼成法
では、５００個中内部構造欠陥が発生したものは０個で
あった。
０℃／ｈｒとした。実験の結果、（表１）に示すよう
に、（１）の焼成法では約６０％に内部構造欠陥が現れ
たが、本発明の方法である（２）および（３）の焼成法
では、５００個中内部構造欠陥が発生したものは０個で
あった。
【００２０】また、本発明の方法である（２）の焼成法
では絶縁抵抗の低下が見られたが、減圧ガス置換を行っ
た（３）の焼成法では良好な絶縁抵抗値が得られた。
では絶縁抵抗の低下が見られたが、減圧ガス置換を行っ
た（３）の焼成法では良好な絶縁抵抗値が得られた。
【００２１】また、減圧後の導入ガスを酸素あるいは酸
素を主成分とするガスとする場合も、同様の効果が得ら
れることは言うまでもない。
素を主成分とするガスとする場合も、同様の効果が得ら
れることは言うまでもない。
【００２２】
【表１】
【００２３】（実施例３）実施例１と同様のグリーンチ
ップを脱バインダー後、次の２種類の方法で１３２０℃
まで焼成を行い、内部構造欠陥の状態を調べた。
ップを脱バインダー後、次の２種類の方法で１３２０℃
まで焼成を行い、内部構造欠陥の状態を調べた。
【００２４】（１）１３２０℃まで大気中焼成。 （２）６００℃までＮ2 中で焼成。６００℃から９００
℃まではＮ2 中、Ｎ2＋１％ＣＯ2 中、Ｎ2 ＋５％ＣＯ2
中またはＣＯ2 中焼成。９００℃から１３２０℃まで
大気中焼成。
℃まではＮ2 中、Ｎ2＋１％ＣＯ2 中、Ｎ2 ＋５％ＣＯ2
中またはＣＯ2 中焼成。９００℃から１３２０℃まで
大気中焼成。
【００２５】これらの実験では内部構造欠陥の発生し易
い状況を作るため昇温速度は２００℃／ｈｒとした。
い状況を作るため昇温速度は２００℃／ｈｒとした。
【００２６】この結果、（１）の焼成法では５％（５０
０個中２４個）に図３の（ａ）および（ｂ）の様な内部
構造欠陥が現れたが、本発明の方法である（２）の焼成
法では、５００個中内部構造欠陥が発生したものは０個
であった。
０個中２４個）に図３の（ａ）および（ｂ）の様な内部
構造欠陥が現れたが、本発明の方法である（２）の焼成
法では、５００個中内部構造欠陥が発生したものは０個
であった。
【００２７】また、（２）の焼成法でＣＯ2 ガス量を変
えて焼成した製品の絶縁抵抗は（表２）に示すように、
Ｎ2 ガスのみでは少し絶縁抵抗が低くなるが、１％以上
のＣＯ2 添加では高い絶縁抵抗の製品が得られた。
えて焼成した製品の絶縁抵抗は（表２）に示すように、
Ｎ2 ガスのみでは少し絶縁抵抗が低くなるが、１％以上
のＣＯ2 添加では高い絶縁抵抗の製品が得られた。
【００２８】
【表２】
【００２９】（実施例４）実施例１と同様のグリーンチ
ップをＮ2 中で脱バインダー後、酸素分圧を測定し、Ｐ
ｄが酸化しない酸素分圧にコントロールしながら酸素を
混合したＮ2 ガス中で昇温し、８５０℃からは大気中で
焼成した。この場合も、実施例３のＣＯ2ガスを導入し
た場合と同様、内部構造欠陥も絶縁劣化もない良好な製
品が得られた。
ップをＮ2 中で脱バインダー後、酸素分圧を測定し、Ｐ
ｄが酸化しない酸素分圧にコントロールしながら酸素を
混合したＮ2 ガス中で昇温し、８５０℃からは大気中で
焼成した。この場合も、実施例３のＣＯ2ガスを導入し
た場合と同様、内部構造欠陥も絶縁劣化もない良好な製
品が得られた。
【００３０】（実施例５） 実施例１と同様のグリーンチップを図１に示すように中
心部で切断し、大気中焼成でＰｄ金属が酸化する温度で
ある８００℃まで、大気中、Ｎ2 中およびＮ2＋５％Ｃ
Ｏ2 中で焼成した状態を観察した結果を図４に示す。こ
の結果、大気中で８００℃まで焼成を行ったものでは、
Ｐｄ粉の酸化膨張により図４（ａ）のように内部電極側
が長さ方向に膨張し弓状になっていることがわかった。
しかし、Ｎ2 中およびＮ2 ＋５％ＣＯ2 中で８００℃ま
で焼成したものでは、Ｐｄは酸化膨張せず図４（ｂ）の
ように元の形状のままであることが確認された。
心部で切断し、大気中焼成でＰｄ金属が酸化する温度で
ある８００℃まで、大気中、Ｎ2 中およびＮ2＋５％Ｃ
Ｏ2 中で焼成した状態を観察した結果を図４に示す。こ
の結果、大気中で８００℃まで焼成を行ったものでは、
Ｐｄ粉の酸化膨張により図４（ａ）のように内部電極側
が長さ方向に膨張し弓状になっていることがわかった。
しかし、Ｎ2 中およびＮ2 ＋５％ＣＯ2 中で８００℃ま
で焼成したものでは、Ｐｄは酸化膨張せず図４（ｂ）の
ように元の形状のままであることが確認された。
【００３１】すなわちＰｄ電極の場合、大気中焼成では
焼結過程でＰｄの酸化による大きな歪が発生し、セラミ
ック粉が自由に動けない場合は、完全焼結時に発生する
内部構造欠陥の原因となるフリー空間が発生しやすくな
るが、大気中でＰｄが酸化しなくなる９００℃までＮ2
中またはＮ2 ＋ＣＯ2 中で焼成した場合、Ｐｄの酸化膨
張による歪がなくなり、実施例１〜４に示す結果が得ら
れる。
焼結過程でＰｄの酸化による大きな歪が発生し、セラミ
ック粉が自由に動けない場合は、完全焼結時に発生する
内部構造欠陥の原因となるフリー空間が発生しやすくな
るが、大気中でＰｄが酸化しなくなる９００℃までＮ2
中またはＮ2 ＋ＣＯ2 中で焼成した場合、Ｐｄの酸化膨
張による歪がなくなり、実施例１〜４に示す結果が得ら
れる。
【００３２】上述の実施例においてＰｄ電極のかわり
に、Ｐｄを主要金属とする合金電極を用いても同様の結
果が得られることは言うまでもない。
に、Ｐｄを主要金属とする合金電極を用いても同様の結
果が得られることは言うまでもない。
【００３３】
【発明の効果】以上のように本発明による製造方法は、
ＰｄあるいはＰｄを主要金属とする合金電極とセラミッ
クを一体焼結する際の該製造方法における脱バインダー
後の焼成プロセスにおいて、前記Ｐｄが大気雰囲気で酸
化される温度域は前記Ｐｄが酸化しない雰囲気中で焼成
し、大気中でＰｄＯが分解する温度以上の温度域では大
気中で焼成することにより、Ｐｄの酸化による歪応力を
無くし、内部構造欠陥の無い優れたセラミック電子部品
を得ることを可能にするものである。
ＰｄあるいはＰｄを主要金属とする合金電極とセラミッ
クを一体焼結する際の該製造方法における脱バインダー
後の焼成プロセスにおいて、前記Ｐｄが大気雰囲気で酸
化される温度域は前記Ｐｄが酸化しない雰囲気中で焼成
し、大気中でＰｄＯが分解する温度以上の温度域では大
気中で焼成することにより、Ｐｄの酸化による歪応力を
無くし、内部構造欠陥の無い優れたセラミック電子部品
を得ることを可能にするものである。
【００３４】また、前記焼成法において、不活性ガスか
ら大気置換の際に減圧ガス置換を行ったり、Ｐｄが酸化
しない雰囲気として窒素ガスに炭酸ガスを添加した雰囲
気あるいは炭酸ガス雰囲気を使用したり、Ｐｄが酸化し
ないように焼成温度に合わせてＰｄＯの分解酸素濃度以
下にコントロールした酸素分圧下で焼成することによ
り、大量焼成した場合に残存しやすいカーボンの除去を
促進させ、特性劣化のない優れたセラミック電子部品を
大量に得ることを可能にするものである。
ら大気置換の際に減圧ガス置換を行ったり、Ｐｄが酸化
しない雰囲気として窒素ガスに炭酸ガスを添加した雰囲
気あるいは炭酸ガス雰囲気を使用したり、Ｐｄが酸化し
ないように焼成温度に合わせてＰｄＯの分解酸素濃度以
下にコントロールした酸素分圧下で焼成することによ
り、大量焼成した場合に残存しやすいカーボンの除去を
促進させ、特性劣化のない優れたセラミック電子部品を
大量に得ることを可能にするものである。
【図１】本発明の実施例におけるグリーンチップの切断
箇所を示すグリーンチップの斜視図
箇所を示すグリーンチップの斜視図
【図２】半チップの大気中焼成過程での変形を示す断面
図
図
【図３】内部構造欠陥を示す断面図
【図４】本発明の実施例における半チップ焼成過程（８
００℃）での状態を示す断面図
００℃）での状態を示す断面図
１ 内部電極層 ２ セラミック層 ３ 無効層 ４ 有効層 ５ 内部構造欠陥
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 沖中 庸一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−106612（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01G 4/00 - 4/40
Claims (8)
- 【請求項１】 Ｐｄあるいは前記Ｐｄを主要金属とする
合金を電極とし、セラミックと一体焼結を行って得られ
るセラミック電子部品の製造方法であって、該製造方法
における脱バインダー後の焼成プロセスにおいて、前記
Ｐｄが大気雰囲気で酸化される温度域は前記Ｐｄが酸化
しない雰囲気中で焼成し、大気中でＰｄＯが分解する温
度以上の温度域では大気中で焼成することを特徴とする
電極とセラミックの一体焼結タイプのセラミック電子部
品の製造方法。 - 【請求項２】Ｐｄが酸化しない雰囲気が不活性ガスある
いは真空であることを特徴とする請求項１記載のセラミ
ック電子部品の製造方法。 - 【請求項３】Ｐｄが大気雰囲気で酸化される温度域は不
活性ガスで焼成し、それ以上の温度域で前記不活性ガス
を減圧し、次に大気あるいは酸素または酸素を主成分と
するガスを導入する操作を１あるいは数回繰り返し、そ
の後大気中で焼成することを特徴とする請求項１記載の
セラミック電子部品の製造方法。 - 【請求項４】Ｐｄが大気雰囲気で酸化される温度域はＮ
2 ガスにＣＯ2 ガスを添加した混合ガス、あるいは前記
ＣＯ2 ガス雰囲気中で焼成することを特徴とする請求項
１記載のセラミック電子部品の製造方法。 - 【請求項５】Ｐｄが大気雰囲気で酸化される温度域のう
ち、低温側（約６００℃以下）はＮ2 ガス雰囲気中で焼
成し、カーボンがＣＯ2 ガスで燃焼する温度範囲（約６
００℃以上）ではＮ2 ガスにＣＯ2 ガスを添加した混合
ガス、あるいは前記ＣＯ2 ガス雰囲気中で焼成すること
を特徴とする請求項４記載のセラミック電子部品の製造
方法。 - 【請求項６】Ｎ2 ガスに添加するＣＯ2 ガス量が１％以
上であることを特徴とする請求項４または５記載のセラ
ミック電子部品の製造方法。 - 【請求項７】Ｐｄが大気中で酸化される温度域は、前記
Ｐｄが酸化しない雰囲気に酸素を昇温温度に合わせてＰ
ｄＯの分解酸素濃度以下に分圧調整して混合したガス中
で焼成することを特徴とする請求項１あるいは２記載の
セラミック電子部品の製造方法。 - 【請求項８】セラミック電子部品が積層セラミックコン
デンサであることを特徴とする請求項１から７のいずれ
かに記載のセラミック電子部品の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05228548A JP3082532B2 (ja) | 1992-09-21 | 1993-09-14 | セラミック電子部品の製造方法 |
| US08/297,218 US5561828A (en) | 1993-09-14 | 1994-08-29 | Method of manufacturing a ceramic electronic part |
| DE4431167A DE4431167C2 (de) | 1992-09-21 | 1994-09-01 | Verfahren zur Herstellung eines gesinterten keramischen Elektronikbauteils |
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25101492 | 1992-09-21 | ||
| JP4-251014 | 1992-11-04 | ||
| JP29480992 | 1992-11-04 | ||
| JP4-294809 | 1992-11-04 | ||
| JP05228548A JP3082532B2 (ja) | 1992-09-21 | 1993-09-14 | セラミック電子部品の製造方法 |
| DE4431167A DE4431167C2 (de) | 1992-09-21 | 1994-09-01 | Verfahren zur Herstellung eines gesinterten keramischen Elektronikbauteils |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06196355A JPH06196355A (ja) | 1994-07-15 |
| JP3082532B2 true JP3082532B2 (ja) | 2000-08-28 |
Family
ID=27436039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05228548A Expired - Fee Related JP3082532B2 (ja) | 1992-09-21 | 1993-09-14 | セラミック電子部品の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3082532B2 (ja) |
| DE (1) | DE4431167C2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103335395A (zh) * | 2013-05-20 | 2013-10-02 | 苏州吉康电子科技有限公司 | 一种开水器 |
| CN115259864A (zh) * | 2022-09-26 | 2022-11-01 | 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司 | 一种电子陶瓷坯体的排胶方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05275271A (ja) * | 1992-03-27 | 1993-10-22 | Kyocera Corp | 積層セラミックコンデンサ |
-
1993
- 1993-09-14 JP JP05228548A patent/JP3082532B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-09-01 DE DE4431167A patent/DE4431167C2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06196355A (ja) | 1994-07-15 |
| DE4431167C2 (de) | 1998-10-15 |
| DE4431167A1 (de) | 1996-03-07 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |