JP3076500B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JP3076500B2 JP3076500B2 JP06262192A JP26219294A JP3076500B2 JP 3076500 B2 JP3076500 B2 JP 3076500B2 JP 06262192 A JP06262192 A JP 06262192A JP 26219294 A JP26219294 A JP 26219294A JP 3076500 B2 JP3076500 B2 JP 3076500B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive material
- etching
- contact hole
- film
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関するものであり、更に詳しくは、段差部を有する絶
縁層に形成されたコンタクト孔又は層間コンタクト孔に
ブランケットタングステン等の導電物を埋め込む技術に
関するものである。
に関するものであり、更に詳しくは、段差部を有する絶
縁層に形成されたコンタクト孔又は層間コンタクト孔に
ブランケットタングステン等の導電物を埋め込む技術に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、半導体装置等の分野において、微
細化・高集積化及び高信頼性・高速性という互いに相反
する要請がある。この要請を満たすために，タングステ
ン、チタン、モリブデン等の高融点金属や、これらの化
合物であるシリサイド等が配線材料等に用いられてい
る。特にタングステンはコンタクトホールの埋め込み等
に好適な材料として応用されている。
細化・高集積化及び高信頼性・高速性という互いに相反
する要請がある。この要請を満たすために，タングステ
ン、チタン、モリブデン等の高融点金属や、これらの化
合物であるシリサイド等が配線材料等に用いられてい
る。特にタングステンはコンタクトホールの埋め込み等
に好適な材料として応用されている。
【０００３】従来の半導体基板上等に形成したコンタク
トホールを埋め込むために全面にデポしたブランケット
タングステン膜をエッチバックする工程を図３に示す。
トホールを埋め込むために全面にデポしたブランケット
タングステン膜をエッチバックする工程を図３に示す。
【０００４】まず、デバイスや素子分離領域等からなる
段差部（以下、「段差部」と略す。）７を有するシリコ
ン基板１上にコンタクトホール部５及び傾斜部６を有す
るＢＰＳＧ膜２を形成し、ＢＰＳＧ膜２上にＴｉＮ／Ｔ
ｉ膜３をデポし、次いで全面を覆うようにブランケット
タングステン膜４を形成する（図３（ａ））。
段差部（以下、「段差部」と略す。）７を有するシリコ
ン基板１上にコンタクトホール部５及び傾斜部６を有す
るＢＰＳＧ膜２を形成し、ＢＰＳＧ膜２上にＴｉＮ／Ｔ
ｉ膜３をデポし、次いで全面を覆うようにブランケット
タングステン膜４を形成する（図３（ａ））。
【０００５】次に、ブランケットタングステン膜４をＲ
ＩＥ（リアクティブ・イオン・エッチング）法を用いて
エッチバックする（図３（ｂ））。
ＩＥ（リアクティブ・イオン・エッチング）法を用いて
エッチバックする（図３（ｂ））。
【０００６】この際、コンタクトホール部５に対して最
適な状態でエッチバックを止めるには、例えば特開平４
−３５５９１８号公報に記載されているエッチバック終
了直前にエッチングガスを変えてエッチングレートを抑
えることにより制御性を向上させる方法がある。
適な状態でエッチバックを止めるには、例えば特開平４
−３５５９１８号公報に記載されているエッチバック終
了直前にエッチングガスを変えてエッチングレートを抑
えることにより制御性を向上させる方法がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＢＰＳＧ膜２
表面に傾斜部６を有する場合、コンタクトホール部５に
対して最適な状態でエッチングを止めると傾斜部６にお
いてエッチング残り８が発生し、このまま次の配線形成
工程に進むとメタル配線のショートを誘引する。
表面に傾斜部６を有する場合、コンタクトホール部５に
対して最適な状態でエッチングを止めると傾斜部６にお
いてエッチング残り８が発生し、このまま次の配線形成
工程に進むとメタル配線のショートを誘引する。
【０００８】また、エッチング残り８を除去するために
オーバーエッチングを追加すると、コンタクトホール部
５もプラズマに晒されるため、同時にオーバーエッチン
グされ、コンタクトホール部５のタングステン膜４上部
は最適な状態から低くなり、コンタクトホール部５にく
ぼみが生じた状態となる（図３（ｃ））。このくぼみは
後の配線形成工程において、段差として、メタルのカバ
レッジ不良等の問題を引き起こす。
オーバーエッチングを追加すると、コンタクトホール部
５もプラズマに晒されるため、同時にオーバーエッチン
グされ、コンタクトホール部５のタングステン膜４上部
は最適な状態から低くなり、コンタクトホール部５にく
ぼみが生じた状態となる（図３（ｃ））。このくぼみは
後の配線形成工程において、段差として、メタルのカバ
レッジ不良等の問題を引き起こす。
【０００９】また、特開平４−３２１２２４号公報に
は、エッチバックをコンタクトホール部が露出するまで
行い、レジストにてコンタクトホール部をマスクした
後、平坦でない傾斜部に残ったタングステンをエッチン
グする技術が開示されている。しかし、このアライメン
ト工程は歩留まり低下及びコスト増加の要因の一つとな
っている。
は、エッチバックをコンタクトホール部が露出するまで
行い、レジストにてコンタクトホール部をマスクした
後、平坦でない傾斜部に残ったタングステンをエッチン
グする技術が開示されている。しかし、このアライメン
ト工程は歩留まり低下及びコスト増加の要因の一つとな
っている。
【００１０】本発明は、工程数を増やすことなく、傾斜
部でのエッチバック残りをなくし、コンタクトホール部
に最適な状態でタンスステン等の高融点金属層を形成す
る手段を提供することを目的とする。
部でのエッチバック残りをなくし、コンタクトホール部
に最適な状態でタンスステン等の高融点金属層を形成す
る手段を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の本発明の
半導体装置の製造方法は、段差部を有する下地全面に、
絶縁膜を形成した後、該絶縁膜にコンタクトホールを形
成する工程と、上記絶縁膜及び上記コンタクトホールに
第１の導電物を堆積させ、該第１の導電物をエッチバッ
クし、上記コンタクトホールに上記第１の導電物を埋設
する工程を有する半導体装置の製造方法において、上記
第１の導電物を堆積させる前に、所定の厚さの第２の導
電物を全面に堆積させる工程と、該第２の導電物上に上
記第１の導電物を堆積させ、エッチバックを行い、上記
絶縁膜の平坦部の上記第１の導電物を除去した後、エッ
チングガスとしてフロロカーボンガスを用い、且つ、該
フロロカーボンガスからポリマーが発生するような密度
のプラズマ雰囲気中で、該ポリマーが平坦部に付着し傾
斜部には付着しにくい条件のもとで、上記絶縁膜上の傾
斜部に残存する上記第１の導電物をエッチングする工程
を有することを特徴とするものである。
半導体装置の製造方法は、段差部を有する下地全面に、
絶縁膜を形成した後、該絶縁膜にコンタクトホールを形
成する工程と、上記絶縁膜及び上記コンタクトホールに
第１の導電物を堆積させ、該第１の導電物をエッチバッ
クし、上記コンタクトホールに上記第１の導電物を埋設
する工程を有する半導体装置の製造方法において、上記
第１の導電物を堆積させる前に、所定の厚さの第２の導
電物を全面に堆積させる工程と、該第２の導電物上に上
記第１の導電物を堆積させ、エッチバックを行い、上記
絶縁膜の平坦部の上記第１の導電物を除去した後、エッ
チングガスとしてフロロカーボンガスを用い、且つ、該
フロロカーボンガスからポリマーが発生するような密度
のプラズマ雰囲気中で、該ポリマーが平坦部に付着し傾
斜部には付着しにくい条件のもとで、上記絶縁膜上の傾
斜部に残存する上記第１の導電物をエッチングする工程
を有することを特徴とするものである。
【００１２】また、請求項２記載の本発明の半導体装置
の製造方法は、上記第１の導電物にタングステンを用
い、且つ、上記第２の導電物にＴｉ及びＴｉＮが順次積
層された積層膜を用いることを特徴とする、請求項１に
記載の半導体装置の製造方法である。
の製造方法は、上記第１の導電物にタングステンを用
い、且つ、上記第２の導電物にＴｉ及びＴｉＮが順次積
層された積層膜を用いることを特徴とする、請求項１に
記載の半導体装置の製造方法である。
【００１３】
【作用】上記構成にすることによって、ポリマーが絶縁
膜の平坦部分のみに堆積し、エッチングの際のマスクの
作用をするので、絶縁膜の段差部分の導電物をエッチン
グすることができる。また、酸素を含む下地にはポリマ
ーは堆積されないので、酸素を含む絶縁膜の場合には、
予め所定の厚さの導電層を形成しておくことにより、ポ
リマーをマスクとして、絶縁膜の段差部分の導電物をエ
ッチングすることができる。
膜の平坦部分のみに堆積し、エッチングの際のマスクの
作用をするので、絶縁膜の段差部分の導電物をエッチン
グすることができる。また、酸素を含む下地にはポリマ
ーは堆積されないので、酸素を含む絶縁膜の場合には、
予め所定の厚さの導電層を形成しておくことにより、ポ
リマーをマスクとして、絶縁膜の段差部分の導電物をエ
ッチングすることができる。
【００１４】
【実施例】以下、一実施例に基づいて本発明について詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１５】図１は本発明の一実施例の半導体装置の製
造工程図である。
造工程図である。
【００１６】以下、図１を用いて本発明の一実施例の半
導体装置の製造工程を説明する。
導体装置の製造工程を説明する。
【００１７】まず、段差部７を有するシリコン基板１上
に、窒素の流量を１８ｓｌｍ、ＴＥＯＳ（テトラエトキ
シシラン）の流量を３ｓｌｍ、ＴＭＢ（トリメチルボレ
ート）の流量を１．２５ｓｌｍ、ＴＭＰＯ（トリメチル
ホスフェイト）の流量を２ｓｌｍ、オゾンの流量を７．
５ｓｌｍとし、雰囲気温度を４１０℃で２１３秒間、Ｃ
ＶＤ法により、膜厚が６０００Å程度のＢＰＳＧ膜２を
堆積させ、その後、拡散炉により、雰囲気温度が９００
℃で、５分間アニール処理を行い、段差部７の影響で形
成された傾斜部６を有する、膜厚が約４０００ÅのＢＰ
ＳＧ膜２が形成する。
に、窒素の流量を１８ｓｌｍ、ＴＥＯＳ（テトラエトキ
シシラン）の流量を３ｓｌｍ、ＴＭＢ（トリメチルボレ
ート）の流量を１．２５ｓｌｍ、ＴＭＰＯ（トリメチル
ホスフェイト）の流量を２ｓｌｍ、オゾンの流量を７．
５ｓｌｍとし、雰囲気温度を４１０℃で２１３秒間、Ｃ
ＶＤ法により、膜厚が６０００Å程度のＢＰＳＧ膜２を
堆積させ、その後、拡散炉により、雰囲気温度が９００
℃で、５分間アニール処理を行い、段差部７の影響で形
成された傾斜部６を有する、膜厚が約４０００ÅのＢＰ
ＳＧ膜２が形成する。
【００１８】次に、直径０．４μｍ程度のコンタクトホ
ール部５をＢＰＳＧ膜２に形成した後、全面に、アルゴ
ンガスの流量を３１ｓｃｃｍ、出力を８ｋＷ、雰囲気温
度を２００℃で４２秒間スパタリングを行い、チタン膜
を６００Å程度、続いて、アルゴンガスの流量を５３ｓ
ｃｃｍ、窒素ガスの流量を８０ｓｃｃｍ、出力を５ｋ
Ｗ、雰囲気温度を２００℃で５７秒間スパタリングを行
い窒化チタン膜を１０００Å程度形成し、ＴｉＮ／Ｔｉ
膜３を形成する。
ール部５をＢＰＳＧ膜２に形成した後、全面に、アルゴ
ンガスの流量を３１ｓｃｃｍ、出力を８ｋＷ、雰囲気温
度を２００℃で４２秒間スパタリングを行い、チタン膜
を６００Å程度、続いて、アルゴンガスの流量を５３ｓ
ｃｃｍ、窒素ガスの流量を８０ｓｃｃｍ、出力を５ｋ
Ｗ、雰囲気温度を２００℃で５７秒間スパタリングを行
い窒化チタン膜を１０００Å程度形成し、ＴｉＮ／Ｔｉ
膜３を形成する。
【００１９】次に、アルゴンガスの流量を２８００ｓｃ
ｃｍ、窒素の流量を３００ｓｃｃｍ、六フッ化タングス
テンの流量を７５ｓｃｃｍ、水素の流量を５００ｓｃｃ
ｍ、パージＡｒガスを３０００ｓｃｃｍ、圧力を３０Ｔ
ｏｒｒ、雰囲気温度を４２５℃とし、１２２秒間で、膜
厚が７０００Å程度のブランケットタングステン膜４を
形成する。
ｃｍ、窒素の流量を３００ｓｃｃｍ、六フッ化タングス
テンの流量を７５ｓｃｃｍ、水素の流量を５００ｓｃｃ
ｍ、パージＡｒガスを３０００ｓｃｃｍ、圧力を３０Ｔ
ｏｒｒ、雰囲気温度を４２５℃とし、１２２秒間で、膜
厚が７０００Å程度のブランケットタングステン膜４を
形成する。
【００２０】次に、ＲＩＥ法により、ＳＦ6の流量を１
１０ｓｃｃｍ、アルゴンガスの流量を９０ｓｃｃｍ、出
力を４００Ｗ、圧力を２６５ｍＴｏｒｒとし、タングス
テン膜４をエッチバックする。この際、モノクロメータ
ーにより、７０４ｎｍの発光スペクトルをモニターする
ことにより、ＴｉＮ膜からの発光スペクトル強度が変化
し始める点を監視する等を行い、タングステン膜４がコ
ンタクトホール部５に対して最適な時点にてエッチング
を止める。尚、最適な時点とは、ＢＰＳＧ膜２の平坦部
分に堆積しているタングステン膜４が除去され、且つコ
ンタクトホール部５及びその周辺部において平坦性が保
たれている時点をいう。
１０ｓｃｃｍ、アルゴンガスの流量を９０ｓｃｃｍ、出
力を４００Ｗ、圧力を２６５ｍＴｏｒｒとし、タングス
テン膜４をエッチバックする。この際、モノクロメータ
ーにより、７０４ｎｍの発光スペクトルをモニターする
ことにより、ＴｉＮ膜からの発光スペクトル強度が変化
し始める点を監視する等を行い、タングステン膜４がコ
ンタクトホール部５に対して最適な時点にてエッチング
を止める。尚、最適な時点とは、ＢＰＳＧ膜２の平坦部
分に堆積しているタングステン膜４が除去され、且つコ
ンタクトホール部５及びその周辺部において平坦性が保
たれている時点をいう。
【００２１】更に、タングステン膜４のエッチバック
を、図２に示す、上部電極温度、ソースパワー及びバイ
アスパワーが調整可能な誘導結合型プラズマエッチング
装置を用い、ソース電源２２の出力であるソースパワー
が２４００Ｗ、バイアス電源２１の出力であるバイアス
パワーが７５０Ｗ、エッチングガスとしてＣ2Ｆ6を流量
３０ｓｃｃｍ、アルゴンガスを流量３０ｓｃｃｍで、圧
力が５ｍＴｏｒｒ、上部電極１８の温度が２００〜３０
０℃、下部電極１９の温度が−５〜０℃，エッチング時
間が数分間である条件の下で行う（図１（ｂ））。尚、
エッチングガスとしては、Ｃ2Ｆ6以外に、フロロカーボ
ン系ガス、例えば、ＣＦ4、Ｃ3Ｆ8等が使用可能であ
る。
を、図２に示す、上部電極温度、ソースパワー及びバイ
アスパワーが調整可能な誘導結合型プラズマエッチング
装置を用い、ソース電源２２の出力であるソースパワー
が２４００Ｗ、バイアス電源２１の出力であるバイアス
パワーが７５０Ｗ、エッチングガスとしてＣ2Ｆ6を流量
３０ｓｃｃｍ、アルゴンガスを流量３０ｓｃｃｍで、圧
力が５ｍＴｏｒｒ、上部電極１８の温度が２００〜３０
０℃、下部電極１９の温度が−５〜０℃，エッチング時
間が数分間である条件の下で行う（図１（ｂ））。尚、
エッチングガスとしては、Ｃ2Ｆ6以外に、フロロカーボ
ン系ガス、例えば、ＣＦ4、Ｃ3Ｆ8等が使用可能であ
る。
【００２２】尚、炭素系のポリマーでは、堆積面が酸素
を含む膜であれば、堆積しないので、コンタクトホール
が形成された絶縁膜の全面に、バリアメタル等の薄い金
属膜を堆積させておいて、タングステンを埋め込みエッ
チバックを行うのが適当である。
を含む膜であれば、堆積しないので、コンタクトホール
が形成された絶縁膜の全面に、バリアメタル等の薄い金
属膜を堆積させておいて、タングステンを埋め込みエッ
チバックを行うのが適当である。
【００２３】上記のような誘導結合プラズマエッチング
装置を用い、フロロカーボン系ガスを使用してエッチン
グを行う場合、ソースパワーを高く、バイアスパワーを
低くするほど、エッチングを施す基板へのダメージが低
くなる。これはポリマーの形成が促進され、基板表面を
保護するためと考えられる。また、上部電極温度はポリ
マーの発生が促進されように高くしておき、下部電極温
度はポリマーが付着しやすいように低くしておくことが
望ましい。図２において、１６はウエハー、１７はヒー
ター、１８は上部電極、１９は下部電極、２０はコイ
ル、２１はバイアス電源、２２はソース電源、２３はエ
ッチングガス導入口、２４はエッチングガス排出口を示
す。
装置を用い、フロロカーボン系ガスを使用してエッチン
グを行う場合、ソースパワーを高く、バイアスパワーを
低くするほど、エッチングを施す基板へのダメージが低
くなる。これはポリマーの形成が促進され、基板表面を
保護するためと考えられる。また、上部電極温度はポリ
マーの発生が促進されように高くしておき、下部電極温
度はポリマーが付着しやすいように低くしておくことが
望ましい。図２において、１６はウエハー、１７はヒー
ター、１８は上部電極、１９は下部電極、２０はコイ
ル、２１はバイアス電源、２２はソース電源、２３はエ
ッチングガス導入口、２４はエッチングガス排出口を示
す。
【００２４】以上の条件でエッチングを行えば、ＴｉＮ
／Ｔｉ膜３表面に炭素系のポリマー９が付着するが、平
坦部よりも傾斜部６でエッチングが早く進む傾向があ
る。これは、ポリマー９は平坦部分に比べて傾斜部６に
は付着しにくいことが原因と考えられる。そして、平坦
部分はポリマー９がマスクとなりエッチングされず、傾
斜部６のエッチング残り８のみがスパッタにより除去さ
れる。
／Ｔｉ膜３表面に炭素系のポリマー９が付着するが、平
坦部よりも傾斜部６でエッチングが早く進む傾向があ
る。これは、ポリマー９は平坦部分に比べて傾斜部６に
は付着しにくいことが原因と考えられる。そして、平坦
部分はポリマー９がマスクとなりエッチングされず、傾
斜部６のエッチング残り８のみがスパッタにより除去さ
れる。
【００２５】次に、ポリマー９を除去するため、同装置
内で、Ｏ2の流量を８０ｓｃｃｍ、ソースパワーを２５
００Ｗ、バイアスパワーを２００Ｗ、エッチング時間を
１０〜３０秒、上部電極１８の温度を２００〜３００
℃、下部電極１９の温度を−５〜０℃、圧力を２０ｍＴ
ｏｒｒとしてプラズマエッチングを行う（図１
（ｃ））。
内で、Ｏ2の流量を８０ｓｃｃｍ、ソースパワーを２５
００Ｗ、バイアスパワーを２００Ｗ、エッチング時間を
１０〜３０秒、上部電極１８の温度を２００〜３００
℃、下部電極１９の温度を−５〜０℃、圧力を２０ｍＴ
ｏｒｒとしてプラズマエッチングを行う（図１
（ｃ））。
【００２６】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように本発明を用
いることにより、工程数を増やすことなく、コンタクト
ホール部の過度のオーバーエッチングによるくぼみを生
じさせず、同時に、傾斜部におけるエッチング残りによ
る次工程でのメタル配線工程での配線ショートの発生を
抑えることができる。
いることにより、工程数を増やすことなく、コンタクト
ホール部の過度のオーバーエッチングによるくぼみを生
じさせず、同時に、傾斜部におけるエッチング残りによ
る次工程でのメタル配線工程での配線ショートの発生を
抑えることができる。
【図１】本発明の一実施例の半導体装置の製造工程図で
ある。
ある。
【図２】誘導結合型プラズマエッチング装置の構成図で
ある。
ある。
【図３】従来の半導体装置の製造工程の一例を示す図で
ある。
ある。
１ シリコン基板 ２ ＢＰＳＧ膜 ３ ＴｉＮ／Ｔｉ膜 ４ タングステン膜 ５ コンタクトホール部 ６ 傾斜部 ７ 段差部 ８ エッチング残り ９ ポリマー １６ ウエハー １７ ヒーター １８ 上部電極 １９ 下部電極 ２０ コイル ２１ バイアス電源 ２２ ソース電源 ２３ ガス導入口 ２４ ガス排出口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/28 - 21/288 H01L 21/302 H01L 21/3205 - 21/3213 H01L 21/768
Claims (2)
- 【請求項１】 段差部を有する下地全面に、絶縁膜を形
成した後、該絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程
と、上記 絶縁膜及び上記コンタクトホールに第１の導電物を
堆積させ、該第１の導電物をエッチバックし、上記コン
タクトホールに上記第１の導電物を埋設する工程を有す
る半導体装置の製造方法において、上記第１の導電物を堆積させる前に、所定の厚さの第２
の導電物を全面に堆積させる工程と、 該第２の導電物上に上記第１の導電物を堆積させ、エッ
チバックを行い、上記絶縁膜の平坦部の上記第１の導電
物を除去した後、エッチングガスとしてフロロカーボン
ガスを用い、且つ、該フロロカーボンガスからポリマー
が発生するような密度のプラズマ雰囲気中で、該ポリマ
ーが平坦部に付着し傾斜部には付着しにくい条件のもと
で、上記絶縁膜上の傾斜部に 残存する上記第１の導電物
をエッチングする工程を有することを特徴とする、半導
体装置の製造方法。 - 【請求項２】 上記第１の導電物にタングステンを用
い、且つ、上記第２の導電物にＴｉ及びＴｉＮが順次積
層された積層膜を用いることを特徴とする、請求項１に
記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06262192A JP3076500B2 (ja) | 1994-10-26 | 1994-10-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06262192A JP3076500B2 (ja) | 1994-10-26 | 1994-10-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08125018A JPH08125018A (ja) | 1996-05-17 |
| JP3076500B2 true JP3076500B2 (ja) | 2000-08-14 |
Family
ID=17372359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06262192A Expired - Fee Related JP3076500B2 (ja) | 1994-10-26 | 1994-10-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3076500B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990057826A (ko) * | 1997-12-30 | 1999-07-15 | 김영환 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
| KR100576515B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2006-05-03 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 원형결함을 방지하는 금속 식각 방법 |
-
1994
- 1994-10-26 JP JP06262192A patent/JP3076500B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08125018A (ja) | 1996-05-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3216345B2 (ja) | 半導体装置及びその作製方法 | |
| JPH09148268A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3175721B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2959758B2 (ja) | コンタクトホール内の導電性プラグ形成方法 | |
| KR100493486B1 (ko) | 개선된 전도층 엣칭방법 및 장치 | |
| JP3277855B2 (ja) | 半導体装置の配線形成方法 | |
| KR100457843B1 (ko) | 반도체 장치에서 콘택 형성 방법 | |
| US6136691A (en) | In situ plasma clean for tungsten etching back | |
| JP3027946B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP4307544B2 (ja) | 半導体装置のメタルパターンの形成方法 | |
| JP3076500B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3333313B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2705621B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH09172017A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3317279B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11288923A (ja) | トレンチの形成方法およびそれを用いる半導体装置の製造方法 | |
| JP3201318B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2702007B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08139190A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2004119754A (ja) | 配線、配線の製造方法、半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3380923B2 (ja) | 半導体装置における配線構造の形成方法 | |
| KR100497200B1 (ko) | 스퍼터 식각 방법 및 이를 이용하여 형성된 반도체 소자의금속플러그 | |
| JP3402937B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3259537B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH10294290A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |