JP3061923B2 - 半導体発光素子の駆動回路 - Google Patents
半導体発光素子の駆動回路Info
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
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- H05B45/397—Current mirror circuits
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
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- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体発光素子の駆動
回路に関するものである。さらに詳述すれば本発明は、
例えば光磁気ディスクやレーザービームプリンタなどに
使用される高速スイッチング用のレーザー駆動回路に適
用可能な、半導体発光素子の駆動回路に関するものであ
る。
回路に関するものである。さらに詳述すれば本発明は、
例えば光磁気ディスクやレーザービームプリンタなどに
使用される高速スイッチング用のレーザー駆動回路に適
用可能な、半導体発光素子の駆動回路に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】図9は、従来から知られているカソード
コモンタイプのレーザー駆動回路を示す。本図におい
て、1はレーザー半導体の駆動電流を決定するための基
準電流源であり、通常、レーザー発光素子の発光量をホ
トダイオード(図示せず)でモニターしてその出力電圧
(すなわち発光量)が一定になるように制御される。2
および3はPチャンネルのMOSトランジスタで構成し
たカレントミラー回路であり、PMOSトランジスタ2
のドレインソースショート端には基準電流源1が接続さ
れ、このドレイン電流値がPMOSトランジスタ3の出
力電流にミラーされる。
コモンタイプのレーザー駆動回路を示す。本図におい
て、1はレーザー半導体の駆動電流を決定するための基
準電流源であり、通常、レーザー発光素子の発光量をホ
トダイオード(図示せず)でモニターしてその出力電圧
(すなわち発光量)が一定になるように制御される。2
および3はPチャンネルのMOSトランジスタで構成し
たカレントミラー回路であり、PMOSトランジスタ2
のドレインソースショート端には基準電流源1が接続さ
れ、このドレイン電流値がPMOSトランジスタ3の出
力電流にミラーされる。
【0003】PMOSトランジスタ3のドレイン出力
は、NPNトランジスタ4のコレクタベースショート端
に入力される。NPNトランジスタ5のベースはNPN
トランジスタ4のコレクタベースショート端と接続され
ており、これら両トランジスタ4,5によりカレントミ
ラー回路を構成している。ここで、NPNトランジスタ
4とNPNトランジスタ5のエミッタ面積比を1:Nに
しておくことにより、両トランジスタ4,5の共通エミ
ッタ端からはPMOSトランジスタ3のドレイン出力電
流の(1+N)倍の電流を出力できる。
は、NPNトランジスタ4のコレクタベースショート端
に入力される。NPNトランジスタ5のベースはNPN
トランジスタ4のコレクタベースショート端と接続され
ており、これら両トランジスタ4,5によりカレントミ
ラー回路を構成している。ここで、NPNトランジスタ
4とNPNトランジスタ5のエミッタ面積比を1:Nに
しておくことにより、両トランジスタ4,5の共通エミ
ッタ端からはPMOSトランジスタ3のドレイン出力電
流の(1+N)倍の電流を出力できる。
【0004】7はレーザーダイオードであり、そのカソ
ードはGND(接地)電位点9に接続され、またアノー
ドはNPNトランジスタ4と5の共通エミッタ端に接続
されている。NチャンネルのMOSトランジスタ6はス
イッチング用トランジスタであり、制御信号入力端子1
0がハイレベルの時オンし、PMOSトランジスタ3の
電流出力を吸い込む。これによりNPNトランジスタ4
のコレクタベースショート端には電流は流れず、NPN
トランジスタ4と5によって形成されるカレントミラー
回路はオフする。よって、レーザーダイオード7の駆動
電流は0となる。また、入力端子10がローレベルのと
きNMOSトランジスタ6はオフするため、PMOSト
ランジスタ3の電流出力はNPNトランジスタ4と5か
らなるカレントミラー回路を駆動してレーザーダイオー
ド7を駆動する。そしてこのNMOSトランジスタ6が
高速にON−OFFすることで、レーザーダイオード7
の光出力が高速スイッチングされる。
ードはGND(接地)電位点9に接続され、またアノー
ドはNPNトランジスタ4と5の共通エミッタ端に接続
されている。NチャンネルのMOSトランジスタ6はス
イッチング用トランジスタであり、制御信号入力端子1
0がハイレベルの時オンし、PMOSトランジスタ3の
電流出力を吸い込む。これによりNPNトランジスタ4
のコレクタベースショート端には電流は流れず、NPN
トランジスタ4と5によって形成されるカレントミラー
回路はオフする。よって、レーザーダイオード7の駆動
電流は0となる。また、入力端子10がローレベルのと
きNMOSトランジスタ6はオフするため、PMOSト
ランジスタ3の電流出力はNPNトランジスタ4と5か
らなるカレントミラー回路を駆動してレーザーダイオー
ド7を駆動する。そしてこのNMOSトランジスタ6が
高速にON−OFFすることで、レーザーダイオード7
の光出力が高速スイッチングされる。
【0005】図10は、従来から知られている半導体レ
ーザー駆動回路のその他の例を示す。本図において、レ
ーザーダイオード30のカソードは回路内の低電位点2
2に接続され、そのアノードはカレントミラー回路4に
接続される。このカレントミラー回路4の入力端は定電
流回路23の出力端に接続されている。また外部から供
給される制御信号によりスイッチングされるNPNトラ
ンジスタ5のエミッタは低電位点22に、そのベースは
制御入力端子12に、そのコレクタは定電流回路23の
出力端に接続されている。
ーザー駆動回路のその他の例を示す。本図において、レ
ーザーダイオード30のカソードは回路内の低電位点2
2に接続され、そのアノードはカレントミラー回路4に
接続される。このカレントミラー回路4の入力端は定電
流回路23の出力端に接続されている。また外部から供
給される制御信号によりスイッチングされるNPNトラ
ンジスタ5のエミッタは低電位点22に、そのベースは
制御入力端子12に、そのコレクタは定電流回路23の
出力端に接続されている。
【0006】図10に示す回路において、半導体レーザ
ーダイオード30は自身に流れる電流値に応じてレーザ
ー光を出力する。その過程は、次の通りである。まず制
御入力端子32が高電位VH のときスイッチング用NP
Nトランジスタ25はON状態となり定電流回路23か
らの出力電流を引込み、カレントミラー回路24に電流
は流れずレーザーダイオード30にも電流は供給されな
いので、レーザーダイオード30は発光しない。この時
のカレントミラー回路24のベース電位はスイッチング
用NPNトランジスタ25のON状態のコレクタエミッ
タ間電圧(これを以下VCE(SAT) と表わす)まで低下す
る。ここで、電位はすべて低電位点22を基準とする。
ーダイオード30は自身に流れる電流値に応じてレーザ
ー光を出力する。その過程は、次の通りである。まず制
御入力端子32が高電位VH のときスイッチング用NP
Nトランジスタ25はON状態となり定電流回路23か
らの出力電流を引込み、カレントミラー回路24に電流
は流れずレーザーダイオード30にも電流は供給されな
いので、レーザーダイオード30は発光しない。この時
のカレントミラー回路24のベース電位はスイッチング
用NPNトランジスタ25のON状態のコレクタエミッ
タ間電圧(これを以下VCE(SAT) と表わす)まで低下す
る。ここで、電位はすべて低電位点22を基準とする。
【0007】次に、制御入力端子32が低電位VL のと
きスイッチング用NPNトランジスタ25はOFF状態
となり、定電流回路23の出力電流がカレントミラー回
路24に流れ込み、レーザーダイオード30に電流が供
給されてレーザーダイオード30は発光する。このとき
のカレントミラー回路24のベース電位は、レーザーダ
イオード30のアノード・カソード間電圧(VF )とカ
レントミラー回路24のエミッタ・ベース間電圧(V
BE(ON))を加えた値となる。
きスイッチング用NPNトランジスタ25はOFF状態
となり、定電流回路23の出力電流がカレントミラー回
路24に流れ込み、レーザーダイオード30に電流が供
給されてレーザーダイオード30は発光する。このとき
のカレントミラー回路24のベース電位は、レーザーダ
イオード30のアノード・カソード間電圧(VF )とカ
レントミラー回路24のエミッタ・ベース間電圧(V
BE(ON))を加えた値となる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図9に
示した従来例では、レーザーダイオードの接合容量を充
電するための充電電流が流れることから、次に列挙する
ような欠点がみられた。
示した従来例では、レーザーダイオードの接合容量を充
電するための充電電流が流れることから、次に列挙する
ような欠点がみられた。
【0009】レーザーダイオードのオフ時間が長く続
いた後にレーザーダイオードがONした時、そのアノー
ド端に流れ込む電流波形の立ち上がり部にスパイク状の
ノイズが発生する。
いた後にレーザーダイオードがONした時、そのアノー
ド端に流れ込む電流波形の立ち上がり部にスパイク状の
ノイズが発生する。
【0010】レーザーダイオードのオフ時間が長く続
いた後にオン状態となった時の電流波形と、レーザーダ
イオードのオフ時間が短くてオン状態になった時の電流
波形の立ち上がりスピードを比較すると、前者の方が遅
くなる。
いた後にオン状態となった時の電流波形と、レーザーダ
イオードのオフ時間が短くてオン状態になった時の電流
波形の立ち上がりスピードを比較すると、前者の方が遅
くなる。
【0011】以下、上記,の発生要因を説明する。
【0012】まず、上記欠点の要因について説明す
る。
る。
【0013】図11は、レーザーダイオード7の等価回
路を示す。本図においてAはアノード端子、Kはカソー
ド端子、Dはレーザーダイオード接合部、Cはレーザー
ダイオード接合容量である。図9に示したレーザー駆動
回路がレーザーダイオード7を駆動する場合、レーザー
ダイオード両端の電圧(VF )が約1〜1.5ボルト程
度まで立ち上がった時に、レーザーダイオード接合部D
に電流が流れ出す。すなわち、レーザー駆動回路の駆動
電流出力は最初のうち接合容量Dの充電に使用され、上
記VF がレーザー発光電位付近まで上昇すると、接合容
量Cの充電電流は減少してレーザダイオード接合部Dに
電流が流れ込む。
路を示す。本図においてAはアノード端子、Kはカソー
ド端子、Dはレーザーダイオード接合部、Cはレーザー
ダイオード接合容量である。図9に示したレーザー駆動
回路がレーザーダイオード7を駆動する場合、レーザー
ダイオード両端の電圧(VF )が約1〜1.5ボルト程
度まで立ち上がった時に、レーザーダイオード接合部D
に電流が流れ出す。すなわち、レーザー駆動回路の駆動
電流出力は最初のうち接合容量Dの充電に使用され、上
記VF がレーザー発光電位付近まで上昇すると、接合容
量Cの充電電流は減少してレーザダイオード接合部Dに
電流が流れ込む。
【0014】図12の(A)は上記接合容量Cに流れ込
む電流Icjを、同図(B)はレーザーダイオード接合
部Dに流れ込む電流Ildを、同図(C)はこの時のア
ノード端子Aに流れ込む電流ILDを示す。アノード端
子Aに流れ込む電流ILDは時間軸的にみるとIcjと
Ildの和となるため、接合部Dをチャージするための
電流Icjの変化部がアノード端子Aに流れ込む電流I
LDにおいてノイズとなって現れる。
む電流Icjを、同図(B)はレーザーダイオード接合
部Dに流れ込む電流Ildを、同図(C)はこの時のア
ノード端子Aに流れ込む電流ILDを示す。アノード端
子Aに流れ込む電流ILDは時間軸的にみるとIcjと
Ildの和となるため、接合部Dをチャージするための
電流Icjの変化部がアノード端子Aに流れ込む電流I
LDにおいてノイズとなって現れる。
【0015】次に、上記欠点の要因について説明す
る。
る。
【0016】図13は、レーザーダイオードのオフ時間
の相違による電流波形を示す。本図において、(A)は
レーザーダイオード7のアノード端子Aに流れ込むレー
ザー駆動電流ILD、(B)はこの時の端子間電圧V
F 、(C)はレーザーダイオード接合容量Cをチャージ
するための充電電流Icj、(D)はレーザーダイオー
ド接合部Dに流れ込む電流Ildである。
の相違による電流波形を示す。本図において、(A)は
レーザーダイオード7のアノード端子Aに流れ込むレー
ザー駆動電流ILD、(B)はこの時の端子間電圧V
F 、(C)はレーザーダイオード接合容量Cをチャージ
するための充電電流Icj、(D)はレーザーダイオー
ド接合部Dに流れ込む電流Ildである。
【0017】図13に示した各部波形は、レーザーダイ
オードの駆動電流のオフ時間の違いによる波形応答の差
を示している。
オードの駆動電流のオフ時間の違いによる波形応答の差
を示している。
【0018】ここで図13の(A)に示したパルスP1
は、かなり長い時間(Toff1)レーザーダイオード
がオフ状態にありその状態からレーザーダイオードを駆
動した時の波形応答であり、パルスP2はレーザーオフ
時間が短い時間(Toff2)のときレーザーダイオー
ドがオンした時の波形である(すなわち、Toff1≫
Toff2)。また図13の(B)に示すように、オフ
時間の長いToff1期間ではレーザーダイオード接合
容量Cに蓄えられた電荷は僅かなOff電流で全てディ
スチャージされ、VF はGND電位まで下がる。このた
め、次にオンする時にレーザーダイオード接合容量Cを
チャージするための電流が必要となり、図13の(C)
に示すチャージ電流が流れ、結果的にアノード端子Aに
流れ込む電流は図13(A)に示したパルスP1のよう
にノイズとなって現れる。
は、かなり長い時間(Toff1)レーザーダイオード
がオフ状態にありその状態からレーザーダイオードを駆
動した時の波形応答であり、パルスP2はレーザーオフ
時間が短い時間(Toff2)のときレーザーダイオー
ドがオンした時の波形である(すなわち、Toff1≫
Toff2)。また図13の(B)に示すように、オフ
時間の長いToff1期間ではレーザーダイオード接合
容量Cに蓄えられた電荷は僅かなOff電流で全てディ
スチャージされ、VF はGND電位まで下がる。このた
め、次にオンする時にレーザーダイオード接合容量Cを
チャージするための電流が必要となり、図13の(C)
に示すチャージ電流が流れ、結果的にアノード端子Aに
流れ込む電流は図13(A)に示したパルスP1のよう
にノイズとなって現れる。
【0019】Toff2期間の短いパルスP2について
は、レーザーダイオード接合容量Cのチャージ電荷が抜
けきらないままレーザーダイオードがONするため、図
13(B)に示すようにVF は下がらず、チャージ電流
も同図(C)にみられる如くほとんど流れない。従っ
て、アノード端子Aに流れ込む電流ILDにノイズは含
まれない。また、パルスP2はIcjを必要としないた
めパルスP1に比べて、レーザー駆動電流の立ち上がり
特性は速くなる。
は、レーザーダイオード接合容量Cのチャージ電荷が抜
けきらないままレーザーダイオードがONするため、図
13(B)に示すようにVF は下がらず、チャージ電流
も同図(C)にみられる如くほとんど流れない。従っ
て、アノード端子Aに流れ込む電流ILDにノイズは含
まれない。また、パルスP2はIcjを必要としないた
めパルスP1に比べて、レーザー駆動電流の立ち上がり
特性は速くなる。
【0020】すなわち図9に示すような従来のレーザー
駆動回路では、レーザーオフ時間が長い時、レーザー電
流波形の立ち上がり部にスパイク状の電流ノイズが発生
し、かつ、立ち上がりスピードを劣化させていた。
駆動回路では、レーザーオフ時間が長い時、レーザー電
流波形の立ち上がり部にスパイク状の電流ノイズが発生
し、かつ、立ち上がりスピードを劣化させていた。
【0021】同様な欠点は、その他の従来例として示し
た図10の場合についても当てはまる。すなわち、定電
流回路23の出力端,スイッチング用NPNトランジス
タ25のコレクタ,カレントミラー回路24のコレクタ
およびベースにはそれぞれ寄生容量があり、スイッチン
グ用NPNトランジスタ25がON状態からOFF状態
になったとき、この寄生容量が定電流回路23の出力電
流によって充電される。そして、カレントミラー回路2
4のベース電位がVCE(SAT) から上昇してVF+V
BE(ON)に達したときにカレントミラー回路24に所望の
電流が流れ、レーザーダイオード30はその電流に応じ
たレーザー光を発する。
た図10の場合についても当てはまる。すなわち、定電
流回路23の出力端,スイッチング用NPNトランジス
タ25のコレクタ,カレントミラー回路24のコレクタ
およびベースにはそれぞれ寄生容量があり、スイッチン
グ用NPNトランジスタ25がON状態からOFF状態
になったとき、この寄生容量が定電流回路23の出力電
流によって充電される。そして、カレントミラー回路2
4のベース電位がVCE(SAT) から上昇してVF+V
BE(ON)に達したときにカレントミラー回路24に所望の
電流が流れ、レーザーダイオード30はその電流に応じ
たレーザー光を発する。
【0022】従って、制御入力端子32がVH からVL
に変化した時刻からレーザーダイオード30が発光する
までには、上記容量の充電による時定数によって遅れが
生じ、特にレーザー光出力を小さくするために定電流回
路23の出力電流を小さくした場合にはその遅れは顕著
となり、レーザーダイオードの高速スイッチングが不可
能になるという欠点があった。
に変化した時刻からレーザーダイオード30が発光する
までには、上記容量の充電による時定数によって遅れが
生じ、特にレーザー光出力を小さくするために定電流回
路23の出力電流を小さくした場合にはその遅れは顕著
となり、レーザーダイオードの高速スイッチングが不可
能になるという欠点があった。
【0023】よって本発明の目的は、上述の点に鑑み、
半導体発光素子の高速スイッチングを可能にする駆動回
路を提供することにある。
半導体発光素子の高速スイッチングを可能にする駆動回
路を提供することにある。
【0024】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、発光素子へ供給するための駆動電流を
発生する発生手段と、前記発生手段により発生される駆
動電流を制御信号に応じてスイッチングするスイッチン
グ手段と、前記スイッチング手段の状態に拘わらずにバ
イアス電流を前記発光素子へ注入するためのカレントミ
ラー回路とを備えたものである。ここで、前記発光素子
としてレーザダイオードを用いることが可能である。ま
た、その他の本発明は、発光素子へ供給するための駆動
電流を発生する発生手段と、前記発生手段により発生さ
れる駆動電流を制御信号に応じてスイッチングするスイ
ッチング手段と、前記制御信号に応じて前記スイッチン
グ手段へ電流を供給する供給手段とを備えたものであ
る。ここで、前記供給手段としてレベルシフト回路を用
いることが可能である。また、前記発光素子としてレー
ザダイオードを用いることが可能である。さらに、その
他の本発明は、発光素子の駆動電流を発生する発生手段
と、前記発生手段より発生される駆動電流を前記発光素
子へ供給するカレントミラー回路と、前記カレントミラ
ー回路の入力側に接続され、制御信号に応じてスイッチ
ングされる能動素子と、前記制御信号に応じて前記カレ
ントミラー回路の前記入力側に電流を供給する供給手段
とを備えたものである。ここで、オンを表す制御信号に
よって前記能動素子がスイッチングされる前に、前記供
給手段が前記カレントミラー回路の前記入力側に電流を
供給することが可能である。また、前記供給手段として
レベルシフト回路を用いることが可能である。さらに、
前記発光素子としてレーザダイオードを用いることが可
能である。
めに、本発明は、発光素子へ供給するための駆動電流を
発生する発生手段と、前記発生手段により発生される駆
動電流を制御信号に応じてスイッチングするスイッチン
グ手段と、前記スイッチング手段の状態に拘わらずにバ
イアス電流を前記発光素子へ注入するためのカレントミ
ラー回路とを備えたものである。ここで、前記発光素子
としてレーザダイオードを用いることが可能である。ま
た、その他の本発明は、発光素子へ供給するための駆動
電流を発生する発生手段と、前記発生手段により発生さ
れる駆動電流を制御信号に応じてスイッチングするスイ
ッチング手段と、前記制御信号に応じて前記スイッチン
グ手段へ電流を供給する供給手段とを備えたものであ
る。ここで、前記供給手段としてレベルシフト回路を用
いることが可能である。また、前記発光素子としてレー
ザダイオードを用いることが可能である。さらに、その
他の本発明は、発光素子の駆動電流を発生する発生手段
と、前記発生手段より発生される駆動電流を前記発光素
子へ供給するカレントミラー回路と、前記カレントミラ
ー回路の入力側に接続され、制御信号に応じてスイッチ
ングされる能動素子と、前記制御信号に応じて前記カレ
ントミラー回路の前記入力側に電流を供給する供給手段
とを備えたものである。ここで、オンを表す制御信号に
よって前記能動素子がスイッチングされる前に、前記供
給手段が前記カレントミラー回路の前記入力側に電流を
供給することが可能である。また、前記供給手段として
レベルシフト回路を用いることが可能である。さらに、
前記発光素子としてレーザダイオードを用いることが可
能である。
【0025】
【0026】
【0027】
【実施例】以下に説明する実施例では、いわゆるカソー
ドコモンタイプの半導体発光素子駆動回路において、半
導体発光素子のアノード端にバイアス電流を予め流して
おくことによって、半導体発光素子のオフ時間に拘りな
く、駆動電流波形に含まれるスパイクノイズや立ち上が
りスピードの劣化を抑えている。
ドコモンタイプの半導体発光素子駆動回路において、半
導体発光素子のアノード端にバイアス電流を予め流して
おくことによって、半導体発光素子のオフ時間に拘りな
く、駆動電流波形に含まれるスパイクノイズや立ち上が
りスピードの劣化を抑えている。
【0028】また、制御信号のレベルに応じて作動する
電圧ドライバーとレベル調整手段を設け、その出力によ
り前記カレントミラー回路のベース電位をVF +V
BE(ON)より多少小さい値までドライブすることによっ
て、定電流による寄生容量の充電による時間的遅れを最
小にすることができる。
電圧ドライバーとレベル調整手段を設け、その出力によ
り前記カレントミラー回路のベース電位をVF +V
BE(ON)より多少小さい値までドライブすることによっ
て、定電流による寄生容量の充電による時間的遅れを最
小にすることができる。
【0029】以下、図面を参照して、本発明の実施例を
詳細に説明していく。
詳細に説明していく。
【0030】実施例1 図1は、本発明の第1の実施例を示す。本図において、
1はレーザー駆動電流設定用基準電流源、2および3は
PMOSトランジスタによって形成されるカレントミラ
ー回路、4および5はNPNトランジスタによって形成
されるカレントミラー回路である。6は駆動電流スイッ
チング用のNチャンネルMOSトランジスタであり、こ
のNMOSトランジスタ6のゲートにON/OFF制御
信号入力端子10が付けられている。8は電源VCC、9
はGND点(接地点)である。上記1〜6および8,9
の各要素による動作原理は、従来例として示した図9の
所で説明したので、ここでは省略する。
1はレーザー駆動電流設定用基準電流源、2および3は
PMOSトランジスタによって形成されるカレントミラ
ー回路、4および5はNPNトランジスタによって形成
されるカレントミラー回路である。6は駆動電流スイッ
チング用のNチャンネルMOSトランジスタであり、こ
のNMOSトランジスタ6のゲートにON/OFF制御
信号入力端子10が付けられている。8は電源VCC、9
はGND点(接地点)である。上記1〜6および8,9
の各要素による動作原理は、従来例として示した図9の
所で説明したので、ここでは省略する。
【0031】NPNトランジスタ4および5の共通エミ
ッタ部からレーザーダイオード駆動電流が出力され、レ
ーザーダイオード7のアノード端子に供給される。レー
ザーダイオード7のカソード端子は、GND9点に接続
されている。レーザーダイオード7のアノード端子には
本実施例の特徴であるバイアス電流設定用抵抗10が接
続される。このバイアス電流設定用抵抗10の他端は、
電源VCC8に接続されている。
ッタ部からレーザーダイオード駆動電流が出力され、レ
ーザーダイオード7のアノード端子に供給される。レー
ザーダイオード7のカソード端子は、GND9点に接続
されている。レーザーダイオード7のアノード端子には
本実施例の特徴であるバイアス電流設定用抵抗10が接
続される。このバイアス電流設定用抵抗10の他端は、
電源VCC8に接続されている。
【0032】このバイアス電流設定用抵抗10により、
レーザーOFF時に、以下の式に示すバイアス電流をレ
ーザーダイオード7のアノード端子に注入する。
レーザーOFF時に、以下の式に示すバイアス電流をレ
ーザーダイオード7のアノード端子に注入する。
【0033】
【数1】
【0034】このIbiasとして、レーザーダイオー
ドが発光しない程度の微少な電流に設定する。
ドが発光しない程度の微少な電流に設定する。
【0035】図2は、レーザーダイオードの光出力とレ
ーザー電流(駆動電流)の関係を示す。本図に示すよう
に、レーザー電流IF がしきい値電流Ithより小さな領
域ではレーザー出力Pは非常に小さく、レーザー電流I
F がIthを超えると、レーザー電流IF の増加に伴って
レーザー出力Pは急激に増大する。
ーザー電流(駆動電流)の関係を示す。本図に示すよう
に、レーザー電流IF がしきい値電流Ithより小さな領
域ではレーザー出力Pは非常に小さく、レーザー電流I
F がIthを超えると、レーザー電流IF の増加に伴って
レーザー出力Pは急激に増大する。
【0036】すなわち、IbiasとしてIthを超えな
い値に設定することによって(使用するシステムにとっ
て悪影響のない値)レーザーOFF時にレーザーダイオ
ードの接合容量をチャージし、レーザーダイオードがO
FFからONに変化する時のチャージ電流をレーザーO
FF時間に依存しないごく微少な量に抑え、これにより
スパイクノイズや立ち上がりスピードの劣化を抑えるこ
とができる。
い値に設定することによって(使用するシステムにとっ
て悪影響のない値)レーザーOFF時にレーザーダイオ
ードの接合容量をチャージし、レーザーダイオードがO
FFからONに変化する時のチャージ電流をレーザーO
FF時間に依存しないごく微少な量に抑え、これにより
スパイクノイズや立ち上がりスピードの劣化を抑えるこ
とができる。
【0037】図3は、レーザーダイオード7に上記Ib
iasを注入した時の各部の波形を示す。同図(A)
は、アノード端子に流れ込む電流ILDを示す。ここ
で、パルスP1がONする以前のレーザーOFF時間は
Toff1、パルスP2がONする以前のレーザーOF
F時間はToff2であり、Toff1≫Toff2の
関係にある。
iasを注入した時の各部の波形を示す。同図(A)
は、アノード端子に流れ込む電流ILDを示す。ここ
で、パルスP1がONする以前のレーザーOFF時間は
Toff1、パルスP2がONする以前のレーザーOF
F時間はToff2であり、Toff1≫Toff2の
関係にある。
【0038】レーザーOFF時間の長いToff1期間
でも、レーザーダイオード7の端子間電圧VF はGND
レベルに落ちることはない(図3(B)参照)。これは
接合容量がIbiasによって充電され、電荷が抜ける
ことがないためである。このため、Toff時間に依存
してレーザーダイオード接合部のチャージ電流Icjが
変化することはなく微少な値となる(図3(c)参
照)。従って、アノード端子に流れ込む電流ILDはチ
ャージ電流Icjとレーザーダイオード接合部電流Il
d(図3(D)参照)の和であるから、電流波形の立ち
上がり部にスパイクノイズが重量したり、スピード劣化
現像が生じることがなくなる。
でも、レーザーダイオード7の端子間電圧VF はGND
レベルに落ちることはない(図3(B)参照)。これは
接合容量がIbiasによって充電され、電荷が抜ける
ことがないためである。このため、Toff時間に依存
してレーザーダイオード接合部のチャージ電流Icjが
変化することはなく微少な値となる(図3(c)参
照)。従って、アノード端子に流れ込む電流ILDはチ
ャージ電流Icjとレーザーダイオード接合部電流Il
d(図3(D)参照)の和であるから、電流波形の立ち
上がり部にスパイクノイズが重量したり、スピード劣化
現像が生じることがなくなる。
【0039】実施例2 図4は、本発明の第2の実施例を示す。本実施例では、
図1に示した第1の実施例のバイアス電流設定用抵抗1
0の代わりにカレントミラー回路によって電流を注入す
る。すなわち図2において、PNPトランジスタ10の
コレクタをレーザーダイオード7のアノード端子に接続
し、そのベースをPNPトランジスタ11のコレクタベ
ースショート端に接続する。PNPトランジスタ10と
11のエミッタは電源VCC8に接続し、さらにPNPト
ランジスタ10のベースとPNPトランジスタ11のコ
レクタベースショート端接続点は、定電流源12に接続
してある。
図1に示した第1の実施例のバイアス電流設定用抵抗1
0の代わりにカレントミラー回路によって電流を注入す
る。すなわち図2において、PNPトランジスタ10の
コレクタをレーザーダイオード7のアノード端子に接続
し、そのベースをPNPトランジスタ11のコレクタベ
ースショート端に接続する。PNPトランジスタ10と
11のエミッタは電源VCC8に接続し、さらにPNPト
ランジスタ10のベースとPNPトランジスタ11のコ
レクタベースショート端接続点は、定電流源12に接続
してある。
【0040】従って、PNPトランジスタ10と11の
エミッタ面積比が1ならば、定電流源12の電流値はそ
のままミラーされてPNPトランジスタ10のコレクタ
よりレーザーダイオード7のアノード端子に注入され
る。この電流がバイアス電流となりレーザーダイオード
接合容量を充電する。その結果、図3を参照して説明し
た通り、レーザーダイオードのオフ時間の相違による駆
動電流波形の立ち上がり時のスパイク・ノイズやスピー
ドの劣化を抑えることができる。
エミッタ面積比が1ならば、定電流源12の電流値はそ
のままミラーされてPNPトランジスタ10のコレクタ
よりレーザーダイオード7のアノード端子に注入され
る。この電流がバイアス電流となりレーザーダイオード
接合容量を充電する。その結果、図3を参照して説明し
た通り、レーザーダイオードのオフ時間の相違による駆
動電流波形の立ち上がり時のスパイク・ノイズやスピー
ドの劣化を抑えることができる。
【0041】実施例3 図5は、本発明の第3の実施例を示す。本図において2
1は電源ライン、22はグランド、23は定電流回路、
24はカレントミラー回路、25はスイッチング用NP
Nトランジスタ、26は電流源、27はダイオードを用
いたレベルシフト回路、28はBiCMOSインバータ
ー、29はインバーター、30は半導体レーザーダイオ
ード、32は制御入力端子である。
1は電源ライン、22はグランド、23は定電流回路、
24はカレントミラー回路、25はスイッチング用NP
Nトランジスタ、26は電流源、27はダイオードを用
いたレベルシフト回路、28はBiCMOSインバータ
ー、29はインバーター、30は半導体レーザーダイオ
ード、32は制御入力端子である。
【0042】次に、本実施例の動作について説明する。
【0043】制御入力端子32が高電位VH のときイン
バーター28の出力は低電位であり、従ってインバータ
ー29の出力は高電位(VOHとする)となる。そこでス
イッチング用NPNトランジスタ25はON状態となっ
て定電流回路23の出力電流を引込み、カレントミラー
回路24には電流は供給されず、よってレーザーダイオ
ード30にも電流が供給されないので、発光は停止して
いる。
バーター28の出力は低電位であり、従ってインバータ
ー29の出力は高電位(VOHとする)となる。そこでス
イッチング用NPNトランジスタ25はON状態となっ
て定電流回路23の出力電流を引込み、カレントミラー
回路24には電流は供給されず、よってレーザーダイオ
ード30にも電流が供給されないので、発光は停止して
いる。
【0044】このとき、レベルシフト回路27の両端子
間にはほとんど電位差はないので、ダイオード零バイア
スされ電流は流れない。
間にはほとんど電位差はないので、ダイオード零バイア
スされ電流は流れない。
【0045】次に、制御入力端子32が低電位VL に移
行した場合、インバーター28の出力は高電位になり、
インバーター29の出力は低電位となる。従ってスイッ
チング用NPNトランジスタ25はOFF状態に移行す
るため、定電流回路23からの出力電流はカレントミラ
ー回路24に供給され始めるが、同時にインバーター2
8の出力が高電位であるのでレベルシフト回路27を経
てカレントミラー回路24のベース電位は急激に上昇す
る。
行した場合、インバーター28の出力は高電位になり、
インバーター29の出力は低電位となる。従ってスイッ
チング用NPNトランジスタ25はOFF状態に移行す
るため、定電流回路23からの出力電流はカレントミラ
ー回路24に供給され始めるが、同時にインバーター2
8の出力が高電位であるのでレベルシフト回路27を経
てカレントミラー回路24のベース電位は急激に上昇す
る。
【0046】上記ベース電位は、インバーター28の出
力から、レベルシフト回路27のダイオードの直列接続
された個数(n)にダイオードの順方向電圧(これをV
DFとする)を乗じた値nVDFを引いた値VOH−nVDFと
なるが、この値は従来例(図10参照)で示した値V
BE(ON)+VF より多少低い値となるようnの値またはダ
イオードの接合面積を調節してある。従って、図10に
示した従来例において定電流回路23による出力電流に
よって寄生容量を充電しカレントミラー回路24のベー
ス電位がVBE(ON)+VF に達するのに必要な時間に比べ
て、本実施例ではかなり短い時間で達するので、レーザ
ー発光の高速スイッチングが可能となる。
力から、レベルシフト回路27のダイオードの直列接続
された個数(n)にダイオードの順方向電圧(これをV
DFとする)を乗じた値nVDFを引いた値VOH−nVDFと
なるが、この値は従来例(図10参照)で示した値V
BE(ON)+VF より多少低い値となるようnの値またはダ
イオードの接合面積を調節してある。従って、図10に
示した従来例において定電流回路23による出力電流に
よって寄生容量を充電しカレントミラー回路24のベー
ス電位がVBE(ON)+VF に達するのに必要な時間に比べ
て、本実施例ではかなり短い時間で達するので、レーザ
ー発光の高速スイッチングが可能となる。
【0047】また制御入力端子32が低電位のときのレ
ベルシフト回路27の出力の電位は前述したようにV
BE(ON)+VF より小さな値であるので、定電流回路23
の出力電流がカレントミラー回路24に流れ込んでレー
ザーダイオード30に所望の電流が供給された状態で、
レベルシフト回路中のダイオードは零バイアスまた逆バ
イアスとなるので電流は流れず、電流源26によるレー
ザーダイオード30への駆動電流の設定には影響を与え
ない。
ベルシフト回路27の出力の電位は前述したようにV
BE(ON)+VF より小さな値であるので、定電流回路23
の出力電流がカレントミラー回路24に流れ込んでレー
ザーダイオード30に所望の電流が供給された状態で、
レベルシフト回路中のダイオードは零バイアスまた逆バ
イアスとなるので電流は流れず、電流源26によるレー
ザーダイオード30への駆動電流の設定には影響を与え
ない。
【0048】実施例4 図6および図7は、図5に示した実施例の変形である。
すなわちレベルシフト回路27として、図6に示すよう
にn段のエミッタフォロアを用いたり、図7に示すよう
にn段のソースフォロアを用いることも可能である。
すなわちレベルシフト回路27として、図6に示すよう
にn段のエミッタフォロアを用いたり、図7に示すよう
にn段のソースフォロアを用いることも可能である。
【0049】実施例5 図8に示した第5の実施例は、図5に示した実施例と基
本的に同じであるが、インバーター28として通常のイ
ンバーターを用いている。すなわち、インバーター28
の回路はある程度出力インピーダンスの低い通常のドラ
イバーであれば、回路構成に制限はない。
本的に同じであるが、インバーター28として通常のイ
ンバーターを用いている。すなわち、インバーター28
の回路はある程度出力インピーダンスの低い通常のドラ
イバーであれば、回路構成に制限はない。
【0050】また図8の実施例では、図5に示した電流
源26を削除し、定電流回路23として電流源を直接接
続してある。
源26を削除し、定電流回路23として電流源を直接接
続してある。
【0051】実施例6 図14に本発明のさらに他の実施例を示す。図14にお
いてレーザーダイオード30のカソードは回路内低電位
点22に接続され、アノードはカレントミラー回路24
に接続され、カレントミラー回路24の入力は定電流回
路23の出力に接続され、制御信号によりスイッチング
されるNPNトランジスタ25のエミッタは低電位点2
2に、ベースはレベルシフト回路27の出力に接続さ
れ、レベルシフト回路27の入力は制御入力信号により
スイッチングされる電圧ドライバーの出力に接続されて
いる。
いてレーザーダイオード30のカソードは回路内低電位
点22に接続され、アノードはカレントミラー回路24
に接続され、カレントミラー回路24の入力は定電流回
路23の出力に接続され、制御信号によりスイッチング
されるNPNトランジスタ25のエミッタは低電位点2
2に、ベースはレベルシフト回路27の出力に接続さ
れ、レベルシフト回路27の入力は制御入力信号により
スイッチングされる電圧ドライバーの出力に接続されて
いる。
【0052】次に動作について説明する。
【0053】制御入力端子32が低電位VL のときイン
バーター28の出力は高電位であり、したがってインバ
ーター29の出力とレベルシフト回路27の出力は低電
位となってスイッチングトランジスタ25はON状態と
なるため定電流源23の出力電流を引き込みカレントミ
ラー回路24やレーザーダイオード30に電流は供給さ
れないのでレーザーダイオード30は発光しない。
バーター28の出力は高電位であり、したがってインバ
ーター29の出力とレベルシフト回路27の出力は低電
位となってスイッチングトランジスタ25はON状態と
なるため定電流源23の出力電流を引き込みカレントミ
ラー回路24やレーザーダイオード30に電流は供給さ
れないのでレーザーダイオード30は発光しない。
【0054】次に制御入力端子32が高電位VH に変化
したときインバーター28の出力は低電位となり、した
がってスイッチングトランジスタ25はONからOFF
状態に移行し、定電流源23の出力電流はカレントミラ
ー回路24に流れ始める。その直後にインバーター29
の出力は高電位になり、したがってレベルシフト回路2
7は導通状態となって該レベルシフト回路27の出力電
流もカレントミラー回路24に供給され該カレントミラ
ー回路24のベース電位が急激に上昇し、次第にカレン
トミラー回路24はレーザーダイオード30に電流を供
給し始め、その電流があるしきい値を超えるとレーザー
ダイオード30は発光を開始する。
したときインバーター28の出力は低電位となり、した
がってスイッチングトランジスタ25はONからOFF
状態に移行し、定電流源23の出力電流はカレントミラ
ー回路24に流れ始める。その直後にインバーター29
の出力は高電位になり、したがってレベルシフト回路2
7は導通状態となって該レベルシフト回路27の出力電
流もカレントミラー回路24に供給され該カレントミラ
ー回路24のベース電位が急激に上昇し、次第にカレン
トミラー回路24はレーザーダイオード30に電流を供
給し始め、その電流があるしきい値を超えるとレーザー
ダイオード30は発光を開始する。
【0055】このような実施例でも、上述した実施例5
と同様の効果が得られる。
と同様の効果が得られる。
【0056】しかしながら、制御入力端子32が低電位
から高電位に変化しスイッチングトランジスタ25がO
N状態からOFF状態となる時からレベルシフト回路2
7の出力電流が最大値に達するまでにはインバーター2
9やレベルシフト回路27のもつ遅延によってある時間
td が必要であり、非常に高い周波数でレーザードライ
バーを駆動する場合には時間td は無視できない値とな
る虞がある。
から高電位に変化しスイッチングトランジスタ25がO
N状態からOFF状態となる時からレベルシフト回路2
7の出力電流が最大値に達するまでにはインバーター2
9やレベルシフト回路27のもつ遅延によってある時間
td が必要であり、非常に高い周波数でレーザードライ
バーを駆動する場合には時間td は無視できない値とな
る虞がある。
【0057】次に、前記制御入力によりスイッチングさ
れる電圧ドライバーの入力端子と前記制御入力端子によ
りスイッチングされる能動素子の入力端子との間に遅延
素子を挿入することにより、前記能動素子がスイッチン
グする以前に電圧ドライバーを動作させることにより前
記電圧ドライバーとレベル調整手段の動作遅延時間の影
響をなくし、前記能動素子がON状態からOFF状態に
スイッチングされてから前記カレントミラー回路24が
レーザーダイオードに電流を供給し始めるまでの時間を
最小とすることが可能となり、レーザーダイオードの高
速駆動を実現した実施例を説明する。
れる電圧ドライバーの入力端子と前記制御入力端子によ
りスイッチングされる能動素子の入力端子との間に遅延
素子を挿入することにより、前記能動素子がスイッチン
グする以前に電圧ドライバーを動作させることにより前
記電圧ドライバーとレベル調整手段の動作遅延時間の影
響をなくし、前記能動素子がON状態からOFF状態に
スイッチングされてから前記カレントミラー回路24が
レーザーダイオードに電流を供給し始めるまでの時間を
最小とすることが可能となり、レーザーダイオードの高
速駆動を実現した実施例を説明する。
【0058】実施例7 図15は本発明の第7の実施例であり、前述の実施例と
対応する部分には同一の参照符号を付し、その説明を省
略する。
対応する部分には同一の参照符号を付し、その説明を省
略する。
【0059】本実施例では遅延素子39をスイッチング
用NPNトランジスタの入力と制御入力端子との間に挿
入している。
用NPNトランジスタの入力と制御入力端子との間に挿
入している。
【0060】次に各動作について説明する。
【0061】制御入力端子32が高電位VH のとき遅延
素子39の出力も高電位であり、スイッチングトランジ
スタ25はON状態で定電流源23の出力電流を引き込
む。同時にインバーター29の出力は低電位であるの
で、レベルシフト回路27から電流は出力されず、した
がってカレントミラー回路24には電流は供給されずレ
ーザーダイオード30にも電流は供給されないので発光
は停止している。制御入力端子32が低電位に変化した
時の動作を図16にしたがって説明する。
素子39の出力も高電位であり、スイッチングトランジ
スタ25はON状態で定電流源23の出力電流を引き込
む。同時にインバーター29の出力は低電位であるの
で、レベルシフト回路27から電流は出力されず、した
がってカレントミラー回路24には電流は供給されずレ
ーザーダイオード30にも電流は供給されないので発光
は停止している。制御入力端子32が低電位に変化した
時の動作を図16にしたがって説明する。
【0062】制御入力端子32が高電位から低電位に変
わるとレベルシフト回路27の入力波形はインバーター
29の遅延時間だけ遅れて高電位に変化する。またスイ
ッチングトランジスタ25のベースは遅延素子39の遅
延時間分遅れて低電位に変化し、そのコレクタ電流はそ
れにともない減少していく。その時レベルシフト回路2
7の出力は既に高電位状態となっているので、スイッチ
ングトランジスタ25がON状態からOFF状態へ推移
するにともないレベルシフト回路27の出力からカレン
トミラー回路24の入力に急速に電流が供給され、カレ
ントミラー回路24のベース電位も急速に上昇する。な
お、カレントミラー回路24のベース電位がレーザーダ
イオード30に所望の電流が供給できる値の直前まで上
昇すると、レベルシフト回路27は順バイアス状態では
なくなり、その出力からは電流は供給されず、カレント
ミラー回路24の入力に供給される電流は定電流源23
の出力電流のみとなりレーザーダイオード30はある設
定された値の定電流駆動となる。
わるとレベルシフト回路27の入力波形はインバーター
29の遅延時間だけ遅れて高電位に変化する。またスイ
ッチングトランジスタ25のベースは遅延素子39の遅
延時間分遅れて低電位に変化し、そのコレクタ電流はそ
れにともない減少していく。その時レベルシフト回路2
7の出力は既に高電位状態となっているので、スイッチ
ングトランジスタ25がON状態からOFF状態へ推移
するにともないレベルシフト回路27の出力からカレン
トミラー回路24の入力に急速に電流が供給され、カレ
ントミラー回路24のベース電位も急速に上昇する。な
お、カレントミラー回路24のベース電位がレーザーダ
イオード30に所望の電流が供給できる値の直前まで上
昇すると、レベルシフト回路27は順バイアス状態では
なくなり、その出力からは電流は供給されず、カレント
ミラー回路24の入力に供給される電流は定電流源23
の出力電流のみとなりレーザーダイオード30はある設
定された値の定電流駆動となる。
【0063】このように遅延素子39を用いることによ
り、スイッチングトランジスタ25がON状態からOF
F状態に変化してからレーザーダイオード30に設定さ
れた電流が供給されるまでの時間を非常に短くすること
が可能となり、レーザーダイオードの高速駆動も可能と
なる。
り、スイッチングトランジスタ25がON状態からOF
F状態に変化してからレーザーダイオード30に設定さ
れた電流が供給されるまでの時間を非常に短くすること
が可能となり、レーザーダイオードの高速駆動も可能と
なる。
【0064】以上説明した本発明の実施例によれば、半
導体発光素子のアノード端にバイアス電流を流しておく
構成としてあるので、半導体発光素子の接合容量を予め
チャージしておき、半導体発光素子のオフ時間の長さに
拘らず接合容量チャージ電流をなくすことができる。そ
の結果、半導体発光素子のオフ時間に依存した電流波形
立ち上がり部のスパイクノイズや立ち上りスピードの劣
化を抑えることができる。
導体発光素子のアノード端にバイアス電流を流しておく
構成としてあるので、半導体発光素子の接合容量を予め
チャージしておき、半導体発光素子のオフ時間の長さに
拘らず接合容量チャージ電流をなくすことができる。そ
の結果、半導体発光素子のオフ時間に依存した電流波形
立ち上がり部のスパイクノイズや立ち上りスピードの劣
化を抑えることができる。
【0065】また、半導体発光素子およびそれを駆動す
るカレントミラー回路等に付随する寄生容量を、電圧ド
ライバーおよびレベル調整手段を用いてカレントミラー
回路のON状態直前まで急速に充電することができるの
で、半導体発光素子に流れる電流の設定に影響を与える
ことなく、半導体発光素子の発光/停止を高速に行うこ
とが可能となる。
るカレントミラー回路等に付随する寄生容量を、電圧ド
ライバーおよびレベル調整手段を用いてカレントミラー
回路のON状態直前まで急速に充電することができるの
で、半導体発光素子に流れる電流の設定に影響を与える
ことなく、半導体発光素子の発光/停止を高速に行うこ
とが可能となる。
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、半
導体発光素子の高速スイッチングが可能になる。
導体発光素子の高速スイッチングが可能になる。
【図1】本発明の第1の実施例を示す回路図である。
【図2】レーザーダイオードの光出力とレーザーダイオ
ード電流(駆動電流)の関係を示す特性図である。
ード電流(駆動電流)の関係を示す特性図である。
【図3】図1に示したレーザーダイオード7に流入する
電流を示す波形図である。
電流を示す波形図である。
【図4】本発明の第2の実施例を示す回路図である。
【図5】本発明の第3の実施例を示す回路図である。
【図6】図5に示したレベルシフト回路27の他の実施
例として、NPNトランジスタを用いた多段エミッタフ
ォロア回路を示す図である。
例として、NPNトランジスタを用いた多段エミッタフ
ォロア回路を示す図である。
【図7】図5に示したレベルシフト回路27の他の実施
例として、NMOSトランジスタを用いた多段ソースフ
ォロア回路を示す図である。
例として、NMOSトランジスタを用いた多段ソースフ
ォロア回路を示す図である。
【図8】図5に示した実施例の変形を示す回路図であ
る。
る。
【図9】従来から知られているカソードコモンタイプの
レーザーダイオード駆動回路を示す図である。
レーザーダイオード駆動回路を示す図である。
【図10】その他の従来例を示す回路図である。
【図11】レーザーダイオードの等価モデル図である。
【図12】図9および図10に示したレーザーダイオー
ドに流入する電流を示す波形図である。
ドに流入する電流を示す波形図である。
【図13】図9および図10に示したレーザーダイオー
ドに流入する電流を示す波形図である。
ドに流入する電流を示す波形図である。
【図14】本発明の第6の実施例を示す回路図である。
【図15】本発明の第7の実施例を示す回路図である。
【図16】第7の実施例における各ノードの電圧、電流
波形を表した波形図である。
波形を表した波形図である。
1 基準電流源 2 PMOSトランジスタ 3 PMOSトランジスタ 4 NPNトランジスタ 5 NPNトランジスタ 6 NMOSトランジスタ 7 レーザーダイオード 8 電源VCC 9 グランドGND 10 バイアス設定用抵抗 21 電源ライン(または高電位点) 22 グランド(または低電位点) 23 定電流回路 24 カレントミラー回路 25 NPNトランジスタ 26 電流源 27 レベルシフト回路 28,29 インバーター 30 レーザーダイオード 31 抵抗 32 制御信号入力端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−296382(JP,A) 特開 平1−130583(JP,A) 特開 昭63−285990(JP,A) 特開 平5−48149(JP,A) 特開 平5−218543(JP,A) 特開 平3−257982(JP,A) 特開 平5−90642(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01S 5/00 - 5/50 H01L 33/00 JICSTファイル(JOIS)
Claims (9)
- 【請求項1】 発光素子へ供給するための駆動電流を発
生する発生手段と、 前記発生手段により発生される駆動電流を制御信号に応
じてスイッチングするスイッチング手段と、 前記スイッチング手段の状態に拘わらずにバイアス電流
を前記発光素子へ注入するためのカレントミラー回路と
を備えたことを特徴とする半導体発光素子の駆動回路。 - 【請求項2】 前記発光素子はレーザダイオードである
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子の駆
動回路。 - 【請求項3】 発光素子へ供給するための駆動電流を発
生する発生手段と、 前記発生手段により発生される駆動電流を制御信号に応
じてスイッチングするスイッチング手段と、 前記制御信号に応じて前記スイッチング手段へ電流を供
給する供給手段とを備えたことを特徴とする半導体発光
素子の駆動回路。 - 【請求項4】 前記供給手段はレベルシフト回路である
ことを特徴とする請求項3に記載の半導体発光素子の駆
動回路。 - 【請求項5】 前記発光素子はレーザダイオードである
ことを特徴とする請求項3に記載の半導体発光素子の駆
動回路。 - 【請求項6】 発光素子の駆動電流を発生する発生手段
と、 前記発生手段より発生される駆動電流を前記発光素子へ
供給するカレントミラー回路と、 前記カレントミラー回路の入力側に接続され、制御信号
に応じてスイッチングされる能動素子と、 前記制御信号に応じて前記カレントミラー回路の前記入
力側に電流を供給する供給手段とを備えたことを特徴と
する半導体発光素子の駆動回路。 - 【請求項7】 オンを表す制御信号によって前記能動素
子がスイッチングされる前に、前記供給手段が前記カレ
ントミラー回路の前記入力側に電流を供給することを特
徴とする請求項6に記載の半導体発光素子の駆動回路。 - 【請求項8】 前記供給手段はレベルシフト回路である
ことを特徴とする請求項6に記載の半導体発光素子の駆
動回路。 - 【請求項9】 前記発光素子はレーザダイオードである
ことを特徴とする請求項6に記載の半導体発光素子の駆
動回路。
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