JP2001251011A - レーザダイオード駆動回路 - Google Patents
レーザダイオード駆動回路Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザダイオード駆動回路の低電圧駆動、及
び、低消費電力化。 【解決手段】 レーザダイオードＬＤの光出力を制御す
るための駆動電流Ｉｐを、レベルシフト回路３の出力Ｖ
sftで制御する。レベルシフト回路３を、駆動電源［Ｖ
＋］とスイッチバッファ５の間に挿入することで、回路
の駆動電圧の下限値［Ｖ＋］−［Ｖ−］を下げる。
び、低消費電力化。 【解決手段】 レーザダイオードＬＤの光出力を制御す
るための駆動電流Ｉｐを、レベルシフト回路３の出力Ｖ
sftで制御する。レベルシフト回路３を、駆動電源［Ｖ
＋］とスイッチバッファ５の間に挿入することで、回路
の駆動電圧の下限値［Ｖ＋］−［Ｖ−］を下げる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信システム、
特にレーザダイオードを用いて電気信号を光信号に変換
する光送信システムに用いられるレーザダイオード駆動
回路に関するものである。
特にレーザダイオードを用いて電気信号を光信号に変換
する光送信システムに用いられるレーザダイオード駆動
回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来技術によるレーザダイオード駆動回
路５０１を、図５に示す。レーザダイオード駆動回路５
０１は、駆動電源［Ｖ＋］,［Ｖ−］、スイッチバッフ
ァ５０３、スイッチ回路５０７、レーザダイオードＬ
Ｄ、抵抗Ｒ５，Ｒ５０５等からなる。スイッチ制御用入
力信号Ｖin１（正相），Ｖin２（逆相）で、スイッチ回
路５０７のトランジスタＱ５，Ｑ６の導通を切り替え、
駆動電流ＩｐをレーザダイオードＬＤ側か、抵抗Ｒ５側
のいずれかに導通させる。レーザダイオードＬＤは、発
光／消光し、入力信号に従った光信号を発生する。ま
た、レーザダイオードＬＤの光出力パワーを決定する駆
動電流Ｉｐの大きさは、スイッチ回路５０７にカスコー
ド接続されたトランジスタＱ５０３のベース電位Ｖｂに
より制御される。
路５０１を、図５に示す。レーザダイオード駆動回路５
０１は、駆動電源［Ｖ＋］,［Ｖ−］、スイッチバッフ
ァ５０３、スイッチ回路５０７、レーザダイオードＬ
Ｄ、抵抗Ｒ５，Ｒ５０５等からなる。スイッチ制御用入
力信号Ｖin１（正相），Ｖin２（逆相）で、スイッチ回
路５０７のトランジスタＱ５，Ｑ６の導通を切り替え、
駆動電流ＩｐをレーザダイオードＬＤ側か、抵抗Ｒ５側
のいずれかに導通させる。レーザダイオードＬＤは、発
光／消光し、入力信号に従った光信号を発生する。ま
た、レーザダイオードＬＤの光出力パワーを決定する駆
動電流Ｉｐの大きさは、スイッチ回路５０７にカスコー
ド接続されたトランジスタＱ５０３のベース電位Ｖｂに
より制御される。
【０００３】このレーザダイオード駆動回路５０１の電
源電圧［Ｖ＋］−［Ｖ−］の下限値は、次の式で表され
る。 ［Ｖ＋］−［Ｖ−］≧ Ｖｆ＋Ｖｓｗ／２＋Ｖｃｅ５＋Ｖｃｅ５０３＋Ｉｐ・ Ｒ５０５ ---------（式１） Ｖｆは、レーザダイオードＬＤの順方向電圧であり、Ｖ
ｓｗはスイッチバッファ５０３の出力振幅であり、Ｖｃ
ｅ５、Ｖｃｅ５０３はそれぞれトランジスタＱ５，Ｑ５
０３のコレクタ−エミッタ間電圧の最小値である。それ
ぞれの値は、おおよそＶｆが１．５Ｖであり、Ｖｓｗが
０．３Ｖであり、Ｖｃｅ５，Ｖｃｅ５０３が０．４５Ｖ
であり、またＩｐ・Ｒ５０５は０．３５Ｖ程度である。
従って従来回路の電源電圧の下限値は、（式１）より、
［Ｖ＋］−［Ｖ−］≧２．９Ｖとなり、電源電圧には現
在通信システムで一般化している３．３Ｖ単一電源を用
いている。
源電圧［Ｖ＋］−［Ｖ−］の下限値は、次の式で表され
る。 ［Ｖ＋］−［Ｖ−］≧ Ｖｆ＋Ｖｓｗ／２＋Ｖｃｅ５＋Ｖｃｅ５０３＋Ｉｐ・ Ｒ５０５ ---------（式１） Ｖｆは、レーザダイオードＬＤの順方向電圧であり、Ｖ
ｓｗはスイッチバッファ５０３の出力振幅であり、Ｖｃ
ｅ５、Ｖｃｅ５０３はそれぞれトランジスタＱ５，Ｑ５
０３のコレクタ−エミッタ間電圧の最小値である。それ
ぞれの値は、おおよそＶｆが１．５Ｖであり、Ｖｓｗが
０．３Ｖであり、Ｖｃｅ５，Ｖｃｅ５０３が０．４５Ｖ
であり、またＩｐ・Ｒ５０５は０．３５Ｖ程度である。
従って従来回路の電源電圧の下限値は、（式１）より、
［Ｖ＋］−［Ｖ−］≧２．９Ｖとなり、電源電圧には現
在通信システムで一般化している３．３Ｖ単一電源を用
いている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
回路構成では、電流制御トランジスタＱ５０３が、スイ
ッチ回路５０７にカスコード接続されており、電源電圧
下限値を小さくできないので、将来主流となる２．５Ｖ
単一電源に対応できない。
回路構成では、電流制御トランジスタＱ５０３が、スイ
ッチ回路５０７にカスコード接続されており、電源電圧
下限値を小さくできないので、将来主流となる２．５Ｖ
単一電源に対応できない。
【０００５】本発明は、このような問題に鑑みてなされ
たもので、その目的とするところは、レーザダイオード
駆動回路の低電圧駆動、及び、低消費電力化である。
たもので、その目的とするところは、レーザダイオード
駆動回路の低電圧駆動、及び、低消費電力化である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ために本発明は、駆動電源に接続され、駆動電源電圧を
所定量だけ減少させるレベルシフト回路と、前記駆動電
源に接続されたレーザダイオードのオンオフを行う電流
スイッチと、前記レベルシフト回路に接続され、前記電
流スイッチの制御を行うスイッチバッファと、を具備す
ることを特徴とするレーザダイオード駆動回路である。
ために本発明は、駆動電源に接続され、駆動電源電圧を
所定量だけ減少させるレベルシフト回路と、前記駆動電
源に接続されたレーザダイオードのオンオフを行う電流
スイッチと、前記レベルシフト回路に接続され、前記電
流スイッチの制御を行うスイッチバッファと、を具備す
ることを特徴とするレーザダイオード駆動回路である。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の第
１の実施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明の第
１の実施の形態に係るレーザダイオード駆動回路１であ
る。まず、レーザダイオード駆動回路１の構成を説明す
る。レーザダイオード駆動回路１は、駆動電源［Ｖ
＋］，［Ｖ−］と、駆動電源［Ｖ＋］に直列に挿入され
るレベルシフト回路３と、さらにレベルシフト回路３に
直列に挿入されるスイッチバッファ５を備える。
１の実施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明の第
１の実施の形態に係るレーザダイオード駆動回路１であ
る。まず、レーザダイオード駆動回路１の構成を説明す
る。レーザダイオード駆動回路１は、駆動電源［Ｖ
＋］，［Ｖ−］と、駆動電源［Ｖ＋］に直列に挿入され
るレベルシフト回路３と、さらにレベルシフト回路３に
直列に挿入されるスイッチバッファ５を備える。
【０００８】さらに、レーザダイオード駆動回路１は、
スイッチバッファ５の出力で制御する電流スイッチ７
と、この電流スイッチ７で切り替えられるレーザダイオ
ードＬＤと抵抗Ｒ５とで構成される。
スイッチバッファ５の出力で制御する電流スイッチ７
と、この電流スイッチ７で切り替えられるレーザダイオ
ードＬＤと抵抗Ｒ５とで構成される。
【０００９】レベルシフト回路３は、入力端子２３に入
力するＶsetを制御することで、レベルシフト回路３の
出力Vsftを変化させ、後述するレーザダイオードＬＤを
駆動する電流Ｉpを調整する。
力するＶsetを制御することで、レベルシフト回路３の
出力Vsftを変化させ、後述するレーザダイオードＬＤを
駆動する電流Ｉpを調整する。
【００１０】次に、スイッチバッファ５の構成を説明す
る。駆動電源［Ｖ＋］からレベルシフト回路３の出力電
圧Vsftだけ減圧した電圧［Ｖ＋］−Vsftを端子１３に供
給し、該端子１３の１端に抵抗Ｒ１，Ｒ２を並列に接続
し、該抵抗Ｒ１，Ｒ２の他端にトランジスタＱ１，Ｑ２
のコレクタをそれぞれ接続する。トランジスタＱ１，Ｑ
２のエミッタは共通接続されて、さらに定電流源１１を
通じて駆動電源［Ｖ−］に接続される。
る。駆動電源［Ｖ＋］からレベルシフト回路３の出力電
圧Vsftだけ減圧した電圧［Ｖ＋］−Vsftを端子１３に供
給し、該端子１３の１端に抵抗Ｒ１，Ｒ２を並列に接続
し、該抵抗Ｒ１，Ｒ２の他端にトランジスタＱ１，Ｑ２
のコレクタをそれぞれ接続する。トランジスタＱ１，Ｑ
２のエミッタは共通接続されて、さらに定電流源１１を
通じて駆動電源［Ｖ−］に接続される。
【００１１】トランジスタＱ１のベースにはスイッチ制
御用入力端子１５からＶin１（正相）が入力され、コレ
クタは、トランジスタＱ４のベースに接続される。ま
た、トランジスタＱ２のベースにはスイッチ制御用入力
端子１７からＶin２（逆相）が入力され、コレクタは、
トランジスタＱ３のベースに接続される。
御用入力端子１５からＶin１（正相）が入力され、コレ
クタは、トランジスタＱ４のベースに接続される。ま
た、トランジスタＱ２のベースにはスイッチ制御用入力
端子１７からＶin２（逆相）が入力され、コレクタは、
トランジスタＱ３のベースに接続される。
【００１２】トランジスタＱ３，Ｑ４は、それぞれのコ
レクタが駆動電源［Ｖ＋］に接続され、エミッタはそれ
ぞれ抵抗Ｒ３，Ｒ４を介して駆動電源［Ｖ−］に接続さ
れ、エミッタフォロアを形成している。さらにトランジ
スタＱ３，Ｑ４のエミッタは、出力端子１９，２１にそ
れぞれ接続され、後段の電流スイッチ７に供給される。
レクタが駆動電源［Ｖ＋］に接続され、エミッタはそれ
ぞれ抵抗Ｒ３，Ｒ４を介して駆動電源［Ｖ−］に接続さ
れ、エミッタフォロアを形成している。さらにトランジ
スタＱ３，Ｑ４のエミッタは、出力端子１９，２１にそ
れぞれ接続され、後段の電流スイッチ７に供給される。
【００１３】電流スイッチ７は、トランジスタＱ５，Ｑ
６とで構成される。トランジスタＱ５のコレクタは、レ
ーザダイオードＬＤのカソードに接続し、該レーザダイ
オードＬＤのアノードは、駆動電源［Ｖ＋］に接続され
る。トランジスタＱ６のコレクタは抵抗Ｒ５を介して駆
動電源［Ｖ＋］に接続される。トランジスタＱ５，Ｑ６
のエミッタは共通接続されて、抵抗Ｒ６を介して駆動電
源［Ｖ−］に接続される。またトランジスタＱ５，Ｑ６
のベースにはそれぞれスイッチバッファ回路５の出力端
子１９，２１が接続される。
６とで構成される。トランジスタＱ５のコレクタは、レ
ーザダイオードＬＤのカソードに接続し、該レーザダイ
オードＬＤのアノードは、駆動電源［Ｖ＋］に接続され
る。トランジスタＱ６のコレクタは抵抗Ｒ５を介して駆
動電源［Ｖ＋］に接続される。トランジスタＱ５，Ｑ６
のエミッタは共通接続されて、抵抗Ｒ６を介して駆動電
源［Ｖ−］に接続される。またトランジスタＱ５，Ｑ６
のベースにはそれぞれスイッチバッファ回路５の出力端
子１９，２１が接続される。
【００１４】次にレーザダイオード駆動回路１の動作に
ついて説明する。レベルシフト回路３の入力端子２３に
は、レーザダイオードＬＤの駆動電流Ｉp制御用の入力
電圧Ｖsetが印加され、出力電圧としてＶsftを得る。従
って、スイッチバッファ５の電源端子１３には、電圧
［Ｖ＋］−Vsftが印加される。
ついて説明する。レベルシフト回路３の入力端子２３に
は、レーザダイオードＬＤの駆動電流Ｉp制御用の入力
電圧Ｖsetが印加され、出力電圧としてＶsftを得る。従
って、スイッチバッファ５の電源端子１３には、電圧
［Ｖ＋］−Vsftが印加される。
【００１５】スイッチバッファ５のスイッチ制御用入力
端子１５の入力Ｖin１（正相）に高レベルを印加し、ス
イッチ制御用入力端子１７の入力Ｖin２（逆相）に低レ
ベルを印加した場合、トランジスタＱ１はＯＮとなり、
トランジスタＱ２はＯＦＦとなる。トランジスタＱ１側
にＩｅが流れるため、抵抗Ｒ１に電圧降下が生じ、トラ
ンジスタＱ３のベース電位が、トランジスタＱ４のベー
ス電位より高くなる。
端子１５の入力Ｖin１（正相）に高レベルを印加し、ス
イッチ制御用入力端子１７の入力Ｖin２（逆相）に低レ
ベルを印加した場合、トランジスタＱ１はＯＮとなり、
トランジスタＱ２はＯＦＦとなる。トランジスタＱ１側
にＩｅが流れるため、抵抗Ｒ１に電圧降下が生じ、トラ
ンジスタＱ３のベース電位が、トランジスタＱ４のベー
ス電位より高くなる。
【００１６】トランジスタＱ３，Ｑ４はエミッタフォロ
アとして使用されているので、どちらも常時ＯＮであ
り、エミッタ−ベース間電圧は互いにほぼ同じである。
従って、トランジスタＱ３のエミッタ電位の方がトラン
ジスタＱ４のエミッタ電位より高くなる。そして、トラ
ンジスタＱ３のエミッタ出力をベースに入力するトラン
ジスタＱ５がＯＮとなり、レーザダイオードＬＤが導通
し、発光する。このときトランジスタＱ６はＯＦＦであ
る。
アとして使用されているので、どちらも常時ＯＮであ
り、エミッタ−ベース間電圧は互いにほぼ同じである。
従って、トランジスタＱ３のエミッタ電位の方がトラン
ジスタＱ４のエミッタ電位より高くなる。そして、トラ
ンジスタＱ３のエミッタ出力をベースに入力するトラン
ジスタＱ５がＯＮとなり、レーザダイオードＬＤが導通
し、発光する。このときトランジスタＱ６はＯＦＦであ
る。
【００１７】逆に、スイッチバッファ５のスイッチ制御
用入力端子１５の入力Ｖin１に低レベルを印加し、スイ
ッチ制御用入力端子１７の入力Ｖin２に高レベルを印加
した場合、トランジスタＱ１，Ｑ２およびＱ５，Ｑ６は
前述と逆のＯＮ・ＯＦＦ状態となり、即ちトランジスタ
Ｑ５がＯＦＦでトランジスタＱ６がＯＮとなって、抵抗
Ｒ５側に駆動電流Ｉpが流れ、レーザダイオードＬＤ
は、消光する。
用入力端子１５の入力Ｖin１に低レベルを印加し、スイ
ッチ制御用入力端子１７の入力Ｖin２に高レベルを印加
した場合、トランジスタＱ１，Ｑ２およびＱ５，Ｑ６は
前述と逆のＯＮ・ＯＦＦ状態となり、即ちトランジスタ
Ｑ５がＯＦＦでトランジスタＱ６がＯＮとなって、抵抗
Ｒ５側に駆動電流Ｉpが流れ、レーザダイオードＬＤ
は、消光する。
【００１８】ここで、レーザダイオードＬＤの出力パワ
ーを決定する駆動電流Ｉpは、次式で表される。 Ｉp＝｛［Ｖ＋］−［Ｖ−］−Ｖbe３−Ｖbe５−Ｖsft｝／Ｒ６----（式２） ここで、［Ｖ＋］−［Ｖ−］は電源電圧であり、Ｖbe
３，Ｖbe５は、それぞれトランジスタＱ３，Ｑ５のベー
ス−エミッタ間電圧であり、固定値である。Ｖsftはレ
ベルシフト回路３の出力電圧であり、レベルシフト回路
３の入力端子２３に入力する設定電圧Ｖsetを調整する
ことで、可変することができる。従って、Ｖsftを可変
することで、レーザダイオード駆動電流Ｉpの可変制御
をして、レーザダイオードＬＤの光出力パワーを制御す
る。
ーを決定する駆動電流Ｉpは、次式で表される。 Ｉp＝｛［Ｖ＋］−［Ｖ−］−Ｖbe３−Ｖbe５−Ｖsft｝／Ｒ６----（式２） ここで、［Ｖ＋］−［Ｖ−］は電源電圧であり、Ｖbe
３，Ｖbe５は、それぞれトランジスタＱ３，Ｑ５のベー
ス−エミッタ間電圧であり、固定値である。Ｖsftはレ
ベルシフト回路３の出力電圧であり、レベルシフト回路
３の入力端子２３に入力する設定電圧Ｖsetを調整する
ことで、可変することができる。従って、Ｖsftを可変
することで、レーザダイオード駆動電流Ｉpの可変制御
をして、レーザダイオードＬＤの光出力パワーを制御す
る。
【００１９】次に、電源電圧［Ｖ＋］−［Ｖ−］の下限
値は、次式で表される。 ［Ｖ＋］−［Ｖ−］≧ Ｖｆ＋Ｖｃｅ５＋Ｉｐ・Ｒ６ ---------（式３） Ｖｆは、レーザダイオードＬＤの順方向電圧であり、Ｖ
ｃｅ５はトランジスタＱ５のコレクタ−エミッタ間電圧
の最小値である。それぞれの値は、おおよそＶｆが１．
５Ｖであり、Ｖｃｅ５が０．４５Ｖであり、またＩｐ・
Ｒ６は０．３５Ｖである。従って電源電圧の下限値は、
（式３）より、［Ｖ＋］−［Ｖ−］≧２．３Ｖとなる。
値は、次式で表される。 ［Ｖ＋］−［Ｖ−］≧ Ｖｆ＋Ｖｃｅ５＋Ｉｐ・Ｒ６ ---------（式３） Ｖｆは、レーザダイオードＬＤの順方向電圧であり、Ｖ
ｃｅ５はトランジスタＱ５のコレクタ−エミッタ間電圧
の最小値である。それぞれの値は、おおよそＶｆが１．
５Ｖであり、Ｖｃｅ５が０．４５Ｖであり、またＩｐ・
Ｒ６は０．３５Ｖである。従って電源電圧の下限値は、
（式３）より、［Ｖ＋］−［Ｖ−］≧２．３Ｖとなる。
【００２０】即ち、レーザダイオード駆動回路１は、
２．５Ｖ単一電源での動作が可能となるために、低消費
電力化を実現できる。また、将来他の通信用ＬＳＩと、
電源が共通化できるので、システムの電源系の簡易化、
低コスト化の効果がある。
２．５Ｖ単一電源での動作が可能となるために、低消費
電力化を実現できる。また、将来他の通信用ＬＳＩと、
電源が共通化できるので、システムの電源系の簡易化、
低コスト化の効果がある。
【００２１】次に、本発明の第２の実施の形態を図２に
より説明する。図２は、第２の実施の形態のレーザダイ
オード駆動回路１ａを示す。レーザダイオード駆動回路
１ａの、スイッチバッファ５、電流スイッチ７、駆動電
源［Ｖ＋］，［Ｖ−］，レーザダイオードＬＤ、抵抗Ｒ
５，Ｒ６は、前述の第１の実施の形態で説明したものと
同じ構成であり、同じ動作をするので説明を省略する。
尚、記号も同じものを付与するものとする。
より説明する。図２は、第２の実施の形態のレーザダイ
オード駆動回路１ａを示す。レーザダイオード駆動回路
１ａの、スイッチバッファ５、電流スイッチ７、駆動電
源［Ｖ＋］，［Ｖ−］，レーザダイオードＬＤ、抵抗Ｒ
５，Ｒ６は、前述の第１の実施の形態で説明したものと
同じ構成であり、同じ動作をするので説明を省略する。
尚、記号も同じものを付与するものとする。
【００２２】レーザダイオード駆動回路１ａに用いるレ
ベルシフト回路３ａは、駆動電源［Ｖ＋］と、スイッチ
バッファ５の端子１３との間に挿入し、トランジスタＱ
２０３と、抵抗Ｒ２０５，Ｒ２０７とからなる。トラン
ジスタＱ２０３のベースには端子２３ａを介してＶset
を入力する。トランジスタＱ２０３のエミッタ−接地間
には抵抗Ｒ２０７を挿入し、この抵抗Ｒ２０７を流れる
電流をＩsftとする（ＩsftはトランジスタＱ２０３のコ
レクタ電流でもある）。また、トランジスタＱ２０３の
コレクタは、スイッチバッファ５の端子１３に接続する
と同時に、抵抗Ｒ２０５を介して駆動電源［Ｖ＋］に接
続する。
ベルシフト回路３ａは、駆動電源［Ｖ＋］と、スイッチ
バッファ５の端子１３との間に挿入し、トランジスタＱ
２０３と、抵抗Ｒ２０５，Ｒ２０７とからなる。トラン
ジスタＱ２０３のベースには端子２３ａを介してＶset
を入力する。トランジスタＱ２０３のエミッタ−接地間
には抵抗Ｒ２０７を挿入し、この抵抗Ｒ２０７を流れる
電流をＩsftとする（ＩsftはトランジスタＱ２０３のコ
レクタ電流でもある）。また、トランジスタＱ２０３の
コレクタは、スイッチバッファ５の端子１３に接続する
と同時に、抵抗Ｒ２０５を介して駆動電源［Ｖ＋］に接
続する。
【００２３】レーザダイオード駆動回路１ａの動作は、
第１の実施の形態で説明したものと同じであり、スイッ
チ制御用入力端子１５の入力Ｖin１（正相）に高レベル
を印加し、スイッチ制御用入力端子１７の入力Ｖin２
（逆相）に低レベルを印加した場合、レーザダイオード
ＬＤは導通して発光し、逆に入力Ｖin１に低レベルを印
加し、入力Ｖin２に高レベルを印加した場合、レーザダ
イオードＬＤは消光する。
第１の実施の形態で説明したものと同じであり、スイッ
チ制御用入力端子１５の入力Ｖin１（正相）に高レベル
を印加し、スイッチ制御用入力端子１７の入力Ｖin２
（逆相）に低レベルを印加した場合、レーザダイオード
ＬＤは導通して発光し、逆に入力Ｖin１に低レベルを印
加し、入力Ｖin２に高レベルを印加した場合、レーザダ
イオードＬＤは消光する。
【００２４】この際、レーザダイオードＬＤの駆動電流
Ｉｐは、第１の実施の形態と同じく（式２）で表され
る。レベルシフト回路３ａの出力Ｖsftを可変して、レ
ーザダイオードＬＤの駆動電流Ｉｐを制御するのである
が、第２の実施の形態では、Ｖsftは、抵抗Ｒ２０５に
かかる電圧として、次式のように表される。 Ｖsft＝（Ｉsft＋Ｉe）・Ｒ２０５---------（式４） ここで、Ｉsftは、トランジスタＱ２０３のコレクタ電
流であり、Ｉeは定電流源１１を流れる電流である。
Ｉｐは、第１の実施の形態と同じく（式２）で表され
る。レベルシフト回路３ａの出力Ｖsftを可変して、レ
ーザダイオードＬＤの駆動電流Ｉｐを制御するのである
が、第２の実施の形態では、Ｖsftは、抵抗Ｒ２０５に
かかる電圧として、次式のように表される。 Ｖsft＝（Ｉsft＋Ｉe）・Ｒ２０５---------（式４） ここで、Ｉsftは、トランジスタＱ２０３のコレクタ電
流であり、Ｉeは定電流源１１を流れる電流である。
【００２５】即ち、トランジスタＱ２０３のベース電位
Ｖsetを可変することで、ダイオードＬＤの駆動電流Ｉ
ｐを制御する。
Ｖsetを可変することで、ダイオードＬＤの駆動電流Ｉ
ｐを制御する。
【００２６】尚、電源電圧［Ｖ＋］−［Ｖ−］の下限値
も、第１の実施の形態と同じく（式３）で表され、低消
費電力化の効果がある。
も、第１の実施の形態と同じく（式３）で表され、低消
費電力化の効果がある。
【００２７】このように、第２の実施の形態において
も、第１の実施の形態と同様、低消費電力化、システム
の電源系の簡易化、低コスト化の効果がある。さらに、
レベルシフト回路３ａは、抵抗素子２つとトランジスタ
１つという、簡単な構成であり、しかも集積化に適した
レーザダイオード駆動回路を実現できる。
も、第１の実施の形態と同様、低消費電力化、システム
の電源系の簡易化、低コスト化の効果がある。さらに、
レベルシフト回路３ａは、抵抗素子２つとトランジスタ
１つという、簡単な構成であり、しかも集積化に適した
レーザダイオード駆動回路を実現できる。
【００２８】図３は、本発明の第３の実施の形態のレー
ザダイオード駆動回路１ｂを示す。レーザダイオード駆
動回路１ｂの、スイッチバッファ５、電流スイッチ７、
駆動電源［Ｖ＋］，［Ｖ−］，レーザダイオードＬＤ、
抵抗Ｒ５，Ｒ６は、前述の第１の実施の形態で説明した
ものと同じ構成であり、同じ動作をするので説明を省略
する。尚、記号も同じものを付与するものとする。
ザダイオード駆動回路１ｂを示す。レーザダイオード駆
動回路１ｂの、スイッチバッファ５、電流スイッチ７、
駆動電源［Ｖ＋］，［Ｖ−］，レーザダイオードＬＤ、
抵抗Ｒ５，Ｒ６は、前述の第１の実施の形態で説明した
ものと同じ構成であり、同じ動作をするので説明を省略
する。尚、記号も同じものを付与するものとする。
【００２９】レーザダイオード駆動回路１ｂに用いるレ
ベルシフト回路３ｂは、駆動電源［Ｖ＋］と、スイッチ
バッファ５の端子１３との間に挿入する。レベルシフト
回路３ｂは、トランジスタＱ３０９と、抵抗Ｒ３２１
と、定電圧源３２３と、ＦＥＴスイッチ群（Ｓ１，Ｓ２
…）と、抵抗群（Ｒ３１１，Ｒ３１３…）と、ロジック
インターフェース３０３と、メモリ３０５と、デコーダ
３０７とからなる。
ベルシフト回路３ｂは、駆動電源［Ｖ＋］と、スイッチ
バッファ５の端子１３との間に挿入する。レベルシフト
回路３ｂは、トランジスタＱ３０９と、抵抗Ｒ３２１
と、定電圧源３２３と、ＦＥＴスイッチ群（Ｓ１，Ｓ２
…）と、抵抗群（Ｒ３１１，Ｒ３１３…）と、ロジック
インターフェース３０３と、メモリ３０５と、デコーダ
３０７とからなる。
【００３０】トランジスタＱ３０９のベースには定電圧
源３２３を接続する。また、トランジスタＱ３０９のコ
レクタは、スイッチバッファ５の端子１３に接続すると
同時に、抵抗Ｒ３２１を介して駆動電源［Ｖ＋］に接続
する。抵抗群（Ｒ３１１，Ｒ３１３…）は、直列接続さ
れ、その一端はトランジスタＱ３０９のエミッタに接続
する。他端は、ＦＥＴスイッチ群のうちの１つのＦＥＴ
のドレインに接続される。
源３２３を接続する。また、トランジスタＱ３０９のコ
レクタは、スイッチバッファ５の端子１３に接続すると
同時に、抵抗Ｒ３２１を介して駆動電源［Ｖ＋］に接続
する。抵抗群（Ｒ３１１，Ｒ３１３…）は、直列接続さ
れ、その一端はトランジスタＱ３０９のエミッタに接続
する。他端は、ＦＥＴスイッチ群のうちの１つのＦＥＴ
のドレインに接続される。
【００３１】ＦＥＴスイッチ群（Ｓ１，Ｓ２…）のう
ち、導通させるＦＥＴを選択することにより、抵抗群
（Ｒ３１１，Ｒ３１３…）の合成抵抗Ｒpotを可変す
る。この合成抵抗Ｒpotを流れる電流（即ちトランジス
タＱ３０９のコレクタ電流でもある）をＩsftとする。
ち、導通させるＦＥＴを選択することにより、抵抗群
（Ｒ３１１，Ｒ３１３…）の合成抵抗Ｒpotを可変す
る。この合成抵抗Ｒpotを流れる電流（即ちトランジス
タＱ３０９のコレクタ電流でもある）をＩsftとする。
【００３２】ＦＥＴスイッチ群（Ｓ１，Ｓ２…）の、各
ＦＥＴのゲートはデコーダ３０７出力に接続され、各Ｆ
ＥＴのソースは共通接続されて接地し、各ＦＥＴのドレ
インは、抵抗群（Ｒ３１１，Ｒ３１３…）の接続点に各
々接続される。
ＦＥＴのゲートはデコーダ３０７出力に接続され、各Ｆ
ＥＴのソースは共通接続されて接地し、各ＦＥＴのドレ
インは、抵抗群（Ｒ３１１，Ｒ３１３…）の接続点に各
々接続される。
【００３３】ロジックインターフェース３０３は、端子
２３ｂから信号Ｖsetを受け、メモリ３０５と通信し
て、デコーダ３０７へ出力する。
２３ｂから信号Ｖsetを受け、メモリ３０５と通信し
て、デコーダ３０７へ出力する。
【００３４】レーザダイオード駆動回路１ｂの動作は、
第１の実施の形態で説明したものと同じであり、スイッ
チ制御用入力端子１５の入力Ｖin１（正相）に高レベル
を印加し、スイッチ制御用入力端子１７の入力Ｖin２
（逆相）に低レベルを印加した場合、レーザダイオード
ＬＤは導通して発光し、逆に入力Ｖin１に低レベルを印
加し、入力Ｖin２に高レベルを印加した場合、レーザダ
イオードＬＤは消光する。
第１の実施の形態で説明したものと同じであり、スイッ
チ制御用入力端子１５の入力Ｖin１（正相）に高レベル
を印加し、スイッチ制御用入力端子１７の入力Ｖin２
（逆相）に低レベルを印加した場合、レーザダイオード
ＬＤは導通して発光し、逆に入力Ｖin１に低レベルを印
加し、入力Ｖin２に高レベルを印加した場合、レーザダ
イオードＬＤは消光する。
【００３５】この際、レーザダイオードＬＤの駆動電流
Ｉｐは、第１の実施の形態と同じく（式２）で表され
る。即ち、レベルシフト回路３ｂの出力Ｖsftを可変し
て、レーザダイオードＬＤの駆動電流Ｉｐを制御するの
であるが、第３の実施の形態では、Ｖsftは、抵抗Ｒ３
２１にかかる電圧として、次式のように表される。 Ｖsft＝（Ｉsft＋Ｉe）・Ｒ３２１ --------（式５） ここで、Ｉsftは、トランジスタＱ３０９のコレクタ電
流であり、Ｉeは定電流源１１を流れる電流である。
Ｉｐは、第１の実施の形態と同じく（式２）で表され
る。即ち、レベルシフト回路３ｂの出力Ｖsftを可変し
て、レーザダイオードＬＤの駆動電流Ｉｐを制御するの
であるが、第３の実施の形態では、Ｖsftは、抵抗Ｒ３
２１にかかる電圧として、次式のように表される。 Ｖsft＝（Ｉsft＋Ｉe）・Ｒ３２１ --------（式５） ここで、Ｉsftは、トランジスタＱ３０９のコレクタ電
流であり、Ｉeは定電流源１１を流れる電流である。
【００３６】即ち、第３の実施の形態では、合成抵抗Ｒ
potの値を制御するとＩsftが可変してレベルシフト回路
３ｂの出力Ｖsftが可変し、レーザダイオードＬＤの駆
動電流Ｉｐが制御される。
potの値を制御するとＩsftが可変してレベルシフト回路
３ｂの出力Ｖsftが可変し、レーザダイオードＬＤの駆
動電流Ｉｐが制御される。
【００３７】次に、合成抵抗Ｒpotの値を制御する手順
について説明する。レベルシフト回路３ｂの端子２３ｂ
には、ロジックインターフェ−ス３０３への信号Ｖset
を入力する。信号Ｖsetは、上記合成抵抗Ｒpotの値を制
御するためのデジタル信号である。ロジックインターフ
ェース３０３は、抵抗Ｒpotの調整値や設定値を記憶し
ているメモリ３０５と通信して信号Ｖsetを処理し、抵
抗Ｒpotの値を制御する信号をデコーダ３０７に送る。
について説明する。レベルシフト回路３ｂの端子２３ｂ
には、ロジックインターフェ−ス３０３への信号Ｖset
を入力する。信号Ｖsetは、上記合成抵抗Ｒpotの値を制
御するためのデジタル信号である。ロジックインターフ
ェース３０３は、抵抗Ｒpotの調整値や設定値を記憶し
ているメモリ３０５と通信して信号Ｖsetを処理し、抵
抗Ｒpotの値を制御する信号をデコーダ３０７に送る。
【００３８】ＦＥＴスイッチ群（Ｓ１，Ｓ２…）の各Ｆ
ＥＴのゲートに接続されているデコーダ３０７は、受信
した信号を処理して、ＦＥＴを選択して導通させること
で、合成抵抗Ｒpotの値を制御する。例えば、デコーダ
３０７によりＦＥＴスイッチＳ１からＳｎのうちＳ２の
みが導通すれば、Ｒpot＝Ｒ３１１となり、Ｓ３のみが
導通すれば、Ｒpot＝Ｒ３１１＋Ｒ３１３となる。この
ように、信号Ｖsetで合成抵抗Ｒpotの値を可変すること
で、ダイオードＬＤの駆動電流Ｉｐを制御する。
ＥＴのゲートに接続されているデコーダ３０７は、受信
した信号を処理して、ＦＥＴを選択して導通させること
で、合成抵抗Ｒpotの値を制御する。例えば、デコーダ
３０７によりＦＥＴスイッチＳ１からＳｎのうちＳ２の
みが導通すれば、Ｒpot＝Ｒ３１１となり、Ｓ３のみが
導通すれば、Ｒpot＝Ｒ３１１＋Ｒ３１３となる。この
ように、信号Ｖsetで合成抵抗Ｒpotの値を可変すること
で、ダイオードＬＤの駆動電流Ｉｐを制御する。
【００３９】尚、レーザダイオード駆動回路１ｂの電源
電圧［Ｖ＋］−［Ｖ−］の下限値も、第１の実施の形態
と同じく（式３）で表され、低消費電力化の効果があ
る。
電圧［Ｖ＋］−［Ｖ−］の下限値も、第１の実施の形態
と同じく（式３）で表され、低消費電力化の効果があ
る。
【００４０】このように、第３の実施の形態において
も、第１の実施の形態と同様、低消費電力化、システム
の電源系の簡易化、低コスト化の効果がある。さらに、
駆動電流Ｉｐを制御するレベルシフト回路３ｂに、ロジ
ックインターフェース３０３を使用しているので、レー
ザダイオードＬＤの光出力パワーをコンピュータ等によ
り容易に自動調整できる。
も、第１の実施の形態と同様、低消費電力化、システム
の電源系の簡易化、低コスト化の効果がある。さらに、
駆動電流Ｉｐを制御するレベルシフト回路３ｂに、ロジ
ックインターフェース３０３を使用しているので、レー
ザダイオードＬＤの光出力パワーをコンピュータ等によ
り容易に自動調整できる。
【００４１】図４は、本発明の第４の実施の形態のレー
ザダイオード駆動回路１ｃを示す。レーザダイオード駆
動回路１ｃの、スイッチバッファ５、電流スイッチ７、
駆動電源［Ｖ＋］，［Ｖ−］，レーザダイオードＬＤ、
抵抗Ｒ５，Ｒ６は、前述の第１の実施の形態で説明した
ものと同じ構成であり、同じ動作をするので説明を省略
する。尚、記号も同じものを付与するものとする。
ザダイオード駆動回路１ｃを示す。レーザダイオード駆
動回路１ｃの、スイッチバッファ５、電流スイッチ７、
駆動電源［Ｖ＋］，［Ｖ−］，レーザダイオードＬＤ、
抵抗Ｒ５，Ｒ６は、前述の第１の実施の形態で説明した
ものと同じ構成であり、同じ動作をするので説明を省略
する。尚、記号も同じものを付与するものとする。
【００４２】レーザダイオード駆動回路１ｃに用いるレ
ベルシフト回路３ｃは、駆動電源［Ｖ＋］と、スイッチ
バッファ５の端子１３との間に挿入する。レベルシフト
回路３ｃは、ＦＥＴスイッチ群（Ｓ１，Ｓ２…）と、抵
抗群（Ｒ４０３，Ｒ４０５…）と、ロジックインターフ
ェース３０３と、メモリ３０５と、デコーダ３０７とか
らなる。
ベルシフト回路３ｃは、駆動電源［Ｖ＋］と、スイッチ
バッファ５の端子１３との間に挿入する。レベルシフト
回路３ｃは、ＦＥＴスイッチ群（Ｓ１，Ｓ２…）と、抵
抗群（Ｒ４０３，Ｒ４０５…）と、ロジックインターフ
ェース３０３と、メモリ３０５と、デコーダ３０７とか
らなる。
【００４３】抵抗群（Ｒ４０３，Ｒ４０５…）は、直列
接続され、その一端は駆動電源［Ｖ＋］に接続する。他
端は、ＦＥＴスイッチ群（Ｓ１，Ｓ２…）のうちの１つ
のＦＥＴのドレインに接続される。ＦＥＴスイッチ群
（Ｓ１，Ｓ２…）の、各ＦＥＴのゲートはデコーダ３０
７出力に接続され、各ＦＥＴのソースは共通接続されて
とスイッチバッファ５の端子１３に接続され、各ＦＥＴ
のドレインは、抵抗群（Ｒ４０３，Ｒ４０５…）の接続
点に各々接続される。
接続され、その一端は駆動電源［Ｖ＋］に接続する。他
端は、ＦＥＴスイッチ群（Ｓ１，Ｓ２…）のうちの１つ
のＦＥＴのドレインに接続される。ＦＥＴスイッチ群
（Ｓ１，Ｓ２…）の、各ＦＥＴのゲートはデコーダ３０
７出力に接続され、各ＦＥＴのソースは共通接続されて
とスイッチバッファ５の端子１３に接続され、各ＦＥＴ
のドレインは、抵抗群（Ｒ４０３，Ｒ４０５…）の接続
点に各々接続される。
【００４４】デコーダ３０７、ロジックインターフェー
ス３０３、メモリ３０５の構成と動作は、第３の実施の
形態と同じなので省略する。
ス３０３、メモリ３０５の構成と動作は、第３の実施の
形態と同じなので省略する。
【００４５】レーザダイオード駆動回路１ｃの動作は、
第１の実施の形態で説明したものと同じであり、スイッ
チ制御用入力端子１５の入力Ｖin１（正相）に高レベル
を印加し、スイッチ制御用入力端子１７の入力Ｖin２
（逆相）に低レベルを印加した場合、レーザダイオード
ＬＤは導通して発光し、逆に入力Ｖin１に低レベルを印
加し、入力Ｖin２に高レベルを印加した場合、レーザダ
イオードＬＤは消光する。
第１の実施の形態で説明したものと同じであり、スイッ
チ制御用入力端子１５の入力Ｖin１（正相）に高レベル
を印加し、スイッチ制御用入力端子１７の入力Ｖin２
（逆相）に低レベルを印加した場合、レーザダイオード
ＬＤは導通して発光し、逆に入力Ｖin１に低レベルを印
加し、入力Ｖin２に高レベルを印加した場合、レーザダ
イオードＬＤは消光する。
【００４６】この際、レーザダイオードＬＤの駆動電流
Ｉｐは、第１の実施の形態と同じく（式２）で表され
る。即ち、レベルシフト回路３ｃの出力Ｖsftを可変し
て、レーザダイオードＬＤの駆動電流Ｉｐを制御するの
であるが、第４の実施の形態では、Ｖsftは、次式のよ
うに表される。 Ｖsft＝Ｉe・Ｒpot --------（式６） ここで、Ｉeは定電流源１１を流れる電流である。
Ｉｐは、第１の実施の形態と同じく（式２）で表され
る。即ち、レベルシフト回路３ｃの出力Ｖsftを可変し
て、レーザダイオードＬＤの駆動電流Ｉｐを制御するの
であるが、第４の実施の形態では、Ｖsftは、次式のよ
うに表される。 Ｖsft＝Ｉe・Ｒpot --------（式６） ここで、Ｉeは定電流源１１を流れる電流である。
【００４７】即ち、第4の実施の形態では、合成抵抗Ｒp
otの値を制御して、レベルシフト回路３cの出力Ｖsftを
可変し、レーザダイオードＬＤの駆動電流Ｉｐを制御す
る。
otの値を制御して、レベルシフト回路３cの出力Ｖsftを
可変し、レーザダイオードＬＤの駆動電流Ｉｐを制御す
る。
【００４８】合成抵抗Ｒpotの値を制御する手順につい
ては、第３の実施の形態と同じである。つまり、デコー
ダ３０７は、受信した信号を処理して、ＦＥＴを選択し
て導通させることで、合成抵抗Ｒpotの値を制御する。
即ち、信号Ｖsetで合成抵抗Ｒpotの値を可変すること
で、ダイオードＬＤの駆動電流Ｉｐを制御する。
ては、第３の実施の形態と同じである。つまり、デコー
ダ３０７は、受信した信号を処理して、ＦＥＴを選択し
て導通させることで、合成抵抗Ｒpotの値を制御する。
即ち、信号Ｖsetで合成抵抗Ｒpotの値を可変すること
で、ダイオードＬＤの駆動電流Ｉｐを制御する。
【００４９】尚、レーザダイオード駆動回路１ｃの電源
電圧［Ｖ＋］−［Ｖ−］の下限値も、第１の実施の形態
と同じく（式３）で表され、低消費電力化の効果があ
る。
電圧［Ｖ＋］−［Ｖ−］の下限値も、第１の実施の形態
と同じく（式３）で表され、低消費電力化の効果があ
る。
【００５０】このように、第４の実施の形態において
も、第３の実施の形態と同様、低消費電力化、システム
の電源系の簡易化、低コスト化の効果、及び、レーザダ
イオードＬＤの光出力パワーのコンピュータ制御化の効
果がある。さらに、第４の実施の形態においては、レベ
ルシフト回路で消費される電流（図２，図３におけるＩ
sft）を省略できるので、さらに低消費電力化されたレ
ーザダイオード駆動回路が提供できる。
も、第３の実施の形態と同様、低消費電力化、システム
の電源系の簡易化、低コスト化の効果、及び、レーザダ
イオードＬＤの光出力パワーのコンピュータ制御化の効
果がある。さらに、第４の実施の形態においては、レベ
ルシフト回路で消費される電流（図２，図３におけるＩ
sft）を省略できるので、さらに低消費電力化されたレ
ーザダイオード駆動回路が提供できる。
【００５１】尚、レベルシフト回路３は、前述した第２
の実施形態から第４の実施形態に示された構成に限ら
ず、他の回路構成でもよい。
の実施形態から第４の実施形態に示された構成に限ら
ず、他の回路構成でもよい。
【００５２】尚、本発明によるレーザダイオード駆動回
路は、光通信システムの、電気信号を光信号に変換し送
信する光送信回路に適用できる。また、光通信システム
に限らず、レーザダイオードを使用し、電気信号を光信
号に変換する回路を持つすべてのシステムに適用でき
る。
路は、光通信システムの、電気信号を光信号に変換し送
信する光送信回路に適用できる。また、光通信システム
に限らず、レーザダイオードを使用し、電気信号を光信
号に変換する回路を持つすべてのシステムに適用でき
る。
【００５３】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように本発明によ
れば、レーザダイオード駆動回路の低電圧駆動、及び、
低消費電力化ができる。
れば、レーザダイオード駆動回路の低電圧駆動、及び、
低消費電力化ができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るレーザダイオ
ード駆動回路図
ード駆動回路図
【図２】第２の実施の形態に係わるレーザダイオード駆
動回路図
動回路図
【図３】第３の実施の形態に係わるレーザダイオード駆
動回路図
動回路図
【図４】第４の実施の形態に係わるレーザダイオード駆
動回路図
動回路図
【図５】従来のレーザダイオード駆動回路図
１，１ａ，１ｂ，１ｃ・・・ レーザダイオード駆動回路 ５０１・・・ 従来のレーザダイオード駆動回路 ３，３ａ，３ｂ，３ｃ・・・ レベルシフト回路 ５・・・ スイッチバッファ ７・・・ 電流スイッチ １５，１７・・・ スイッチ制御用入力端子 １９，２１・・・ スイッチバッファ出力端子 １１，５１１・・・ 定電流源 ３０３・・・ ロジックインターフェース ３０５・・・ メモリ ３０７・・・ デコーダ Ｑ１〜Ｑ６，Ｑ５０３，Ｑ２０３，Ｑ３０９・・・ トラン
ジスタ Ｒ１〜Ｒ６，Ｒ５０５・・・ 抵抗 ＬＤ・・・ レーザダイオード ［Ｖ＋］，［Ｖ−］・・・ 駆動電源
ジスタ Ｒ１〜Ｒ６，Ｒ５０５・・・ 抵抗 ＬＤ・・・ レーザダイオード ［Ｖ＋］，［Ｖ−］・・・ 駆動電源
Claims (8)
- 【請求項１】 駆動電源に接続され、駆動電源電圧を所
定量だけ減少させるレベルシフト回路と、 前記駆動電源に接続されたレーザダイオードのオンオフ
を行う電流スイッチと、 前記レベルシフト回路に接続され、前記電流スイッチの
制御を行うスイッチバッファと、 を具備することを特徴とするレーザダイオード駆動回
路。 - 【請求項２】 前記レベルシフト回路は、外部から入力
される信号Ｖsetに応じて駆動電源電圧を減少させる量
を変更することを特徴する請求項１記載のレーザダイオ
ード駆動回路。 - 【請求項３】 前記レベルシフト回路は、 前記駆動電源電圧に接続される抵抗と、 この抵抗の他端にコレクタが接続され、ベースに信号Ｖ
setが入力されるトランジスタと、 を具備することを特徴する請求項２記載のレーザダイオ
ード駆動回路。 - 【請求項４】 前記レベルシフト回路は、 前記駆動電源電圧と前記スイッチバッファの間に設けら
れる第１の抵抗と、 前記第１の抵抗にトランジスタを介して接続された複数
の抵抗とを有し、 前記複数の抵抗の合成抵抗を可変することにより、前記
第１の抵抗に発生する電圧を可変することを特徴とする
請求項２記載のレーザダイオード駆動回路。 - 【請求項５】 前記複数の抵抗は直列に接続され、 前記複数の抵抗の間とアース側とに複数のスイッチを設
け、 外部から入力される信号Ｖsetに応じて前記スイッチを
切り替えて、複数の抵抗の合成抵抗を可変するデコーダ
を設けることを特徴とする請求項４記載のレーザダイオ
ード駆動回路。 - 【請求項６】 前記レベルシフト回路は、 前記駆動電源電圧と前記スイッチバッファとの間に、複
数の抵抗からなる合成抵抗を設け、 この合成抵抗の合成抵抗値を可変するものであることを
特徴とする請求項２記載のレーザダイオード駆動回路。 - 【請求項７】 前記複数の抵抗は直列に接続され、 前記複数の抵抗の間と前記スイッチバッファとの間に複
数のスイッチを設け、 外部から入力される信号Ｖsetに応じて前記スイッチを
切り替えて、複数の抵抗の合成抵抗を可変するデコーダ
を設けることを特徴とする請求項６記載のレーザダイオ
ード駆動回路。 - 【請求項８】 前記レーザダイオードに第１のトランジ
スタが接続され、 前記レーザダイオードと並列に抵抗と第２のトランジス
タが設けられ、 前記スイッチバッファにより、前記第１のトランジスタ
と前記第２のトランジスタがオンオフされることを特徴
とする請求項１記載のレーザダイオード駆動回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000065719A JP2001251011A (ja) | 2000-03-06 | 2000-03-06 | レーザダイオード駆動回路 |
| US09/669,878 US6510168B1 (en) | 2000-03-06 | 2000-09-27 | Laser diode drive circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000065719A JP2001251011A (ja) | 2000-03-06 | 2000-03-06 | レーザダイオード駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001251011A true JP2001251011A (ja) | 2001-09-14 |
Family
ID=18585203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000065719A Withdrawn JP2001251011A (ja) | 2000-03-06 | 2000-03-06 | レーザダイオード駆動回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6510168B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001251011A (ja) |
Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| JP2008205276A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Koa Corp | Ｌｅｄ駆動回路 |
| CN100428592C (zh) * | 2001-03-05 | 2008-10-22 | 富士施乐株式会社 | 发光元件驱动装置和发光元件驱动系统 |
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|---|---|---|---|---|
| JP4123791B2 (ja) * | 2001-03-05 | 2008-07-23 | 富士ゼロックス株式会社 | 発光素子駆動装置および発光素子駆動システム |
| US6707257B2 (en) * | 2002-08-08 | 2004-03-16 | Datex-Ohmeda, Inc. | Ferrite stabilized LED drive |
| US6720734B2 (en) * | 2002-08-08 | 2004-04-13 | Datex-Ohmeda, Inc. | Oximeter with nulled op-amp current feedback |
| JP2005301175A (ja) * | 2004-04-16 | 2005-10-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 映像データ伝送回路及び映像データ表示システム |
| WO2006003575A2 (en) * | 2004-06-29 | 2006-01-12 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Laser diode circuit, optical pickup unit and optical disc drive apparatus |
| JP4170963B2 (ja) * | 2004-07-22 | 2008-10-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | Ｌｅｄ駆動回路 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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