JP3060389B2 - コンデンサー - Google Patents

コンデンサー

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JP3060389B2
JP3060389B2 JP3258326A JP25832691A JP3060389B2 JP 3060389 B2 JP3060389 B2 JP 3060389B2 JP 3258326 A JP3258326 A JP 3258326A JP 25832691 A JP25832691 A JP 25832691A JP 3060389 B2 JP3060389 B2 JP 3060389B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、コンデンサーに関し、
特にPINダイオードと同一のシリコンチップに形成さ
れたコンデンサーに関するものである。
【0002】
【従来の技術】十分不純物濃度の高いP型拡散領域とN
型拡散領域の間に、十分不純物濃度の低い(抵抗値の高
い)I層の領域を挟んで形成されるPINダイオードに
ついては、従来からマイクロ波のアテネータなどに使用
されている。PINダイオードは、逆バイアスでは容量
的にみえ、順バイアスでは純抵抗として扱える。即ち、
電気的な特性としては、静電容量と順直列抵抗を考慮す
る必要がある。PINダイオードを高周波の回路におい
て用いる場合、回路としての特性の向上のためには、前
記順直列抵抗はできるだけ小さいことが望ましい。この
PINダイオードの順直列抵抗を小さくするには、P及
びN型拡散層に挟まれたI層の距離を小さくすること、
または、PIN接合の面積を大きくすることの2つの方
法がある。I層の距離を製造技術の限界まで小さくした
上で、チップの面積の大幅な拡大なしに接合面積を大き
くするようにして、低い順直列抵抗を実現し、かつ所望
の抵抗値を簡単に得られるものとして、図1に示すよう
なコの字状のパターンのPINダイオードがある。同図
(a)にPINダイオードの平面図を、(b)にそのA
−A’断面図を示す。同図において、11はP型拡散領
域、12はN型拡散領域、13及び14は電極用のアルミニウ
ムである。これらは、I層の基板10(同図(b))に形
成されており、P型拡散領域11とN型拡散領域12にI層
が挟まれた構成のPINダイオードとなっている。これ
をパターンという観点から見ると、コの字状にしてつな
ぎ合わせて形成しており、PINダイオードがジグザグ
状になり、効率よく、その接合面積を大きくできるよう
になっている。このジグザグの部分の長さを変えること
で、接合面積が変化するので、順直列抵抗値を変化させ
ることができる。各拡散領域上には、全面にわたって電
極用のアルミニウム13及び14が形成されている。ここで
は、コンタクトのための穴開け用のパターンは省略して
いるが、複数個の穴開けパターンによって、拡散領域と
電極の接続を行なっている。このようなPINダイオー
ドを作成する場合、例えば2000Ωcm以上の抵抗値
を持つI層の基板10にP型拡散領域11及びN型拡散領域
12を形成した後、SiO2 などの絶縁性の薄膜15を形成
する。続いて、拡散領域とコンタクトを取るための穴開
けを行ない、電極のアルミニウム13及び14を形成する。
上述のように、アルミニウム13、14は拡散領域の全面に
形成されているが、一部に形成してその部分でコンタク
トを取るようにしてもよい。また、PINダイオードの
パターンの形状としては、コの字状のほかに、渦巻き状
や櫛歯状のものもある。
【0003】一方、このようなPINダイオードは、上
述のように高周波信号のスイッチやアテネータ、リミッ
タ等に使用される。その際、PINダイオードの両端に
コンデンサーを接続した回路構成が取られることが多
い。このような回路構成を実現するためには、PINダ
イオード1個とコンデンサー2個の部品を、プリント基
板などに実装する必要があった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このような実装は、手
間がかかり、しかも部品の数に対応して信頼性が問題に
なってしまう。同様に、部品の数に比例して、実装面積
が大きくなってしまうという欠点もあった。本発明は、
このような問題を解決し、実装の手間を省略でき、かつ
実装面積も小さくてすむようなコンデンサーを提供する
ことを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のコンデンサーは、PINダイオードの形成
された、シリコンチップ上に、強誘電膜と、前記強誘電
膜を挟んで成る一対の電極を前記PINダイオードのP
型拡散領域とN型拡散領域上にそれぞれ設けることによ
って、形成するようにしている。そして、前記電極の一
方は、PINダイオードの2つの電極のうちの一方の電
極を共有していてもよい。
【0006】
【作用】このようにすると、PINダイオードのP型拡
散領域とN型拡散領域上にコンデンサーを形成すること
ができるので、PINダイオードとコンデンサーから成
る回路について、各部品を実装して構成する必要がなく
なる。従って、実装の手間が省け、しかも実装面積が小
さくなる。
【0007】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ、
説明する。図2の(a)に示したような回路が要求され
ているとする。(b)に本発明を実施してPINダイオ
ード及びコンデンサーを形成したシリコンチップの断面
図を示す。同図において、図1と同様に、11はP型拡散
領域、12はN型拡散領域、13及び14は電極用のアルミニ
ウム、15はSiO2 などの絶縁性の薄膜である。これら
は、I層の基板10に形成されており、P型拡散領域11と
N型拡散領域12にI層が挟まれた構成のPINダイオー
ドとなっている。前記電極13及び14を一方の電極とする
コンデンサーをそれぞれ形成する場合、まず、電極13、
14及び絶縁膜15の上に、強誘電膜16をスパッタ等で形成
する。この強誘電膜16は、例えば、BaTiO3 、Pb
TiO3 、PZTなどを使用している。その後、もう一
方の電極として17及び18を形成するが、これは電極13、
14と同様にアルミニウムを蒸着して形成されている。こ
のとき、電極17、18の面積を変えることで、コンデンサ
ーの容量が変えられ、所望の容量のコンデンサーが得ら
れる。この(b)で示した構造を(a)と対応させる
と、PINダイオードPDの両端のノードが電極13及び
14であり、コンデンサーC1の両端のノードは電極13と
電極17、コンデンサーC2の両端のノードは電極14と電
極18となり、(a)の回路は、(b)の構造によって得
られる。
【0008】図3に、図2に示したものよりさらに容量
の大きなコンデンサーを形成する場合の構造を示す。こ
の場合、コンデンサーの電極の面積、ここでは電極13と
17、電極14と18の面積をそれぞれ大きくすればよい。但
し、チップ自体の面積が大きくなることは望ましくない
ので、同図に示すように、電極を積み上げるようにして
形成するようにしている。そのため、絶縁膜15と強誘電
膜16及び電極用のアルミニウム13、14、17、18の形成の
工程は、繰り返し行なわれる。
【0009】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
PINダイオードのP型拡散領域とN型拡散領域上にそ
れぞれコンデンサーを形成しているため、PINダイオ
ードとコンデンサーから成る回路構成を実現する際、各
部品を実装する必要がなくなる。従って、実装に際して
生じる信頼性の問題は考慮しなくてよくなり、また、実
装面積も小さくてすむ。さらに、PINダイオードとコ
ンデンサーの組み合わせが簡単に変えられ、設計及び生
産が容易であるという長所もある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 PINダイオードの平面図及び断面図。
【図2】 PINダイオードとコンデンサーから成る回
路図と、本発明を実施してそれを実現した構造を示す断
面図。
【図3】 容量の大きなコンデンサーを形成した構造を
示す断面図。
【符号の説明】
10 I層基板 11 P型拡散領域 12 N型拡散領域 13 電極のアルミニウム 14 電極のアルミニウム 15 絶縁膜 16 強誘電膜 17 電極のアルミニウム 18 電極のアルミニウム PD PINダイオード C1 コンデンサー C2 コンデンサー

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 PINダイオードの形成された、シリコ
    ンチップ上に、 強誘電膜と、 前記強誘電膜を挟んで成る一対の電極を前記PINダイ
    オードのP型拡散領域とN型拡散領域上にそれぞれ設け
    ることによって、 形成することを特徴とするコンデンサー。
  2. 【請求項2】 前記電極の一方は、PINダイオードの
    2つの電極のうちの一方の電極を共有していることを特
    徴とする請求項1に記載のコンデンサー。
JP3258326A 1991-09-09 1991-09-09 コンデンサー Expired - Fee Related JP3060389B2 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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