JPH0983219A - ストリップライン共振器 - Google Patents
ストリップライン共振器Info
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- JPH0983219A JPH0983219A JP25708095A JP25708095A JPH0983219A JP H0983219 A JPH0983219 A JP H0983219A JP 25708095 A JP25708095 A JP 25708095A JP 25708095 A JP25708095 A JP 25708095A JP H0983219 A JPH0983219 A JP H0983219A
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- resonator
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- strip line
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型化を図ることができるとともに、大型化
を招くことなく共振周波数を低下させることを可能にす
る。 【解決手段】 誘電体基板１上にスパイラル状のストリ
ップライン２を形成する。また、互に隣接するストリッ
プライン２の間隔を狭くして線間容量を増加させること
により共振周波数を低下させる。さらに、誘電体基板１
上に、スパイラル状のストリップライン２を絶縁膜１７
を介して複数層形成するとともに、絶縁膜１７にスルー
ホール１８を形成して各層のストリップライン１２，２
２を接続して、ストリップライン長を大きくする。さら
に、絶縁膜を介して積層された各層のスパイラル状のス
トリップライン１２，２２を絶縁膜１７を介して対向す
るように配設する。
を招くことなく共振周波数を低下させることを可能にす
る。 【解決手段】 誘電体基板１上にスパイラル状のストリ
ップライン２を形成する。また、互に隣接するストリッ
プライン２の間隔を狭くして線間容量を増加させること
により共振周波数を低下させる。さらに、誘電体基板１
上に、スパイラル状のストリップライン２を絶縁膜１７
を介して複数層形成するとともに、絶縁膜１７にスルー
ホール１８を形成して各層のストリップライン１２，２
２を接続して、ストリップライン長を大きくする。さら
に、絶縁膜を介して積層された各層のスパイラル状のス
トリップライン１２，２２を絶縁膜１７を介して対向す
るように配設する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、共振器に関し、詳
しくは、誘電体基板上にストリップラインを配設するこ
とにより形成されたストリップライン共振器に関する。
しくは、誘電体基板上にストリップラインを配設するこ
とにより形成されたストリップライン共振器に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来の
ストリップライン共振器には、例えば、図７に示すよう
に、誘電体基板５１上に、帯状のストリップライン５２
を配設してなるλ／２開放型共振器や、図８に示すよう
に、誘電体基板５１上に略くし型のストリップライン６
２を配設してなるλ／４短絡型共振器が用いられてい
る。
ストリップライン共振器には、例えば、図７に示すよう
に、誘電体基板５１上に、帯状のストリップライン５２
を配設してなるλ／２開放型共振器や、図８に示すよう
に、誘電体基板５１上に略くし型のストリップライン６
２を配設してなるλ／４短絡型共振器が用いられてい
る。
【０００３】しかし、これらの共振器は、帯状やくし型
のストリップライン５２，６２を誘電体基板５１の長手
方向に沿って配設することにより形成されているため、
素子寸法が大きくなるという問題点がある。さらに、こ
れらの共振器を多段フィルタとして用いる場合、共振器
を例えば３〜４個所定の距離だけ離して配置することが
必要になり、さらに寸法が大きくなるという問題点があ
る。
のストリップライン５２，６２を誘電体基板５１の長手
方向に沿って配設することにより形成されているため、
素子寸法が大きくなるという問題点がある。さらに、こ
れらの共振器を多段フィルタとして用いる場合、共振器
を例えば３〜４個所定の距離だけ離して配置することが
必要になり、さらに寸法が大きくなるという問題点があ
る。
【０００４】そこで、このような問題点を解決するため
の方法として、より比誘電率の大きい材料からなる誘電
体基板を用いる方法が考えられる。そして、このように
比誘電率の大きい材料からなる誘電体基板を用いた場
合、確かに共振器自体の長さは小さくなるが、このよう
な共振器を用いて多段フィルタを構成した場合、共振器
どうしの結合が強くなり過ぎて、フィルタとして良好な
特性を得るためには複数の共振器間の間隔を広くする必
要があり、結果として寸法が大きくなってしまうという
問題点がある。
の方法として、より比誘電率の大きい材料からなる誘電
体基板を用いる方法が考えられる。そして、このように
比誘電率の大きい材料からなる誘電体基板を用いた場
合、確かに共振器自体の長さは小さくなるが、このよう
な共振器を用いて多段フィルタを構成した場合、共振器
どうしの結合が強くなり過ぎて、フィルタとして良好な
特性を得るためには複数の共振器間の間隔を広くする必
要があり、結果として寸法が大きくなってしまうという
問題点がある。
【０００５】また、この問題点を解消するために、図９
に示すように、誘電体基板５１上に、斜めに異形状の電
極７２を配設してなる共振器（この例ではλ／４片端短
絡型共振器）が提案されている。これは、共振器どうし
の結合をストリップラインの一部でとるようにしたもの
であり、多段フィルタを構成する場合における共振器の
間隔を上述の共振器より小さくすることが可能で、小型
化を図ることができるという特徴を有している。
に示すように、誘電体基板５１上に、斜めに異形状の電
極７２を配設してなる共振器（この例ではλ／４片端短
絡型共振器）が提案されている。これは、共振器どうし
の結合をストリップラインの一部でとるようにしたもの
であり、多段フィルタを構成する場合における共振器の
間隔を上述の共振器より小さくすることが可能で、小型
化を図ることができるという特徴を有している。
【０００６】しかし、この共振器においても、電極７２
が平面的に斜め上方に広がっているため、小型化には限
界がある。さらに、低周波で使用するには、ストリップ
ライン長を長くすることが必要になるため、共振器長の
寸法が大きくなるという問題点がある。
が平面的に斜め上方に広がっているため、小型化には限
界がある。さらに、低周波で使用するには、ストリップ
ライン長を長くすることが必要になるため、共振器長の
寸法が大きくなるという問題点がある。
【０００７】本発明は、上記問題点を解決するものであ
り、小型化が可能であるとともに、大型化を招くことな
く共振周波数を低下させることが可能なストリップライ
ン共振器を提供することを目的とする。
り、小型化が可能であるとともに、大型化を招くことな
く共振周波数を低下させることが可能なストリップライ
ン共振器を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のストリップライン共振器は、誘電体基板上
にストリップラインを配設してなる共振器において、誘
電体基板上にスパイラル状のストリップラインを形成し
たことを特徴としている。
に、本発明のストリップライン共振器は、誘電体基板上
にストリップラインを配設してなる共振器において、誘
電体基板上にスパイラル状のストリップラインを形成し
たことを特徴としている。
【０００９】また、互に隣接するストリップラインの間
隔を狭くして線間容量を増加させることにより、共振周
波数を低下させたことを特徴としている。
隔を狭くして線間容量を増加させることにより、共振周
波数を低下させたことを特徴としている。
【００１０】また、誘電体基板上に、スパイラル状のス
トリップラインを絶縁膜を介して複数層形成するととも
に、前記絶縁膜にスルーホールを形成して各層のストリ
ップラインを接続したことを特徴としている。
トリップラインを絶縁膜を介して複数層形成するととも
に、前記絶縁膜にスルーホールを形成して各層のストリ
ップラインを接続したことを特徴としている。
【００１１】また、絶縁膜を介して積層された各層のス
パイラル状のストリップラインを、絶縁膜を介して互に
対向するように配設したことを特徴としている。
パイラル状のストリップラインを、絶縁膜を介して互に
対向するように配設したことを特徴としている。
【００１２】
【作用】誘電体基板上にストリップラインをスパイラル
状に形成することにより、同等の長さのストリップライ
ンを形成する場合の誘電体基板の平面面積を小さくする
ことが可能になり、その分だけ寸法を小さくすることが
できるようになる。
状に形成することにより、同等の長さのストリップライ
ンを形成する場合の誘電体基板の平面面積を小さくする
ことが可能になり、その分だけ寸法を小さくすることが
できるようになる。
【００１３】また、互に隣接するストリップラインの間
隔を狭くすることにより、線間容量を増加させることが
可能になり、共振周波数を低下させることができるた
め、寸法を大きくすることなくより低周波で使用するこ
とが可能になる。
隔を狭くすることにより、線間容量を増加させることが
可能になり、共振周波数を低下させることができるた
め、寸法を大きくすることなくより低周波で使用するこ
とが可能になる。
【００１４】また、誘電体基板上に、スパイラル状のス
トリップラインを絶縁膜を介して複数層形成するととも
に、絶縁膜にスルーホールを形成して各層のストリップ
ラインを接続することにより、誘電体基板の平面寸法を
大きくすることなくストリップライン長を長くすること
が可能になり、さらに小型化を図ることが可能になる。
トリップラインを絶縁膜を介して複数層形成するととも
に、絶縁膜にスルーホールを形成して各層のストリップ
ラインを接続することにより、誘電体基板の平面寸法を
大きくすることなくストリップライン長を長くすること
が可能になり、さらに小型化を図ることが可能になる。
【００１５】また、絶縁膜を介して積層された各層のス
パイラル状のストリップラインを、絶縁膜を介して互に
対向するように配設することにより、上下層間の絶縁膜
を介して線間容量を発生させることが可能になり、さら
に共振周波数の低い共振器を得ることができるようにな
る。
パイラル状のストリップラインを、絶縁膜を介して互に
対向するように配設することにより、上下層間の絶縁膜
を介して線間容量を発生させることが可能になり、さら
に共振周波数の低い共振器を得ることができるようにな
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態として以下の
実施例を示し、本発明の特徴とするところをさらに詳し
く説明する。
実施例を示し、本発明の特徴とするところをさらに詳し
く説明する。
【００１７】［実施例１］図１は、この実施例１にかか
るストリップライン共振器を示す平面図であり、図２は
その特性を示す線図である。
るストリップライン共振器を示す平面図であり、図２は
その特性を示す線図である。
【００１８】このストリップライン共振器は、ＢａＴｉ
Ｏ3やＭｇＴｉＯ3などからなる誘電体基板１上に、スパ
イラル状のストリップライン２を配設することにより形
成されたλ／４短絡型共振器であり、誘電体基板１の裏
面にはグランド電極（図示せず）が形成されている。そ
して、ストリップライン２の一端側（開放端）３は、く
し型電極形状のインターディジタル型コンデンサ４を介
して入出力端５と接続されている。また、ストリップラ
イン２はその他端６の近傍が、スパイラル部のストリッ
プライン２ａと交差し、両者は絶縁膜７により絶縁され
ている。さらに、ストリップライン２の他端６は、誘電
体基板１の裏面のグランド電極に接続されている。
Ｏ3やＭｇＴｉＯ3などからなる誘電体基板１上に、スパ
イラル状のストリップライン２を配設することにより形
成されたλ／４短絡型共振器であり、誘電体基板１の裏
面にはグランド電極（図示せず）が形成されている。そ
して、ストリップライン２の一端側（開放端）３は、く
し型電極形状のインターディジタル型コンデンサ４を介
して入出力端５と接続されている。また、ストリップラ
イン２はその他端６の近傍が、スパイラル部のストリッ
プライン２ａと交差し、両者は絶縁膜７により絶縁され
ている。さらに、ストリップライン２の他端６は、誘電
体基板１の裏面のグランド電極に接続されている。
【００１９】上記のストリップライン共振器は、誘電体
基板１上にストリップライン２をスパイラル状に形成し
ているので、ストリップライン２を形成すべき誘電体基
板１の平面面積が小さくなり、それだけ小型化を図るこ
とが可能になる。また、互に隣接するストリップライン
２の間隔（例えば図１のＧ）を小さくすることにより、
線間容量を増加させることが可能になり、共振周波数を
低下させることができる。すなわち、ストリップライン
２の長さ、ストリップライン２とスパイラル部のストリ
ップライン２ａとの交差部Ｃの面積（図１）、ストリッ
プライン２の間隔Ｇなどにより共振周波数が決る。した
がって、寸法を大きくすることなく低周波での使用が可
能になる。なお、上記実施例１のストリップライン共振
器においては、図２に示すような周波数特性が得られ
る。
基板１上にストリップライン２をスパイラル状に形成し
ているので、ストリップライン２を形成すべき誘電体基
板１の平面面積が小さくなり、それだけ小型化を図るこ
とが可能になる。また、互に隣接するストリップライン
２の間隔（例えば図１のＧ）を小さくすることにより、
線間容量を増加させることが可能になり、共振周波数を
低下させることができる。すなわち、ストリップライン
２の長さ、ストリップライン２とスパイラル部のストリ
ップライン２ａとの交差部Ｃの面積（図１）、ストリッ
プライン２の間隔Ｇなどにより共振周波数が決る。した
がって、寸法を大きくすることなく低周波での使用が可
能になる。なお、上記実施例１のストリップライン共振
器においては、図２に示すような周波数特性が得られ
る。
【００２０】なお、上記実施例１では、λ／４短絡型共
振器について説明したが、本発明はλ／４短絡型共振器
に限られるものではなく、λ／２開放型共振器などにも
適用することが可能である。但し、λ／２開放型共振器
の場合には、共振器の両端がコンデンサを介して入出力
端と接続される。
振器について説明したが、本発明はλ／４短絡型共振器
に限られるものではなく、λ／２開放型共振器などにも
適用することが可能である。但し、λ／２開放型共振器
の場合には、共振器の両端がコンデンサを介して入出力
端と接続される。
【００２１】また、上記実施例１では、コンデンサとし
て、くし型電極形状のインターディジタル型コンデンサ
を用いた場合について説明したが、コンデンサとして
は、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ポリイミドなどの誘電膜を用い
た薄膜コンデンサなどを用いてもよい。
て、くし型電極形状のインターディジタル型コンデンサ
を用いた場合について説明したが、コンデンサとして
は、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ポリイミドなどの誘電膜を用い
た薄膜コンデンサなどを用いてもよい。
【００２２】［実施例２］図３は、この実施例２にかか
るストリップライン共振器を示す平面図であり、図４は
その特性を示す線図である。
るストリップライン共振器を示す平面図であり、図４は
その特性を示す線図である。
【００２３】このストリップライン共振器は、上記実施
例１の場合と同様に、ＢａＴｉＯ3やＭｇＴｉＯ3などか
らなる誘電体基板１上に、スパイラル状のストリップラ
イン２を配設することにより形成されたλ／４短絡型共
振器である。そして、このストリップライン共振器にお
いては、上記実施例１のストリップライン２に相当する
形状の下層ストリップライン１２を誘電体基板１上に形
成した後、その上に絶縁膜（層間絶縁膜）１７を形成
し、さらにその上に、スパイラル状の上層ストリップラ
イン２２を形成するとともに、層間絶縁膜１７にスルー
ホール１８を形成して下層ストリップライン１２と上層
ストリップライン２２を接続することにより形成されて
おり、上記の下層ストリップライン１２と上層ストリッ
プライン２２がストリップライン２を構成している。
例１の場合と同様に、ＢａＴｉＯ3やＭｇＴｉＯ3などか
らなる誘電体基板１上に、スパイラル状のストリップラ
イン２を配設することにより形成されたλ／４短絡型共
振器である。そして、このストリップライン共振器にお
いては、上記実施例１のストリップライン２に相当する
形状の下層ストリップライン１２を誘電体基板１上に形
成した後、その上に絶縁膜（層間絶縁膜）１７を形成
し、さらにその上に、スパイラル状の上層ストリップラ
イン２２を形成するとともに、層間絶縁膜１７にスルー
ホール１８を形成して下層ストリップライン１２と上層
ストリップライン２２を接続することにより形成されて
おり、上記の下層ストリップライン１２と上層ストリッ
プライン２２がストリップライン２を構成している。
【００２４】そして、ストリップライン２（を構成する
下層ストリップライン１２）の一端側（開放端）１３
は、くし型電極形状のインターディジタル型コンデンサ
１４を介して入出力端１５と接続されている。また、こ
の実施例２のストリップライン共振器においても、上記
実施例１のストリップライン共振器と同様に、誘電体基
板１の裏面にはグランド電極（図示せず）が形成されて
おり、ストリップライン２の他端側（すなわち上層スト
リップライン２２の端部）１６は、誘電体基板１の裏面
のグランド電極に接続されている。
下層ストリップライン１２）の一端側（開放端）１３
は、くし型電極形状のインターディジタル型コンデンサ
１４を介して入出力端１５と接続されている。また、こ
の実施例２のストリップライン共振器においても、上記
実施例１のストリップライン共振器と同様に、誘電体基
板１の裏面にはグランド電極（図示せず）が形成されて
おり、ストリップライン２の他端側（すなわち上層スト
リップライン２２の端部）１６は、誘電体基板１の裏面
のグランド電極に接続されている。
【００２５】この実施例２のストリップライン共振器に
おいては、ストリップライン２をスパイラル状の下層ス
トリップライン１２と上層ストリップライン２２からな
る２層構造としているので、誘電体基板１の寸法を大き
くすることなくストリップライン２の長さを大幅に増大
することが可能になる。したがって、共振周波数を実施
例１のストリップライン共振器に比べて小さくすること
が可能になり（図４）、さらに小型化を図ることができ
る。
おいては、ストリップライン２をスパイラル状の下層ス
トリップライン１２と上層ストリップライン２２からな
る２層構造としているので、誘電体基板１の寸法を大き
くすることなくストリップライン２の長さを大幅に増大
することが可能になる。したがって、共振周波数を実施
例１のストリップライン共振器に比べて小さくすること
が可能になり（図４）、さらに小型化を図ることができ
る。
【００２６】［実施例３］図５は、この実施例３にかか
るストリップライン共振器を示す平面図であり、図６は
その特性を示す線図である。
るストリップライン共振器を示す平面図であり、図６は
その特性を示す線図である。
【００２７】この実施例３のストリップライン共振器に
おいては、実施例２（図３）のストリップライン共振器
とほぼ同様に、ストリップライン２がスパイラル状の下
層ストリップライン１２と上層ストリップライン２２か
らなる２層構造を有しているとともに、上層ストリップ
ライン２２と下層ストリップライン１２とが層間絶縁膜
１７を介して互に対向するように構成されている。
おいては、実施例２（図３）のストリップライン共振器
とほぼ同様に、ストリップライン２がスパイラル状の下
層ストリップライン１２と上層ストリップライン２２か
らなる２層構造を有しているとともに、上層ストリップ
ライン２２と下層ストリップライン１２とが層間絶縁膜
１７を介して互に対向するように構成されている。
【００２８】したがって、この実施例３のストリップラ
イン共振器においては、層間絶縁膜１７を介して下層ス
トリップライン１２と上層ストリップライン２２の間
に、上記実施例２のストリップライン共振器の場合より
も大きい線間容量が発生する。したがって、実施例２の
ストリップライン共振器と同一寸法でさらに共振周波数
の低いストリップライン共振器を形成することが可能に
なり（図６）、小型化をさらに進めることが可能にな
る。
イン共振器においては、層間絶縁膜１７を介して下層ス
トリップライン１２と上層ストリップライン２２の間
に、上記実施例２のストリップライン共振器の場合より
も大きい線間容量が発生する。したがって、実施例２の
ストリップライン共振器と同一寸法でさらに共振周波数
の低いストリップライン共振器を形成することが可能に
なり（図６）、小型化をさらに進めることが可能にな
る。
【００２９】なお、上記実施例２，３においては、スト
リップラインを下層ストリップラインと上層ストリップ
ラインからなる２層構造とした場合について説明した
が、３層以上の多層構造とすることも可能である。
リップラインを下層ストリップラインと上層ストリップ
ラインからなる２層構造とした場合について説明した
が、３層以上の多層構造とすることも可能である。
【００３０】本発明は、上記の実施例１，２，３に限定
されるものではなく、誘電体基板を構成する誘電体材料
の種類、スパイラル状のストリップラインの具体的な形
状、互に隣接するストリップライン間の間隔の大きさ、
絶縁膜の構成材料やパターンなどに関し、発明の要旨の
範囲内において種々の応用、変形を加えることが可能で
ある。
されるものではなく、誘電体基板を構成する誘電体材料
の種類、スパイラル状のストリップラインの具体的な形
状、互に隣接するストリップライン間の間隔の大きさ、
絶縁膜の構成材料やパターンなどに関し、発明の要旨の
範囲内において種々の応用、変形を加えることが可能で
ある。
【００３１】
【発明の効果】上述のように、本発明のストリップライ
ン共振器は、誘電体基板上にストリップラインをスパイ
ラル状に形成するようにしているので、ストリップライ
ンを形成すべき誘電体基板の平面面積を小さくすること
が可能になり、小型化を図ることが可能になる。
ン共振器は、誘電体基板上にストリップラインをスパイ
ラル状に形成するようにしているので、ストリップライ
ンを形成すべき誘電体基板の平面面積を小さくすること
が可能になり、小型化を図ることが可能になる。
【００３２】また、互に隣接するストリップラインの間
隔を狭くすることにより、線間容量を増加させることが
可能になり、共振周波数を低下させることができるた
め、小型で低周波での使用が可能なストリップライン共
振器を得ることができる。
隔を狭くすることにより、線間容量を増加させることが
可能になり、共振周波数を低下させることができるた
め、小型で低周波での使用が可能なストリップライン共
振器を得ることができる。
【００３３】また、誘電体基板上に、スパイラル状のス
トリップラインを絶縁膜を介して複数層形成し、絶縁膜
にスルーホールを形成して各層のストリップラインを接
続することにより、誘電体基板の寸法を大きくすること
なくストリップライン長を長くすることが可能になり、
さらに小型化を図ることが可能になる。
トリップラインを絶縁膜を介して複数層形成し、絶縁膜
にスルーホールを形成して各層のストリップラインを接
続することにより、誘電体基板の寸法を大きくすること
なくストリップライン長を長くすることが可能になり、
さらに小型化を図ることが可能になる。
【００３４】また、絶縁膜を介して積層された各層のス
パイラル状のストリップラインを、絶縁膜を介して互に
対向するように配設することにより、上下層間の絶縁膜
を介して線間容量を発生させることが可能になり、さら
に共振周波数の低いストリップライン共振器を得ること
ができる。
パイラル状のストリップラインを、絶縁膜を介して互に
対向するように配設することにより、上下層間の絶縁膜
を介して線間容量を発生させることが可能になり、さら
に共振周波数の低いストリップライン共振器を得ること
ができる。
【図１】本発明の一実施例にかかるストリップライン共
振器の構造を示す平面図である。
振器の構造を示す平面図である。
【図２】本発明の一実施例にかかるストリップライン共
振器の特性を示す図である。
振器の特性を示す図である。
【図３】本発明の他の実施例のストリップライン共振器
の構造を示す平面図である。
の構造を示す平面図である。
【図４】本発明の他の実施例のストリップライン共振器
の特性を示す図である。
の特性を示す図である。
【図５】本発明のさらに他の実施例のストリップライン
共振器の構造を示す平面図である。
共振器の構造を示す平面図である。
【図６】本発明のさらに他の実施例のストリップライン
共振器の特性を示す図である。
共振器の特性を示す図である。
【図７】従来のストリップライン共振器を示す平面図で
ある。
ある。
【図８】従来の他のストリップライン共振器を示す平面
図である。
図である。
【図９】従来のさらに他のストリップライン共振器を示
す平面図である。
す平面図である。
１ 誘電体基板 ２ ストリップライン ２ａ スパイラル部のストリップライン ３，１３ ストリップラインの一端側 ４，１４ インターディジタル型コンデンサ ５，１５ 入出力端 ６，１６ ストリップラインの他端側 ７，１７ 絶縁膜 １２ 下層ストリップライン １８ スルーホール Ｃ 交差部 Ｇ ストリップラインの間隔
Claims (4)
- 【請求項１】 誘電体基板上にストリップラインを配設
してなる共振器において、 誘電体基板上にスパイラル状のストリップラインを形成
したことを特徴とするストリップライン共振器。 - 【請求項２】 互に隣接するストリップラインの間隔を
狭くして線間容量を増加させることにより、共振周波数
を低下させたことを特徴とする請求項１記載のストリッ
プライン共振器。 - 【請求項３】 誘電体基板上に、スパイラル状のストリ
ップラインを絶縁膜を介して複数層形成するとともに、
前記絶縁膜にスルーホールを形成して各層のストリップ
ラインを接続したことを特徴とする請求項１又は２記載
のストリップライン共振器。 - 【請求項４】 絶縁膜を介して積層された各層のスパイ
ラル状のストリップラインを、絶縁膜を介して互に対向
するように配設したことを特徴とする請求項３記載のス
トリップライン共振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25708095A JPH0983219A (ja) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | ストリップライン共振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25708095A JPH0983219A (ja) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | ストリップライン共振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0983219A true JPH0983219A (ja) | 1997-03-28 |
Family
ID=17301475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25708095A Withdrawn JPH0983219A (ja) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | ストリップライン共振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0983219A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0877437A1 (en) * | 1997-05-07 | 1998-11-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Strip-line resonator and variable resonator |
| US6943644B2 (en) | 2001-12-18 | 2005-09-13 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Resonator, filter, duplexer, and communication apparatus |
| WO2010113845A1 (ja) * | 2009-04-03 | 2010-10-07 | 太陽誘電株式会社 | 分布定数回路 |
-
1995
- 1995-09-07 JP JP25708095A patent/JPH0983219A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0877437A1 (en) * | 1997-05-07 | 1998-11-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Strip-line resonator and variable resonator |
| US6943644B2 (en) | 2001-12-18 | 2005-09-13 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Resonator, filter, duplexer, and communication apparatus |
| WO2010113845A1 (ja) * | 2009-04-03 | 2010-10-07 | 太陽誘電株式会社 | 分布定数回路 |
| JPWO2010113845A1 (ja) * | 2009-04-03 | 2012-10-11 | 太陽誘電株式会社 | 分布定数回路 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20021203 |