JP3033146B2

JP3033146B2 - 洗浄後の水切り乾燥方法

Info

Publication number: JP3033146B2
Application number: JP2175903A
Authority: JP
Inventors: 武進藤
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1990-07-03
Filing date: 1990-07-03
Publication date: 2000-04-17
Anticipated expiration: 2015-04-17
Also published as: JPH0466174A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、被洗浄部材を洗浄した後の乾燥に関する、
水切り乾燥方法。

〔従来の技術〕

従来の水切り乾燥方法は被洗浄部材を洗浄した後に、
高速回転を与え、温風等を活用して水切り乾燥をする
か、アルコール、トリクレン、フロン等を使用して水切
り乾燥をする方法であった。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、前述の従来技術では、高速回転をすると回転
部から発塵し、被洗浄部材に付着し、歩留が低下すると
いう問題、又被洗浄部材の材質がセラミックスの場合に
は、変速回転中に破損するという問題を有している。温
風の場合には、乾燥シミが発生しやすいこと、又加熱部
からの発塵により歩留が低下する問題を有している。ア
ルコール、トルクレン、フロン等を溶液として、又、蒸
気として使用する場合に、火災、爆発の危険性、人体へ
の有害性、環境の破壊性等の問題を有している。

そこで、本発明は、この様な課題を解決するもので、
その目的とする所は、被洗浄部材に塵埃等の再付着、汚
染がなく、乾燥時に前記被洗浄部材の割れ、欠け、キズ
等の発生がなく、又乾燥作業時の危険性等が少なく、乾
燥効率の高い水切り乾燥方法を提供するところにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の水切り乾燥方法は、洗浄後容器又は洗浄冶具
に収納した金属、セラミックス、又は半導体製の被洗浄
部材を洗浄した後に、温水に浸し、水切り乾燥を行う水
切り乾燥方法において、洗浄槽の供給口より温水を供給し、前記被洗浄部材を
一定時間浸漬後、温水の供給を停止し、前記洗浄槽の排
水口から温水を排出することにより前記被洗浄部材の水
切り乾燥を行うものであって、前記温水の排出速度が0.5mm/sec〜15mm/secであるこ
とを特徴とする。

〔作用〕

以上の方法によれば、洗浄槽の供給口より温水を供給
し、被洗浄部材を一定時間浸漬後、温水の供給を停止
し、洗浄槽の排水口から温水を排出することにより、前
記温水の表面張力の作用により、ほとんどの水分が、前
記被洗浄部材及び前記洗浄容器から分離でき、残った薄
い水膜、水滴は、前記被洗浄部材及び前記洗浄容器の余
熱により、蒸発乾燥する。

洗浄槽の供給口より温水を供給し、被洗浄部材を一定
時間浸漬後、温水の供給を停止し、洗浄槽の排水口から
温水を排出することにより乾燥するので、前記被洗浄部
材に塵埃等の付着、及び衝撃による割れ、欠け、キズ等
の発生が少くなり品質が向上する。温水のみを使用する
ので、火災、爆発の危険性、人体への有害性、環境破壊
の危険性が皆無となる。

〔実施例〕

以下、本発明について、実施例に基づき説明する。第
１図は、本発明の実施例を示す断面図である。被洗浄部
材１を収納した洗浄容器２を温水３の入った洗浄槽４に
入れる。洗浄槽４には温水３を供給し、洗浄槽４の上側
縁面よりオーバーフローさせ、温水３の清浄度を保つ。

洗浄槽４に一定時間浸漬後、引上装置５により微速度
で洗浄容器２及び被洗浄部材１を引上げる。温水３の表
面張力の働きにより、被洗浄部材１及び洗浄容器２から
水分が分離され、残った薄い水膜及び水滴は、被洗浄部
材１及び洗浄容器２の余熱により蒸発、乾燥する。

温水３の温度は20℃（室温）〜90℃、引上げ速度は0.
5mm/sec〜15mm/secの範囲とする。

水は低温になると表面張力が低下し、引上げ時、被洗
浄部材１への水の付着量が多くなる。そのため引上げ速
度を遅くすると、水面に浮遊しているゴミ等の再付着が
増え、乾燥品質が低下する。又室温以下では、冷却設備
が必要となり、コストアップの要因になるので、下限値
は水温20℃、引上げ速度0.5mm/secとする。

水温を高くすると、温水器から気泡が洗浄槽４に持ち
込まれ、水面が波立ち、乾燥ムラが発生し、乾燥品質が
低下する。但し、水の表面張力は大きくなり、被洗浄部
材１への水の付着量も少なく、被洗浄部材１の余熱も高
く乾燥速度が速まるので、引上げ速度を上げることが出
来ることから、上限値は水温90℃、引上速度15mm/secと
する。上記範囲内での水温と引上げ速度の選定は被洗浄
部材１の材質、及び形状により決める。

被洗浄部材１がアルミ蒸着をしてある半導体ウエハー
では、温水３に比抵抗18MΩの超純水を使用し、水温が
高くなるとアルミ膜の酸化が進み、ボンディング性が低
下するので、40℃〜45℃、引上げ速度3mm/sec〜5mm/sec
の条件で引上げ乾燥することにより清浄面を得ることが
出来る。

被洗浄部材１がガラス基板の場合には、温水３に比抵
抗18MΩの超純水を用い、水温70℃〜80℃、引上げ速度2
mm/sec〜4mm/secで、清浄面を得ることが出来る。

被洗浄部材１が黄銅材のフープ製品では、温水３に純
水を使用し、水温80℃〜90℃、引上げ速度10mm/sec〜15
mm/secで清浄面を得ることが出来る。

尚、乾燥速度を速めたい時には、洗浄槽４の上部空間
を除湿し、湿度を下げるか、常温又は加熱したクリーン
な空気を吹きつけるか、遠赤外線等で加熱するかの方法
を併用すると効果的である。

洗浄容器２の材質は静電気を帯びやすい。テフロン等
の樹脂製を使用すると、ゴミ等の付着が多くなるので、
金属、ガラス、又は静電防止処理をした樹脂製のものを
使用することで、より乾燥品質を向上させることが出来
る。

又、引上げる時、被洗浄部材１及び洗浄容器２に温水
３の水面と並行になる箇所が有ると、その部分が水面よ
り離れる時、温水３の水面が波立ち、乾燥ムラとなるの
で、被洗浄部材１及び洗浄容器２を傾けて引上げるか、
洗浄容器２の構造を、水面に対し平行部分がなく、被洗
浄部材１を傾けて収納できるものにすることにより、波
立ちを防止し、乾燥品質を向上させることが出来る。

第２図は、本発明のその他の実施例を示す断面図であ
る。被洗浄部材１を収納した洗浄容器２を、温水３の入
った洗浄槽４に入れる。

洗浄槽４には温水３を供給し、洗浄槽４の上縁面より
オーバーフローさせ、温水３の洗浄度を保つ。洗浄槽４
に一定時間浸漬後、温水３の供給を停止し、排水口６か
ら温水３をゆっくり排出する。水切り乾燥に関する効果
は、前記実施例に同じであるが、引上装置が簡単にな
り、コストダウンが計れる。この第２図に示す例では、
被洗浄部材１はそのままにしておいて温水３を排出する
ものである。したがって、第１図に示す例で説明した引
き上げ速度は、この例では温水の排出速度に置き換えら
れる。

〔発明の効果〕以上のように、本発明は、洗浄後容器又は洗浄冶具に
収納した金属、セラミックス、又は半導体製の被洗浄部
材を洗浄した後に、温水に浸し、水切り乾燥を行う水切
り乾燥方法において、洗浄槽の供給口より温水を供給し、前記被洗浄部材を
一定時間浸漬後、温水の供給を停止し、前記洗浄槽の排
水口から温水を排出することにより前記被洗浄部材の水
切り乾燥を行うものであって、前記温水の排出速度が0.5mm/sec〜15mm/secであるこ
とにより、被洗浄部材及び洗浄容器への水付着が少な
く、被洗浄部材及び洗浄容器に余熱により、付着した水
分もすみやかに乾燥するので、清浄な水切り乾燥ができ
る。更に、引上装置が簡単にでき、コストダウンが計れ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明にかかわる、洗浄後の水切り乾燥方法の
実施例を示す断面図。第２図は本発明にかかわる、他の実施例の断面図。１……被洗浄部材２……洗浄容器３……温水４……洗浄槽５……引上装置６……排水口

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】洗浄後容器又は洗浄冶具に収納した金属、
セラミックス、又は半導体製の被洗浄部材を洗浄した後
に、温水に浸し、水切り乾燥を行う水切り乾燥方法にお
いて、洗浄槽の供給口より温水を供給し、前記被洗浄部材を一
定時間浸漬後、温水の供給を停止し、前記洗浄槽の排水
口から温水を排出することにより前記被洗浄部材の水切
り乾燥を行うものであって、前記温水の排出速度が0.5mm/sec〜15mm/secであること
を特徴とする水切り乾燥方法。