JP3031896B2 - フォトリソグラフィー法の実行過程での反射の影響の低減方法 - Google Patents
フォトリソグラフィー法の実行過程での反射の影響の低減方法Info
- Publication number
- JP3031896B2 JP3031896B2 JP24504998A JP24504998A JP3031896B2 JP 3031896 B2 JP3031896 B2 JP 3031896B2 JP 24504998 A JP24504998 A JP 24504998A JP 24504998 A JP24504998 A JP 24504998A JP 3031896 B2 JP3031896 B2 JP 3031896B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- darc
- hard mask
- mask layer
- reflection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
- H01L21/0276—Photolithographic processes using an anti-reflective coating
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一般的に半導体製造
における露光法の間で経験する反射光線の強度を減少さ
せる方法に関するもので、詳述すれば本発明は誘導体反
射防止コーティング（ＤＡＲＣ）層を用いてフォトリソ
グラフィー法の実行過程で遭遇する反射光線の強度を有
効に制御する方法に関するものである。
における露光法の間で経験する反射光線の強度を減少さ
せる方法に関するもので、詳述すれば本発明は誘導体反
射防止コーティング（ＤＡＲＣ）層を用いてフォトリソ
グラフィー法の実行過程で遭遇する反射光線の強度を有
効に制御する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】フォトリソグラフィーの露光工程の実行
過程で、フォトマスクを透過する光線は下塗層の表面を
透過され、基板により反射されることになる。これらの
反射光線はその後、最初の露光中マスクにより遮断され
るものと考えられるフォトレジスト層の大部分を露光さ
せることになる。換言すれば反射光線は結果としてフォ
トレジスト層の大部分に好ましくない露光をもたらせフ
ォトレジスト層に化学反応を起こし、続いて現象時のフ
ォトレジスト層の剥離を起こす（好ましくないフォトレ
ジスト層の剥離はポジ型のフォトレジスト層に対し、ま
た逆にネガ型のフォトレジスト層に対しても同じであ
る）。露光工程の実行過程で反射光線のため起こるパタ
ーンの歪みは反射光線の効果として関係付けられる。
過程で、フォトマスクを透過する光線は下塗層の表面を
透過され、基板により反射されることになる。これらの
反射光線はその後、最初の露光中マスクにより遮断され
るものと考えられるフォトレジスト層の大部分を露光さ
せることになる。換言すれば反射光線は結果としてフォ
トレジスト層の大部分に好ましくない露光をもたらせフ
ォトレジスト層に化学反応を起こし、続いて現象時のフ
ォトレジスト層の剥離を起こす（好ましくないフォトレ
ジスト層の剥離はポジ型のフォトレジスト層に対し、ま
た逆にネガ型のフォトレジスト層に対しても同じであ
る）。露光工程の実行過程で反射光線のため起こるパタ
ーンの歪みは反射光線の効果として関係付けられる。
【０００３】半導体加工においてライン幅が継続的に収
縮することによって、パターンの全体のライン幅に対す
る歪みの割合は増加し、生産性と信頼性に厳しく影響を
もたらせ、結果として好ましくない短絡とＣＤ（限界寸
法）管理における品質の低下をもたらす。この問題点を
克服するには、反射防止層、例えば金属層中のＴｉＮ
（窒化チタン）が反射光線強度の制御に通常用いられ
る。
縮することによって、パターンの全体のライン幅に対す
る歪みの割合は増加し、生産性と信頼性に厳しく影響を
もたらせ、結果として好ましくない短絡とＣＤ（限界寸
法）管理における品質の低下をもたらす。この問題点を
克服するには、反射防止層、例えば金属層中のＴｉＮ
（窒化チタン）が反射光線強度の制御に通常用いられ
る。
【０００４】さらに高度に複雑な技術においては、ＤＡ
ＲＣ層を使用して非金属層からの反射光線の量を減らす
ことが通常なされている。光線の吸収と反射光線中の位
相変動の生成の性能のため、前記ＤＡＲＣ層は０．２５
μｍ技術で広範囲に用いられて、フォトリソグラフィー
法における非金属層反射の効果を抑制する。
ＲＣ層を使用して非金属層からの反射光線の量を減らす
ことが通常なされている。光線の吸収と反射光線中の位
相変動の生成の性能のため、前記ＤＡＲＣ層は０．２５
μｍ技術で広範囲に用いられて、フォトリソグラフィー
法における非金属層反射の効果を抑制する。
【０００５】図１を参照すると、フォトリソグラフィー
法におけるＤＡＲＣ層の利用が示されている。それは基
板１０、フォトレジスト層と物理的な接触はないが、パ
ターニングされる必要のある下塗層１１およびハード・
マスク層１２、すなわち間接フォトマスクとして役立つ
ＳｉＯ２層を備える。フォトレジスト層が下塗層と物理
的接触ができず、かつ下塗層が形成される必要のある状
態にあっては、ＳｉＯ ２層がハード・マスク層１２とし
て先ず蒸着される。フォトレジスト層上のパターンはハ
ード・マスク層に先づ転写され、そして形成されたハー
ド・マスク層はその後間接マスクとして使用され、下塗
層１１を形成する。
法におけるＤＡＲＣ層の利用が示されている。それは基
板１０、フォトレジスト層と物理的な接触はないが、パ
ターニングされる必要のある下塗層１１およびハード・
マスク層１２、すなわち間接フォトマスクとして役立つ
ＳｉＯ２層を備える。フォトレジスト層が下塗層と物理
的接触ができず、かつ下塗層が形成される必要のある状
態にあっては、ＳｉＯ ２層がハード・マスク層１２とし
て先ず蒸着される。フォトレジスト層上のパターンはハ
ード・マスク層に先づ転写され、そして形成されたハー
ド・マスク層はその後間接マスクとして使用され、下塗
層１１を形成する。
【０００６】このハード・マスク層１２の真上にＤＡＲ
Ｃ層１３とフォトレジスト層１４がある。露光中に遠紫
外（ＤＵＶ）光２０が頂部から入射する。その第１の反
射光線２１は前記ＤＡＲＣ層１３からの反射であり、第
２の反射光線２２は基板１０からの反射であって、それ
はＤＡＲＣ層１３を透過した時、吸収と位相変動を受け
ていた。その後に第２の反射光線２２が前記ＤＡＲＣ層
１３に透過して第１の反射光線２１と結合して位相変動
の解除が両反射光線２１と２２の間に起こり、これによ
り反射光線の強度を減少させる。
Ｃ層１３とフォトレジスト層１４がある。露光中に遠紫
外（ＤＵＶ）光２０が頂部から入射する。その第１の反
射光線２１は前記ＤＡＲＣ層１３からの反射であり、第
２の反射光線２２は基板１０からの反射であって、それ
はＤＡＲＣ層１３を透過した時、吸収と位相変動を受け
ていた。その後に第２の反射光線２２が前記ＤＡＲＣ層
１３に透過して第１の反射光線２１と結合して位相変動
の解除が両反射光線２１と２２の間に起こり、これによ
り反射光線の強度を減少させる。
【０００７】理論上、光線が多層構造を透過する時、そ
れが反射光線と入射光線を図１に示すように各界面で生
成することになる。したがって理論上は反射光線２１と
２２の他に第３の反射光線２３と第４の反射光線２４が
あるはずである。しかしながら前記ＤＵＶ光が図１に示
された様々の層に容易に透過できるので第３の反射光線
２３と第４の反射光線２４が第２の反射光線２２と結合
され得る。
れが反射光線と入射光線を図１に示すように各界面で生
成することになる。したがって理論上は反射光線２１と
２２の他に第３の反射光線２３と第４の反射光線２４が
あるはずである。しかしながら前記ＤＵＶ光が図１に示
された様々の層に容易に透過できるので第３の反射光線
２３と第４の反射光線２４が第２の反射光線２２と結合
され得る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】それにもかかわらず上
述のフォトリソグラフィー法における反射光線の抑制の
方法はつぎの問題点を有する。 １）ハード・マスク・フィルムの厚さが不均一である場
合、それは不均一の反射を生ずることになる。この種の
不均一な反射を従来の方法により抑制することは不可能
である。 ２）ＤＡＲＣ層上のＤＵＶ活性フォトレジスト層はそれ
が前記ＤＡＲＣ層と物理的に接触して薄いアミノ基（Ｎ
Ｈ２）のフィルムを生成する時、化学反応を受けること
になる。これは結果としてフォトレジスト層の続いて行
われるパターニングとともに、フーティング（ｆｏｏｔ
ｉｎｇ）効果をもたらすことになる。 ３）前記ＤＡＲＣ層の形成中、プラズマＣＶＤに関連し
た引続いて行われる急速加熱処理は前記ハード・マスク
層がイオンならびに熱応力の結果として物理的変化を受
けて後続のハード・マスク層のエッチング法に影響を与
える。 ４）前記ハード・マスク層の頂部にあるＤＡＲＣ層によ
ってパターンを形成する方法は、ＤＡＲＣ層とハード・
マスク層の除去を必要とする。前記ハード・マスク層の
エッチング法中、サイド・エッチングされて弓そり面を
形成する。
述のフォトリソグラフィー法における反射光線の抑制の
方法はつぎの問題点を有する。 １）ハード・マスク・フィルムの厚さが不均一である場
合、それは不均一の反射を生ずることになる。この種の
不均一な反射を従来の方法により抑制することは不可能
である。 ２）ＤＡＲＣ層上のＤＵＶ活性フォトレジスト層はそれ
が前記ＤＡＲＣ層と物理的に接触して薄いアミノ基（Ｎ
Ｈ２）のフィルムを生成する時、化学反応を受けること
になる。これは結果としてフォトレジスト層の続いて行
われるパターニングとともに、フーティング（ｆｏｏｔ
ｉｎｇ）効果をもたらすことになる。 ３）前記ＤＡＲＣ層の形成中、プラズマＣＶＤに関連し
た引続いて行われる急速加熱処理は前記ハード・マスク
層がイオンならびに熱応力の結果として物理的変化を受
けて後続のハード・マスク層のエッチング法に影響を与
える。 ４）前記ハード・マスク層の頂部にあるＤＡＲＣ層によ
ってパターンを形成する方法は、ＤＡＲＣ層とハード・
マスク層の除去を必要とする。前記ハード・マスク層の
エッチング法中、サイド・エッチングされて弓そり面を
形成する。
【０００９】本発明の目的は、フォトリソグラフィー法
における反射光線を抑制する方法を提供して、好ましく
ない反射と関連する問題の発生を防止することにある。
における反射光線を抑制する方法を提供して、好ましく
ない反射と関連する問題の発生を防止することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明は、フォトリソグラフィー法の実行過程での反射
の影響を低減させる方法であって、・第１の誘導体反射
防止コーティング（ＤＡＲＣ）層を基板上に形成する工
程と、・前記第１のＤＡＲＣ層上に形成されるハード・
マスク層を形成する工程と、・前記ハード・マスク層上
にフォトレジストをコーティングする工程と、・前記諸
工程に続いて行われ、フォトリソグラフィー法を進める
工程と、・反射光に吸収と位相変動に基づく強度低下を
生じさせる第２のＤＡＲＣ層を前記ハード・マスク層上
に形成する工程と、からなることを特徴とするものであ
り、また前記第１のＤＡＲＣ層がＳｉＨ４のＮ２Ｏに対
するガス流量の比を３：５に、温度を３５０乃至５５０
℃に、圧力を５．５トル乃至２０トルに、かつ蒸着フィ
ルムの厚さを３００乃至５００オングストロームに維持
して形成され、または前記第１のＤＡＲＣ層がＳｉＨ４
のＮ２Ｏに対するガス流量の比を３：５に、温度を３５
０乃至５５０℃に、圧力を５．５トル乃至２０トルに、
かつ蒸着フィルムの厚さを７００乃至９００オングスト
ロームに維持して形成され、さらに前記第２のＤＡＲＣ
層がＳｉＨ４のＮ２Ｏに対するガス流量の比を３：５
に、温度を３５０乃至５５０℃に、圧力を５．５トル乃
至２０トルとし、かつ蒸着フィルムの厚さを１０００オ
ングストローム以下に維持して形成される反射の影響を
低減させる方法を特徴とするものである。
本発明は、フォトリソグラフィー法の実行過程での反射
の影響を低減させる方法であって、・第１の誘導体反射
防止コーティング（ＤＡＲＣ）層を基板上に形成する工
程と、・前記第１のＤＡＲＣ層上に形成されるハード・
マスク層を形成する工程と、・前記ハード・マスク層上
にフォトレジストをコーティングする工程と、・前記諸
工程に続いて行われ、フォトリソグラフィー法を進める
工程と、・反射光に吸収と位相変動に基づく強度低下を
生じさせる第２のＤＡＲＣ層を前記ハード・マスク層上
に形成する工程と、からなることを特徴とするものであ
り、また前記第１のＤＡＲＣ層がＳｉＨ４のＮ２Ｏに対
するガス流量の比を３：５に、温度を３５０乃至５５０
℃に、圧力を５．５トル乃至２０トルに、かつ蒸着フィ
ルムの厚さを３００乃至５００オングストロームに維持
して形成され、または前記第１のＤＡＲＣ層がＳｉＨ４
のＮ２Ｏに対するガス流量の比を３：５に、温度を３５
０乃至５５０℃に、圧力を５．５トル乃至２０トルに、
かつ蒸着フィルムの厚さを７００乃至９００オングスト
ロームに維持して形成され、さらに前記第２のＤＡＲＣ
層がＳｉＨ４のＮ２Ｏに対するガス流量の比を３：５
に、温度を３５０乃至５５０℃に、圧力を５．５トル乃
至２０トルとし、かつ蒸着フィルムの厚さを１０００オ
ングストローム以下に維持して形成される反射の影響を
低減させる方法を特徴とするものである。
【００１１】本発明の反射防止法は、ウェーハ基板上に
パターニングされることになる下塗層を形成して、ＤＡ
ＲＣ層、ハード・マスク層およびフォトレジスト層の蒸
着を続けるものである。その後、露光が行われてパター
ンを転写する。本発明と公知の方法との間の相違は、前
記ＤＡＲＣ層がハード・マスク層の下面にあるという点
にあって逆の配置としては成り立たないものである。
パターニングされることになる下塗層を形成して、ＤＡ
ＲＣ層、ハード・マスク層およびフォトレジスト層の蒸
着を続けるものである。その後、露光が行われてパター
ンを転写する。本発明と公知の方法との間の相違は、前
記ＤＡＲＣ層がハード・マスク層の下面にあるという点
にあって逆の配置としては成り立たないものである。
【００１２】さらにＤＡＲＣ層をハード・マスク層の上
方と下方の両方に蒸着して、「サンドイッチ」構造を形
成することも可能である。この方法は基板上に下塗層を
形成し、その後ＤＡＲＣ層、ハード・マスク層および第
２のＤＡＲＣ層を蒸着により形成するものである。最後
にフォトレジスト層はコーティングされ、またパターン
は露光により形成される。
方と下方の両方に蒸着して、「サンドイッチ」構造を形
成することも可能である。この方法は基板上に下塗層を
形成し、その後ＤＡＲＣ層、ハード・マスク層および第
２のＤＡＲＣ層を蒸着により形成するものである。最後
にフォトレジスト層はコーティングされ、またパターン
は露光により形成される。
【００１３】
【発明の実施の形態】つぎに本発明を添付図面に基いて
説明する。図１乃至図５を参照して本発明の第１の実施
例を説明すると、つぎの４つの工程からなる。すなわち
説明する。図１乃至図５を参照して本発明の第１の実施
例を説明すると、つぎの４つの工程からなる。すなわち
【００１４】工程１：図２に示されているように、下塗
層３１が基板３０上に蒸着される。この下塗層は単層も
しくは多層のＳｉ基の材料、例えばＳｉＯ２もしくはＳ
ｉＮ ２とすることができる。
層３１が基板３０上に蒸着される。この下塗層は単層も
しくは多層のＳｉ基の材料、例えばＳｉＯ２もしくはＳ
ｉＮ ２とすることができる。
【００１５】工程２：図３に示されるように、ＤＡＲＣ
層３２が下塗層３１上に蒸着されてＳｉＨ４とＮ２Ｏを
反応体として用いるプラズマＣＶＤにより形成される。
このＤＡＲＣ層はＳｉｘＯｙＮｚ材料から構成される。
材料組成（ｘ、ｙ、ｚ）の量はプラズマＣＶＤの間で反
応ガスの流量と処理時間を調整することにより変えてＤ
ＡＲＣ層３２の組成を達成すると、結果として入射光線
が前記ＤＡＲＣ層３２の透過時に、光学的干渉を起こし
て反射を最大限に減少させる。 本発明に係る蒸着法
は、用いられた物質の種類により処理パラメーターを変
動するものである。例えば前記ＳｉＨ４のＮ２Ｏに対す
るガス流量（毎秒標準立方ｃｍ、ＳＣＣＭ）比が３：５
であり、温度が３５０乃至５５０℃の間の範囲、圧力が
５．５乃至２０トルの間の範囲、蒸着フィルムの厚さが
３００乃至５００オングストロームもしくは７００乃至
９００オングストロームの間の範囲である時、本発明の
反射減少能力がこれらの条件の下で達成できる。しかし
ながら本発明の着想に基く時、このプラズマＣＶＤの技
術分野における当業者ならば誰れでも上述の処理パラメ
ーターの組合わせに縛られることのない様々の組合わせ
の処理パラメーターを作製することができる。
層３２が下塗層３１上に蒸着されてＳｉＨ４とＮ２Ｏを
反応体として用いるプラズマＣＶＤにより形成される。
このＤＡＲＣ層はＳｉｘＯｙＮｚ材料から構成される。
材料組成（ｘ、ｙ、ｚ）の量はプラズマＣＶＤの間で反
応ガスの流量と処理時間を調整することにより変えてＤ
ＡＲＣ層３２の組成を達成すると、結果として入射光線
が前記ＤＡＲＣ層３２の透過時に、光学的干渉を起こし
て反射を最大限に減少させる。 本発明に係る蒸着法
は、用いられた物質の種類により処理パラメーターを変
動するものである。例えば前記ＳｉＨ４のＮ２Ｏに対す
るガス流量（毎秒標準立方ｃｍ、ＳＣＣＭ）比が３：５
であり、温度が３５０乃至５５０℃の間の範囲、圧力が
５．５乃至２０トルの間の範囲、蒸着フィルムの厚さが
３００乃至５００オングストロームもしくは７００乃至
９００オングストロームの間の範囲である時、本発明の
反射減少能力がこれらの条件の下で達成できる。しかし
ながら本発明の着想に基く時、このプラズマＣＶＤの技
術分野における当業者ならば誰れでも上述の処理パラメ
ーターの組合わせに縛られることのない様々の組合わせ
の処理パラメーターを作製することができる。
【００１６】工程３：図４に示されているように、ハー
ド・マスク層３３は前記ＤＡＲＣ層３２上に蒸着され
る。このハード・マスク層の材料はＣＶＤ法により蒸着
されるＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、もしくはＢＰＳＧ（ホウリ
ン珪酸ガラス）とすることができる。
ド・マスク層３３は前記ＤＡＲＣ層３２上に蒸着され
る。このハード・マスク層の材料はＣＶＤ法により蒸着
されるＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、もしくはＢＰＳＧ（ホウリ
ン珪酸ガラス）とすることができる。
【００１７】工程４：図５に示されているように、フォ
トレジスト層３４はハード・マスク層３３上にコーティ
ングされる。
トレジスト層３４はハード・マスク層３３上にコーティ
ングされる。
【００１８】上述の方法の工程２と３は本発明の実施例
の要旨である。先に述べたように、ＤＵＶ光はハード・
マスク層３３を容易に透過するので、パターンの歪みは
主として基板３０から反射された光線が原因であると考
えられている。図５に示されているように、入射光線４
０の入口が第３の反射光線４３と第４の反射光線４４を
生成することになる。同様に、前記ＤＡＲＣ層は第４の
反射光線に吸収と位相変動とを発生させて、結果として
第４の反射光線が第３の反射光線と結合する時、位相変
動が生じないことになる。この実施例では反射光線の強
度は入射光線の強度の１０％以下に減少される。
の要旨である。先に述べたように、ＤＵＶ光はハード・
マスク層３３を容易に透過するので、パターンの歪みは
主として基板３０から反射された光線が原因であると考
えられている。図５に示されているように、入射光線４
０の入口が第３の反射光線４３と第４の反射光線４４を
生成することになる。同様に、前記ＤＡＲＣ層は第４の
反射光線に吸収と位相変動とを発生させて、結果として
第４の反射光線が第３の反射光線と結合する時、位相変
動が生じないことになる。この実施例では反射光線の強
度は入射光線の強度の１０％以下に減少される。
【００１９】さらに本発明の実施例は他の公知の方法に
見られる欠点も克服できる。図１に示された公知の方法
を参照すると、ハード・マスク層１２の上方に形成され
ているＤＡＲＣ層１３はフォトレジスト層と接触するこ
とになる。その結果として発生する問題点は次の通りで
ある。
見られる欠点も克服できる。図１に示された公知の方法
を参照すると、ハード・マスク層１２の上方に形成され
ているＤＡＲＣ層１３はフォトレジスト層と接触するこ
とになる。その結果として発生する問題点は次の通りで
ある。
【００２０】１）ＤＵＶ感光性フォトレジスト層はそれ
が前記ＤＡＲＣ層と物理的に接触するようになると化学
反応を受けて前記フォトレジスト層の特性を変化して、
続いて実施される工程により除去され難い残留物を生成
するアミノ基を形成する。この残留物は図６に脚状の構
造物として示され、またこの現象はフーティング（ｆｏ
ｏｔｉｎｇ）効果と呼ばれる。 ２）前記ＤＡＲＣ層の蒸着工程の間で、高温プラズマ環
境が前記ハード・マスク層の特性を変えることになる。
これはハード・マスク層のエッチング速度の低下をもた
らし、それにより生産性を低下させる。ハード・マスク
層の後工程でのエッチングも影響を受けることになる。 ３）前記ＤＡＲＣ層がハード・マスク層に蒸着された状
態で、パターンがハード・マスク層に転写された時、Ｄ
ＡＲＣ層をエッチングにより除去する必要があり、これ
は工程を複雑にする。図７に示されるようにサイド・エ
ッチングにより弓そり効果４９が、前記ＤＡＲＣならび
ハード・マスク層を別々に除去する時、極めて容易に発
生する。
が前記ＤＡＲＣ層と物理的に接触するようになると化学
反応を受けて前記フォトレジスト層の特性を変化して、
続いて実施される工程により除去され難い残留物を生成
するアミノ基を形成する。この残留物は図６に脚状の構
造物として示され、またこの現象はフーティング（ｆｏ
ｏｔｉｎｇ）効果と呼ばれる。 ２）前記ＤＡＲＣ層の蒸着工程の間で、高温プラズマ環
境が前記ハード・マスク層の特性を変えることになる。
これはハード・マスク層のエッチング速度の低下をもた
らし、それにより生産性を低下させる。ハード・マスク
層の後工程でのエッチングも影響を受けることになる。 ３）前記ＤＡＲＣ層がハード・マスク層に蒸着された状
態で、パターンがハード・マスク層に転写された時、Ｄ
ＡＲＣ層をエッチングにより除去する必要があり、これ
は工程を複雑にする。図７に示されるようにサイド・エ
ッチングにより弓そり効果４９が、前記ＤＡＲＣならび
ハード・マスク層を別々に除去する時、極めて容易に発
生する。
【００２１】この実施例ではＤＡＲＣ層はハード・マス
ク層３３に先立って蒸着されるので、このハード・マス
ク層３３のフィルム特性は高温とプラズマによっては影
響されない。さらにこのＤＡＲＣ層３２がハード・マス
ク層の下方にあるので、フォトレジスト層３４はこのＤ
ＡＲＣ層と物理的に接触することがない。したがって前
記フーティング効果を呈することがない。最後に、前記
ハード・マスク層３３をエッチングする時ＤＡＲＣ層３
２を先づエッチングにより除去する必要がないので工程
を単純化することができる。
ク層３３に先立って蒸着されるので、このハード・マス
ク層３３のフィルム特性は高温とプラズマによっては影
響されない。さらにこのＤＡＲＣ層３２がハード・マス
ク層の下方にあるので、フォトレジスト層３４はこのＤ
ＡＲＣ層と物理的に接触することがない。したがって前
記フーティング効果を呈することがない。最後に、前記
ハード・マスク層３３をエッチングする時ＤＡＲＣ層３
２を先づエッチングにより除去する必要がないので工程
を単純化することができる。
【００２２】上述の方法に基き、第２のＤＡＲＣ層は不
均一なハード・マスク層の厚さと関連する不均一の反射
の問題を解決する時、ハード・マスク層上に蒸着でき
る。工程の流れは以下に述べる。 工程１：図８に示されるように、下塗層３１（単層もし
くは多層構造）が基板３０上に形成される。この下塗層
はＳｉ基の材料、例えばＳｉＯ２もしくはＳｉＮｘによ
り形成される。
均一なハード・マスク層の厚さと関連する不均一の反射
の問題を解決する時、ハード・マスク層上に蒸着でき
る。工程の流れは以下に述べる。 工程１：図８に示されるように、下塗層３１（単層もし
くは多層構造）が基板３０上に形成される。この下塗層
はＳｉ基の材料、例えばＳｉＯ２もしくはＳｉＮｘによ
り形成される。
【００２３】工程２：図９に示されるように、ＤＡＲＣ
層５０は下塗層３１上に蒸着され、また前記ＳｉＨ４と
Ｎ２Ｏを反応体として用いるプラズマＣＶＤにより形成
される。前記ＤＡＲＣ層はＳｉｘＯｙＮｚ材料からな
る。この材料組成（ｘ、ｙ、ｚ）の量は前記プラズマＣ
ＶＤ中の反応性ガスの流量と、プロセス時間の調整によ
り変更してＤＡＲＣ層５０の組成を達成すると、結果と
して入射光線で、それがＤＡＲＣ層５０に透過する時、
光学的な干渉を起して反射を最大限に減少させる。本発
明中に述べられた物質の種類により処理パラメーターを
変動できる。例えば、前記ＳｉＨ４のＮ２Ｏに対する流
量（毎秒標準立方ｃｍ、ＳＣＣＭ）比が３：５であり、
温度が３５℃乃至５５０℃の間の範囲、圧力が５．５乃
至２０トルの間の範囲、蒸着フィルムの厚さが３００乃
至５００オングストロームもしくは７００乃至９００オ
ングストロームの間の範囲である時、本発明の反射減少
能力がこれらの条件の下で達成できる。
層５０は下塗層３１上に蒸着され、また前記ＳｉＨ４と
Ｎ２Ｏを反応体として用いるプラズマＣＶＤにより形成
される。前記ＤＡＲＣ層はＳｉｘＯｙＮｚ材料からな
る。この材料組成（ｘ、ｙ、ｚ）の量は前記プラズマＣ
ＶＤ中の反応性ガスの流量と、プロセス時間の調整によ
り変更してＤＡＲＣ層５０の組成を達成すると、結果と
して入射光線で、それがＤＡＲＣ層５０に透過する時、
光学的な干渉を起して反射を最大限に減少させる。本発
明中に述べられた物質の種類により処理パラメーターを
変動できる。例えば、前記ＳｉＨ４のＮ２Ｏに対する流
量（毎秒標準立方ｃｍ、ＳＣＣＭ）比が３：５であり、
温度が３５℃乃至５５０℃の間の範囲、圧力が５．５乃
至２０トルの間の範囲、蒸着フィルムの厚さが３００乃
至５００オングストロームもしくは７００乃至９００オ
ングストロームの間の範囲である時、本発明の反射減少
能力がこれらの条件の下で達成できる。
【００２４】工程３：図１０に示されているように、ハ
ード・マスク層３３は前記ＤＡＲＣ層３２上に蒸着され
る。このハード・マスク層の材料はＣＶＤ工程により蒸
着させたＳｉＯ２、ＳｉＮ２もしくはＢＰＳＧとするこ
とができる。
ード・マスク層３３は前記ＤＡＲＣ層３２上に蒸着され
る。このハード・マスク層の材料はＣＶＤ工程により蒸
着させたＳｉＯ２、ＳｉＮ２もしくはＢＰＳＧとするこ
とができる。
【００２５】工程４：図１１に示されているように、第
２のＤＡＲＣ層５２はハード・マス層３３の上に蒸着さ
れる。材料はＳｉｘＯｙＮｚであり、フィルム厚さは１
０００オングストローム以下である。
２のＤＡＲＣ層５２はハード・マス層３３の上に蒸着さ
れる。材料はＳｉｘＯｙＮｚであり、フィルム厚さは１
０００オングストローム以下である。
【００２６】工程５：図１２に示されているように、フ
ォトレジスト層３４はウェーハ表面にコーティングされ
る。
ォトレジスト層３４はウェーハ表面にコーティングされ
る。
【００２７】この実施例の独特の部分が工程４にある。
この構造は２つのＤＡＲＣ層を備え、「サンドイッチ」
構造体を形成する。図１２に示されているように、入射
光線４０により生成された反射光線は第１のＤＡＲＣ層
５０で結合して、第３と第４の反射光線を結合された
時、位相変動の発生を防止する。結果としての反射光線
は第２のＤＡＲＣ層により生成された第１と第２の反射
光線とを結合させた時、位相変動の発生がさらに防止さ
れることになる。この反射光線はこの２つのＤＡＲＣ層
による吸収と位相変動の結果として著しく減らし得る。
反射光線の強度は入射光線の強度の１０％以下に減少し
得る。
この構造は２つのＤＡＲＣ層を備え、「サンドイッチ」
構造体を形成する。図１２に示されているように、入射
光線４０により生成された反射光線は第１のＤＡＲＣ層
５０で結合して、第３と第４の反射光線を結合された
時、位相変動の発生を防止する。結果としての反射光線
は第２のＤＡＲＣ層により生成された第１と第２の反射
光線とを結合させた時、位相変動の発生がさらに防止さ
れることになる。この反射光線はこの２つのＤＡＲＣ層
による吸収と位相変動の結果として著しく減らし得る。
反射光線の強度は入射光線の強度の１０％以下に減少し
得る。
【００２８】以上の通りこの実施例によれば、他の公知
の方法の欠点を解決するのにより有用なものである。ハ
ード・マスク層が不均一である場合、不均一の反射を生
成することになると考えられているが、本発明のこの実
施例には２つのＤＡＲＣ層５０および５２があるので、
前記不均一の反射光線の効果を第１のＤＡＲＣ層に透過
の後、低下させることになる。したがって不均一なハー
ド・マスク層３３のフィルムの厚さが原因の不均一反射
を減少させることが可能である。
の方法の欠点を解決するのにより有用なものである。ハ
ード・マスク層が不均一である場合、不均一の反射を生
成することになると考えられているが、本発明のこの実
施例には２つのＤＡＲＣ層５０および５２があるので、
前記不均一の反射光線の効果を第１のＤＡＲＣ層に透過
の後、低下させることになる。したがって不均一なハー
ド・マスク層３３のフィルムの厚さが原因の不均一反射
を減少させることが可能である。
【００２９】本発明はＤＡＲＣ層がフォトリソグラフィ
ー法の間の反射の抑制に利用できる２つの実施例を提供
している。この実施例はハード・マスク層と下塗層の構
造部材を利用しているが、本発明は異なる種類のＤＡＲ
Ｃ層を用いることで容易に実施でき、また露光構造によ
り制限されない。したがって本発明ではこの明細書で記
述された特許請求の範囲に関連するどのような利用も、
層の数、フィルム層の積層構造ならびに組成の変化に関
係なく行うことができる。
ー法の間の反射の抑制に利用できる２つの実施例を提供
している。この実施例はハード・マスク層と下塗層の構
造部材を利用しているが、本発明は異なる種類のＤＡＲ
Ｃ層を用いることで容易に実施でき、また露光構造によ
り制限されない。したがって本発明ではこの明細書で記
述された特許請求の範囲に関連するどのような利用も、
層の数、フィルム層の積層構造ならびに組成の変化に関
係なく行うことができる。
【００３０】
【発明の効果】以上述べた通り本発明によれば、好まし
くない反射と関連する種々の問題の発生を防止すること
ができ、フォトリソグラフィー法における反射光線を抑
制する方法を提供することができるものである。
くない反射と関連する種々の問題の発生を防止すること
ができ、フォトリソグラフィー法における反射光線を抑
制する方法を提供することができるものである。
【図１】反射光線効果の減少に用いられる公知の方法の
構造的断面概略図である。
構造的断面概略図である。
【図２】本発明に係る方法の一実施例の工程１を示す説
明図である。
明図である。
【図３】本発明の一実施例の工程２を示す説明図であ
る。
る。
【図４】本発明の一実施例の工程３を示す説明図であ
る。
る。
【図５】本発明の一実施例の工程４を示す説明図であ
る。
る。
【図６】従来の方法におけるフーティング効果から起因
するエッチング面を示す図である。
するエッチング面を示す図である。
【図７】他の従来の方法におけるハード・マスク層の利
用に起因する弓そり面を示す図である。
用に起因する弓そり面を示す図である。
【図８】本発明に係る方法の他の実施例の工程１を示す
説明図である。
説明図である。
【図９】本発明の他の実施例の工程２を示す説明図であ
る。
る。
【図１０】本発明の他の実施例の工程３を示す説明図で
ある。
ある。
【図１１】本発明の他の実施例の工程４を示す説明図で
ある。
ある。
【図１２】本発明の他の実施例の工程５を示す説明図で
ある。
ある。
１０ 基板 １１ 下塗層 １２ ハード・マスク層 １３ ＤＡＲＣ層 １４ フォトレジスト層 ２０ ＤＵＶ光 ２１ 第１の反射光線 ２２ 第２の反射光線 ２３ 第３の反射光線 ２４ 第４の反射光線 ３０ 基板 ３１ 下塗層 ３２ ＤＡＲＣ層 ３３ ハード・マスク層 ３４ フォトレジスト層 ４０ 入射光線 ４１ 第１の反射光線 ４２ 第２の反射光線 ４３ 第３の反射光線 ４４ 第４の反射光線 ４８ 脚状構造体 ４９ 弓なり効果 ５０ ＤＡＲＣ層 ５２ 第２のＤＡＲＣ層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (73)特許権者 591209109 シーメンス・アクチェンゲゼルシャフト ＳＩＥＭＥＮＳ ＡＫＴＩＥＮＧＥＳＥ ＬＬＳＣＨＡＦＴ ドイツ連邦共和国、80333 ミュンヘン、 ヴィッテルズバッハ・プラッツ ２ (72)発明者 ウエン−ピン．エン タイワン．シンチュ．クワン−ヒュア. イースト．ストリート．43−２ (72)発明者 チア−リン．クー タイワン．シンチュ．カウンティ．チュ −ペイ．シティ．チエン−チェン．Ｉ Ｉ．ロード．セブンス．フロア．ナンバ ー．83 (56)参考文献 特開 平10−92742（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−55351（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−46188（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−283198（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−312336（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−45926（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−273021（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 7/11 H01L 21/027
Claims (4)
- 【請求項１】 フォトリソグラフィー法の実行過程での
反射の影響を低減させる方法であって、 ・第１の誘導体反射防止コーティング（ＤＡＲＣ）層を
基板上に形成する工程と、 ・前記ＤＡＲＣ層上に形成されるハード・マスク層を形
成する工程と、 ・前記ハード・マスク層上にフォトレジストをコーティ
ングする工程と、 ・前記諸工程に続いて行われ、フォトリソグラフィー法
を進める工程と、 ・反射光に吸収と位相変動に基づく強度低下を生じさせ
る第２のＤＡＲＣ層を前記ハード・マスク層上に形成す
る工程と、 からなることを特徴とする反射の影響を低減させる方
法。 - 【請求項２】 前記第１のＤＡＲＣ層がＳｉＨ４のＮ２
Ｏに対するガス流量の比を３：５に、温度を３５０乃至
５５０℃に、圧力を５．５トル乃至２０トルに、かつ蒸
着フィルムの厚さを３００乃至５００オングストローム
に維持して形成されることを特徴とする請求項１記載の
フォトリソグラフィー法の実行過程での反射の影響の低
減方法。 - 【請求項３】 前記第１のＤＡＲＣ層の形成がＳｉＨ４
のＮ２Ｏに対するガス流量の比を３：５に、温度を３５
０乃至５５０℃に、圧力を５．５トル乃至２０トルに、
かつ蒸着フィルムの厚さを７００乃至９００オングスト
ロームに維持して形成されることを特徴とする請求項１
記載のフォトリソグラフィー法の実行過程での反射の影
響の低減方法。 - 【請求項４】 前記第２のＤＡＲＣ層がＳｉＨ４のＮ２
Ｏに対するガス流量の比を３：５に、温度を３５０乃至
５５０℃に、圧力を５．５トル乃至２０トルとし、かつ
蒸着フィルムの厚さを１０００オングストローム以下に
維持して形成されることを特徴とする請求項１記載のフ
ォトリソグラフィー法の実行過程での反射の影響の低減
方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/138,233 US6171764B1 (en) | 1998-08-22 | 1998-08-22 | Method for reducing intensity of reflected rays encountered during process of photolithography |
| DE19838847A DE19838847B4 (de) | 1998-08-22 | 1998-08-26 | Verfahren zum Vermindern der Intensität von während des Prozesses der Photolithographie auftretenden reflektierten Strahlen |
| JP24504998A JP3031896B2 (ja) | 1998-08-22 | 1998-08-31 | フォトリソグラフィー法の実行過程での反射の影響の低減方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/138,233 US6171764B1 (en) | 1998-08-22 | 1998-08-22 | Method for reducing intensity of reflected rays encountered during process of photolithography |
| DE19838847A DE19838847B4 (de) | 1998-08-22 | 1998-08-26 | Verfahren zum Vermindern der Intensität von während des Prozesses der Photolithographie auftretenden reflektierten Strahlen |
| JP24504998A JP3031896B2 (ja) | 1998-08-22 | 1998-08-31 | フォトリソグラフィー法の実行過程での反射の影響の低減方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000075491A JP2000075491A (ja) | 2000-03-14 |
| JP3031896B2 true JP3031896B2 (ja) | 2000-04-10 |
Family
ID=27218628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24504998A Expired - Fee Related JP3031896B2 (ja) | 1998-08-22 | 1998-08-31 | フォトリソグラフィー法の実行過程での反射の影響の低減方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6171764B1 (ja) |
| JP (1) | JP3031896B2 (ja) |
| DE (1) | DE19838847B4 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3354901B2 (ja) * | 1999-06-21 | 2002-12-09 | 株式会社半導体先端テクノロジーズ | 微細パターンの形成方法、半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| US6853043B2 (en) * | 2002-11-04 | 2005-02-08 | Applied Materials, Inc. | Nitrogen-free antireflective coating for use with photolithographic patterning |
| US20050118541A1 (en) * | 2003-11-28 | 2005-06-02 | Applied Materials, Inc. | Maintenance of photoresist adhesion and activity on the surface of dielectric ARCS for 90 nm feature sizes |
| US7365014B2 (en) * | 2004-01-30 | 2008-04-29 | Applied Materials, Inc. | Reticle fabrication using a removable hard mask |
| KR100673207B1 (ko) * | 2005-04-11 | 2007-01-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래쉬 메모리 소자의 제조방법 |
| US7829471B2 (en) * | 2005-07-29 | 2010-11-09 | Applied Materials, Inc. | Cluster tool and method for process integration in manufacturing of a photomask |
| US20070031609A1 (en) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Ajay Kumar | Chemical vapor deposition chamber with dual frequency bias and method for manufacturing a photomask using the same |
| US7375038B2 (en) * | 2005-09-28 | 2008-05-20 | Applied Materials, Inc. | Method for plasma etching a chromium layer through a carbon hard mask suitable for photomask fabrication |
| US20090104541A1 (en) * | 2007-10-23 | 2009-04-23 | Eui Kyoon Kim | Plasma surface treatment to prevent pattern collapse in immersion lithography |
| US10283361B1 (en) | 2017-11-29 | 2019-05-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Blocking structures on isolation structures |
| US11017520B2 (en) * | 2018-09-04 | 2021-05-25 | Kla Corporation | Multi-wavelength interferometry for defect classification |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0379924A3 (de) * | 1989-01-23 | 1990-11-07 | Siemens Aktiengesellschaft | Vefahren zur Verringerung reflektionsbedingter Srukturgrössenschwankungen in einer Deckschicht bei der in der Herstellung integrierten Schaltungen in einem Substrat verwendeten optischen Lithographie |
| US5472829A (en) * | 1991-12-30 | 1995-12-05 | Sony Corporation | Method of forming a resist pattern by using an anti-reflective layer |
| US5472827A (en) * | 1991-12-30 | 1995-12-05 | Sony Corporation | Method of forming a resist pattern using an anti-reflective layer |
| KR960005761A (ko) * | 1994-07-27 | 1996-02-23 | 이데이 노부유끼 | 반도체장치 |
| US5741626A (en) * | 1996-04-15 | 1998-04-21 | Motorola, Inc. | Method for forming a dielectric tantalum nitride layer as an anti-reflective coating (ARC) |
| US6083852A (en) * | 1997-05-07 | 2000-07-04 | Applied Materials, Inc. | Method for applying films using reduced deposition rates |
| US6562544B1 (en) * | 1996-11-04 | 2003-05-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for improving accuracy in photolithographic processing of substrates |
| US5858870A (en) * | 1996-12-16 | 1999-01-12 | Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. | Methods for gap fill and planarization of intermetal dielectrics |
| US5963841A (en) * | 1997-08-01 | 1999-10-05 | Advanced Micro Devices, Inc. | Gate pattern formation using a bottom anti-reflective coating |
-
1998
- 1998-08-22 US US09/138,233 patent/US6171764B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-08-26 DE DE19838847A patent/DE19838847B4/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-08-31 JP JP24504998A patent/JP3031896B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6171764B1 (en) | 2001-01-09 |
| DE19838847A1 (de) | 2000-03-09 |
| JP2000075491A (ja) | 2000-03-14 |
| DE19838847B4 (de) | 2006-07-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3320685B2 (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| US5672243A (en) | Antireflection coating for highly reflective photolithographic layers comprising chromium oxide or chromium suboxide | |
| JP3306678B2 (ja) | 金属パターン膜の形成方法 | |
| JP3031896B2 (ja) | フォトリソグラフィー法の実行過程での反射の影響の低減方法 | |
| JP3003657B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11214370A (ja) | アルミニウムを含む金属膜の蝕刻方法及びこれを用いた半導体装置の配線層形成方法 | |
| JPS596540A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000040671A (ja) | チタニウムアルミニウムナイトライド反射防止膜を利用した半導体素子の金属配線の形成方法 | |
| US5914277A (en) | Method for forming metallic wiring pattern | |
| JPH11204392A (ja) | 反射防止膜を使用した半導体装置の製造方法 | |
| US6017816A (en) | Method of fabricating A1N anti-reflection coating on metal layer | |
| JP3588222B2 (ja) | Ｘ線マスクの製造方法 | |
| JP2979651B2 (ja) | 半導体装置の配線形成方法 | |
| JP3339156B2 (ja) | 微細パターンの製造方法と半導体装置の製造方法 | |
| JPH05234965A (ja) | コンタクトホールの形成方法 | |
| JPS6332553A (ja) | フオトマスクブランクとフオトマスク | |
| JP3257245B2 (ja) | 微細パターンの形成方法 | |
| US11537049B2 (en) | Method of line roughness improvement by plasma selective deposition | |
| KR100479960B1 (ko) | 감광막 패턴의 미세 선폭 구현을 위한 난반사 방지막 제조방법 | |
| JPH0855791A (ja) | レジストパターン形成方法および反射防止膜形成方法 | |
| KR100269305B1 (ko) | 포토레지스트패턴쓰러짐을방지하는반사방지막형성방법 | |
| JP3167398B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0737799A (ja) | 半導体装置の微細パターン形成方法 | |
| KR100431297B1 (ko) | 반도체 소자의 비아홀 형성방법 | |
| KR20040069842A (ko) | 반사방지막 형성 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090210 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090210 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100210 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110210 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130210 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140210 Year of fee payment: 14 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |