JP3024092B2 - 改善された半導体の接触部構造形成方法 - Google Patents

改善された半導体の接触部構造形成方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子素子の製造に
関し、詳細には、大小の光信号によって形成されるフィ
ーチャーの最適解像度に関し、特に半導体素子の製造に
適用されるが、これには限定されない。なお、本明細書
で使用する”フィーチャー”とは、一般に半導体層等の
層をパターン化する際に使用される露光マスク上の露光
(形状)パターン、その露光(形状)パターンが転写さ
れたレジスト上の形状パターンおよびその形状パターン
に基づいてエッチング等により形成さる層上の形状パタ
ーンを含む意味で便宜的に使用されるものである。
【0002】
【従来の技術】半導体製造プロセスの実施は、図1に示
されるように素子構造1、接触部構造2、及び配線構造
3の主要な3つの異なる構成から成る構造を形成でき
る。素子構造1は、一般に半導体基板4を含み、半導体
4の表面4a上にトランジスタ8を含む。配線構造3
は、一般に1つあるいは複数のパッシベーション層6に
よって分離されている、1つあるいは複数レベルの配線
金属5を含む。配線構造3は、通常は水平の導電路7
(以下ラインと呼ばれる)を含み、これを通してトラン
ジスタ及び受動素子を相互接続できる。接触部構造2
は、一般に素子構造1と配線構造3との間に配置され
る。接触部構造2と素子構造1、及び配線構造3との間
の境界は、図1及び図2ではそれぞれ点線(図1では点
線A及び点線B)で示されている。接触部構造2は、絶
縁領域12を含み、この領域は、全体として参照番号9
によって示される垂直の導電路(以下スタッドと呼ばれ
る)をもち、この導電路は、配線構造3内のライン7
(以下配線ラインあるいは配線金属と呼ばれる)を素子
構造1に接続する。
【0003】『局部相互接続』(LI)方式を実現する
と、半導体集積回路の密度及び性能を改善できること
は、当分野で知られている。ここで使用されるようにL
Iは、配線構造3の下に配置されている隣接して配置さ
れているトランジスタあるいは他の半導体素子の、ライ
ンを使用する相互接続であるといえる。図1におけるL
I構造の一例は、ライン10である。LIが利用されな
い場合には、隣接して配置されたトランジスタも含めて
トランジスタ(あるいは他の半導体素子)間の相互接続
は、すべて接触部構造2内のスタッド9、及び配線構造
3内にある配線ライン7によって形成される必要があ
る。配線金属5の第1の層よりも下で相互接続を使用す
る方式は、局部相互接続を利用しない方式に比べ、スタ
ッド9及び配線ライン7の必要性を(必ずしもなくせる
わけではないが)削減できる。スタッド9は表面積を消
費するため、スタッド9の必要性を減少させることは、
結果として半導体素子の実装密度を改善する。また局部
相互接続ライン10は、配線ライン7よりも幅が狭い場
合もあり、半導体素子の実装密度を更に改善する結果と
なる。最後に、局部相互接続10の経路の長さは、配線
金属7を通じて延びる相互接続の経路の長さよりも通常
は短いため、LIを利用すると、本質的により小さい直
列抵抗、より小容量の分路キャパシタンス、及びより小
さい直列インダクタンスをもつ相互接続となる。この結
果、過渡時の性能が改善される。したがってLIの利用
目的は、実装密度を高め、伝播遅延を減少させることで
ある。
【0004】図2は、素子構造11と配線構造33との
間に挟まれる、LI方式を実現する接触部構造22のよ
り詳細な図である。種々のLI方式は、種々のレベルの
複雑性をもつことがある。例えば多くのLI方式は、1
つあるいは複数のストリップに限定される1つのレベル
の相互接続だけをもち、このストリップは、通常は多結
晶シリコンであり、LIラインと呼ばれ図の13で示さ
れ、フィールド分離領域121上に配置される。相互接
続のレベルを追加すると、プロセスを複雑にするが、L
Iライン13のみを使用して実現される改善以上に、実
装密度及び過渡時の性能を更に改善させることもでき
る。追加レベルの局部相互接続は、LIバーと呼ばれ図
の14で示され、フィールド分離領域121上のみでは
なく、ゲート電極15上、あるいはソース及びドレイン
の拡散領域16上にも配置できる。
【0005】当分野において一般的であるように、LI
ライン13は、通常はゲート電極15の形成中にフィー
ルド分離領域121の上面に形成される(これは、半導
体プロセスが電界効果トランジスタ(FET)プロセス
の場合であり、他の場合にはLIライン13は、別個に
形成されることもある)。この結果LIライン13は、
一般にはゲート電極15と同じ材料であり、同じ厚さで
ある。LIライン13は、通常はフィールド分離領域1
21の表面に沿って延び、したがってLIライン13
は、通常はソース及びドレインの拡散領域16に直接に
は接触しない。むしろLIライン13は、自身をソース
及びドレインの拡散領域16に電気的に接続するため
に、別の構造を必要とする。一般にLIライン13とソ
ース及びドレインの拡散領域16との間の接続は、1)
LIライン13からフィールド分離領域121を横断し
て拡散領域16までブリッジする、通常は金属で『スト
ラップ』と呼ばれる薄膜(図示せず)、あるいは2)ソ
ース及びドレインの拡散領域16とLIライン13とを
電気的に接続するために、フィールド酸化物121を横
断してブリッジする(ストラップと同類の)バー状構造
17、の2つの技法のいずれかによって形成される。図
1〜図14の構造が示すのは、2番目の技法を利用した
ものであるが、次に説明する本発明は、いずれの技法に
も適用できることを理解されたい。
【0006】LIバー14をトランジスタ端子(ゲート
電極15、ソース及びドレインの拡散領域16)上に直
接に配置できるため、LIバー14は、隣接して配置さ
れたトランジスタ(あるいは他の半導体素子)を直接に
接続できる。LIバーは、通常は部分的なスタッド構造
99aの形成中に形成される。既存技術の方法ではスタ
ッド構造は、一般には部分的なスタッド構造99a及び
99bを結合したものである。部分的なスタッド構造9
9a及び99bは、通常は2つの別々の連続したステッ
プにおいて形成される。すなわち部分的なスタッド構造
99aが先ず形成され、続いて部分的なスタッド構造9
9bが形成される。この方法は、部分的なスタッド構造
99bが部分的なスタッド構造99a上に積み重ねられ
るため、当分野では『スタック状』スタッド構造と呼ば
れる。LIバー14は、一般に部分的なスタッド構造9
9aの形成中に形成されるため、通常は部分的なスタッ
ド構造99aと同じ材料、及び同じ厚さである。一般に
部分的なスタッド構造99a及び99b用に使われる材
料は、タングステンのような金属である。LIバー14
が、部分的なスタッド構造99aと同じ厚さであるた
め、部分的なスタッド構造99a及びLIバー14の上
面と第1のレベルの配線金属55の底部との間に、第2
の絶縁層18が(第1の絶縁層20上に)必要である。
この第2の絶縁層18は、LIバー14が、配線構造3
3にある第1のレベルの金属55にショートすることを
防ぐ。部分的なスタッド構造99bは、この絶縁層18
を通って第1のレベルの金属55まで達する。LIバー
14は、トランジスタ端子を他のトランジスタ端子に相
互接続できる。
【0007】ゲート電極15は、前記で説明したように
一般には多結晶シリコンであり、部分的なスタッド構造
99a及び99bは、一般には金属である。LIライン
13は、通常はゲート電極15の形成中に形成されるた
め、一般には多結晶シリコンである。またLIバー14
は、前記で説明したように通常は部分的なスタッド構造
99aの形成中に形成されるため、一般には金属であ
る。多結晶シリコンは、概して金属よりも抵抗率が高
く、LIライン13の断面積は、LIバー14の断面積
よりも小さいため、LIライン13がもつ1単位長当た
りの抵抗は、LIバー14がもつ抵抗よりも大きい。こ
のためLIバー14は、一般には比較的長い相互接続用
に使われ、一方LIライン13は、一般には比較的短い
相互接続用に使われる。しかしLIバー19をLIライ
ン13上に直接に配置し、相互接続の抵抗率を低減でき
る。LIバー14は、フィールド分離領域121上だけ
ではなく、ゲート電極15上、あるいはソース及びドレ
インの拡散領域16上にも直接に配置できる。全体的な
表面積消費を最小限にする最適の配置に基づき、特定の
電気的接続が、LIバー14あるいはLIライン13と
して選択される。
【0008】前に述べたように局部相互接続の利用は、
従来のスタッドの必要性を完全に取り除けるわけではな
い。すなわちLIを利用するプロセスは、ゲート電極1
5、ソース及びドレインの拡散領域16、あるいは受動
素子(図示せず)を配線構造33に接続するために、一
般には部分的なスタッド構造99a及び99bの形成を
必要とする。更にLIを利用するプロセスは、LIバー
14あるいはLIライン13を配線構造33に接続する
スタッド(図示せず)の形成を一般に必要とする。した
がって接触部構造22内には、1)従来の部分的なスタ
ッド構造99a及び99b、2)配線構造33をLIバ
ー14あるいはLIライン13に接続するスタッド(図
示せず)、3)LIバー14、4)ソース及びドレイン
の拡散領域16をLIライン13に接続するバー状構造
17、5)ソース及びドレインの拡散領域16を同一ト
ランジスタのゲート電極に直接に接続するバー状構造
(図示せず)、が存在し得る。しかしスタッド構造99
a及び99bの形成中には、いずれの考えられる形状あ
るいはサイズの構造も形成できるので、前記のリスト
は、すべてを包含しているわけではない。LIライン1
3は(繰り返すと、通常はゲート電極15と同時に形成
されるため)、接触部構造22内ではなく、素子構造1
1内にあることに留意されたい。
【0009】要約すると図2は、一般に下部にある第1
のレベル21、及び上部にある第2のレベル23の2つ
のレベルを含む接触部構造22を示している。下部にあ
る第1のレベル21が先ず形成され、絶縁層20内に主
にLIバー14及び部分的なスタッド構造99aを含
む。上部にある第2のレベル23は、第1のレベルの後
に形成され、一般には第1のレベル21の上面21aと
配線構造33内の第1の金属層55との間に、絶縁層1
8を含む。第2のレベル23は、第1のレベル21内で
形成される部分的なスタッド構造99aを単に『延長す
る』部分的なスタッド構造99bを含む。
【0010】図3〜図8は、図2の接触部構造22と類
似ではあるが同一ではない接触部構造を形成するために
利用される、従来のプロセス方法を示している。
【0011】図3は、典型的な完成した素子構造27を
示し、この構造は、半導体基板82上に形成された完成
したトランジスタ24及び25、完成したフィールド分
離領域26及びLIライン28、ならびにそれぞれのゲ
ート酸化物上に重なるゲート電極31を含む。前記の構
造を形成する特定の方法は周知であり、ここでは詳しく
記述しない。
【0012】図4が示すのは、既存技術による接触部構
造形成方法における最初のステップによって形成される
構造である。先ず、例えばシリコン窒化物などから成る
エッチング停止層36が、素子構造27の表面上に形成
される。次に、リンケイ酸塩ガラス(以下PSGと呼ば
れる)のような絶縁層37を、エッチング停止層36上
に形成できる。絶縁層37は、例えば化学蒸着法(CV
D)、プラズマ強化CVD(PECVD)、あるいは低
圧CVD(LPCVD)による付着など周知の方法によ
って形成できる。
【0013】図5が示すのは、第1のレベル用マスク露
光、及びそれに続くエッチングによって形成される構造
である。図4の構造が形成されると、絶縁層37の表面
37a上に感光性材料(例えばフォトレジスト)の層
(図示せず)が形成される。次に、第1のレベル用マス
クの透明領域を通り抜ける光によって形成される光パタ
ーンが、感光層上に投影される。既存技術の方法では、
第1のレベル用マスクによって生成される光パターン
は、LIバー(例えば『バー』)とスタッド(例えば
『ホール』)との双方を含む。感光層は、適切に露光さ
れた後に現像される。現像は、現像用の溶液(例えば
『現像液』)の中に感光層を浸すことを含み、この溶液
は、感光層がそれぞれポジ型であるかネガ型であるかに
よって、それぞれ露光された領域、あるいは露光されて
ない領域のいずれかを溶解する作用がある。
【0014】このようにして絶縁層37は、スタッドあ
るいはLIバーが必要とされる領域が露光される。これ
らの領域は、例えば反応性イオン・エッチング(RI
E)によって異方性エッチングが行われ、その結果、絶
縁層37内に開口部52が形成される。次に、固化した
感光性材料が除去され、露出したエッチング停止層36
が、開口部52の領域内で選択的に除去される。
【0015】既存技術の方法では第1のレベル21用マ
スクは、図2の記述から明白なように、LIバー14と
スタッドの双方を描画するパターンを含む。LIライン
13は、通常はゲート電極15と同時に形成されるた
め、LIライン13を描画するパターンは、通常は接触
部構造22の第1のレベル21用マスク上ではなく、ゲ
ート電極15のレベル用マスク上に配置される。
【0016】図6は、完成された第1のレベル48を示
している。図5の構造形成が完了すると、開口部52
は、先ずチタンのような付着性を増強する材料の裏打ち
層38によって、次に窒化チタンなどの拡散障壁層39
によって共形的にコーティングされる。最後に導電体4
0(好ましくはタングステンのような金属)が、コーテ
ィングされた開口部52を充填する。次に導電体40
は、絶縁領域37に達するまで研磨される。
【0017】図6が示すのは、1)スタック状配線金属
−ゲート金属スタッドの第1の部分41、2)2つのス
タック状配線金属−拡散領域スタッドの第1の部分4
2、3)LIライン28とトランジスタ25の拡散領域
32aとの間を電気的に接続するために形成されるバー
状構造43、4)ゲート31上に配置されるLIバー4
4、及び5)拡散領域32b上に配置されるLIバー4
5である。この他のバー構造及びスタッド構造(例えば
フィールド酸化物を横断してブリッジし、隣接する拡散
領域を接続するバー状構造など)が可能である。ゲート
・スタッド41とLIバー44との相違、及びスタッド
42とLIバー45との相違は、図6に示されている断
面図では容易には分からない。これらの主な相違は、ス
タッド41及び42が、比較的小さいホール、または長
方形の構造で作り込まれる一方、LIバー44及び45
は、図面の平面から前に出、後に伸びるように設計され
た細長いラインである。したがってLIバー44及び4
5は、比較的大きい形状の光信号を使用して形成され、
一方スタッド41及び42は、比較的小さい形状の光信
号を使用して形成される。
【0018】図7が示すのは、第2のレベルの絶縁層4
6が、完成された第1のレベル48上に形成され、光学
的にパターン化され、更にエッチングされた後の接触部
構造である。先ず好ましくはPSGである絶縁層46
が、完成された第1のレベル48上に形成され、感光性
材料の層が、この絶縁層46上に形成される。次に、第
2のレベル用マスクによって作られ、(図2に示される
ように)第1のレベルの配線金属55に部分的なスタッ
ド構造99bを描画する光パターンが、この感光性材料
に照射される。感光層は、図5を使って前記で説明した
方法と同様の方法で露光され、したがって絶縁層46の
領域を露光する。絶縁層46の下には、第1のレベル4
8内で構造がすでに形成されている。露光された絶縁層
46の領域は除去され、この結果、絶縁層46内に開口
部49が形成される。
【0019】図8が示すのは、完成された接触部構造、
及び素子構造である。図7における構造が形成される
と、第2のレベルの絶縁層46の開口部49は、図5を
使って述べたように適切な付着性増強層及び拡散障壁層
を使用して先ず裏打ちされ、次にタングステンのような
適切な導電体51を使用して充填される。したがってこ
の例において接触部構造は、1)完全に形成されたスタ
ック状配線金属−ゲート金属スタッド52、2)2つの
完全に形成されたスタック状配線金属−拡散領域スタッ
ド53、3)拡散領域32aとLIライン28との間の
電気的接続を形成するバー状構造43、4)ゲート31
に沿って延びるLIバー44、及び5)この断面では配
線金属−LIバー・スタッド54にも接続されている、
拡散領域32bに沿って延びるLIバー45を含む。
【0020】戻って図2を参照すると、既存技術の接触
部構造用マスク・セットは、1)LIバー、スタッド、
及びバー状構造用のパターンをもつ第1のレベル21用
マスク、2)部分的なスタッド構造99b用のパターン
をもつ第2のレベル23用マスク、の2つのマスクを含
む。
【0021】既存技術による第1のレベル21用マスク
は、種々の形状及びサイズをもつ光パターンの作成に役
立ち、これらのパターンは、メタライゼーション(ある
いは、ネガ型とポジ型のどちらのフォトレジストが使用
されるかによっては絶縁)の領域を描画できる。第1の
レベル21用マスクは、例えばスタッド99a用の小さ
く丸い画像作成にも、LIバー14用の幅が広く長方形
の画像作成にも役立つ。光学投影システムから生成され
る光信号が、マスクを通過する光によってマスク面(例
えば対物面)に画像を作る。続いてこの光が、特定開口
数のレンズによって集束され、感光層(例えば画像面)
上に焦点を結ぶ。この開口数は、集光レンズが、対物面
から回折した光を最大限集光できる能力を示す1よりも
小さい数である。感光層上に焦点を結ぶ画像は、要求さ
れる光学画像のサイズ相違を関数として、単位面積当た
りの光の強度が異なる。概して対物面におけるフィーチ
ャー・サイズが小さいほど、画像面における単位面積当
たりの光の強度は、低下する。したがって既存技術によ
る第1のレベル用マスクを利用すると、リソグラフィの
問題が生じる。より詳細には、感光層に焦点を結んだと
きにスタッド99a(『ホール』)用のパターンが単位
面積当たりもつ光の強度は、LIバー14(『バー』)
用のパターンがもつ光の強度よりも低い。これは、ホー
ルのサイズがバーのサイズよりも小さいためである。一
般にはバーをホールよりも数倍大きくできる。より明確
には現在の最新技術では、バーを数ミクロンあるいはそ
れより大きくでき、一方ホールは、一般に数分の1ミク
ロンである。この結果最適の露光時間は、この2種類の
フィーチャーに対して異なる。
【0022】パターンのサイズに伴う光強度の変化は、
1)ホールを露光不足にするが、バーを所要の精度まで
プリントする、2)バーを過度に露光するが、ホールを
所要の精度までプリントする、あるいは3)前の2つの
選択間で妥協し、したがってホールとバーの双方とも所
要の精度まではプリントされないが、ホールとバーの双
方とも前の2つの選択ほどひどくは露光不足にされな
い、あるいは過度に露光されない、という不満足な選択
をする結果となる。以前にはこのジレンマは、第1のレ
ベル21用マスク内のフィーチャー寸法を変更し、プリ
ントにおける差異を補正することによって、対処されて
きた。例えば第1のレベル21用マスク上のバーのフィ
ーチャーは、必要なものよりも更に細くなるように形成
されたが、必要なホール露光のために過度に露光した結
果、フォトレジストの現像後に所要の寸法をもった『過
度に露光された』バーとなった。寸法が0.3μm以下
に減少すると、このような補正技術はもはや実行できな
い。
【0023】種々のサイズをもつフィーチャーを正確に
パターン化するという課題を解決する可能な代替方法
は、1)光の波長を短くする(これは、一定のフィーチ
ャー・サイズに対する回折した光の分散を減少させ
る)、あるいは2)投影システムの光帯域幅を増大させ
ることである。しかし波長を短くすることは、例えばX
線リソグラフィ・システムなどの更に費用のかかる製造
装置を必要とする。もう一方の代替方法である(より大
きい開口数の集光レンズを利用することによって)光帯
域幅を増大させることは、画像の焦点深度を低減させる
という欠点をもつ。長い焦点深度は、レンズの焦点面に
対するウェハの配置に大きい許容差を許すので、望まし
いものである。0.3μm以下の寸法では、小さいサイ
ズのフィーチャー用に単位面積当たりの光信号の強度を
上げるために、レンズの開口数を増大させることは、焦
点深度の許容度を法外に狭くする結果となる。したがっ
てこの課題に直接に対処する、費用効果の良い半導体装
置は、まだ入手できない。
【0024】必要とされるのは、既存の製造装置を利用
し、プロセスに多大な費用及び複雑性を追加することな
く、ホール及びバーの完全な光解像度を得る方法であ
る。
【0025】
【発明が解決しようとする手段】本発明の目的は、種々
のサイズをもつフィーチャーを形成する際に、前記で説
明した欠点を克服する製造方法を提供することである。
【0026】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、種々の
サイズの形状パターンを有する半導体構造を形成する方
法であって、 (a)半導体基板上に第1の絶縁体層を形成するステッ
プと、 (b)前記第1の絶縁体層上に、第1の形状パターンサ
イズを有する第1の複数の形状パターンのみをパターン
化するステップと、 (c)前記第1の複数の形状パターンに対応する前記第
1の絶縁体層の部分を除去し、その結果、前記第1の
縁体層内に前記第1のパターン化された複数の形状パタ
ーンに対応する第1の複数の開口部を形成するステップ
と、 (d)前記第1の複数の開口部を導電体で前記第1の絶
縁体層表面と実質的に同一なレベルにまで充填するステ
ップと、 (e)前記第1の絶縁体層及び前記導電体で充填された
開口部上に第2の絶縁体層を形成するステップと、 (f)前記第2の絶縁体層上に、前記第1の形状パター
ンサイズよりも小さい第2の形状パターンサイズを有す
る第2の複数の形状パターンをパターン化するステップ
と、 (g)前記第2の複数の形状パターンに対応する前記第
1の絶縁体層及び前記第2の絶縁体層の部分を除去し、
その結果、前記第2の絶縁体層内に前記第2のパターン
化された複数の形状パターンに対応し、前記第1の絶縁
層及び前記第2の絶縁体層を通して伸長する第2の複
数の開口部を形成するステップと、 (h)前記第2の複数の開口部を導電体で前記第2の絶
縁体層表面と実質的に同一なレベルにまで充填するステ
ップと、を含む方法が提供される。
【0027】本発明の方法は、1つの好ましい実施例に
おいて、少なくとも2つの絶縁層をもつ接触部構造を製
造するために使用される。バーあるいはバー状構造のみ
が、第1の絶縁層内に形成され、スタッド構造は、第2
の絶縁層形成後に形成される。したがって比較的大きい
(数ミクロン以上)フィーチャー(形状パターン)のみ
が、1つのレベルに形成され、比較的小さい(数分の1
ミクロン以下)フィーチャー(形状パターン)のみが、
もう1つのレベルに形成される。
【0028】
【発明の実施の形態】図9〜図14が示すのは、LIバ
ー及びLIラインの2つのレベルの局部相互接続をもつ
接触部構造を形成するために利用される、本発明による
方法の好ましい実施例を完了させる種々の段階における
半導体構造である。本発明の記述は、特に接触部構造に
関するが、本発明の課題とする内容を他の半導体構造に
も同様に適用できることは留意されたい。すなわち半導
体集積回路の全体的なリソグラフィ解像度を改善するた
めに、1つのレベルにおいて比較的大きいフィーチャー
のみを形成し、別のレベルにおいて比較的小さいフィー
チャーのみを形成する方法を、半導体プロセスのいかな
る場面においても利用できる。
【0029】図9は、典型的な完成された素子構造27
1を示し、この構造は、完成されたトランジスタ241
及び251、完成されたフィールド分離領域261、及
び完成されたLIライン281を含む。周知の方法によ
って、この図9に示される典型的な素子構造を形成でき
る。抵抗やコンデンサなどの受動素子は、図示されてい
ないが、完成された素子構造271内にこれらを形成で
きることを理解されたい。本発明によるプロセスが、こ
こに説明される素子構造271には限定されず、他の多
様な素子構造に適用できることも理解されたい。
【0030】トランジスタ251とトランジスタ241
の双方のゲート311は、多結晶シリコンであることが
好ましい。トランジスタ241及び251は、不純物を
ドープした(拡散領域321a及び321bを含む)拡
散領域321をゲート311の両側に含む。またトラン
ジスタ241とトランジスタ251の双方のゲート31
1、及びLIライン281は、側面に窒化物あるいは酸
化物のスペーサ34を付着されることが好ましく、また
それらの上にはケイ化チタン35の層を配置できる。
【0031】図示のためにフィールド分離領域261
は、浅いトレンチ構造として示されているが、本発明
は、浅いトレンチを利用する集積方式には限定されな
い。当分野に通常の知識をもつ当業者は、ここに説明さ
れる方法を他の分離方式(例えばLOCOSなど)にも
適用できることを、本明細書の開示から理解するであろ
う。
【0032】図10が示すのは、本発明による接触部構
造形成方法の好ましい実施例における最初のステップに
よって形成される構造である。先ず、例えば好ましくは
50nmの厚さであるシリコン窒化物層のエッチング停
止層62が、素子構造の表面上に形成される。次に、例
えば好ましくは6%のPSGで1050nmの厚さであ
るPSGなどの絶縁層60が、このエッチング停止層6
2上に形成される。エッチングあるいは研磨など周知の
方法のいずれかによって、この絶縁層60の一部分(例
えば約400nmのオーダを超える上部)を除去でき
る。この結果、エッチング停止層62及び絶縁層60を
含む多層構造が形成される。
【0033】図11が示すのは、第1のレベル用マスク
露光、及びこれに続くエッチングによって形成される構
造である。既存技術とは異なる本発明の方法に従うと、
類似サイズのフィーチャーのみが、第1のレベル用マス
クに含まれる。より詳細には、例えばスタッドのフィー
チャーは、第1のレベル用マスク上には配置されず、す
なわちバーを描画する光信号のみで第1のレベルが露光
される。したがって前述の露光ジレンマは回避され、バ
ーのフィーチャーが適切に露光される。図10の構造が
形成されると、感光性材料(例えばフォトレジスト)の
層が、絶縁層60の表面60a上に形成される。次に、
比較的大きいサイズのフィーチャーを描画する(例えば
バー構造のみで、スタッド構造を描画しない)光パター
ンが、第1のレベル用マスクの透明パターンを通過する
光によって形成され、感光層(図示せず)上に投影され
る。更に従来の方法で感光層を露光、現像でき、その結
果、LIバー及びバー状構造を必要とする絶縁層60の
領域が露光される。絶縁層60の露光された領域は、更
に異方性エッチング、好ましくは反応性イオン・エッチ
ング(RIE)によって除去され、それにより開口部6
1が、絶縁層60内に生成される。次に感光性材料が除
去され、露出したエッチング停止層62が、好ましくは
RIEによって選択的に除去され、したがってフィール
ド分離領域261、拡散領域321、及びシリサイド3
5は、影響を受けない。最後にこの形成された構造は、
好ましくは約600℃で30分間、随意選択でアニール
される。このようなアニーリング・ステップは、省略で
きる、あるいはより早い段階で実行することもできる
が、窒化物の層62が付着されてからアニーリングを実
行することが、有利であると思われる。
【0034】図12は、本発明の完成された第1のレベ
ル481を示す。既存技術とは異なり、LIバー及びバ
ー状のフィーチャーのみが、完成された第1のレベル内
に存在する。図11の構造が形成されると開口部61
は、先ず、好ましくは約10nmの厚さをもつチタンの
層である、付着性を増強する材料の比較的に薄い層66
によって、次に、好ましくは約100nmの厚さをもつ
窒化チタンの層である拡散障壁層67によって、共形的
にコーティングされる。形成された構造は、接触抵抗を
低くするために、全体的にアニールされることが好まし
い。適切なアニーリング条件は、例えば約550℃の加
熱温度で約30分間の持続時間である。最後に、好まし
くはタングステンのような金属である導電体68が、コ
ーティングされた開口部61を充填する。更に導電体6
8は、絶縁層60の表面60aに達するまで研磨され
る。
【0035】図12が示すのは、LIライン281とト
ランジスタ251の拡散領域321aとの間を電気的に
接続するために形成されるバー状構造69、ゲート電極
3111上に配置されるLIバー70、及び拡散領域3
21b上に配置されるLIバー71である。この他のバ
ー状構造(例えばフィールド酸化物を横断してブリッジ
し、隣接する拡散領域を接続するバー状構造)が可能で
あることを理解されたい。
【0036】図13が示すのは、完成された第1のレベ
ル481上に第2のレベルの絶縁層72が形成され、パ
ターン化され、更にエッチングされた後の接触部構造で
ある。好ましくは厚さが約600nmのPSGである絶
縁層72が、完成された第1のレベル481上に形成さ
れる。感光性材料の層(図示せず)が、この絶縁層72
上に形成される。次に、第2のレベル用マスクによって
作られ、比較的小さいフィーチャー(例えば配線構造へ
のスタッド接点)を描画する光パターンが、この感光性
材料に焦点を結ぶ。更に感光層を従来の方法で露光、現
像でき、その結果、自身の下にLIバー71、LIライ
ン(図示せず)、ゲート電極75、あるいは拡散領域7
6への必要な接続領域が存在する絶縁層72の領域を露
光する。
【0037】引き続き図13を参照すると、絶縁層72
と絶縁層60の双方の露光された領域が除去され、開口
部73が形成される。比較的小さいフィーチャー(例え
ばスタッド)を描画する開口部73aが、絶縁層72と
絶縁層60の双方を通って伸び、トランジスタ251及
びトランジスタ241に接触する手段を提供することが
示されている。開口部73aの形成は、高いアスペクト
比の除去技術を必要とする。深い開口部の形成が可能な
1つの好ましいエッチング方法は、例えば速いエッチン
グ速度の理由による高密度プラズマ・エッチングであ
る。適切なエッチング条件のより詳細は、ほぼ以下の表
1に示す通りである。
【表1】
【0038】より低速のエッチングを実施できるが、よ
り長いプロセス時間を必要とし、したがってプロセス費
用を増大させることは留意すべきである。絶縁領域72
及び60のエッチングは、素子構造上のエッチング停止
層62に達するまで続行する。最後に、エッチング停止
層62が除去される。
【0039】図14が示すのは、図12に関するコーテ
ィング及び充填の記述と同様に、開口部73が再度コー
ティング、充填された後の完成された接触部構造及び素
子構造である。したがってこの例における接触部構造
は、1)配線金属−ゲート金属スタッド80、2)2つ
の配線金属−拡散領域スタッド81、3)拡散領域32
1aとLIライン281との間の電気的接続を形成する
バー状構造69、4)ゲート電極311に沿って伸びる
LIバー70、5)拡散領域321bに沿って伸び、L
Iバー・スタッド85を通じて配線金属に接続すること
もできるLIバー1から成る。
【0040】好ましい実施例を使って本発明を詳しく図
示し、説明してきたが、当分野に知識をもつ当業者は、
本発明の意図及び範囲から離れることなく、形態及び細
部における他のさまざまな変更を行い得ることを理解す
るであろう。
【0041】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
【0042】(1)種々のサイズのフィーチャーを有す
る半導体構造を形成する方法であって、(a)半導体基
板上に第1の層を形成するステップと、(b)前記第1
の層上に、第1のフィーチャー・サイズを有する第1の
複数のフィーチャーのみをパターン化するステップと、
(c)前記第1の複数のフィーチャーに対応する前記第
1の層の部分を除去し、その結果、前記第1の層内に前
記第1のパターン化された複数のフィーチャーに対応す
る第1の複数の開口部を形成するステップと、(d)前
記第1の複数の開口部を充填するステップと、(e)前
記第1の層及び前記充填された開口部上に第2の層を形
成するステップと、(f)前記第2の層上に、第2のフ
ィーチャー・サイズを有する第2の複数のフィーチャー
をパターン化するステップと、(g)前記第2の複数の
フィーチャーに対応する前記第1の層及び前記第2の層
の部分を除去し、その結果、前記第2の層内に前記第2
のパターン化された複数のフィーチャーに対応し、前記
第1の層及び前記第2の層を通して伸長する第2の複数
の開口部を形成するステップと、(h)前記第2の複数
の開口部を充填するステップと、を含む方法。 (2)前記第1の層が絶縁体から成る、(1)に記載の
方法。 (3)前記第1の層及び前記第2の層が、それぞれ第1
の絶縁体及び第2の絶縁体から成る、(1)に記載の方
法。 (4)前記第1の絶縁体及び前記第2の絶縁体が同じで
ある、(3)に記載の方法。 (5)前記第1の層が化学蒸着法によって形成される、
(2)に記載の方法。 (6)前記第1の層及び前記第2の層が化学蒸着法によ
って形成される、(4)に記載の方法。 (7)前記第1の複数のフィーチャーが比較的大きいフ
ィーチャーから成る、(1)に記載の方法。 (8)前記比較的大きいフィーチャーがバー構造あるい
はバー状構造を描画する、(7)に記載の方法。 (9)前記第2の複数のフィーチャーが比較的小さいフ
ィーチャーから成る、(1)に記載の方法。 (10)前記比較的小さいフィーチャーがスタッドを描
画する、(9)に記載の方法。 (11)前記第1の層の部分を除去するステップ(c)
がエッチングを含む、(1)に記載の方法。 (12)前記第1の層の部分を除去するステップ(c)
が反応性イオン・エッチングを含む、(11)に記載の
方法。 (13)前記第2の層の部分を除去するステップ(g)
がエッチングを含む、(1)に記載の方法。 (14)前記第2の層の部分を除去するステップ(g)
が反応性イオン・エッチングを含む、(13)に記載の
方法。 (15)前記第1の複数の開口部を充填するステップ
(d)が、導電体を使用する前記第1の複数の開口部の
充填を含む、(1)に記載の方法。 (16)前記導電体がタングステンから成る、(15)
に記載の方法。 (17)前記第2の複数の開口部を充填するステップ
(h)が、導電体を使用する前記第2の複数の開口部の
充填を含む、(1)に記載の方法。 (18)前記導電体がタングステンから成る、(17)
に記載の方法。 (19)接触部構造を形成する方法であって、(a)半
導体基板上に第1の絶縁層を形成するステップと、
(b)前記第1の絶縁層上に、第1のフィーチャー・サ
イズを有する第1の複数のフィーチャーのみをパターン
化するステップと、(c)前記第1の複数のフィーチャ
ーに対応する前記第1の絶縁層の部分を除去し、その結
果、前記第1の絶縁層内に前記第1のパターン化された
複数のフィーチャーに対応する第1の複数の開口部を形
成するステップと、(d)導電体を使用して前記第1の
複数の開口部を充填するステップと、(e)前記第1の
絶縁層及び前記充填された開口部上に積層する第2の絶
縁層を形成するステップと、(f)前記第2の絶縁層上
に、第2のフィーチャー・サイズを有する第2の複数の
フィーチャーをパターン化するステップと、(g)前記
第2の複数のフィーチャーに対応する前記第1の絶縁層
及び前記第2の絶縁層の部分を除去し、その結果、前記
第2のパターン化された複数のフィーチャーに対応し、
前記第1の絶縁層及び前記第2の絶縁層を通して伸長す
る第2の複数の開口部を形成するステップと、(h)導
電体を使用して前記第2の複数の開口部を充填するステ
ップと、を含む方法。 (20)前記第1の絶縁層及び前記第2の絶縁層が同じ
である、(19)に記載の方法。 (21)前記第1の絶縁層及び前記第2の絶縁層が化学
蒸着法によって形成される、(20)に記載の方法。 (22)前記第1の複数のフィーチャーが比較的大きい
フィーチャーから成る、(19)に記載の方法。 (23)前記比較的大きいフィーチャーがバー構造ある
いはバー状構造を描画する、(22)に記載の方法。 (24)前記第2の複数のフィーチャーが比較的小さい
フィーチャーから成る、(19)に記載の方法。 (25)前記比較的小さいフィーチャーがスタッドを描
画する、(24)に記載の方法。 (26)前記第1の絶縁層の部分を除去するステップ
(c)がエッチングを含む、(19)に記載の方法。 (27)前記第1の絶縁層の部分を除去するステップ
(c)が反応性イオン・エッチングを含む、(26)に
記載の方法。 (28)前記第2の絶縁層の部分を除去するステップ
(g)がエッチングを含む、(19)に記載の方法。 (29)前記第2の絶縁層の部分を除去するステップ
(g)が反応性イオン・エッチングを含む、(28)に
記載の方法。 (30)前記第1の複数の開口部を充填するステップ
(d)が、導電体を使用する前記第1の複数の開口部の
充填を含む、(19)に記載の方法。 (31)前記導電体がタングステンから成る、(30)
に記載の方法。 (32)前記第2の複数の開口部を充填するステップ
(h)が、導電体を使用する前記第2の複数の開口部の
充填を含む、(19)に記載の方法。 (33)前記導電体がタングステンから成る、(32)
に記載の方法。
【図面の簡単な説明】
【図1】素子構造、接触部構造、及び配線構造を含む、
従来の半導体構造の概略図である。
【図2】素子構造、接触部構造、及び配線構造の一部を
含み、接触部構造の詳細を示す、従来の半導体構造の概
略図である。
【図3】従来の製造プロセスを完了させる種々の段階に
おける、図1及び図2に示される構造と類似の半導体構
造を示す概略図である。
【図4】従来の製造プロセスを完了させる種々の段階に
おける、図1及び図2に示される構造と類似の半導体構
造を示す概略図である。
【図5】従来の製造プロセスを完了させる種々の段階に
おける、図1及び図2に示される構造と類似の半導体構
造を示す概略図である。
【図6】従来の製造プロセスを完了させる種々の段階に
おける、図1及び図2に示される構造と類似の半導体構
造を示す概略図である。
【図7】従来の製造プロセスを完了させる種々の段階に
おける、図1及び図2に示される構造と類似の半導体構
造を示す概略図である。
【図8】従来の製造プロセスを完了させる種々の段階に
おける、図1及び図2に示される構造と類似の半導体構
造を示す概略図である。
【図9】本発明による方法の好ましい実施例を完了させ
る種々の段階における半導体構造を示す概略図である。
【図10】本発明による方法の好ましい実施例を完了さ
せる種々の段階における半導体構造を示す概略図であ
る。
【図11】本発明による方法の好ましい実施例を完了さ
せる種々の段階における半導体構造を示す概略図であ
る。
【図12】本発明による方法の好ましい実施例を完了さ
せる種々の段階における半導体構造を示す概略図であ
る。
【図13】本発明による方法の好ましい実施例を完了さ
せる種々の段階における半導体構造を示す概略図であ
る。
【図14】本発明による方法の好ましい実施例を完了さ
せる種々の段階における半導体構造を示す概略図であ
る。
【符号の説明】
1 素子構造 2 接触部構造 3 配線構造 4 半導体基板 4a 半導体の表面 5 配線金属 6 パッシベーション層 7 配線ライン 8 トランジスタ A 接触部構造と素子構造との境界 B 接触部構造と配線構造との境界 9 スタッド 10 局部相互接続ライン 11 素子構造 12 絶縁領域 13 LIライン 14 LIバー 15 ゲート電極 16 ソース及びドレインの拡散領域 17 バー状構造 18 第2の絶縁層 19 LIバー 20 第1の絶縁層 21 接触部構造の第1のレベル 21a 接触部構造の第1のレベル上面 22 接触部構造 23 接触部構造の第2のレベル 24、25 トランジスタ 26 フィールド分離領域 27 素子構造 28 LIライン 31 ゲート電極 32a、32b 拡散領域 33 配線構造 34 スペーサ 35 ケイ化チタン層 36 エッチング停止層 37 第1のレベルの絶縁層 37a 第1のレベルの絶縁層上面 38 付着性増強層 39 拡散障壁層 40 導電体 41 スタック状配線金属−ゲート金属
スタッドの第1の部分 42 スタック状配線金属−拡散領域ス
タッドの第1の部分 43 バー状構造 44、45 LIバー 46 第2のレベルの絶縁層 48 接触部構造の第1のレベル 49 第2のレベルの絶縁層内開口部 51 導電体 52(図5) 第1のレベルの絶縁層内開口部 52(図8) スタック状配線金属−ゲート金属
スタッド 53 スタック状配線金属−拡散領域ス
タッド 54 配線金属−LIバー・スタッド 55 配線金属 60 第1のレベルの絶縁層 60a 第1のレベルの絶縁層上面 61 第1のレベルの絶縁層内開口部 62 エッチング停止層 66 付着性増強層 67 拡散障壁層 68 導電体 69 バー状構造 70、71 LIバー 72 第2のレベルの絶縁層 73 第2のレベルの絶縁層内開口部 77 付着性増強層 78 拡散障壁層 79 導電体 80 配線金属−ゲート金属スタッド 81 配線金属−拡散領域スタッド 82 半導体基板 85 LIバー・スタッド 99a、99b 部分的なスタッド構造 121 フィールド分離領域 241、251 トランジスタ 261 フィールド分離領域 271 素子構造 281 LIライン 311 ゲート電極 321 拡散領域 481 接触部構造の第1のレベル
フロントページの続き (72)発明者 スティーブン・エドワード・グレコ アメリカ合衆国12540、ニューヨーク州 ラグランジビル、ハードン・ドライブ 77 (72)発明者 ティーナ・ジェイン・ワグナー アメリカ合衆国12550、ニューヨーク州 ニューバーグ、フォスタータウン・ロー ド 343 (56)参考文献 特開 平6−120447(JP,A) 特開 平8−236717(JP,A) 特開 平4−106971(JP,A) 特開 平6−310677(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/3205 H01L 21/3213 H01L 21/768

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】種々のサイズの形状パターンを有する半導
    体構造を形成する方法であって、 (a)半導体基板上に第1の絶縁体層を形成するステッ
    プと、 (b)前記第1の絶縁体層上に、第1の形状パターンサ
    イズを有する第1の複数の形状パターンのみをパターン
    化するステップと、 (c)前記第1の複数の形状パターンに対応する前記第
    1の絶縁体層の部分を除去し、その結果、前記第1の
    縁体層内に前記第1のパターン化された複数の形状パタ
    ーンに対応する第1の複数の開口部を形成するステップ
    と、 (d)前記第1の複数の開口部を導電体で前記第1の絶
    縁体層表面と実質的に同一なレベルにまで充填するステ
    ップと、 (e)前記第1の絶縁体層及び前記導電体で充填された
    開口部上に第2の絶縁体層を形成するステップと、 (f)前記第2の絶縁体層上に、前記第1の形状パター
    ンサイズよりも小さい第2の形状パターンサイズを有す
    る第2の複数の形状パターンをパターン化するステップ
    と、 (g)前記第2の複数の形状パターンに対応する前記第
    1の絶縁体層及び前記第2の絶縁体層の部分を除去し、
    その結果、前記第2の絶縁体層内に前記第2のパターン
    化された複数の形状パターンに対応し、前記第1の絶縁
    層及び前記第2の絶縁体層を通して伸長する第2の複
    数の開口部を形成するステップと、 (h)前記第2の複数の開口部を導電体で前記第2の絶
    縁体層表面と実質的に同一なレベルにまで充填するステ
    ップと、を含む方法。
  2. 【請求項2】前記第1の複数の開口部を前記第1の絶縁
    体層表面と実質的に同一なレベルにまで導電体で充填す
    るステップが、前記導電体を前記第1の絶縁体層表面に
    達するまで研磨するステップを含む、請求項1に記載の
    方法。
  3. 【請求項3】前記第1の複数の形状パターンがバー構造
    あるいはバー状構造を描画し、前記 第2の複数の形状パ
    ターンがスタッドを描画する、請求項1に記載の方法。
  4. 【請求項4】前記第2の複数の形状パターンが数分の1
    ミクロン以下の小さいサイズから成る、請求項1に記載
    の方法。
  5. 【請求項5】接触部構造を形成する方法であって、 (a)半導体基板上に第1の絶縁層を形成するステップ
    と、 (b)前記第1の絶縁層上に、第1の形状パターンサイ
    ズを有する第1の複数の形状パターンのみをパターン化
    するステップと、 (c)前記第1の複数の形状パターンに対応する前記第
    1の絶縁層の部分を除去し、その結果、前記第1の絶縁
    層内に前記第1のパターン化された複数の形状パターン
    に対応する第1の複数の開口部を形成するステップと、 (d)導電体を使用して前記第1の複数の開口部を前記
    第1の絶縁体層表面と実質的に同一なレベルにまで充填
    するステップと、 (e)前記第1の絶縁層及び前記充填された開口部上に
    積層する第2の絶縁層を形成するステップと、 (f)前記第2の絶縁層上に、前記第1の形状パターン
    サイズよりも小さい第2の形状パターンサイズを有する
    第2の複数の形状パターンをパターン化するステップ
    と、 (g)前記第2の複数の形状パターンに対応する前記第
    1の絶縁層及び前記第2の絶縁層の部分を除去し、その
    結果、前記第2のパターン化された複数の形状パターン
    に対応し、前記第1の絶縁層及び前記第2の絶縁層を通
    して伸長する第2の複数の開口部を形成するステップ
    と、 (h)導電体を使用して前記第2の複数の開口部を前記
    第2の絶縁体層表面と実質的に同一なレベルにまで充填
    するステップと、を含む方法。
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