JP2984914B2 - チップ型ヒューズ抵抗器とその電極構造 - Google Patents
チップ型ヒューズ抵抗器とその電極構造Info
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Description
抗器、特にそのヒューズ性を有する抵抗膜の材料と、チ
ップ型ヒューズ抵抗器の電極構造に関する。
材料で分離してなるチップ型ヒューズ抵抗器があり、ま
たヒューズ部を有しない単なるチップ型抵抗器の抵抗膜
に酸化ルテニウム(RuO2)系のペーストを均一の厚
さで印刷・焼成して用いたものがある。
る抵抗膜のみからなる酸化ルテニウムは、電極との関係
で、電極がAuやAg−Pt系、Ag−Pd系の場合に
その拡散を防止し、抵抗の特性の劣化を防止するといっ
た単なるチップ型抵抗器では意味があったが、ヒューズ
部を有するチップ型抵抗器の場合にはヒューズ部の過負
荷による発炎、発火、炸裂等が生じ、そのために集積回
路基板上の他の部品へのダメージを及ぼすというチップ
型ヒューズ抵抗器の問題点を解決したものではない。特
に、このヒューズ部の発炎、発火、炸裂は、近年の電子
機器の回路の小型化にともなって上記ダメージはより深
刻であり、集積回路の低価格化とも相俟って上記問題点
を増幅している。
で分離したチップ型ヒューズ抵抗器として酸化ルテニウ
ムを採用したものもあるが、これはヒューズ抵抗器の厚
膜抵抗部にのみ使用したもので、溶断するヒューズ部と
しては従来通り金、銀、白金、ロジウム、パラジウム等
の金属有機ペーストを薄膜溶断部として異種材料を各別
に機能されたもので、酸化ルテニウムにより溶断性をも
たせたものではない。したがって、この従来構造はヒュ
ーズ部における熱集中による溶断機能を金属有機ペース
トに持たせて、発炎を防止し、厚膜抵抗部は酸化ルテニ
ウムを用いたものである。作り方としては、厚膜抵抗部
をスクリーン印刷法により、薄膜ヒューズ部をスクリー
ン印刷法及び/又はフォトエッチング法といった別々の
工程で製作するためにコスト高は避けられず、上記低価
格化に沿わないだけでなく、高い抵抗値に対応できない
といった問題点を残している。
テニウムだけでヒューズ部と抵抗部とからなるヒューズ
器を作ってみてはどうかという考えもあるが、酸化ルテ
ニウムのみでは速断といった溶断特性は向上しないとい
うヒューズとしての根本的な欠点がある。
属有機ペーストのみを用いると抵抗値を高くすることが
困難となり、特に保護膜が有機物の樹脂である場合に発
炎が多発することになる。
の目的はヒューズ部と抵抗部をともに一種類の材料によ
り、製造工程の簡易化を図り、かつ一種類にした場合の
金属有機ペーストに較べてヒューズ部における溶断性の
悪いところを絶縁基板上に熱伝導性の低い材料層を形成
することで補い、さらに保護膜をガラス膜としたことに
よって、発炎などを防止して量産性の向上を図ることに
よって市場ニーズにあった安価なチップ型ヒューズ抵抗
器を提供せんとする。
で抵抗膜をルテニウム系材料一種類とし、このルテニウ
ムの溶断性の悪いところを絶縁基板上のヒューズ部と抵
抗部の厚さを異ならせることで補い、しかもルテニウム
系材料を用いることによる溶断特性(速断性と抵抗値を
高くする)を良好にした。
集中による保護膜における発炎などを防止せんとする。
グレーズ層を絶縁基板面上に、ルテニウム系材料で層状
に形成することによって、Ag,Ag−Pd,金,白金
合金ペーストなどの電極との密着性を良好にすると共
に、電極上のめっきつけ性を良好にしたチップ型ヒュー
ズ抵抗器を提供する。
ズ抵抗器の電極の層構造を、絶縁基板上のグレーズ層上
にAg系電極層を形成すると互いの密着力が悪いという
欠点が生じるため、これらの間にルテニウム系材料の層
を介在することで解消し、しかもグレーズ層上にルテニ
ウム系を抵抗膜と同じように絶縁基板全面に施している
ので、電極部における新たなる工程が必要なく生産が向
上できるということも考慮した。
板と、保護膜と、これらの間に挟まれたヒューズ部と抵
抗部を備えたヒューズ性を有する抵抗膜と、抵抗膜の両
端に位置する電極と、を備えたチップ型ヒューズ抵抗器
であって、前記絶縁基板上にグレーズ層を形成するとと
もに、その上の前記抵抗膜のヒューズ部を抵抗部より膜
厚を薄くするか及び/又は狭幅にしたルテニウム系材料
とし、かつ前記保護膜をガラス膜としたことを特徴とす
るチップ型ヒューズ抵抗器。
にスリットを入れたアルミナセラミック、ムライトや窒
化アルミなどが用いられる。
など従来から使用されている合成樹脂ではなく、CaO
−BaO−SiO2系やCaO−Al2O3−SiO2系の
ガラス膜を用いる。
遮断性かつ抵抗値を上げたという理由からルテニウム酸
鉛やルテニウム酸ビスマスなどのルテニウム系材料の各
一種類を用いるが、当然溶断するヒューズ部を抵抗部よ
り狭幅及び/又は抵抗部より膜厚を薄くする。ヒューズ
部と抵抗部の幅を略同じとすると、前者のヒューズ部の
膜厚を3μm〜10μm(3μm以下だと定格電流が確
保できず、10μm以上だと溶断といったヒューズ機能
が得られにくい)といった場合に後者の抵抗部の膜厚は
それより5μm〜15μm厚くすることで良好な溶断特
性が得られる。
はこれらの混合物が考えられる。
ル構造の酸化ルテニウムの他にパイロクロア構造のルテ
ニウム酸鉛などがある。
保護膜と、これらの間に挾まれたヒューズ部と抵抗部を
有するヒューズ性を有する抵抗膜と、抵抗膜の両端に位
置する電極と、を備えたチップ型ヒューズ抵抗器にあっ
て、前記電極が、絶縁基板のグレーズ層上にルテニウム
系材料を、その上にAg系膜、さらにその最上層にスズ
−鉛合金などのめっきの層を形成したものであることを
特徴とするチップ型ヒューズ抵抗器の電極構造がある。
−Pt,Ag−Pdなどがある。
熱伝導率を低下させてヒューズ部に熱が集中するように
するためにその上層をルテニウム材料単独で使用しても
抵抗値をあげ、しかも溶断特性の優れたチップ型ヒュー
ズ抵抗器が得られる。また、ルテニウム系材料がグレー
ズ層と接することによりヒューズ部が発熱しても、ルテ
ニウム系材料の上方層でヒューズ部を作る場合、その溶
断特性から3μm〜10μmが好ましいが、残留抵抗を
大きくするためにはヒューズ部膜厚を抵抗部のそれより
5μm〜15μm薄くすることが好ましい。
ーズ層、ルテニウム系材料層、およびAg系厚膜にする
ことでグレーズ層に対する電極としての密着力を良好に
するという作用が得られる。特に、グレーズ層とルテニ
ウム系材料層を接し、ルテニウム層上にAg系厚膜を接
合することで両者の密着力と、Ag系膜上のめっきづけ
性が向上する。
基づいて説明する。
器の斜視図であり、図2は図1のA−A´断面図であ
る。
は、アルミナ絶縁基板1上の全面にグレーズ膜2として
のSiO2系ガラス膜がスクリーン印刷によって印刷さ
れ、焼成されている。
酸化ルテニウム(RuO2)が両側部5,6を残して帯
状に形成し、該膜中央部のヒューズ部4と両端の電極部
7に該当する箇所を厚さ3μm〜10μmと薄くし、こ
れらの間の抵抗部8をさらに5μm〜15μm厚く形成
する。この抵抗部8にはトリミング跡9がある。
7の上に基板の側面に至るまでAg電極10が積層さ
れ、この電極10の一部と上記により露出した抵抗膜3
の全面を保護膜ガラス11としてのCaO−Al2O3−
SiO2で被覆している。
あるいは塗布ローラなどによって上記保護膜ガラス11
との間に上記Ag電極10を一部露出させて端面電極1
2を形成する。
したAg電極10を被ってニッケル及びスズ−鉛合金の
めっき膜が被覆される。
ズ抵抗器の製造手順を図3によって説明する。
ラスペーストをスクリーン印刷により印刷する(S
1)。そして、この印刷したものを焼成してグレーズ膜
2を形成する(S2)。
ルテニウム3をスクリーン印刷するが、その形態は中央
の膜厚を薄くした膜部(ヒューズ部)4と両端の膜厚が
薄い膜部10と、これら膜厚が薄い膜部に対して厚肉に
した抵抗部8とを凹凸状に形成したものとする(S
3)。この凹凸は、技術的にはスクリーン目を変えて塗
布量を異にする一度のスクリーン印刷でもできるが、複
数回の積層印刷にすることも可能である。そして、この
印刷したものを焼成する(S4)。
が薄い膜部7上にAg電極10を印刷し(S5)焼成す
る(S6)。
後に酸化ルテニウムの抵抗膜3にある抵抗部8にトリミ
ング9を施こす(S7)。
酸鉛系の保護ガラスを印刷し(S8)、焼成する(S
9)。
絶縁基板を縦にクラッキングし(S10)、クラッキン
グした端面にロールや浸漬法で端面電極12を塗布など
印刷してから(S11)、焼成し(S12)、さらに横
にクラッキングして1個別のヒューズ抵抗器のチップと
し(S13)、これら多数のチップにめっき膜を施こし
(S14)、最後に品質検査をして完成する(S1
5)。
縁基板上にグレーズ層を形成し、その上に抵抗膜として
薄肉又は/及び狭幅のヒューズ部とヒューズ部より厚肉
または/及び広幅の抵抗部を単一材料のルテニウム系材
料を一度に施こしたので、製造工程が簡略化するだけで
なく、高価な金や銀の有機ペーストを用いることがない
ので安価で量産性に優れたチップ型ヒューズ抵抗器が得
られる。
るだけでは溶断特性が良くないところから、これを良く
するために絶縁基板上にグレーズ層を設けてからルテニ
ウム系材料を層状に形成した。
なっても保護膜をガラス層としたことにより発炎や発火
を阻止することもできる。
μm〜10μmとすることで速断性を良くし、この膜厚
よりもさらに5μm〜15μm厚くした抵抗部をもうけ
ることでヒューズ全体の残留抵抗を大きくし、性能をア
ップした。
ズ抵抗器の電極構造を下層にルテニウム系材料、その上
をAg系膜、さらにその最上層にスズ−鉛合金めっき膜
からの層にしたので、電極の信頼性(密着力)が良くな
るという効果を奏する。
極構造を示す斜視図である。
チャートである。
Claims (3)
- 【請求項1】 絶縁基板と、保護膜と、これらの間に挟
まれたヒューズ部と抵抗部を備えたヒューズ性を有する
抵抗膜と、抵抗膜の両端に位置する電極と、を備えたチ
ップ型ヒューズ抵抗器であって、前記絶縁基板上にグレ
ーズ層を形成するとともに、その上の前記抵抗膜のヒュ
ーズ部を抵抗部より膜厚を薄くするか及び/又は狭幅に
したルテニウム系材料とし、かつ前記保護膜をガラス膜
としたことを特徴とするチップ型ヒューズ抵抗器。 - 【請求項2】 前記抵抗膜のヒューズ部の膜厚を3μm
〜10μmとし、これより抵抗部の膜厚を5μm〜15
μm厚くしたことを特徴とする請求項1に記載のチップ
型ヒューズ抵抗器。 - 【請求項3】 絶縁基板と、保護膜と、これらの間に挟
まれたヒューズ部と抵抗部を備えたヒューズ性を有する
抵抗膜と、抵抗膜の両端に位置する電極と、を備えたチ
ップ型ヒューズ抵抗器であって、前記電極が、前記絶縁
基板のグレーズ層上のルテニウム系材料、その上にAg
系膜、さらにその上にめっき膜を形成したものであるこ
とを特徴とするチップ型ヒューズ抵抗器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8235320A JP2984914B2 (ja) | 1996-09-05 | 1996-09-05 | チップ型ヒューズ抵抗器とその電極構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8235320A JP2984914B2 (ja) | 1996-09-05 | 1996-09-05 | チップ型ヒューズ抵抗器とその電極構造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1079301A JPH1079301A (ja) | 1998-03-24 |
JP2984914B2 true JP2984914B2 (ja) | 1999-11-29 |
Family
ID=16984368
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8235320A Expired - Lifetime JP2984914B2 (ja) | 1996-09-05 | 1996-09-05 | チップ型ヒューズ抵抗器とその電極構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2984914B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6039411B2 (ja) * | 2012-12-27 | 2016-12-07 | キヤノン株式会社 | インクジェットヘッド用基板、インクジェットヘッド、インクジェットヘッドの製造方法 |
JP6143454B2 (ja) * | 2012-12-27 | 2017-06-07 | キヤノン株式会社 | インクジェットヘッド用基板、インクジェットヘッドおよびインクジェット記録装置 |
-
1996
- 1996-09-05 JP JP8235320A patent/JP2984914B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH1079301A (ja) | 1998-03-24 |
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