JP2978050B2 - 非晶質合金半導体の製造方法 - Google Patents
非晶質合金半導体の製造方法Info
- Publication number
- JP2978050B2 JP2978050B2 JP6010761A JP1076194A JP2978050B2 JP 2978050 B2 JP2978050 B2 JP 2978050B2 JP 6010761 A JP6010761 A JP 6010761A JP 1076194 A JP1076194 A JP 1076194A JP 2978050 B2 JP2978050 B2 JP 2978050B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- thin film
- sige
- film
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、非晶質シリコンゲルマ
ニウムを製造する方法に関するものである。
ニウムを製造する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】非晶質シリコン（以下、「ａ−Ｓｉ」と
記す）は、太陽電池等の半導体装置において幅広く用い
られている。ａ−Ｓｉにゲルマニウムや炭素を添加した
非晶質シリコンゲルマニウム（以下、「ａ−ＳｉＧｅ」
と記す）や非晶質シリコンカーボン（以下、「ａ−Ｓｉ
Ｃ」と記す）も半導体装置に用いられているが、ａ−Ｓ
ｉに比べて欠陥密度が大きく膜特性が著しく劣るもので
あった。このようなａ−ＳｉＧｅの特性を向上させる方
法として、Ａ．Ｍａｔｓｕｄａ ｅｔ ａｌ．：Ｊｐ
ｎ． Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． ２５（１）１９
８６ ｐｐ．Ｌ５４では、プラズマＣＶＤ法によりａ−
ＳｉＧｅを形成する際に原料ガスを水素で希釈すること
が提案されている。
記す）は、太陽電池等の半導体装置において幅広く用い
られている。ａ−Ｓｉにゲルマニウムや炭素を添加した
非晶質シリコンゲルマニウム（以下、「ａ−ＳｉＧｅ」
と記す）や非晶質シリコンカーボン（以下、「ａ−Ｓｉ
Ｃ」と記す）も半導体装置に用いられているが、ａ−Ｓ
ｉに比べて欠陥密度が大きく膜特性が著しく劣るもので
あった。このようなａ−ＳｉＧｅの特性を向上させる方
法として、Ａ．Ｍａｔｓｕｄａ ｅｔ ａｌ．：Ｊｐ
ｎ． Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． ２５（１）１９
８６ ｐｐ．Ｌ５４では、プラズマＣＶＤ法によりａ−
ＳｉＧｅを形成する際に原料ガスを水素で希釈すること
が提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな方法で製造されたａ−ＳｉＧｅの薄膜も、欠陥密度
が十分に小さいものではなく、従来より膜特性の良好な
ａ−ＳｉＧｅを製造する方法が要望されている。
うな方法で製造されたａ−ＳｉＧｅの薄膜も、欠陥密度
が十分に小さいものではなく、従来より膜特性の良好な
ａ−ＳｉＧｅを製造する方法が要望されている。
【０００４】本発明の目的は、このような従来の問題点
を解消し、より欠陥密度が小さく膜特性に優れた非晶質
合金半導体を製造することのできる方法を提供すること
にある。
を解消し、より欠陥密度が小さく膜特性に優れた非晶質
合金半導体を製造することのできる方法を提供すること
にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板温度２０
０℃でａ−Ｓｉ層を形成した後、該ａ−Ｓｉ層中に存在
する過剰の水素またはハロゲン元素などの終端元素を減
少させるため低圧水銀ランプの光を照射し、その後基板
温度２００℃でａ−Ｇｅ層を形成する薄膜形成工程を繰
り返すことによりａ−ＳｉＧｅ薄膜を形成することを特
徴としている。
０℃でａ−Ｓｉ層を形成した後、該ａ−Ｓｉ層中に存在
する過剰の水素またはハロゲン元素などの終端元素を減
少させるため低圧水銀ランプの光を照射し、その後基板
温度２００℃でａ−Ｇｅ層を形成する薄膜形成工程を繰
り返すことによりａ−ＳｉＧｅ薄膜を形成することを特
徴としている。
【０００６】
【作用】本発明に従えば、特定の薄膜層を形成した後、
該特定の薄膜層の表面にエネルギーを付与する処理を施
す。すなわち、異なる薄膜層を所定の順序で繰り返し積
層し非晶質合金半導体を形成する場合、それぞれの異な
る薄膜層をそれらの最適条件下で形成することが好まし
いが、例えば、基板温度等を各薄膜層に応じて大きく変
化させることは困難であり、全ての薄膜層に対して最適
条件下で薄膜形成を行うことは困難である。本発明で
は、最適条件下で形成させることができない薄膜層に対
し、該薄膜層形成後、該薄膜層の表面にエネルギーを付
与する処理を施し、最適条件下で形成された薄膜層に近
い良好な膜特性を有する薄膜層としている。従って、本
発明によれば、各薄膜層が実質的に最適条件下で形成さ
れ、これらの薄膜層を繰り返し積層して構成されるもの
であるため、欠陥密度が小さく良好な膜特性を有する非
晶質合金半導体とすることができる。
該特定の薄膜層の表面にエネルギーを付与する処理を施
す。すなわち、異なる薄膜層を所定の順序で繰り返し積
層し非晶質合金半導体を形成する場合、それぞれの異な
る薄膜層をそれらの最適条件下で形成することが好まし
いが、例えば、基板温度等を各薄膜層に応じて大きく変
化させることは困難であり、全ての薄膜層に対して最適
条件下で薄膜形成を行うことは困難である。本発明で
は、最適条件下で形成させることができない薄膜層に対
し、該薄膜層形成後、該薄膜層の表面にエネルギーを付
与する処理を施し、最適条件下で形成された薄膜層に近
い良好な膜特性を有する薄膜層としている。従って、本
発明によれば、各薄膜層が実質的に最適条件下で形成さ
れ、これらの薄膜層を繰り返し積層して構成されるもの
であるため、欠陥密度が小さく良好な膜特性を有する非
晶質合金半導体とすることができる。
【０００７】本発明においては、ａ−Ｓｉ層とａ−Ｇｅ
層の薄膜形成工程を繰り返してａ−ＳｉＧｅ薄膜を形成
するにあたり、不対電子欠陥を終端する元素として水素
またはハロゲン元素が含まれ、このような終端元素との
結合が強い薄膜層であるａ−Ｓｉ層に対し低圧水銀ラン
プの光を照射することによりエネルギーを付与する処理
を施している。
層の薄膜形成工程を繰り返してａ−ＳｉＧｅ薄膜を形成
するにあたり、不対電子欠陥を終端する元素として水素
またはハロゲン元素が含まれ、このような終端元素との
結合が強い薄膜層であるａ−Ｓｉ層に対し低圧水銀ラン
プの光を照射することによりエネルギーを付与する処理
を施している。
【０００８】
【０００９】
【００１０】本発明において繰り返し積層する薄膜層の
厚みは、１ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることが好まし
い。薄膜層の膜厚が薄すぎる場合には、このような薄膜
層の形成が難しく、またこのような薄膜層の積層の繰り
返しにより非晶質合金半導体層を形成することが困難に
なる。また、薄膜層の膜厚が厚すぎる場合には、均質な
合金半導体膜とすることが難しく、本発明による膜特性
の改善の効果が得られにくくなる。
厚みは、１ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることが好まし
い。薄膜層の膜厚が薄すぎる場合には、このような薄膜
層の形成が難しく、またこのような薄膜層の積層の繰り
返しにより非晶質合金半導体層を形成することが困難に
なる。また、薄膜層の膜厚が厚すぎる場合には、均質な
合金半導体膜とすることが難しく、本発明による膜特性
の改善の効果が得られにくくなる。
【００１１】
【実施例】以下、具体的な実施例を挙げて本発明を説明
する。実施例１ 表１に示す条件でａ−Ｓｉ層を形成した後に、低圧水銀
ランプ（波長１８５ｎｍでの光強度：１０ｍＷ／ｃｍ
2 ）の光を５分間照射し、その後表１に示す条件でａ−
Ｇｅ層を形成した。このような薄膜形成工程を１５回繰
り返すことにより、合計の膜厚が３０００Åであるａ−
ＳｉＧｅ薄膜を得た。
する。実施例１ 表１に示す条件でａ−Ｓｉ層を形成した後に、低圧水銀
ランプ（波長１８５ｎｍでの光強度：１０ｍＷ／ｃｍ
2 ）の光を５分間照射し、その後表１に示す条件でａ−
Ｇｅ層を形成した。このような薄膜形成工程を１５回繰
り返すことにより、合計の膜厚が３０００Åであるａ−
ＳｉＧｅ薄膜を得た。
【００１２】参考例１ 表１に示す条件でａ−Ｇｅ層を形成した後に、低圧水銀
ランプ（波長１８５ｎｍでの光強度：１０ｍＷ／ｃｍ
2 ）の光を５分間照射し、その後表１に示す条件でａ−
Ｓｉ層を形成した。このような薄膜形成工程を１５回繰
り返すことにより、合計の膜厚が３０００Åであるａ−
ＳｉＧｅ薄膜を得た。
ランプ（波長１８５ｎｍでの光強度：１０ｍＷ／ｃｍ
2 ）の光を５分間照射し、その後表１に示す条件でａ−
Ｓｉ層を形成した。このような薄膜形成工程を１５回繰
り返すことにより、合計の膜厚が３０００Åであるａ−
ＳｉＧｅ薄膜を得た。
【００１３】参考例２ 表１に示す条件でａ−Ｓｉ層を形成した後、水素プラズ
マ（Ｈ2 ＝１００ＳＣＣＭ、基板温度＝２００℃、ＲＦ
パワー＝５０ｍＷ／ｃｍ2 、圧力＝３０Ｐａ）をａ−Ｓ
ｉ層に対し５分間曝露した。その後表１に示す条件でａ
−Ｇｅ層を形成した。この工程を１５回繰り返すことに
より、合計の膜厚が３０００Åであるａ−ＳｉＧｅ薄膜
を得た。
マ（Ｈ2 ＝１００ＳＣＣＭ、基板温度＝２００℃、ＲＦ
パワー＝５０ｍＷ／ｃｍ2 、圧力＝３０Ｐａ）をａ−Ｓ
ｉ層に対し５分間曝露した。その後表１に示す条件でａ
−Ｇｅ層を形成した。この工程を１５回繰り返すことに
より、合計の膜厚が３０００Åであるａ−ＳｉＧｅ薄膜
を得た。
【００１４】参考例３ 表１に示す条件でａ−Ｇｅ層を形成した後、水素プラズ
マ（Ｈ2 ＝１００ＳＣＣＭ、基板温度＝２００℃、ＲＦ
パワー＝５０ｍＷ／ｃｍ2 、圧力＝３０Ｐａ）をａ−Ｇ
ｅ層に対し５分間曝露した。その後表１に示す条件でａ
−Ｓｉ層を形成した。この工程を１５回繰り返すことに
より、合計の膜厚が３０００Åであるａ−ＳｉＧｅ薄膜
を得た。
マ（Ｈ2 ＝１００ＳＣＣＭ、基板温度＝２００℃、ＲＦ
パワー＝５０ｍＷ／ｃｍ2 、圧力＝３０Ｐａ）をａ−Ｇ
ｅ層に対し５分間曝露した。その後表１に示す条件でａ
−Ｓｉ層を形成した。この工程を１５回繰り返すことに
より、合計の膜厚が３０００Åであるａ−ＳｉＧｅ薄膜
を得た。
【００１５】比較例１ 表１に示す条件で、ａ−Ｓｉ層とａ−Ｇｅ層を交互に繰
り返し積層するのではなく、基板上に直接ａ−ＳｉＧｅ
薄膜を膜厚が３０００Åとなるように形成した。
り返し積層するのではなく、基板上に直接ａ−ＳｉＧｅ
薄膜を膜厚が３０００Åとなるように形成した。
【００１６】比較例２ 表１に示す条件でａ−Ｓｉ層とａ−Ｇｅ層を交互に繰り
返し積層することにより、合計の膜厚が３０００Åであ
るａ−ＳｉＧｅ薄膜を形成した。ここでは、ａ−Ｓｉ層
及びａ−Ｇｅ層のいずれに対してもエネルギーを付与す
る処理を施していない。
返し積層することにより、合計の膜厚が３０００Åであ
るａ−ＳｉＧｅ薄膜を形成した。ここでは、ａ−Ｓｉ層
及びａ−Ｇｅ層のいずれに対してもエネルギーを付与す
る処理を施していない。
【００１７】
【表１】
【００１８】表１に示されるように、比較例２で形成し
たａ−ＳｉＧｅ薄膜の光学ギャップは実施例１、参考例
１〜３及び比較例１で形成したものの光学ギャップと異
なっている。これは、実施例１、参考例１〜３及び比較
例１で形成された薄膜中に含まれる水素量が９％である
のに対して、比較例２で形成された薄膜中に含まれる水
素量が１３％と多いためと考えられる。なお、光学ギャ
ップとしては、いわゆるタウツギャップを用いている。
たａ−ＳｉＧｅ薄膜の光学ギャップは実施例１、参考例
１〜３及び比較例１で形成したものの光学ギャップと異
なっている。これは、実施例１、参考例１〜３及び比較
例１で形成された薄膜中に含まれる水素量が９％である
のに対して、比較例２で形成された薄膜中に含まれる水
素量が１３％と多いためと考えられる。なお、光学ギャ
ップとしては、いわゆるタウツギャップを用いている。
【００１９】実施例１、参考例１〜３及び比較例１，２
で得られたａ−ＳｉＧｅ膜は、ラマン散乱分光法により
いずれも均質なａ−ＳｉＧｅ膜であることを確認した。
赤外吸収分光測定法により、上記実施例１、参考例１〜
３及び比較例１，２で得られた薄膜について、光劣化と
強い相間関係にあるＳｉ−Ｈ2 結合の割合を求めたとこ
ろ、実施例１及び参考例１〜３は比較例１，２に比べて
Ｓｉ−Ｈ2 結合の割合が少ないことが認められた。特に
実施例１及び３において少なくなっていた。
で得られたａ−ＳｉＧｅ膜は、ラマン散乱分光法により
いずれも均質なａ−ＳｉＧｅ膜であることを確認した。
赤外吸収分光測定法により、上記実施例１、参考例１〜
３及び比較例１，２で得られた薄膜について、光劣化と
強い相間関係にあるＳｉ−Ｈ2 結合の割合を求めたとこ
ろ、実施例１及び参考例１〜３は比較例１，２に比べて
Ｓｉ−Ｈ2 結合の割合が少ないことが認められた。特に
実施例１及び３において少なくなっていた。
【００２０】実施例１、参考例１〜３及び比較例１，２
で得られた薄膜について、光感度及びテイル特性エネル
ギーを測定した。光感度は、１ｋＷ／ｍ2 の疑似太陽光
下の光導電率／暗導電率により求め、テイル特性エネル
ギーはＣＰＭから求めた。得られた結果を表２に示す。
で得られた薄膜について、光感度及びテイル特性エネル
ギーを測定した。光感度は、１ｋＷ／ｍ2 の疑似太陽光
下の光導電率／暗導電率により求め、テイル特性エネル
ギーはＣＰＭから求めた。得られた結果を表２に示す。
【００２１】
【表２】
【００２２】表２から明らかなように、実施例１及び参
考例１〜３で得られた薄膜は、光感度及び特性エネルギ
ーにおいて、比較例１，２で得られた薄膜に比べ優れて
いることがわかる。特に、ａ−Ｓｉ層に対して低圧水銀
ランプの光照射によるエネルギー付与処理を行った実施
例１において特性の向上が著しいことがわかる。
考例１〜３で得られた薄膜は、光感度及び特性エネルギ
ーにおいて、比較例１，２で得られた薄膜に比べ優れて
いることがわかる。特に、ａ−Ｓｉ層に対して低圧水銀
ランプの光照射によるエネルギー付与処理を行った実施
例１において特性の向上が著しいことがわかる。
【００２３】次に、実施例１と同様の条件で、ａ−Ｓｉ
層及びａ−Ｇｅ層の膜厚を変化させて繰り返し積層し、
薄膜層の膜厚の影響について検討した。この結果を図１
に示す。なお、図１において点線は比較例１の光感度５
×１０4 のラインを示している。
層及びａ−Ｇｅ層の膜厚を変化させて繰り返し積層し、
薄膜層の膜厚の影響について検討した。この結果を図１
に示す。なお、図１において点線は比較例１の光感度５
×１０4 のラインを示している。
【００２４】図１から明らかなように、ａ−Ｓｉ層及び
ａ−Ｇｅ層の単位形成膜厚が１〜３０ｎｍ（１０〜３０
０Å）の範囲で光感度が向上していることが認められ
る。なお、単位形成膜厚を３０ｎｍより大きくした場合
には、均一な非晶質合金半導体ではなく、ａ−Ｓｉ層と
ａ−Ｇｅ層との多層構造の膜になっていることがラマン
散乱分光測定により確認された。
ａ−Ｇｅ層の単位形成膜厚が１〜３０ｎｍ（１０〜３０
０Å）の範囲で光感度が向上していることが認められ
る。なお、単位形成膜厚を３０ｎｍより大きくした場合
には、均一な非晶質合金半導体ではなく、ａ−Ｓｉ層と
ａ−Ｇｅ層との多層構造の膜になっていることがラマン
散乱分光測定により確認された。
【００２５】上記実施例１においては、波長１８５ｎｍ
の光（約６．７ｅＶ）の照射によりエネルギー付与処理
を施したが、この光に代えてＡｒレーザ光（約２．４ｅ
Ｖ）でエネルギー付与処理を施した場合にも、同様に膜
特性の向上が認められた。
の光（約６．７ｅＶ）の照射によりエネルギー付与処理
を施したが、この光に代えてＡｒレーザ光（約２．４ｅ
Ｖ）でエネルギー付与処理を施した場合にも、同様に膜
特性の向上が認められた。
【００２６】上記実施例ではａ−Ｓｉ層とａ−Ｇｅ層と
を同じ膜厚で繰り返し積層しているが、これらの薄膜層
の膜厚を変化させ、得られるａ−ＳｉＧｅ薄膜の光学ギ
ャップを調整することができる。また、ａ−ＳｉＧｅ薄
膜を形成する場合において、ａ−Ｓｉ層またはａ−Ｇｅ
層と、光学ギャップの広いａ−ＳｉＧｅ層または光学ギ
ャップの狭いａ−ＳｉＧｅ層とを交互に繰り返し積層さ
せ、ａ−ＳｉＧｅ薄膜を形成してもよい。
を同じ膜厚で繰り返し積層しているが、これらの薄膜層
の膜厚を変化させ、得られるａ−ＳｉＧｅ薄膜の光学ギ
ャップを調整することができる。また、ａ−ＳｉＧｅ薄
膜を形成する場合において、ａ−Ｓｉ層またはａ−Ｇｅ
層と、光学ギャップの広いａ−ＳｉＧｅ層または光学ギ
ャップの狭いａ−ＳｉＧｅ層とを交互に繰り返し積層さ
せ、ａ−ＳｉＧｅ薄膜を形成してもよい。
【００２７】
【００２８】
【００２９】
【発明の効果】本発明に従えば、ａ−Ｓｉ層形成後、該
ａ−Ｓｉ層の表面に低圧水銀ランプの光照射によるエネ
ルギーを付与する処理を施し、該ａ−Ｓｉ層中に存在す
る過剰の水素またはハロゲン元素などの終端元素を減少
させて膜特性を改善している。このため、欠陥密度の小
さい良好な膜特性を有するａ−Ｓｉ層を繰り返し積層し
てａ−ＳｉＧｅ薄膜を形成することができ、膜特性に優
れたａ−ＳｉＧｅ薄膜を形成することができる。
ａ−Ｓｉ層の表面に低圧水銀ランプの光照射によるエネ
ルギーを付与する処理を施し、該ａ−Ｓｉ層中に存在す
る過剰の水素またはハロゲン元素などの終端元素を減少
させて膜特性を改善している。このため、欠陥密度の小
さい良好な膜特性を有するａ−Ｓｉ層を繰り返し積層し
てａ−ＳｉＧｅ薄膜を形成することができ、膜特性に優
れたａ−ＳｉＧｅ薄膜を形成することができる。
【図１】本発明に従う実施例におけるａ−ＳｉＧｅ膜の
光感度と、積層する薄膜層の単位形成膜厚との関係を示
す図。
光感度と、積層する薄膜層の単位形成膜厚との関係を示
す図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−200616（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−158823（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/20 H01L 21/205 H01L 31/04
Claims (1)
- 【請求項１】 基板温度２００℃でａ−Ｓｉ層を形成し
た後、該ａ−Ｓｉ層中に存在する過剰の水素またはハロ
ゲン元素などの終端元素を減少させるため低圧水銀ラン
プの光を照射し、その後基板温度２００℃でａ−Ｇｅ層
を形成する薄膜形成工程を繰り返すことによりａ−Ｓｉ
Ｇｅ薄膜を形成することを特徴とする非晶質合金半導体
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6010761A JP2978050B2 (ja) | 1994-02-02 | 1994-02-02 | 非晶質合金半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6010761A JP2978050B2 (ja) | 1994-02-02 | 1994-02-02 | 非晶質合金半導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07221015A JPH07221015A (ja) | 1995-08-18 |
| JP2978050B2 true JP2978050B2 (ja) | 1999-11-15 |
Family
ID=11759320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6010761A Expired - Fee Related JP2978050B2 (ja) | 1994-02-02 | 1994-02-02 | 非晶質合金半導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2978050B2 (ja) |
-
1994
- 1994-02-02 JP JP6010761A patent/JP2978050B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07221015A (ja) | 1995-08-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3926800B2 (ja) | タンデム型薄膜光電変換装置の製造方法 | |
| US7736960B2 (en) | Process for producing a photoelectric conversion device | |
| JPH09129904A (ja) | 光起電力素子およびその製造方法 | |
| JP2692091B2 (ja) | 炭化ケイ素半導体膜およびその製造方法 | |
| JP4780931B2 (ja) | 光電変換装置および光発電装置 | |
| JP2978050B2 (ja) | 非晶質合金半導体の製造方法 | |
| JP3091151B2 (ja) | 集積型光起電力装置の製造方法 | |
| JP3325793B2 (ja) | 非晶質半導体及びその製造方法並びに光起電力装置 | |
| JPH06163957A (ja) | 薄膜太陽電池およびその製法 | |
| JP3238929B2 (ja) | 非晶質シリコンカーバイド膜の形成方法並びに光起電力装置 | |
| JPH0821546B2 (ja) | 薄膜の製造方法 | |
| JPS5935016A (ja) | 含水素シリコン層の製造方法 | |
| JP2001189474A (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
| JPH0282655A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JP3245962B2 (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
| JPH02260666A (ja) | アモルファス太陽電池の製造方法 | |
| JPS60163429A (ja) | アモルフアスシリコン太陽電池の製造法 | |
| JPH0539562A (ja) | ＣｕＩｎＳｅ２ 薄膜の形成方法 | |
| JP2002246317A (ja) | プラズマｃｖｄ法による薄膜形成方法 | |
| JPH03200374A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JPH04321277A (ja) | 非晶質シリコン薄膜の形成方法およびこれを用いた光起電力装置の製造方法 | |
| JP2735889B2 (ja) | 水素化アモルファスシリコン膜の形成方法及び光起電力装置の形成方法 | |
| JPH0582456A (ja) | 非晶質シリコン薄膜の形成方法およびこれを用いた光起電力装置の製造方法 | |
| JPH0685292A (ja) | アモルファスシリコン系太陽電池の製造方法 | |
| JPS6284571A (ja) | 多層構造型アモルフアス太陽電池 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |