JPS60163429A - アモルフアスシリコン太陽電池の製造法 - Google Patents
アモルフアスシリコン太陽電池の製造法Info
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- JPS60163429A JPS60163429A JP59018940A JP1894084A JPS60163429A JP S60163429 A JPS60163429 A JP S60163429A JP 59018940 A JP59018940 A JP 59018940A JP 1894084 A JP1894084 A JP 1894084A JP S60163429 A JPS60163429 A JP S60163429A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）技術分野
本発明は、光エネルギー、を電気エネルギーに変換する
アモルファスシリコン太Ｉｓ電池に関する。
アモルファスシリコン太Ｉｓ電池に関する。
（ロ）背景技術
近年クリーンで、非枯渇性のエネルギーを利用する低コ
スト太陽電池として、アモ／ｌ／ ７７ヌシリコン太ｓ
ｉｔ池が注目され１いる。アモルファスシリコン太陽電
池は安価な基板を用いて低温プロセスで形成する厚さ１
μｍ以下の薄膜で構成できるため、低コストで製造でき
る特徴がある。このような低コストの特徴を生かすには
、より一層光電変換効率を向上し、実用に供し得る性能
にする必要がある。
スト太陽電池として、アモ／ｌ／ ７７ヌシリコン太ｓ
ｉｔ池が注目され１いる。アモルファスシリコン太陽電
池は安価な基板を用いて低温プロセスで形成する厚さ１
μｍ以下の薄膜で構成できるため、低コストで製造でき
る特徴がある。このような低コストの特徴を生かすには
、より一層光電変換効率を向上し、実用に供し得る性能
にする必要がある。
アモルファスシリコンを使った太陽電池の性能を向上す
るため、各種セル構成が提案されでいる。
るため、各種セル構成が提案されでいる。
ρ−１−ｎ構造の太陽電池では、光によって高密度に生
成される電子、正孔対のうち、拡散比Ｎ＋が短かい正孔
を収集しやすいようにＰ型層を光入射側に置いて光の総
合収集効率を高めるようにしている場合が多い。またＰ
型層に禁止帯幅の広い炭素または窒素を添加したアモル
ファスシリコンヲ用イることにより、ＰＷ層における光
吸収を少なくしアモルファスシリコン太陽電池においｔ
有効なキャリアの生成を行なうｉ型層に多くのホトンを
導くことにより太陽光などの短波長側の光の有効利用を
図ったり、ｉ型層にゲルマニウムやスズヲ添加したアモ
ルファスシリコンを用いることにょシ太陽光等の長波長
側の光の有効利用が図られている。さらに曲線因子の向
上を図れば、光電変換効率を一層向上することが期待で
きる。
成される電子、正孔対のうち、拡散比Ｎ＋が短かい正孔
を収集しやすいようにＰ型層を光入射側に置いて光の総
合収集効率を高めるようにしている場合が多い。またＰ
型層に禁止帯幅の広い炭素または窒素を添加したアモル
ファスシリコンヲ用イることにより、ＰＷ層における光
吸収を少なくしアモルファスシリコン太陽電池においｔ
有効なキャリアの生成を行なうｉ型層に多くのホトンを
導くことにより太陽光などの短波長側の光の有効利用を
図ったり、ｉ型層にゲルマニウムやスズヲ添加したアモ
ルファスシリコンを用いることにょシ太陽光等の長波長
側の光の有効利用が図られている。さらに曲線因子の向
上を図れば、光電変換効率を一層向上することが期待で
きる。
（／今発明の開示
発明者うは、１型層のアモルファスシリコン１漠の組成
及び製造条件を変えることにより膜特性が大きく変わる
ことに着目し、種々検討した結果、ｐ型層又はｎ型層の
上に、アモルファスシリコン層のダングリングボンドを
消去するのに有効な元素を含むアモルファスシリコン層
中のダングリングボンドを消去するのに有効な元素、例
えば水素および弗素の少なくとも一方を含む１型層モル
ファス：／ＩＪ：Ｉンｍｔ［成した後、Ｈ２プラズｙ＜
−’／ｌｚをし、さらに、ｎ型層又はｐ型層を積層す
ることによりアモルファスシリコン太陽電池の直性抵抗
を低減し、曲線因子を改善し、光電変換効率を向上させ
ることを見出し、本発明を完成させたものである。
及び製造条件を変えることにより膜特性が大きく変わる
ことに着目し、種々検討した結果、ｐ型層又はｎ型層の
上に、アモルファスシリコン層のダングリングボンドを
消去するのに有効な元素を含むアモルファスシリコン層
中のダングリングボンドを消去するのに有効な元素、例
えば水素および弗素の少なくとも一方を含む１型層モル
ファス：／ＩＪ：Ｉンｍｔ［成した後、Ｈ２プラズｙ＜
−’／ｌｚをし、さらに、ｎ型層又はｐ型層を積層す
ることによりアモルファスシリコン太陽電池の直性抵抗
を低減し、曲線因子を改善し、光電変換効率を向上させ
ることを見出し、本発明を完成させたものである。
すなわち、本発明は、光に対する感度が高く、がηす
つ直孔抵抗の小さい、高い光電変換効率のア七ルア７ス
シリ’：ｖ７太陽電池を提供することにるる。
シリ’：ｖ７太陽電池を提供することにるる。
以下、ｐ−１−ｎ型の太陽電池の１型層に水素を含むア
モルファスシリコン層（以下ａ−８ｉ ： Ｈ） ヲ用
いた実施例について詳細に説明する。
モルファスシリコン層（以下ａ−８ｉ ： Ｈ） ヲ用
いた実施例について詳細に説明する。
第１図は、従来のアモルファスシリコン太陽電池の一実
施例を示す断面図であり、■は透明ガラス基板、２はＩ
ＴＯ又は５ｎ０２等の透明導電膜、３はアモルファスシ
リコン層で、７は金属電極、基板側から伝導型がｐ型（
４）、Ｉ型１１ｉ１１ｎ型（６）の順に形成すしている
。ｐ型層は炭素を添加したアモルファスシリコン膜（以
下ａ−８ｉＣ：Ｈ）からなり、ｎ型層は微結晶化アモル
ファスシリコン（以下μＣ−３ｉ：Ｈ）、１型層は真性
ａＳｉ：Ｈである。ｐ型層のＪ４！′みは５Ｏ−１５Ｏ
Ａ 、４５層は１５００−ｔｏｏｏｏＸ、ｎ型層は１０
０〜５００Ａである。ｐ型層には太陽光の短波長側のホ
トンを電子正孔対の発生域のｉ型層へ多く導くだめに炭
素を添加し禁止帯幅を大きくしている。太１−電池の変
換効率は、導入されたホトンによって１型層で得られた
電子正孔対を外部電極に取り出せるかがポイントであり
、第１に１型層の局在準位密度によつで決定されてしま
うため、できるだけ局在準位密度は低い方がよい。ｉ型
層の最適厚さは、局在準位密度に依存し、１型層が厚い
程、太陽光は有効に吸収されるが、逆に、ｌ界 型層内に電昇の弱い部分が現われ、シリーズ抵抗としで
出力特性の曲線因子を低下させるばかりでなく、Ｉ／ｎ
界面で励起されたキャリアの収集効率も低下する。
施例を示す断面図であり、■は透明ガラス基板、２はＩ
ＴＯ又は５ｎ０２等の透明導電膜、３はアモルファスシ
リコン層で、７は金属電極、基板側から伝導型がｐ型（
４）、Ｉ型１１ｉ１１ｎ型（６）の順に形成すしている
。ｐ型層は炭素を添加したアモルファスシリコン膜（以
下ａ−８ｉＣ：Ｈ）からなり、ｎ型層は微結晶化アモル
ファスシリコン（以下μＣ−３ｉ：Ｈ）、１型層は真性
ａＳｉ：Ｈである。ｐ型層のＪ４！′みは５Ｏ−１５Ｏ
Ａ 、４５層は１５００−ｔｏｏｏｏＸ、ｎ型層は１０
０〜５００Ａである。ｐ型層には太陽光の短波長側のホ
トンを電子正孔対の発生域のｉ型層へ多く導くだめに炭
素を添加し禁止帯幅を大きくしている。太１−電池の変
換効率は、導入されたホトンによって１型層で得られた
電子正孔対を外部電極に取り出せるかがポイントであり
、第１に１型層の局在準位密度によつで決定されてしま
うため、できるだけ局在準位密度は低い方がよい。ｉ型
層の最適厚さは、局在準位密度に依存し、１型層が厚い
程、太陽光は有効に吸収されるが、逆に、ｌ界 型層内に電昇の弱い部分が現われ、シリーズ抵抗としで
出力特性の曲線因子を低下させるばかりでなく、Ｉ／ｎ
界面で励起されたキャリアの収集効率も低下する。
本発明者らは、上記欠点をなくすため直型層の局在準位
密度を発生させるダングリングボンドを消去する水素や
弗素を添加する方法について請意検肘することにより、
膜質向上を図ることができた。
密度を発生させるダングリングボンドを消去する水素や
弗素を添加する方法について請意検肘することにより、
膜質向上を図ることができた。
第２図に本発明の実施例について示す。第１図の場合、
ｐ＋’＋ｎ型層は、連続的に形成されるのに対し、本発
明では、ｉ型層を形成後、Ｈ２中でプラズマアニールを
施した後、ｎ型層を形成したことが異なる。第１表は、
従来法で得られた太陽電池と本発明による太陽電池の出
力特性を比較したものである。各層の膜厚は、それぞれ
ｐ型層ｔ５ｏＸ、１型層５０００Ａ、ｎ型層３００父で
ある。本発明ではｊ型層成膜後のＨ２プラズマニールと
して、基板温度はｉ５層形成時と同じ２５０″Ｃとし、
１．０Ｔｏｒｒ下で１８．５６ ＭＨｚの高周波で、５
０Ｗの放電パワーを用い１約ｌＯ分間行なった。太陽電
池の出力特性はＡＭ−１ソーラーシュミレータ−（ｔ
ｏ ｏｔｘｍ／ｅｒａ ）でめた。表に示すように本発
明によれば短絡電流（Ｊｓｃ）、曲線因子（ＦＦ）の増
加が著しく、変換効率（η）の向上に大きく寄与してい
ることがわかる。
ｐ＋’＋ｎ型層は、連続的に形成されるのに対し、本発
明では、ｉ型層を形成後、Ｈ２中でプラズマアニールを
施した後、ｎ型層を形成したことが異なる。第１表は、
従来法で得られた太陽電池と本発明による太陽電池の出
力特性を比較したものである。各層の膜厚は、それぞれ
ｐ型層ｔ５ｏＸ、１型層５０００Ａ、ｎ型層３００父で
ある。本発明ではｊ型層成膜後のＨ２プラズマニールと
して、基板温度はｉ５層形成時と同じ２５０″Ｃとし、
１．０Ｔｏｒｒ下で１８．５６ ＭＨｚの高周波で、５
０Ｗの放電パワーを用い１約ｌＯ分間行なった。太陽電
池の出力特性はＡＭ−１ソーラーシュミレータ−（ｔ
ｏ ｏｔｘｍ／ｅｒａ ）でめた。表に示すように本発
明によれば短絡電流（Ｊｓｃ）、曲線因子（ＦＦ）の増
加が著しく、変換効率（η）の向上に大きく寄与してい
ることがわかる。
第１表
第８図は、本発明の別の構造のア七ルファヌシリコン太
陽電池の断面図を示しており、８はモリブデン、アルミ
ニウム、ＳＵＳのような金属基板であり＼ ｐ型（４）
、１型（５）、ｎ型１６＋の各アモルファスシリコン層
、透明導電膜（２）の順に積層され１いる。
陽電池の断面図を示しており、８はモリブデン、アルミ
ニウム、ＳＵＳのような金属基板であり＼ ｐ型（４）
、１型（５）、ｎ型１６＋の各アモルファスシリコン層
、透明導電膜（２）の順に積層され１いる。
この時、ｉ型層を所定の厚みに形成した後、基板温度は
３００℃、ＩＴｏｒｒ下１３．５６ＭＨｚの高周波で３
０Ｗの放電パワーで約１０分間のＨ２プラズマアニー〜
を施し１いる。第２表は１．型、１型、。型の各アモル
ファスシリコン層の厚みを同じとし、１１２プラズマア
ニールとしなかった太陽電池の出力特性を用いた。
３００℃、ＩＴｏｒｒ下１３．５６ＭＨｚの高周波で３
０Ｗの放電パワーで約１０分間のＨ２プラズマアニー〜
を施し１いる。第２表は１．型、１型、。型の各アモル
ファスシリコン層の厚みを同じとし、１１２プラズマア
ニールとしなかった太陽電池の出力特性を用いた。
第２表
本発明によれば、ＪｓｃＸＦＦの向上が著しく、その結
果、大幅にηが向上しているのがわかる。
果、大幅にηが向上しているのがわかる。
一般にアモルファスシリコン膜は、膜中のダングリング
ボンドを消去するために、水素又は弗素を含ませており
、本発明では、水素を含めアモルファスシリコン膜につ
いてのみ示したが、弗素を含んだアモルファスシリコン
膜につい又も同様に、良好な出力特性をもつ太陽電池が
得られている。
ボンドを消去するために、水素又は弗素を含ませており
、本発明では、水素を含めアモルファスシリコン膜につ
いてのみ示したが、弗素を含んだアモルファスシリコン
膜につい又も同様に、良好な出力特性をもつ太陽電池が
得られている。
又本発明では、Ｉ］２ガスでプラズマアニー〜のみで示
したが、Ｈ２ガヌを、含む不活性ガスを用いで実施して
も十分な効果を持つのはいうまでもない。又ｉ型層を作
製した後、真空中でアニールすることも試みたが、Ｈ２
ガス中でプラズマアニールする方がはるかに効果があシ
、同一アニール時間で比較した場合、１０倍の効果があ
り、短時間でアニールを完了することができる利点が認
められた。
したが、Ｈ２ガヌを、含む不活性ガスを用いで実施して
も十分な効果を持つのはいうまでもない。又ｉ型層を作
製した後、真空中でアニールすることも試みたが、Ｈ２
ガス中でプラズマアニールする方がはるかに効果があシ
、同一アニール時間で比較した場合、１０倍の効果があ
り、短時間でアニールを完了することができる利点が認
められた。
実施例１，２では、１型層とし１水素添加アモルファス
シリコン膜を用いた単層セルについて示したが、さらに
光電変換効率を向上させるためには太陽光等のうち長波
長光の有効利用を図る必要があり、この為に、第４図に
示すような太陽電池を多層に積層した多層構造型太陽電
池が考えられておシ、第１層目の太陽電池のｉ型層より
第２、第３層目の太陽電池の１型層に、禁止帯幅の小さ
いアモルファスシリコンゲルマニアムあるいはアモルフ
ァスシリコンスズヲ用いていルカ、ケルシマニウムやス
ズの添加と共に膜質低下がみられるため十分な光電変換
効率は得られていなかった。本発明では、こうした多層
構造型太陽電池についても適用でき、各太陽電池の１型
層形成後にＨ２プラズマアニールをそれぞれわずか約５
〜ＩＯ分間施すことにより、大幅な光電変換効率の向上
が認められた。ゲルマニウムやスズをアモルファスシリ
コン膜 Ｓｎ（ＣＨ３）４のゲルマニウムと水素あるいはハロゲ
ンとの化合物あるいは炭化水素との化合物があり、シリ
コンの供給源とし’７．． ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓ
ｉＦ４ガヌとを同時に供給したブロー放電分解法、ある
いは固体原料としＩＳＩとＧｅあるいはＳｉとＳｎとを
水素あるいは弗素を含むガス中で同時にスパッタするこ
とによってもアモルファスシリコンゲルマニアムやアモ
ルファスシリコンスズが得られる。このようにして得ら
れた膜表面付近には欠陥準位が多く存在するためＨ２プ
ラズマアニールは、特に有効であることがわかった。
シリコン膜を用いた単層セルについて示したが、さらに
光電変換効率を向上させるためには太陽光等のうち長波
長光の有効利用を図る必要があり、この為に、第４図に
示すような太陽電池を多層に積層した多層構造型太陽電
池が考えられておシ、第１層目の太陽電池のｉ型層より
第２、第３層目の太陽電池の１型層に、禁止帯幅の小さ
いアモルファスシリコンゲルマニアムあるいはアモルフ
ァスシリコンスズヲ用いていルカ、ケルシマニウムやス
ズの添加と共に膜質低下がみられるため十分な光電変換
効率は得られていなかった。本発明では、こうした多層
構造型太陽電池についても適用でき、各太陽電池の１型
層形成後にＨ２プラズマアニールをそれぞれわずか約５
〜ＩＯ分間施すことにより、大幅な光電変換効率の向上
が認められた。ゲルマニウムやスズをアモルファスシリ
コン膜 Ｓｎ（ＣＨ３）４のゲルマニウムと水素あるいはハロゲ
ンとの化合物あるいは炭化水素との化合物があり、シリ
コンの供給源とし’７．． ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓ
ｉＦ４ガヌとを同時に供給したブロー放電分解法、ある
いは固体原料としＩＳＩとＧｅあるいはＳｉとＳｎとを
水素あるいは弗素を含むガス中で同時にスパッタするこ
とによってもアモルファスシリコンゲルマニアムやアモ
ルファスシリコンスズが得られる。このようにして得ら
れた膜表面付近には欠陥準位が多く存在するためＨ２プ
ラズマアニールは、特に有効であることがわかった。
以上述べたように、この発明によれば、いろいろな構造
のアモルファスシリコン太陽電池においで１型層を形成
した後に、水素又は水素と不活性ガスを混合した気体中
で、プラズマアニールを行なうことにより、著しく光電
変換効率を向」ニしたアモルファスシリコン太陽電池を
実現できる。
のアモルファスシリコン太陽電池においで１型層を形成
した後に、水素又は水素と不活性ガスを混合した気体中
で、プラズマアニールを行なうことにより、著しく光電
変換効率を向」ニしたアモルファスシリコン太陽電池を
実現できる。
第１図は従来のアモルファスシリコン太陽電池の断面図
、第２図（ａｌは水素プラズマでアニールしている状態
で示し、第２図（ｂ）は本願発明によるアモルファス太
陽電池の断面図を示し、第３図、第４図は本願発明によ
る別の断面構造を持ったアモルファスシリコン太陽電池
である。 ｌ ガラス基板 ２、透明導電膜 ８、 アモルファスシリコン膜 ４ ｐ型層 ５ Ｉ型層 ４５． ｎ型層 ７ 金属電極 ８ 金属基板 ９、 アモルファスシリコンゲルマニウム１摸１０、水
素プラズマ
、第２図（ａｌは水素プラズマでアニールしている状態
で示し、第２図（ｂ）は本願発明によるアモルファス太
陽電池の断面図を示し、第３図、第４図は本願発明によ
る別の断面構造を持ったアモルファスシリコン太陽電池
である。 ｌ ガラス基板 ２、透明導電膜 ８、 アモルファスシリコン膜 ４ ｐ型層 ５ Ｉ型層 ４５． ｎ型層 ７ 金属電極 ８ 金属基板 ９、 アモルファスシリコンゲルマニウム１摸１０、水
素プラズマ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｆｉｌ ｐ ｉ ｎ Ｗアモルファスシリコン太陽電池
においで、アモルファスシリコンを主成分とするｉＷ層
を形成した後に、水素又は水素と不活性ガスを混合した
気体中で、プラズマアニールすることを特徴とするアモ
ルファスシリコン太陽電池の製造法。 （２）アモルファスシリコンを主成分とする１型層カ、
アモルファスシリコン、アモルファスシリコンゲルマニ
ウムまだはアモルファスシリコンスズであることを特徴
とする特許請求の範囲第（１）項記載のアモルファスシ
リコン太陽電池の製造法。 （３）アモルファスシリコンを主成分とするｉ型層が水
素または弗素の１種以上を含有することを特徴とする特
許請求の範囲第（１）項記載のアモルファスシリコン太
陽電池の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59018940A JPS60163429A (ja) | 1984-02-03 | 1984-02-03 | アモルフアスシリコン太陽電池の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59018940A JPS60163429A (ja) | 1984-02-03 | 1984-02-03 | アモルフアスシリコン太陽電池の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60163429A true JPS60163429A (ja) | 1985-08-26 |
Family
ID=11985636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59018940A Pending JPS60163429A (ja) | 1984-02-03 | 1984-02-03 | アモルフアスシリコン太陽電池の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60163429A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03136380A (ja) * | 1989-10-23 | 1991-06-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
| JPH03200374A (ja) * | 1989-12-27 | 1991-09-02 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 太陽電池の製造方法 |
| JPH03212976A (ja) * | 1990-01-18 | 1991-09-18 | Agency Of Ind Science & Technol | 透明導電酸化膜を含むｃｉｓ構造の処理方法 |
-
1984
- 1984-02-03 JP JP59018940A patent/JPS60163429A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03136380A (ja) * | 1989-10-23 | 1991-06-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
| JPH03200374A (ja) * | 1989-12-27 | 1991-09-02 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 太陽電池の製造方法 |
| JPH03212976A (ja) * | 1990-01-18 | 1991-09-18 | Agency Of Ind Science & Technol | 透明導電酸化膜を含むｃｉｓ構造の処理方法 |
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