JP2976214B2 - 光学活性ジヒドロスフィンゴシン類の製造方法 - Google Patents
光学活性ジヒドロスフィンゴシン類の製造方法Info
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- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Catalysts (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、次の一般式（３）
【０００２】
【化５】
【０００３】（式中、Ｒ1 は炭素原子数が１１−２１個
の高級アルキル基を示し、＊印は光学活性であることを
示す）で表わされる光学活性ジヒドロスフィンゴシン類
の製造方法に関する。本発明の光学活性ジヒドロスフィ
ンゴシン類（３）は、セラミド類、セレブロシド及びガ
ングリオシドの重要な構成部分である。
の高級アルキル基を示し、＊印は光学活性であることを
示す）で表わされる光学活性ジヒドロスフィンゴシン類
の製造方法に関する。本発明の光学活性ジヒドロスフィ
ンゴシン類（３）は、セラミド類、セレブロシド及びガ
ングリオシドの重要な構成部分である。
【０００４】
【従来の技術】光学活性ジヒドロスフィンゴシン類は、
角質層保湿作用の鍵分子であるセラミド類の基本骨格で
あり、また、生理活性を示すセレブロシド及びガングリ
オシドの骨格部分でもある。例えば、Ｃａ2+−ＡＴＰア
ーゼ活性及び抗白血病活性を有するシンビオールアミド
（ｓｙｍｂｉｏｒａｍｉｄｅ）（Ｊ．Ｋｏｂａｙａｓｈ
ｉら、Ｅｘｐｅｒｉｅｎｔｉａ １９８８、４４、８０
０頁）、また、マウスの破傷風やうさぎの脳脊髄炎の予
防等に有効である生理活性セレブロシド及びガングリオ
シド（Ｊ．Ｍｅｌｌａｎｂｙら、Ｊ．Ｇｅｎ．Ｍｉｃｒ
ｏｂｉｏｌ．１９６９、５４、１６１頁、Ｂ．Ｎｉｅｄ
ｉｅｃｋら、Ｚ．Ｉｍｍｕｎｉｔａｅｔｓｆｏｒｓｈ．
Ａｌｌｅｒｇ．Ｋｌｉｎ．Ｉｍｍｕｎｏｌ．１９６７、
１３３、４３頁）が挙げられる。
角質層保湿作用の鍵分子であるセラミド類の基本骨格で
あり、また、生理活性を示すセレブロシド及びガングリ
オシドの骨格部分でもある。例えば、Ｃａ2+−ＡＴＰア
ーゼ活性及び抗白血病活性を有するシンビオールアミド
（ｓｙｍｂｉｏｒａｍｉｄｅ）（Ｊ．Ｋｏｂａｙａｓｈ
ｉら、Ｅｘｐｅｒｉｅｎｔｉａ １９８８、４４、８０
０頁）、また、マウスの破傷風やうさぎの脳脊髄炎の予
防等に有効である生理活性セレブロシド及びガングリオ
シド（Ｊ．Ｍｅｌｌａｎｂｙら、Ｊ．Ｇｅｎ．Ｍｉｃｒ
ｏｂｉｏｌ．１９６９、５４、１６１頁、Ｂ．Ｎｉｅｄ
ｉｅｃｋら、Ｚ．Ｉｍｍｕｎｉｔａｅｔｓｆｏｒｓｈ．
Ａｌｌｅｒｇ．Ｋｌｉｎ．Ｉｍｍｕｎｏｌ．１９６７、
１３３、４３頁）が挙げられる。
【０００５】ところで、このような生理活性をもつセラ
ミド類、セレブロシド及びガングリオシドは、そのスフ
ィンゴシン部分に通常２つの不斉炭素原子を有する。前
述の例中、前者のシンビオールアミドおよび後者の生理
活性セレブロシド及びガングリオシドは、いずれも（２
Ｓ、３Ｒ）の光学活性体である。したがって、かかるジ
ヒドロスフィンゴシンを製造するにあたっては、２つの
不斉部分が制御された光学活性体を得ることが要求され
る。
ミド類、セレブロシド及びガングリオシドは、そのスフ
ィンゴシン部分に通常２つの不斉炭素原子を有する。前
述の例中、前者のシンビオールアミドおよび後者の生理
活性セレブロシド及びガングリオシドは、いずれも（２
Ｓ、３Ｒ）の光学活性体である。したがって、かかるジ
ヒドロスフィンゴシンを製造するにあたっては、２つの
不斉部分が制御された光学活性体を得ることが要求され
る。
【０００６】従来の光学活性ジヒドロスフィンゴシン類
の製造方法は、次の（ａ）−（ｃ）に大別できる。 （ａ）ラセミ体のジヒドロスフィンゴシン類を光学分割
する方法。 （ｂ）光学活性天然物を原料として製造する方法。 （ｃ）不斉反応で生じた不斉点を利用して合成する方
法。
の製造方法は、次の（ａ）−（ｃ）に大別できる。 （ａ）ラセミ体のジヒドロスフィンゴシン類を光学分割
する方法。 （ｂ）光学活性天然物を原料として製造する方法。 （ｃ）不斉反応で生じた不斉点を利用して合成する方
法。
【０００７】（ａ）の方法としては、例えば、ラセミ体
のジヒドロスフィンゴシンとＬ−グルタミン酸をエタノ
−ル中で攪拌して（＋）−Ｄ−ジヒドロスフィンゴシン
・Ｌ−グルタミン酸塩を析出させ、そしてこれを分離し
た後、塩基性条件下で脱塩することにより光学活性な
（＋）−Ｄ−ジヒドロスフィンゴシンを得ている例[C.
A.Grob ら、Helv. Chim. Acta, 35, 2106 (1952); D.Sh
apiroら、J. Am. Chem. Soc., 75, 5131 (1953)] が挙
げられる。しかし、この方法はラセミ体の製造自体は簡
便な方法であるが、目的物と同量の不要な鏡像体を分割
する操作が必要であるという欠点を持っていた。
のジヒドロスフィンゴシンとＬ−グルタミン酸をエタノ
−ル中で攪拌して（＋）−Ｄ−ジヒドロスフィンゴシン
・Ｌ−グルタミン酸塩を析出させ、そしてこれを分離し
た後、塩基性条件下で脱塩することにより光学活性な
（＋）−Ｄ−ジヒドロスフィンゴシンを得ている例[C.
A.Grob ら、Helv. Chim. Acta, 35, 2106 (1952); D.Sh
apiroら、J. Am. Chem. Soc., 75, 5131 (1953)] が挙
げられる。しかし、この方法はラセミ体の製造自体は簡
便な方法であるが、目的物と同量の不要な鏡像体を分割
する操作が必要であるという欠点を持っていた。
【０００８】（ｂ）の方法としては、例えば、光学活性
な保護アミノ糖（ 3-amino-3-deoxy-1,2:5,6-di-O-isop
ropylidene- α-D-allofuranose ）を原料として、２回
にわたるメタ過ヨウ素酸ナトリウムを用いた開裂反応お
よび臭化テトラデシルトリフェニルホスホニウム塩との
ウィッティヒ反応等を経て、計６工程で光学活性な
（＋）−Ｄ−ジヒドロスフィンゴシンを得る方法[E.J.R
eistら、J. Org. Chem., 35, 3521 (1970)] が報告され
ている。しかし、この方法では多工程を要し、メタ過ヨ
ウ素酸ナトリウムを用いる工程が２回あって安全性上好
ましくなく、またウィッティヒ反応での収率が３０％と
満足できるものではなかった等の欠点を持っている。
な保護アミノ糖（ 3-amino-3-deoxy-1,2:5,6-di-O-isop
ropylidene- α-D-allofuranose ）を原料として、２回
にわたるメタ過ヨウ素酸ナトリウムを用いた開裂反応お
よび臭化テトラデシルトリフェニルホスホニウム塩との
ウィッティヒ反応等を経て、計６工程で光学活性な
（＋）−Ｄ−ジヒドロスフィンゴシンを得る方法[E.J.R
eistら、J. Org. Chem., 35, 3521 (1970)] が報告され
ている。しかし、この方法では多工程を要し、メタ過ヨ
ウ素酸ナトリウムを用いる工程が２回あって安全性上好
ましくなく、またウィッティヒ反応での収率が３０％と
満足できるものではなかった等の欠点を持っている。
【０００９】また、Ｌ−セリンを原料としてその官能基
を保護し、メチルエステルとした後、カルボン酸エステ
ル部をアルデヒドに変換し、長鎖アルキンの付加、還元
等の工程を経て７工程で光学活性な（＋）−Ｄ−ジヒド
ロスフィンゴシンを得る方法[T.Hino ら、Chem. Lett.,
1407 (1990)] が報告されている。しかし、官能基保護
の際に使用するジ−ｔｅｒｔ−ブチル ジカーボネート
が高価であるうえ、長鎖アルキニル化におけるエリトロ
選択性が９０％であって、満足できるものではなかっ
た。
を保護し、メチルエステルとした後、カルボン酸エステ
ル部をアルデヒドに変換し、長鎖アルキンの付加、還元
等の工程を経て７工程で光学活性な（＋）−Ｄ−ジヒド
ロスフィンゴシンを得る方法[T.Hino ら、Chem. Lett.,
1407 (1990)] が報告されている。しかし、官能基保護
の際に使用するジ−ｔｅｒｔ−ブチル ジカーボネート
が高価であるうえ、長鎖アルキニル化におけるエリトロ
選択性が９０％であって、満足できるものではなかっ
た。
【００１０】（ｃ）の方法としては、パルミチルアルデ
ヒドからホーナー−エモンス（Ｈｏｒｎｅｒ−Ｅｍｍｏ
ｎｓ）反応により（Ｅ）−２−オクタデセン−１−オー
ルを合成し、次いでｔｅｒｔ−ブチルヒドロペルオキシ
ドを用いたシャープレスの不斉エポキシ化反応により、
光学活性エポキシドを得、これと窒素求核種との反応に
よりエポキシ開環反応を行って光学活性な（＋）−Ｄ−
ジヒドロスフィンゴシンを得る方法（Ｋ．Ｍｏｒｉら、
Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．，２２，４４３３
（１９８１），Ｗ．Ｒ．Ｒｏｕｓｈら、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃ
ｈｅｍ．，５０，３７５２（１９８５））が報告されて
いる。しかし、上述の方法では、光学純度の高いエポキ
シドを得るためには高純度の２−オクタデセン−１−オ
ールのトランス体が必要であるうえ、酸化剤として安全
性上好ましくないｔｅｒｔ−ブチルヒドロペルオキシド
等の過酸化物を過剰量使用しなければならず、満足でき
るものではなかった。以上のようにさまざまな方法で光
学活性ジヒドロスフィンゴシンの合成が試みられている
にもかかわらず、光学純度、大量合成に優れた工業的な
方法としてはいずれも満足できるものではなかった。
ヒドからホーナー−エモンス（Ｈｏｒｎｅｒ−Ｅｍｍｏ
ｎｓ）反応により（Ｅ）−２−オクタデセン−１−オー
ルを合成し、次いでｔｅｒｔ−ブチルヒドロペルオキシ
ドを用いたシャープレスの不斉エポキシ化反応により、
光学活性エポキシドを得、これと窒素求核種との反応に
よりエポキシ開環反応を行って光学活性な（＋）−Ｄ−
ジヒドロスフィンゴシンを得る方法（Ｋ．Ｍｏｒｉら、
Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．，２２，４４３３
（１９８１），Ｗ．Ｒ．Ｒｏｕｓｈら、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃ
ｈｅｍ．，５０，３７５２（１９８５））が報告されて
いる。しかし、上述の方法では、光学純度の高いエポキ
シドを得るためには高純度の２−オクタデセン−１−オ
ールのトランス体が必要であるうえ、酸化剤として安全
性上好ましくないｔｅｒｔ−ブチルヒドロペルオキシド
等の過酸化物を過剰量使用しなければならず、満足でき
るものではなかった。以上のようにさまざまな方法で光
学活性ジヒドロスフィンゴシンの合成が試みられている
にもかかわらず、光学純度、大量合成に優れた工業的な
方法としてはいずれも満足できるものではなかった。
【００１１】一方、特開平１−１６５５６１号公報に
は、ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を触媒として
２−Ｎ−アシルアミノアセト酢酸エステル類に不斉水素
化を行い、光学活性スレオニンを製造する方法が報告さ
れている。
は、ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を触媒として
２−Ｎ−アシルアミノアセト酢酸エステル類に不斉水素
化を行い、光学活性スレオニンを製造する方法が報告さ
れている。
【００１２】
【化６】
【００１３】（式中、Ｒ２は低級アルキル基、低級アル
キル基もしくは低級アルコキシ基で置換されていてもよ
いフェニル基、または低級アルキル基もしくは低級アル
コキシ基で置換されていてもよいベンジル基を示し、Ｒ
３は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、低
級アルキル基もしくは低級アルコキシ基で置換されてい
てもよいフェニル基、または低級アルキル基もしくは低
級アルコキシ基で置換されていてもよいベンジルオキシ
基を示し、＊印は不斉炭素原子を表す。）
キル基もしくは低級アルコキシ基で置換されていてもよ
いフェニル基、または低級アルキル基もしくは低級アル
コキシ基で置換されていてもよいベンジル基を示し、Ｒ
３は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、低
級アルキル基もしくは低級アルコキシ基で置換されてい
てもよいフェニル基、または低級アルキル基もしくは低
級アルコキシ基で置換されていてもよいベンジルオキシ
基を示し、＊印は不斉炭素原子を表す。）
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】よって、本発明の目的
は、現在及び将来的なスフィンゴシン類の需要に応え、
現実的に大量生産を可能にすべく、安全で簡便に目的の
光学活性ジヒドロスフィンゴシン類を高い光学純度で得
る方法を提供することにある。
は、現在及び将来的なスフィンゴシン類の需要に応え、
現実的に大量生産を可能にすべく、安全で簡便に目的の
光学活性ジヒドロスフィンゴシン類を高い光学純度で得
る方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】このような実情におい
て、本発明者らは鋭意研究を行った結果、次の一般式
（１）
て、本発明者らは鋭意研究を行った結果、次の一般式
（１）
【００１６】
【化７】
【００１７】（式中、Ｒ1 は炭素原子数が１１個から２
１個までの高級アルキル基を示し、Ｒ2 は低級アルキル
基、低級アルキル基もしくは低級アルコキシ基で置換さ
れていてもよいフェニル基、または低級アルキル基もし
くは低級アルコキシ基で置換されていてもよいベンジル
基を示し、Ｒ3 は水素原子、低級アルキル基、低級アル
コキシ基、低級アルキル基もしくは低級アルコキシ基で
置換されていてもよいフェニル基、または低級アルキル
基もしくは低級アルコキシ基で置換されていてもよいベ
ンジルオキシ基を示す）で表わされる２−Ｎ−アシルア
ミノ−高級アシル酢酸エステル化合物を、ルテニウム−
光学活性ホスフィン錯体を触媒として不斉水素化を行
い、次の一般式（２）
１個までの高級アルキル基を示し、Ｒ2 は低級アルキル
基、低級アルキル基もしくは低級アルコキシ基で置換さ
れていてもよいフェニル基、または低級アルキル基もし
くは低級アルコキシ基で置換されていてもよいベンジル
基を示し、Ｒ3 は水素原子、低級アルキル基、低級アル
コキシ基、低級アルキル基もしくは低級アルコキシ基で
置換されていてもよいフェニル基、または低級アルキル
基もしくは低級アルコキシ基で置換されていてもよいベ
ンジルオキシ基を示す）で表わされる２−Ｎ−アシルア
ミノ−高級アシル酢酸エステル化合物を、ルテニウム−
光学活性ホスフィン錯体を触媒として不斉水素化を行
い、次の一般式（２）
【００１８】
【化８】
【００１９】（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は上記と同じ
意義を有し、＊印は不斉炭素原子であることを示す）で
表わされる光学活性２−Ｎ−アシルアミノ−３−ヒドロ
キシ高級カルボン酸誘導体を得、ついでこれを必要に応
じて３位水酸基の立体配置を反転した後、加水分解及び
還元することにより、次の一般式（３）
意義を有し、＊印は不斉炭素原子であることを示す）で
表わされる光学活性２−Ｎ−アシルアミノ−３−ヒドロ
キシ高級カルボン酸誘導体を得、ついでこれを必要に応
じて３位水酸基の立体配置を反転した後、加水分解及び
還元することにより、次の一般式（３）
【００２０】
【化９】
【００２１】（式中、Ｒ1 及び＊印は上記と同じ意義を
有する）で表わされる光学活性ジヒドロスフィンゴシン
類を簡便に、高収率、高光学収率で得られることを見出
し、本発明を完成した。
有する）で表わされる光学活性ジヒドロスフィンゴシン
類を簡便に、高収率、高光学収率で得られることを見出
し、本発明を完成した。
【００２２】（原料）本発明方法の原料となる２−Ｎ−
アシルアミノ−高級アシル酢酸エステル化合物は、［Sh
apiro ら、J. Am. Chem. Soc., 75, 4705 (1953); J. A
m. Chem. Soc., 80, 2170 (1957)］に従って、例えば以
下のようにして得ることができる。
アシルアミノ−高級アシル酢酸エステル化合物は、［Sh
apiro ら、J. Am. Chem. Soc., 75, 4705 (1953); J. A
m. Chem. Soc., 80, 2170 (1957)］に従って、例えば以
下のようにして得ることができる。
【００２３】
【化１０】
【００２４】（式中、Ｒ1 及びＲ2 は上記と同じ意義を
有し、Ｐｈはフェニル基を示す。）２−Ｎ−アシルアミ
ノ高級アシル酢酸エステル化合物（１）のＲ1 は炭素原
子数が１１−２１個の高級アルキル基を示すが、具体的
にはｎ−ウンデカニル基、ｎ−ドデカニル基、ｎ−トリ
デカニル基、ｎ−テトラデカニル基、ｎ−ペンタデカニ
ル基、ｎ−ヘキサデカニル基、ｎ−ヘプタデカニル基、
ｎ−オクタデカニル基、ｎ−ノナデカニル基、ｎ−イコ
サニル基、ｎ−ヘンイコサニル基等が挙げられ、特にｎ
−トリデカニル基、ｎ−ペンタデカニル基、ｎ−ヘプタ
デカニル基が好ましい。また、Ｒ2 の低級アルキル基と
してはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチ
ル基等が挙げられ、低級アルキル基もしくは低級アルコ
キシ基で置換されたフェニル基としては、ｏ−トリル
基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｏ−エチルフェニル
基、ｍ−エチルフェニル基、ｐ−エチルフェニル基、ｏ
−メトキシフェニル基、ｍ−メトキシフェニル基、ｐ−
メトキシフェニル基、ｍ−エトキシフェニル基、ｐ−エ
トキシフェニル基等が挙げられ、さらに低級アルキル基
もしくは低級アルコキシ基で置換されたベンジル基とし
ては、ｏ−メチルベンジル基、ｍ−メチルベンジル基、
ｐ−メチルベンジル基、ｏ−メトキシベンジル基、ｐ−
メトキシベンジル基等が挙げられるが、Ｒ2 としては特
に低級アルキル基が好ましい。Ｒ3 の低級アルコキシ基
としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピル基、
ｎ−ブトキシ基等が挙げられ、Ｒ3 の低級アルキル基及
び低級アルキル基もしくは低級アルコキシ基で置換され
たフェニル基としては、Ｒ2 として例示したものが挙げ
られる。また、低級アルキル基もしくは低級アルコキシ
基で置換されたベンジルオキシ基としては、そのフェニ
ル基の部分が前述したような置換フェニル基にあたるも
のが挙げられる。かかる２−Ｎ−アシルアミノ−高級ア
シル酢酸エステル化合物としては、例えば、２−Ｎ−ア
セトアミド−ヘキサデカノイル酢酸メチルエステル、２
−Ｎ−アセトアミド−ヘキサデカノイル酢酸エチルエス
テル、２−Ｎ−アセトアミド−ヘキサデカノイル酢酸ブ
チルエステル、２−Ｎ−アセトアミド−ヘキサデカノイ
ル酢酸フェニルエステル、２−Ｎ−アセトアミド−ヘキ
サデカノイル酢酸ｐ−メチルフェニルエステル、２−Ｎ
−アセトアミド−ヘキサデカノイル酢酸ｐ−メトキシフ
ェニルエステル、２−Ｎ−アセトアミド−ヘキサデカノ
イル酢酸ベンジルエステル、２−Ｎ−アセトアミド−ヘ
キサデカノイル酢酸ｐ−メチルベンジルエステル、２−
Ｎ−アセトアミド−ヘキサデカノイル酢酸ｐ−メトキシ
ベンジルエステル、２−Ｎ−ホルムアミド−ヘキサデカ
ノイル酢酸メチルエステル、２−Ｎ−ホルムアミド−ヘ
キサデカノイル酢酸エチルエステル、２−Ｎ−ホルムア
ミド−ヘキサデカノイル酢酸フェニルエステル、２−Ｎ
−ホルムアミド−ヘキサデカノイル酢酸ｏ−メチルフェ
ニルエステル、２−Ｎ−ホルムアミド−ヘキサデカノイ
ル酢酸ベンジルエステル、２−Ｎ−ホルムアミド−ヘキ
サデカノイル酢酸ｐ−メトキシベンジルエステル、２−
Ｎ−ベンズアミド−ヘキサデカノイル酢酸メチルエステ
ル、２−Ｎ−ベンズアミド−ヘキサデカノイル酢酸フェ
ニルエステル、２−Ｎ−ベンズアミド−ヘキサデカノイ
ル酢酸ｍ−メトキシフェニルエステル、２−Ｎ−ベンズ
アミド−ヘキサデカノイル酢酸ベンジルエステル、２−
Ｎ−ベンズアミド−ヘキサデカノイル酢酸ｐ−メチルベ
ンジルエステル、２−Ｎ−アセトアミド−テトラデカノ
イル酢酸メチルエステル、２−Ｎ−アセトアミド−テト
ラデカノイル酢酸ｎ−ブチルエステル、２−Ｎ−アセト
アミド−テトラデカノイル酢酸ｐ−メトキシフェニルエ
ステル、２−Ｎ−アセトアミド−テトラデカノイル酢酸
ベンジルエステル、２−Ｎ−アセトアミド−テトラデカ
ノイル酢酸ｐ−メトキシベンジルエステル、２−Ｎ−ア
セトアミド−オクタデカノイル酢酸エチルエステル、２
−Ｎ−アセトアミド−オクタデカノイル酢酸フェニルエ
ステル、２−Ｎ−アセトアミド−オクタデカノイル酢酸
ｐ−メトキシフェニルエステル、２−Ｎ−アセトアミド
−オクタデカノイル酢酸ｐ−メチルベンジルエステル、
２−Ｎ−ホルムアミド−ドデカノイル酢酸メチルエステ
ル、２−Ｎ−ホルムアミド−トリデカノイル酢酸エチル
エステル、２−Ｎ−ホルムアミド−ペンタデカノイル酢
酸フェニルエステル、２−Ｎ−ホルムアミド−ヘプタデ
カノイル酢酸ｏ−メチルフェニルエステル、２−Ｎ−ホ
ルムアミド−ノナデカノイル酢酸ｐ−メトキシフェニル
エステル、２−Ｎ−ホルムアミド−イコサノイル酢酸ベ
ンジルエステル、２−Ｎ−ホルムアミド−ヘンイコサノ
イル酢酸ｐ−メトキシベンジルエステル、２−Ｎ−ベン
ジルオキシカルボニルアミノ−ヘキサデカノイル酢酸エ
チルエステル、２−Ｎ−ベンジルオキシカルボニルアミ
ノ−ヘキサデカノイル酢酸フェニルエステル、２−Ｎ−
ベンジルオキシカルボニルアミノ−ヘキサデカノイル酢
酸ベンジルエステル、２−Ｎ−エトキシカルボニルアミ
ノ−ヘキサデカノイル酢酸メチルエステル、２−Ｎ−エ
トキシカルボニルアミノ−ヘキサデカノイル酢酸フェニ
ルエステル、２−Ｎ−エトキシカルボニルアミノ−ヘキ
サデカノイル酢酸ベンジルエステル、２−Ｎ−ｔｅｒｔ
−ブトキシカルボニルアミノ−ヘキサデカノイル酢酸メ
チルエステル、２−Ｎ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル
アミノ−ヘキサデカノイル酢酸ｐ−メチルフェニルエス
テル、２−Ｎ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ−
ヘキサデカノイル酢酸ベンジルエステル等が挙げられる
が、これらに限られるものではない。
有し、Ｐｈはフェニル基を示す。）２−Ｎ−アシルアミ
ノ高級アシル酢酸エステル化合物（１）のＲ1 は炭素原
子数が１１−２１個の高級アルキル基を示すが、具体的
にはｎ−ウンデカニル基、ｎ−ドデカニル基、ｎ−トリ
デカニル基、ｎ−テトラデカニル基、ｎ−ペンタデカニ
ル基、ｎ−ヘキサデカニル基、ｎ−ヘプタデカニル基、
ｎ−オクタデカニル基、ｎ−ノナデカニル基、ｎ−イコ
サニル基、ｎ−ヘンイコサニル基等が挙げられ、特にｎ
−トリデカニル基、ｎ−ペンタデカニル基、ｎ−ヘプタ
デカニル基が好ましい。また、Ｒ2 の低級アルキル基と
してはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチ
ル基等が挙げられ、低級アルキル基もしくは低級アルコ
キシ基で置換されたフェニル基としては、ｏ−トリル
基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｏ−エチルフェニル
基、ｍ−エチルフェニル基、ｐ−エチルフェニル基、ｏ
−メトキシフェニル基、ｍ−メトキシフェニル基、ｐ−
メトキシフェニル基、ｍ−エトキシフェニル基、ｐ−エ
トキシフェニル基等が挙げられ、さらに低級アルキル基
もしくは低級アルコキシ基で置換されたベンジル基とし
ては、ｏ−メチルベンジル基、ｍ−メチルベンジル基、
ｐ−メチルベンジル基、ｏ−メトキシベンジル基、ｐ−
メトキシベンジル基等が挙げられるが、Ｒ2 としては特
に低級アルキル基が好ましい。Ｒ3 の低級アルコキシ基
としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピル基、
ｎ−ブトキシ基等が挙げられ、Ｒ3 の低級アルキル基及
び低級アルキル基もしくは低級アルコキシ基で置換され
たフェニル基としては、Ｒ2 として例示したものが挙げ
られる。また、低級アルキル基もしくは低級アルコキシ
基で置換されたベンジルオキシ基としては、そのフェニ
ル基の部分が前述したような置換フェニル基にあたるも
のが挙げられる。かかる２−Ｎ−アシルアミノ−高級ア
シル酢酸エステル化合物としては、例えば、２−Ｎ−ア
セトアミド−ヘキサデカノイル酢酸メチルエステル、２
−Ｎ−アセトアミド−ヘキサデカノイル酢酸エチルエス
テル、２−Ｎ−アセトアミド−ヘキサデカノイル酢酸ブ
チルエステル、２−Ｎ−アセトアミド−ヘキサデカノイ
ル酢酸フェニルエステル、２−Ｎ−アセトアミド−ヘキ
サデカノイル酢酸ｐ−メチルフェニルエステル、２−Ｎ
−アセトアミド−ヘキサデカノイル酢酸ｐ−メトキシフ
ェニルエステル、２−Ｎ−アセトアミド−ヘキサデカノ
イル酢酸ベンジルエステル、２−Ｎ−アセトアミド−ヘ
キサデカノイル酢酸ｐ−メチルベンジルエステル、２−
Ｎ−アセトアミド−ヘキサデカノイル酢酸ｐ−メトキシ
ベンジルエステル、２−Ｎ−ホルムアミド−ヘキサデカ
ノイル酢酸メチルエステル、２−Ｎ−ホルムアミド−ヘ
キサデカノイル酢酸エチルエステル、２−Ｎ−ホルムア
ミド−ヘキサデカノイル酢酸フェニルエステル、２−Ｎ
−ホルムアミド−ヘキサデカノイル酢酸ｏ−メチルフェ
ニルエステル、２−Ｎ−ホルムアミド−ヘキサデカノイ
ル酢酸ベンジルエステル、２−Ｎ−ホルムアミド−ヘキ
サデカノイル酢酸ｐ−メトキシベンジルエステル、２−
Ｎ−ベンズアミド−ヘキサデカノイル酢酸メチルエステ
ル、２−Ｎ−ベンズアミド−ヘキサデカノイル酢酸フェ
ニルエステル、２−Ｎ−ベンズアミド−ヘキサデカノイ
ル酢酸ｍ−メトキシフェニルエステル、２−Ｎ−ベンズ
アミド−ヘキサデカノイル酢酸ベンジルエステル、２−
Ｎ−ベンズアミド−ヘキサデカノイル酢酸ｐ−メチルベ
ンジルエステル、２−Ｎ−アセトアミド−テトラデカノ
イル酢酸メチルエステル、２−Ｎ−アセトアミド−テト
ラデカノイル酢酸ｎ−ブチルエステル、２−Ｎ−アセト
アミド−テトラデカノイル酢酸ｐ−メトキシフェニルエ
ステル、２−Ｎ−アセトアミド−テトラデカノイル酢酸
ベンジルエステル、２−Ｎ−アセトアミド−テトラデカ
ノイル酢酸ｐ−メトキシベンジルエステル、２−Ｎ−ア
セトアミド−オクタデカノイル酢酸エチルエステル、２
−Ｎ−アセトアミド−オクタデカノイル酢酸フェニルエ
ステル、２−Ｎ−アセトアミド−オクタデカノイル酢酸
ｐ−メトキシフェニルエステル、２−Ｎ−アセトアミド
−オクタデカノイル酢酸ｐ−メチルベンジルエステル、
２−Ｎ−ホルムアミド−ドデカノイル酢酸メチルエステ
ル、２−Ｎ−ホルムアミド−トリデカノイル酢酸エチル
エステル、２−Ｎ−ホルムアミド−ペンタデカノイル酢
酸フェニルエステル、２−Ｎ−ホルムアミド−ヘプタデ
カノイル酢酸ｏ−メチルフェニルエステル、２−Ｎ−ホ
ルムアミド−ノナデカノイル酢酸ｐ−メトキシフェニル
エステル、２−Ｎ−ホルムアミド−イコサノイル酢酸ベ
ンジルエステル、２−Ｎ−ホルムアミド−ヘンイコサノ
イル酢酸ｐ−メトキシベンジルエステル、２−Ｎ−ベン
ジルオキシカルボニルアミノ−ヘキサデカノイル酢酸エ
チルエステル、２−Ｎ−ベンジルオキシカルボニルアミ
ノ−ヘキサデカノイル酢酸フェニルエステル、２−Ｎ−
ベンジルオキシカルボニルアミノ−ヘキサデカノイル酢
酸ベンジルエステル、２−Ｎ−エトキシカルボニルアミ
ノ−ヘキサデカノイル酢酸メチルエステル、２−Ｎ−エ
トキシカルボニルアミノ−ヘキサデカノイル酢酸フェニ
ルエステル、２−Ｎ−エトキシカルボニルアミノ−ヘキ
サデカノイル酢酸ベンジルエステル、２−Ｎ−ｔｅｒｔ
−ブトキシカルボニルアミノ−ヘキサデカノイル酢酸メ
チルエステル、２−Ｎ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル
アミノ−ヘキサデカノイル酢酸ｐ−メチルフェニルエス
テル、２−Ｎ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ−
ヘキサデカノイル酢酸ベンジルエステル等が挙げられる
が、これらに限られるものではない。
【００２５】（触媒）本発明で使用するルテニウム−光
学活性ホスフィン錯体としては、例えば特開昭６１−６
３６９０号公報に記載の次の一般式（４） Ｒｕx Ｈy Ｃｌz （Ｒ4 −ＢＩＮＡＰ）2 （Ｓ）p （４） （式中、Ｒ4 −ＢＩＮＡＰは次の一般式（５）
学活性ホスフィン錯体としては、例えば特開昭６１−６
３６９０号公報に記載の次の一般式（４） Ｒｕx Ｈy Ｃｌz （Ｒ4 −ＢＩＮＡＰ）2 （Ｓ）p （４） （式中、Ｒ4 −ＢＩＮＡＰは次の一般式（５）
【００２６】
【化１１】
【００２７】で表わされる光学活性三級ホスフィンを示
し、Ｒ４は水素原子、メチル基又はｔｅｒｔ−ブチル基
を示し、Ｓは三級アミンを示し、ｙが０のときｘは２、
ｚは４、ｐは１を示し、ｙが１のときｘは１、ｚは１、
ｐは０を示す）で表わされるものが挙げられる。その
他、特開昭６３−４１４８７号公報、特開平１−６８３
８７号公報、特開平１−１６５５６１号公報等に報告さ
れている類似のルテニウム−光学活性ホスフィン錯体が
挙げられるが、これらに限定されるものではない。次に
その具体例を示す。 Ｒｕ２Ｃｌ４（ＢＩＮＡＰ）２（ＮＥｔ３） ［ＢＩＮＡＰは、２、２’−ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）−１、１’−ビナフチルを意味し、Ｅｔはエチル基
を意味する。］ Ｒｕ２Ｃｌ４（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）２（ＮＥｔ３） ［Ｔ−ＢＩＮＡＰは、２、２’−ビス（ジ−ｐ−トリル
ホスフィノ）−１、１’−ビナフチルを意味する。］ Ｒｕ２Ｃｌ４（ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰ）２（ＮＥｔ３） ［ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰは、２、２’−ビス（ジ−ｐ−
ｔｅｒｔ−ブチルフェニルホスフィノ）−１、１’−ビ
ナフチルを意味する。］ ＲｕＨＣｌ（ＢＩＮＡＰ）２ ＲｕＨＣｌ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）２ ＲｕＨＣｌ（ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰ）２ ［Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）］（ＣｌＯ４）２ ［Ｒｕ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）］（ＣｌＯ４）２ ［Ｒｕ（ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰ）］（ＣｌＯ４）２ ［Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）］（ＢＦ４）２ ［Ｒｕ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）］（ＢＦ４）２ ［Ｒｕ（ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰ）］（ＢＦ４）２ ［Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）］（ＰＦ６）２ ［Ｒｕ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）］（ＰＦ６）２ ［ＲｕＨ（ＢＩＮＡＰ）２］ＣｌＯ４ ［ＲｕＨ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）２］ＣｌＯ４ ［ＲｕＨ（ＢＩＮＡＰ）２］ＢＦ４ ［ＲｕＨ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）２］ＢＦ４ ［ＲｕＨ（ＢＩＮＡＰ）２］ＰＦ６ ［ＲｕＨ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）２］ＰＦ６ Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）（ＯＣＯＣＨ３）２ Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）（ＯＣＯＣＦ３）２ Ｒｕ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）（ＯＣＯＣＨ３）２ Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）（ＯＣＯ−ｔ−Ｂｕ）２ （ｔ−Ｂｕはｔｅｒｔ−ブチル基を意味する。） Ｒｕ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）（ＯＣＯＣＦ３）２ Ｒｕ（ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰ）（ＯＣＯＣＨ３）２ ［Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）ＺｎＣｌ４］２（ＮＥｔ３） ［Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）ＡｌＣｌ５］２（ＮＥｔ３） ［Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）ＳｎＣｌ６］２（ＮＥｔ３） ［Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）ＴｉＣｌ６］２（ＮＥｔ３） ［Ｒｕ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）ＺｎＣｌ４］２（ＮＥｔ３） ［Ｒｕ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）ＡｌＣｌ５］２（ＮＥｔ３） ［Ｒｕ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）ＳｎＣｌ６］２（ＮＥｔ３） ［Ｒｕ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）ＴｉＣｌ６］２（ＮＥｔ３） ［Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）ＺｎＣｌ２］（ＯＣＯＣＨ３）２ ［Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）ＡｌＣｌ３］（ＯＣＯＣＨ３）２ ［Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）ＳｎＣｌ４］（ＯＣＯＣＨ３）２ ［Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）ＴｉＣｌ４］（ＯＣＯＣＨ３）２ ［Ｒｕ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）ＺｎＣｌ２］（ＯＣＯＣ
Ｈ３）２ ［Ｒｕ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）ＡｌＣｌ３］（ＯＣＯＣ
Ｈ３）２ ［Ｒｕ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）ＳｎＣｌ４］（ＯＣＯＣ
Ｈ３）２ ［Ｒｕ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）ＴｉＣｌ４］（ＯＣＯＣ
Ｈ３）２
し、Ｒ４は水素原子、メチル基又はｔｅｒｔ−ブチル基
を示し、Ｓは三級アミンを示し、ｙが０のときｘは２、
ｚは４、ｐは１を示し、ｙが１のときｘは１、ｚは１、
ｐは０を示す）で表わされるものが挙げられる。その
他、特開昭６３−４１４８７号公報、特開平１−６８３
８７号公報、特開平１−１６５５６１号公報等に報告さ
れている類似のルテニウム−光学活性ホスフィン錯体が
挙げられるが、これらに限定されるものではない。次に
その具体例を示す。 Ｒｕ２Ｃｌ４（ＢＩＮＡＰ）２（ＮＥｔ３） ［ＢＩＮＡＰは、２、２’−ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）−１、１’−ビナフチルを意味し、Ｅｔはエチル基
を意味する。］ Ｒｕ２Ｃｌ４（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）２（ＮＥｔ３） ［Ｔ−ＢＩＮＡＰは、２、２’−ビス（ジ−ｐ−トリル
ホスフィノ）−１、１’−ビナフチルを意味する。］ Ｒｕ２Ｃｌ４（ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰ）２（ＮＥｔ３） ［ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰは、２、２’−ビス（ジ−ｐ−
ｔｅｒｔ−ブチルフェニルホスフィノ）−１、１’−ビ
ナフチルを意味する。］ ＲｕＨＣｌ（ＢＩＮＡＰ）２ ＲｕＨＣｌ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）２ ＲｕＨＣｌ（ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰ）２ ［Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）］（ＣｌＯ４）２ ［Ｒｕ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）］（ＣｌＯ４）２ ［Ｒｕ（ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰ）］（ＣｌＯ４）２ ［Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）］（ＢＦ４）２ ［Ｒｕ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）］（ＢＦ４）２ ［Ｒｕ（ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰ）］（ＢＦ４）２ ［Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）］（ＰＦ６）２ ［Ｒｕ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）］（ＰＦ６）２ ［ＲｕＨ（ＢＩＮＡＰ）２］ＣｌＯ４ ［ＲｕＨ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）２］ＣｌＯ４ ［ＲｕＨ（ＢＩＮＡＰ）２］ＢＦ４ ［ＲｕＨ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）２］ＢＦ４ ［ＲｕＨ（ＢＩＮＡＰ）２］ＰＦ６ ［ＲｕＨ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）２］ＰＦ６ Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）（ＯＣＯＣＨ３）２ Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）（ＯＣＯＣＦ３）２ Ｒｕ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）（ＯＣＯＣＨ３）２ Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）（ＯＣＯ−ｔ−Ｂｕ）２ （ｔ−Ｂｕはｔｅｒｔ−ブチル基を意味する。） Ｒｕ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）（ＯＣＯＣＦ３）２ Ｒｕ（ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰ）（ＯＣＯＣＨ３）２ ［Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）ＺｎＣｌ４］２（ＮＥｔ３） ［Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）ＡｌＣｌ５］２（ＮＥｔ３） ［Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）ＳｎＣｌ６］２（ＮＥｔ３） ［Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）ＴｉＣｌ６］２（ＮＥｔ３） ［Ｒｕ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）ＺｎＣｌ４］２（ＮＥｔ３） ［Ｒｕ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）ＡｌＣｌ５］２（ＮＥｔ３） ［Ｒｕ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）ＳｎＣｌ６］２（ＮＥｔ３） ［Ｒｕ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）ＴｉＣｌ６］２（ＮＥｔ３） ［Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）ＺｎＣｌ２］（ＯＣＯＣＨ３）２ ［Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）ＡｌＣｌ３］（ＯＣＯＣＨ３）２ ［Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）ＳｎＣｌ４］（ＯＣＯＣＨ３）２ ［Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）ＴｉＣｌ４］（ＯＣＯＣＨ３）２ ［Ｒｕ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）ＺｎＣｌ２］（ＯＣＯＣ
Ｈ３）２ ［Ｒｕ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）ＡｌＣｌ３］（ＯＣＯＣ
Ｈ３）２ ［Ｒｕ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）ＳｎＣｌ４］（ＯＣＯＣ
Ｈ３）２ ［Ｒｕ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）ＴｉＣｌ４］（ＯＣＯＣ
Ｈ３）２
【００２８】（操作手順）本発明を実施するには、まず
窒素気流下にあるオートクレーブに、２−Ｎ−アシルア
ミノ−高級アシル酢酸エステル化合物（１）をこれと等
量〜１００倍量の塩化メチレン、メタノール、エタノー
ル、イソプロパノール等の溶媒に溶解したものを入れ、
続いて基質（１）に対して５０分の１〜１０００分の１
モルのルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を加える。
これを水素圧１０〜１００ａｔｍ、温度２５〜５０℃で
１２〜４８時間反応させることにより、光学活性２−Ｎ
−アシルアミノ−３−ヒドロキシ−高級カルボン酸誘導
体（２）を得ることができる。このものを必要に応じて
常法により塩化チオニルを用いて３位水酸基を分子内反
転させる。次いで、塩酸等でアミド基を加水分解した
後、水素化ホウ素リチウムや水素化リチウムアルミニウ
ム等の還元剤によりエステルを還元して、目的とする光
学活性ジヒドロスフィンゴシン類（３）を得ることがで
きる。
窒素気流下にあるオートクレーブに、２−Ｎ−アシルア
ミノ−高級アシル酢酸エステル化合物（１）をこれと等
量〜１００倍量の塩化メチレン、メタノール、エタノー
ル、イソプロパノール等の溶媒に溶解したものを入れ、
続いて基質（１）に対して５０分の１〜１０００分の１
モルのルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を加える。
これを水素圧１０〜１００ａｔｍ、温度２５〜５０℃で
１２〜４８時間反応させることにより、光学活性２−Ｎ
−アシルアミノ−３−ヒドロキシ−高級カルボン酸誘導
体（２）を得ることができる。このものを必要に応じて
常法により塩化チオニルを用いて３位水酸基を分子内反
転させる。次いで、塩酸等でアミド基を加水分解した
後、水素化ホウ素リチウムや水素化リチウムアルミニウ
ム等の還元剤によりエステルを還元して、目的とする光
学活性ジヒドロスフィンゴシン類（３）を得ることがで
きる。
【００２９】ここで、使用するルテニウム−光学活性ホ
スフィン錯体の配位子の絶対配置を選択し、及び必要に
応じて３位水酸基を反転させることで、所望の絶対配置
の天然型又は非天然型ジヒドロスフィンゴシン類を作り
分けることができる。すなわち、例えば、使用するルテ
ニウム−光学活性ホスフィン錯体（４）の光学活性三級
ホスフィンとして（−）−体を用いて水素化した場合、
（２Ｒ，３Ｓ）のシン体（６）が得られ、最終的に、反
転操作をすれば（２Ｓ，３Ｒ）のアンチ体（７）、反転
操作をしなければ（２Ｓ，３Ｓ）のシン体（８）が得ら
れる。一方、（＋）−体を用いて水素化した場合には、
（２Ｓ，３Ｒ）のシン体（９）が得られる。
スフィン錯体の配位子の絶対配置を選択し、及び必要に
応じて３位水酸基を反転させることで、所望の絶対配置
の天然型又は非天然型ジヒドロスフィンゴシン類を作り
分けることができる。すなわち、例えば、使用するルテ
ニウム−光学活性ホスフィン錯体（４）の光学活性三級
ホスフィンとして（−）−体を用いて水素化した場合、
（２Ｒ，３Ｓ）のシン体（６）が得られ、最終的に、反
転操作をすれば（２Ｓ，３Ｒ）のアンチ体（７）、反転
操作をしなければ（２Ｓ，３Ｓ）のシン体（８）が得ら
れる。一方、（＋）−体を用いて水素化した場合には、
（２Ｓ，３Ｒ）のシン体（９）が得られる。
【００３０】
【化１２】
【００３１】
【実施例】以下、実施例および参考例により本発明をさ
らに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定
されるものではない。
らに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定
されるものではない。
【００３２】参考例１ Ｒｕ２Ｃｌ４［（−）−Ｔ−ＢＩＮＡＰ］２（ＮＥ
ｔ３）の合成 ［ＲｕＣｌ２（ＣＯＤ）］ｎ１ｇ（３．５６ｍｍｏｌ）
（式中、ＣＯＤは１，５−シクロオクタジエンを示
す）、（−）−Ｔ−ＢＩＮＡＰ ２．９ｇ（４．２７ｍ
ｍｏｌ）（式中、Ｔ−ＢＩＮＡＰは２，２’−ビス［ジ
−ｐ−トリルホスフィノ］−１，１’−ビナフチルを示
す）及びトリエチルアミン１．５ｇを５０ｍｌのトルエ
ン中に窒素雰囲気下に加えた。加熱撹拌をトルエン還流
下に行ない、６時間反応せしめた後、冷却し、析出した
結晶をろ別した。この結晶をトルエンに溶解し、この中
にジエチルエーテルを徐々に加えて再結晶化を行ない、
Ｒｕ２Ｃｌ４［（−）−Ｔ−ＢＩＮＡＰ］２（ＮＥ
ｔ３）の結晶２．２４ｇを得た。 参考例２ Ｒｕ２Ｃｌ４［（＋）−Ｔ−ＢＩＮＡＰ］２（ＮＥ
ｔ３）の合成 （−）−Ｔ−ＢＩＮＡＰの代わりに（＋）−Ｔ−ＢＩＮ
ＡＰを用いた外は参考例１と同様に操作を行ない、Ｒｕ
２Ｃｌ４［（＋）−Ｔ−ＢＩＮＡＰ］２（ＮＥｔ３）を
得た。 実施例１ （２Ｓ，３Ｒ）−ジヒドロスフィンゴシンの合成 あらかじめ窒素置換を行った３００ｍｌのステンレスオ
ートクレーブに、２−Ｎ−アセトアミド−ヘキサデカノ
イル酢酸メチルエステル８．４ｇ（２２．７ｍｍｏｌ）
及び参考例１に準じて合成したルテニウム−光学活性ホ
スフィン錯体Ｒｕ２Ｃｌ４［（−）−Ｔ−ＢＩＮＡＰ］
２（ＮＥｔ３）（Ｔ−ＢＩＮＡＰは２，２’−ビス［ジ
ｐ−トリルホスフィノ］−１，１’−ビナフチルを示
す。）１０２ｍｇ（０．０５７ｍｍｏｌ）を塩化メチレ
ン４０ｍｌに溶かしたものを加え、５０℃、水素圧５０
ａｔｍで４５時間撹拌して反応させた。水添反応物の溶
媒を留去し、残留物をｎ−ヘキサンと酢酸エチル８０：
１の混合溶媒から結晶化して８．４ｇの結晶を得た。こ
の結晶をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｎ−ヘ
キサン／酢酸エチル＝５／１〜１／４（容量比））にて
精製し８．０ｇの（２Ｒ，３Ｓ）−２−Ｎ−アセトアミ
ド−３−ヒドロキシオクタデカン酸メチルエステルを得
た。収率９５％、融点９５〜９６℃、［α］Ｄ ２８＝−
１１．１°（Ｃ＝１．０５，ＣＨＣｌ３）、光学純度９
８％ｅ．ｅ．。
ｔ３）の合成 ［ＲｕＣｌ２（ＣＯＤ）］ｎ１ｇ（３．５６ｍｍｏｌ）
（式中、ＣＯＤは１，５−シクロオクタジエンを示
す）、（−）−Ｔ−ＢＩＮＡＰ ２．９ｇ（４．２７ｍ
ｍｏｌ）（式中、Ｔ−ＢＩＮＡＰは２，２’−ビス［ジ
−ｐ−トリルホスフィノ］−１，１’−ビナフチルを示
す）及びトリエチルアミン１．５ｇを５０ｍｌのトルエ
ン中に窒素雰囲気下に加えた。加熱撹拌をトルエン還流
下に行ない、６時間反応せしめた後、冷却し、析出した
結晶をろ別した。この結晶をトルエンに溶解し、この中
にジエチルエーテルを徐々に加えて再結晶化を行ない、
Ｒｕ２Ｃｌ４［（−）−Ｔ−ＢＩＮＡＰ］２（ＮＥ
ｔ３）の結晶２．２４ｇを得た。 参考例２ Ｒｕ２Ｃｌ４［（＋）−Ｔ−ＢＩＮＡＰ］２（ＮＥ
ｔ３）の合成 （−）−Ｔ−ＢＩＮＡＰの代わりに（＋）−Ｔ−ＢＩＮ
ＡＰを用いた外は参考例１と同様に操作を行ない、Ｒｕ
２Ｃｌ４［（＋）−Ｔ−ＢＩＮＡＰ］２（ＮＥｔ３）を
得た。 実施例１ （２Ｓ，３Ｒ）−ジヒドロスフィンゴシンの合成 あらかじめ窒素置換を行った３００ｍｌのステンレスオ
ートクレーブに、２−Ｎ−アセトアミド−ヘキサデカノ
イル酢酸メチルエステル８．４ｇ（２２．７ｍｍｏｌ）
及び参考例１に準じて合成したルテニウム−光学活性ホ
スフィン錯体Ｒｕ２Ｃｌ４［（−）−Ｔ−ＢＩＮＡＰ］
２（ＮＥｔ３）（Ｔ−ＢＩＮＡＰは２，２’−ビス［ジ
ｐ−トリルホスフィノ］−１，１’−ビナフチルを示
す。）１０２ｍｇ（０．０５７ｍｍｏｌ）を塩化メチレ
ン４０ｍｌに溶かしたものを加え、５０℃、水素圧５０
ａｔｍで４５時間撹拌して反応させた。水添反応物の溶
媒を留去し、残留物をｎ−ヘキサンと酢酸エチル８０：
１の混合溶媒から結晶化して８．４ｇの結晶を得た。こ
の結晶をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｎ−ヘ
キサン／酢酸エチル＝５／１〜１／４（容量比））にて
精製し８．０ｇの（２Ｒ，３Ｓ）−２−Ｎ−アセトアミ
ド−３−ヒドロキシオクタデカン酸メチルエステルを得
た。収率９５％、融点９５〜９６℃、［α］Ｄ ２８＝−
１１．１°（Ｃ＝１．０５，ＣＨＣｌ３）、光学純度９
８％ｅ．ｅ．。
【００３３】光学純度は、得られた（２Ｒ，３Ｓ）−２
−Ｎ−アセトアミド−３−ヒドロキシオクタデカン酸メ
チルエステルをピリジン溶媒中（＋）及び（−）−メト
キシ−トリフルオロメチル−フェニル酢酸クロライド
（ＭＴＰＡクロライド）を用いて、３位の水酸基のエス
テル化を行ない、４００ＭＨｚ ＮＭＲによりメチルエ
ステル基、アセトアミド基のシングレットピークあるい
はアミド基のダブレットピークのジアステレオマー比か
ら決定した。以下の実施例においても同様に光学純度を
決定した。
−Ｎ−アセトアミド−３−ヒドロキシオクタデカン酸メ
チルエステルをピリジン溶媒中（＋）及び（−）−メト
キシ−トリフルオロメチル−フェニル酢酸クロライド
（ＭＴＰＡクロライド）を用いて、３位の水酸基のエス
テル化を行ない、４００ＭＨｚ ＮＭＲによりメチルエ
ステル基、アセトアミド基のシングレットピークあるい
はアミド基のダブレットピークのジアステレオマー比か
ら決定した。以下の実施例においても同様に光学純度を
決定した。
【００３４】1H-NMR(400 MHz, CDCl3,δ) ; 0.88 (t, 3
H, J=6.9 Hz, CH3), 1.26 (br.s, 24H), 1.32-1.52 (m,
4H), 1.95 (br.s, 1H, OH), 2.08 (s, 3H, AcN), 3.77
(s,3H, CO2Me), 4.12 (dt, 1H, J=6.6 Hz, J=2.1 Hz,C
H-O), 4.66 (dd, 1H, J=9.0Hz, J=2.1 Hz, CH-N), 6.24
(d, 1H, J=9.0 Hz, NH). IR(KBr，νcm-1）； 3400 (s,OH), 3310 (s, NH), 173
5 (s, CO2Me), 1710 (s, CO2Me), 1655 (s, CON), 1545
(s, NH), 1285 (s, C-O). Mass(m/z) ；373 (15), 371 (1), 354 (7), 311 (20),
295 (90), 271 (15),252 (10), 222 (10), 196 (10), 1
60 (10), 131 (100), 99 (80), 82 (92), 57(50), 43
(57), 28 (80).
H, J=6.9 Hz, CH3), 1.26 (br.s, 24H), 1.32-1.52 (m,
4H), 1.95 (br.s, 1H, OH), 2.08 (s, 3H, AcN), 3.77
(s,3H, CO2Me), 4.12 (dt, 1H, J=6.6 Hz, J=2.1 Hz,C
H-O), 4.66 (dd, 1H, J=9.0Hz, J=2.1 Hz, CH-N), 6.24
(d, 1H, J=9.0 Hz, NH). IR(KBr，νcm-1）； 3400 (s,OH), 3310 (s, NH), 173
5 (s, CO2Me), 1710 (s, CO2Me), 1655 (s, CON), 1545
(s, NH), 1285 (s, C-O). Mass(m/z) ；373 (15), 371 (1), 354 (7), 311 (20),
295 (90), 271 (15),252 (10), 222 (10), 196 (10), 1
60 (10), 131 (100), 99 (80), 82 (92), 57(50), 43
(57), 28 (80).
【００３５】次に（２Ｒ，３Ｓ）−２−Ｎ−アセトアミ
ド−３−ヒドロキシオクタデカン酸メチルエステル７．
５９ｇ（２２．１ｍｍｏｌ）の乾燥ベンゼン（２００ｍ
ｌ）溶液に、氷冷下塩化チオニル１６．５ｍｌ（０．２
２６ｍｏｌ）を３０分間で滴下し、室温下４時間攪拌
後、氷冷下で水（２００ｍｌ）を加え室温下１４時間攪
拌した。有機層を分離後、水層をジエチルエーテル（２
００ｍｌ）で抽出し、合わせた有機層を減圧下溶媒を留
去し粗反転生成物（２Ｒ，３Ｒ）−体８．８９ｇを得
た。結晶をシリカゲルカラムクロマトグラフィ−（ｎ−
ヘキサン／酢酸エチル＝５／１〜１／４（容量比））に
て精製し７．０ｇの（２Ｒ，３Ｒ）−２−Ｎ−アセトア
ミド−３−ヒドロキシオクタデカン酸メチルエステルを
得た。収率９２％、融点８２〜８４℃、[α]D 25＝−２
４．２°(c=0.53, CHCl3)。
ド−３−ヒドロキシオクタデカン酸メチルエステル７．
５９ｇ（２２．１ｍｍｏｌ）の乾燥ベンゼン（２００ｍ
ｌ）溶液に、氷冷下塩化チオニル１６．５ｍｌ（０．２
２６ｍｏｌ）を３０分間で滴下し、室温下４時間攪拌
後、氷冷下で水（２００ｍｌ）を加え室温下１４時間攪
拌した。有機層を分離後、水層をジエチルエーテル（２
００ｍｌ）で抽出し、合わせた有機層を減圧下溶媒を留
去し粗反転生成物（２Ｒ，３Ｒ）−体８．８９ｇを得
た。結晶をシリカゲルカラムクロマトグラフィ−（ｎ−
ヘキサン／酢酸エチル＝５／１〜１／４（容量比））に
て精製し７．０ｇの（２Ｒ，３Ｒ）−２−Ｎ−アセトア
ミド−３−ヒドロキシオクタデカン酸メチルエステルを
得た。収率９２％、融点８２〜８４℃、[α]D 25＝−２
４．２°(c=0.53, CHCl3)。
【００３６】1H-NMR(400 MHz, CDCl3 ，δ）； 0.88
(t, 3H, J=6.9 Hz, CH3), 1.26 (br.s, 24H）, 1.32-1.
52 (m, 4H), 2.07 (s, 3H, AcN), 3.79 (s, 3H, CO2M
e), 3.90-3.94 (m, 1H, CH-O), 4.68 (dd, 1H, J=7.2 H
z, J=3.2 Hz, CH-N), 6.45 (d, 1H, J=7.2 Hz, NH). IR(KBr，ν cm-1） 3300(s, OH, NH), 1735 (s, CO2M
e), 1655 (s, CON), 1550 (s, NH), 1255 (s, C-O). Mass(m/z) ； 373 (40), 371 (2), 354 (15), 312 (5
0), 295 (98), 270 (25), 253 (100), 160 (10), 131
(98), 99 (50), 89 (98), 57 (25), 43 (70), 28(20).
(t, 3H, J=6.9 Hz, CH3), 1.26 (br.s, 24H）, 1.32-1.
52 (m, 4H), 2.07 (s, 3H, AcN), 3.79 (s, 3H, CO2M
e), 3.90-3.94 (m, 1H, CH-O), 4.68 (dd, 1H, J=7.2 H
z, J=3.2 Hz, CH-N), 6.45 (d, 1H, J=7.2 Hz, NH). IR(KBr，ν cm-1） 3300(s, OH, NH), 1735 (s, CO2M
e), 1655 (s, CON), 1550 (s, NH), 1255 (s, C-O). Mass(m/z) ； 373 (40), 371 (2), 354 (15), 312 (5
0), 295 (98), 270 (25), 253 (100), 160 (10), 131
(98), 99 (50), 89 (98), 57 (25), 43 (70), 28(20).
【００３７】粗（２Ｒ，３Ｒ）−体８．８９ｇを５％塩
酸水（１００ｍｌ）と１，４−ジオキサン（１００ｍ
ｌ）の混合溶媒に加え、４時間加熱還流下攪拌した。氷
冷下６Ｎ塩酸（１００ｍｌ）を加え、冷所にて16時間放
置してアミンの塩酸塩を析出させ、結晶を濾過後乾燥し
て塩酸塩９．８２ｇを得た。融点１３３〜１３６℃。塩
酸塩９．８２ｇを乾燥テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
（３００ｍｌ）に加え、氷冷攪拌下で水素化リチウムア
ルミニウム（５．０４ｇ，０．１３３ｍｏｌ）を加えた
後、３０分間加熱還流下攪拌した。反応溶液を氷冷下１
０％水酸化ナトリウム水（２０００ｍｌ）で処理した
後、ジエチルエーテル（２０００ｍｌ×２回) で抽出
し、合わせた有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナ
トリウムで乾燥後、減圧下溶媒を留去し粗ジヒドロスフ
ィンゴシン６．４５ｇを得た。これをｎ−ヘキサン（３
００ｍｌ）から再結晶化し、濾過後結晶をｎ−ペンタン
で洗浄して４．９５ｇの光学活性（２Ｓ，３Ｒ）−ジヒ
ドロスフィンゴシンを得た。収率７４％（水添化合物か
ら）、融点８４〜８６℃、 [α]D 24＝＋２．９°（c=0.
28, CHCl3).
酸水（１００ｍｌ）と１，４−ジオキサン（１００ｍ
ｌ）の混合溶媒に加え、４時間加熱還流下攪拌した。氷
冷下６Ｎ塩酸（１００ｍｌ）を加え、冷所にて16時間放
置してアミンの塩酸塩を析出させ、結晶を濾過後乾燥し
て塩酸塩９．８２ｇを得た。融点１３３〜１３６℃。塩
酸塩９．８２ｇを乾燥テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
（３００ｍｌ）に加え、氷冷攪拌下で水素化リチウムア
ルミニウム（５．０４ｇ，０．１３３ｍｏｌ）を加えた
後、３０分間加熱還流下攪拌した。反応溶液を氷冷下１
０％水酸化ナトリウム水（２０００ｍｌ）で処理した
後、ジエチルエーテル（２０００ｍｌ×２回) で抽出
し、合わせた有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナ
トリウムで乾燥後、減圧下溶媒を留去し粗ジヒドロスフ
ィンゴシン６．４５ｇを得た。これをｎ−ヘキサン（３
００ｍｌ）から再結晶化し、濾過後結晶をｎ−ペンタン
で洗浄して４．９５ｇの光学活性（２Ｓ，３Ｒ）−ジヒ
ドロスフィンゴシンを得た。収率７４％（水添化合物か
ら）、融点８４〜８６℃、 [α]D 24＝＋２．９°（c=0.
28, CHCl3).
【００３８】1H-NMR[400 MHz, CDCl3/CD3OD(容量比5/
1)，δ] ； 0.88 (t, 3H, J=6.9Hz, CH3), 1.27 (br.s,
26H), 1.42-1.55 (m, 2H), 2.78 (ddd, 1H, J=6.7Hz,
J=4.4Hz, J=3.9Hz, CH-N), 3.56-3.62 (m, 1H, CH-O),
3.62 (dd, 1H, J=11.2Hz, J=6.7Hz, CH-O), 3.70 (dd,
1H, J=11.2Hz, J=3.9Hz, CH-O). IR(KBr，νcm-1）； 3600-3100 (s, OH,NH), 1600 (w,
NH), 1100-1000 (m,C-O,C-N). Mass(m/z): 303 (15), 301 (2), 271 (100), 252 (6),
176 (6), 90 (20), 60(98), 43 (95), 28 (48).
1)，δ] ； 0.88 (t, 3H, J=6.9Hz, CH3), 1.27 (br.s,
26H), 1.42-1.55 (m, 2H), 2.78 (ddd, 1H, J=6.7Hz,
J=4.4Hz, J=3.9Hz, CH-N), 3.56-3.62 (m, 1H, CH-O),
3.62 (dd, 1H, J=11.2Hz, J=6.7Hz, CH-O), 3.70 (dd,
1H, J=11.2Hz, J=3.9Hz, CH-O). IR(KBr，νcm-1）； 3600-3100 (s, OH,NH), 1600 (w,
NH), 1100-1000 (m,C-O,C-N). Mass(m/z): 303 (15), 301 (2), 271 (100), 252 (6),
176 (6), 90 (20), 60(98), 43 (95), 28 (48).
【００３９】実施例２ （２Ｒ，３Ｒ）−２−アミノヘキサデカン−１，３−ジ
オールの合成 あらかじめ窒素置換を行った１００ｍｌのステンレスオ
ートクレーブに、２−Ｎ−アセトアミド−テトラデカノ
イル酢酸メチルエステル０．８０ｇ（２．３４ｍｍｏ
ｌ）及び参考例２に準じて合成したルテニウム−光学活
性ホスフィン錯体Ｒｕ２Ｃｌ４［（＋）−Ｔ−ＢＩＮＡ
Ｐ］２（ＮＥｔ３）２９．５ｍｇ（０．０１６ｍｍｏ
ｌ）を塩化メチレン８ｍｌに溶かしたものを加え、５０
℃、水素圧５０ａｔｍで２０時間撹拌して反応させた。
水添反応物の溶媒を留去し、残留物をｎ−ヘキサンと酢
酸エチル２０：１の混合溶媒から結晶化して０．７５ｇ
の結晶を得た。この結晶をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー（ｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝５／１〜１／４
（容量比））にて精製し０．７３ｇの（２Ｓ，３Ｒ）−
２−Ｎ−アセトアミド−３−ヒドロキシヘキサデカン酸
メチルエステルを得た。収率９０％、融点９２〜９４
℃、［α］Ｄ ２５＝＋１３．１°（ｃ＝０．２９，ＣＨ
Ｃｌ３）、光学純度９８％ｅ．ｅ．。
オールの合成 あらかじめ窒素置換を行った１００ｍｌのステンレスオ
ートクレーブに、２−Ｎ−アセトアミド−テトラデカノ
イル酢酸メチルエステル０．８０ｇ（２．３４ｍｍｏ
ｌ）及び参考例２に準じて合成したルテニウム−光学活
性ホスフィン錯体Ｒｕ２Ｃｌ４［（＋）−Ｔ−ＢＩＮＡ
Ｐ］２（ＮＥｔ３）２９．５ｍｇ（０．０１６ｍｍｏ
ｌ）を塩化メチレン８ｍｌに溶かしたものを加え、５０
℃、水素圧５０ａｔｍで２０時間撹拌して反応させた。
水添反応物の溶媒を留去し、残留物をｎ−ヘキサンと酢
酸エチル２０：１の混合溶媒から結晶化して０．７５ｇ
の結晶を得た。この結晶をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー（ｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝５／１〜１／４
（容量比））にて精製し０．７３ｇの（２Ｓ，３Ｒ）−
２−Ｎ−アセトアミド−３−ヒドロキシヘキサデカン酸
メチルエステルを得た。収率９０％、融点９２〜９４
℃、［α］Ｄ ２５＝＋１３．１°（ｃ＝０．２９，ＣＨ
Ｃｌ３）、光学純度９８％ｅ．ｅ．。
【００４０】1H-NMR(400 MHz, CDCl3 ，δ）； 0.88
(t, 3H, J=6.9 Hz, CH3), 1.26 (br.s, 20H), 1.32-1.5
2 (m, 4H), 1.95 (br.s, 1H, OH), 2.08 (s, 3H, AcN),
3.77(s, 3H, CO2Me), 4.12 (dt, 1H, J=6.6 Hz, J=2.1
Hz,CH-O), 4.66 (dd, 1H, J=9.0 Hz, J=2.1 Hz, CH-
N), 6.24 (d, 1H, J=9.0 Hz, NH). IR(KBr，ν cm-1)；3400(s,OH), 3310 (s, NH), 1735
(s, CO2Me), 1710 (s,CO2Me), 1655 (s, CON), 1545
(s, NH), 1285 (s, C-O). Mass(m/z): 344 (30), 325 (5), 312 (5), 293 (8), 28
4 (30), 266 (25), 242 (40), 224 (10), 160 (25), 13
1 (100), 99 (100), 89 (100), 82 (35), 72 (30), 57
(40), 43 (35), 28 (46).
(t, 3H, J=6.9 Hz, CH3), 1.26 (br.s, 20H), 1.32-1.5
2 (m, 4H), 1.95 (br.s, 1H, OH), 2.08 (s, 3H, AcN),
3.77(s, 3H, CO2Me), 4.12 (dt, 1H, J=6.6 Hz, J=2.1
Hz,CH-O), 4.66 (dd, 1H, J=9.0 Hz, J=2.1 Hz, CH-
N), 6.24 (d, 1H, J=9.0 Hz, NH). IR(KBr，ν cm-1)；3400(s,OH), 3310 (s, NH), 1735
(s, CO2Me), 1710 (s,CO2Me), 1655 (s, CON), 1545
(s, NH), 1285 (s, C-O). Mass(m/z): 344 (30), 325 (5), 312 (5), 293 (8), 28
4 (30), 266 (25), 242 (40), 224 (10), 160 (25), 13
1 (100), 99 (100), 89 (100), 82 (35), 72 (30), 57
(40), 43 (35), 28 (46).
【００４１】（２Ｓ，３Ｒ）−体０．７３ｇを５％塩酸
水（８ｍｌ）と１，４−ジオキサン（８ｍｌ）の混合溶
媒に加え、２．５時間加熱還流下攪拌した。氷冷下6N塩
酸（８ｍｌ）を加え、冷所にて１６時間放置してアミン
の塩酸塩を析出させ、結晶を濾過後、乾燥して塩酸塩
０．４９ｇを得た。融点１８８〜１９０℃。
水（８ｍｌ）と１，４−ジオキサン（８ｍｌ）の混合溶
媒に加え、２．５時間加熱還流下攪拌した。氷冷下6N塩
酸（８ｍｌ）を加え、冷所にて１６時間放置してアミン
の塩酸塩を析出させ、結晶を濾過後、乾燥して塩酸塩
０．４９ｇを得た。融点１８８〜１９０℃。
【００４２】塩酸塩０．４９ｇを乾燥ＴＨＦ（５０ｍ
ｌ）に加え、氷冷攪拌下に水素化リチウムアルミニウム
（１．４ｇ、０．０３６ｍｏｌ）を加えた後、３時間加
熱還流下に攪拌した。反応溶液を氷冷下に１０％水酸化
ナトリウム水（２００ｍｌ）で処理した後、ジエチルエ
ーテル（２００ｍｌ×２回)で抽出し、あわせた有機層
を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、
減圧下に溶媒を留去して粗生成物０．３２ｇを得た。こ
れを酢酸エチルから再結晶化し、濾過後、結晶をｎ−ペ
ンタンで洗浄して０．２８ｇの光学活性（２Ｒ，３Ｒ）
−２−アミノヘキサデカン−１，３−ジオールを得た。
収率６８％（水添化合物から）、融点１０４〜１０６
℃、[α]D 24＝＋８．０°(c=0.075, CHCl3)。
ｌ）に加え、氷冷攪拌下に水素化リチウムアルミニウム
（１．４ｇ、０．０３６ｍｏｌ）を加えた後、３時間加
熱還流下に攪拌した。反応溶液を氷冷下に１０％水酸化
ナトリウム水（２００ｍｌ）で処理した後、ジエチルエ
ーテル（２００ｍｌ×２回)で抽出し、あわせた有機層
を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、
減圧下に溶媒を留去して粗生成物０．３２ｇを得た。こ
れを酢酸エチルから再結晶化し、濾過後、結晶をｎ−ペ
ンタンで洗浄して０．２８ｇの光学活性（２Ｒ，３Ｒ）
−２−アミノヘキサデカン−１，３−ジオールを得た。
収率６８％（水添化合物から）、融点１０４〜１０６
℃、[α]D 24＝＋８．０°(c=0.075, CHCl3)。
【００４３】1H-NMR[400 MHz, CDCl3/CD3OD(容量比5/
1)，δ]； 0.88 (t, 3H, J=6.9Hz, CH3), 1.27 (br.s,
22H), 1.43-1.53 (m, 2H), 2.73-2.79 (m, 1H, CH-N),
3.55 (dd, 1H, J=11.1Hz, J=5.5Hz, CH-O), 3.54-3.60
(m, 1H, CH-O), 3.67 (dd, 1H,J=11.1Hz, J=4.4Hz, -CH
-O). IR(KBr，ν cm-1 ）； 3380(s, OH), 3360 (m, NH), 33
10 (m,NH), 1580 (m,N-H), 1470 (m, CH2), 1130 (s, C
-O). Mass(m/z): 274 (25), 242 (100), 224 (8), 214 (6),
90 (90), 60 (100), 43 (100), 28 (70).
1)，δ]； 0.88 (t, 3H, J=6.9Hz, CH3), 1.27 (br.s,
22H), 1.43-1.53 (m, 2H), 2.73-2.79 (m, 1H, CH-N),
3.55 (dd, 1H, J=11.1Hz, J=5.5Hz, CH-O), 3.54-3.60
(m, 1H, CH-O), 3.67 (dd, 1H,J=11.1Hz, J=4.4Hz, -CH
-O). IR(KBr，ν cm-1 ）； 3380(s, OH), 3360 (m, NH), 33
10 (m,NH), 1580 (m,N-H), 1470 (m, CH2), 1130 (s, C
-O). Mass(m/z): 274 (25), 242 (100), 224 (8), 214 (6),
90 (90), 60 (100), 43 (100), 28 (70).
【００４４】実施例３ （２Ｒ，３Ｓ）−２−アミノヘキサデカン−１，３−ジ
オールの合成 実施例２中で得られた（２Ｓ，３Ｒ）− ２−Ｎ−アセ
トアミド−３−ヒドロキシヘキサデカン酸メチルエステ
ル ０．７３ｇ（２．００ｍｍｏｌ）の乾燥ベンゼン
（２０ｍｌ）溶液に、氷冷下に塩化チオニル １．６ｍ
ｌ（０．０２３ｍｏｌ）を３０分間で滴下し、室温下に
４時間攪拌後、氷冷下に水（２０ｍｌ）を加え、室温下
に１４時間攪拌した。有機層を分離後、水層をジエチル
エーテル（２０ｍｌ×２回) で抽出し、合わせた有機層
を減圧下に溶媒を留去し、粗反転生成物（２Ｓ，３Ｓ）
−体０．８９ｇを得た。結晶をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィ−（ｎ−ヘキサン／ 酢酸エチル＝５／１〜
１／４（容量比））にて精製し０．７２ｇの（２Ｓ，３
Ｓ）−２−Ｎ−アセトアミド−３−ヒドロキシヘキサデ
カン酸メチルエステルを得た。収率９２％、融点８０〜
８２℃、［α]D 25＝−２４．２°(c=0.53, CHCl3) 。さ
らに（２Ｓ，３Ｓ）−体０．７２ｇを５％塩酸水（８ｍ
ｌ）と1,4-ジオキサン（８ｍｌ）の混合溶媒に加え、
２．５時間加熱還流下に攪拌した。氷冷下に６Ｎ塩酸
（８ｍｌ）を加え、冷所にて１６時間放置してアミンの
塩酸塩を析出させ、結晶を濾過後、乾燥して塩酸塩０．
４９ｇを得た、融点１３０〜１３３℃。
オールの合成 実施例２中で得られた（２Ｓ，３Ｒ）− ２−Ｎ−アセ
トアミド−３−ヒドロキシヘキサデカン酸メチルエステ
ル ０．７３ｇ（２．００ｍｍｏｌ）の乾燥ベンゼン
（２０ｍｌ）溶液に、氷冷下に塩化チオニル １．６ｍ
ｌ（０．０２３ｍｏｌ）を３０分間で滴下し、室温下に
４時間攪拌後、氷冷下に水（２０ｍｌ）を加え、室温下
に１４時間攪拌した。有機層を分離後、水層をジエチル
エーテル（２０ｍｌ×２回) で抽出し、合わせた有機層
を減圧下に溶媒を留去し、粗反転生成物（２Ｓ，３Ｓ）
−体０．８９ｇを得た。結晶をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィ−（ｎ−ヘキサン／ 酢酸エチル＝５／１〜
１／４（容量比））にて精製し０．７２ｇの（２Ｓ，３
Ｓ）−２−Ｎ−アセトアミド−３−ヒドロキシヘキサデ
カン酸メチルエステルを得た。収率９２％、融点８０〜
８２℃、［α]D 25＝−２４．２°(c=0.53, CHCl3) 。さ
らに（２Ｓ，３Ｓ）−体０．７２ｇを５％塩酸水（８ｍ
ｌ）と1,4-ジオキサン（８ｍｌ）の混合溶媒に加え、
２．５時間加熱還流下に攪拌した。氷冷下に６Ｎ塩酸
（８ｍｌ）を加え、冷所にて１６時間放置してアミンの
塩酸塩を析出させ、結晶を濾過後、乾燥して塩酸塩０．
４９ｇを得た、融点１３０〜１３３℃。
【００４５】塩酸塩０．４９ｇを乾燥ＴＨＦ（５０ｍ
ｌ）に加え、氷冷攪拌下、水素化リチウムアルミニウム
（１．４ｇ、０．０３６ｍｏｌ）を加えた後、３時間加
熱還流下に攪拌した。反応溶液を氷冷下に１０％水酸化
ナトリウム水（２００ｍｌ）で処理した後、ジエチルエ
ーテル（２００ｍｌ×２回）で抽出し、あわせた有機層
を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、
減圧下に溶媒を留去して粗生成物０．３２ｇを得た。こ
れをｎ−ヘキサンから再結晶化し、濾過後、結晶をｎ−
ペンタンで洗浄して０．２８ｇの非天然型光学活性（２
Ｒ，３Ｓ）−２−アミノヘキサデカン−１，３−ジオー
ルを得た。収率６８％（水添化合物から）、融点８１〜
８３℃、 [α]D 24＝−３．０°(c=0.265, CHCl3)。
ｌ）に加え、氷冷攪拌下、水素化リチウムアルミニウム
（１．４ｇ、０．０３６ｍｏｌ）を加えた後、３時間加
熱還流下に攪拌した。反応溶液を氷冷下に１０％水酸化
ナトリウム水（２００ｍｌ）で処理した後、ジエチルエ
ーテル（２００ｍｌ×２回）で抽出し、あわせた有機層
を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、
減圧下に溶媒を留去して粗生成物０．３２ｇを得た。こ
れをｎ−ヘキサンから再結晶化し、濾過後、結晶をｎ−
ペンタンで洗浄して０．２８ｇの非天然型光学活性（２
Ｒ，３Ｓ）−２−アミノヘキサデカン−１，３−ジオー
ルを得た。収率６８％（水添化合物から）、融点８１〜
８３℃、 [α]D 24＝−３．０°(c=0.265, CHCl3)。
【００４６】1H-NMR( 400 MHz, CDCl3/CD3OD( 容量比5/
1)，δ]； 0.88 (t, 3H, J=6.9Hz,CH3), 1.27 (br.s, 2
2H), 1.42-1.55 (m, 2H), 2.78 (ddd, 1H, J=6.7Hz, J=
4.4Hz, J=3. 9Hz, CH-N), 3.56-3.62 (m, 1H, CH-O),
3.62 (dd, 1H, J=11.2Hz, J=6.7Hz, CH-O), 3.70 (dd,
1H, J=11.2Hz, J=3.9Hz, CH-O). IR(KBr，νcm-1）； 3600-3100 (s, OH,NH), 1600 (w,
NH), 1100-1000 (m,C-O ,C-N). Mass(m/z): 274 (40), 242 (100), 224 (6), 252 (6),
109 (4), 90 (40), 60(100), 43 (100), 28 (58).
1)，δ]； 0.88 (t, 3H, J=6.9Hz,CH3), 1.27 (br.s, 2
2H), 1.42-1.55 (m, 2H), 2.78 (ddd, 1H, J=6.7Hz, J=
4.4Hz, J=3. 9Hz, CH-N), 3.56-3.62 (m, 1H, CH-O),
3.62 (dd, 1H, J=11.2Hz, J=6.7Hz, CH-O), 3.70 (dd,
1H, J=11.2Hz, J=3.9Hz, CH-O). IR(KBr，νcm-1）； 3600-3100 (s, OH,NH), 1600 (w,
NH), 1100-1000 (m,C-O ,C-N). Mass(m/z): 274 (40), 242 (100), 224 (6), 252 (6),
109 (4), 90 (40), 60(100), 43 (100), 28 (58).
【００４７】参考例３ （２Ｒ，３Ｓ）−２−Ｎ−ベンズアミド−３−ヒドロキ
シオクタデカン酸メチルエステルの合成 あらかじめ窒素置換を行った３００ｍｌのステンレスオ
ートクレーブに、２−Ｎ−ベンズアミド−ヘキサデカノ
イル酢酸メチルエステル９．６０ｇ（２３．７ｍｍｏ
ｌ）及び参考例１に準じて合成したルテニウム−光学活
性ホスフィン錯体Ｒｕ２Ｃｌ４［（−）Ｔ−ＢＩＮＡ
Ｐ］２（ＮＥｔ３）１０７ｍｇ（０．０６０ｍｍｏｌ）
を塩化メチレン５０ｍｌに溶かしたものを加え、５０
℃、水素圧５０ａｔｍで８４時間撹拌して反応させた。
水添反応物の溶媒を留去し、残留物をＮ−ヘキサンから
結晶化して９．２６ｇの結晶を得た。この結晶をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン／酢酸エ
チル＝５／１〜１／４（容量比））にて精製し９．２０
ｇの（２Ｒ，３Ｓ）−２−Ｎ−ベンズアミド−３−ヒド
ロキシオクタデカン酸メチルエステルを得た。収率９５
％、融点７６〜７８℃、［α］Ｄ ２５＝−４．９°（ｃ
＝０．２６５，ＣＨＣｌ３）、光学純度７４％ｅ．
ｅ．。
シオクタデカン酸メチルエステルの合成 あらかじめ窒素置換を行った３００ｍｌのステンレスオ
ートクレーブに、２−Ｎ−ベンズアミド−ヘキサデカノ
イル酢酸メチルエステル９．６０ｇ（２３．７ｍｍｏ
ｌ）及び参考例１に準じて合成したルテニウム−光学活
性ホスフィン錯体Ｒｕ２Ｃｌ４［（−）Ｔ−ＢＩＮＡ
Ｐ］２（ＮＥｔ３）１０７ｍｇ（０．０６０ｍｍｏｌ）
を塩化メチレン５０ｍｌに溶かしたものを加え、５０
℃、水素圧５０ａｔｍで８４時間撹拌して反応させた。
水添反応物の溶媒を留去し、残留物をＮ−ヘキサンから
結晶化して９．２６ｇの結晶を得た。この結晶をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン／酢酸エ
チル＝５／１〜１／４（容量比））にて精製し９．２０
ｇの（２Ｒ，３Ｓ）−２−Ｎ−ベンズアミド−３−ヒド
ロキシオクタデカン酸メチルエステルを得た。収率９５
％、融点７６〜７８℃、［α］Ｄ ２５＝−４．９°（ｃ
＝０．２６５，ＣＨＣｌ３）、光学純度７４％ｅ．
ｅ．。
【００４８】1H-NMR(400 MHz,CDCl3，δ）； 0.88 (t,
3H, J=6.9Hz, CH3), 1.25 (br.s, 24H), 1.35-1.65 (m,
4H), 3.80 (s, 3H, CO2CH3), 4.22-4.28 (m, 1H, CH-
O), 4.88 (dd, 1H, J=8.9Hz, J=2.0Hz, CH-N), 6.87
(d, 1H, J=8.9Hz, NH), 7.42-7.56 (m, 3H, m-2H, p-1
H), 7.82-7.88 (m, 2H, o-2H). IR(KBr，ν cm-1 ）； 3370(s, OH, NH), 1750 (s, CO2
Me), 1635 (s, CON),1545 (s, NH). Mass(m/z): 434 (10), 433 (2), 415 (40), 356 (22),
310 (20), 252 (6), 222 (6), 193 (98), 161 (100), 1
34 (55), 105 (98), 96 (58), 83 (90), 68 (45), 57
(45), 31(98), 28(98)
3H, J=6.9Hz, CH3), 1.25 (br.s, 24H), 1.35-1.65 (m,
4H), 3.80 (s, 3H, CO2CH3), 4.22-4.28 (m, 1H, CH-
O), 4.88 (dd, 1H, J=8.9Hz, J=2.0Hz, CH-N), 6.87
(d, 1H, J=8.9Hz, NH), 7.42-7.56 (m, 3H, m-2H, p-1
H), 7.82-7.88 (m, 2H, o-2H). IR(KBr，ν cm-1 ）； 3370(s, OH, NH), 1750 (s, CO2
Me), 1635 (s, CON),1545 (s, NH). Mass(m/z): 434 (10), 433 (2), 415 (40), 356 (22),
310 (20), 252 (6), 222 (6), 193 (98), 161 (100), 1
34 (55), 105 (98), 96 (58), 83 (90), 68 (45), 57
(45), 31(98), 28(98)
【００４９】参考例４ （２Ｒ，３Ｓ）−２−Ｎ−アセトアミド−３−ヒドロキ
シオクタデカン酸エチルエステルの合成 あらかじめ窒素置換を行った３００ｍｌのステンレスオ
ートクレーブに、２−Ｎ−アセトアミド−ヘキサデカノ
イル酢酸エチルエステル９．９０ｇ（２５．８ｍｍｏ
ｌ）及び参考例１に準じて合成したルテニウム−光学活
性ホスフィン錯体Ｒｕ２Ｃｌ４［（−）Ｔ−ＢＩＮＡ
Ｐ］２（ＮＥｔ３）１１７ｍｇ（０．０６５ｍｍｏｌ）
を塩化メチレン４０ｍｌに溶かしたものを加え、５０
℃、水素圧５０ａｔｍで２９時間撹拌して反応させた。
水添反応物の溶媒を留去し、残留物をｎ−ヘキサンと酢
酸エチルの２０：１の混合溶媒から結晶化して８．２ｇ
の結晶を得た。この結晶をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー（ｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝５／１〜１／４
（容量比））にて精製し８．０ｇの（２Ｒ，３Ｓ）−２
−Ｎ−アセトアミド−３−ヒドロキシオクタデカン酸エ
チルエステルを得た。収率８１％、融点８６〜８８℃、
［α］Ｄ ２５＝−１２．３°（ｃ＝０．２３５，ＣＨＣ
ｌ３）、光学純度９２％ｅ．ｅ．。
シオクタデカン酸エチルエステルの合成 あらかじめ窒素置換を行った３００ｍｌのステンレスオ
ートクレーブに、２−Ｎ−アセトアミド−ヘキサデカノ
イル酢酸エチルエステル９．９０ｇ（２５．８ｍｍｏ
ｌ）及び参考例１に準じて合成したルテニウム−光学活
性ホスフィン錯体Ｒｕ２Ｃｌ４［（−）Ｔ−ＢＩＮＡ
Ｐ］２（ＮＥｔ３）１１７ｍｇ（０．０６５ｍｍｏｌ）
を塩化メチレン４０ｍｌに溶かしたものを加え、５０
℃、水素圧５０ａｔｍで２９時間撹拌して反応させた。
水添反応物の溶媒を留去し、残留物をｎ−ヘキサンと酢
酸エチルの２０：１の混合溶媒から結晶化して８．２ｇ
の結晶を得た。この結晶をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー（ｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝５／１〜１／４
（容量比））にて精製し８．０ｇの（２Ｒ，３Ｓ）−２
−Ｎ−アセトアミド−３−ヒドロキシオクタデカン酸エ
チルエステルを得た。収率８１％、融点８６〜８８℃、
［α］Ｄ ２５＝−１２．３°（ｃ＝０．２３５，ＣＨＣ
ｌ３）、光学純度９２％ｅ．ｅ．。
【００５０】1H-NMR(400 MHz,CDCl3，δ）； 0.88 (t,
3H, J=6.9Hz, CH3), 1.26 (br.s, 26H), 1.30 (t, 3H,
J=7.2Hz, O-C-CH3),1.45-1.52 (m, 2H), 2.07 (s, 3H,
AcN), 4.08-4.14 (m, 1H, CH-O), 4.23 (dq, 2H, J=7.2
Hz, J=2.1Hz, CO2CH3), 4.64(dd, 1H, J=9.0Hz, J=2.2H
z, CH-N), 6.17 (d, 1H, J=9.0Hz, NH). IR(KBr，ν cm-1）；3510(s, OH), 3290 (s, NH), 1720
(s, CO2Et), 1655 (s, CON), 1555 (s, NH), 1290 (s,
C-O). Mass(m/z): 386 (6), 367 (8), 324 (20), 312 (40), 2
94 (92), 270 (35),252 (10), 222 (6), 196 (8), 174
(20), 145 (100), 124 (12), 110 (20), 103(100), 99
(100), 82 (99), 72 (66), 56 (52), 32 (100), 28 (10
0).
3H, J=6.9Hz, CH3), 1.26 (br.s, 26H), 1.30 (t, 3H,
J=7.2Hz, O-C-CH3),1.45-1.52 (m, 2H), 2.07 (s, 3H,
AcN), 4.08-4.14 (m, 1H, CH-O), 4.23 (dq, 2H, J=7.2
Hz, J=2.1Hz, CO2CH3), 4.64(dd, 1H, J=9.0Hz, J=2.2H
z, CH-N), 6.17 (d, 1H, J=9.0Hz, NH). IR(KBr，ν cm-1）；3510(s, OH), 3290 (s, NH), 1720
(s, CO2Et), 1655 (s, CON), 1555 (s, NH), 1290 (s,
C-O). Mass(m/z): 386 (6), 367 (8), 324 (20), 312 (40), 2
94 (92), 270 (35),252 (10), 222 (6), 196 (8), 174
(20), 145 (100), 124 (12), 110 (20), 103(100), 99
(100), 82 (99), 72 (66), 56 (52), 32 (100), 28 (10
0).
【００５１】
【発明の効果】本発明は、安全で簡便に光学活性ジヒド
ロスフィンゴシン類を高い光学純度で得ることを可能に
する。
ロスフィンゴシン類を高い光学純度で得ることを可能に
する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ０７Ｃ 231/18 Ｃ０７Ｃ 231/18 233/47 233/47 Ｃ０７Ｍ 7:00 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C07C 215/10 C07C 233/47
Claims (5)
- 【請求項１】 次の一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒ１は炭素原子数が１１個〜２１個の高級アル
キル基を示し、Ｒ２は低級アルキル基、低級アルキル基
もしくは低級アルコキシ基で置換されていてもよいフェ
ニル基、または低級アルキル基もしくは低級アルコキシ
基で置換されていてもよいベンジル基を示し、Ｒ３は水
素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、低級アル
キル基もしくは低級アルコキシ基で置換されていてもよ
いフェニル基、または低級アルキル基もしくは低級アル
コキシ基で置換されていてもよいベンジルオキシ基を示
す）で表わされる２−Ｎ−アシルアミノ−高級アシル酢
酸エステル化合物を、ルテニウム−光学活性ホスフィン
錯体を触媒として不斉水素化を行い、次の一般式（２） 【化２】 （式中、＊印は不斉炭素原子であることを示し、Ｒ１，
Ｒ２及びＲ３は上記と同じ意義を有する）で表わされる
光学活性２−Ｎ−アシルアミノ−３−ヒドロキシ高級カ
ルボン酸誘導体を得、ついでこれを必要に応じて３位水
酸基の立体配置を反転した後、加水分解及び還元するこ
とを特徴とする次の一般式（３） 【化３】 （式中、Ｒ１及び＊印は上記と同じ意義を有する）で表
わされる光学活性ジヒドロスフィンゴシン類の製造方
法。 - 【請求項２】 ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体が
次の一般式（４）ＲｕｘＨｙＣｌｚ （Ｒ４−ＢＩＮＡ
Ｐ）２（Ｓ）ｐ （４）（式中、Ｒ４−ＢＩＮ
ＡＰは次の一般式（５） 【化４】 で表わされる光学活性三級ホスフィンを示し、Ｒ４は水
素原子、メチル基又はｔｅｒｔ−ブチル基を示し、Ｓは
三級アミンを示し、ｙが０のときｘは２、ｚは４、ｐは
１を示し、ｙが１のときｘは１、ｚは１、ｐは０を示
す）で表わされるものである請求項１記載の製造方法。 - 【請求項３】 ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体が
一般式（６） 〔ＲｕＨｕ（Ｒ４−ＢＩＮＡＰ）ｖ〕Ｙｗ （６） （式中、Ｒ４−ＢＩＮＡＰは上記と同じ意義を有し、Ｙ
はＣｌＯ４、ＢＦ４又はＰＦ６を示し、ｕが０のときｖ
は１、ｗは２を示し、ｕが１のときｖは２、ｗは１を示
す）で表わされるものである請求項１記載の製造方法。 - 【請求項４】 ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体が
一般式（７） Ｒｕ（Ｒ４−ＢＩＮＡＰ） （Ｏ−ＣＯ−Ｒ５）２ （７） （式中、Ｒ４−ＢＩＮＡＰは上記と同じ意義を有し、Ｒ
５は低級アルキル基またはトリフルオロメチル基を示
す。）で表わされるものである請求項１記載の製造方
法。 - 【請求項５】 ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体が
一般式（８） 〔Ｒｕ（Ｒ４−ＢＩＮＡＰ）ＭＣｌｋ〕ｌＸｍ （８） （式中、Ｒ４−ＢＩＮＡＰは上記と同じ意義を有し、Ｍ
はＺｎ、Ａｌ、ＴｉまたはＳｎを意味し、ＸはＮ（Ｃ２
Ｈ５）３またはＣＨ３ＣＯ２を意味し、ＸがＮ（Ｃ２Ｈ
５）３の場合、ｌが２、ｍが１であり、かつＭがＺｎの
ときはｋが４、Ａｌのときはｋが５、ＴｉまたはＳｎの
ときはｋが６であり、ＸがＣＨ３ＣＯ２の場合、ｌが
１、ｍが２であり、かつＭがＺｎのときはｋが２、Ａｌ
のときはｋが３、ＴｉまたはＳｎのときはｋが４であ
る。）で表わされるものである請求項１記載の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4255443A JP2976214B2 (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 光学活性ジヒドロスフィンゴシン類の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4255443A JP2976214B2 (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 光学活性ジヒドロスフィンゴシン類の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0680617A JPH0680617A (ja) | 1994-03-22 |
| JP2976214B2 true JP2976214B2 (ja) | 1999-11-10 |
Family
ID=17278843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4255443A Expired - Fee Related JP2976214B2 (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 光学活性ジヒドロスフィンゴシン類の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2976214B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008041571A1 (fr) | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Kaneka Corporation | Procédé de fabrication d'un ester d'acide bêta-hydroxy-alpha-aminocarboxylique optiquement actif |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DK0869185T5 (da) | 1997-03-03 | 2004-11-29 | Sumitomo Chemical Co | Fremstilling af en optisk aktiv sphingoid-forbindelse |
| WO2000041997A1 (fr) * | 1999-01-18 | 2000-07-20 | Nippon Soda Co., Ltd. | Procede de preparation d'amino-alcools optiquement actifs |
| JP5042438B2 (ja) * | 2000-07-10 | 2012-10-03 | 日本曹達株式会社 | シン立体配置を有するβ−アミノアルコール類の製造方法 |
| JP4658293B2 (ja) * | 2000-07-10 | 2011-03-23 | 日本曹達株式会社 | アンチ立体配置を有する光学活性β−アミノアルコール類の製造方法 |
| KR101017884B1 (ko) * | 2002-08-27 | 2011-03-04 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 아미노 알콜의 거울상이성질 선택성 수소화 반응을 위한 제조방법 |
| US7619003B2 (en) | 2003-02-28 | 2009-11-17 | Japan Science And Technology Agency | Process for producing optically active compound |
| JP3932413B2 (ja) | 2003-07-10 | 2007-06-20 | 日産化学工業株式会社 | 光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法 |
| WO2006075651A1 (ja) | 2005-01-12 | 2006-07-20 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 光学活性β－ヒドロキシ－α－アミノカルボン酸誘導体の製造法 |
-
1992
- 1992-09-01 JP JP4255443A patent/JP2976214B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008041571A1 (fr) | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Kaneka Corporation | Procédé de fabrication d'un ester d'acide bêta-hydroxy-alpha-aminocarboxylique optiquement actif |
| US8207370B2 (en) | 2006-09-26 | 2012-06-26 | Kaneka Corporation | Process for producing optically active beta-hydroxy-alpha-aminocarboxylic acid ester |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0680617A (ja) | 1994-03-22 |
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