JP3932413B2 - 光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法 - Google Patents
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Description
光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体を製造する方法としては、ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体触媒を用いた触媒的不斉水素化反応により、ラセミ体のα−アミノアシル酢酸エステル化合物を不斉水素化し、シン選択的に光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体を製造する方法が知られていた(例えば非特許文献1及び2並びに特許文献1参照。)。
一方、オレフィン、ケトン及びイミン類の遷移金属触媒による不斉水素化反応はよく知られていた。(例えば非特許文献3参照。)。
しかし、逆に光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体のアンチ体を直接製造することはできないため、アンチ体を製造するためには、一旦シン体を製造し、一方の立体を反転させなければならなかった。
そのため、直接、光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体のアンチ体を製造する方法が望まれていた。
1.式(1)
{式中、R1は、C1−20アルキル基〔該C1−20アルキル基はC4−12芳香族基[該芳香族基は、ハロゲン原子、C1−6アルキル基、C1−6アルコキシ基、C1−6アルコキシカルボニル基、C1−6アルキルカルボニルオキシ基又はCONR4R5(式中、R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子又はC1−6アルキル基を意味する。)で任意に置換されていてもよい。]、C1−6アルコキシ基、C1−6アルコキシカルボニル基又はCONR4R5(式中、R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子又はC1−6アルキル基を意味する。)で任意に置換されていてもよい。〕、又はC4−12芳香族基〔該芳香族基は、ハロゲン原子、C1−6アルキル基、C1−6アルコキシ基、C1−6アルコキシカルボニル基、C1−6アルキルカルボニルオキシ基[該C1−6アルキル基、C1−6アルコキシ基、C1−6アルコキシカルボニル基及びC1−6アルキルカルボニルオキシ基は、C4−12芳香族基(該芳香族基は、ハロゲン原子で任意に置換されていてもよい。)で任意に置換されていてもよい。]又はCONR4R5(式中、R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子又はC1−6アルキル基を意味する。)で任意に置換されていてもよい。〕を意味し、
R2は、C1−20アルキル基〔該C1−20アルキル基はC4−12芳香族基[該芳香族基は、ハロゲン原子、C1−6アルキル基、C1−6アルコキシ基、C1−6アルコキシカルボニル基、C1−6アルキルカルボニルオキシ基又はCONR4R5(式中、R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子又はC1−6アルキル基を意味する。)で任意に置換されていてもよい。]、C1−6アルコキシ基、C1−6アルコキシカルボニル基又はCONR4R5(式中、R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子又はC1−6アルキル基を意味する。)で任意に置換されていてもよい。〕、又はC4−12芳香族基[該芳香族基は、ハロゲン原子、C1−6アルキル基、C1−6アルコキシ基、C1−6アルコキシカルボニル基、C1−6アルキルカルボニルオキシ基又はCONR4R5(式中、R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子又はC1−6アルキル基を意味する。)で任意に置換されていてもよい。]を意味する。}で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物を、酸の存在下において、触媒的不斉水素化反応により水素化することを特徴とする、式(2)又は式(3)
(式中、R1及びR2は、前記と同じ意味を示す。)で表される光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
2.前記触媒的不斉水素化反応に使用される触媒が、光学活性ホスフィン配位子を有する、周期表第VIII族の遷移金属の錯体である1.記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
3.前記周期表第VIII族の遷移金属がルテニウム、イリジウム又はロジウムであり、光学活性ホスフィン配位子が光学活性2座ホスフィン配位子である2.記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
4.前記周期表第VIII族の遷移金属がルテニウムであり、光学活性2座ホスフィン配位子が式(4)
(式中、R3は、水素原子、メチル基又は三級ブチル基を意味し、絶対配置はS又はRのどちらかを意味する。)である3.記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
5.前記周期表第VIII族の遷移金属の錯体がRuHX1(R3−BINAP)2、RuX2 2(R3−BINAP)又はRu2Cl4(R3−BINAP)2(Et3N)(式中、R3−BINAPは前記式(4)で表される光学活性2座ホスフィン配位子を意味し、Etはエチル基を意味し、X1及びX2は、それぞれCl、ClO4、BF4、PF6、OCOCH3、OCOCF3、OCO−t−Bu又はOSO2CF3を意味するが、該錯体は、N,N−ジメチルホルムアミド、ベンゼン、AlCl3、SnCl4、TiCl4又はZnCl2で更に配位されていてもよい。)である4.記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
6.前記周期表第VIII族の遷移金属の錯体がRuX2 2(R3−BINAP)(式中、X2及びR3−BINAPは前記と同じ意味を表わし、該錯体は、N,N−ジメチルホルムアミド、ベンゼン、AlCl3、SnCl4、TiCl4又はZnCl2で更に配位されていてもよい。)である5.記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
7.N,N−ジメチルホルムアミド又はベンゼンで更に配位されたRuX2 2(R3−BINAP)(式中、X2がClを表わし、R3−BINAPは前記と同じ意味を表わす。)を用いる6.に記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
8.前記周期表第VIII族の遷移金属がイリジウムであり、光学活性2座ホスフィン配位子がR3−BINAP(R3−BINAPは、前記と同じ意味を表わす。)又は式(5)
[式中、R6は、フェニル基、ナフチル基(該フェニル基及びナフチル基はC1−6アルキル基又はC1−6アルコキシ基で任意に置換されていてもよい。)、シクロペンチル基又はシクロヘキシル基を意味し、R7は、メチル基又はメトキシ基を意味し、R8は、水素原子、メチル基、メトキシ基又は塩素原子を意味し、R9は、水素原子、メチル基、メトキシ基、ジメチルアミノ基又ジエチルアミノ基を意味し、絶対配置はS又はRのどちらかを意味する。]で表される化合物である3.記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
9.反応系中に酢酸塩を加える8.記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
10.前記周期表第VIII族の遷移金属の錯体を調製する際、ヨウ素化合物を添加する9.記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
11.前記光学活性2座ホスフィン配位子が前記式(5)で表される化合物である10.記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
12.前記周期表第VIII族の遷移金属の錯体を調製する際、[Ir(cod)Cl]2(式中、codは、1,5−シクロオクタジエンを意味する。)を使用する11.記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
13.前記酸が強酸である1.〜12.の何れか1つに記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
に関するものである。
尚、本発明中「n」はノルマルを、「i」はイソを、「s」はセカンダリーを、「t」はターシャリーを、「c」はシクロを、「o」はオルトを、「m」はメタを、「p」はパラを、「Me」はメチル基を、「Et」はエチル基を、「Pr」はプロピル基を、「Bu」はブチル基を、「Pen」はペンチル基を、「Hex」はヘキシル基を、「Hep」はヘプチル基を、「Ph」はフェニル基を、「Bn」はベンジル基を、「Bz」はベンゾイル基を、「Ac」はアセチル基を、「Ts」はパラトルエンスルホニル基を、「Boc」はターシャリーブトキシカルボニル基を意味する。
まず、置換基R1及びR2の各置換基における語句について説明する。
2−n−プロピル−c−プロピル基、1−i−プロピル−c−プロピル基、2−i−プロピル−c−プロピル基、1,2,2−トリメチル−c−プロピル基、1,2,3−トリメチル−c−プロピル基、2,2,3−トリメチル−c−プロピル基、1−エチル−2−メチル−c−プロピル基、2−エチル−1−メチル−c−プロピル基、2−エチル−2−メチル−c−プロピル基及び2−エチル−3−メチル−c−プロピル基等が挙げられる。
1)R1がC1−20アルキル基又はC4−12芳香族基(該芳香族基は、ハロゲン原子、C1−6アルキル基、C1−6アルコキシ基又はベンジルオキシ基で任意に置換されていてもよい。)である式(1)で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物。
2)R2がC1−6アルキル基、又はC4−12芳香族基で置換されたC1−6アルキル基である式(1)で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物。
3)R1がC1−20アルキル基又はC4−12芳香族基(該芳香族基は、ハロゲン原子、C1−6アルキル基、C1−6アルコキシ基又はベンジルオキシ基で任意に置換されていてもよい。)であり、R2がC1−6アルキル基、又はC4−12芳香族基で置換されたC1−6アルキル基である式(1)で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物。
4)R1がn−プロピル基、i−プロピル基、t−ブチル基、c−ペンチル基、c−ヘキシル基、c−ヘプチル基、フェニル基、p−ベンジルオキシフェニル基、m−メチルフェニル基、p−メチルフェニル基、β−ナフチル基、p−ブロモフェニル基又は2−フリル基である式(1)で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物。
5)R2がメチル基又はベンジル基である式(1)で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物。
6)R1がn−プロピル基、i−プロピル基、t−ブチル基、c−ペンチル基、c−ヘキシル基、c−ヘプチル基、フェニル基、p−ベンジルオキシフェニル基、m−メチルフェニル基、p−メチルフェニル基、β−ナフチル基、p−ブロモフェニル基又は2−フリル基であり、R2がメチル基又はベンジル基である式(1)で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物。
光学活性ホスフィン配位子としては、光学活性2座ホスフィン配位子が好ましい。
光学活性2座ホスフィン配位子としては、BINAP、BIPHEMP、RROPHOS、DEGUPHOS、DIOP、DIPAMP、DuPHOS、NORPHOS、PNNP、SKEWPHOS、BPPFA、SEGPHOS、CHIRAPHOS及びH8−BINAP等が挙げられる。
但し、遷移金属化合物と光学活性2座ホスフィン配位子が1:2の組成となる触媒的不斉水素化反応に用いられる触媒においては、上述の2倍の使用量が用いられる。
又、光学活性単座ホスフィン配位子を使用する場合は、価数の関係上、上述の2倍の使用量が用いられる。
添加物を加える場合の使用量としては、触媒の組成比により一概には決定できないが、通常、遷移金属化合物の使用量に対して1〜100等量の範囲、好ましくは、1〜10等量の範囲である。
触媒的不斉水素化反応に用いられる触媒を調製する場合は、通常、アルゴン等の不活性ガスの存在下で行うことが好ましい。
ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体としては、ルテニウム−BINAP錯体、ルテニウム−BIPHEMP錯体、ルテニウム−RROPHOS錯体、ルテニウム−DEGUPHOS錯体、ルテニウム−DIOP錯体、ルテニウム−DIPAMP錯体、ルテニウム−DuPHOS錯体、ルテニウム−NORPHOS錯体、ルテニウム−PNNP錯体、ルテニウム−SKEWPHOS錯体、ルテニウム−BPPFA錯体、ルテニウム−SEGPHOS錯体、ルテニウム−CHIRAPHOS錯体及びルテニウム−H8−BINAP錯体等が挙げられる。
ルテニウム−BINAP錯体としては、RuHX1(R3−BINAP)2、RuX2 2(R3−BINAP)及びRu2Cl4(R3−BINAP)2(Et3N)[式中、X1及びX2は、それぞれCl、ClO4、BF4、PF6、OCOCH3、OCOCF3、OCO−t−Bu又はOSO2CF3を意味し、R3−BINAPは、
(式中、R3は、水素原子、メチル基又は三級ブチル基を意味し、絶対配置はS又はRのどちらかを意味する。)を意味するが、該錯体は、N,N−ジメチルホルムアミド、ベンゼン、AlCl3、SnCl4、TiCl4又はZnCl2で更に配位されていてもよい。]が挙げられ、具体的には、RuHCl(BINAP)2、RuHCl(T−BINAP)2、RuHCl(t−Bu−BINAP)2、RuH(ClO4)(BINAP)2、RuH(ClO4)(T−BINAP)2、RuH(BF4)(BINAP)2、RuH(BF4)(T−BINAP)2、RuH(PF6)(BINAP)2、RuH(PF6)(T−BINAP)2、RuCl2(BINAP)、RuCl2(T−BINAP)、RuCl2(t−Bu−BINAP)、RuCl2(BINAP)(dmf)n、RuCl2(T−BINAP)(dmf)n、RuCl2(t−Bu−BINAP)(dmf)n、RuCl2(BINAP)(C6H6)n、RuCl2(T−BINAP)(C6H6)n、RuCl2(t−Bu−BINAP)(C6H6)n、Ru(ClO4)2(BINAP)、Ru(ClO4)2(T−BINAP)、Ru(ClO4)2(t−Bu−BINAP)、Ru(BF4)2(BINAP)、Ru(BF4)2(T−BINAP)、Ru(BF4)2(t−Bu−BINAP)、Ru(PF6)2(BINAP)、Ru(PF6)2(T−BINAP)、Ru(OCOCH3)2(BINAP)、Ru(OCOCF3)2(BINAP)、Ru(OCO−t−Bu)2(BINAP)、Ru(OCOCH3)2(T−BINAP)、Ru(OCOCF3)2(T−BINAP)、Ru(OCOCH3)2(t−Bu−BINAP)、Ru(OCOCH3)2(BINAP)(ZnCl2)、Ru(OCOCH3)2(BINAP)(AlCl3)、Ru(OCOCH3)2(BINAP)(SnCl4)、Ru(OCOCH3)2(BINAP)(TiCl4)、Ru(OCOCH3)(T−BINAP)(ZnCl2)、Ru(OCOCH3)2(T−BINAP)(AlCl3)、Ru(OCOCH3)2(T−BINAP)(SnCl4)、Ru(OCOCH3)2(T−BINAP)(TiCl4)、Ru2Cl4(BINAP)2(Et3N)、Ru2Cl4(T−BINAP)2(Et3N)、Ru2Cl4(t−Bu−BINAP)2(Et3N)、Ru2Cl4(BINAP)2(ZnCl2)2(Et3N)、Ru2Cl4(BINAP)2(AlCl3)2(Et3N)、Ru2Cl4(BINAP)2(SnCl4)2(Et3N)、Ru2Cl4(BINAP)2(TiCl4)2(Et3N)、Ru2Cl4(T−BINAP)2(ZnCl2)2(Et3N)、Ru2Cl4(T−BINAP)2(AlCl3)2(Et3N)、Ru2Cl4(T−BINAP)2(SnCl4)2(Et3N)及びRu2Cl4(T−BINAP)2(TiCl4)2(Et3N)[式中、BINAPは、絶対配置がS又はRの、2,2’−ビス(ジフェニルホスフィノ)−1,1’−ビナフチルを意味し、T−BINAPは、絶対配置がS又はRの、2,2’−ビス(ジ−p−トリルホスフィノ)−1,1’−ビナフチルを意味し、t−Bu−BINAPは、絶対配置がS又はRの、2,2’−ビス(ジ−p−t−ブチルフェニルホスフィノ)−1,1’−ビナフチルを意味し、Etはエチル基を意味し、t−Buは、t−ブチル基を意味し、dmfは、N,N−ジメチルホルムアミドを意味し、nは1又は2を意味する。]等が挙げられる。
1)RuHX1(R3−BINAP)2、RuX2 2(R3−BINAP)又はRu2Cl4(R3−BINAP)2(Et3N)[式中、X1及びX2は、それぞれCl、ClO4、BF4、PF6、OCOCH3、OCOCF3、OCO−t−Bu又はOSO2CF3を意味し、R3−BINAPは、
(式中、R3は、水素原子、メチル基又は三級ブチル基を意味し、絶対配置はS又はRのどちらかを意味する。)を意味するが、該錯体は、N,N−ジメチルホルムアミド、ベンゼン、AlCl3、SnCl4、TiCl4又はZnCl2で更に配位されていてもよい。]。
2)RuCl2(BINAP)、RuCl2(T−BINAP)、RuCl2(t−Bu−BINAP)、RuCl2(BINAP)(dmf)n、RuCl2(T−BINAP)(dmf)n、RuCl2(t−Bu−BINAP)(dmf)n、RuCl2(BINAP)(C6H6)n、RuCl2(T−BINAP)(C6H6)n又はRuCl2(t−Bu−BINAP)(C6H6)n[式中、BINAPは、絶対配置がS又はRの、2,2’−ビス(ジフェニルホスフィノ)−1,1’−ビナフチルを意味し、T−BINAPは、絶対配置がS又はRの、2,2’−ビス(ジ−p−トリルホスフィノ)−1,1’−ビナフチルを意味し、t−Bu−BINAPは、絶対配置がS又はRの、2,2’−ビス(ジ−p−t−ブチルフェニルホスフィノ)−1,1’−ビナフチルを意味し、dmfは、N,N−ジメチルホルムアミドを意味し、nは1又は2を意味する。]。
RuX2 2(R3−BINAP)(式中、X2及びR3−BINAPは前記と同じ意味を表わし、該錯体は、N,N−ジメチルホルムアミド、ベンゼン、AlCl3、SnCl4、TiCl4又はZnCl2で更に配位されていてもよい。)が挙げられ、更に好ましいものとしては、N,N−ジメチルホルムアミド又はベンゼンで更に配位されたRuX2 2(R3−BINAP)(式中、X2がClを表わし、R3−BINAPは前記と同じ意味を表わす。)が挙げられる。
RuCl2(BINAP)(dmf)n、RuCl2(T−BINAP)(dmf)n又はRuCl2(t−Bu−BINAP)(dmf)n[式中、BINAPは、絶対配置がS又はRの、2,2’−ビス(ジフェニルホスフィノ)−1,1’−ビナフチルを意味し、T−BINAPは、絶対配置がS又はRの、2,2’−ビス(ジ−p−トリルホスフィノ)−1,1’−ビナフチルを意味し、t−Bu−BINAPは、絶対配置がS又はRの、2,2’−ビス(ジ−p−t−ブチルフェニルホスフィノ)−1,1’−ビナフチルを意味し、dmfは、N,N−ジメチルホルムアミドを意味し、nは1又は2を意味する。]が挙げられ、更に好ましいものとしては、RuCl2(BINAP)(dmf)n[式中、BINAPは、絶対配置がS又はRの、2,2’−ビス(ジフェニルホスフィノ)−1,1’−ビナフチルを意味し、dmfは、N,N−ジメチルホルムアミドを意味し、nは1又は2を意味する。]が挙げられる。
イリジウム−光学活性ホスフィン錯体としては、イリジウム−BINAP錯体、イリジウム−BIPHEMP錯体、イリジウム−RROPHOS錯体、イリジウム−DEGUPHOS錯体、イリジウム−DIOP錯体、イリジウム−DIPAMP錯体、イリジウム−DuPHOS錯体、イリジウム−NORPHOS錯体、イリジウム−PNNP錯体、イリジウム−SKEWPHOS錯体、イリジウム−BPPFA錯体、イリジウム−SEGPHOS錯体、イリジウム−CHIRAPHOS錯体及びイリジウム−H8−BINAP錯体等が挙げられる。
イリジウム−BINAP錯体としては、BINAPが、BINAP、T−BINAP又はt−Bu−BINAPであるものが好ましく、また、前記錯体を調製する際、添加物としてヨウ素化合物を加えたものも好ましい。
また、イリジウム−BIPHEMP錯体としては、BIPHEMPが2,2’−ジメトキシ−6,6’−ビス(ジフェニルホスフィノ)−1,1’−ビフェニル(MeO−Biphep)であるものが好ましく、更に、前記錯体を調製する際、添加物としてヨウ素化合物を加えたもの、特に、ヨウ素化合物として、ヨウ素化ナトリウム又はヨウ素化テトラn−ブチルアンモニウムを加えたものも好ましい。
ロジウム−光学活性ホスフィン錯体としては、ロジウム−BINAP錯体、ロジウム−BIPHEMP錯体、ロジウム−RROPHOS錯体、ロジウム−DEGUPHOS錯体、ロジウム−DIOP錯体、ロジウム−DIPAMP錯体、ロジウム−DuPHOS錯体、ロジウム−NORPHOS錯体、ロジウム−PNNP錯体、ロジウム−SKEWPHOS錯体、ロジウム−BPPFA錯体、ロジウム−SEGPHOS錯体、ロジウム−CHIRAPHOS錯体及びロジウム−H8−BINAP錯体等が挙げられる。
以下の式に示すように、式(1)で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物を触媒的不斉水素化反応に用いられる触媒及び酸の存在下において、水素で還元することにより、式(2)又は式(3)で表される光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体を製造することができる。
溶媒の種類としては、反応に関与しない溶媒であれば特に限定はしないが、例えば1,1−ジクロロエタン、1,2−ジクロロエタン、塩化メチレン、クロロホルム、クロロベンゼン及び1,2−ジクロロベンゼン等のハロゲン系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、n−プロパノール、i−プロパノール、2−ブタノール及びエチレングリコール等のアルコール系溶媒、酢酸並びに上記の溶媒の任意の混合溶媒が挙げられる。
α−アミノアシル酢酸エステル化合物の安定性の観点から、あらかじめ、式(1)で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物と酸よりなる塩を調製し、その塩を溶液に加える方が好ましい。
強酸の具体例としては、HCl、HBr、H2SO4、HClO4、CH3SO3H、PhSO3H、TsOH、CF3SO3H及びCF3CO2H等が挙げられ、好ましくは、HCl及びTsOHが挙げられ、より好ましくは、HClが挙げられる。
酸の使用量は、式(1)で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物の使用量に対して、0.8〜3モル等量の範囲であり、好ましくは、0.9〜2モル等量の範囲、より好ましくは、0.9〜1.5モル等量の範囲が挙げられる。
尚、上記の酸の使用量は、あらかじめ、式(1)で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物と酸よりなる塩を調製して加える場合は、その塩に含まれる酸の量を含んだ全量を意味する。
酢酸塩としては、酢酸リチウム、酢酸ナトリウム及び酢酸カリウム等の酢酸アルカリ金属及び酢酸アンモニウム等が挙げられ、好ましくは、酢酸アルカリ金属が挙げられ、例えば、酢酸ナトリウムが挙げられる。
酢酸塩を添加する場合の使用量としては、式(1)で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物の使用量に対して、0.8〜5等量の範囲であり、好ましくは、0.8〜2等量の範囲である。
特に、イリジウム触媒を用いる場合は酢酸塩を添加するのが好ましい。
使用する水素の圧力は、通常1〜150気圧の範囲であるが、好ましくは10〜150気圧、より好ましくは30〜100気圧の範囲である。
又、反応液を塩基性とし、適当な溶剤で抽出することにより目的の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体を得ることができる。
さらに、蒸留、再結晶及びシリカゲルカラムクロマトグラフィー等によって精製を行うことで、純度の高い純度の高い式(2)又は式(3)で表される光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体を単離することができる。
即ち、式(2)又は式(3)で表される光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体又はその塩をTHF(テトラヒドロフラン)中、NEt3(トリエチルアミン)の存在下において、PhCOCl(ベンゾイルクロリド)と反応させることにより、式(2)又は式(3)で表される光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体のベンゾイル化物を製造することができる。
得られたベンゾイル化物は、シリカゲルカラムクロマトグラフィー等で精製した後、1H−NMR等により、ジアステレオ選択性(de:シン体とアンチ体の選択性)を、又、光学活性カラムを用いたHPLC分析等により、エナンチオ選択性(ee)を決定することができる。
即ち、酸無水物又はアシルクロリドとイソニトリル酢酸エステルを塩基(塩基としては、トリエチルアミン、1,8−ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデカ−7−エン等が挙げられる。)の存在下において、縮合させて、オキサゾール化合物とした後、濃塩酸でオキサゾール環を開裂させることにより、式(1)で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物の塩酸塩を製造することができる。
得られた塩酸塩はそのまま次の還元反応に使用することもできるが、
塩基等で処理することにより、式(1)で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物とすることもできる。
又、他の酸の塩を得るには、オキサゾール化合物を他の酸で開裂させるか又は塩酸塩を他の酸で塩交換する。
即ち、グリシンをTsOH(p−トルエンスルホン酸)の存在下において、アルコールと脱水縮合させてエステルとした後、アミノ基をBoc2O(二炭酸ジ−t−ブチル)でBoc化(t−ブトキシカルボニル化)し、その後、KHMDS(カリウムヘキサメチルジシラジド)で処理し、アシルクロリドを加えてアミド化した後、LHMDS(リチウムヘキサメチルジシラジド)及びDMPU(1,3−ジメチル−3,4,5,6−パーハイドロピリミジン−2−オン)で処理することにより転位反応を行いα−アミノアシル酢酸エステル化合物のBoc体を得た後、塩酸でBocを脱離させることにより、式(1)で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物の塩酸塩を製造することができる。
メチルイソシアノエート(3.11g)とシクロヘキサン酸無水物(8.20g,1.1当量)のDMF(N,N−ジメチルホルムアミド)(10.0mL)溶液にDBU(1,8−ジアザビシクロ[5,4,0]−7−ウンデセン)(4.7mL,1.0当量)を0℃下で滴下した。室温で11時間攪拌した後、反応液を水で希釈し、n−ヘキサン−酢酸エチル(5:1)で抽出を行ない、有機層を分離した。その後、有機層を、飽和食塩水、1mol/L塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水及び飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。その後、沈殿物をろ過し、そのろ液を減圧下において濃縮した。得られた粗物をn−ヘキサン−酢酸エチルから再結晶し、生成物(5.00g,75%)を得た。
融点97.5−101℃
IR(KBr)2931,2852,1719,1599,1199cm−1;
1H−NMR(400MHz,CDCl3)δ1.26−1.89(m,10H,c−Hex−CH2),3.45−3.48(m,1H,c−Hex−H),3.91(s,3H,CO2CH3),7.74(s,1H,OCHN);13C−NMR(100MHz,CDCl3)δ25.7,25.9,30.6,35.4,51.9,125.2,148.6,162.6,164.1;
HRMS(FAB,NBA)C11H16NO3の計算値:210.1130(M+−1).
実測値:210.1119.
オキサゾール(10mmol)を濃塩酸(5.0mL)とメタノール(15.0mL)に溶解した。溶液を50℃で4時間攪拌した。その後、反応液を室温まで冷却し、濃縮した。残渣をジエチルエーテル中で粉砕し、α−アミノ−β−ケトエステルをろ取した。この固体を次工程にそのまま用いた。(収率:67%)
IR(KBr)2931,2856,1752,1719,1560,1508,1458,1276,1144cm−1;
1H−NMR(400MHz,CDCl3)δ1.19−1.50(m,5H,c−Hex−H),1.66−1.82(m,4H,c−Hex−H),2.18−2.20(m,1H,c−Hex−H),2.90−2.95(m,1H,c−Hex−H),3.91(s,3H,CO2CH3),5.50(s,COCHNH3),8.92(br,COCHNH3);13C−NMR(100MHz,CDCl3)δ25.0,25.6,25.7,27.4,29.2,48.4,54.2,60.3,163.8,201.0;HRMS(FAB,NBA)C10H18NO3の計算値:200.1287(M+−Cl).実測値:200.1282.
参考例1と同様にして対応するオキサゾールから目的化合物を得た。(収率:79%)
IR(KBr)2979,2642,1751,1720,1508,1438,1387,1275,1234,1013cm−1;1H−NMR(400MHz,CD3OD)δ1.12(d,J=6.4Hz,3H,(CH3)2CH),1.24(d,J=7.2Hz,3H,(CH3)2CH),3.19−3.28(sep,J=7.2Hz,1H,(CH3)2CH),3.92(s,3H,CO2CH3);13C−NMR(100MHz,CD3OD)δ17.7,19.1,39.8,54.6,165.3,203.6;HRMS(FAB,NBA)C7H14NO3の計算値:160.0974(M+−Cl).実測値:160.0973.
グリシン(35.0g)、BnOH(ベンジルアルコール)(231mL)、TsOH・H2O(p−トルエンスルホン酸1水和物)(106g,1.2当量)のベンゼン(469mL)溶液を共沸脱水条件下で29時間加熱還流させた。その後、反応液を室温まで冷却し、固体をろ取し、ジエチルエーテルで洗浄後、目的物2(168g)を得た。この固体を精製なしに次工程に使用した。中間体2(168g)をジオキサン−水に溶解し、炭酸水素ナトリウム(47g,1.2当量)、Boc2O(二炭酸ジ−t−ブチル)(112g,1.1当量)を加え、3時間攪拌した後、濃縮した。残渣を1mol/L硫酸水素ナトリウム水溶液で洗浄し、酢酸エチルで3回抽出した。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、ろ過し、濃縮した。残渣を、ジエチルエーテル−ヘキサンで晶析し、目的物3(1回目54.3g,2回目51.2g,3回目7.9g;総量113.4g,427mmol,92%)を得た。
1H−NMR(400MHz,CDCl3)δ1.45(s,9H,(CH3)3C),3.96(d,J=5.7Hz,2H,CH2NH),5.00(br,1H,CH2NH),5.18(s,2H,CH2Ph),7.34−7.38(m,5H,Ar−H).
原料3(1.06g,4.00mmol)をテトラヒドロフラン(8.0mL)に溶解し−78℃まで冷却した。続いてKHMDS(カリウムヘキサメチルジシラジド)(0.5M溶液9.0mL,1.1当量)を10分かけて加えた後、同温度で2時間攪拌した。さらにイソブチリルクロリド(0.46mL,1.1当量)を加え、同温度でさらに3時間攪拌した。その後、反応液を飽和塩化アンモニウムでクエンチし、酢酸エチル−ヘキサン(5:1)で3回抽出した。その有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、ろ過し、濃縮した。残渣をシリカゲルクロマトフィー(ヘキサン:酢酸エチル=3:1)で精製し、目的物4a(1.26g,94%)を無色油状物で得た。
IR(液膜(neat))2978,1747,1698,1457,1370,1216,1148,1028cm−1;1H−NMR(400MHz,CDCl3)δ1.17(d,J=6.8Hz,6H,(CH3)2CH),1.44(s,9H,(CH3)3C),3.72−3.76(m,1H,(CH3)2CH),4.48(s,2H,CH2N),5.16(s,2H,CH2Ph),7.32−7.36(m,5H,Ar−H);13C−NMR(100MHz,CDCl3)δ19.6,27.8,34.6,45.6,66.9,83.7,128.4,128.5,135.4,152.1,168.9,180.2;HRMS(FAB,NBA)C18H26NO5の計算値:336.1811(M++1).実測値:336.1811.
参考例4と同様の方法により4b−4fを製造した。
4b 無色油状物
IR(液膜(neat))2969,1747,1456,1370,1216,1149,1031cm−1;1H−NMR(400MHz,CDCl3)δ0.96(t,J=7.3Hz,3H,CH3CH2CH2CO),1.43(s,9H,(CH3)3C),1.65−1.70(m,2H,CH3CH2CH2CO),2.91(t,J=7.3Hz,2H,CH3CH2CH2CO),4.50(s,2H,CH2N),5.17(s,2H,CH2Ph),7.32−7.36(m,5H,Ar−H);13C−NMR(100MHz,CDCl3)δ13.7,18.4,27.8,39.8,45.3,66.9,83.7,128.4,128.4,128.6,135.4,152.2,169.0,175.6;HRMS(FAB,NBA)C18H26NO5の計算値:336.1811(M++1).実測値:336.1804.
4c 無色油状物
IR(液膜(neat))2974,1747,1694,1456,1336,1148,1010cm−1;1H−NMR(400MHz,CDCl3)δ1.35(s,9H,(CH3)3CCON),1.44(s,9H,(CH3)3COCO),4.33(s,2H,CH2N),5.16(s,2H,CH2Ph),7.33−7.36(m,5H,Ar−H);13C−NMR(100MHz,CDCl3)δ27.1,27.8,27.9,43.1,48.3,66.0,66.9,83.2,127.6,127.9,128.3,128.3,128.4,128.5,135.4,152.7,169.1,184.6;HRMS(FAB,NBA)C19H28NO5の計算値:350.1967(M+−1).実測値:350.1976.
4d
IR(KBr)2971,2871,1746,1695,1455,1370,1148,1048,1027cm−1;1H−NMR(400MHz,CDCl3)δ1.43(s,9H,(CH3)3COCO),1.53−1.94(m,8H,c−Pen−CH2),3.80−3.85(m,1H,c−Pen−CH),4.49(s,2H,CHN),5.16(s,2H,CH2Ph),7.31−7.37(m,5H,Ar−H);13C−NMR(100MHz,CDCl3)δ25.9,27.8,30.4,45.2,45.7,66.9,83.5,128.4,128.5,135.4,152.1,169.0,179.1;HRMS(FAB,NBA)C30H28NO5の計算値:362.1967(M++1).実測値:362.1932.
4e 白色固体
IR(KBr)2931,2853,1737,1691,1450,1368,1323,1193,1146cm−1;1H−NMR(400MHz,CDCl3)δ1.21−1.42(m,4H,c−Hex−CH2),1.67−1.80(m,4H,c−Hex−CH2),1.91−2.05(m,2H,c−Hex−CH2),3.46(tt,J=3.3,11.2Hz,CHCON),4.47(s,2H,CH2N),5.15(s,2H,CH2Ph),7.32−7.36(m,5H,Ar−H);13C−NMR(100MHz,CDCl3)δ25.7,25.9,27.8,29.7,44.4,45.7,66.9,83.6,128.4,128.5,135.4,152.1,169.0,179.1;HRMS(FAB,NBA)C21H30NO5の計算値:376.2124(M++1).実測値:376.2148.
4f 白色固体
IR(液膜(neat))2929,2857,1741,1698,1457,1339,1149,1043cm−1;1H−NMR(400MHz,CDCl3)δ1.44−1.66(m,17H,c−Hep−H,(CH3)3C),1.72−1.78(m,2H,c−Hep−H),1.90−1.97(m,2H,c−Hep−H),3.64−3.71(m,1H,CHCON),4.47(s,2H,CH2CO2CH2Ph),5.16(s,2H,CHCO2CH2Ph),7.30−7.38(m,5H,Ar−H);13C−NMR(100MHz,CDCl3)δ26.5,27.8,31.6,45.2,45.6,66.9,83.5,128.4,128.5,135.4,152.1,169.0,180.1;HRMS(FAB,NBA)C22H32NO5の計算値:390.2280(M++1).実測値:390.2266.
4aのTHF(テトラヒドロフラン)溶液を−78℃まで冷却した。この溶液にDMPU(1,3−ジメチル−3,4,5,6−テトラヒドロ−2−ピリミジノン)(2.0当量)とLHMDS(リチウムヘキサメチルジシラジド)(2.5当量)を10分間かけて加え、同温度で2時間攪拌した後、反応液を飽和塩化アンモニウム水溶液でクエンチした。その後、酢酸エチル−ヘキサン(5:1)で3回抽出し、その有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、ろ過し、濃縮した。残渣をシリカゲルクロマトフィーで精製し、目的物5aを無色油状物で得た。(収率:85%)
IR(液膜(neat))3431,2977,1759,1715,1496,1367,1251,1162cm−1;1H−NMR(400MHz,CDCl3)δ0.99(d,J=6.8Hz,3H,(CH3)2CH),1.14(d,J=7.1Hz,3H,(CH3)2CH),1.44(s,9H,(CH3)3C),2.94−2.99(m,1H,(CH3)3CH),5.15−5.29(m,3H,CHNH,CH2Ph),5.73(d,J=7.0Hz,1H,CHNH),7.31−7.38(m,5H,Ar−H);13C−NMR(100MHz,CDCl3)δ17.4,18.7,28.2,38.4,62.1,68.0,80.5,128.4,128.6,134.7,154.8,166.7,205.1;HRMS(FAB,NBA)C18H26NO5の計算値:336.1811(M++1).実測値:336.1816.
参考例10と同様の方法により5b−5fを製造した。
5b 無色油状物
IR(液膜(neat))3432,2970,1759,1715,1496,1368,1253,1163cm−1;1H−NMR(400MHz,CDCl3)δ0.83(t,J=7.3Hz,3H,CH3CH2CH2CO),1.44(s,9H,(CH3)3CO),1.52−1.62(m,2H,CH3CH2CH2CO),2.52−2.60(m,2H,CH3CH2CH2CO),5.05(d,J=7.1Hz,1H,CHNH),5.16(d,J=12.3Hz,1H,CH2Ph),5.29(d,J=12.3Hz,1H,CH2Ph),5.74(d,J=6.8Hz,1H,CHNH),7.31−7.38(m,5H,Ar−H);13C−NMR(100MHz,CDCl3)δ13.4,16.8,19.5,27.8,28.2,42.4,63.7,68.0,80.5,128.4,128.6,134.7,154.9,166.6,201.0;HRMS(FAB,NBA)C18H26NO5の計算値:336.1811(M+1).実測値:336.1788.
5c
IR(液膜(neat))3376,2977,1758,1713,1504,1368,1326,1252,1162cm−1;1H−NMR(400MHz,CDCl3)δ1.18(s,9H,(CH3)3CCOCH),1.43(s,9H,(CH3)3COCO),5.15(d,J=12.3Hz,1H,CH2Ph),5.20(d,J=12.3Hz,1H,CH2Ph),5.52(m,2H,COCHNH),7.29−7.37(m,5H,Ar−H);13C−NMR(100MHz,CDCl3)δ26.1,28.2,44.7,57.0,67.7,80.6,128.3,128.5,128.6,154.8,167.6,208.0;HRMS(FAB,NBA)C19H28NO5の計算値:350.1967(M+−1).実測値:350.1913.
5d
IR(液膜(neat))3430,2967,2871,1759,1714,1489,1367,1254,1162cm−1;1H−NMR(400MHz,CDCl3)δ1.34−1.94(m,17H,c−Pen−CH2,(CH3)3CO),3.14−3.18(m,1H,CHCOCHNH),5.13−5.17(m,2H,CHNH,CH2Ph),5.29(d,J=12.0Hz,1H,CH2Ph),5.76(d,J=6.8Hz,1H,CHNH),7.35−7.38(m,5H,Ar−H);13C−NMR(100MHz,CDCl3)δ26.0,26.0,28.2,28.5,30.3,48.8,63.5,67.9,80.5,128.6,134.8,154.8,166.8,203.7;HRMS(FAB,NBA)C20H28NO5の計算値:362.1967(M++1).実測値:362.1933.
5e
IR(液膜(neat))3431,2978,2932,2856,1755,1713,1495,1453,1368,1337,1251,1161cm−1;1H−NMR(400MHz,CDCl3)δ1.05−1.92(m,19H,c−Hex−CH2,(CH3)3CO),2.64−2.68(m,1H,CHCOCHNH),5.14(d,J=12.1Hz,1H,CH2Ph),5.18(d,J=7.1Hz,1H,CHNH),5.31(d,J=12.1Hz,1H,CH2Ph),5.73(d,J=7.1Hz,1H,CHNH),7.31−7.36(m,5H,Ar−H);13C−NMR(100MHz,CDCl3)δ25.0,25.5,25.7,27.6,28.3,29.1,48.2,62.3,68.0,80.5,128.6,128.7,134.8,154.9,166.7,204.0;HRMS(FAB,NBA)C21H30NO5の計算値:376.2124(M1+1).実測値:376.2118.
5f
IR(液膜(neat))3429,2978,2928,2858,1754,1713,1492,1367,1338,1254,1163cm−1;1H−NMR(400MHz,CDCl3)δ1.24−1.93(m,21H,c−Hep−CH2,(CH3)3C),2.88(s,1H,CHCOCHNH),5.14(d,1H,J=12.0Hz,CH2Ph),5.18(d,1H,J=7.6Hz,CHCOCHNH),5.30(d,1H,J=12.0Hz,CH2Ph),5.73(d,J=6.8Hz,1H,CHCOCHNH),7.35−7.38(m,5H,Ar−H);13C−NMR(100MHz,CDCl3)δ26.2,26.5,28.0,28.1,28.2,29.1,30.3,49.4,62.4,67.9,80.4,128.5,128.6,134.8,154.9,166.7,204.4;HRMS(FAB,NBA)C22H32NO5の計算値:390.2280(M+−1).実測値:390.2263.
5aを4mol/Lの塩酸−ジオキサンに溶解し、室温下で44時間攪拌した後、その反応液を濃縮した。残渣をジエチルエーテル中で粉砕し、目的物6aをろ取した。この固体を次工程にそのまま用いた。(収率:97%)
IR(KBr)3403,2972,2936,2654,1762,1736,1523,1267cm−1;1H−NMR(400MHz,CDCl3)δ0.96(d,J=6.4Hz,3H,(CH3)2CH),1.22(d,J=6.7Hz,3H,(CH3)2CH),3.03−3.09(m,1H,(CH3)2CH),5.24(d,J=11.6Hz,2H,CH2Ph),5.33(d,J=12.0Hz,2H,CH2Ph),5.47(s,1H,COCHN),7.32−7.38(m,5H,Ar−H),9.00(br);13C−NMR(100MHz,CDCl3)δ17.1,18.9,38.9,60.4,67.0,69.2,128.6,128.7,128.8,134.1,163.3,202.1;HRMS(FAB,NBA)C13H18NO3の計算値:236.1287(M+−Cl).実測値:236.1272.
参考例16と同様の方法により6b−6fを製造した。
6b
IR(KBr)2968,2935,2599,1750,1725,1459,1280,1226,1147cm−1;1H−NMR(400MHz,CD3OD)δ0.84(t,J=7.6Hz,3H,CH3CH2CH2CO),1.50−1.62(m,2H,CH3CH2CH2CO),2.64−2.80(m,2H,CH3CH2CH2CO),5.32(d,J=11.6Hz,1H,CH2Ph),5.41(d,J=12.0Hz,1H,CH2Ph),7.36−7.46(m,5H,Ar−H);13C−NMR(100MHz,CD3OD)δ13.6,17.6,43.4,70.2,129.8,130.1,135.8,164.7,199.2;HRMS(FAB,NBA)C13H18NO5の計算値:236.1287(M+−Cl).実測値:236.1275.
6c
IR(KBr)2971,2900,2867,1747,1718,1543,1508,1265,1239cm−1;1H−NMR(400MHz,CDCl3)δ1.20(s,9H,(CH3)3C),5.25(s,2H,CH2Ph),5.62(s,1H,COCHN),7.30−7.37(m,5H,Ar−H),9.00(br);13C−NMR(100MHz,CDCl3)δ26.6,44.9,56.7,69.2,128.6,128.7,128.9,134.0,163.6,204.4;HRMS(FAB,NBA)C14H20NO3の計算値:250.1443(M+−Cl).実測値:250.1438.
6d
IR(KBr)2951,1746,1720,1508,1458,1269,1207cm−1;1H−NMR(400MHz,CDCl3)δ1.44−2.02(m,8H,c−Pen−H),1.96−2.02(m,1H,c−Pen−H),5.24(d,J=12.0Hz,1H,CH2Ph),5.33−5.36(m,2H,CH2Ph,COCHNH3),7.26−7.39(m,5H,Ar−H),9.00(br,COCHNH);13C−NMR(100MHz,CDCl3)δ25.9,26.0,28.3,30.6,49.1,61.6,69.2,128.6,128.7,128.8,134.2,163.3,200.7;HRMS(FAB,NBA)C15H20NO3の計算値:262.1443(M+−Cl).実測値:262.1445.
6e
IR(KBr)2931,2854,1747,1719,1509,1266cm−1;1H−NMR(400MHz,CDCl3)δ0.97−1.36(m,5H,c−Hex−H),1.48−1.62(m,3H,c−Hex−H),1.69−1.72(m,1H,c−Hex−H),2.11−2.14(m,1H,c−Hex−H),2.78(tt,J=3.2,11.6Hz,1H,c−Hex−H),5.21(d,J=12.0Hz,1H,CH2Ph),5.38(d,J=12.0Hz,1H,CH2Ph),5.53(s,1H,COCHNH3),7.30−7.39(m,5H,Ar−H),8.93(br,COCHNH3);13C−NMR(100MHz,CDCl3)δ24.9,25.5,25.6,27.2,29.1,48.3,60.6,69.2,128.6,128.8,128.9,134.2,163,3,200.8;HRMS(FAB,NBA)C16H22NO3の計算値:276.1600(M+−Cl).実測値:276.1602.
6f
IR(KBr)2927,2624,1746,1720,1509,1459,1281,1198,1119cm−1;1H−NMR(400MHz,CDCl3)δ1.15−1.18(m,1H,c−Hep−H),1.45−1.57(m,10H,c−Hep−H),2.93−2.97(m,1H,c−Hep−H),5.21(d,J=12.0Hz,1H,CH2Ph),5.38(d,J=13.2Hz,1H,CH2Ph),5.40(s,1H,COCHNH3),7.31−7.39(m,5H,Ar−H),9.01(br,COCHNH3);13C−NMR(100Hz,CDCl3)δ26.1,26.5,27.9,28.1,28.8,30.3,49.5,60.7,69.2,128.6,128.8,128.9,134.2,163.3,201,1;HRMS(FAB,NBA)C17H24NO3の計算値:290.1756(M+−Cl).実測値:290.1765.
オキサゾール(102.8mg)のメタノール(3.0mL)溶液にTsOH・H2O(p−トルエンスルホン酸1水和物)(230.0mg)を加え、25時間加熱還流した。この溶液を濃縮した後、ジエチルエーテル中で粉砕した。この粗物を精製せずに次工程に用いた。
1H−NMR(400MHz,CDCl3)δ1.03(d,J=6.8Hz,3H,(CH3)2CH),1.11(d,J=7.1Hz,3H,(CH3)2CH),2.34(s,3H,Ar−CH3),3.06(sep,J=7.0Hz,1H,(CH3)2CH),5.36(s,1H,CHNH2),7.13(d,J=8.1Hz,2H,Ar−H),7.70(d,J=8.2Hz,2H,Ar−H),8.46(s,2H,CHNH2).
メチルイソシアノエート(2.97g,30mmol),ベンゾイルクロリド(2.97g,30mmol),TEA(トリエチルアミン)(12.6ml,90mmol)をTHF(テトラヒドロフラン)(50ml)に加え、室温下で48時間攪拌した。その後、減圧下において溶媒を留去し、残渣に酢酸エチル(100ml)を加え、水、1mol/L HCl(50ml)、飽和NaHCO3(50ml)、飽和食塩水(50ml)で順次洗浄した。溶液を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、沈殿物を濾去し、減圧下において溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(100g,酢酸エチル:n−ヘキサン=1:5)で精製し、オキサゾール化合物(4.07g,20mmol,67%)を無色固体で得た。
1H−NMR(400MHz,CDCl3):δ3.96(s,3H),7.45〜7.53(3H,m,Ar−H),7.92(s,1H,oxazole−H),8.00〜8.12(2H,m,Ar−H)
FT−IRνmax(KBr):3108,1717,1582,1561,1516,1495,1433,1354,1325,1312,1221,1195,1109,1087,1068,1010,936,767,688.
オキサゾール化合物(2.26g,11.1mmol)を4mol/L塩酸−ジオキサン(18ml)及びメタノール(18ml)に溶解し、60℃で24時間攪拌した。その溶液を室温まで冷却した後、濃縮した。残渣をメタノールに溶解した後、再度濃縮した。この操作を5回繰り返し、完全に残留塩酸を除去した後、得られた固体をエーテルで洗浄し、ろ取した。この固体を酢酸エチルとメタノールから再結晶し、化合物6g(1.42g,6.2mmol,56%)を無色固体で得た。
1H−NMR(400MHz,CD3OD):δ3.77(s,3H),7.60(t,J=7.6Hz,2H),7.77(t,J=7.6Hz,1H)8.17(dd,J=1.6,8.8Hz2H);13C−NMR(100MHz,CD3OD):δ(ppm)54.6,130.1,131.0,134.9,136.3,165.4,190.0;FABMS(NBA)m/z:194(M−Cl−)−;FT−IRνmax(KBr):3441,2840,1739,1688,1597,1274,1217,684.
参考例23と同様にして対応するオキサゾールから目的化合物(6h)を得た。
1H−NMR(400MHz,CD3OD):δ3.77(s,3H),5.23(s,2H),6.04(s,1H),7.1〜7.5(m,7H,Ar−H),8.14(d,J=7.2Hz,2H);13C−NMR(100MHz,CD3OD):δ(ppm)54.5,584,71.5,116.2,127.8,128.7,129.3,129.7,133.6,137.7,165.8,166.0,187.9;FABMS(NBA)m/z:300(M−Cl−)+;FT−IRνmax(KBr):3445,2969,1759,1685,1603,1509,1276,1254,1222,1176,1075,832,743,697.
参考例23と同様の操作を行うことにより化合物6i−6mを製造した。
尚、各化合物の構造は、以下の通りとなる。
6i:R=p−メチルフェニル基
6j:R=m−メチルフェニル基
6k:R=β−ナフチル基
6l:R=2−フリル基
6m:R=p−ブロモフェニル基
各化合物の機器データを以下に示す。
6i
1H−NMR(400MHz,CD3OD):δ2.47(s,3H),3.77(s,3H),6.09(s,1H),7.42(2H,d,J=8.0Hz),8.05(2H,d,J=8.0Hz;13C−NMR(100MHz,CD3OD):δ21.8,54.5,58.7,130.7,131.2,132.4,148,0,165.6,189.3;FT−IRνmax(KBr):2995,2826,2626,1739,1685,1604,1505,1434,1276,1220,1179,1074,968,942,863.
6j
1H−NMR(400MHz,CD3OD):δ2.45(s,3H),3.81(s,3H),6.11(s,1H),7.4〜7.6(2H,Ar−H),7.9〜8.0(2H,Ar−H);13C−NMR(100MHz,CD3OD):δ21.3,54.6,58.8,128.3,130.0,131.2,135.0,137.0,140,3,165.5,190.1;FT−IRνmax(KBr):3004,2813,2626,1737,1685,1602,1511,1434,1275,1228,1168,1072,948,889,866,785,685.
6k
1H−NMR(400MHz,CD3OD):δ3.75(s,3H),6.30(s,1H),7.6〜7.75(2H,Ar−H),7.9〜8.15(4H,ArH),8.82(1H,s,Ar−H);13C−NMR(100MHz,CD3OD):δ54.6,58.7,125.0,128.5,129.0,129.9,131.0,131.2,132.2,133.8,134.3,137.8,165.6,189.9;FT−IRνmax(KBr):3440,2819,1739,1688,1622,1594,1502,1434,1280,1236,1174,1008,937,811,760.
6l
1H−NMR(400MHz,CD3OD):δ3.82(s,3H),5.78(s,1H),6.80(1H,dd,J=1.6,4.0Hz,Ar−H),7.71(1H,d,J=4.0Hz,Ar−H),8.00(1H,d,J=1.6Hz,Ar−H);13C−NMR(100MHz,CD3OD):δ54.7,58.4,114.6,124.1,151.2,151.3,165.5,177.1;FT−IRνmax(KBr):3430,2973,2637,1752,1679,1590,1570,1504,1464,1404,1285,1252,1155,1088,1079,1036,1023,991,951,910,876,841,769.
6m
1H−NMR(400MHz,CD3OD):δ3.78(s,3H),6.11(s,1H),7.79(2H,Ar−H),8.05(2H,Ar−H);13C−NMR(100MHz,CD3OD):δ547,589,131.5,132.6,133.4,133.9,165.2,189.3;FT−IRνmax(KBr):2810,1738,1689,1586,1497,1433,1405,1275,1213,1176,1134,1175,966,940,864,816,764,676.
アルゴン雰囲気下において、[RuCl2(C6H6)]2(10.1mg)と(S)−BINAP(25.3mg)およびDMF(N,N−ジメチルホルムアミド)400μLをシュレンクチューブ中で混合した。この混合溶液を脱気した後、100℃で10分攪拌した。混合溶液の温度を室温まで下げた後、50℃で2.5時間減圧乾燥させ、赤茶色の[RuCl2(S)−BINAP](dmf)nを、触媒として得た。参考例2で製造した1−メトキシカルボニル−3−メチル−2−オキソ−ブチル−アンモニウム;クロリド(169.2mg)をメタノール(2.0mL)に溶解し、脱気した後、その溶液を、上記触媒にアルゴン置換したカニューラで加えた。(残渣をメタノール1.0mlで洗浄し、同様に加えた)溶液を、水素(100atm)中で50℃において48時間攪拌した。その後、反応液を濃縮し、目的物を得た。
得られた粗物を、ベンゾイル化し、機器分析することによりde及びeeを決定した。deは、1H−NMRにより決定し、eeは、HPLCにより決定した。
ベンゾイル化
得られた粗物をTHF(テトラヒドロフラン)(1.7mL)に溶解した。続いてBzCl(ベンゾイルクロリド)(110μL)とTEA(トリエチルアミン)(380μL)を0℃で溶液に加えた。室温で1時間攪拌した後、反応液に水、酢酸エチル及びヘキサンを加え、反応を停止させた。つづいて分液を行い、その有機層を1mol/L塩酸溶液、炭酸水素ナトリウム水溶液で順次洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。その後、ろ過し、濃縮を行った。続いてこの残渣をシリカゲルクロマトグラフフィー(酢酸エチル:n−ヘキサン=1:3)で分取精製し、目的物(162.1mg,2工程71%,de98%,56%ee)を得た。HPLC分析条件,カラム:CHIRALCEL OD−H(ダイセル化学工業株式会社),移動相:n−ヘキサン/i−プロパノール=85/15,流速:0.5mL/分,保持時間:2R,3R体 10.6分,2S,3S体 15.6分.
[α]D 25+35.4(0.99,CHCl3);IR(液膜(neat))3417,2962,1747,1633,1538,1455,1372,1062,1011cm−1;1H−NMR(400MHz,CDCl3)δ1.02(d,J=6.8Hz,3H,(CH3)2CH),1.05(d,J=6.6Hz,3H,(CH3)2CH),1.77(sep,J=6.6Hz,1H,(CH3)2CH),2.91(d,J=8.2Hz,1H,CHOH),3.62(dt,J=3.3,8.6Hz,1H,CHOH),3.82(s,3H,CO2CH3),4.97(dd,J=3.3,7.3Hz,1H,CHNH),7.14(d,J=6.6Hz,1H,NH),7.44−7.48(m,2H,Ar−H),7.52−7.56(m,1H,Ar−H),7.82−7.85(m,2H,Ar−H);HRMS(FAB,NBA)C14H20NO4の計算値:266.1392(M+−1).実測値:266.1408.
[α]D 26+35.5(1.07,CHCl3);融点94−97℃;IR(KBr)3545,3493,3281,2927,2854,1739,1630,1542,1363,1230,1209cm−1;
1H−NMR(400MHz,CDCl3)δ0.97−1.30(m,5H,c−Hex−H),1.42−1.51(m,1H,c−Hex−H),1.65−1.84(m,4H,c−Hex−H),2.03−2.06(m,1H,c−Hex−H),2.94(d,J=8.4Hz,1H,CHOH),3.68(dt,J=3.2,8.8Hz,1H,CHOH),3.82(s,3H,CO2CH3),4.97(dd,J=3.2,7.6Hz,1H,CHNH),7.18(d,J=7.2Hz,NH),7.44−7.47(m,2H,Ar−H),7.51−7.56(m,1H,Ar−H),7.82−7.84(m,2H,Ar−H);HRMS(FAB,NBA)C17H24NO4の計算値:306.1705(M++1).実測値:306.1724.
HPLC分析条件,カラム:CHIRALCEL OD−H(ダイセル化学工業株式会社),移動相:n−ヘキサン/i−プロパノール=85/15,流速:0.5mL/分,保持時間:2R,3R体 11.2分,2S,3S体 15.3分.
得られた粗物を、ベンゾイル化し、機器分析することによりde及びeeを決定した。deは、1H−NMRにより決定し、eeは、HPLCにより決定した。
ベンゾイル化
得られた粗物をTHF(テトラヒドロフラン)(2.0mL)に溶解した。続いてBzCl(ベンゾイルクロリド)(130μL)とTEA(トリエチルアミン)(440μL)を0℃で溶液に加えた。室温で1時間攪拌した後、反応液を水、酢酸エチル及びヘキサンを加え、反応を停止させた。続いて分液を行い、その有機層を1mol/L塩酸、炭酸水素ナトリウム水溶液で順次洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。その後、ろ過し、濃縮を行った。続いてこの残渣をシリカゲルクロマトグラフィー(酢酸エチル:n−ヘキサン=1:2)で分取精製し、目的物を得た(収率:87%(2工程合計)、de:>99%、ee:96%)。
HPLC分析条件,カラム:CHIRALCEL OD−H(ダイセル化学工業株式会社),移動相:n−ヘキサン/i−プロパノール=90/10,流速:0.5mL/分,保持時間:2R,3R体 21.6分,2S,3S体 30.3分.
[α]D 24+33.9(1.00,CDCl3);融点95.5−96℃;IR(KBr)3414,2961,2935,2858,1749,1647,1519,1192,1064cm−1;
1H−NMR(400MHz,CDCl3)δ0.95(d,J=6.6Hz,3H,(CH3)2CH),1.13(d,J=6.6Hz,3H,(CH3)2CH),1.71(m,1H,(CH3)2CH),2.92(d,J=8.4Hz,1H,CHOH),3.63(dt,J=3.1,8.4Hz,1H,CHOH),4.99(dd,J=3.3,7.3Hz,1H,CHNH),5.23(d,J=12Hz,1H,CH2−Ph),5.29(d,J=12Hz,1H,CH2−Ph),7.14(d,J=7.3Hz,1H,CHNH),7.34−7.39(m,5H,Ar−H),7.43−7.47(m,2H,Ar−H),7.52−7.56(m,1H,Ar−H),7.81−7.83(m,2H,Ar−H);13C−NMR(100MHz,CDCl3)δ18.9,19.0,31.5,56.2,67.6,78.9,127.2,128.4,128.6,128.7,132.0,133.4,134.9,167.5,170.8;HRMS(FAB,NBA)C20H24NO4の計算値:342.1705(M+−1).実測値:342.1682.C20H23NO4の元素分析計算値:C,70.36;H,6.79;N,4.10.実測値:C,70.26;H,6.82;N,4.06.
基質及び溶媒を変更した事以外は実施例13と同様の操作を行うことにより、目的物を製造した。収率は2工程の合計で示した。
R=n−プロピル基
[α]D 22+14.8(1.01,CHCl3);融点97−99℃;IR(KBr)3354,2958,2867,1737,1629,1578,1534,1254,1221cm−1;1H−NMR(400MHz,CDCl3)δ0.85(t,3H,J=7.2Hz,3H,CH3CH2CH2),1.28−1.56(m,4H,CH3CH2CH2),3.29(d,J=7.6Hz,1H,CHOH),4.05−4.10(m,1H,CHOH),4.93(dd,J=3.2,6.8Hz,1H,CHNH),5.21(d,J=12.4Hz,1H,CH2Ph),5.31(d,J=12.4Hz,1H,CH2Ph),7.14(d,J=6.8Hz,1H,CHNH),7.26−7.56(m,8H,Ar−H),7.82−7.84(m,2H,Ar−H);13C−NMR(100MHz,CDCl3)δ13.8,18.9,35.3,58.3,67.7,73.1,127.2,128.2,128.4,128.7,132.1,133.3,134.9,168.0,170.3;HRMS(FAB,NBA)C20H24NO4の計算値:342.1705(M++1).実測値:342.1699.
HPLC分析条件,カラム:CHIRALCEL OD−H(ダイセル化学工業株式会社),移動相:n−ヘキサン/i−プロパノール=90/10,流速:0.5mL/分,保持時間:2R,3R体 26.6分,2S,3S体 32.3分.
R=t−ブチル基
[α]D 22+23.9(1.00,CHCl3);IR(液膜(neat))3373,3064,3033,2958,2908,2872,1731,1644,1538,1487,1177,1078cm−1;1H−NMR(400MHz,CDCl3)δ0.95(s,9H,(CH3)3C),3.33(d,J=10Hz,1H,CHOH),3.67(dd,J=3.2,9.6Hz,1H,CHOH),5.02(dd,J=3.2,7.6Hz,1H,CHNH),5.20(d,J=12.4Hz,1H,CH2Ph),5.24(d,J=12.4Hz,1H,CH2Ph),7.10(d,J=7.6Hz,1H,CHNH),7.34−7.40(m,5H,Ar−H),7.43−7.47(m,2H,Ar−H),7.51−7.55(m,1H,Ar−H),7.78−7.81(m,2H,Ar−H);13C−NMR(100MHz,CDCl3)δ26.0,35.4,54.5,67.6,81.1,127.1,128.5,128.6,132.0,133.4,134.6,167.3,171.1;HRMS(FAB,NBA)C21H26NO4の計算値:356.1862(M++1).実測値:356.1827.
HPLC分析条件,カラム:CHIRALPAK AD(ダイセル化学工業株式会社),移動相:n−ヘキサン/i−プロパノール=90/10,流速:1.0mL/分,保持時間:2R,3R体 26.8分,2S,3S体 17.8分.
R=シクロペンチル基
[α]D 24+20.5(1.00,CHCl3);融点109−111℃;IR(KBr)3414,3342,2938,2867,1746,1644,1521,1488,1195cm−1;1H−NMR(400MHz,CDCl3)δ1.38−1.88(m,9H,c−Pen−H),2.95(d,J=8.0Hz,1H,CHOH),3.78(dt,J=2.8,8.8Hz,1H,CHOH),4.92(dd,J=2.8,7.2Hz,1H,CHNH),5.21(d,J=12.4Hz,1H,CH2Ph),5.31(d,J=12.4Hz,1H,CH2Ph),7.19(d,J=6.4Hz,1H,CHNH),7.34−7.39(m,5H,Ar−H),7.43−7.47(m,2H,Ar−H),7.51−7.56(m,1H,Ar−H),7.81−7.84(m,2H,Ar−H);13C−NMR(100MHz,CDCl3)δ25.1,25.5,29.0,29.8,43.5,57.3,67.5,78.0,127.2,128.4,128.6,132.0,133.4,135.0,167.6,170.5;HRMS(FAB,NBA)C22H26NO4の計算値:368.1862(M−+1).実測値368.1870.
HPLC分析条件,カラム:CHIRALPAK AD(ダイセル化学工業株式会社),移動相:n−ヘキサン/i−プロパノール=90/10,流速:1.0mL/分,保持時間:2R,3R体 25.2分,2S,3S体 28.9分.
R=シクロヘキシル基
融点125−127℃;IR(KBr)3403,2929,2849,1742,1647,1521,1483,1211cm−1;1H−NMR(400MHz,CDCl3)
δ0.95−1.78(m,10H,c−Hex−CH2),1.99(d,J=12.1Hz,1H,CHC(OH)CHNH),2.78(d,J=8.8Hz,1H,CHOH),3.66(dt,J=3.2,8.8Hz,1H,CHOH),4.99(dd,J=2.9,7.3Hz,1H,CHNH),5.18(d,J=12.2Hz,1H,CH2Ph),5.34(d,J=12.2Hz,1H,CH2Ph),7.17(d,J=6.8Hz,1H,CHNH),7.32−7.56(m,8H,Ar−H),7.81−7.83(m,2H,Ar−H);13C−NMR(100MHz,CDCl3)δ25.6,26.1,29.0,29.2,40.9,55.7,67.5,77.9,127.2,128.5,128.6,131.9,133.5,135.0,167.4,170.8HRMS(FAB,NBA)C23H28NO4の計算値:382.2018(M++1).実測値:382.1993.
HPLC分析条件,カラム:CHIRALPAK AD(ダイセル化学工業株式会社),移動相:n−ヘキサン/i−プロパノール=90/10,流速:1.0mL/分,保持時間:2R,3R体 18.7分,2S,3S体 32.3分.
R=シクロヘプチル基
[α]D 25+12.9(1.00,CHCl3);IR(液膜(neat))3418,3064,3033,2925,2854,1734,1646,1539,1190,1082cm−1;1H−NMR(400MHz,CDCl3)δ1.24−1.64(m,11H,c−Hep−H),1.76−1.89(m,2H,c−Hep−H),2.79(dd,J=5.6,8.4Hz,1H,CHOH),3.70(dt,J=3.2,8.8Hz,1H,CHOH),5.01(dd,J=3.2,7.2Hz,1H,CHNH),5.18(d,J=12.0Hz,1H,CH2Ph),5.32(d,J=12.0Hz,1H,CH2Ph),7.13(d,J=7.0Hz,CHNH),7.32−7.40(m,5H,Ar−H),7.42−7.46(m,2H,Ar−H),7.51−7.55(m,1H,Ar−H),7.80−7.82(m,2H,Ar−H);13C−NMR(100MHz,CDCl3)δ26.1,26.2,28.2,28.9,30.6,42.3,55.8,67.5,77.6,127.2,128.5,128.6,131.9,133.5,135.0,167.4,170.9;HRMS(FAB,NBA)C24H30NO44の計算値:396.2175(M++1).実測値:396.2195.
HPLC分析条件,カラム:CHIRALCEL OD−H(ダイセル化学工業株式会社),移動相:n−ヘキサン/i−プロパノール=90/10,流速:0.5mL/分,保持時間:2R,3R体 30.5分,2S,3S体 34.7分.
基質を参考例1で製造した2−シクロヘキシル−1−メトキシカルボニル−2−オキソ−エチル−アンモニウム;クロリドに変更し、種々の反応条件を検討した。
転化率は、反応液をHPLCで分析し、基質と生成物のピーク面積を以下の式に当てはめることにより算出した値を意味する。尚、式中の、4.37という数字は、測定波長における基質と生成物の感度比を補正するために用いた値である。
転化率=生成物の面積/(生成物の面積−基質の面積/4.37)×100
転化率の分析条件
分析方法:HPLC(島津LC10Avp)、逆相アイソクラチック分析
カラム:L−column ODS(化学物質評価技術研究機構)φ4.6mm×250mm+CAPCELLPAKSCX UG80(株式会社 資生堂)φ4.6mm×250mm移動相:アセトニトリル/100mM KH2PO4緩衝溶液=2/8(v/v)
流速:1.0ml/分.
検出:UV215nm
保持時間:基質21.8分、生成物23.4分.
eeは、生成物をベンゾイル化した化合物をHPLCで分析することにより決定した。eeの分析条件
分析方法:HPLC(島津LC10Avp)、順相アイソクラチック分析
カラム:CHIRALCEL OD−H(ダイセル化学工業株式会社)
移動相:n−ヘキサン/イソプロパノール=85/15(v/v)
流速:0.5ml/分.
検出:UV254nm
保持時間:R体 11.2分、S体 15.3分.
[Ir(cod)Cl]2(2.5mg,0.0037mmol)、(S)−MeO−Biphep(5.8mg,0.01mmol)及びヨウ化ナトリウム(2.3mg,0.015mmol)を塩化メチレン(1.0mL)に加えた溶液を凍結融解法(freeze−thawmethod)により脱気した。
溶液をアルゴン雰囲気下において、室温で10分攪拌した。
得られた黄色の触媒を真空下で乾燥させた。該触媒に参考例23で製造した6g(57.4mg,0.25mmol)、NaOAc(酢酸ナトリウム)(20.5mg,0.25mmol)及び脱気したAcOH(酢酸)(1.2mL)をアルゴン雰囲気下で加えた。混合溶液を室温下において、水素圧100気圧で攪拌した。24時間攪拌した後、反応溶液を1mol/L塩酸(3.0mL)に加え、ジエチルエーテル5mLで洗浄した。得られた水層を40℃以下で減圧下において濃縮乾固し、残査に無水エタノールを加えて粉砕した。白色固体を濾去し、得られた透明の濾液を減圧下で濃縮した。残査をTHF(テトラヒドロフラン)(3mL)に溶解し、その後、PhCOCl(ベンゾイルクロリド)(35.2mg,0.25mmol)及びEt3N(トリエチルアミン)(75.9mg,0.75mmol)を0℃にて加えた。室温で1時間攪拌した後、水及び酢酸エチル(10mL)を加え、その有機層を、1mol/L塩酸(5mL)、飽和重曹水(5mL)、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸ナトリウムにて乾燥し、沈殿物を濾去した後、減圧下で濃縮した。残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(20g,酢酸エチル:n−ヘキサン=1:2)によって精製し、N−ベンゾイル体(57.8mg,0.19mmol,77%,>99%de,89.6%ee)を無色固体で得た。
1H−NMR(400MHz,CDCl3)δ;3.79(3H,s),4.56(1H,d,J=5.6Hz),5.24(1H,dd,J=3.6,6.8Hz),5.40(1H,dd,J=3.6,5.6Hz),6.87(1H,brd),7.2〜7.4(5H,m,Ar−H),7.4〜7.5(2H,m,Ar−H),7.5〜7.6(1H,m,Ar−H),7.7〜7.8(2H,m,Ar−H);13C−NMR(100MHz,CDCl3)δ(ppm)52.6,59.4,75.1,125.9,127.1,128.0,128.3,128.6,132.1,133.0,139.1;FT−IRνmax(KBr):3338,1744,1644,1525,1229,1173,693.;FABMS(NBA)m/z:300(M−1);
HPLC分析条件,カラム:CHIRALCEL OD−H(ダイセル化学工業株式会社),移動相:n−ヘキサン/i−プロパノール=85/15,流速:1.0mL/分,保持時間:2R,3R体 8.6分,2S,3S体 12.0分.
添加物(ヨウ素化合物)、酢酸塩、温度及び反応時間を変更した事以外は実施例44と同様の操作を行うことにより、目的物を製造した。収率は2工程の合計で示した。
尚、触媒の使用量は、基質に対してイリジウムの使用量は3mol%であり、(S)−MeO−Biphepの使用量は、イリジウムの使用量に対して1.33当量(4/3)である。
又、表中、ヨウ素化合物の量は、イリジウムの使用量に対する当量数を表し、酢酸塩の量は、基質に対する当量数を表し、TBAIは、ヨウ化テトラn−ブチルアンモニウムを意味する。
基質、添加物(ヨウ素化合物)、温度及び反応時間を変更した事以外は実施例44と同様の操作を行うことにより、目的物を製造した。収率は2工程の合計で示した。
尚、基質の使用量:イリジウムの使用量:(S)−MeO−Biphepの使用量:添加物(ヨウ素化合物)の使用量=100:3:4:6であり、酢酸塩(酢酸ナトリウム)は、基質に対して1当量使用した。
表中、OBnはベンジルオキシ基を、Phはフェニル基を、Meはメチル基を、Prはプロピル基を、β−Napはβ−ナフチル基を、TBAIは、ヨウ化テトラn−ブチルアンモニウムを意味する。
実施例44の配位子を(s)−BINAPに変更し、種々の条件を変更して目的化合物を製造した。収率は2工程の合計で示した。
尚、基質の使用量:イリジウムの使用量:(s)−BINAPの使用量=100:3:4である。表中、添加物の量は、イリジウムの使用量に対する当量数を表し、酢酸塩の量は、基質に対する当量数を表し、又、溶媒の種類は、以下の記号を意味する。
A エタノール
B n−プロパノール
C i−プロパノール
D メタノール:ベンゼン=1:2
E n−プロパノール:テトラヒドロフラン=1:2
F i−プロパノール:酢酸=1:1
G テトラヒドロフラン:酢酸=1:1
H 酢酸
又、Phtaは、フタルイミドを意味し、TBABは、臭化テトラn−ブチルアンモニウムを、TBAIは、ヨウ化テトラn−ブチルアンモニウムを意味する。
Claims (12)
- 式(1)
、C1-6アルキルカルボニルオキシ基又はCONR4R5(式中、R4及びR5は、それぞれ
独立して、水素原子又はC1-6アルキル基を意味する。)で任意に置換されていてもよい
。]、C1-6アルコキシ基、C1-6アルコキシカルボニル基又はCONR4R5(式中、R4
及びR5は、それぞれ独立して、水素原子又はC1-6アルキル基を意味する。)で任意に置換されていてもよい。〕、又はC4-12芳香族基〔該芳香族基は、ハロゲン原子、C1-6ア
ルキル基、C1-6アルコキシ基、C1-6アルコキシカルボニル基、C1-6アルキルカルボニ
ルオキシ基[該C1-6アルキル基、C1-6アルコキシ基、C1-6アルコキシカルボニル基及
びC1-6アルキルカルボニルオキシ基は、C4-12芳香族基(該芳香族基は、ハロゲン原子
で任意に置換されていてもよい。)で任意に置換されていてもよい。]又はCONR4R5(式中、R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子又はC1-6アルキル基を意味する。
)で任意に置換されていてもよい。〕を意味し、
R2は、C1-20アルキル基〔該C1-20アルキル基はC4-12芳香族基[該芳香族基は、ハ
ロゲン原子、C1-6アルキル基、C1-6アルコキシ基、C1-6アルコキシカルボニル基、C1-6アルキルカルボニルオキシ基又はCONR4R5(式中、R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子又はC1-6アルキル基を意味する。)で任意に置換されていてもよい。]、
C1-6アルコキシ基、C1-6アルコキシカルボニル基又はCONR4R5(式中、R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子又はC1-6アルキル基を意味する。)で任意に置換され
ていてもよい。〕、又はC4-12芳香族基[該芳香族基は、ハロゲン原子、C1-6アルキル
基、C1-6アルコキシ基、C1-6アルコキシカルボニル基、C1-6アルキルカルボニルオキ
シ基又はCONR4R5(式中、R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子又はC1-6ア
ルキル基を意味する。)で任意に置換されていてもよい。]を意味する。}で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物を、酸の存在下において、光学活性2座ホスフィン配位子を有するルテニウム及びイリジウムから選ばれる周期表第VIII族の遷移金属の錯体を触媒として使用する触媒的不斉水素化反応により水素化することを特徴とする、式(2)又は式(3)
- 前記周期表第VIII族の遷移金属の錯体がRuHX1(R3−BINAP)2、RuX2 2
(R3−BINAP)又はRu2Cl4(R3−BINAP)2(Et3N)(式中、R3−B
INAPは前記式(4)で表される光学活性2座ホスフィン配位子を意味し、X1及びX2は、それぞれCl、ClO4、BF4、PF6、OCOCH3、OCOCF3、OCO−t−
Bu又はOSO2CF3を意味するが、該錯体は、N,N−ジメチルホルムアミド、ベンゼン、AlCl3、SnCl4、TiCl4又はZnCl2で更に配位されていてもよい。)である請求項2記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。 - 前記周期表第VIII族の遷移金属の錯体がRuX2 2(R3−BINAP)(式中、X2及びR3−BINAPは前記と同じ意味を表わし、該錯体は、N,N−ジメチルホルムアミ
ド、ベンゼン、AlCl3、SnCl4、TiCl4又はZnCl2で更に配位されていてもよい。)である請求項3記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。 - N,N−ジメチルホルムアミド又はベンゼンで更に配位されたRuX2 2(R3−BINA
P)(式中、X2がClを表わし、R3−BINAPは前記と同じ意味を表わす。)を用いる請求項4に記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。 - 前記周期表第VIII族の遷移金属がイリジウムであり、光学活性2座ホスフィン配位子がR3−BINAP(R3−BINAPは、前記と同じ意味を表わす。)又は式(5)
クロヘキシル基を意味し、R7は、メチル基又はメトキシ基を意味し、R8は、水素原子、メチル基、メトキシ基又は塩素原子を意味し、R9は、水素原子、メチル基、メトキシ基
、ジメチルアミノ基又ジエチルアミノ基を意味し、絶対配置はS又はRのどちらかを意味する。]で表される化合物である請求項1記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。 - 反応系中に酢酸塩を加える請求項6記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
- 前記周期表第VIII族の遷移金属の錯体を調製する際、ヨウ素化合物を添加する請求項7記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
- 前記光学活性2座ホスフィン配位子が前記式(5)で表される化合物である請求項8記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
- 前記周期表第VIII族の遷移金属の錯体を調製する際、[Ir(cod)Cl]2(式
中、codは、1,5−シクロオクタジエンを意味する。)を使用する請求項9記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。 - 前記酸がHCl、HBr、H 2 SO 4 、HClO 4 、CH 3 SO 3 H、PhSO 3 H、TsOH、CF 3 SO 3 H及びCF 3 CO 2 Hから選ばれる酸である請求項1〜10の何れか1項に記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
- 前記酸がHClである請求項11記載の製造方法。
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