JP2973755B2 - レイアウト検証方法 - Google Patents

レイアウト検証方法

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JP2973755B2 JP4337884A JP33788492A JP2973755B2 JP 2973755 B2 JP2973755 B2 JP 2973755B2 JP 4337884 A JP4337884 A JP 4337884A JP 33788492 A JP33788492 A JP 33788492A JP 2973755 B2 JP2973755 B2 JP 2973755B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はレイアウト検証方法に関
し、特に大規模な繰り返し図形を含むメモリチップ等の
レイアウト検証方法に関する。
【0002】
【従来の技術】レイアウト検証は、大別すると物理寸法
検証(DRC)と、回路接続検証(LVS)とがある。
これらの検証はメモリ等、大規模な繰り返し図形を含む
ものでは処理量は増加する。図5にメモリチップレイア
ウトの一例を示す。メモリチップはある程度の大きさの
複数のメモリセルMからなるメモリマトリックス(4メ
ガビットメモリでは256キロビット〜1メガビット)
と、これらに接続する周辺部からなり、図5(a)〜
(c)はそれぞれ基本形、2分割形、4分割形を示す。
周辺部は、行デコーダ及び行デコーダの増幅器X、スイ
ッチング回路を含む列デコーダ及び列デコーダの増幅器
Y、センスアンプS、ラッチ回路L、接続部C1〜C4
で構成される。
【0003】なお、行デコーダと行デコーダ増幅器の一
例を図6に示すように、デコーダは各行で異なるため、
アレイ表現できない。以後、行デコーダはメモリマトリ
ックスの構成要素に含まれないとする。列デコーダ、列
デコーダ増幅器、スイッチング回路の一例を図7に示
す。ここで、列デコーダ増幅器は単独でアレイ表現でき
るが、説明簡略化のためレイアウト上はスイッチング回
路のセルを含んでいるものとする。
【0004】ここで、一般にメモリセルM、センスアン
プS、行デコーダX、列デコーダY、ラッチ回路Lはデ
ータ量縮小のためアレイ情報と呼ばれるデータ構造が用
いられる。図8にアレイ情報の記憶装置内での表現を示
す。このアレイ情報は、基本となるセルの参照情報にア
レイ特有の情報である行,列方向の繰り返し数と、同じ
く繰り返し間隔を付加したもので、これにより大規模な
繰り返し図形が1セル分に近いデータ量で表現できる。
例えば、メモリセルが行,列とも512の2次元配置な
ら、これを通常に配置する場合の25万分の1のデータ
量で済む。
【0005】なお、メモリセル等、アレイ情報で表現さ
れるセルは、通常レイアウトが対称に配置される関係で
1セル2回路以上となる。これを、ダイナミックメモリ
のメモリセルの例で図9に示す。同図(a)はレイアウ
ト図、(b)は回路図である。通常、メモリセルMは2
次元アレイ、行デコーダ増幅器X、センスアンプS、列
デコーダ増幅器Y、ラッチ回路Lは1次元アレイとな
る。また、図10に示すように、メモリマトリックスの
角の部分に設けられた接続部C1〜C4は、前記アレイ
情報で表現された部分への入出力線を含むアレイであ
り、アレイ表現されない。この場合、繰り返し数が行列
共1のアレイと見ることもできる。但し、図5(b)及
び(c)では説明簡略化のため接続部は省略している。
更に、各構成要素は必ずしも行列が1対1に対応すると
は限らない。その例を図11に示す。ここでは、2個の
メモリセルに対し、各1個の行デコーダ増幅器X、ラッ
チ回路L、列デコーダ増幅器Y、センスアンプSが対応
している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従来、メモリ等大規模
な繰り返し図形を含むチップでは、データそのものはア
レイ表現されているため小さいが、レイアウト検証にお
いては、全図形が対象となるため処理量が増大し、事実
上検証が不可能となる。したがって、従来ではメモリマ
トリックスを除いて検証をしなければならず、検証とし
て不十分なものになるという問題がある。本発明の目的
は、メモリマトリックスのレイアウト検証を可能にした
レイアウト検証方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、1つの行デコ
ーダ増幅器と1つの列デコーダ増幅器に対してN×M
(N,Mは2以上の自然数)個のメモリセルマトリクス
が接続され、前記行デコーダ増幅器及び列デコーダ増幅
が複数個配列されているメモリチップのレイアウト検
証方法であって、前記メモリチップのレイアウトを、N
×Mのメモリセルと、当該メモリセルを取り囲むように
各1つずつ設けられた行デコーダ増幅器、列デコーダ
幅器、センスアンプ、及びラッチ回路に圧縮し、その状
態でレイアウト検証する。
【0008】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図1は本発明を説明するための参考例を示すメモリ
マトリックスのレイアウト図であり、同図(a),
(b),(c)はそれぞれ図5の(a),(b),
(c)に対応して基本形,2分割形,4分割形を示して
いる。また、Mはメモリセル、Xは行デコーダ増幅器、
Yはスイッチング回路を含む列デコーダ増幅器、Sはセ
ンスアンプ、Lはラッチ回路、C1〜C4は接続部であ
る。
【0009】これらのレイアウトに対し、図2に示す工
程で検証実行前の処理を行う。即ち、図5(a)〜
(c)のそれぞれのメモリマトリックスに対し、まず、
左下のメモリセルを起点とし、構成要素のアレイ情報を
行列とも1に変更(又は、アレイ情報を消去)して、各
構成要素を起点セルの周りに移動すべく、図8の基本セ
ル原点座標を変更し、図1(a)〜(c)のレイアウト
を得る。しかる上で、このレイアウトの検証を実行す
る。これにより、メモリマトリックスの検証を1のアレ
イ情報に基づいて行うことができる。例えば4メガビッ
トのメモリマトリックスにおいて、そのメモリセルのセ
ル数が行,列とも256の場合では、処理量はメモリマ
トリックスの大部分を示すメモリセルのセル数に比例す
るので、約1/60000となり、今まで困難だったメ
モリマトリックスのレイアウト検証が可能となる。
【0010】図3に本発明の実施例のレイアウト図を示
す。この例では2個のメモリセルMに対し1個の行デコ
ーダ増幅器X,ラッチ回路Lと、列デコーダ増幅器Y,
センスアンプSが対応している。ここではメモリセルの
アレイ情報は前記参考例に対して行列ともに変更してい
る。この方が、1対2の対応でない場合でも適用できる
長所がある。
【0011】図4に他の参考例のレイアウト図を示す。
ここでは縮小前後の周辺部との切り口により端子を接続
する最小幅の図形を発生させている。これを端子接続図
形と称する。この端子接続図形を発生させることで、メ
モリセルMと周辺部との電気的接続が図られるため、図
1及び図2の参考例では不可能であったLVSを実現す
ることが可能となる。ただ、この参考例では各1つずつ
の行デコーダ増幅器と列デコーダ増幅器に対してN×M
のメモリセル構成となっておらず、前記実施例のような
作用効果を期待することは難しい。
【0012】
【発明の効果】以上、実施例に基づいて本発明を説明し
たが、本発明では、メモリチップのレイアウトを、N×
Mのメモリセルと、当該メモリセルを取り囲むように各
1つずつ設けられた行デコーダ増幅器、列デコーダ増幅
、センスアンプ、及びラッチ回路に圧縮し、その状態
でレイアウト検証する方法とすることで、メモリマトリ
ックスの検証に際しての処理量の低減ができ、従来困難
であったメモリマトリックスのレイアウト検証が可能と
なる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例におけるレイアウト図であ
る。
【図2】本発明方法のフローチャートである。
【図3】本発明の第2実施例におけるレイアウト図であ
る。
【図4】本発明の第3実施例におけるレイアウト図であ
る。
【図5】メモリマトリックスの基本形,2分割形,4分
割形の各レイアウト図である。
【図6】行デコーダ及び行デコーダ増幅器の回路図であ
る。
【図7】列デコーダ,列デコーダ増幅器及びスイッチン
グ回路の回路図である。
【図8】記憶装置内のアレイ情報を示すフォーマット図
である。
【図9】メモリセルのレイアウトと回路図である。
【図10】接続部の一例を示すレイアウト図である。
【図11】メモリマトリックスの構成要素の対応例を示
すレイアウト図である。
【符号の説明】
M メモリセル X 行デコーダ増幅器(行デコーダを含む) Y 列デコーダ増幅器(列デコーダ及びスイッチング回
路を含む) S センスアンプ L ラッチ回路 C1〜C4 接続部

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 1つの行デコーダ増幅器と1つの列デコ
    ーダ増幅器に対してN×M(N,Mは2以上の自然数)
    個のメモリセルマトリクスが接続され、前記行デコーダ
    増幅器及び列デコーダ増幅器が複数個配列されているメ
    モリチップのレイアウト検証方法であって、前記メモリ
    チップのレイアウトを、N×Mのメモリセルと、当該メ
    モリセルを取り囲むように各1つずつ設けられた行デコ
    ーダ増幅器、列デコーダ増幅器、センスアンプ、及びラ
    ッチ回路に圧縮し、その状態でレイアウト検証すること
    を特徴とするレイアウト検証方法。
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