JP2971981B2 - 電磁弁制御装置 - Google Patents
電磁弁制御装置Info
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- JP2971981B2 JP2971981B2 JP3125014A JP12501491A JP2971981B2 JP 2971981 B2 JP2971981 B2 JP 2971981B2 JP 3125014 A JP3125014 A JP 3125014A JP 12501491 A JP12501491 A JP 12501491A JP 2971981 B2 JP2971981 B2 JP 2971981B2
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- Magnetically Actuated Valves (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば自動車の自動変
速制御や自動クラッチ制御などに使用される多数の電磁
弁を制御する装置に関し、特に該電磁弁回路の異常を検
知する装置に関する。
速制御や自動クラッチ制御などに使用される多数の電磁
弁を制御する装置に関し、特に該電磁弁回路の異常を検
知する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の電磁弁制御装置のうち、
マイコン素子により制御する装置として、例えば図２の
基本回路図に示すものが一般に使用されている。
マイコン素子により制御する装置として、例えば図２の
基本回路図に示すものが一般に使用されている。
【０００３】同装置を簡単に２個の電磁弁の場合につい
て説明する。図２において、１はマイコン素子、２1 ，
２2 は電磁弁駆動用プッシュプル回路、３1 ，３2 は電
磁弁のソレノイドコイル、４1 ，５1 ，４2 ，５2 はそ
れぞれプッシュプル回路２1 ，２2 を構成するスイッチ
ングトランジスタで、４1 ，４2 はＰＮＰ形トランジス
タ、５1 ，５2 はＮＰＮ形トランジスタであり、６1 ，
６2 はフィードバック用バッファ（インバータ）であ
る。なおＶ０は電磁弁駆動用電源、Ｖ１はマイコン素子
１用の電源である。
て説明する。図２において、１はマイコン素子、２1 ，
２2 は電磁弁駆動用プッシュプル回路、３1 ，３2 は電
磁弁のソレノイドコイル、４1 ，５1 ，４2 ，５2 はそ
れぞれプッシュプル回路２1 ，２2 を構成するスイッチ
ングトランジスタで、４1 ，４2 はＰＮＰ形トランジス
タ、５1 ，５2 はＮＰＮ形トランジスタであり、６1 ，
６2 はフィードバック用バッファ（インバータ）であ
る。なおＶ０は電磁弁駆動用電源、Ｖ１はマイコン素子
１用の電源である。
【０００４】この回路の動作を一方の電磁弁について説
明すると、電磁弁ソレノイド３1 を駆動するときは、マ
イコン素子１からの出力として端子Ａ１はＬ信号、端子
Ａ２はＨ信号のとき、トランジスタ４1 ，５1は導通
し、該電磁弁ソレノイド３1 に駆動電源Ｖ０から駆動電
流が流れ、該電磁弁は駆動（ＯＮ）される。
明すると、電磁弁ソレノイド３1 を駆動するときは、マ
イコン素子１からの出力として端子Ａ１はＬ信号、端子
Ａ２はＨ信号のとき、トランジスタ４1 ，５1は導通
し、該電磁弁ソレノイド３1 に駆動電源Ｖ０から駆動電
流が流れ、該電磁弁は駆動（ＯＮ）される。
【０００５】このとき、前記トランジスタ５1 のコレク
タ側はＧＮＤ側に導通するためＬ信号となり、フィード
バック用バッファ６1 の出力信号は反転してＨ信号とし
てマイコン素子１の端子Ａ３にフィードバックされる。
タ側はＧＮＤ側に導通するためＬ信号となり、フィード
バック用バッファ６1 の出力信号は反転してＨ信号とし
てマイコン素子１の端子Ａ３にフィードバックされる。
【０００６】前記電磁弁ソレノイド３1 を復帰（ＯＦ
Ｆ）させるときは、マイコン素子の端子Ａ１をＨ信号、
端子Ａ２をＬ信号にして、トランジスタ４1 ，５1 を非
導通にしてその駆動電流を遮断する。
Ｆ）させるときは、マイコン素子の端子Ａ１をＨ信号、
端子Ａ２をＬ信号にして、トランジスタ４1 ，５1 を非
導通にしてその駆動電流を遮断する。
【０００７】このとき、前記トランジスタ５1 のコレク
タ側は駆動電源Ｖ０から遮断され、かつプルダウン抵抗
器７1 によりＧＮＤ側に導通しているためＬ信号とな
り、フィードバック用バッファ６1 の出力信号は反転し
てＨ信号としてマイコン素子１の端子Ａ３にフィードバ
ックされる。このように、マイコン素子１は一連のプロ
グラムに従って、各電磁弁を、各フィードバック信号に
より確認しながら、制御していた。
タ側は駆動電源Ｖ０から遮断され、かつプルダウン抵抗
器７1 によりＧＮＤ側に導通しているためＬ信号とな
り、フィードバック用バッファ６1 の出力信号は反転し
てＨ信号としてマイコン素子１の端子Ａ３にフィードバ
ックされる。このように、マイコン素子１は一連のプロ
グラムに従って、各電磁弁を、各フィードバック信号に
より確認しながら、制御していた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
従来の電磁弁制御装置にあっては、多数の電磁弁を制御
するためには、被制御電磁弁の数の３倍もの端子がマイ
コン素子に要求され、時にはパラレルＩ／Ｏ用ＩＣを使
用せざるを得ないという問題点があった。同時に、この
制御装置は、被制御電磁弁の回路に異常があっても、こ
れを検知できないという問題点があった。
従来の電磁弁制御装置にあっては、多数の電磁弁を制御
するためには、被制御電磁弁の数の３倍もの端子がマイ
コン素子に要求され、時にはパラレルＩ／Ｏ用ＩＣを使
用せざるを得ないという問題点があった。同時に、この
制御装置は、被制御電磁弁の回路に異常があっても、こ
れを検知できないという問題点があった。
【０００９】本発明はかかる点に鑑みなされたもので、
その目的は前記問題点を解消し、多数の電磁弁を制御す
る場合でも、マイコン素子の端子の数を従来ほど必要と
せず、かつ、被制御電磁弁回路の異常を検知できる電磁
弁制御装置を提供することにある。
その目的は前記問題点を解消し、多数の電磁弁を制御す
る場合でも、マイコン素子の端子の数を従来ほど必要と
せず、かつ、被制御電磁弁回路の異常を検知できる電磁
弁制御装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の本発明の構成は、マイコン素子からの出力信号を、プ
ッシュプル回路を通して、電磁弁を制御する装置におい
て、該電磁弁を駆動する前記プッシュプル回路の両入力
側に前記マイコン素子の同一出力信号を入力すると共
に、該プッシュプル回路の一方の能動回路の入力側にス
リーステートバッファを設けて、その導通を前記マイコ
ン素子からの制御信号で制御し、かつ前記一方の能動回
路の出力側にバッファを設けて、その出力信号を前記マ
イコン素子へフィードバックし、前記プッシュプル回路
の各能動回路の入力側信号と前記フィードバック信号と
の関係から、前記マイコン素子が前記電磁弁回路の異常
を検知することを特徴とする。
の本発明の構成は、マイコン素子からの出力信号を、プ
ッシュプル回路を通して、電磁弁を制御する装置におい
て、該電磁弁を駆動する前記プッシュプル回路の両入力
側に前記マイコン素子の同一出力信号を入力すると共
に、該プッシュプル回路の一方の能動回路の入力側にス
リーステートバッファを設けて、その導通を前記マイコ
ン素子からの制御信号で制御し、かつ前記一方の能動回
路の出力側にバッファを設けて、その出力信号を前記マ
イコン素子へフィードバックし、前記プッシュプル回路
の各能動回路の入力側信号と前記フィードバック信号と
の関係から、前記マイコン素子が前記電磁弁回路の異常
を検知することを特徴とする。
【００１１】
【作用】本発明は以上のように構成されているので、多
数の電磁弁を制御する場合、マイコン素子の端子の数
は、従来の必要数の２／３強になる。
数の電磁弁を制御する場合、マイコン素子の端子の数
は、従来の必要数の２／３強になる。
【００１２】そして、各モードにおける前記プッシュプ
ル回路への入力信号と、前記フィードバック信号との関
係から、前記マイコン素子により、電磁弁回路のオープ
ン（開路）、コイルのクランドへの短絡、コイルの電源
接触などの異常を検知する。
ル回路への入力信号と、前記フィードバック信号との関
係から、前記マイコン素子により、電磁弁回路のオープ
ン（開路）、コイルのクランドへの短絡、コイルの電源
接触などの異常を検知する。
【００１３】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の好適な実施例
を例示的に詳しく説明する。
を例示的に詳しく説明する。
【００１４】図１は、本発明の電磁弁制御装置の一実施
例で、例えば自動車両に適用した場合を示す基本回路図
である。同図は、制御される電磁弁が２個の場合を示
し、１１はマイコン素子で、その端子Ｐ１１からの出力
信号は、同時に、一方は、プッシュプル回路２1 を構成
するＰＮＰ形ハイサイドスイッチングトランジスタ４1
の入力側に入力され、他方は同回路２1 のＮＰＮ形ロー
サイドスイッチングトランジスタ５1 にスリーステート
バッファ１２1 を通して入力され、該トランジスタ５1
のフィードバック用バッファ（インバータ）６1 の出力
は、マイコン素子１１の端子Ｐ１２にフィードバックさ
れる。
例で、例えば自動車両に適用した場合を示す基本回路図
である。同図は、制御される電磁弁が２個の場合を示
し、１１はマイコン素子で、その端子Ｐ１１からの出力
信号は、同時に、一方は、プッシュプル回路２1 を構成
するＰＮＰ形ハイサイドスイッチングトランジスタ４1
の入力側に入力され、他方は同回路２1 のＮＰＮ形ロー
サイドスイッチングトランジスタ５1 にスリーステート
バッファ１２1 を通して入力され、該トランジスタ５1
のフィードバック用バッファ（インバータ）６1 の出力
は、マイコン素子１１の端子Ｐ１２にフィードバックさ
れる。
【００１５】同様に、マイコン素子１１の端子Ｐ１３か
らの出力信号は、一方はＰＮＰ形ハイサイドスイッチン
グトランジスタ４2 のベース端子へ、他方は、ＮＰＮ形
ローサイドスイッチングトランジスタ５2 のベース端子
にスリーステートバッファ１２2 を通して、それぞれ入
力され、該トランジスタ５2 のフィードバック用バッフ
ァ（インバータ）６2 の出力は、マイコン素子１１の端
子Ｐ１４にフィードバックされる。
らの出力信号は、一方はＰＮＰ形ハイサイドスイッチン
グトランジスタ４2 のベース端子へ、他方は、ＮＰＮ形
ローサイドスイッチングトランジスタ５2 のベース端子
にスリーステートバッファ１２2 を通して、それぞれ入
力され、該トランジスタ５2 のフィードバック用バッフ
ァ（インバータ）６2 の出力は、マイコン素子１１の端
子Ｐ１４にフィードバックされる。
【００１６】前記スリーステートバッファ１２1 ，１２
2 は、出力がＨ信号とＬ信号のほか、高インピーダンス
状態といわれる第３の状態をとるもので、前記マイコン
素子１１の端子Ｐ５１からの共通の制御入力によってそ
の出力側を入力側と切り離す。すなわち、本実施例にお
いては、この制御入力信号がＬ信号のとき導通（ＯＮ）
となり、Ｈ信号のとき非導通（ＯＦＦ、すなわち高イン
ピーダンス状態）になる。なお、図１において、図２と
同一部材には同一符号を付してその説明を省略する。
2 は、出力がＨ信号とＬ信号のほか、高インピーダンス
状態といわれる第３の状態をとるもので、前記マイコン
素子１１の端子Ｐ５１からの共通の制御入力によってそ
の出力側を入力側と切り離す。すなわち、本実施例にお
いては、この制御入力信号がＬ信号のとき導通（ＯＮ）
となり、Ｈ信号のとき非導通（ＯＦＦ、すなわち高イン
ピーダンス状態）になる。なお、図１において、図２と
同一部材には同一符号を付してその説明を省略する。
【００１７】今、図１において、一方の電磁弁（ソレノ
イドコイル３1 の電磁弁）の動作を説明するに際し、ハ
イサイドトランジスタ４1 の入力信号を、ローサイド
トランジスタ５1 の入力信号を、フィードバック用バ
ッファ６1 のフィードバック出力信号を、スリーステ
ートバッファ１２1 の制御入力信号をとすると、マイ
コン素子１１からの各モードにおける出力信号（各トラ
ンジスタへの入力信号，）と、電磁弁のソレノイド
コイル３1 の回路の正常および各異常状態におけるフィ
ートバック信号は次の表１で表わされる。
イドコイル３1 の電磁弁）の動作を説明するに際し、ハ
イサイドトランジスタ４1 の入力信号を、ローサイド
トランジスタ５1 の入力信号を、フィードバック用バ
ッファ６1 のフィードバック出力信号を、スリーステ
ートバッファ１２1 の制御入力信号をとすると、マイ
コン素子１１からの各モードにおける出力信号（各トラ
ンジスタへの入力信号，）と、電磁弁のソレノイド
コイル３1 の回路の正常および各異常状態におけるフィ
ートバック信号は次の表１で表わされる。
【００１８】
【表１】
【００１９】このため、マイコン素子１１の端子Ｐ１１
からの出力信号と、端子Ｐ５１からのスリーステートバ
ッファ１２1 への制御信号とにより、表１のなかの各
モード１〜４における，の信号をトランジスタ
４1 ，５1 に順次それぞれ入力し、のフィードバック
信号をマイコン素子１１の端子１２に入力させる。そし
て、あらかじめマイコン素子１１内に記憶させた電磁弁
回路の各状態のときの各モードにおけるのフィードバ
ック信号と比較し、その結果、電磁弁回路の正常、各異
常の判断を前記マイコン素子１１に行なわせる。そし
て、その判断結果を他の手段により図示しない表示装置
や警報装置に表示、または警報させる。
からの出力信号と、端子Ｐ５１からのスリーステートバ
ッファ１２1 への制御信号とにより、表１のなかの各
モード１〜４における，の信号をトランジスタ
４1 ，５1 に順次それぞれ入力し、のフィードバック
信号をマイコン素子１１の端子１２に入力させる。そし
て、あらかじめマイコン素子１１内に記憶させた電磁弁
回路の各状態のときの各モードにおけるのフィードバ
ック信号と比較し、その結果、電磁弁回路の正常、各異
常の判断を前記マイコン素子１１に行なわせる。そし
て、その判断結果を他の手段により図示しない表示装置
や警報装置に表示、または警報させる。
【００２０】前記マイコン素子１１が入出力する信号は
パルス幅が比較的狭いパルス信号で処理されるため、電
磁弁は瞬時駆動されても動作するまでに至らない。
パルス幅が比較的狭いパルス信号で処理されるため、電
磁弁は瞬時駆動されても動作するまでに至らない。
【００２１】また、モード１とモード３のときののフ
ィードバックの信号レベルをみれば、電磁弁を駆動（Ｏ
Ｎ）させなくても、電磁弁回路の異常を検知することが
できる。このため、各電磁弁回路に対し、初期点検でモ
ード１およびモード３を行なうことにより、例えば、自
動車両の電磁弁回路の異常によって発生する事故を未然
に防止することができる。
ィードバックの信号レベルをみれば、電磁弁を駆動（Ｏ
Ｎ）させなくても、電磁弁回路の異常を検知することが
できる。このため、各電磁弁回路に対し、初期点検でモ
ード１およびモード３を行なうことにより、例えば、自
動車両の電磁弁回路の異常によって発生する事故を未然
に防止することができる。
【００２２】このように本実施例によれば、図１からわ
かるように、多数の電磁弁を制御する場合、被制御電磁
弁の数をＮとすれば、マイコン素子に要求される端子
は、従来の場合は３Ｎ個であったが、本発明の場合は２
Ｎ＋１個で済む。このため、従来使用していたパラレル
Ｉ／Ｏ用ＩＣを必要とする場合が少なくなり、同ＩＣの
コストおよびスペースが節減できる。
かるように、多数の電磁弁を制御する場合、被制御電磁
弁の数をＮとすれば、マイコン素子に要求される端子
は、従来の場合は３Ｎ個であったが、本発明の場合は２
Ｎ＋１個で済む。このため、従来使用していたパラレル
Ｉ／Ｏ用ＩＣを必要とする場合が少なくなり、同ＩＣの
コストおよびスペースが節減できる。
【００２３】なお、本発明の技術は前記実施例における
技術に限定されるものではなく、同様な機能を果す他の
態様の手段によってもよく、また本発明の技術は前記構
成の範囲内において種々の変更、付加が可能である。
技術に限定されるものではなく、同様な機能を果す他の
態様の手段によってもよく、また本発明の技術は前記構
成の範囲内において種々の変更、付加が可能である。
【００２４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明の
電磁弁制御装置によれば、電磁弁を駆動するプッシュプ
ル回路の両入力側にマイコン素子から同一信号を入力
し、該プッシュプル回路の一方の能動回路の入力側に、
マイコン素子からの共通の制御信号でその導通を制御す
るスリーステートバッファを通すと共に、前記一方の能
動回路の出力側からバッファ回路を通して、前記マイコ
ン素子へフィードバックするので、多数の電磁弁を制御
する場合、マイコン素子の端子の数は、従来の必要数の
２／３程度に減らすことができる。
電磁弁制御装置によれば、電磁弁を駆動するプッシュプ
ル回路の両入力側にマイコン素子から同一信号を入力
し、該プッシュプル回路の一方の能動回路の入力側に、
マイコン素子からの共通の制御信号でその導通を制御す
るスリーステートバッファを通すと共に、前記一方の能
動回路の出力側からバッファ回路を通して、前記マイコ
ン素子へフィードバックするので、多数の電磁弁を制御
する場合、マイコン素子の端子の数は、従来の必要数の
２／３程度に減らすことができる。
【００２５】そして、前記プッシュプル回路への入力信
号と、前記フィードバック信号との関係から、前記マイ
コン素子により、各電磁弁回路の異常を検知することが
できる。
号と、前記フィードバック信号との関係から、前記マイ
コン素子により、各電磁弁回路の異常を検知することが
できる。
【図１】本発明の電磁弁制御装置の一実施例を示す基本
回路図である。
回路図である。
【図２】従来の電磁弁制御装置における基本回路図であ
る。
る。
２1 ，２2 プッシュプル回路 ３1 ，３2 電磁弁ソレノイドコイル ４1 ，４2 ，５1 ，５2 スイッチングトランジスタ ６1 ，６2 バッファ（インバータ） １１ マイコン素子 １２1 ，１２2 スリーステートバッファ
Claims (1)
- 【請求項１】 マイコン素子からの出力信号を、プッシ
ュプル回路を通して、電磁弁を制御する装置において、
該電磁弁を駆動する前記プッシュプル回路の両入力側に
前記マイコン素子の同一出力信号を入力すると共に、該
プッシュプル回路の一方の能動回路の入力側にスリース
テートバッファを設けて、その導通を前記マイコン素子
からの制御信号で制御し、かつ前記一方の能動回路の出
力側にバッファを設けて、その出力信号を前記マイコン
素子へフィードバックし、前記プッシュプル回路の各能
動回路の入力側信号と前記フィードバック信号との関係
から、前記マイコン素子が前記電磁弁回路の異常を検知
することを特徴とする電磁弁制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3125014A JP2971981B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 電磁弁制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3125014A JP2971981B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 電磁弁制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04327077A JPH04327077A (ja) | 1992-11-16 |
| JP2971981B2 true JP2971981B2 (ja) | 1999-11-08 |
Family
ID=14899729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3125014A Expired - Fee Related JP2971981B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 電磁弁制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2971981B2 (ja) |
-
1991
- 1991-04-26 JP JP3125014A patent/JP2971981B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04327077A (ja) | 1992-11-16 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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