JP2953888B2 - 定電流回路 - Google Patents

定電流回路

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JP2953888B2
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英典 町田
哲也 高橋
茂夫 西鳥羽
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は定電流回路に関し、特に
低電圧動作可能な定電流回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の定電流回路を図4に示す。図4に
おいて、従来の定電流回路は、電源(VCC)端子1
と、接地(GND)端子3と、基準電圧(VREF)入
力端子2と、出力端子4と、NPN型トランジスタ(以
下Trと略記す)5,8,10と、PNP型トランジス
タ(以下Trと略記す)11,21と、抵抗15とを備
えている。
【0003】NPNTr5のベースは基準端子2とし、
NPNTr5のエミッタは抵抗15を介して電源端子の
他端である接地端子3に接続し、PNPTr21のコレ
クタとベースは共通接続し、NPNTr5のコレクタに
接続し、PNPTr21のエミッタは電源端子の一端の
VCC端子1に接続する。PNPTr11のエミッタは
電源端子の一端1に接続し、PNPTr11のベース
は、PNPTr21のコレクタとベースの共通接続点に
接続し、ここでPNPTr21とPNPTr11はカレ
ントミラー構成をしている。PNPTr11のコレクタ
はNPNTr8のコレクタとベースとの共通接続点に接
続し、NPNTr10のベースはNPNTr8のコレク
タとベースの共通接続点に接続し、NPNTr8及びN
PNTr10のエミッタは各々電源端子の他端子3に接
続し、ここでNPNTr8及びNPNTr10はカレン
トミラー構成をしている。NPNTr10のコレクタは
出力端子4とする。
【0004】図4の従来例の動作について説明する。従
来の定電流回路における設定電流(NPNTr5のエミ
ッタ電流)Iは、NPNTr5のベース・エミッタ間電
圧VBE5と基準端子2の基準電圧(以下VREFとす
る)と抵抗15の抵抗値R15とから、次の(1)に設
定される。
【0005】 I=(VREF−VBE5)/R15 …(1) また、NPNTr5のコレクタ電流IC5は、次の
(2)式となる。
【0006】 IC5=I−IB5=I−IC5/hFE5 …(2) ここで、IB5はNPNTr5のベース電流,hFE5
はNPNTr5の電流増幅率。
【0007】PNPTr21とPNPTr11とで構成
されるカレントミラー回路において、トランジスタの形
状及びエミッタ面積が等しい場合、次の(3)式が得ら
れる。
【0008】 IC11=IC5−IB21−IB11=IC5−IC21/hFE−IC1 1/hFE11 …(3) ここで、IB21はPNPTr21のベース電流,IB
11はPNPTr11のベース電流,hFE21はPN
PTr21の電流増幅率,hFE11はPNPTr11
の電流増幅率,IC21はPNPTr21のコレクタ電
流,IC11はPNPTr11のコレクタ電流。
【0009】NPNTr8とNPNTr10において
も、カレントミラー回路となっているので、求める出力
端子4の出力電流ILは、次の(4)式となる。
【0010】 IL=IC11−IB8−IB10=IC11−(IC8/hFE8)−(I L/hFE10) …(4) ここで、IB8はNPNTr8のベース電流,IB10
はNPNTr10のベース電流,hFE8はNPNTr
8の電流増幅率,hFE10はNPNTr10の電流増
幅率,IC8はNPNTr8のコレクタ電流。
【0011】ただしNPNTr8とNPNTr10は、
トランジスタの形状及びエミッタ面積が等しい。よって
設定電流Iと出力電流ILとの関係は、前記(1),
(2),(3),(4)式を用いると、次の(5)式が
得られる。
【0012】
【0013】ここで、電流増幅率hFEは充分に大き
く、計算上無視できるものとすると、次の(6)式が得
られる。
【0014】 IL≒I …(6) 即ち、出力電流ILは、設定電流Iにほぼ等しくなる。
【0015】又、この定電流回路が動作する電源電圧の
下限値VCC(MIN)は、電源端子の一端子1の電源
電圧VCCに対して、基準電圧VRFEが、次の(7)
式を満足する必要がある。
【0016】 VCC(MIN)>VREF+VBE21 …(7) ここで、VBE21は、PNPTr21のベース・エミ
ッタ間電圧。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】この従来の定電流回路
では、電源電圧の下限値VCC(MIN)は、前記
(7)式で決まる。しかしながら、電源電圧VCCが下
限値VCC(MIN)以下となると、前記(7)式の関
係が満足できなくなり、たとえばVREF=VCCとな
った場合、PNPTr21のVBE21の為にNPNT
r5のコレクタがエミッタと同電位になり、前記(3)
式の関係が維持できなくなり、定電流回路が動作しな
い。従って、電源電圧VCCの動作範囲が狭いという問
題点があった。
【0018】本発明の目的は、前記問題点が解決され、
電源電圧VCCが下限値以下となっても、正常に動作し
えるようにした定電流回路を提供することにある。
【0019】
【課題を解決するための手段】本発明の定電流回路の構
成は、コレクタを第1の抵抗を介して電源端子の一端子
に接続し、ベースを基準電圧入力端子とし、エミッタを
第2の抵抗を介して電源端子の他端子に接続した第1の
トランジスタと、コレクタを前記電源端子の一端子に接
続し、ベースを前記第1のトランジスタのコレクタに接
続した第2のトランジスタと、ベースを前記第2のトラ
ンジスタのエミッタに接続し、エミッタを第3の抵抗を
介して前記電源端子の一端子に接続した第3のトランジ
スタとを有する第1の回路を設け、前記第2のトランジ
スタのエミッタ及び前記第3のトランジスタのコレクタ
と出力端子と前記他端子とに接続されたカレントミラー
回路を設け、前記第1の回路を起動させるための第2の
回路を設けたことを特徴とする。
【0020】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図1は本発明の第1の実施例の定電流回路を示す回
路図である。図1において、図4中の従来例と共通する
部分に関しては、同一記号を付した。
【0021】図1において、第1の実施例の定電流回路
は、電源(VCC)端子の一端子1と、接地(GND)
となる他端子3と、基準電圧(VREF)の入力端子2
と、出力端子4と、NPN型トランジスタ(以下Trと
略記す)5,6,7,8,10と、PNP型トランジス
タ(以下Trと略記す)11,12と、抵抗14〜20
とを備えている。
【0022】NPNTr5のベースは、基準電圧(VR
EF)端子2とし、そのエミッタは抵抗15を介して電
源端子の他端子3に接続し、そのコレクタは、抵抗14
を介して電源端子の一端子1に接続する。NPNTr6
のベースはNPNTr5のコレクタと抵抗14との接続
点に接続し、そのコレクタは電源端子の一端子1に接続
し、そのエミッタはNPNTr7のコレクタと接続す
る。NPNTr7のベースはNPNTr8のコレクタと
ベースの共通接続点に接続する。PNPTr11のコレ
クタはNPNTr8のコレクタとベースの共通接続点に
接続し、そのエミッタは抵抗17を介して電源端子の一
端子1に接続し、そのベースはNPNTr6のエミッタ
とNPNTr7のコレクタとの接続点に接続する。NP
NTr10のベースはNPNTr8のコレクタとベース
の共通接続点に接続し、NPNTr7,NPNTr8及
びNPNTr10のエミッタは各々電源端子の他端子3
に接続し、NPNTr10のコレクタを出力端子4と
し、ここでNPNTr7,NPNTr8及びNPNTr
10はカレントミラー構成をしている。NPNTr5,
NPNTr6,NPNTr7,NPNTr8,NPNT
r10,NPNTr11及び抵抗14,抵抗15,抵抗
17で構成する定電流回路がある。
【0023】NPNTr9のベースは抵抗16を介して
NPNTr5のベースと接続し、そのコレクタはNPN
Tr6のエミッタとNPNTr7のコレクタとの接続点
に接続し、そのエミッタは抵抗20を介して電源端子の
他端子3に接続する。PNPTr12のコレクタはNP
NTr9のエミッタと抵抗20の接続点に接続し、その
ベースは抵抗18を介してNPNTr6のエミッタとN
PNTr7のコレクタとの接続点に接続し、そのエミッ
タは抵抗19を介して電源端子の一端子1に接続する。
ここで、NPNTr9,NPNTr12及び抵抗16,
抵抗18,抵抗19,抵抗20で構成する起動回路があ
る。
【0024】次に図1の動作について説明する。本実施
例の定電流回路における設定電流I(但し、設定電流I
はNPNTr5のエミッタ電流である)は、前記(1)
式のように設定する。NPNTr5のコレクタ電流IC
5は、前記(2)式のようになる。抵抗14の抵抗値R
14に流れる電流をI14とすると、次の(8)式が得
られる。
【0025】 I14=IC5+IB6=I−(IC5/hFE5)+(IC6/hFE6) …(8) ここで、IC5はNPNTr5のコレクタ電流,hFE
5はNPNTr5の電流増幅率,IB6はNPNTr6
のベース電流,IC6はNPNTr6のコレクタ電流,
hFE6はNPNTr6の電流増幅率。
【0026】次に抵抗17の抵抗値R17に流れる電流
をI17とすると、次の(9)式が得られる。
【0027】 I17=(I14・R14+VBE6−VBE11)/R17 …(9) ここで、VBE11はPNPTr11のベース・エミッ
タ間電圧。
【0028】電源電圧VCCが基準電圧VREFと同電
位になっても、NPNTr5が飽和せず、前記(1)
式,前記(8),(9)式を満足するためには、下記
(10)式の条件を満足する必要がある。
【0029】 VBE5−VR14>VCE(SAT)5 …(10) ここで、VR14は抵抗14の抵抗値R14の両端に発
生する電圧(VR14=I14・R14),VCE(S
AT)5はNPNTr5の飽和時のコレクタ・エミッタ
間電圧。
【0030】また、PNPTr11のコレクタ電流IC
11は、次の(11)式となる。
【0031】 IC11=I17−IB11={(I14・R14+VBE6−VBE11) /R17)}−IC11/hFE11 …(11) ここで、hFE11はPNPTr11の電流増幅率。
【0032】NPNTr8を基準とし、NPNTr7と
NPNTr10とで構成されるカレントミラー回路にお
いて、トランジスタの形状及びエミッタ面積が等しい場
合、求める出力端子4の出力電流ILは、次式となる。
【0033】 IL=IC11−IB7−IB8−IB10=IC11−(IC7/hFE7 )−(IC8/hFE8)−(IL/hFE10) 従って、次の(12)式が得られる。
【0034】
【0035】ここで、IB7はNPNTr7のベース電
流,hFE7はNPNTr7の電流増幅率,IC7はN
PNTr7のコレクタ電流。
【0036】よって、設定電流Iと出力電流ILの関係
は、前記(1),(2),(8),(9),(11),
(12)式より、次の(13)式が得られる。
【0037】
【0038】ここで、電流増幅率hFEは充分に大き
く、計算上無視できるものとすると、次の近似(14)
式が得られる。
【0039】 IL≒(I・R14+VBE6−VBE11)/R17 …(14) ここで、R17=R14,VBE11=VBE6と設定
した場合、 IL≒I …(15) と近似式としてあらわされる。
【0040】又、起動回路の動作は、電源端子の一端子
1の電源電圧値VCCが充分に高い時、基準端子2の基
準電圧値VREFが、NPNTr9のベース・エミッタ
間電圧VBE9よりも大きくなるとNPNTr9が動作
し、NPNTr9のコレクタがPNPTr11,PNP
Tr12のベース電流を吸い込み、PNPTr11及び
PNPTr12のエミッタ・ベース間電圧が生じて動作
し、且つNPNTr6のエミッタ電流をNPNTr9が
吸い込むので、NPNTr6も動作する。
【0041】PNPTr11の動作により、NPNTr
8に電流が供給され、NPNTr8が動作する。NPN
Tr8とカレントミラーを構成するNPNTr7及びN
PNTr10も同様に動作する。NPNTr7が動作す
ることにより、NPNTr6のエミッタ電流及びPNP
Tr11,PNPTr12のベース電流を吸い込み、定
電流回路動作になる。
【0042】PNPTr12のコレクタ電流が抵抗20
に流れ込む為、抵抗20の抵抗値R20の両端に発生す
る電圧VR20が高くなり、次の(16)、(17)式
となる。
【0043】 VBE9<VREF−VE9 …(16) ここで、VBE9はNPNTr9のベース・エミッタ間
電圧,VE9はNPNTr9のエミッタ電圧。
【0044】 VE9=(IE9+IC12)×R20=IC12×R20(近似式)=VR 20 …(17) 前記(16),(17)式となる様に、抵抗20の抵抗
値R20を設定すれば、前記(16)式の関係より、V
BE9が小さくなることによりNPNTr9が動作を停
止し、起動回路動作は終了する。
【0045】図1において、本実施例の定電流回路は電
源電圧の下限値VCC(MIN)が、次の(18)式で
きまる。
【0046】 VCC(MIN)≧VREF …(18) かつ、前記式(10)の条件を満足すれば、VCCとV
REFとが同電位となっても正常に定電流回路は動作可
能となり、VCCの動作範囲を大きくできるという効果
を得ることができる。
【0047】図2は本発明の第2の実施例の定電流回路
を示した回路図である。図2において、図1と共通する
部分に関しては、同一記号を付した。
【0048】図2において、本実施例は、NPNTr9
のエミッタと抵抗20との共通接続点に、PNPTr1
3のエミッタを接続し、NPNTr5のエミッタと抵抗
15との共通接続点にPNPTr13のベースを接続
し、さらにこのPNPTr13のコレクタは電源端子の
他端子3に接続している。その他の回路部分は図1と同
じである。
【0049】本実施例の回路動作においても、前記第1
の実施例と同等の作用・効果を得ることができる。
【0050】図1の回路において、たとえば電源電圧V
CCが高くなり、抵抗20の抵抗値R20の両端に発生
する電圧VR20が高くなると、NPNTr9のエミッ
タ電圧VE9が高くなり、NPNTr9のベースとエミ
ッタの電位が逆転し逆バイアスの状態となり、極端な場
合には、エミッタ・ベース間でブレークダウンを起こ
し、NPNTr9が劣化・破壊もしくは動作異常となる
恐れが考えうる。
【0051】ところが、図2の回路においては、PNP
Tr13を挿入することにより、NPNTr9のベース
とエミッタの電位を等しくし、図1の弱点であるNPN
Tr9の劣化・破壊もしくは動作異常を完全に防止する
ことができる。
【0052】図3は本発明の第3の実施例の定電流回路
を示す回路図である。
【0053】図3において、本実施例は、図2における
第2の実施例中のNPN型トランジスタをPNP型トラ
ンジスタに、PNP型トランジスタをNPN型トランジ
スタに、それぞれ置き換えた回路であり、これにともな
い抵抗や接続配線関係等を変更しており、動作機能は図
2と同様である。
【0054】尚、図3中のNPN型トランジスタ13の
無い場合を、本発明の第4の実施例の定電流回路とする
こともできる。この場合、本第4の実施例は、その動作
機能は図1と同様である。
【0055】図3において、PNP型トランジスタ
5′,6′,7′,8′,9′,10′と、NPNトラ
ンジスタ11′,12′,13′と、抵抗14〜20
と、入力端子1,2,3と、出力端子4とを備えてい
る。
【0056】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の実施例の
定電流回路によれば、例えばベースが基準電圧入力端子
に接続された入力のNPNトランジスタとこのNPNト
ランジスタにより設定された電流をNPNトランジスタ
とPNPトランジスタを用いて定電流を発生する回路
と、この回路を起動する起動回路と定常動作時起動用N
PNトランジスタのベースとエミッタが逆転し逆バイア
スの状態とならないように電圧クランプ回路とを設けた
場合には、電源端子と基準電圧入力端子とが接続された
状態でも安定に定電流回路が動作するという効果があ
り、また特にPNPトランジスタ11のコレクタ電流は
PNPトランジスタ11のエミッタ面積又は抵抗17の
抵抗値を変更することにより、容易に設定できるという
効果もある。
【0057】これにより、本発明は、電源端子と基準電
圧入力端子が同電位になる迄電源端子の電圧が下がった
状態でも、安定に動作可能であるため、電源端子の動作
範囲を大きくできるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例の定電流回路を示すブロ
ック図である。
【図2】本発明の第2の実施例の定電流回路を示すブロ
ック図である。
【図3】本発明の第3の実施例の定電流回路を示すブロ
ック図である。
【図4】従来の一例の定電流回路を示す回路図である。
【符号の説明】
1 電源端子の一端子 2 基準電圧入力端子 3 電源端子の他端子 4 出力端子 5,5′,6,6′,7,7′,8,8′,9,9′,
10,10′ NPN型トランジスタ 11,11′,12,12′,13,13′,21
PNP型トランジスタ 14,15,16,17,1819,20 抵抗
フロントページの続き (72)発明者 西鳥羽 茂夫 神奈川県川崎市中原区小杉町一丁目403 番53日本電気アイシーマイコンシステム 株式会社内 (56)参考文献 特開 昭64−11406(JP,A) 特開 昭56−52420(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G05F 1/56 310

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 コレクタを第1の抵抗を介して電源端子
    の一端子に接続し、ベースを基準電圧入力端子とし、エ
    ミッタを第2の抵抗を介して電源端子の他端子に接続し
    た第1のトランジスタと、コレクタを前記電源端子の一
    端子に接続し、ベースを前記第1のトランジスタのコレ
    クタに接続した第2のトランジスタと、ベースを前記第
    2のトランジスタのエミッタに接続し、エミッタを第3
    の抵抗を介して前記電源端子の一端子に接続した第3の
    トランジスタとを有する第1の回路を設け、前記第2の
    トランジスタのエミッタ及び前記第3のトランジスタの
    コレクタと出力端子と前記他端子とに接続されたカレン
    トミラー回路を設け、前記第1の回路を起動させるため
    の第2の回路を設けたことを特徴とする定電流回路。
  2. 【請求項2】 前記カレントミラー回路が、コレクタと
    ベースとを共通接続し、前記第3のトランジスタのコレ
    クタに接続し、エミッタを前記他端子に接続した第4の
    トランジスタと、コレクタを前記第2のトランジスタの
    エミッタと前記第3のトランジスタのベースとの共通接
    続点に接続し、エミッタを前記他端子に接続した第5の
    トランジスタと、ベースを前記第4のトランジスタのベ
    ースに接続し、エミッタを前記他端子に接続し、コレク
    タを前記出力端子とした第6のトランジスタとを有する
    請求項1に記載の定電流回路。
  3. 【請求項3】 前記第2の回路が、コレクタを前記第2
    のトランジスタのエミッタに接続し、ベースを第4の抵
    抗を介して前記第1のトランジスタのベースに接続し、
    エミッタを第5の抵抗を介して前記他端子に接続した第
    7のトランジスタと、コレクタを前記第7のトランジス
    タのエミッタと前記第5の抵抗との共通接続点に接続
    し、ベースを第6の抵抗を介して前記第2のトランジス
    タのエミッタに接続し、エミッタを第7の抵抗を介して
    前記一端子に接続した第8のトランジスタとを有する請
    求項1及び2に記載の定電流回路。
  4. 【請求項4】 コレクタを前記他端子に接続し、ベース
    を前記第1のトランジスタのエミッタと前記第2の抵抗
    との共通接続点に接続し、エミッタを前記第7のトラン
    ジスタのエミッタに接続した第9のトランジスタを有す
    る電圧クランプ回路を設けた請求項1及び3に記載の定
    電流回路。
  5. 【請求項5】 前記第1,第2,第4,第5,第6,第
    7のトランジスタがいずれもNPN型のトランジスタで
    あり、前記第3,第8,第9のトランジスタがいずれも
    PNP型のトランジスタである請求項2及び3並びに4
    に記載の定電流回路。
  6. 【請求項6】 前記第1,第2,第4,第5,第6,第
    7のトランジスタがいずれもPNP型のトランジスタで
    あり、前記第3,第8,第9のトランジスタがいずれも
    NPN型のトランジスタである請求項2及び3並び4に
    記載の定電流回路。
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