JP2936460B2

JP2936460B2 - 電子管用陰極

Info

Publication number: JP2936460B2
Application number: JP34196395A
Authority: JP
Inventors: 金治郎佐野; 孝新庄; 利一近藤; 正人斉藤; 卓也大平; 浩行寺本
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1995-12-27
Filing date: 1995-12-27
Publication date: 1999-08-23
Anticipated expiration: 2015-12-27
Also published as: JPH09180623A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、ブラウン管等に
使用される電子管用陰極、特に動作中のカットオフ電圧
の変動を抑制する構造に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図７は、特開平３−２５７７３５号公報
に開示されたテレビジョン受像機用ブラウン管に用いら
れている従来の陰極を示す図である。図において、１は
シリコン（Ｓｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）等の還元性元
素を微量含有し、ニッケル（Ｎｉ）を主成分とする一端
が閉塞された帽状の基体金属で、その側壁部が略円筒状
を呈したスリーブ４の一端に溶接固定されている。２は
電子放射物質層であり、この電子放射物質層２は少なく
ともバリウム（Ｂａ）を含み、他にストロンチュウム
（Ｓｒ）およびカルシウム（Ｃａ）を含む三元のアルカ
リ土類金属酸化物２１の中に酸化スカンジュウム等の希
土類金属酸化物２２を分散した構成である。３は、上記
スリーブ４内に配設されたヒータで、このヒータ３を加
熱することによって基体金属１が加熱され、電子放射物
質層２から熱電子を放出させるものである。５は基体金
属１上に形成された、基体金属中に含有されている還元
性元素より還元性が小さく、且つ基体金属１の主成分で
あるニッケルより還元性が大きい金属からなる金属層で
あり、この金属層５上面に電子放射物質層２が被覆形成
されている。

【０００３】次に、このよう構成された電子管用陰極の
製造方法について説明する。まず、基体金属１の表面に
金属層５となるタングステンを０. ２〜２ｕｍの厚さで
形成する。次に電子放射物質層２を被着形成する。この
被着形成の手順は、まず、バリウム、ストロンチウム、
カルシウムの三元炭酸塩と所定量の酸化スカンジュウム
をニトロセルロースからなるバインダーおよび酢酸ブチ
ルからなる有機溶剤と共に混合して懸濁液を作製し、こ
の懸濁液を基体金属１の頂部に形成された金属層５の上
にスプレイ法等で塗布することにより形成される。電子
放射物質層２が塗布された後、この陰極は電子銃に組み
込まれ、次に、ブラウン管の排気工程中にヒータ３によ
って加熱される。この際、三元炭酸塩は熱分解によりア
ルカリ土類金属酸化物２１に変化する。排気工程の後、
さらに高温加熱され活性化が行われる。この際、アルカ
リ土類金属酸化物２１の一部が還元されて電子放射物質
層２が半導体的性質を有するように活性化を行うことに
より、基体金属１上にアルカリ土類金属酸化物２１と希
土類金属酸化物２２との混合物からなる電子放射物質層
２が形成される。

【０００４】この活性化工程において、アルカリ土類金
属酸化物２１の一部は次のように反応する。すなわち、
基体金属１中に含有されたシリコン、マグネシウム等の
還元性元素は拡散によって金属層５と電子放射物質層２
との界面に移動し、アルカリ土類金属酸化物２１と反応
する。例えば、アルカリ土類金属酸化物２１として酸化
バリウム（ＢａＯ）を例にすると、次式１、２のように
反応するものである。４ＢａＯ＋Ｓｉ＝２Ｂａ＋Ｂａ₂ＳｉＯ₄ ・・・（１）ＢａＯ＋Ｍｇ＝Ｂａ＋ＭｇＯ・・・（２）この反応の結果、金属層５上に被着形成されたアルカリ
土類金属酸化物２１である酸化バリウム（ＢａＯ）の一
部が還元されて、酸素欠乏型の半導体となり、電子放射
が容易となる。また、アルカリ土類金属酸化物２１は、
金属層５の成分であるタングステンとは次式３のように
反応し、同様に酸素欠乏型の半導体となる。２ＢａＯ＋１／３Ｗ＝Ｂａ＋１／３Ｂａ₃ＷＯ₆ ・・・（３）

【０００５】一般に、酸化物陰極の場合、上述した反応
時に生成される副生成物で中間層と呼ばれるバリウムシ
リケイト（Ｂａ₂ＳｉＯ₄）、酸化マグネシウム（Ｍｇ
Ｏ）やバリウムタングステート（Ｂａ₃ＷＯ₆）が金属
層５と電子放射物質層２との界面に集中的に形成される
ため、この中間層の影響によりマグネシウム、シリコン
およびタングステンの拡散速度が抑制され、その結果過
剰Ｂａの供給不足が生じ、高電流密度動作を制限する。
一方、電子放射物質層２に希土類金属酸化物２２が含有
される場合は、酸化スカンジュウムの場合を例にとる
と、陰極動作時の金属層５と電子放射物質層２との界面
では基体金属１中および金属層５を拡散移動してきた還
元剤の一部と酸化スカンジュウムとが次式４のように反
応して少量の金属状のスカンジュウムが生成され、この
金属状のスカンジュウムは上記界面に存在する。１／２Ｓｃ₂Ｏ₃＋３／２Ｍｇ＝Ｓｃ＋３／２ＭｇＯ・・・（４）

【０００６】この金属状のスカンジュウムは金属層５上
に形成された中間層、例えばＢａ₂ＳｉＯ₄を次式５の
ように分解する作用を有するので、過剰Ｂａの供給が改
善され、希土類金属酸化物２２が含まれない場合よりも
高電流密度動作が可能となると考えられる。このよう
に、基体金属１上に金属層５を形成した電子管用陰極
は、遊離バリウムの生成が豊富で高電流密度動作が可能
であるという長所がある。１／２Ｂａ₂ＳｉＯ₄＋４／３Ｓｃ＝Ｂａ＋１／２Ｓｉ＋２／３Ｓｃ₂Ｏ₃ ・・・（５）

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記のように構成され
た従来の電子管用陰極では、ニッケルからなる基体金属
１上に形成されたタングステンからなる金属層５が、動
作中に徐々に基体金属１の表面から内部に拡散し、ニッ
ケルとタングステンとの金属間化合物が形成される。従
って、表面から順に、純タングステン層、ニッケルとタ
ングステンとの金属間化合物層、ニッケル金属層の三層
構造となる。特に、基体金属１の表面近傍に形成される
ニッケルとタングステンとの金属間化合物層は、他の層
に比較して密度が小さいため、片面に集中した熱応力に
より基体金属１が変形すると推定される。このため、長
時間の動作中に第１グリッドと陰極表面の間隔が変動し
てしまい、カットオフ電圧が変動し、画面の明るさが徐
々に変動したり、あるいはカラーブラウン管の場合、色
調が変動する等の問題を有していた。

【０００８】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、長時間の動作時における基体
金属１の熱応力による変形を防止し、カットオフ電圧の
変動を抑制することにより、高輝度、高精細ブラウン管
への適用が可能な電子管用陰極を得ることを目的とす
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】この発明に係わる電子管
用陰極は、ニッケルを主成分とし、少なくとも一種の還
元剤を含有する基体金属と、この基体金属の表面および
裏面に形成され、基体金属に含有される還元剤の少なく
とも一種より還元性が小さいかあるいは同等であり、且
つニッケルよりも還元性が大きい金属よりなる金属部材
と、この金属部材上に被着形成され、少なくともバリウ
ムを含むアルカリ土類金属酸化物と希土類金属酸化物を
含有する電子放射物質層を備えたものである。

【００１０】また、基体金属の表面および裏面に形成さ
れた金属部材を、共に金属層としたものである。また、
基体金属の表面および裏面に形成された金属部材を、共
に金属粉末層としたものである。また、基体金属の表面
に形成された金属部材を金属層とし、裏面に形成された
金属部材を金属粉末層としたものである。また、基体金
属の表面に形成された金属部材を金属粉末層とし、裏面
に形成された金属部材を金属層としたものである。さら
に、金属層または金属粉末層は、タングステン（Ｗ）、
モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）またはタンタル
（Ｔａ）等の金属よりなるものである。

【００１１】

【発明の実施の形態】

実施の形態１．図１は、本発明の実施の形態１である電
子管用陰極を示す拡大断面図である。図において、１は
シリコン（Ｓｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）等の還元性元
素を微量含有し、ニッケル（Ｎｉ）を主成分とする一端
が閉塞された帽状の金属基体で、略円筒状のスリーブ４
の一端に固定されている。２は、電子放射物質層であ
り、この電子放射物質層２は、少なくともバリウム（Ｂ
ａ）を含み、他にストロンチュウム（Ｓｒ）およびカル
シュウム（Ｃａ）の両方あるいは片方を含むアルカリ土
類金属酸化物２１の中に酸化スカンジュウム等の希土類
金属酸化物２２を分散した構成である。５ａは、基体金
属１と電子放射物質層２との間に被着形成されたタング
ステンからなる金属層、５ｂは基体金属１のもう一方の
片面に被着形成されたタングステンからなる金属層であ
る。

【００１２】次に、このように構成された電子管用陰極
の製造法の一例について説明する。まず、基体金属１を
洗浄後、真空中で基体金属１の表面にタングステンから
なる厚さ１ｕｍの金属層５ａを蒸着またはスパッタリン
グなどの方法で形成する。次いで、基体金属１の裏側か
ら同様にタングステンからなる１ｕｍの金属層５ｂを、
蒸着またはスパッタリング等の方法で形成する。次に、
ニクロム製のスリーブ４に溶接を行った後、水素雰囲気
中で約１０００℃の熱処理を行う。次に、希土類金属酸
化物である酸化スカンジュウムをアルカリ土類金属酸化
物に重量比で約３％分散した電子放射物質層２をスプレ
イ法によって約８０ｕｍの厚さで基体金属１の外側に形
成された金属層５ａ上に塗布する。

【００１３】電子放射物質層２が塗布された後、この陰
極は電子銃に組み込まれ、次にブラウン管の排気工程中
にヒータ３によって加熱される。この際、電子放射物質
層２中の三元炭酸塩が熱分解によりアルカリ土類金属酸
化物２１に変化する。排気工程の後、さらに高温加熱さ
れ活性化が行われる。この際、アルカリ土類金属酸化物
２１の一部が還元されて電子放射物質層２が半導体的性
質を有するようになり、金属層５ａ上にアルカリ土類金
属酸化物２１と希土類金属酸化物２２との混合物からな
る電子放射物質層２が形成させる。

【００１４】この活性化工程において、アルカリ土類金
属酸化物２１の一部は次のように反応する。すなわち、
基体金属１中に含有されたシリコン、マグネシウム等の
還元性元素は拡散によって金属層５ａと電子放射物質層
２との界面に移動し、アルカリ土類金属酸化物２１と反
応する。例えば、アルカリ土類金属酸化物２１として酸
化バリウム（ＢａＯ）を例にとると、次式１、２のよう
に反応するものである。４ＢａＯ＋Ｓｉ＝２Ｂａ＋Ｂａ₂ＳｉＯ₄ ・・・（１）ＢａＯ＋Ｍｇ＝Ｂａ＋ＭｇＯ・・・（２）

【００１５】この反応の結果、金属層５ａ上に被着形成
されたアルカリ土類金属酸化物２１である酸化バリウム
（ＢａＯ）の一部が還元されて、酸素欠乏型の半導体と
なり、電子放射が容易となる。また、アルカリ土類金属
酸化物２１は、金属層５ａの成分であるタングステンと
は次式３のように反応し、同様に酸素欠乏型の半導体と
なる。２ＢａＯ＋１／３Ｗ＝Ｂａ＋１／３Ｂａ₃ＷＯ₆ ・・・（３）

【００１６】一般に、酸化物陰極の場合、上述した反応
時に生成される副生成物で中間層と呼ばれるバリウムシ
リケイト（Ｂａ₂ＳｉＯ₄）、酸化マグネシウム（Ｍｇ
Ｏ）やバリウムタングステート（Ｂａ₃ＷＯ₆）が金属
層５ａと電子放射物質層２との界面に集中的に形成され
るため、この中間層の影響によりマグネシウム、シリコ
ンおよびタングステンの拡散速度が抑制され、その結果
過剰Ｂａの供給不足が生じ、高電流密度動作を制限す
る。一方、電子放射物質層２に希土類金属酸化物２２が
含有される場合は、酸化スカンジュウムの場合を例にと
ると、陰極動作時の金属層５ａと電子放射物質層２との
界面では基体金属１中および金属層５ａを拡散移動して
きた還元剤の一部と酸化スカンジュウムとが次式４のよ
うに反応して少量の金属状のスカンジュウムが生成さ
れ、金属状のスカンジュウムは上記界面に存在する。１／２Ｓｃ₂Ｏ₃＋３／２Ｍｇ＝Ｓｃ＋３／２ＭｇＯ・・・（４）

【００１７】この金属状のスカンジュウムは金属層５ａ
上に形成された中間層、例えばＢａ₂ＳｉＯ₄を次式５
のように分解する作用を有するので、過剰Ｂａの供給が
改善され、希土類金属酸化物２２が含まれない場合より
も高電流密度動作が可能であると考えられる。１／２Ｂａ₂ＳｉＯ₄＋４／３Ｓｃ＝Ｂａ＋１／２Ｓｉ＋２／３Ｓｃ₂Ｏ₃ ・・・（５）

【００１８】本実施の形態における電子管用陰極では、
ニッケルからなる基体金属１の両面に形成されたタング
ステンからなる金属層５ａ、５ｂが、動作中に徐々に金
属基体１の表面および裏面から内部に拡散し、ニッケル
とタングステンとの金属間化合物が形成される。従っ
て、表面および裏面から順に、純タングステン層、ニッ
ケルとタングステンとの金属間化合物層、ニッケル金属
層の三層構造となる。特に、基体金属１の表面（裏面）
近傍に形成されるニッケルとタングステンとの金属間化
合物層は、他の層に比較して密度が小さく、従来の片面
にのみ金属層５を形成した構造では、片面に集中した熱
応力により基体金属１が変形するという問題があった
が、本実施の形態によれば、基体金属１の両面に金属層
５ａ、５ｂを設けたため、金属間化合物が基体金属１の
両面に形成され、基体金属１の両面に均等に熱応力が加
わり、基体金属１の変形が防止される。

【００１９】図２は、このように構成された電子管用陰
極をブラウン管用の電子銃に組み込み、第一グリッドの
孔径が０. ４mmの１４吋のディスプレイ用ブラウン管で
寿命試験を実施した結果を示す図である。寿命試験条件
としてはヒータ電圧を定格６. ３Ｖとし、２. ５時間Ｏ
Ｎ、０. ５時間ＯＦＦの間欠条件とし、また陰極からの
取り出し電流密度は２Ａ／cm²とした。図２において、
横軸は寿命試験時間、縦軸はカットオフ電圧を示し初期
値を１００とした相対値で示している。図２より、本実
施の形態の電子管用電極は、従来の構成のものと比較し
てカットオフ電圧の変化が少なく、カットオフ電圧の変
動が著しく改善されていることがわかる。

【００２０】このように、本実施の形態によれば、希土
類金属酸化物を含む電子放射物質層２と基体金属１の間
に金属層５ａを形成したので、過剰Ｂａの生成が促進さ
れ、高電流密度動作が可能になるとともに、基体金属１
の裏面にも金属層５ｂを形成したので、長時間の動作中
において基体金属１の両面に均等な熱応力が加えられ、
熱応力による基体金属１の変形が防止され、カットオフ
電圧の変動を抑制することができる。このため、長時間
の動作時の画面の明るさの変動や、あるいはカラーブラ
ウン管の場合色調の変動が防止でき、高輝度、高精細ブ
ラウン管への適用が可能な電子管用陰極を得ることがで
きる。

【００２１】実施の形態２．図３は、本発明の実施の形
態２である電子管用陰極を示す拡大断面図である。図に
おいて、６ａは、基体金属１上に被着形成された金属粉
末層、６ｂは基体金属１のもう一方の片面に被着形成さ
れた金属粉末層である。なお、図中同一、相当部分には
同一符号を付し、説明を省略する。

【００２２】次に、このように構成された電子管用陰極
の製造法の一例について説明する。まず、基体金属１を
スリーブ４に溶接後、洗浄を行い、次いで基体金属１の
表面に粒径が０. ５ｕｍないし１. ０ｕｍのタングステ
ン粉末をスプレイによって被着し、厚さ１ｕｍないし３
ｕｍの金属粉末層６ａを形成する。この被着形成の手順
は、まず、タングステン粉末をバインダである硝化綿と
有機溶剤である酢酸ブチル溶液と混合し、２４時間ボー
ルミルを行う。次に通常のスプレイ方法によって約２ｕ
ｍの厚さになるように基体金属１上に塗布する。次い
で、基体金属１の裏側から同様にタングステン粉末によ
り約２ｕｍの厚さの金属粉末層６ｂを形成する。この場
合はスプレイ法でもよく、または一定量のタングステン
粉末と溶媒とからなるペーストをスリーブ４の内部に注
入して被着形成させることもできる。次に、水素雰囲気
中で約１０００°Ｃの熱処理を行う。

【００２３】次に、希土類金属酸化物である酸化スカン
ジュウムをアルカリ土類金属酸化物に重量比で約３％分
散した電子放射物質層２をスプレイ法によって約８０ｕ
ｍの厚さで基体金属１の外側に形成された金属粉末層６
ａ上に塗布する。電子放射物質層２が塗布された後、こ
の陰極は電子銃に組み込まれ、次にブラウン管の排気工
程中にヒータ３によって加熱される。この際、電子放射
物質層２中の三元炭酸塩は熱分解によりアルカリ土類金
属酸化物２１に変化する。排気工程の後、さらに高温加
熱され活性化が行われる。この際、アルカリ土類金属酸
化物２１の一部が還元されて電子放射物質層２が半導体
的性質を有するようになり、金属粉末層６ａ上にアルカ
リ土類金属酸化物２１と希土類金属酸化物２２との混合
物からなる電子放射物質層２が形成される。この活性化
工程において、本実施の形態に示す電子管用陰極におい
ても、前述の実施の形態１で示した式１ないし式５のよ
うな反応が行われる。

【００２４】本実施の形態による電子管用陰極において
は、タングステンからなる金属粉末層６ａ、６ｂが動作
中に徐々にニッケルからなる金属基体１の表面および裏
面から内部に拡散することにより形成されるニッケルと
タングステンとの金属間化合物が、基体金属１の両面に
形成されるため、長時間の動作中において基体金属１の
両面に均等に熱応力が加わり、基体金属１の変形が防止
される。

【００２５】図４は、このように構成された電子管用陰
極をブラウン管用の電子銃に組み込み、第一グリッドの
孔径が０. ４mmの１４吋のディスプレイ用ブラウン管で
寿命試験を実施した結果を示す図である。寿命試験条件
としてはヒータ電圧を定格６. ３Ｖとし、２. ５時間Ｏ
Ｎ、０. ５時間ＯＦＦの間欠条件とし、また陰極からの
取り出し電流密度は２Ａ／cm²とした。図４において、
横軸は寿命試験時間、縦軸はカットオフ電圧を示し初期
値を１００とした相対値で示している。図４より、本実
施の形態の電子管用電極においても、実施の形態１と同
様に、従来の構成のものと比較してカットオフ電圧の変
化が少なく、カットオフ電圧の変動が著しく改善されて
いることがわかる。

【００２６】このように、本実施の形態によれば、希土
類金属酸化物を含む電子放射物質層２と基体金属１の間
に金属粉末層６ａを形成したので、過剰Ｂａの生成が促
進され高電流密度動作が可能になるとともに、基体金属
１の裏面にも金属粉末層６ｂを形成したので、長時間の
動作中において基体金属１の両面に均等な熱応力が加え
られ、熱応力による基体金属１の変形が防止され、カッ
トオフ電圧の変動を抑制することができる。このため、
長時間の動作時の画面の明るさの変動や、あるいはカラ
ーブラウン管の場合色調の変動が防止でき、高輝度、高
精細ブラウン管への適用が可能な電子管用陰極を得るこ
とができる。

【００２７】実施の形態３．図５は、本発明の実施の形
態３である電子管用陰極を示す拡大断面図である。図に
おいて、５は、基体金属１と電子放射物質層２との間に
被着形成された金属層である。６は基体金属１のもう一
方の片面に被着形成された金属粉末層である。なお、図
中同一または相当部分には同一符号を付し、説明を省略
する。

【００２８】次に、このように構成された電子管用陰極
の製造法の一例について説明する。まず、基体金属１を
スリーブ４に溶接後、洗浄を行い、次いで真空中で基体
金属１の表面にタングステンよりなる厚さ１ｕｍの金属
層５を蒸着またはスパッタリング法により形成する。次
いで基体金属１の裏面に粒径が０. ５ｕｍないし１．０
ｕｍのタングステン粉末をスプレイによって被着し、厚
さ１ｕｍないし３ｕｍの金属粉末層６を形成する。この
被着形成の手順は、まず、タングステン粉末をバインダ
である硝化綿と有機溶剤である酢酸ブチル溶液と混合
し、２４時間ボールミルを行う。次に通常のスプレイ方
法によって約２ｕｍの厚さになるように基体金属１の裏
側に塗布する。この塗布は、スプレイ法以外に例えば一
定量のタングステン粉末と溶媒とからなるペーストをス
リーブ４の内部に注入して被着形成させることもでき
る。次に、水素雰囲気中で約１０００℃の熱処理を行
う。その後は、実施の形態１、２と同様に電子放射物質
層２をスプレイ法によって基体金属１の外側に形成され
た金属層５上に塗布後、電子銃に組み込み、次にブラウ
ン管の排気工程中にヒータ３によって加熱され、さらに
高温加熱により活性化が行われる。この活性化工程にお
いて、本実施の形態に示す電子管用陰極においても、前
述の実施の形態１で示した式１ないし式５のような反応
が行われる。

【００２９】本実施の形態による電子管用陰極において
は、タングステンからなる金属層５および金属粉末層６
が動作中に徐々にニッケルからなる金属基体１の表面お
よび裏面から内部に拡散することにより形成されるニッ
ケルとタングステンとの金属間化合物が、基体金属１の
両面に形成されるため、長時間の動作中において基体金
属１の両面に均等に熱応力が加わり、基体金属１の変形
が防止される。

【００３０】図６は、このように構成された電子管用陰
極をブラウン管用の電子銃に組み込み、第一グリッドの
孔径が０. ４mmの１４吋のディスプレイ用ブラウン管で
寿命試験を実施した結果を示す図である。寿命試験条件
としてはヒータ電圧を定格６. ３Ｖとし、２. ５時間Ｏ
Ｎ、０. ５時間ＯＦＦの間欠条件とし、また陰極からの
取り出し電流密度は２Ａ／cm²とした。図６において、
横軸は寿命試験時間、縦軸はカットオフ電圧を示し初期
値を１００とした相対値で示している。図６より、本実
施の形態の電子管用電極においても、実施の形態１およ
び２と同様に、従来の構成のものと比較してカットオフ
電圧の変化が少なく、カットオフ電圧の変動が著しく改
善されていることがわかる。

【００３１】このように、本実施の形態によれば、希土
類金属酸化物を含む電子放射物質層２と基体金属１の間
に金属層５を形成したので、過剰Ｂａの生成が促進さ
れ、高電流密度動作が可能になるとともに、基体金属１
の裏面にも金属粉末層６を形成したので、長時間の動作
中において基体金属１の両面に均等な熱応力が加えら
れ、熱応力による基体金属１の変形が防止され、カット
オフ電圧の変動を抑制することができる。このため、長
時間の動作時の画面の明るさの変動や、あるいはカラー
ブラウン管の場合色調の変動が防止でき、高輝度、高精
細ブラウン管への適用が可能な電子管用陰極を得ること
ができる。

【００３２】なお、本実施の形態では、電子放射物質層
２と基体金属１の間に金属層５を、基体金属１の裏面に
金属粉末層６を形成したが、電子放射物質層２と基体金
属１の間に金属粉末層、基体金属１の裏面に金属層の組
み合わせでも同様の効果が得られる。

【００３３】また、実施の形態１ないし３においては、
主成分がニッケルからなる基体金属中にシリコン（Ｓ
ｉ）およびマグネシウム（Ｍｇ）の還元性金属を微量含
むものを用いたが、シリコンあるいはマグネシウムの少
なくともどちらか一種のみの場合であっても同様の効果
が得られる。さらに、基体金属中の還元剤よりも還元性
が小さいかあるいは同等であり、且つ基体金属のニッケ
ルよりも還元性が大きい金属層あるいは金属粉末層とし
てタングステン（Ｗ）の場合を例として示したが、タン
グステンに限らず、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔ
ａ）、クロム（Ｃｒ）等の金属であっても同様の効果を
奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施の形態１である電子管用陰極
を示す拡大断面図である。

【図２】この発明の実施の形態１である電子管用陰極
の寿命試験中におけるカットオフ電圧の変動率を示す図
である。

【図３】この発明の実施の形態２である電子管用陰極
を示す拡大断面図である。

【図４】この発明の実施の形態２である電子管用陰極
の寿命試験中におけるカットオフ電圧の変動率を示す図
である。

【図５】この発明の実施の形態３である電子管用陰極
を示す拡大断面図である。

【図６】この発明の実施の形態３である電子管用陰極
の寿命試験中におけるカットオフ電圧の変動率を示す図
である。

【図７】従来の電子管用陰極を示す拡大断面図であ
る。

【符号の説明】

１基体金属、２電子放射物質層、３ヒータ、４
スリーブ、５、５ａ、５ｂ金属層、６、６ａ、６ｂ
金属粉末層、２１アルカリ土類金属酸化物、２２希
土類金属酸化物。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者斉藤正人東京都千代田区丸の内二丁目２番３号三菱電機株式会社内 (72)発明者大平卓也東京都千代田区丸の内二丁目２番３号三菱電機株式会社内 (72)発明者寺本浩行東京都千代田区丸の内二丁目２番３号三菱電機株式会社内 (56)参考文献特開昭52−91639（ＪＰ，Ａ) 特開平４−220925（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H01J 1/26 H01J 1/14

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】ニッケルを主成分とし、少なくとも一種
の還元剤を含有する基体金属、この基体金属の表面および裏面に形成された、上記還元
剤の少なくとも一種より還元性が小さいかあるいは同等
であり、且つニッケルよりも還元性が大きい金属よりな
る金属部材、この金属部材上に被着形成され、少なくともバリウムを
含むアルカリ土類金属酸化物と希土類金属酸化物を含有
する電子放射物質層を備えたことを特徴とする電子管用
陰極。
【請求項２】基体金属の表面および裏面に形成された
金属部材は、共に金属層であることを特徴とする請求項
１記載の電子管用陰極。
【請求項３】基体金属の表面および裏面に形成された
金属部材は、共に金属粉末層であることを特徴とする請
求項１記載の電子管用陰極。
【請求項４】基体金属の表面に形成された金属部材は
金属層であり、基体金属の裏面に形成された金属部材は
金属粉末層であることを特徴とする請求項１記載の電子
管用陰極。
【請求項５】基体金属の表面に形成された金属部材は
金属粉末層であり、基体金属の裏面に形成された金属部
材は金属層であることを特徴とする請求項１記載の電子
管用陰極。
【請求項６】金属部材は、タングステン（Ｗ）、モリ
ブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）またはタンタル（Ｔ
ａ）等の金属よりなることを特徴とする請求項１〜請求
項５のいずれか一項に記載の電子管用陰極。