JP2932122B2

JP2932122B2 - 集積回路における高容量負荷駆動用の電流供給回路とその方法

Info

Publication number: JP2932122B2
Application number: JP4032726A
Authority: JP
Inventors: モブレイケン; イートンシェフ
Original assignee: NIPPON FUAUNDORII KK; RAMUTORON CORP
Current assignee: NIPPON FUAUNDORII KK; RAMUTORON CORP
Priority date: 1991-01-23
Filing date: 1992-01-23
Publication date: 1999-08-09
Anticipated expiration: 2014-08-09
Also published as: EP0496321A2; EP0496321A3; JPH05151775A; US5134310A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、集積回路メモリーとり
わけ集積回路の中の高容量負荷を駆動するための電流供
給回路に関連する。

【０００２】

【従来の技術】たとえば、ダイナミックランダムアクセ
スメモリ（ＤＲＡＭ）は定期的にリフレッシュする必要
のあるメモリセルのアレイを含んでいる。その理由は、
メモリ機構部は電荷をキャパシタープレート上に配置す
るもので、その電荷がリークしてしまうからである。

【０００３】したがって、アレイ中のそれぞれのメモリ
セルは読みとられ定期的にリフレッシュされることで揮
発データを保存するようにしている。一瞬に大量のメモ
リセルをリフレッシュするために、非常に多くのキャパ
シタを一度に充電させる必要がある。これは電力供給源
や相互連結キャリー電流にオーバーロードをもたらす可
能性がある。もし、メモリセルと電力供給源との間に抵
抗が加えられたとしたら、電力供給源は指数関数的に減
衰する電流を生じさせるであろうが、これは許容できな
い。

【０００４】本発明の目的は、定期的に電流を供給する
必要のある装置もしくは他の高容量負荷のアレイを有す
るメモリまたは他の集積回路に使用される優れた電流供
給回路及びその方法を提供することにある。

【０００５】本発明の他の目的は、駆動回路によって与
えられた電流が、供給電圧の低減もしくは通常の作動電
圧や集積回路の温度範囲を越える温度の上昇を伴って発
生する、高容量負荷を駆動するための電力供給源やＭＯ
Ｓ駆動回路を提供することにある。

【０００６】本発明の他の目的は、固有の電流源および
この電流源に接続されて作動する電流ミラー回路を提供
することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は各請求項に記載の構成を有している。本発
明のいくつかの態様によれば、負荷を駆動する電流供給
回路、たとえば集積回路メモリにおける複数のセンス増
幅器等は、作動電圧源からの作動電圧Ｖｃｃを受けるよ
うに接続された定電流源と、負荷に接続される出力を有
する電流ミラー回路とを備えている。

【０００８】この定電流源は、クロス状に接続された第
１，第２のトランジスタを含み、第１，第２のトランジ
スタが第１，第２のノードを有し、それぞれのノードが
第２，第１のトランジスタのそれぞれの制御電極（ゲー
ト電極）に接続している。具体的には、電界効果トラン
ジスタが使用される。

【０００９】また、第１のノード、第１のトランジス
タ、および第１の抵抗が、作動電圧源と基準電位、具体
的には接地電位との間の第１導通パスを与えるように結
合される。第２のノード、第２のトランジスタは、好ま
しくは、作動電圧源と出力ノードとの間に第２導通パス
を与えるように結合される。第２の抵抗は作動電圧源と
第２のトランジスタとの間に直列に設けられる。

【００１０】改良された電流源は上述のように、第１，
第２の導通パスの形式をとるとともに、第３のトランジ
スタを作動電圧源と第１トランジスタの制御電極との間
に結合する形態もとりうる。さらにまた、第３の抵抗が
第１のトランジスタの制御電極と第２のノードとの間に
接続される。最後に、第２の導通パスは負荷と基準電位
の間に設けられる。

【００１１】電流ミラー回路は、一対のトランジスタを
備えており、その一方もしくは両方が飽和領域で作動す
る。それらのゲート電極は好ましくは相互に結合され
る。一方のトランジスタが電流源の出力を受け、そして
他方のトランジスタが電力供給出力を与える。好ましく
は、それらを流れる電流はゲート電圧の関数である。

【００１２】改良された電流ミラー回路もまた案出され
た。２つのトランジスタがペアとなってともにそれらの
ゲート電極に連結される。そして、さらに２つのトラン
ジスタが同様に共通のゲート電極を持つように対連結さ
れる。出力は、２つのペアトランジスタの幅寸法に比例
する電流を与える。

【００１３】基準としてゲート電極がもちいられ、ここ
での実施例は電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を採用し
ているが、本発明は、そのような技術に制限されるもの
ではない。他のトランジスタ、たとえばバイポーラータ
イプを使用することができる。

【００１４】

【作用】このような構成により、回路がオン状態になる
とノード１４の電圧はＶccとなり、第１のトランジスタ
１６はそのソースおよびゲートともにＶccであるのでオ
フされる。一方、第２のトランジスタ１８はノード２０
が接地電位であるためオンされる。電流がＶccから抵抗
１２を通って流れる始めるとノード１４での電圧は抵抗
１２による電圧降下で下がり、トランジスタ１６をオン
する。そしてトランジスタ１８の導通が次第に低下す
る。こうして回路は平衡状態となり定電流源を与えるこ
とができるが、温度変化により回路の抵抗値等が変化す
るためこれを補償する回路として電流ミラー回路がさら
に設けられる。これにより小さな電流を増幅して望まし
い高電流レベルの出力を供給するので高容量負荷駆動用
の電流供給回路となる。

【００１５】

【実施例】最初に第１図の概略回路図において、Ｐチャ
ネル電界効果トランジスタを使用する定電流源１０が示
されている。回路１０は、集積回路メモリの一部である
ことが好ましく、該集積回路はメモリセルのアレイとそ
れに対応するセンス増幅器を有する。

【００１６】この電流源１０は、作動電圧（第１の電圧
源）Ｖｃｃと第２のノード１４との間に接続される第２
の抵抗１２を有する。第２のノード１４は、第１のトラ
ンジスタ１６のゲート電極と、第２のトランジスタ１８
のソースに接続されている。トランジスタ１８のゲート
電極は、さらに第１のノード２０を介して第１のトラン
ジスタ１６のドレインに接続されている。トランジスタ
１６のソースは作動電圧Ｖｃｃに接続されている。ノー
ド２０は好ましくは大きな抵抗値の第１の抵抗２２を介
して基準電位（第２の電圧源）好ましくは接地電位に接
続されている。トランジスタ１８のドレインは容量性負
荷に接続されており、この負荷は複数のセンス増幅器２
４、２６、２８、．．．を用いることができる。したが
って、作動電圧Ｖｃｃと基準電位との間には、第１のト
ランジスタ１６、第１のノード２０、第１の抵抗２２の
順に接続された第１の導通パスと、第２の抵抗１２、第
２のノード１４、第２のトランジスタ１８の順に接続さ
れた第２の導通パスが形成されている。

【００１７】容量３０は、トランジスタ１８のドレイン
で、接地と出力ノード３２との間に結合されうるどのよ
うな高容量負荷をも表わすものである、しかし、本発明
には必ずしも必要ではない。

【００１８】回路が最初にスイッチオンされた時点ｔ₀
で、ノード１４での電圧はＶccである。Ｐチャネルトラ
ンジスタはそのゲート電圧がひとつのスレッショルド電
圧Ｖt より大きいときオンする。なお、このスレッショ
ルド電圧Ｖt はソース電圧より低い。こうして、トラン
ジスタ１６はそのソースおよびゲートともＶcc電位であ
るためオフされる。ノード２０は、抵抗２２を介して接
地に結合されているため、接地電位もしくはそれに近い
電位である。トランジスタ１８は、そのゲートがＶccよ
りＶt 以上低いのでオンする。電流はＶccから抵抗１２
を介して流れ始める。

【００１９】電流が抵抗１２を介して流れるとき、ノー
ド１４での電圧は電流の上昇に比例して降下する。こう
して、ノード１４での電圧は、オームの法則により、抵
抗１２にそれを流れる電流を乗算した値をＶccから減算
したものに等しくなる。ある時点ｔ₁ で、ノード１４で
の電圧はＶccより低いＶt に減少する。それから、トラ
ンジスタ１６がオンする。（すなわち、そのソースがＶ
ccであり、そのゲート電圧がＶccより低いＶt にちょう
ど等しいから。）この時点で、プルアップトランジスタ
１６は、そのソースドレインパスを介してＶccをノード
２０に結合する。抵抗２２は大きな値であることが好ま
しいが、ノード２０での電圧は上昇する。確かに、ノー
ド２０での電圧はノード１４に比べて迅速に上昇する。
そして、トランジスタ１８のゲートとソース間の電圧は
減少し、トランジスタ１８の導通が次第に少なくなる。

【００２０】ノード１４での電圧がＶccからＶt を引い
た値となるような電流が抵抗１２を流れるとき均衡状態
となる。そして、ノード２０での電圧はＶccと接地レベ
ルでのいずれかの値で安定する。トランジスタ１８が抵
抗１２を通る電流を多くするようにすると、ノード１４
での電圧はさらに低下し、トランジスタ１６をより確実
にオンさせる。これが、ノード２０での電圧を高く上昇
させる原因となるもので、そうなった場合はこれに対応
してトランジスタ１８を非導通にしてしまう。これが発
生した場合には、ノード１４を通して流れる電流は低下
し、ノード１４の電圧はふたたび抵抗１２を介してＶcc
のほうへ引かれる。

【００２１】逆に、もし、トランジスタ１８が、抵抗１
２を通る電流を少なくするようにすると、ノード１４で
の電圧はＶccの方へ上昇し、トランジスタ１６の導通は
少なくなり、ノード２０での電圧が低下する。（なぜな
らば、抵抗２２が接地されているから）。ノード２０は
トランジスタ１８のゲート電極に結合されているため、
トランジスタ１８はこの時確実にオンし、ノード１４を
通る電流をより少なくする。

【００２２】こうして、図１の回路では自然に均衡が成
り立つ。抵抗２２を流れる電流に比べトランジスタ１６
に流れる電流が大きいことに留意すべきである。トラン
ジスタ１６と抵抗２２はノード１４の電圧の増幅をもた
らす。トランジスタ１８は、センス増幅器２４、２６、
２８および（図示されていないが）同様に駆動されるそ
の他のセンス増幅器、ないしその他の負荷等の電流負荷
を駆動するために十分大きくなければならない。トラン
ジスタ１８のドレインを負荷に結合している（出力）ノ
ード３２は「ラッチＰ」として参照される出力を与え
る。そして、たとえば、センス増幅器を介して多くのビ
ット線に結合されうるものである。

【００２３】こうして、図１の回路はＶccの電圧値とは
無関係な定電流源を与えることが理解されるであろう。
しかしながら、回路は温度とは無関係ではない。温度変
化に対する補償を設けるために、真の抵抗１２よりも異
なる形式の抵抗、たとえば、異なる温度係数を持つもの
を使用することができる。しかしながら、Ｖt の値もま
た変りうるし、トランジスタ１８を流れる電流も予想で
きないので、これは勧められない。それゆえ、本発明の
その他の態様として、温度変化のために抵抗２２を補償
することが好ましい。

【００２４】図１の回路は、第２図に示すように、Ｎチ
ャネルトランジスタを用いても作図することができる。
この図は、本質的には図１と同一であるが、違う点はＮ
チャネルトランジスタ１６’と１８’が用いられている
点と、抵抗１２および２２がそれぞれのトランジスタ１
６および１８に対するときとは違って配置が入れ替わっ
ている点である。作動電圧が抵抗２２を介してＦＥＴ１
６’のドレインに与えられ、ＦＥＴ１６’のソースは接
地される。ＦＥＴ１６’のドレインと抵抗２２の間の
ノード２０は、ＦＥＴ１８’のゲート電極に結合され
る。ＦＥＴ１８’のドレインは負荷への出力を与える。
ＦＥＴ１８’のソースはノード１４を介して抵抗１２に
結合されており、その抵抗１２もまた接地されている。
ノード１４はＦＥＴ１６’のゲート電極に結合されてい
る。

【００２５】非常に大きな電流を駆動するために、小さ
な値の抵抗１２が図１もしくは図２に用いられる。しか
しながら、小さな抵抗１２を使用することは制御が難し
いという理由から、大きな値の抵抗１２の使用が望まし
い。こうして、小さな電流が生成され、そしてその電流
を電流ミラー回路で増幅する。そのような電流ミラー回
路は第３図に描かれており、そして好ましくは定電流源
と同じ集積回路の一部である。

【００２６】第３図に示されるように、Ｐチャネルトラ
ンジスタ３４は、Ｖccと定電流源１０のノード３２との
間に結合されたソース・ドレインパスを有している。そ
の他のＰチャネルトランジスタ３６は、出力トランジス
タとも呼ばれるが、Ｖccに結合されたソースと、電力供
給出力信号（ラッチＰ）を供給するように結合されたド
レインとを有している。

【００２７】これらのトランジスタ３４および３６のゲ
ート電極は共にノード３８に結合されている。トランジ
スタ３４のサイズはトランジスタ３６のそれより小さ
い。もし、出力電圧ラッチＰ（ＦＥＴ３６のドレイン）
がノード３８の電圧と同じもしくは小さい場合には、ト
ランジスタ３６は飽和状態にある。

【００２８】こうして、トランジスタ３６を流れる電流
はＶccに対するゲート電圧の値の関数であり、ドレイン
電圧ラッチＰの関数ではない。トランジスタ３４は、そ
のゲート電圧がドレイン電圧に等しいので飽和状態にあ
る。両トランジスタが飽和状態にあるので、出力電流は
ゲート電圧の関数となるはずである。ゲート電圧が相互
に等しいので、トランジスタ３６を流れる電流はトラン
ジスタ３４を流れる電流を増倍したものであり、その増
倍はトランジスタ３４および３６の相互サイズに関係す
る。

【００２９】第３図の制限条件としては、ラッチＰの電
圧がノード３８の電圧に等しいかもしくは小さいことで
ある。これは、ラッチＰが比較的高い電圧で駆動される
必要があることから重要である。具体的数値としては、
もしＶccが４．５ボルトなら４．２５である。ノード３
８での電圧はラッチＰの電圧の関数ではないので、ノー
ド３８での電圧は一定であろう。そして、ラッチＰの電
圧が上昇するにつれてトランジスタ３６は結局飽和域か
ら落下することになる。したがって、ノード３８での電
圧もまた高い必要があり、そのことによって、そのよう
な小さいゲートーソース電圧のもとに大電流を提供する
ためにはトランジスタ３６が非常に大きいことが要求さ
れる。

【００３０】第４図は、改良された集積回路電流ミラー
回路を表わしており、該集積回路電流ミラー回路は、ト
ランジスタ４０が飽和状態になくとも電流を一定に維持
するよう回路のために機能する。それは、第１ないし第
４のトランジスタとしてＰチャネルトランジスタ４２、
４０、４４、および４６を含んでいる。第１，第２のト
ランジスタ４２，４０は、それぞれの制御電極同士が接
続されて、第３，第４のトランジスタ４４，４６と同様
に共通のゲート電極を有している。また、第１のトラン
ジスタ４２は、そのソースがＶｃｃ（第１の電圧源）に
結合され、ゲート電極が第２のトランジスタ４０のゲー
トに連結され、そして定電流源１０の電流出力に接続さ
れる。さらに、第２のトランジスタ４０は、Ｖｃｃに結
合されたソースと、ラッチ出力信号Ｌｐを提供するドレ
インを備える出力トランジスタであり、作動電圧源Ｖｃ
ｃと出力との間に接続されている。

【００３１】第３のトランジスタ４４は、第２のトラン
ジスタ４０のドレインに接続されたソース電極を有し、
このノード４７を介してラッチ出力信号Ｌｐが供給され
る。トランジスタ４４のゲート電極は、ノード４８でそ
のドレインに接続されている。このノード４８もまたト
ランジスタ４６のゲート電極に接続されており、このト
ランジスタ４６はノード５０でトランジスタ４２のドレ
インに接続されたソース電極を有する。トランジスタ４
６のドレインは定電流源１０の電流出力に接続されてい
る。第１の抵抗５２はノード４８と接地との間に接続さ
れている。この結果、第３のトランジスタ４４の導電率
の制御可能な導通パスと第１の抵抗５２が、出力４７と
第２の電圧源（接地電位）との間に直列に接続してお
り、第３，第４のトランジスタ４４，４６の各制御電極
が、第１の抵抗５２に接続されることになり、図４に示
す回路によって本発明の電流ミラー回路を構成する。

【００３２】トランジスタ４０は、電流ミラー回路の増
幅率によってトランジスタ４２に対するサイズが決めら
れる。これらのデバイスは飽和状態にある必要はない。
トランジスタ４４はそのゲート電圧に等しいドレイン電
圧を有する。それゆえ、ノード４８での電圧は、抵抗５
２が４４の電流ドライブに比較して大きな抵抗であるか
ぎり、ラッチＰの電圧より低いＶt である。トランジス
タ４６は、定電流源１０によって与えられる電流に比較
して大きく、それゆえ、ノード５０での電圧はノード４
８での電圧にＶt を加えたものに等しい。なぜならば、
トランジスタ４６はソースホロア型であるから。このこ
とは、ノード５０での電圧が実質的にラッチＰの電圧に
等しいことを意味している。

【００３３】トランジスタ４０，４２は、(1) それぞれ
のゲート電極で同一の電圧、(2) 同一のソース電圧Ｖc
c，ならびに、(3) 実質的に同一のドレイン電圧（ラッ
チＰの電圧）を有するため、それらの電流はトランジス
タ４０および４２のサイズ（幅）に比例する。

【００３４】第５図は、温度ならびに電圧補償された定
電流源を表わす。第２図のように、それはＮチャネルの
第１，第２のトランジスタ１６’，１８’を使用してい
る。第５図は、補償回路と呼ばれるところのものの追加
によって第２図のものとは異なっているように見える。
この補償回路は、例えば、Ｐチャネルの第３のトランジ
スタ６０によって形成されており、このトランジスタ６
０のソースは作動電圧Ｖｃｃに接続され、またそのドレ
インはノード６２に接続されている。さらに、補償回路
は、ノード６２とノード１４との間に接続された第３の
抵抗６４を含み、ノード６２はまた、Ｎチャネルトラン
ジスタ１６’のゲート電極に接続されている。この第３
の抵抗６４と第３のトランジスタ６０とは、以下で説明
する補償回路を構成する。Ｎチャネルの第２のトランジ
スタ１８’は負荷（電流ミラー回路でありうる）に接続
されている。第５図の定電流源において、ノード６２は
Ｖｔの電圧となり、ノード１４はＶｔよりも下位の電圧
となる傾向を示す。

【００３５】第５図の回路において、電流は補償トラン
ジスタ６０のソース・ドレインパスを介してＶｃｃから
ノード６２へ流れる。電流は、抵抗６４を介してノード
６２に関するノード１４の電圧に減衰を生じさせるよう
に強いられる。トランジスタ６０は比較的小さく、そし
てトランジスタ１８’に比べて小さい電流を供給する。
したがって、ノード１４での電圧は抵抗６４とトランジ
スタ６０を流れる比較的小さい電流との乗算値をＶｔか
ら引いた値に等しくなる。

【００３６】温度が下がるか、Ｖccの値が上昇した場合
には、補償トランジスタ６０は自然に導通状態が良くな
り、より高い電流がノード６２に供給される。ノード１
４での電圧はその電流に対して上述した方法とは逆の関
係となるので、ノード１４での電圧は低下する。ノード
１４での電圧が低下するにつれて、抵抗１２を流れる電
流はオームの法則にしたがって低下しなければならな
い。このことは、トランジスタ１８’を流れる電流もま
たキルヒホッフの法則にしたがって低下することを意味
している。

【００３７】こうして、もしＶccが高いか温度が低いと
き、もっと多くの電流が流れることが期待されるが、定
電流源は実際にはその電流を低下させる。したがって、
電界効果トランジスタの動作が通常最も遅い高温域にお
いて、この回路はより多くの電流を与え、消費電力を増
加する一方プリチャージをスピードアップする。

【００３８】一方、低温では、電界効果トランジスタは
動作がより速いのでもっと電力が使えるようになる。し
かしながら、本回路では速度がスローダウンし、より少
ない電流を使用する。したがって、速度および電力仕様
は温度の広い範囲にわたって比較的一定の特性を維持で
きる。

【００３９】第６図の一般的ブロック図は、定電流源が
電流ミラー回路と組合わされ電力供給信号ラッチＰを与
えるようにするものを示している。それはたとえばＤＲ
ＡＭのメモリセルをリフレッシュするのに使用される。
ラッチＰは複数のセンス増幅器と並列に結合される。

【００４０】本発明の実施例は例示的なものとなるよう
に意図され、本発明の特許請求の範囲に記載された構成
の範囲内で様々な変更が可能である。

【００４１】

【発明の効果】本発明によれば、定電流源が電流ミラー
回路と組み合わされて、より高い電流レベルで一定の電
流を供給することができ、かつ広い温度範囲でトランジ
スタの動作を補償することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係わる定電流源を示す回路図である。

【図２】Ｐチャネルトランジスタの代わりにＮチャネル
トランジスタを用いてなる図１の変形回路図である。

【図３】本発明の使用に適する電流ミラー回路図であ
る。

【図４】改良された集積回路用電流ミラー回路図であ
る。

【図５】温度および電圧補償された、第２図の電流源回
路の変形回路図である。

【図６】本発明の定電流源が電流ミラー回路と組み合わ
されたブロック図を示す。

【符号の説明】

１０定電流源１２第２の抵抗１４第２のノード１６，１６’ 第１のトランジスタ１８，１８’ 第２のトランジスタ２０第１のノード２２第１の抵抗２４，２６，２８センス増幅器４０，４２，４４，４６トランジスタ５２第１の抵抗６０第３のトランジスタ６４第３の抵抗

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者シェフイートンアメリカ合衆国コロラド 80906 コロラドスプリングススプリングリッジサークル 3361 (56)参考文献特開昭63−245509（ＪＰ，Ａ) 実開昭56−152414（ＪＰ，Ｕ) 実開昭61−95109（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G11C 11/40 - 11/409 H03F 3/343 - 3/347

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】集積回路において、第１，第２の電圧源
と、該第１，第２の電圧源に接続されかつ出力ノード
（３２）を有する定電流源（１０）と、前記出力ノード
（３２）に接続されかつ負荷に接続される出力を有する
電流ミラー回路とを含んでいる高容量負荷駆動用の電流
供給回路であって、前記定電流源（１０）が、それぞれ導電率の制御可能な
導通パスと制御電極を有する第１，第２のトランジスタ
（１６，１８）と、前記第２，第１のトランジスタ（１
８，１６）の制御電極にそれぞれ接続された第１，第２
のノード（２０，１４）と、第１，第２の抵抗（２２，
１２）とを有し、前記第１のトランジスタ（１６）、第１のノード（２
０）、および第１の抵抗（２２）が、前記第１，第２の
電圧源の間に接続され、また、前記第２の抵抗（１
２）、第２のノード（１４）、および第２のトランジス
タ（１８）が、前記第１，第２の電圧源の一方と前記出
力ノード（３２）との間に接続されており、さらに、前記第１，第２の電圧源の一方と前記第１のトランジス
タ（１６）の制御電極との間に接続される導電率の制御
可能な導通パスを有する第３のトランジスタ（６０）
と、前記第２のノード（１４）と前記第１のトランジス
タ（１６）の制御電極との間に接続される第３の抵抗
（６４）を含み、前記第３のトランジスタ（６０）の導
電率の増加によって前記第２のトランジスタ（１８）が
前記出力ノード（３２）に流す電流をより少なく供給す
るようにした補償回路を有することを特徴とする電流供
給回路。
【請求項２】集積回路において、作動電圧（Ｖｃｃ）を
受け取るように接続された定電流源を含む高容量負荷駆
動用の電流供給回路であって、それぞれ導電率の制御可能な導通パスと制御電極を有す
る第１，第２のトランジスタ（１６’，１８’）と、前記第２，第１のトランジスタ（１８’，１６’）の制
御電極にそれぞれ接続された第１，第２のノード（２
０，１４）と、第１，第２の抵抗（２２，１２）とを有し、第１のトランジスタ（１６’）の前記導電率の制御可能
な導通パス、前記第１のノード（２０）、および第１の
抵抗（２２）が、基準電位と作動電圧源との間に接続さ
れ、前記第２の抵抗（１２）、第２のノード（１４）、およ
び第２のトランジスタ（１８’）の導電率の制御可能な
導通パスが、前記基準電位と定電流源の出力との間に接
続されており、さらに、前記第１のトランジスタ（１６’）の制御電極
と前記作動電圧源との間に接続される導電率の制御可能
な導通パスを有する第３のトランジスタ（６０）と、前
記第１のトランジスタ（１６’）の制御電極と前記第２
のノード（１４）との間に接続される第３の抵抗（６
４）とを有することを特徴とする電流供給回路。
【請求項３】集積回路において、それぞれ導電率の制御
可能な導通パスと制御電極を有する第１，第２のトラン
ジスタ（１６，１８）と、前記第２，第１のトランジス
タ（１８，１６）の制御電極にそれぞれ結合された第
１，第２のノード（２０，１４）と、さらに、出力ノー
ド（３２）と、第１，第２の抵抗（２２，１２）とを含
み、かつ第１，第２の電圧源に接続される定電流供給回
路であって、前記第１のトランジスタ（１６）、第１のノード（２
０）、および第１の抵抗（２２）が、第１，第２の作動
電圧源の間に接続され、前記第２の抵抗（１２）、第２のノード（１４）、およ
び第２のトランジスタ（１８）が、前記第１，第２の作
動電圧源の一方と前記出力ノード（３２）との間に接続
されており、さらに、前記第１，第２の電圧源の一方と前記第１のト
ランジスタ（１６）の制御電極との間に接続される導電
率の制御可能な導通パスを有する第３のトランジスタ
（６０）と、前記第１のトランジスタ（１６）の制御電
極と前記第２のノード（１４）との間に接続される第３
の抵抗（６４）を含み、前記第３のトランジスタ（６
０）の導電率の増加によって前記第２のトランジスタ
（１８）が前記出力ノード（３２）に流す電流をより少
なく供給するようにした補償回路を有することを特徴と
する電流供給回路。
【請求項４】集積回路において、高容量性負荷を駆動す
る方法であって、それぞれに抵抗要素、ノード、および制御電極を有する
導電率の制御可能な第１，第２の導通パスを設け、前記導電率の制御可能な第１の導通パスを作動電圧源と
基準電位との間に接続し、前記導電率の制御可能な第２の導通パスを定電流源の出
力と前記基準電位との間に接続し、前記第１の導通パスのノードを前記第２の導通パスの制
御電極に接続し、かつ前記第２の導通パスのノードを前
記第１の導通パスの制御電極に接続する、各工程によっ
て定電流を発生し、さらに、供給電圧が減少するかあるいは温度が上昇して
前記集積回路の通常の作動電圧と温度を越える時、作動
電圧源と前記第１の導通パスの制御電極の間に導電率の
制御可能な第３の導通パスを接続し、前記第２のノード
と前記第１の導通パスの制御電極の間に第３の抵抗要素
を接続し、これにより、前記第３の導電率の制御可能な
導通パスの導通を減少させて、前記第２の導電率の制御
可能な導通パスによって前記出力ノードに流す電流をよ
り多く供給するようにして前記定電流を増加させる修正
を行うことを特徴とする方法。
【請求項５】各ゲート電極がそれぞれ他方側のソース／
ドレイン電極に接続される、同一チャネル型の第１，第
２の電界効果トランジスタ（１６’，１８’）と、前記
第２のトランジスタ（１８’）の制御電極と作動電圧源
との間に接続された第１の抵抗（２２）と、前記第１の
トランジスタ（１６’）のゲート電極と別の作動電圧源
との間に接続された第２の抵抗（１２）と、前記第２の
トランジスタ（１８’）のドレイン電極に接続される出
力ノード（３２）とを有する、集積回路の定電流源回路
であって、さらに、Ｐチャネルトランジスタ（６０）と第３の抵抗
（６４）を含んでおり、前記Ｐチャネルトランジスタ
（６０）は、前記第１，第２のトランジスタ（１６’，
１８’）よりも小さいサイズであり、作動電圧源に接続
される第１のソース電極と、前記第１のトランジスタ
（１６’）の制御電極に接続される第２のドレイン電極
とを有し、この第２のドレイン電極が、その一端側を前
記第３の抵抗（６４）に接続し、この第３の抵抗（６
４）の他端側が前記第２のトランジスタ（１８’）のソ
ース電極に接続されていることを特徴とする定電流源回
路。
【請求項６】第１，第２の電圧源と、電流源（１０）と、出力と、各々が制御電極と導電率の制御可能な導通パスとを有す
る、第１，第２，第３，第４のトランジスタ（４２，４
０，４４，４６）を設け、前記第１のトランジスタ（４２）の制御電極は、前記電
流源（１０）に接続され、前記第２のトランジスタ（４
０）は、前記第１の電圧源と前記出力との間に接続さ
れ、前記第１トランジスタ（４２）の制御電極と前記第
２のトランジスタ（４０）の制御電極が接続され、か
つ、前記第１，第４のトランジスタ（４２，４６）の導
電率の制御可能な導通パスが、前記電流源（１０）と前
記第１の電圧源の間に直列に接続されており、さらに、第１の抵抗（５２）を含み、前記第３のトランジスタ（４４）の導電率の制御可能な
導通パスと前記第１の抵抗（５２）が、前記出力（４
７）と前記第２の電圧源との間に直列に接続しており、
前記第３，第４のトランジスタ（４４，４６）の各制御
電極が、前記第１の抵抗（５２）に接続されていること
を特徴とする、集積回路のための電流ミラー回路。