JP2923986B2 - プラズマディスプレイパネルのスペーサーの製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネルのスペーサーの製造方法Info
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- JP2923986B2 JP2923986B2 JP19496589A JP19496589A JP2923986B2 JP 2923986 B2 JP2923986 B2 JP 2923986B2 JP 19496589 A JP19496589 A JP 19496589A JP 19496589 A JP19496589 A JP 19496589A JP 2923986 B2 JP2923986 B2 JP 2923986B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は情報表示端末や平面型のテレビ等に利用され
るプラズマディスプレイに係り、特にプラズマディスプ
レイパネルの重要な構成部分であるスペーサーを高精
細，高アスペクトに形成する製造方法に関する。
るプラズマディスプレイに係り、特にプラズマディスプ
レイパネルの重要な構成部分であるスペーサーを高精
細，高アスペクトに形成する製造方法に関する。
プラズマディスプレイは放電による可視光あるいは紫
外線光の発生を利用して発光表示を行なうものである
が、放電表示画素の画定や放電空間ギャップを確保する
ためのスペーサーが必要である。スペーサーの形状とし
ては格子状のものや、ひとつひとつの画素を画定する升
目状のものがあり、通常、誘電体ペーストをスクリーン
印刷し焼成することにより製造されている。
外線光の発生を利用して発光表示を行なうものである
が、放電表示画素の画定や放電空間ギャップを確保する
ためのスペーサーが必要である。スペーサーの形状とし
ては格子状のものや、ひとつひとつの画素を画定する升
目状のものがあり、通常、誘電体ペーストをスクリーン
印刷し焼成することにより製造されている。
〔発明が解決しようとする課題〕 なるべく広い放電空間を確保したり、カラー表示用パ
ネルでの蛍光体劣化防止のために蛍光体塗布部と強い放
電領域との距離が必要である等の要請のために、スペー
サーとしてはなるべく幅が狭く、ある程度の高さのある
形状とすることが望ましい。また、基板上に形成されて
いる放電電極等とも高い精度で目合せされて形成される
必要がある。従来のスクリーン印刷法は簡便なスペーサ
ーの形成法ではあるが、細幅で且つ数10ミクロン以上も
の高さのスペーサーを形成するためには多数回の印刷を
繰り返す必要がある。多い場合には十回以上もの印刷の
繰り返しが要求されている。プラズマディスプレイパネ
ルの大面積化，高解像度化に伴ない、このようなスクリ
ーン印刷法によるスペーサー製造は増々技術的に困難と
なり、且つコスト的にも不利となってきている。
ネルでの蛍光体劣化防止のために蛍光体塗布部と強い放
電領域との距離が必要である等の要請のために、スペー
サーとしてはなるべく幅が狭く、ある程度の高さのある
形状とすることが望ましい。また、基板上に形成されて
いる放電電極等とも高い精度で目合せされて形成される
必要がある。従来のスクリーン印刷法は簡便なスペーサ
ーの形成法ではあるが、細幅で且つ数10ミクロン以上も
の高さのスペーサーを形成するためには多数回の印刷を
繰り返す必要がある。多い場合には十回以上もの印刷の
繰り返しが要求されている。プラズマディスプレイパネ
ルの大面積化，高解像度化に伴ない、このようなスクリ
ーン印刷法によるスペーサー製造は増々技術的に困難と
なり、且つコスト的にも不利となってきている。
本発明は、新規なスペーサー形成法により、容易に高
精細，高アスペクト比のスペーサーを大面積に均一に実
現するものである。
精細，高アスペクト比のスペーサーを大面積に均一に実
現するものである。
本発明のプラズマディスプレイのスペーサーの製造方
法は、基板上に少なくとも溝状のパタンを有したホトレ
ジスト層を形成する工程と、このホトレジスト層の溝に
誘電体ペーストを充填する工程と、この充填された誘電
体ペーストを乾燥する工程と、前記ホトレジスト層を取
り除く工程と、溝部に形成されていた前記誘電体ペース
トを焼成し誘電体の構造物とする工程とを少くとも含む
ことを特徴とするものであり、更に、良好なスペーサー
形状を実現するためのホトレジスト層の溝に誘電体ペー
ストを充填する工程と、この誘電体ペーストを乾燥する
工程とを少なくとも２回以上繰り返すことを特徴とする
プラズマディスプレイのスペーサーの製造方法である。
法は、基板上に少なくとも溝状のパタンを有したホトレ
ジスト層を形成する工程と、このホトレジスト層の溝に
誘電体ペーストを充填する工程と、この充填された誘電
体ペーストを乾燥する工程と、前記ホトレジスト層を取
り除く工程と、溝部に形成されていた前記誘電体ペース
トを焼成し誘電体の構造物とする工程とを少くとも含む
ことを特徴とするものであり、更に、良好なスペーサー
形状を実現するためのホトレジスト層の溝に誘電体ペー
ストを充填する工程と、この誘電体ペーストを乾燥する
工程とを少なくとも２回以上繰り返すことを特徴とする
プラズマディスプレイのスペーサーの製造方法である。
本発明のスペーサーの製造方法では、基板上にドライ
フィルム等のホトレジスト層を形成し、ホトリソグラフ
ィ技術によりスペーサーとなるパタンを形成する。この
溝状に形成された部分にスペーサーの原料となる誘電体
ペーストを充填し、乾燥，ホトレジスト層除去，焼成に
よりスペーサーを製造するものである。誘電体ペースト
として結晶化ガラス粉末や適当なフィラーを混入したも
のを選択して使用することにより、焼成時の形状の崩れ
をなくすことができるために、ホトレジスト層のパタン
を母型としたスペーサー形状を得ることができる。ホト
レジスト層では側壁の切り立った細い溝を大面積にわた
って精度良く形成することは比較的容易であり、これを
利用することにより細幅でだれのないスペーサーを実現
することが可能になった。この方法ではスペーサーの高
さはホトレジスト層の厚さで制御することができ、大面
積にわたって均一なスペーサー高さを実現することも容
易である。
フィルム等のホトレジスト層を形成し、ホトリソグラフ
ィ技術によりスペーサーとなるパタンを形成する。この
溝状に形成された部分にスペーサーの原料となる誘電体
ペーストを充填し、乾燥，ホトレジスト層除去，焼成に
よりスペーサーを製造するものである。誘電体ペースト
として結晶化ガラス粉末や適当なフィラーを混入したも
のを選択して使用することにより、焼成時の形状の崩れ
をなくすことができるために、ホトレジスト層のパタン
を母型としたスペーサー形状を得ることができる。ホト
レジスト層では側壁の切り立った細い溝を大面積にわた
って精度良く形成することは比較的容易であり、これを
利用することにより細幅でだれのないスペーサーを実現
することが可能になった。この方法ではスペーサーの高
さはホトレジスト層の厚さで制御することができ、大面
積にわたって均一なスペーサー高さを実現することも容
易である。
高いスペーサーを製造しようとした場合、スペーサー
の中央部に窪みができ、スペーサーの高さの減少，大き
なばらつき，及び強度の低下等の問題を生じることがあ
る。これは、主に誘電体ペースト中の溶剤が気化し、体
積減少となったことが原因となっている。この場合、本
発明の製造方法ではホトレジスト層の溝に誘電体ペース
トを充填後、乾燥させることにより溶剤を気化させ、こ
れにより出きた窪みに再び誘電体ペーストを充填する。
必要によりこの工程の複数回繰り返すことにより、充分
な強度を有する高いスペーサーを製造することができ
る。
の中央部に窪みができ、スペーサーの高さの減少，大き
なばらつき，及び強度の低下等の問題を生じることがあ
る。これは、主に誘電体ペースト中の溶剤が気化し、体
積減少となったことが原因となっている。この場合、本
発明の製造方法ではホトレジスト層の溝に誘電体ペース
トを充填後、乾燥させることにより溶剤を気化させ、こ
れにより出きた窪みに再び誘電体ペーストを充填する。
必要によりこの工程の複数回繰り返すことにより、充分
な強度を有する高いスペーサーを製造することができ
る。
なお、誘電体ペースト充填，乾燥後のホトレジスト層
の除去は、溶剤や剥離剤を使用して行なっても良いが、
焼成時に焼き飛ばしても良い。
の除去は、溶剤や剥離剤を使用して行なっても良いが、
焼成時に焼き飛ばしても良い。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第２図は本発明の一実施例の平面図である。第３図は
第２図のａ−ａ′における断面図、第４図は第２図のｂ
−ｂ′における断面図である。ガラスよりなる第１絶縁
基板１に、列電極２を、例えばITO,Al,Ni,Ag等で形成
し、その上に第１絶縁層３を、例えばガラス層膜やAl2O
3薄膜で形成する。さらにその上に蛍光体４を形成す
る。ガラスよりなる第２の絶縁基板８には、行電極10を
たとえばAl,Ni,Ag等で形成し、その上に第２絶縁層７
を、たとえばガラス厚膜やAl2O3薄膜で形成し、その上
に保護層６を、例えばMgOで形成する。さらに第１絶縁
基板１と第２絶縁基板８を相対向させ、所定の放電空間
を得るためのスペーサー５を形成する。
第２図のａ−ａ′における断面図、第４図は第２図のｂ
−ｂ′における断面図である。ガラスよりなる第１絶縁
基板１に、列電極２を、例えばITO,Al,Ni,Ag等で形成
し、その上に第１絶縁層３を、例えばガラス層膜やAl2O
3薄膜で形成する。さらにその上に蛍光体４を形成す
る。ガラスよりなる第２の絶縁基板８には、行電極10を
たとえばAl,Ni,Ag等で形成し、その上に第２絶縁層７
を、たとえばガラス厚膜やAl2O3薄膜で形成し、その上
に保護層６を、例えばMgOで形成する。さらに第１絶縁
基板１と第２絶縁基板８を相対向させ、所定の放電空間
を得るためのスペーサー５を形成する。
プラズマディスプレイパネルは通常100〜400torr程度
のガスを内部に封入する。絶縁基板は大気圧を受けてお
り、充分な放電空間９を確保しながら、十分な強度をも
ったスペーサーとする必要がある。本実施例では高解像
度表示を目的として、スペーサーの設計幅を0.08mmとし
た。このスペーサー製造方法を第１図Ａ〜Ｇを参照とし
て説明する。
のガスを内部に封入する。絶縁基板は大気圧を受けてお
り、充分な放電空間９を確保しながら、十分な強度をも
ったスペーサーとする必要がある。本実施例では高解像
度表示を目的として、スペーサーの設計幅を0.08mmとし
た。このスペーサー製造方法を第１図Ａ〜Ｇを参照とし
て説明する。
A.ガラス基板上に行電極10,第２絶縁層7,保護層６を形
成して第２絶縁基板８を用意する。
成して第２絶縁基板８を用意する。
B.工程Ａで用意した第２絶縁基板８にドライフィルム11
を貼付する。
を貼付する。
C.ホトリソグラフィーによりドライフィルム11にスペー
サー５のネガパターンを形成する。溝20の幅は0.08mmで
ある。
サー５のネガパターンを形成する。溝20の幅は0.08mmで
ある。
D.工程Ｃで形成したドライフィルムの溝に、スペーサー
５の材料、例えばPbO粉末とAl2O3粉末をバインダー溶剤
と混合したペーストを充填する。
５の材料、例えばPbO粉末とAl2O3粉末をバインダー溶剤
と混合したペーストを充填する。
E.基板を100〜150℃で乾燥させる。これによりバインダ
ーが気化し、図の如く、スペーサー５の中央部にへこみ
が生じる。この時、乾燥温度が100℃未満ではバインダ
ーの気化が不十分である。また、150℃を越えると後工
程のドライフィルムの薬液による除去が非常に困難にな
る。
ーが気化し、図の如く、スペーサー５の中央部にへこみ
が生じる。この時、乾燥温度が100℃未満ではバインダ
ーの気化が不十分である。また、150℃を越えると後工
程のドライフィルムの薬液による除去が非常に困難にな
る。
F.スペーサー５の中央部に生じたへこみにペーストを充
填する。この後、必要に応じＥ→Ｆの工程を数回くりか
えす。
填する。この後、必要に応じＥ→Ｆの工程を数回くりか
えす。
G.ドライフィルム11を薬液で除去し、580℃で焼成する
ことによりスペーサー５を完成させる。なお、ドライフ
ィルムの薬液除去をせず、580℃の焼成でドライフィル
ムをスペーサー焼成と同時に除去しても同じ結果が得ら
れた。
ことによりスペーサー５を完成させる。なお、ドライフ
ィルムの薬液除去をせず、580℃の焼成でドライフィル
ムをスペーサー焼成と同時に除去しても同じ結果が得ら
れた。
以上、スペーサー製造の実施例を説明したが、必要と
されるスペーサーの高さが数10ミクロン以下の低い場合
は、ペーストの充填は一度で実用上ほぼ問題がなかった
が、スペーサーの高さが100ミクロン程度では２回程度
のペースト充填が有効であり、更に厚い場合には３度以
上の繰り返しが必要であった。この様な最適化により、
断面形状がほぼ直方形で高いアスペクト比の良好なスペ
ーサー形状を実現することができた。
されるスペーサーの高さが数10ミクロン以下の低い場合
は、ペーストの充填は一度で実用上ほぼ問題がなかった
が、スペーサーの高さが100ミクロン程度では２回程度
のペースト充填が有効であり、更に厚い場合には３度以
上の繰り返しが必要であった。この様な最適化により、
断面形状がほぼ直方形で高いアスペクト比の良好なスペ
ーサー形状を実現することができた。
また、行電極10との位置精度も数ミクロン以下であり
実用上十分であった。
実用上十分であった。
なお、本実施例では第２絶縁基板にスペーサーを形成
したが、第１絶縁基板にスペーサーを形成する場合でも
同様の工程で製造することができた。また、本発明の方
法はスペーサー形状には関係はなく、縞状や枡目状等の
種々のものに適用することができる。
したが、第１絶縁基板にスペーサーを形成する場合でも
同様の工程で製造することができた。また、本発明の方
法はスペーサー形状には関係はなく、縞状や枡目状等の
種々のものに適用することができる。
本発明のスペーサーの製造方法により、アスペクト比
の高い、幅の狭いスペーサーを製造することができ、高
解像度で大面積なプラズマディスプレイパネルを作製す
ることが可能になった。また、カラー表示のプラズマデ
ィスプレイの場合においても蛍光体へのダメージが少な
く、且つクロストークや色の滲みのない高精細なパネル
の実現に大きく寄与するものである。
の高い、幅の狭いスペーサーを製造することができ、高
解像度で大面積なプラズマディスプレイパネルを作製す
ることが可能になった。また、カラー表示のプラズマデ
ィスプレイの場合においても蛍光体へのダメージが少な
く、且つクロストークや色の滲みのない高精細なパネル
の実現に大きく寄与するものである。
第１図は本発明の一実施例を示す工程図、第２図はプラ
ズマディスプレイパネルの一例を示す平面図、第３図は
第２図のａ−ａ′における断面図、第４図は第２図のｂ
−ｂ′における断面図である。 １……第１絶縁基板、２……列電極、３……第１絶縁
層、４……蛍光体、５……スペーサー、６……保護層、
７……第２絶縁層、８……第２絶縁基板、９……放電空
間、10……行電極、11……ドライフィルム。
ズマディスプレイパネルの一例を示す平面図、第３図は
第２図のａ−ａ′における断面図、第４図は第２図のｂ
−ｂ′における断面図である。 １……第１絶縁基板、２……列電極、３……第１絶縁
層、４……蛍光体、５……スペーサー、６……保護層、
７……第２絶縁層、８……第２絶縁基板、９……放電空
間、10……行電極、11……ドライフィルム。
Claims (2)
- 【請求項１】基板上に少なくとも溝状のパタンを有した
ホトレジスト層を形成する工程と、このホトレジスト層
の溝に誘電体ペーストを充填する工程と、この充填され
た誘電体ペーストを乾燥する工程と、前記ホトレジスト
層を取り除く工程と、溝部に形成されていた前記誘電体
ペーストを焼成し誘電体の構造物とする工程とを少なく
とも含み、かつ、前記誘電体ペーストの充填工程と、前
記誘電体ペーストの乾燥工程とを複数回繰り返すことを
特徴とするプラズマディスプレイパネルのスペーサーの
製造方法。 - 【請求項２】前記ホトレジスト層にドライフィルムを用
い、かつ前記誘電体ペーストを乾燥する工程の温度を10
0℃から150℃とすることを特徴とする請求項１記載のプ
ラズマディスプレイパネルのスペーサーの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19496589A JP2923986B2 (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | プラズマディスプレイパネルのスペーサーの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19496589A JP2923986B2 (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | プラズマディスプレイパネルのスペーサーの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0357138A JPH0357138A (ja) | 1991-03-12 |
| JP2923986B2 true JP2923986B2 (ja) | 1999-07-26 |
Family
ID=16333281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19496589A Expired - Fee Related JP2923986B2 (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | プラズマディスプレイパネルのスペーサーの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2923986B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5857633A (en) * | 1996-08-19 | 1999-01-12 | Toyota Technical Center U.S.A., Inc. | Cupholder with engaging rings |
| JP2008262931A (ja) * | 2008-08-05 | 2008-10-30 | Toray Ind Inc | プラズマディスプレイパネルの緩衝層形成用ペースト |
-
1989
- 1989-07-26 JP JP19496589A patent/JP2923986B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0357138A (ja) | 1991-03-12 |
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Legal Events
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