JPH03112035A - プラズマディスプレイパネルのスペーサーの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野１ 本発明は情報表示端末や平面型のテレビ等に利用される
プラズマデイスプレィ、特にプラズマディスプレイパネ
ルの重要な構成部分であるスペーサーを高精細、高アス
ペクトに形成する製造方法に関する。

〔従来の技術〕

プラズマデイスプレィは放電による可視光あるいは紫外
線光の発生を利用して発光表示を行うものであるが、放
電表示画素の画定や放電空間ギャップを確保するための
スペーサーが必要である。

スペーサーの形状としては格子状のものや、各画素を画
定する升目状のものがあり、通常そのスペーサーは、誘
電体ペーストをスクリーン印刷し焼成することにより製
造されている。

また、基板上に形成したホトレジスト層にスペーサーの
ネガパターンを形成してその溝に誘電体ペーストを充填
し、ホトレジスト層を取り除いて誘電体ペーストを焼成
する方法がある。

［発明が解決しようとする課題］ ところで、なるべく広い放電空間を確保したり、カラー
表示用パネルでの蛍光体劣化防止のために蛍光倚塗布部
と強い放電領域との距離が必要である等の要請のために
、スペーサーとしてはなるべく幅が狭く、ある程度の高
さのある形状とすることが望ましい。また、基板上に形
成されている放電電極等とも高い精度で目合わせされて
形成される必要がある。従来のスクリーン印刷法は簡便
なスペーサーの形成法ではあるが、細幅で、かつ数ｌＯ
ミクロン以上もの高さのスペーサーを形成するためには
、多数回の印刷を繰り返す必要がある。

多い場合には十回以上もの印刷の繰り返しが要求されて
いる。プラズマディスプレイパネルの大面積化、高解像
度化に伴いこのようなスクリーン印刷法によるスペーサ
ー製造は増々技術的に困難となり、かつコスト的にも不
利となってきている。

また、ホトレジストにスペーサーのネガパターンを形成
し、誘電体ペーストを充填する方法では、幅が狭く、あ
る程度以上の深さのある溝を形成することは困難である
。

このため、従来技術では幅１００μｍ、高さ５０μｍ程
度が限界である。

本発明の目的は基板上のホトレジスト層に従来よりも幅
が狭く、深さが深い溝を形成し、より高アスペクト比で
、かつ高精細のスペーサーを大面積に均一に実現するプ
ラズマディスプレイパネルのスペーサーの製造方法を提
供することにある。

〔課題を解決するための手段］ 前記目的を達成するため、本発明に係るプラズマディス
プレイパネルのスペーサーの製造方法においては、基板
上に少なくとも溝状のパターンを有したホトレジスト層
を形成し、該ホトレジスト層上にフィルム状のホトレジ
スト層を貼付する工程と、 ホトレジスト層に同一のパターン溝を形成する工程と、 前記２工程を少なくとも２回以上繰り返して前記ホトレ
ジスト層の溝に誘電体ペーストを充填する工程と、 前記充填された誘電体ペーストを乾燥する工程と、 前記ホトレジスト層を取り除く工程と、前記溝部に形成
されていた前記誘電体ペースト（ を焼成し、誘電体の構造物とする工程とを少なくとも含
むものである。

［作用］ 従来のプラズマディスプレイパネルのスペーサーの製造
方法は、基板上にドライフィルム等のホトレジスト層を
形成し、ホトリソグラフィ技術によりスペーサーとなる
パターンを形成し、この溝状に形成された部分にスペー
サーの原料となる誘電体ペーストを充填し、乾燥、ホト
レジスト層の除去、焼成により、スペーサーを製造する
ものであるが、通常のホトリソグラフィ技術では、プラ
ズマディスプレイパネルのスペーサー製造に要求される
ような、幅が狭く、深い溝を形成することは容易ではな
い。本発明では基板上のホトレジスト層にスペーサーの
ネガパターンの溝を形成した後、この上にフィルム状の
ホトレジスト層を貼付して、同一のパターンの溝を同一
の位置にこの貼付したフィルム状のホトレジスト層に形
成する工程を２回以上繰り返すものである。この繰り返
す工程によって１回あたりのホトリソグラフィで形成す
る溝の深さは、十分に溝の側面が切り立った形状になる
程度の深さにすることが可能となる。

これによって非常に深い溝でも幅が狭く、側面の切り立
った形状で溝を形成することができる。

〔実施例〕

次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。

第２図は本発明の一実施例の平面図である。第３図は第
２図のａ−ａ　’線断面図、第４図は第２図のｂ−ｂ　
’線断面図である。

図において、ガラスよりなる第１絶縁基板１に複数の列
電極２を例えばＩＴＯ，ＡＱ、　Ｎ　ｉ　、　Ａｇ等で
並列に形成し、列電極２上に第１絶縁層３を例えばガラ
ス厚膜やＡＱ、　Ｏ，薄膜で形成する。さらに第１絶縁
層３上に蛍光体４を形成する。一方、ガラスよりなる第
２絶縁基板８に前記列電極２に交叉する複数の行電極１
０を例えばＡＱ、　Ｎｉ、　Ａｇ等で並列に形成し、そ
の上に第２絶縁層７を例えばガラス厚膜やＡＱ、　Ｏ，
薄膜で形成する。さらに第１絶縁基板１と第２絶縁基板
８を相対向させ、所定の放電空ζ 間９を得るためのスペーサー５を形成し、第２絶縁層７
上に保護層６を例えばＭｇＯで形成する。プラズマディ
スプレイパネルは通常１００〜４００ｔｏｒｒ程度のガ
スを内部に封入する。絶縁基板１．８は大気圧を受けて
おり、十分な放電空間９を確保しながら、十分な強度を
もつスペーサー５とする必要がある。本実施例では高解
像度表示を目的として、スペーサー５の設計幅を０．０
８ｍｍとした。このスペーサー５の製造方法を第１図を
参照して説明する。

まず、第１図（ａ）に示すように、ガラスからなる第２
絶縁基板８上に複数の行電極１０を列電極２と交叉する
ように並列に形成し、その行電極ｌＯ上に第２絶縁層７
を形成する。なお、第２絶縁層７上に形成する保護層６
については図示省略しである。

次に第１図（ロ）に示すように、第２絶縁基板８の第２
絶縁層７上にフィルム状のホトレジストいわゆるドライ
フィルム１１を貼付する。

次いで第１図（ｃ）に示すように、ホトリソグラフィに
よりドライフィルム１１にスペーサー５のネガパターン
の溝１２を形成する。溝１２の幅は０．０８ｍｍである
。

第１図（ｃ）に示す工程で溝１２を形成したドライフィ
ルム１１上にさらにドライフィルム１１を貼付する（第
１図（６））。

第１図に）に示す工程で貼付したドライフィルム１１に
第１図（Ｃ）に示す工程で形成した溝１２と同一のパタ
ーンの溝を同一の位置にホトリソグラフィで形成する（
第１図（ｅ））。

この後必要に応じ、第１図＠と第１図（ｅ）に示す工程
を数回繰り返す。

第１図に）、（ｅ）に示す工程を繰り返し行い数回積層
したドライフィルム１１に形成した溝１２に、スペーサ
ー５の材料、例えばｐｂｏ粉末、　Ａｌ１，０．粉末、
バインダー、溶剤を混合したペーストを充填する。

そして、基板１ごと１００〜１５０℃程度で乾燥させる
（第１図Ｃｆ））。

最後に、第１図（２）に示すように、ドライフィルム１
１を薬液で除去し、５８０℃で焼成することによリスペ
ーサ−５を完成させる。なお、ドライフィルムＪ１の薬
液除去をせずに、５８０℃でスペーサー（ ５の焼成と同時にドライフィルム１１を焼き飛ばして除
去しても同じ結果が得られた。

以上のスペーサーの製造方法により非常にアスペクト比
が高く、断面がほぼ長方形の理想的なスペーサーを作る
ことができ、厚さ５０１１ｍのドライフィルムを４目積
層してホトリソグラフィにより、幅８０ｐｍ、高さ２０
０ｐ　ｍのダレのないスペーサーを作ることができた。

また、ホトリソグラフィによってパターンニングを行う
ため、大面積にわたって、高精度にスペーサーを作るこ
とができた。なお、本発明の方法はスペーサー形状に関
係なく、縞状や排日状等の種々のものにも適用可能であ
る。

〔発明の効果〕

本発明のスペーサーの製造方法により、非常にアスペク
ト比の高い、幅の狭いスペーサーを製造することができ
、高解像度で大面積なプラズマディスプレイパネルを作
成することが可能になった。

また、カラー表示のプラズマデイスプレィの場合におい
ても蛍光体へのダメージが少なく、かつクロストークや
色の滲みのない高精細なパネルの実（ 現に大きく寄与するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜■は本発明の一実施例を工程順に示す断
面図、第２図はプラズマデイスプレィの二側を示す平面
図、第３図は第２図のａ−ａ’線断面図、第４図は第２
図のｂ−ｂ　’線断面図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に少なくとも溝状のパターンを有したホト
   レジスト層を形成し、該ホトレジスト層上にフィルム状
   のホトレジスト層を貼付する工程と、ホトレジスト層に
   同一のパターン溝を形成する工程と、 前記２工程を少なくとも２回以上繰り返して前記ホトレ
   ジスト層の溝に誘電体ペーストを充填する工程と、 前記充填された誘電体ペーストを乾燥する工程と、 前記ホトレジスト層を取り除く工程と、 前記溝部に形成されていた前記誘電体ペーストを焼成し
   、誘電体の構造物とする工程とを少なくとも含むことを
   特徴とするプラズマディスプレイパネルのスペーサーの
   製造方法。