JPH03179630A - プラズマディスプレイパネルのスペーサーの製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネルのスペーサーの製造方法Info
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- JPH03179630A JPH03179630A JP31859789A JP31859789A JPH03179630A JP H03179630 A JPH03179630 A JP H03179630A JP 31859789 A JP31859789 A JP 31859789A JP 31859789 A JP31859789 A JP 31859789A JP H03179630 A JPH03179630 A JP H03179630A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は情報表示端末や平面型のテレビ等に利用される
プラズマデイスプレィに関し、特にプラズマディスプレ
イパネルの重要な構成部分であるスペーサーを高精細、
高アスペクト比に形成する製造方法に関する。
プラズマデイスプレィに関し、特にプラズマディスプレ
イパネルの重要な構成部分であるスペーサーを高精細、
高アスペクト比に形成する製造方法に関する。
（従来の技術１
プラズマディスプレイパネルは放電による可視光あるい
は紫外光の発生を利用して発光表示を行うものであるが
、放電表示画素の画定や放電ギャップを確保するための
スペーサーが必要である。
は紫外光の発生を利用して発光表示を行うものであるが
、放電表示画素の画定や放電ギャップを確保するための
スペーサーが必要である。
スペーサーの形状としては、格子状、縞状のものや、各
画素を画定する升目状のものがあり、通常誘電体ペース
トをスクリーン印刷し焼成することにより製造されてい
る。また基板上に形成したホトレジスト層にスペーサー
のネガパターンを形成してその溝に誘電体ペーストを充
填し乾燥した後、ホトレジスト層を除去して誘電体ペー
ストを焼成する方法がある。
画素を画定する升目状のものがあり、通常誘電体ペース
トをスクリーン印刷し焼成することにより製造されてい
る。また基板上に形成したホトレジスト層にスペーサー
のネガパターンを形成してその溝に誘電体ペーストを充
填し乾燥した後、ホトレジスト層を除去して誘電体ペー
ストを焼成する方法がある。
［発明が解決しようとする課題］
ところで、なるべく広い放電空間を確保したり、カラー
表示用パネルでの蛍光体劣化防止のために蛍光体塗布部
と強い放電領域との距離が必要である等の要請のために
、スペーサーとしてはなるべく幅が狭く、ある程度の高
さのある形状とすることがのぞましい。また、基板上に
形成されている放電電極等とも高い位置精度で目合わせ
される必要がある。従来のスクリーン印刷法は簡便なス
ペーサーの形成法ではあるが、細幅で、且つ数１０ミク
ロン以上もの高さのスペーサーを形成するためには多数
回の印刷を繰り返す必要がある。多い場合には十回以上
もの印刷の繰り返しが要求されている。プラズマディス
プレイパネルの大面積化。
表示用パネルでの蛍光体劣化防止のために蛍光体塗布部
と強い放電領域との距離が必要である等の要請のために
、スペーサーとしてはなるべく幅が狭く、ある程度の高
さのある形状とすることがのぞましい。また、基板上に
形成されている放電電極等とも高い位置精度で目合わせ
される必要がある。従来のスクリーン印刷法は簡便なス
ペーサーの形成法ではあるが、細幅で、且つ数１０ミク
ロン以上もの高さのスペーサーを形成するためには多数
回の印刷を繰り返す必要がある。多い場合には十回以上
もの印刷の繰り返しが要求されている。プラズマディス
プレイパネルの大面積化。
高解像度化に伴い、このようなスクリーン印刷によるス
ペーサー製造はスクリーンの変形等により大型化するほ
ど寸法精度が悪くなるため、ますます技術的に困難とな
り、且つコスト的にも不利となってきている。
ペーサー製造はスクリーンの変形等により大型化するほ
ど寸法精度が悪くなるため、ますます技術的に困難とな
り、且つコスト的にも不利となってきている。
ホトレジストにスペーサーのネガパターンを形成し誘電
体ペーストを充填して乾燥した後、ホトレジストを除去
し誘電体ペーストを焼成する方法は、原理的に高アスペ
クト比で高精細、且つ大面積にわたって高精度にスペー
サーを形成できる特徴を持っている。しかし、以下のよ
うな問題点がある。すなわち、誘電体ペーストを充填す
る際、従来はブレードを用いて誘電体ペーストを擦り込
んでいたが、誘電体ペーストを擦り込む際、溝の底に気
泡が入り焼成すると、スペーサー６の底部に第２図（ｃ
）のように窪み６ａができ、スペーサー６が崩れるとい
う現象が起き易い。これは特に溝の幅が狭く深さが深い
、すなわち高アスペクト比のスペーサーになるほど顕著
である。またブレードで擦り込む際、ホトレジストが剥
がれることも起きる。これは高アスペクト比や高精細の
スペーサーで起き易い。さらに誘電体ペーストを乾燥焼
成する際、ペースト中の溶剤等が気化し体積が減るため
、第２図６）のようにスペーサー６の中央部に窪み６ｂ
ができ、スペーサーの高さの減少、大きさのばらつき及
び強度の低下等の問題が生じる。これを防ぐためにペー
ストの充填と乾燥を繰り返す方法もあるが、大幅な工数
増となる。これらの欠点があるため、ホトレジストの溝
にＭｔ１体ペーストを埋め込んで焼成してスペーサーを
形成する方法は、優れた特徴を持っていながら実用化に
は至らなかった。
体ペーストを充填して乾燥した後、ホトレジストを除去
し誘電体ペーストを焼成する方法は、原理的に高アスペ
クト比で高精細、且つ大面積にわたって高精度にスペー
サーを形成できる特徴を持っている。しかし、以下のよ
うな問題点がある。すなわち、誘電体ペーストを充填す
る際、従来はブレードを用いて誘電体ペーストを擦り込
んでいたが、誘電体ペーストを擦り込む際、溝の底に気
泡が入り焼成すると、スペーサー６の底部に第２図（ｃ
）のように窪み６ａができ、スペーサー６が崩れるとい
う現象が起き易い。これは特に溝の幅が狭く深さが深い
、すなわち高アスペクト比のスペーサーになるほど顕著
である。またブレードで擦り込む際、ホトレジストが剥
がれることも起きる。これは高アスペクト比や高精細の
スペーサーで起き易い。さらに誘電体ペーストを乾燥焼
成する際、ペースト中の溶剤等が気化し体積が減るため
、第２図６）のようにスペーサー６の中央部に窪み６ｂ
ができ、スペーサーの高さの減少、大きさのばらつき及
び強度の低下等の問題が生じる。これを防ぐためにペー
ストの充填と乾燥を繰り返す方法もあるが、大幅な工数
増となる。これらの欠点があるため、ホトレジストの溝
にＭｔ１体ペーストを埋め込んで焼成してスペーサーを
形成する方法は、優れた特徴を持っていながら実用化に
は至らなかった。
本発明の目的はホトレジストの溝に誘電体ペーストを埋
め込んで焼成することによりスペーサーを形成する方法
において、上記欠点を克服しこの方法の優れた特性を生
かすプラズマディスプレイパネルのスペーサーの製造方
法を提供することにある。
め込んで焼成することによりスペーサーを形成する方法
において、上記欠点を克服しこの方法の優れた特性を生
かすプラズマディスプレイパネルのスペーサーの製造方
法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
前記目的を達成するため、本発明に係るプラズマディス
プレイパネルのスペーサーの製造方法においては、基板
上に少なくとも溝状のパターンを備えたホトレジスト層
を形成する工程と、前記ホトレジスト層の溝に誘電体粉
末を充填する工程と、前記基板を焼成することにより、
ホトレジスト層の除去を行うとともに、誘電体粉末の焼
成を行う工程とを少なくとも含むものである。
プレイパネルのスペーサーの製造方法においては、基板
上に少なくとも溝状のパターンを備えたホトレジスト層
を形成する工程と、前記ホトレジスト層の溝に誘電体粉
末を充填する工程と、前記基板を焼成することにより、
ホトレジスト層の除去を行うとともに、誘電体粉末の焼
成を行う工程とを少なくとも含むものである。
［作用］
本発明のプラズマディスプレイパネルのスペーサーの製
造方法では、第１図（ロ）に示すように基板上にドライ
フィルム等のホトレジスト層４を形成し、ホトリソグラ
フィー技術によりスペーサーのネガパターンの溝４ａを
形成する。第１図■に示すように、このホトレジスト層
４の溝４ａにスペーサーの材料となる誘電体粉末５を充
填し、第１図（ｅ）に示すように基板を焼成しホトレジ
スト層４を除去するとともに誘電体粉末５を焼成してス
ペーサー６とするものである。誘電体粉末はガラス粉末
に適当なフィラーを混入したものである。ホトレジスト
層の溝に充填するスペーサーの材料は従来のペーストと
違って粉末であるため、溝の底に気泡が溜ることはない
。また溶剤を使用しないため、乾燥、焼成の段階で体積
の減少は生ぜず、第２図（ａ）のようにスペーサー６の
中央部に窪みができることはない。更に誘電体粉末の充
填は、予め基板上に誘電体粉末を散布し若干の振動を与
えることにより行い、ホトレジスト層上に付着した誘電
体粉末は軽く拭き取ることにより除去する。従って、誘
電体粉末充填時におけるホトレジストの剥離は発生しな
い。もちろん、従来のペーストを充填する方法の高アス
ペクト比で高精度のスペーサーを作れるという長所はそ
のままであることは言うまでもない。
造方法では、第１図（ロ）に示すように基板上にドライ
フィルム等のホトレジスト層４を形成し、ホトリソグラ
フィー技術によりスペーサーのネガパターンの溝４ａを
形成する。第１図■に示すように、このホトレジスト層
４の溝４ａにスペーサーの材料となる誘電体粉末５を充
填し、第１図（ｅ）に示すように基板を焼成しホトレジ
スト層４を除去するとともに誘電体粉末５を焼成してス
ペーサー６とするものである。誘電体粉末はガラス粉末
に適当なフィラーを混入したものである。ホトレジスト
層の溝に充填するスペーサーの材料は従来のペーストと
違って粉末であるため、溝の底に気泡が溜ることはない
。また溶剤を使用しないため、乾燥、焼成の段階で体積
の減少は生ぜず、第２図（ａ）のようにスペーサー６の
中央部に窪みができることはない。更に誘電体粉末の充
填は、予め基板上に誘電体粉末を散布し若干の振動を与
えることにより行い、ホトレジスト層上に付着した誘電
体粉末は軽く拭き取ることにより除去する。従って、誘
電体粉末充填時におけるホトレジストの剥離は発生しな
い。もちろん、従来のペーストを充填する方法の高アス
ペクト比で高精度のスペーサーを作れるという長所はそ
のままであることは言うまでもない。
次に本発明を図面を参照して説明する。
第４図はＡＣ型面放電プラズマディスプレイパネルの平
面図である。
面図である。
図において、スペーサー１７によって放電セルが升目状
に形成されている。スペーサー１７に重なるように列電
極１６と行電極１８が形成されている。第３図は第４図
のａ−ａ ’線断面図である。第２絶縁基板１４上に行
電極１３が例えばＡＱ、 Ａｇ、 Ｎｉ等で形成され、
この上を第２絶縁層１２により被覆する。第２絶縁層１
２の材料は例えば鉛ガラスで、厚さは例えばｉｏｐｍで
ある。この上にスペーサーｌＯを形成し、この間が放電
空間１５となる。第２絶縁層１２上には保護層１１をＭ
ｇＯでｌｐｍ形成する。第１絶縁基板７上には列電極１
６（第４図参照）を例えばＩＴＯで形状する。この上を
第１絶縁層８により被覆する。材料は例えば第２絶縁層
１２と同じでよい。この上に放電セルの形に合わせて蛍
光体９を形成する。第１絶縁基板７と第２絶縁基板１４
を相対向させ気密封止し内部に例えばＨｅを母ガスとし
てＸｅを２％混合した混合ガスを例えば２００ Ｔｏｒ
ｒ封入する。パネルは大気圧を受けるので、スペーサー
１０は十分な強度を要求される。また十分な光量を得る
ためには放電空間１５は広い方が好ましく、従ってスペ
ーサー１０は幅が狭い方がよい。更に、放電は行電極１
３の間で保護層１１に沿って面放電となるので、寿命の
点から蛍光体９はなるべく放電から離す必要がある。す
なわち、スペーサーの高さは高い方がよ＜ ２００ｐ
ｍ程度必要である。
に形成されている。スペーサー１７に重なるように列電
極１６と行電極１８が形成されている。第３図は第４図
のａ−ａ ’線断面図である。第２絶縁基板１４上に行
電極１３が例えばＡＱ、 Ａｇ、 Ｎｉ等で形成され、
この上を第２絶縁層１２により被覆する。第２絶縁層１
２の材料は例えば鉛ガラスで、厚さは例えばｉｏｐｍで
ある。この上にスペーサーｌＯを形成し、この間が放電
空間１５となる。第２絶縁層１２上には保護層１１をＭ
ｇＯでｌｐｍ形成する。第１絶縁基板７上には列電極１
６（第４図参照）を例えばＩＴＯで形状する。この上を
第１絶縁層８により被覆する。材料は例えば第２絶縁層
１２と同じでよい。この上に放電セルの形に合わせて蛍
光体９を形成する。第１絶縁基板７と第２絶縁基板１４
を相対向させ気密封止し内部に例えばＨｅを母ガスとし
てＸｅを２％混合した混合ガスを例えば２００ Ｔｏｒ
ｒ封入する。パネルは大気圧を受けるので、スペーサー
１０は十分な強度を要求される。また十分な光量を得る
ためには放電空間１５は広い方が好ましく、従ってスペ
ーサー１０は幅が狭い方がよい。更に、放電は行電極１
３の間で保護層１１に沿って面放電となるので、寿命の
点から蛍光体９はなるべく放電から離す必要がある。す
なわち、スペーサーの高さは高い方がよ＜ ２００ｐ
ｍ程度必要である。
次に本発明のスペーサーの製造方法を第１図（ａ）〜（
ロ）を参照して説明する。
ロ）を参照して説明する。
第１図（ａ）に示すように第２絶縁基板３上に行電極１
を形成し、その表面全体に第２絶縁層２を形成する。
を形成し、その表面全体に第２絶縁層２を形成する。
次に第１図（ロ）に示すように第２絶縁基板３にホトレ
ジスト層４としてのドライフィルムを貼付する。
ジスト層４としてのドライフィルムを貼付する。
その後、第１図（ｃ）に示すように、ホトリソグラフィ
ーによりドライフィルム４にスペーサーのネガパターン
としての溝４ａを形成する。
ーによりドライフィルム４にスペーサーのネガパターン
としての溝４ａを形成する。
さらに、第１図（ｄ）に示すように、ドライフィルム４
の溝４ａにスペーサーの材料となる誘電体粉末５を充填
する。誘電体粉末５は例えば低融点鉛ガラス粉末にフィ
ラーとしてアルミナ粉末を混合したものを用いる。誘電
体粉末の充填は基板上に誘電体粉末を散布し適当な振動
を与えることによりこれを溝４ａ内に充填する。誘電体
粉末の充填後、ドライフィルム４上に残った誘電体粉末
は軽く拭くことによって除去する。
の溝４ａにスペーサーの材料となる誘電体粉末５を充填
する。誘電体粉末５は例えば低融点鉛ガラス粉末にフィ
ラーとしてアルミナ粉末を混合したものを用いる。誘電
体粉末の充填は基板上に誘電体粉末を散布し適当な振動
を与えることによりこれを溝４ａ内に充填する。誘電体
粉末の充填後、ドライフィルム４上に残った誘電体粉末
は軽く拭くことによって除去する。
最後に第１図（ｅ）に示すように、誘電体粉末５を充填
した基板を５８０℃で焼成する。これによりドライフィ
ルム４の除去と誘電体粉末５の焼成を同時に行う。
した基板を５８０℃で焼成する。これによりドライフィ
ルム４の除去と誘電体粉末５の焼成を同時に行う。
以上本発明のスペーサーの製造方法を説明したが、これ
により第２図（ａ）のような理想的な長方形の断面の形
状のスペーサー６が形成できた。
により第２図（ａ）のような理想的な長方形の断面の形
状のスペーサー６が形成できた。
なお、本実施例では第２絶縁基板にスペーサーを形成し
たが、ｉｌ絶縁基板にスペーサーを形成する場合でも同
様の工程を経ることにより製造することができた。また
、本発明の方法はスペーサーの形状に関係なく、縞状、
格子状等の種々のものに適用できる。
たが、ｉｌ絶縁基板にスペーサーを形成する場合でも同
様の工程を経ることにより製造することができた。また
、本発明の方法はスペーサーの形状に関係なく、縞状、
格子状等の種々のものに適用できる。
【発明の効果］
本発明のスペーサーの製造方法により、アスペクト比が
高い、幅の狭いスペーサーの製造を理想的な長方形の断
面形状に、かつ容易に行うことができた。これは優れた
特徴を持つスペーサーの製造方法、すなわちレジストフ
ィルムに溝を切り絶縁物を埋め込んで焼成する方法の実
用化に大きく寄与するものである。これが大画面高精細
のプラズマディスプレイパネルの実現にも大きく寄与す
ることは言うまでもない。
高い、幅の狭いスペーサーの製造を理想的な長方形の断
面形状に、かつ容易に行うことができた。これは優れた
特徴を持つスペーサーの製造方法、すなわちレジストフ
ィルムに溝を切り絶縁物を埋め込んで焼成する方法の実
用化に大きく寄与するものである。これが大画面高精細
のプラズマディスプレイパネルの実現にも大きく寄与す
ることは言うまでもない。
第１図（ａ）、（ロ）、 （Ｃ） 、 （ｄ）、 （ｅ
）は本発明のプラズマディスプレイパネルのスペーサー
の製造方法の工程図、第２図（ａ）、（ロ）、（Ｃ）は
プラズマディスプレイパネルのスペーサーの断面形状を
示す図、第３図はＡＣ面放電型プラズマディスプレイパ
ネルを示す第４図のａ−ａ ′線断面図、第４図はＡＣ
型プラズマディスプレイパネルを示す平面図である。 ｌ・・・行電極 ２・・・第２絶縁層３
・・・第２絶縁基板
）は本発明のプラズマディスプレイパネルのスペーサー
の製造方法の工程図、第２図（ａ）、（ロ）、（Ｃ）は
プラズマディスプレイパネルのスペーサーの断面形状を
示す図、第３図はＡＣ面放電型プラズマディスプレイパ
ネルを示す第４図のａ−ａ ′線断面図、第４図はＡＣ
型プラズマディスプレイパネルを示す平面図である。 ｌ・・・行電極 ２・・・第２絶縁層３
・・・第２絶縁基板
Claims (1)
- （１）基板上に少なくとも溝状のパターンを備えたホト
レジスト層を形成する工程と、前記ホトレジスト層の溝
に誘電体粉末を充填する工程と、前記基板を焼成するこ
とにより、ホトレジスト層の除去を行うとともに、誘電
体粉末の焼成を行う工程とを少なくとも含むことを特徴
とするプラズマディスプレイパネルのスペーサーの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31859789A JPH03179630A (ja) | 1989-12-07 | 1989-12-07 | プラズマディスプレイパネルのスペーサーの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31859789A JPH03179630A (ja) | 1989-12-07 | 1989-12-07 | プラズマディスプレイパネルのスペーサーの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03179630A true JPH03179630A (ja) | 1991-08-05 |
Family
ID=18100917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31859789A Pending JPH03179630A (ja) | 1989-12-07 | 1989-12-07 | プラズマディスプレイパネルのスペーサーの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03179630A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5492234A (en) * | 1994-10-13 | 1996-02-20 | Micron Technology, Inc. | Method for fabricating spacer support structures useful in flat panel displays |
| US5705079A (en) * | 1996-01-19 | 1998-01-06 | Micron Display Technology, Inc. | Method for forming spacers in flat panel displays using photo-etching |
| US5716251A (en) * | 1995-09-15 | 1998-02-10 | Micron Display Technology, Inc. | Sacrificial spacers for large area displays |
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-
1989
- 1989-12-07 JP JP31859789A patent/JPH03179630A/ja active Pending
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