JP2918524B2 - プラズマディスプレイパネル保護層およびその形成方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネル保護層およびその形成方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、 ＰＤＰ(プラズマ
ディスプレイパネル)保護層およびその形成方法に関す
る。より詳細には、本発明は、ＰＤＰ基板の表面上に優
れた保護層を形成し得るＰＤＰ保護層およびその形成方
法に関する。
ディスプレイパネル)保護層およびその形成方法に関す
る。より詳細には、本発明は、ＰＤＰ基板の表面上に優
れた保護層を形成し得るＰＤＰ保護層およびその形成方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１は一般的なＰＤＰの断面構造を示
す。図１に示すように、ＰＤＰは以下を包含する：前面
ガラス基板１の同一表面上に形成された一対の上部電極
４を有する上部構造；上部電極４上にプリンティング法
で形成された誘電体層２；誘電体層２上に蒸着された薄
膜層３（本明細書中の以下で保護層という）；背面ガラ
ス基板１１上に形成された下部電極１２を有する下部構
造；下部電極１２間に隣接するセル中の誤放電(mis-dis
charge)を防止するために形成されたバリアリブ６；お
よびバリアリブ６と下部電極１２とのまわりに形成され
た発光体８、９、および１０；ならびに不活性ガスを注
入することにより上部構造と下部構造との間の空間に形
成された、放電領域５。
す。図１に示すように、ＰＤＰは以下を包含する：前面
ガラス基板１の同一表面上に形成された一対の上部電極
４を有する上部構造；上部電極４上にプリンティング法
で形成された誘電体層２；誘電体層２上に蒸着された薄
膜層３（本明細書中の以下で保護層という）；背面ガラ
ス基板１１上に形成された下部電極１２を有する下部構
造；下部電極１２間に隣接するセル中の誤放電(mis-dis
charge)を防止するために形成されたバリアリブ６；お
よびバリアリブ６と下部電極１２とのまわりに形成され
た発光体８、９、および１０；ならびに不活性ガスを注
入することにより上部構造と下部構造との間の空間に形
成された、放電領域５。
【０００３】下部電極１２は、「データ電極」と呼ば
れ、これに画像データが転送される。上部電極４は、セ
ル内に供給された画像データを放電させる走査電極と、
セルの放電を持続させる維持電極とを含む、「表示電
極」と呼ばれる。
れ、これに画像データが転送される。上部電極４は、セ
ル内に供給された画像データを放電させる走査電極と、
セルの放電を持続させる維持電極とを含む、「表示電
極」と呼ばれる。
【０００４】上記のように構成されたＰＤＰは、高速で
信号を表示し得、かつ大きなサイズで製造され得るの
で、平板表示デバイスとして広範に用いられる。
信号を表示し得、かつ大きなサイズで製造され得るの
で、平板表示デバイスとして広範に用いられる。
【０００５】図１を参照すると、下部電極１２に画像デ
ータが転送され、そして上部電極の走査電極に放電信号
が供給されると、上部電極と下部電極との間の放電空間
で駆動電圧が印加され、誘電体層２および保護層３の表
面上の放電領域５内で表面放電が生じる。このような表
面放電は、信号が入力される間、紫外線照射を生じる。
ータが転送され、そして上部電極の走査電極に放電信号
が供給されると、上部電極と下部電極との間の放電空間
で駆動電圧が印加され、誘電体層２および保護層３の表
面上の放電領域５内で表面放電が生じる。このような表
面放電は、信号が入力される間、紫外線照射を生じる。
【０００６】紫外線照射が信号を表示するための充分に
長い時間では終わらないので、下部電極１２を通る画像
データの入力のない間、上部電極４の走査電極および維
持電極によりそれぞれ印加される放電信号および維持信
号は、表示のための余分の放電時間を提供する。
長い時間では終わらないので、下部電極１２を通る画像
データの入力のない間、上部電極４の走査電極および維
持電極によりそれぞれ印加される放電信号および維持信
号は、表示のための余分の放電時間を提供する。
【０００７】紫外線７は、発光体８、９、および１０を
励起させ、カラー信号を表示する。
励起させ、カラー信号を表示する。
【０００８】放電セル内の電子は、印加された駆動電圧
により、主に不活性混合ガス（すなわちＨｅおよびさら
なるＸｅ、Ｎｅ、または他のガス）からなるペニング(p
enning)混合ガスと衝突して、陰（−）電極へ向かって
加速される。このように励起された不活性ガスは、１４
７nmの波長を有する紫外線７を生じる。紫外線７が、下
部電極１２およびバリアリブ６を囲んでいる発光体８、
９、１０と衝突して、紫外線スペクトル領域の光を生じ
る。
により、主に不活性混合ガス（すなわちＨｅおよびさら
なるＸｅ、Ｎｅ、または他のガス）からなるペニング(p
enning)混合ガスと衝突して、陰（−）電極へ向かって
加速される。このように励起された不活性ガスは、１４
７nmの波長を有する紫外線７を生じる。紫外線７が、下
部電極１２およびバリアリブ６を囲んでいる発光体８、
９、１０と衝突して、紫外線スペクトル領域の光を生じ
る。
【０００９】ＰＤＰは、放電の間の２次的な照射により
引き起こされるスパッタリング効果から誘電体層２を保
護するために、誘電体層の全表面に保護層３を有するべ
きであり、保護層３は一般に酸化マグネシウム（本明細
書中の以下で、ＭｇＯという）からなる透明層である。
保護層３は、セルの誘電体層２を保護して、パネルの寿
命を延長し、そして駆動電圧を低減する。
引き起こされるスパッタリング効果から誘電体層２を保
護するために、誘電体層の全表面に保護層３を有するべ
きであり、保護層３は一般に酸化マグネシウム（本明細
書中の以下で、ＭｇＯという）からなる透明層である。
保護層３は、セルの誘電体層２を保護して、パネルの寿
命を延長し、そして駆動電圧を低減する。
【００１０】保護層３を形成する従来の方法は、SID 94
DIGEST （323-326頁、Amanoによる）に開示される。
ここでは、 ＭｇＯペーストを溶媒中のＭｇＯ粉末混合
物から調製し、スクリーンプリンティングして、２μｍ
の厚さのＭｇＯ保護層を形成し、そして５００℃で加熱
する。
DIGEST （323-326頁、Amanoによる）に開示される。
ここでは、 ＭｇＯペーストを溶媒中のＭｇＯ粉末混合
物から調製し、スクリーンプリンティングして、２μｍ
の厚さのＭｇＯ保護層を形成し、そして５００℃で加熱
する。
【００１１】このようなスクリーンプリンティングは、
低コストの材料で行われ、かつ代替の新技術として有用
である。ＡＣＰＤＰのガラス基板上にＭｇＯを蒸着する
ことは適用可能である。しかし、ＰＤＰの特性によりＭ
ｇＯの厚い層を蒸着することが難しいので、これは不適
切な方法である。
低コストの材料で行われ、かつ代替の新技術として有用
である。ＡＣＰＤＰのガラス基板上にＭｇＯを蒸着する
ことは適用可能である。しかし、ＰＤＰの特性によりＭ
ｇＯの厚い層を蒸着することが難しいので、これは不適
切な方法である。
【００１２】欧州特許第984002015号に開示されるよう
に、数百ナノメータの厚さを有するＭｇＯ保護層を、真
空法でコーティングし得る。真空法は、電子線スパッタ
リングおよび高周波スパッタリングであり、これらは真
空および熱処理などの複雑なプロセスに起因して費用が
かかり、かつ生産性において非効率的である。さらに、
真空法に関する他の制限があり、これは焼成電圧を低下
させること、およびスパッタリングの間にデバイスの寿
命を延長するためにイオン衝突を防止することを包含す
る。
に、数百ナノメータの厚さを有するＭｇＯ保護層を、真
空法でコーティングし得る。真空法は、電子線スパッタ
リングおよび高周波スパッタリングであり、これらは真
空および熱処理などの複雑なプロセスに起因して費用が
かかり、かつ生産性において非効率的である。さらに、
真空法に関する他の制限があり、これは焼成電圧を低下
させること、およびスパッタリングの間にデバイスの寿
命を延長するためにイオン衝突を防止することを包含す
る。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、関連技術に
おける制限および不利な点に起因する問題を実質的にな
くす、ＰＤＰ保護層およびその形成方法に関する。
おける制限および不利な点に起因する問題を実質的にな
くす、ＰＤＰ保護層およびその形成方法に関する。
【００１４】本発明の目的は、ＭｇＯ保護層形成のため
のペーストを調製することおよびＭｇ含有溶液を使用す
ることによって、保護層がより簡便にコーティングされ
得る、ＰＤＰ保護層およびその形成方法を提供すること
である。
のペーストを調製することおよびＭｇ含有溶液を使用す
ることによって、保護層がより簡便にコーティングされ
得る、ＰＤＰ保護層およびその形成方法を提供すること
である。
【００１５】本発明のさらなる特徴および利点は、明細
書の以下に記載され、そして明細書から部分的に明らか
になるか、あるいは本発明の実施により習得され得る。
本発明の目的および他の利点は、記載された明細書およ
びその請求の範囲、ならびに添付の図面において特に指
摘された構造により、理解されかつ達成される。
書の以下に記載され、そして明細書から部分的に明らか
になるか、あるいは本発明の実施により習得され得る。
本発明の目的および他の利点は、記載された明細書およ
びその請求の範囲、ならびに添付の図面において特に指
摘された構造により、理解されかつ達成される。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上部電極、下
部電極、およびバリアリブを有するプラズマディスプレ
イパネルの保護層を形成する方法であって、上部電極上
に誘電体層を形成する工程と、プリンティングまたはス
ピンコーティングを用いて、誘電体層上にＭｇＯ溶液の
保護層を形成する工程とを包含し、ＭｇＯ溶液が、Ｍｇ
含有塩、酢酸、エチルアルコール、および硝酸の混合物
である、方法に関する。
部電極、およびバリアリブを有するプラズマディスプレ
イパネルの保護層を形成する方法であって、上部電極上
に誘電体層を形成する工程と、プリンティングまたはス
ピンコーティングを用いて、誘電体層上にＭｇＯ溶液の
保護層を形成する工程とを包含し、ＭｇＯ溶液が、Ｍｇ
含有塩、酢酸、エチルアルコール、および硝酸の混合物
である、方法に関する。
【００１７】好適な実施態様では、上記保護層が、スプ
レー工程または浸漬工程によって形成され得る。
レー工程または浸漬工程によって形成され得る。
【００１８】
【００１９】１つの実施態様では、上記Ｍｇ含有塩が、
約１重量％〜１０重量％の割合で添加される。上記Ｍｇ
含有塩は、Ｍｇ（ＮＯ 3 ）、ＭｇＣｌ 2 、およびＭｇ（Ｃ
Ｈ 3 ＣＯＯ） 2 等から構成される。
約１重量％〜１０重量％の割合で添加される。上記Ｍｇ
含有塩は、Ｍｇ（ＮＯ 3 ）、ＭｇＣｌ 2 、およびＭｇ（Ｃ
Ｈ 3 ＣＯＯ） 2 等から構成される。
【００２０】１つの実施態様では、上記酢酸が、約１重
量％〜１０重量％の割合で添加される。
量％〜１０重量％の割合で添加される。
【００２１】１つの実施態様では、上記エチルアルコー
ルが、約８０重量％〜９５重量％の割合で添加される。
ルが、約８０重量％〜９５重量％の割合で添加される。
【００２２】１つの実施態様では、上記硝酸が、約１重
量％〜５重量％の割合で添加される。
量％〜５重量％の割合で添加される。
【００２３】本発明はまた、プラズマディスプレイパネ
ル用の基板上にＭｇＯ薄膜を形成するためのペースト中
で、ＭｇＯ粒子、Ｍｇ含有塩、および有機バインダーか
らなる、プラズマディスプレイパネル用のＭｇＯ保護層
であって、有機バインダーが、エタノール、アセトン、
またはメチルエチルケトンからなる群から選択される少
なくとも２つの材料である、保護層に関する。
ル用の基板上にＭｇＯ薄膜を形成するためのペースト中
で、ＭｇＯ粒子、Ｍｇ含有塩、および有機バインダーか
らなる、プラズマディスプレイパネル用のＭｇＯ保護層
であって、有機バインダーが、エタノール、アセトン、
またはメチルエチルケトンからなる群から選択される少
なくとも２つの材料である、保護層に関する。
【００２４】好適な実施態様では、上記ＭｇＯ粒子のサ
イズが、０．１μｍ〜０．５μｍである。
イズが、０．１μｍ〜０．５μｍである。
【００２５】好適な実施態様では、上記Ｍｇ含有塩が、
Ｍｇ（ＮＯ３）２、ＭｇＣｌ２、およびＭｇ（ＣＨ３Ｃ
ＯＯ）２である。
Ｍｇ（ＮＯ３）２、ＭｇＣｌ２、およびＭｇ（ＣＨ３Ｃ
ＯＯ）２である。
【００２６】
【００２７】好適な実施態様では、１００重量％の上記
ペーストが、０．０１重量％〜０．２重量％のＭｇＯ粒
子、０．３５重量％〜７．０重量％のＭｇ含有塩、およ
び残りの有機バインダーからなる。
ペーストが、０．０１重量％〜０．２重量％のＭｇＯ粒
子、０．３５重量％〜７．０重量％のＭｇ含有塩、およ
び残りの有機バインダーからなる。
【００２８】本発明はまた、プラズマディスプレイパネ
ル基板の表面上にＭｇＯパシベーションを形成するため
のプラズマディスプレイパネル保護層を形成する方法で
あって、ＭｇＯ粒子、Ｍｇ含有塩、および有機バインダ
ーを混合することによりペーストを調製する工程と、ペ
ーストを基板の表面上にコーティングする工程と、コー
ティングされた基板を焼成する工程とを包含する方法に
関する。
ル基板の表面上にＭｇＯパシベーションを形成するため
のプラズマディスプレイパネル保護層を形成する方法で
あって、ＭｇＯ粒子、Ｍｇ含有塩、および有機バインダ
ーを混合することによりペーストを調製する工程と、ペ
ーストを基板の表面上にコーティングする工程と、コー
ティングされた基板を焼成する工程とを包含する方法に
関する。
【００２９】好適な実施態様では、１００重量％の上記
ペーストが、０．０１重量％〜０．２重量％の割合の
０．２μｍ〜０．４μｍのサイズを有するＭｇＯ粒子
と、０．３５重量％〜７．０重量％のＭｇ含有塩と、残
りの有機バインダーとからなる。
ペーストが、０．０１重量％〜０．２重量％の割合の
０．２μｍ〜０．４μｍのサイズを有するＭｇＯ粒子
と、０．３５重量％〜７．０重量％のＭｇ含有塩と、残
りの有機バインダーとからなる。
【００３０】好適な実施態様では、上記焼成が、４００
℃〜５００℃の温度で５分〜２０分間行われる。
℃〜５００℃の温度で５分〜２０分間行われる。
【００３１】本発明はまた、ＭｇＯ保護層からなる基板
表面上に形成されたＭｇＯ保護層を有するプラズマディ
スプレイパネルであって、該ＭｇＯの粒子サイズが、
０．１μｍ〜０．５μｍである、プラズマディスプレイ
パネルに関する。
表面上に形成されたＭｇＯ保護層を有するプラズマディ
スプレイパネルであって、該ＭｇＯの粒子サイズが、
０．１μｍ〜０．５μｍである、プラズマディスプレイ
パネルに関する。
【００３２】
【発明の実施の形態】本発明のこれらおよび他の利点を
達成するために、ならびに本発明の目的に関して、具体
化しそして広範に記載したように、上部電極、下部電
極、およびバリアリブを有するＰＤＰ保護層の形成方法
は、以下の工程を包含する：上部電極上に誘電体層を形
成する工程；プリンティングまたはスピンコーティング
を用いて、誘電体層上にＭｇＯ溶液の保護層を形成する
工程。
達成するために、ならびに本発明の目的に関して、具体
化しそして広範に記載したように、上部電極、下部電
極、およびバリアリブを有するＰＤＰ保護層の形成方法
は、以下の工程を包含する：上部電極上に誘電体層を形
成する工程；プリンティングまたはスピンコーティング
を用いて、誘電体層上にＭｇＯ溶液の保護層を形成する
工程。
【００３３】ＰＤＰの基板の表面上にＭｇＯパシベーシ
ョンを形成するためのＰＤＰ保護層を形成する方法は、
以下の工程を包含する：ＭｇＯ粒子、Ｍｇ含有塩、およ
び有機バインダーを混合することによりペーストを調製
する工程；ペーストを基板の表面上にコーティングする
工程；コーティングされた基板を焼成する工程。
ョンを形成するためのＰＤＰ保護層を形成する方法は、
以下の工程を包含する：ＭｇＯ粒子、Ｍｇ含有塩、およ
び有機バインダーを混合することによりペーストを調製
する工程；ペーストを基板の表面上にコーティングする
工程；コーティングされた基板を焼成する工程。
【００３４】ＰＤＰ用の基板上にＭｇＯ薄膜を形成する
ためのペースト中で、ＰＤＰ用のＭｇＯ保護層は、Ｍｇ
Ｏ粒子、Ｍｇ含有塩、および有機バインダーからなる。
ためのペースト中で、ＰＤＰ用のＭｇＯ保護層は、Ｍｇ
Ｏ粒子、Ｍｇ含有塩、および有機バインダーからなる。
【００３５】上述の一般的記載および以下の詳細な説明
の両方は、例示および説明のためのものであり、クレー
ムされた本発明のさらなる説明を提供することが意図さ
れる。
の両方は、例示および説明のためのものであり、クレー
ムされた本発明のさらなる説明を提供することが意図さ
れる。
【００３６】
【実施例】ここで、本発明の好ましい実施態様の詳細に
わたって参照する。それらの例は、添付の図面に例示さ
れる。
わたって参照する。それらの例は、添付の図面に例示さ
れる。
【００３７】本発明によれば、保護層３は、透明なＭｇ
Ｏ粒子、Ｍｇ含有塩、および有機バインダーからなるＭ
ｇＯ保護層を形成するためのマイクロペースト(micro-p
aste)から作製される。
Ｏ粒子、Ｍｇ含有塩、および有機バインダーからなるＭ
ｇＯ保護層を形成するためのマイクロペースト(micro-p
aste)から作製される。
【００３８】最初に、上部絶縁基板上１に走査電極およ
び維持電極と呼ばれる一対の上部電極４を形成する。上
部電極４には、代表的に、蒸着された酸化インジウム層
または酸化スズ層のいずれかからなる透明ＩＴＯ（イン
ジウムスズオキシド）電極を使用する。
び維持電極と呼ばれる一対の上部電極４を形成する。上
部電極４には、代表的に、蒸着された酸化インジウム層
または酸化スズ層のいずれかからなる透明ＩＴＯ（イン
ジウムスズオキシド）電極を使用する。
【００３９】完成されたセルにおいて放電の間に起こり
得る上部電極４の電流を制限するために、主に酸化鉛を
含む誘電体物質のペーストをプリントして誘電体層を形
成し、その後、乾燥および焼成する。
得る上部電極４の電流を制限するために、主に酸化鉛を
含む誘電体物質のペーストをプリントして誘電体層を形
成し、その後、乾燥および焼成する。
【００４０】次いで、上部電極４の放電の間にスパッタ
リングから誘電体層が損傷されることを防ぐために、Ｍ
ｇＯ溶液を用いて保護層３を形成する。
リングから誘電体層が損傷されることを防ぐために、Ｍ
ｇＯ溶液を用いて保護層３を形成する。
【００４１】ＭｇＯ溶液を調製するために、最初に特定
のＭｇ含有塩と、アルコール、酢酸(ＣＨ3ＣＯＯＨ)、
エチルアルコール(Ｃ2Ｈ5ＯＨ)などの中性物質とを混合
して、希釈溶液を作製する。溶液に含まれる粒子を、超
音波の作用で溶解させ、希釈溶液を硝酸と混合する。溶
液中の粒子を完全に溶解させないべきであり、かつ粒子
のサイズは、好ましくは０．０１μｍ〜０．５μｍの範
囲にあることに留意するべきである。
のＭｇ含有塩と、アルコール、酢酸(ＣＨ3ＣＯＯＨ)、
エチルアルコール(Ｃ2Ｈ5ＯＨ)などの中性物質とを混合
して、希釈溶液を作製する。溶液に含まれる粒子を、超
音波の作用で溶解させ、希釈溶液を硝酸と混合する。溶
液中の粒子を完全に溶解させないべきであり、かつ粒子
のサイズは、好ましくは０．０１μｍ〜０．５μｍの範
囲にあることに留意するべきである。
【００４２】ＭｇＯ溶液は、１重量％〜１０重量％のマ
グネシウム含有塩、１重量％〜１０重量％の酢酸、８０
重量％〜９５重量％のエチルアルコール、および１重量
％〜１０重量％の硝酸からなる。このように調製された
ＭｇＯ溶液を、スピンコーティング法またはプリンティ
ング法のいずれかによりコーティングする。
グネシウム含有塩、１重量％〜１０重量％の酢酸、８０
重量％〜９５重量％のエチルアルコール、および１重量
％〜１０重量％の硝酸からなる。このように調製された
ＭｇＯ溶液を、スピンコーティング法またはプリンティ
ング法のいずれかによりコーティングする。
【００４３】下部絶縁基板上に下部電極を形成し、そし
てプリンティング法を用いることにより絶縁ペーストを
コーティングして、放電セルを形成するバリアリブを形
成する。
てプリンティング法を用いることにより絶縁ペーストを
コーティングして、放電セルを形成するバリアリブを形
成する。
【００４４】セル内の放電領域には発光体が配列され
る。上部絶縁基板および下部絶縁基板をフリットガラス
(flit glass)を用いて結合させ、続いて内部に放電ガス
を導入して完璧に密封する。
る。上部絶縁基板および下部絶縁基板をフリットガラス
(flit glass)を用いて結合させ、続いて内部に放電ガス
を導入して完璧に密封する。
【００４５】以下の記載は、本発明のＭｇＯ溶液に関連
する物質の混合プロセスに関する。
する物質の混合プロセスに関する。
【００４６】ＭｇＯ溶液形成用のマイクロペーストは、
ＭｇＯ粒子を０．０１重量％〜０．２重量％、好ましく
は０．０３重量％〜０．１５重量％、最も好ましくは
０．０４重量％〜０．１重量％の割合で含む。 ＭｇＯ
粒子のサイズは、０．１μｍ〜０．５μｍであり、最も
好ましくは０．２μｍ〜０．４μｍである。
ＭｇＯ粒子を０．０１重量％〜０．２重量％、好ましく
は０．０３重量％〜０．１５重量％、最も好ましくは
０．０４重量％〜０．１重量％の割合で含む。 ＭｇＯ
粒子のサイズは、０．１μｍ〜０．５μｍであり、最も
好ましくは０．２μｍ〜０．４μｍである。
【００４７】Ｍｇ含有塩は、０．３５重量％〜７．０重
量％、好ましくは１．５重量％〜５．０重量％、最も好
ましくは２．０重量％〜４．０重量％の割合のＭｇ（Ｎ
Ｏ３）、ＭｇＣｌ２、およびＭｇ（ＣＨ３ＣＯＯ）２か
らなる。
量％、好ましくは１．５重量％〜５．０重量％、最も好
ましくは２．０重量％〜４．０重量％の割合のＭｇ（Ｎ
Ｏ３）、ＭｇＣｌ２、およびＭｇ（ＣＨ３ＣＯＯ）２か
らなる。
【００４８】他の成分は、エタノール、アセトン、また
はメチルエチルケトンのような有機バインダーである。
はメチルエチルケトンのような有機バインダーである。
【００４９】次いで、ＭｇＯマイクロペーストを、使用
目的に適切な技術により誘電体の表面上にコーティング
して使用する。例えば、誘電体とスクイズ（ｓｑｕｅｅ
ｚｅ）との間の必要なギャップ（ｇａｐ）を固定させる
ことによりマイクロペーストをコーティングする。スク
イズは、均一な表面を有するべきであり、チューブタイ
プ、コアタイプ、またはロッドタイプのような種々の形
態で用いられる。スクイズは、マイクロペーストと反応
しないガラスあるいはチタンのような金属から作製され
る。
目的に適切な技術により誘電体の表面上にコーティング
して使用する。例えば、誘電体とスクイズ（ｓｑｕｅｅ
ｚｅ）との間の必要なギャップ（ｇａｐ）を固定させる
ことによりマイクロペーストをコーティングする。スク
イズは、均一な表面を有するべきであり、チューブタイ
プ、コアタイプ、またはロッドタイプのような種々の形
態で用いられる。スクイズは、マイクロペーストと反応
しないガラスあるいはチタンのような金属から作製され
る。
【００５０】他の形成技術には、スプレー技術、浸漬技
術、およびスピンコーティング技術が挙げられる。
術、およびスピンコーティング技術が挙げられる。
【００５１】必要な誘電体をパターンのフィルムマスク
を用いてコーティングし、薄層を形成する。
を用いてコーティングし、薄層を形成する。
【００５２】誘電体コーティング後、５分間、有機溶媒
を蒸発させて、最初のＭｇＯ粒子を含む塩を残存させ
る。次いで、このようにコーティングされた基板を４０
０℃以上で、好ましくは４２０℃以上で、最も好ましく
は４５０℃以上で焼成する。焼成は、最高温度で５〜２
０分間、好ましくは１０分〜１５分間行う。焼成時間
は、４０分〜１２０分、好ましくは６０分〜９０分間、
上記温度を超えるまで徐々に昇温させる。
を蒸発させて、最初のＭｇＯ粒子を含む塩を残存させ
る。次いで、このようにコーティングされた基板を４０
０℃以上で、好ましくは４２０℃以上で、最も好ましく
は４５０℃以上で焼成する。焼成は、最高温度で５〜２
０分間、好ましくは１０分〜１５分間行う。焼成時間
は、４０分〜１２０分、好ましくは６０分〜９０分間、
上記温度を超えるまで徐々に昇温させる。
【００５３】焼成後の冷却時間は、約４０分〜１２０
分、好ましくは約６０分〜１２０分間である。
分、好ましくは約６０分〜１２０分間である。
【００５４】本発明によれば、上記プロセスにより、必
要としない物質を塩から蒸発させる。
要としない物質を塩から蒸発させる。
【００５５】焼成の後、 ＭｇＯ粒子が塩から生じ、そ
して成長を開始するシードとして機能する、存在してい
るＭｇＯ粒子に付着する。
して成長を開始するシードとして機能する、存在してい
るＭｇＯ粒子に付着する。
【００５６】（実施例１）表１に示すような組成により
調製されたマイクロペースト１００ｇを基板上に蒸着し
た後、基板をベルト炉(belt furnace)の中に配置して、
図２に例示するような様式で熱処理した。
調製されたマイクロペースト１００ｇを基板上に蒸着し
た後、基板をベルト炉(belt furnace)の中に配置して、
図２に例示するような様式で熱処理した。
【００５７】
【表１】
【００５８】（実施例２）表２に示すような組成により
調整されたマイクロペースト１００ｇを、実施例１と同
様の様式で処理した。
調整されたマイクロペースト１００ｇを、実施例１と同
様の様式で処理した。
【００５９】
【表２】
【００６０】実施例１および実施例２により完成したＭ
ｇＯの厚い層を用いて、図１に示すようなＡＣＰＤＰセ
ルを製造する。焼成電圧を測定した結果を図３に示す。
図３に示すように、本発明のＡＣＰＤＰセルは、電子線
法により製造されたＡＣＰＤＰセルよりも優れた電気的
特性を示す。本発明により製造されたＡＣＰＤＰセルと
電子線法により製造されたＡＣＰＤＰセルとの間の電気
的特性の差は重要ではないので、 ＡＣＰＤＰはいずれ
の方法によっても製造され得る。
ｇＯの厚い層を用いて、図１に示すようなＡＣＰＤＰセ
ルを製造する。焼成電圧を測定した結果を図３に示す。
図３に示すように、本発明のＡＣＰＤＰセルは、電子線
法により製造されたＡＣＰＤＰセルよりも優れた電気的
特性を示す。本発明により製造されたＡＣＰＤＰセルと
電子線法により製造されたＡＣＰＤＰセルとの間の電気
的特性の差は重要ではないので、 ＡＣＰＤＰはいずれ
の方法によっても製造され得る。
【００６１】上記のように、ＭｇＯ粒子、Ｍｇ含有塩、
および有機バインダーを適切に配合し、そしてコーティ
ング方法に拘らず、ＰＤＰ用基板の表面上にＭｇＯ保護
層（薄膜）を簡易な設備およびプロセスでコーティング
することによりいくらかの利点が得られる。これらの利
点には、ＰＤＰ生産コスト、製造時間、および焼成電圧
を大幅に低減させるためのＰＤＰのＭｇＯ保護層の形
成、ならびに保護層の厚さの調製が挙げられる。
および有機バインダーを適切に配合し、そしてコーティ
ング方法に拘らず、ＰＤＰ用基板の表面上にＭｇＯ保護
層（薄膜）を簡易な設備およびプロセスでコーティング
することによりいくらかの利点が得られる。これらの利
点には、ＰＤＰ生産コスト、製造時間、および焼成電圧
を大幅に低減させるためのＰＤＰのＭｇＯ保護層の形
成、ならびに保護層の厚さの調製が挙げられる。
【００６２】本発明のＰＤＰ保護層およびその形成方法
において、本発明の精神および範囲を逸脱することなく
種々の改変および変化がなされ得ることは、当業者に明
らかである。従って、本発明は、添付の特許請求の範囲
およびその同等物の範囲内で、本発明の改変および変化
を包含することが意図される。
において、本発明の精神および範囲を逸脱することなく
種々の改変および変化がなされ得ることは、当業者に明
らかである。従って、本発明は、添付の特許請求の範囲
およびその同等物の範囲内で、本発明の改変および変化
を包含することが意図される。
【００６３】上部電極、下部電極、およびバリアリブを
有するＰＤＰ保護層を形成する方法は、以下の工程を包
含する：上部電極上に誘電体層を形成する工程；プリン
ティングまたはスピンコーティングを用いて、誘電体層
上にＭｇＯ溶液の保護層を形成する工程。ＭｇＯ粒子、
塩含有Ｍｇ、および有機バインダーを適切に混合し、そ
してコーティング方法に拘わらず、単純な設備および加
工によってＰＤＰ基板の表面上にＭｇＯ保護層（薄膜）
をコーティングすることにより、いくつかの利点が導か
れる。これらの利点には、ＰＤＰ生産コスト、製造時
間、および焼成電圧を大幅に低減させるためのＰＤＰの
ＭｇＯ保護層の形成、ならびに保護層の厚さの調製が挙
げられる。
有するＰＤＰ保護層を形成する方法は、以下の工程を包
含する：上部電極上に誘電体層を形成する工程；プリン
ティングまたはスピンコーティングを用いて、誘電体層
上にＭｇＯ溶液の保護層を形成する工程。ＭｇＯ粒子、
塩含有Ｍｇ、および有機バインダーを適切に混合し、そ
してコーティング方法に拘わらず、単純な設備および加
工によってＰＤＰ基板の表面上にＭｇＯ保護層（薄膜）
をコーティングすることにより、いくつかの利点が導か
れる。これらの利点には、ＰＤＰ生産コスト、製造時
間、および焼成電圧を大幅に低減させるためのＰＤＰの
ＭｇＯ保護層の形成、ならびに保護層の厚さの調製が挙
げられる。
【００６４】
【発明の効果】本発明によれば、ＰＤＰ基板の表面上に
優れた保護層を形成し得るＰＤＰ保護層およびその形成
方法が提供される。
優れた保護層を形成し得るＰＤＰ保護層およびその形成
方法が提供される。
【図１】 一般的なＰＤＰの断面図である。
【図２】 本発明の熱処理温度条件を示すグラフであ
る。
る。
【図３】 本発明の電気的特性を示すグラフである。
１ 前面ガラス基板 ２ 誘電体層 ３ 薄膜層 ４ 上部電極 ５ 放電領域 ６ バリアリブ ７ 紫外線 ８、９、１０ 発光体 １１ 背面ガラス基板 １２ 下部電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 朴 明鎬 大韓民國 慶▲尚▼北▲道▼ ▲亀▼尾 市 工團洞 191−１ (72)発明者 柳 在和 大韓民國 慶▲尚▼北▲道▼ ▲亀▼尾 市 工團洞 191−１ (56)参考文献 特開 平８−111177（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−230766（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01J 9/02 H01J 11/00 H01J 11/02
Claims (14)
- 【請求項１】 上部電極、下部電極、およびバリアリブ
を有するプラズマディスプレイパネルの保護層を形成す
る方法であって、該方法が、 該上部電極上に誘電体層を形成する工程と、 プリンティングまたはスピンコーティングを用いて、該
誘電体層上にＭｇＯ溶液の保護層を形成する工程とを包
含し、 ここで、該ＭｇＯ溶液が、Ｍｇ含有塩、酢酸、エチルア
ルコール、および硝酸の混合物である、方法 。 - 【請求項２】 前記保護層が、スプレー工程または浸漬
工程によって形成され得る、請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 前記Ｍｇ含有塩が、約１重量％〜１０重
量％の割合で添加される、請求項１に記載の方法。 - 【請求項４】 前記酢酸が、約１重量％〜１０重量％の
割合で添加される、請求項１に記載の方法。 - 【請求項５】 前記エチルアルコールが、約８０重量％
〜９５重量％の割合で添加される、請求項１に記載の方
法。 - 【請求項６】 前記硝酸が、約１重量％〜５重量％の割
合で添加される、請求項１に記載の方法。 - 【請求項７】 プラズマディスプレイパネル用の基板上
にＭｇＯ薄膜を形成するためのペースト中で、 ＭｇＯ粒子、Ｍｇ含有塩、および有機バインダーからな
る、プラズマディスプレイパネル用のＭｇＯ保護層であ
って、 ここで、該有機バインダーが、エタノール、アセトン、
またはメチルエチルケトンからなる群から選択される少
なくとも２つの材料である、保護層 。 - 【請求項８】 前記ＭｇＯ粒子のサイズが、０．１μｍ
〜０．５μｍである、請求項７に記載のＭｇＯ保護層。 - 【請求項９】 前記Ｍｇ含有塩が、Ｍｇ（ＮＯ3）2、Ｍ
ｇＣｌ2、およびＭｇ（ＣＨ3ＣＯＯ）2である、請求項
７に記載のＭｇＯ保護層。 - 【請求項１０】 １００重量％の前記ペーストが、０．
０１重量％〜０．２重量％のＭｇＯ粒子、０．３５重量
％〜７．０重量％のＭｇ含有塩、および残りの有機バイ
ンダーからなる、請求項７に記載のＭｇＯ保護層。 - 【請求項１１】 プラズマディスプレイパネル基板の表
面上にＭｇＯパシベーションを形成するためのプラズマ
ディスプレイパネル保護層を形成する方法であって： ＭｇＯ粒子、Ｍｇ含有塩、および有機バインダーを混合
することによりペーストを調製する工程と、 該ペーストを該基板の表面上にコーティングする工程
と、 該コーティングされた基板を焼成する工程とを包含す
る、方法。 - 【請求項１２】 １００重量％の前記ペーストが、０．
０１重量％〜０．２重量％の割合の０．２μｍ〜０．４
μｍのサイズを有するＭｇＯ粒子と、０．３５重量％〜
７．０重量％のＭｇ含有塩と、残りの有機バインダーと
からなる、請求項１１に記載の方法。 - 【請求項１３】 前記焼成が、４００℃〜５００℃の温
度で５分〜２０分間行われる、請求項１１または１２に
記載の方法。 - 【請求項１４】 ＭｇＯ保護層からなる基板表面上に形
成されたＭｇＯ保護層を有するプラズマディスプレイパ
ネルであって、該ＭｇＯの粒子サイズが、０．１μｍ〜
０．５μｍである、プラズマディスプレイパネル。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970004268A KR19980067910A (ko) | 1997-02-13 | 1997-02-13 | 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Pannel)의 제조방법 |
| KR1997-9078 | 1997-03-18 | ||
| KR1997-4268 | 1997-03-18 | ||
| KR1019970009078A KR100232134B1 (ko) | 1997-03-18 | 1997-03-18 | 피디피용 산화마그네슘 박막층 형성을위한 페이스트 및 그를 이용한 산화마그네슘 박막층 제조 방법 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10233157A JPH10233157A (ja) | 1998-09-02 |
| JP2918524B2 true JP2918524B2 (ja) | 1999-07-12 |
Family
ID=26632514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10026242A Expired - Fee Related JP2918524B2 (ja) | 1997-02-13 | 1998-02-06 | プラズマディスプレイパネル保護層およびその形成方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
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|---|---|---|---|---|
| JP4153983B2 (ja) * | 2000-07-17 | 2008-09-24 | パイオニア株式会社 | 保護膜、その成膜方法、プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
| DE10061720A1 (de) * | 2000-12-12 | 2002-06-13 | Philips Corp Intellectual Pty | Plasmabildschirm mit Leuchtstoffschicht |
| FR2831709A1 (fr) * | 2001-10-29 | 2003-05-02 | Thomson Licensing Sa | Dalle de panneau a plasma comprenant des moyens pour re-diffuser les rayonnements emis par les decharges |
| JP5081386B2 (ja) * | 2002-11-22 | 2012-11-28 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルとその製造方法 |
| KR100501044B1 (ko) * | 2003-07-08 | 2005-07-18 | 한국전기연구원 | 대면적 산화마그네슘 박막 증착장치 및 방법 |
| EP2360710B1 (en) * | 2003-09-26 | 2013-05-22 | Panasonic Corporation | Plasma display panel and method of manufacturing same |
| JP4541832B2 (ja) | 2004-03-19 | 2010-09-08 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
| JP4650824B2 (ja) | 2004-09-10 | 2011-03-16 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
| FR2876497B1 (fr) * | 2004-10-13 | 2007-03-23 | Commissariat Energie Atomique | Revetement a base de mgo pour l'isolation electrique de substrats semi-conducteurs et procede de fabrication |
| JP4650829B2 (ja) * | 2005-03-22 | 2011-03-16 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| KR100759444B1 (ko) | 2005-11-30 | 2007-09-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| JP5025541B2 (ja) * | 2007-03-26 | 2012-09-12 | 宇部マテリアルズ株式会社 | 酸化マグネシウム薄膜およびその製造方法 |
| CN104157535B (zh) * | 2014-08-18 | 2016-10-19 | 北京大学工学院包头研究院 | 等离子显示面板用复合氧化镁薄膜及其制法和应用 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3849190A (en) * | 1973-04-20 | 1974-11-19 | Ibm | Dielectric glass overlays and method for producing said glass compositions |
| US4083614A (en) * | 1976-10-29 | 1978-04-11 | International Business Machines Corporation | Method of manufacturing a gas panel assembly |
| US4179383A (en) * | 1977-10-07 | 1979-12-18 | Petrolite Corporation | Preparation of magnesium-containing dispersions from magnesium carboxylates |
| US4163728A (en) * | 1977-11-21 | 1979-08-07 | Petrolite Corporation | Preparation of magnesium-containing dispersions from magnesium carboxylates at low carboxylate stoichiometry |
| US4226739A (en) * | 1978-03-10 | 1980-10-07 | Petrolite Corporation | Magnesium-containing dispersions by decomposition of MgCO3 |
| US4293429A (en) * | 1980-01-16 | 1981-10-06 | Petrolite Corporation | MgO Dispensions |
| US4849674A (en) * | 1987-03-12 | 1989-07-18 | The Cherry Corporation | Electroluminescent display with interlayer for improved forming |
| EP0554172B1 (en) * | 1992-01-28 | 1998-04-29 | Fujitsu Limited | Color surface discharge type plasma display device |
| JPH0656506A (ja) * | 1992-06-05 | 1994-03-01 | Veitscher Magnesitwerke Ag | 微粒の耐火酸化物微紛末を使用するセラミツク素地及び成形品の製造方法 |
| JP3083698B2 (ja) * | 1994-02-18 | 2000-09-04 | 沖電気工業株式会社 | ガス放電表示パネル |
| WO1997020783A1 (en) * | 1995-12-06 | 1997-06-12 | Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a glass substrate coated with a metal oxide and a glass substrate for an electronic display |
| JP3339554B2 (ja) * | 1995-12-15 | 2002-10-28 | 松下電器産業株式会社 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
| JPH10158826A (ja) * | 1996-12-04 | 1998-06-16 | Mitsubishi Materials Corp | ＭｇＯターゲット及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-10-15 US US08/950,975 patent/US6013309A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-02-06 JP JP10026242A patent/JP2918524B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-11-18 US US09/442,747 patent/US6379783B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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