JP4519610B2 - プラズマディスプレイパネル用保護膜形成用塗布液 - Google Patents
プラズマディスプレイパネル用保護膜形成用塗布液 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4519610B2 JP4519610B2 JP2004327795A JP2004327795A JP4519610B2 JP 4519610 B2 JP4519610 B2 JP 4519610B2 JP 2004327795 A JP2004327795 A JP 2004327795A JP 2004327795 A JP2004327795 A JP 2004327795A JP 4519610 B2 JP4519610 B2 JP 4519610B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- coating liquid
- mgo
- rare earth
- dielectric layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Description
本発明は、プラズマディスプレイパネルに用いられる透明板上の誘電体層を保護する膜を塗布法により形成するためのプラズマディスプレイパネル用保護膜形成用塗布液に関するものである。
近年、次世代の代表的な薄型かつ大型のディスプレイとして、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）が注目されている。
このＰＤＰは、放電に伴う発光現象を利用したディスプレイであり、放電ガスの可視発光を利用するもの、あるいは放電によって生じる紫外線で蛍光体を可視発光させるものがある。ＰＤＰは、（１）色再現性および応答速度が良く、自発光・直視型で自然な階調表示が得られるために、表示品質に優れていること、（２）大画面化、薄型化が容易であり、かつ比較的安価なこと、等の理由から次世代の代表的な薄型大型のディスプレイとして注目されている。
このＰＤＰは、放電に伴う発光現象を利用したディスプレイであり、放電ガスの可視発光を利用するもの、あるいは放電によって生じる紫外線で蛍光体を可視発光させるものがある。ＰＤＰは、（１）色再現性および応答速度が良く、自発光・直視型で自然な階調表示が得られるために、表示品質に優れていること、（２）大画面化、薄型化が容易であり、かつ比較的安価なこと、等の理由から次世代の代表的な薄型大型のディスプレイとして注目されている。
このＰＤＰは、電極の構造等によって様々な構造のものが提案されているが、薄型・大画面のカラーディスプレイとして用いる場合には、高輝度、大型化が容易等の点から面放電型のＡＣ型ＰＤＰが優れている。
この面放電型のＡＣ型ＰＤＰは、透明な前面板と背面板とを対向配置し、前面板の対向する側の面にストライプ状の表示電極およびバス電極、誘電体層、保護膜を順次形成すると共に、背面板の対向する側の面にアドレス電極を形成し、これら前面板と背面板との間の放電領域を表示セルとしたもので、上記の保護膜は、誘電体層の表面が放電により損傷するのを防止するためのものである。
この面放電型のＡＣ型ＰＤＰは、透明な前面板と背面板とを対向配置し、前面板の対向する側の面にストライプ状の表示電極およびバス電極、誘電体層、保護膜を順次形成すると共に、背面板の対向する側の面にアドレス電極を形成し、これら前面板と背面板との間の放電領域を表示セルとしたもので、上記の保護膜は、誘電体層の表面が放電により損傷するのを防止するためのものである。
この保護膜は、誘電体層の保護性能の他、透明性、電気特性等も必要となるために、従来では、蒸着法やスパッタ法で形成されているが、高価で複雑な成膜装置が必要であり、また、生産性が悪く、得られた保護膜も高価なものとなり、ＰＤＰの低価格化の障害になっている。
そこで、高価で複雑な成膜装置の必要がなく、しかも簡単な工程で安価な保護膜を形成することができる方法として、様々な塗布法が提案されている。
そこで、高価で複雑な成膜装置の必要がなく、しかも簡単な工程で安価な保護膜を形成することができる方法として、様々な塗布法が提案されている。
例えば、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）粉末または水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）２）粉末を含むペーストを誘電体層上に塗布し、その後加熱し、ＭｇＯ保護膜を形成する方法（例えば、特許文献１参照）、アルカリ土類金属化合物を有機溶剤に溶解したペーストを誘電体層上に塗布し、その後加熱し、アルカリ土類金属酸化物保護膜とする方法等が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
また、アルカリ土類金属含有有機化合物を誘電体層上に塗布した後に加熱して熱分解させ、金属酸化物保護膜とする方法、誘電体層上にＭｇ等の金属アルコキシドを塗布した後に加熱して熱分解させ、金属酸化物保護膜とする方法、ＭｇＯ微粒子と焼成によりＭｇＯバインダーを生じるＭｇＯ前駆体と有機物を含むペーストを誘電体層上に塗布した後に焼成し、ＭｇＯ保護膜とする方法（例えば、特許文献３参照）等が提案されている。
特開２００３−１０９５１２号公報
特開昭５８−１３５１５５号公報
特開平９−１２９４０号公報
また、アルカリ土類金属含有有機化合物を誘電体層上に塗布した後に加熱して熱分解させ、金属酸化物保護膜とする方法、誘電体層上にＭｇ等の金属アルコキシドを塗布した後に加熱して熱分解させ、金属酸化物保護膜とする方法、ＭｇＯ微粒子と焼成によりＭｇＯバインダーを生じるＭｇＯ前駆体と有機物を含むペーストを誘電体層上に塗布した後に焼成し、ＭｇＯ保護膜とする方法（例えば、特許文献３参照）等が提案されている。
ところで、従来のＭｇＯ粉末やＭｇ（ＯＨ）２粉末を含むペーストを用いて形成された保護膜は、緻密な膜が得られず、しかも、耐スパッタ性が著しく低いという問題点があった。
また、アルカリ土類金属化合物を含むペースト、アルカリ土類金属含有有機化合物、金属アルコキシド等を用いて形成された保護膜は、塗布後の加熱焼成による膜の収縮が非常に大きく、したがって、膜にマイクロクラックやピンホール等が生じ易くなり、誘電体層が部分的に露出状態になるという問題点があった。この誘電体層の露出は、ＰＤＰの寿命を低下させる一因になっている。
また、アルカリ土類金属化合物を含むペースト、アルカリ土類金属含有有機化合物、金属アルコキシド等を用いて形成された保護膜は、塗布後の加熱焼成による膜の収縮が非常に大きく、したがって、膜にマイクロクラックやピンホール等が生じ易くなり、誘電体層が部分的に露出状態になるという問題点があった。この誘電体層の露出は、ＰＤＰの寿命を低下させる一因になっている。
さらに、ＭｇＯ微粒子とＭｇＯ前駆体と有機物を含むペーストを用いて形成された保護膜は、比較的緻密でマイクロクラックやピンホールのない膜が得られるものの、耐スパッタ性が不十分なものであることから、プラズマによって浸食され易く、その結果、誘電体層が部分的に露出されることとなり、ＰＤＰの寿命を低下させる一因になるという問題点があった。
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、緻密でマイクロクラックやピンホールが無く、耐スパッタ性に優れたプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の誘電体層用保護膜を形成することが可能なプラズマディスプレイパネル用保護膜形成用塗布液を提供することを目的とする。
本発明者は、放電時の希ガスイオンによる保護膜の耐スパッタ性を詳細に検討した結果、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム及びバリウムの群から選択される１種以上の元素を主成分とする金属酸化物微粒子とアミン希土類錯体とを含有する保護膜形成用塗布液を用いて誘電体層上に保護膜を形成すると、緻密でマイクロクラックやピンホールが無く、耐スパッタ性に優れた誘電体層用保護膜が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明のプラズマディスプレイパネル用保護膜形成用塗布液は、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム及びバリウムの群から選択される１種以上の元素を主成分とする金属酸化物微粒子とアミン希土類錯体とを含有してなることを特徴とする。
このプラズマディスプレイパネル用保護膜形成用塗布液は、誘電体層上に塗布後、焼成等の加熱によりアミン希土類錯体が化学変化して金属酸化物微粒子の周囲にバインダーとなる希土類酸化物相を形成する。金属酸化物微粒子間に存在する希土類酸化物相は、金属酸化物微粒子を固着させるとともに、保護層の耐スパッタ性を向上させる。
また、このプラズマディスプレイパネル用保護膜形成用塗布液は、予め金属酸化物微粒子を含有しているので、焼成等の加熱処理後における膜の収縮が小さい。これにより、膜が緻密になり、ピンホールやマイクロクラック等の欠陥が生じる虞がない。
このプラズマディスプレイパネル用保護膜形成用塗布液は、誘電体層上に塗布後、焼成等の加熱によりアミン希土類錯体が化学変化して金属酸化物微粒子の周囲にバインダーとなる希土類酸化物相を形成する。金属酸化物微粒子間に存在する希土類酸化物相は、金属酸化物微粒子を固着させるとともに、保護層の耐スパッタ性を向上させる。
また、このプラズマディスプレイパネル用保護膜形成用塗布液は、予め金属酸化物微粒子を含有しているので、焼成等の加熱処理後における膜の収縮が小さい。これにより、膜が緻密になり、ピンホールやマイクロクラック等の欠陥が生じる虞がない。
前記アミン希土類錯体を希土類酸化物に換算した場合の該希土類酸化物の含有量は、前記金属酸化物微粒子１００重量部に対して５重量部以上かつ７０重量部以下であることが好ましい。
本発明のプラズマディスプレイパネル用保護膜形成用塗布液によれば、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム及びバリウムの群から選択される１種以上の元素を主成分とする金属酸化物微粒子とアミン希土類錯体とを含有したので、緻密でマイクロクラックやピンホールが無く、耐スパッタ性に優れた誘電体層用保護膜を塗布法により容易に形成することができる。
したがって、このプラズマディスプレイパネル用保護膜形成用塗布液を用いて誘電体層上に保護膜を形成したプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）は、従来になく製品寿命に優れたものとすることができる。
したがって、このプラズマディスプレイパネル用保護膜形成用塗布液を用いて誘電体層上に保護膜を形成したプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）は、従来になく製品寿命に優れたものとすることができる。
本発明のプラズマディスプレイパネル用保護膜形成用塗布液の最良の形態について説明する。
なお、この形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
なお、この形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
本実施形態のプラズマディスプレイパネル用保護膜形成用塗布液（以下、単に保護膜形成用塗布液と称する）は、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）の群から選択される１種以上の元素を主成分とする金属酸化物微粒子とアミン希土類錯体とを含有した塗布液である。
この金属酸化物としては、例えば、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化カルシウムマグネシウム（Ｍｇ、Ｃａ）Ｏ、酸化ストロンチウムマグネシウム（Ｍｇ、Ｓｒ）Ｏ等が好適に用いられる。
この金属酸化物としては、例えば、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化カルシウムマグネシウム（Ｍｇ、Ｃａ）Ｏ、酸化ストロンチウムマグネシウム（Ｍｇ、Ｓｒ）Ｏ等が好適に用いられる。
この金属酸化物微粒子の粒子径については特に制限するものではないが、通常、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の誘電体層を保護する保護膜の厚みは０．２〜２μｍ程度であるから、上記の粒子径についても形成する保護膜の厚み以下の粒子径が好ましく、さらには、形成される保護層の厚みの１／３以下の粒子径がより緻密な保護層を形成することができるので好ましい。
アミン希土類錯体としては、焼成、マイクロ波照射等の加熱処理により希土類酸化物を生成するもの、または、プラズマ照射、レーザー照射、電子線照射等により分解あるいは縮重合して希土類酸化物を生成するものであれば良い。
このアミン希土類錯体としては、例えば、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、プロパノールアミン、ジプロパノールアミン、トリプロパノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルｎ−プロパノールアミン、Ｎ−ｎ−ブチルエタノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、Ｎ−フェニルジエタノールアミン、ラウリルジエタノールアミン、トリルジエタノールアミン、ジエチルアミノエタノール、Ｎ−２−アミノエチルエタノールアミン等のアミン類（鎖式アミン）を含む希土類元素錯体が好適に用いられる。
このアミン希土類錯体としては、例えば、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、プロパノールアミン、ジプロパノールアミン、トリプロパノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルｎ−プロパノールアミン、Ｎ−ｎ−ブチルエタノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、Ｎ−フェニルジエタノールアミン、ラウリルジエタノールアミン、トリルジエタノールアミン、ジエチルアミノエタノール、Ｎ−２−アミノエチルエタノールアミン等のアミン類（鎖式アミン）を含む希土類元素錯体が好適に用いられる。
この希土類元素（Ｌｎ）としては、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）が挙げられる。
このアミン希土類錯体を希土類酸化物に換算した場合の該希土類酸化物の含有量は、金属酸化物微粒子１００重量部に対して５重量部以上かつ７０重量部以下であることが好ましい。
その理由は、アミン希土類錯体を希土類酸化物に換算した場合の含有量が５重量部未満では、誘電体層との密着性が向上せず、したがって、得られた保護膜の耐スパッタ性が向上しないからであり、また、含有量が７０重量部を越えると、加熱時の収縮が大きくなり、膜にピンホールやマイクロクラックが発生し易くなり、その結果、放電開始電圧や放電維持電圧が上昇し、電気特性が悪化するからである。
その理由は、アミン希土類錯体を希土類酸化物に換算した場合の含有量が５重量部未満では、誘電体層との密着性が向上せず、したがって、得られた保護膜の耐スパッタ性が向上しないからであり、また、含有量が７０重量部を越えると、加熱時の収縮が大きくなり、膜にピンホールやマイクロクラックが発生し易くなり、その結果、放電開始電圧や放電維持電圧が上昇し、電気特性が悪化するからである。
このアミン希土類錯体は、下地層となる誘電体層を構成するガラス成分との密着性が良いので、本実施形態の保護膜形成用塗布液を用いて誘電体層上に形成した保護膜は、この誘電体層との密着性が良好なものとなる。また、このアミン希土類錯体は、例えば、４００℃〜４５０℃程度の比較的低い加熱温度で完全に希土類酸化物を生成するので、加熱により保護膜を形成した後には、この保護膜中に有機物が残留する虞がなく、したがって、保護膜の耐スパッタ性に悪影響を及ぼす虞もない。
この希土類酸化物としては、例えば、酸化スカンジウム（Ｓｃ２Ｏ３）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、酸化ランタン（Ｌａ２Ｏ３）、酸化セリウム（ＣｅＯ２）等の単一組成の酸化物や希土類元素を含む複合酸化物が挙げられる。
このようなアミン希土類錯体は、上記のアミン溶液に希土類元素のアルコキシドや酢酸塩等の希土類元素塩を溶解させ、環流しながら加温することで容易に作成することができる。
このようなアミン希土類錯体は、上記のアミン溶液に希土類元素のアルコキシドや酢酸塩等の希土類元素塩を溶解させ、環流しながら加温することで容易に作成することができる。
この保護膜形成用塗布液にて使用する溶剤としては、上記のアミン希土類錯体と相溶性のある溶剤が好ましく、例えば、メタノール、エタノール、２−プロパノール、ｎ−ブタノール等のアルコール類、β−オキシエチルメチルエーテル（メチルセロソルブ）、β−オキシエチルエーテル（エチルセロソルブ）、β−オキシエチルプロピルエーテル（プロピルセロソルブ）、ブチル−β−オキシエチルエーテル（ブチルセロソルブ）等のエチレングリコールエーテル（セロソルブ）類、エチレングリコール、プロピレングリコール等のグリコール類、上記のアミン類の他、アミド類、エーテル類、ケトン類、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）類、ジオール類等が好適に用いられる。
この保護膜形成用塗布液では、誘電体層上での塗布性の改善、金属酸化物微粒子の分散性の改善等のために、イオン性界面活性剤、高分子界面活性剤等の界面活性剤を少量加えてもよい。
また、この保護膜形成用塗布液は、セルロースやアクリル等の有機高分子バインダー成分を含まない。その理由は、これら有機高分子バインダー成分は加熱燃焼により保護膜から散逸する際にピンホール発生の原因となったり、あるいは、有機高分子の燃焼による除去が不十分なために、保護膜中に残留し、耐スパッタ性を悪化させるからである。
また、この保護膜形成用塗布液は、セルロースやアクリル等の有機高分子バインダー成分を含まない。その理由は、これら有機高分子バインダー成分は加熱燃焼により保護膜から散逸する際にピンホール発生の原因となったり、あるいは、有機高分子の燃焼による除去が不十分なために、保護膜中に残留し、耐スパッタ性を悪化させるからである。
この保護膜形成用塗布液の製造方法としては、特に制限するものではないが、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム及びバリウムの群から選択される１種以上の元素を主成分とする金属酸化物微粒子と、アミン希土類錯体と、溶剤とを混合した後、超音波ホモジナイザー、サンドミル、ニーダー、ロールミル等の分散機を用いて均一に分散させることにより製造することができる。
この保護膜形成用塗布液を用いて誘電体層上に保護膜を形成する方法については、特に制限するものではない。次に、一例を挙げる。
まず、ガラス基板等の透明な前面板の表面にストライプ状の電極および誘電体層が順次形成されたＰＤＰ用前面板を用意し、この誘電体層上に本実施形態の保護膜形成用塗布液を、スピンコート法、グラビアコート法、スプレーコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法等、通常の成膜方法により塗布し、次いで、５０℃〜２００℃程度の温度にて乾燥し、その後、大気中にて３００℃〜６００℃の温度にて焼成する。
まず、ガラス基板等の透明な前面板の表面にストライプ状の電極および誘電体層が順次形成されたＰＤＰ用前面板を用意し、この誘電体層上に本実施形態の保護膜形成用塗布液を、スピンコート法、グラビアコート法、スプレーコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法等、通常の成膜方法により塗布し、次いで、５０℃〜２００℃程度の温度にて乾燥し、その後、大気中にて３００℃〜６００℃の温度にて焼成する。
また、焼成の替わりに、成膜乾燥後に、マイクロ波照射、プラズマ照射、レーザー照射、電子線照射等により塗布膜を加熱することで誘電体層上に保護膜を形成してもよい。
以上により、誘電体層上に、緻密でマイクロクラックやピンホールが無く、耐スパッタ性に優れた保護膜を形成することができる。
以上により、誘電体層上に、緻密でマイクロクラックやピンホールが無く、耐スパッタ性に優れた保護膜を形成することができる。
図１は、上記の保護膜を備えた面放電型のＡＣ型ＰＤＰを示す断面図であり、図において、１は透明なガラス基板からなる前面板、２は前面板１に対向配置される透明なガラス基板からなる背面板、３はストライプ状の表示電極、４はストライプ状のバス電極、５は電極３、４を覆う誘電体層、６は本実施形態の保護膜、７は電極３、４と直交する様に配置されたストライプ状のアドレス電極、８は前面板１と背面板２との間に形成される隔壁、９はアドレス電極７、背面板２および隔壁８の側面を覆う蛍光体層、１０は隔壁８、８と保護膜６と蛍光体層９とにより形成される放電領域であり、表示セルと称される。
この表示セル１０内には、ヘリウム（Ｈｅ）−キセノン（Ｘｅ）、ネオン（Ｎｅ）−キセノン（Ｘｅ）等の放電によって紫外線を多く発生する混合ガスＧが３０ｋＰａ程度の圧力で封入されている。
このＡＣ型ＰＤＰでは、表示セル１０の１つ１つに、光の３原色である赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のいずれかの蛍光体層９を形成し、これらの表示セル１０をマトリックス状に多数配置することにより、カラー表示を行うことができる。
このＡＣ型ＰＤＰでは、表示セル１０の１つ１つに、光の３原色である赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のいずれかの蛍光体層９を形成し、これらの表示セル１０をマトリックス状に多数配置することにより、カラー表示を行うことができる。
次に、このＡＣ型ＰＤＰの動作について説明する。
まず、表示電極３とバス電極４との間に放電維持電圧に相当するＡＣ電圧を印加して誘電体層５に電荷を蓄積しておく。次に、アドレス電極７に放電開始電圧に達するようなアドレス電圧（書き込み電圧）を印加して放電を開始させる。この放電により表示セル１０内がプラズマ化し、Ｘｅの共鳴線（１４７ｎｍ）を主とする紫外線が発生する。この紫外線が蛍光体層９を励起して可視光を放射させる。アドレス電圧を解除した後は、誘電体層５に蓄積された電荷の効果により、表示電極３とバス電極４との間に放電維持電圧に相当するＡＣ電圧を印加するだけで放電が持続する。
まず、表示電極３とバス電極４との間に放電維持電圧に相当するＡＣ電圧を印加して誘電体層５に電荷を蓄積しておく。次に、アドレス電極７に放電開始電圧に達するようなアドレス電圧（書き込み電圧）を印加して放電を開始させる。この放電により表示セル１０内がプラズマ化し、Ｘｅの共鳴線（１４７ｎｍ）を主とする紫外線が発生する。この紫外線が蛍光体層９を励起して可視光を放射させる。アドレス電圧を解除した後は、誘電体層５に蓄積された電荷の効果により、表示電極３とバス電極４との間に放電維持電圧に相当するＡＣ電圧を印加するだけで放電が持続する。
この保護膜６は、緻密でマイクロクラックやピンホールが無く、耐スパッタ性に優れているので、表示セル１０内がプラズマ化した場合であってもプラズマにより浸食される虞がなく、長時間に亘って誘電体層５を保護し続けることができる。
これにより、誘電体層５は長時間使用した場合においても部分的に露出状態になる虞がなくなり、ＰＤＰの寿命を低下させる虞がなくなる。
したがって、従来になく高寿命なＰＤＰを提供することができる。
これにより、誘電体層５は長時間使用した場合においても部分的に露出状態になる虞がなくなり、ＰＤＰの寿命を低下させる虞がなくなる。
したがって、従来になく高寿命なＰＤＰを提供することができる。
以上説明した様に、本実施形態の保護膜形成用塗布液によれば、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム及びバリウムの群から選択される１種以上の元素を主成分とする金属酸化物微粒子を高密着性かつ耐スパッタ性の高い希土類酸化物からなるバインダー成分中に均一に分散した状態の保護膜を容易に得ることができる。
したがって、誘電体層との密着性がよく、ピンホールやマイクロクラック等の欠陥がなく、耐スパッタ性に優れた保護膜を容易に得ることができる。
さらに、本実施形態の保護膜形成用塗布液を用いて、透明な前面板の誘電体層上に保護膜を形成すれば、従来になく高寿命なＰＤＰを容易に作製することができる。
したがって、誘電体層との密着性がよく、ピンホールやマイクロクラック等の欠陥がなく、耐スパッタ性に優れた保護膜を容易に得ることができる。
さらに、本実施形態の保護膜形成用塗布液を用いて、透明な前面板の誘電体層上に保護膜を形成すれば、従来になく高寿命なＰＤＰを容易に作製することができる。
以下、実施例１〜６及び比較例１〜４により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。
［実施例１］
（アルカリ土類金属酸化物微粒子）
アルカリ土類金属酸化物微粒子として、気相法により作製した平均粒径が５０ｎｍのＭｇＯ粉末（宇部マテリアルズ製）（ＭｇＯ粉Ａ）を用いた。
また、イットリウムアルコキシドとして、イットリウムブトキシド（Aldrich社製）を用いた。
（アルカリ土類金属酸化物微粒子）
アルカリ土類金属酸化物微粒子として、気相法により作製した平均粒径が５０ｎｍのＭｇＯ粉末（宇部マテリアルズ製）（ＭｇＯ粉Ａ）を用いた。
また、イットリウムアルコキシドとして、イットリウムブトキシド（Aldrich社製）を用いた。
（アミン希土類錯体の作製）
イットリウムブトキシド １０００ｇ
ジエタノールアミン １７０５ｇ
２−プロパノール ９５８ｇ
を秤量し、これらをエバポレータを用いて環流しながら８０℃にて３時間攪拌し、イットリウム（Ｙ）のアミン錯体溶液（溶液Ａ）を作製した。
この溶液Ａは、イットリウム（Ｙ）の含有量が酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）換算で３６６．３ｇであり、Ｙ２Ｏ３換算で１０重量％の溶液であった。
イットリウムブトキシド １０００ｇ
ジエタノールアミン １７０５ｇ
２−プロパノール ９５８ｇ
を秤量し、これらをエバポレータを用いて環流しながら８０℃にて３時間攪拌し、イットリウム（Ｙ）のアミン錯体溶液（溶液Ａ）を作製した。
この溶液Ａは、イットリウム（Ｙ）の含有量が酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）換算で３６６．３ｇであり、Ｙ２Ｏ３換算で１０重量％の溶液であった。
（保護膜形成用塗布液の作製）
ＭｇＯ粉Ａ １９０ｇ
溶液Ａ １００ｇ
ブチル−β−オキシエチルエーテル １７１０ｇ
２−プロパノール ２０００ｇ
高分子界面活性剤 微量
を秤量し、これらを超音波ホモジナイザーを用いて１０分間分散させることにより、塗布液Ａを作製した。
この塗布液Ａは、それに含まれるイットリウムブトキシドのＹ２Ｏ３換算値のＭｇＯに対する重量比（Ｙ２Ｏ３／ＭｇＯ）が０．０５であり、これらＹ２Ｏ３換算値およびＭｇＯを含む固形分の割合は５重量％であった。
ＭｇＯ粉Ａ １９０ｇ
溶液Ａ １００ｇ
ブチル−β−オキシエチルエーテル １７１０ｇ
２−プロパノール ２０００ｇ
高分子界面活性剤 微量
を秤量し、これらを超音波ホモジナイザーを用いて１０分間分散させることにより、塗布液Ａを作製した。
この塗布液Ａは、それに含まれるイットリウムブトキシドのＹ２Ｏ３換算値のＭｇＯに対する重量比（Ｙ２Ｏ３／ＭｇＯ）が０．０５であり、これらＹ２Ｏ３換算値およびＭｇＯを含む固形分の割合は５重量％であった。
（塗布法による保護膜の形成）
塗布液Ａをガラス基板上にバーコート法にて塗布し、その後８０℃にて５分間乾燥し、次いで、５５０℃にて３０分間焼成することにより、実施例１の保護膜付き基板を作製した。
塗布液Ａをガラス基板上にバーコート法にて塗布し、その後８０℃にて５分間乾燥し、次いで、５５０℃にて３０分間焼成することにより、実施例１の保護膜付き基板を作製した。
［実施例２］
（保護膜形成用塗布液の作製）
実施例１のＭｇＯ粉Ａおよび溶液Ａを用いて実施例２の塗布液Ｂを作製した。
ＭｇＯ粉Ａ ４０ｇ
溶液Ａ １００ｇ
ブチル−β−オキシエチルエーテル ３００ｇ
２−プロパノール ５６０ｇ
高分子界面活性剤 微量
を秤量し、これらを超音波ホモジナイザーを用いて１０分間分散させることにより、塗布液Ｂを作製した。
この塗布液Ｂは、それに含まれるイットリウムブトキシドのＹ２Ｏ３換算値のＭｇＯに対する重量比（Ｙ２Ｏ３／ＭｇＯ）が０．２０であり、これらＹ２Ｏ３換算値およびＭｇＯを含む固形分の割合は５重量％であった。
（保護膜形成用塗布液の作製）
実施例１のＭｇＯ粉Ａおよび溶液Ａを用いて実施例２の塗布液Ｂを作製した。
ＭｇＯ粉Ａ ４０ｇ
溶液Ａ １００ｇ
ブチル−β−オキシエチルエーテル ３００ｇ
２−プロパノール ５６０ｇ
高分子界面活性剤 微量
を秤量し、これらを超音波ホモジナイザーを用いて１０分間分散させることにより、塗布液Ｂを作製した。
この塗布液Ｂは、それに含まれるイットリウムブトキシドのＹ２Ｏ３換算値のＭｇＯに対する重量比（Ｙ２Ｏ３／ＭｇＯ）が０．２０であり、これらＹ２Ｏ３換算値およびＭｇＯを含む固形分の割合は５重量％であった。
（塗布法による保護膜の形成）
塗布液Ｂをガラス基板上にバーコート法にて塗布し、その後８０℃にて５分間乾燥し、次いで、５５０℃にて３０分間焼成することにより、実施例２の保護膜付き基板を作製した。
塗布液Ｂをガラス基板上にバーコート法にて塗布し、その後８０℃にて５分間乾燥し、次いで、５５０℃にて３０分間焼成することにより、実施例２の保護膜付き基板を作製した。
［実施例３］
（保護膜形成用塗布液の作製）
実施例１のＭｇＯ粉Ａおよび溶液Ａを用いて実施例３の塗布液Ｃを作製した。
ＭｇＯ粉Ａ １５ｇ
溶液Ａ １００ｇ
ブチル−β−オキシエチルエーテル １８５ｇ
２−プロパノール ２００ｇ
高分子界面活性剤 微量
を秤量し、これらを超音波ホモジナイザーを用いて１０分間分散させることにより、塗布液Ｃを作製した。
この塗布液Ｃは、それに含まれるイットリウムブトキシドのＹ２Ｏ３換算値のＭｇＯに対する重量比（Ｙ２Ｏ３／ＭｇＯ）が０．４０であり、これらＹ２Ｏ３換算値およびＭｇＯを含む固形分の割合は５重量％であった。
（保護膜形成用塗布液の作製）
実施例１のＭｇＯ粉Ａおよび溶液Ａを用いて実施例３の塗布液Ｃを作製した。
ＭｇＯ粉Ａ １５ｇ
溶液Ａ １００ｇ
ブチル−β−オキシエチルエーテル １８５ｇ
２−プロパノール ２００ｇ
高分子界面活性剤 微量
を秤量し、これらを超音波ホモジナイザーを用いて１０分間分散させることにより、塗布液Ｃを作製した。
この塗布液Ｃは、それに含まれるイットリウムブトキシドのＹ２Ｏ３換算値のＭｇＯに対する重量比（Ｙ２Ｏ３／ＭｇＯ）が０．４０であり、これらＹ２Ｏ３換算値およびＭｇＯを含む固形分の割合は５重量％であった。
（塗布法による保護膜の形成）
塗布液Ｃをガラス基板上にバーコート法にて塗布し、その後８０℃にて５分間乾燥し、次いで、５５０℃にて３０分間焼成することにより、実施例３の保護膜付き基板を作製した。
塗布液Ｃをガラス基板上にバーコート法にて塗布し、その後８０℃にて５分間乾燥し、次いで、５５０℃にて３０分間焼成することにより、実施例３の保護膜付き基板を作製した。
［実施例４］
（保護膜形成用塗布液の作製）
実施例１のＭｇＯ粉Ａおよび溶液Ａを用いて実施例４の塗布液Ｄを作製した。
ＭｇＯ粉Ａ ４２．８ｇ
溶液Ａ １０００ｇ
ブチル−β−オキシエチルエーテル ６００ｇ
２−プロパノール １２１３ｇ
高分子界面活性剤 微量
を秤量し、これらを超音波ホモジナイザーを用いて１０分間分散させることにより、塗布液Ｄを作製した。
この塗布液Ｄは、それに含まれるイットリウムブトキシドのＹ２Ｏ３換算値のＭｇＯに対する重量比（Ｙ２Ｏ３／ＭｇＯ）が０．７０であり、これらＹ２Ｏ３換算値およびＭｇＯを含む固形分の割合は５重量％であった。
（保護膜形成用塗布液の作製）
実施例１のＭｇＯ粉Ａおよび溶液Ａを用いて実施例４の塗布液Ｄを作製した。
ＭｇＯ粉Ａ ４２．８ｇ
溶液Ａ １０００ｇ
ブチル−β−オキシエチルエーテル ６００ｇ
２−プロパノール １２１３ｇ
高分子界面活性剤 微量
を秤量し、これらを超音波ホモジナイザーを用いて１０分間分散させることにより、塗布液Ｄを作製した。
この塗布液Ｄは、それに含まれるイットリウムブトキシドのＹ２Ｏ３換算値のＭｇＯに対する重量比（Ｙ２Ｏ３／ＭｇＯ）が０．７０であり、これらＹ２Ｏ３換算値およびＭｇＯを含む固形分の割合は５重量％であった。
（塗布法による保護膜の形成）
塗布液Ｄをガラス基板上にバーコート法にて塗布し、その後８０℃にて５分間乾燥し、次いで、５５０℃にて３０分間焼成することにより、実施例４の保護膜付き基板を作製した。
塗布液Ｄをガラス基板上にバーコート法にて塗布し、その後８０℃にて５分間乾燥し、次いで、５５０℃にて３０分間焼成することにより、実施例４の保護膜付き基板を作製した。
［実施例５］
（アルカリ土類金属酸化物微粒子）
アルカリ土類金属酸化物微粒子として、気相法により作製した平均粒径が１００ｎｍのＭｇＯ粉末（宇部マテリアルズ製）（ＭｇＯ粉Ｂ）を用いた。
（アルカリ土類金属酸化物微粒子）
アルカリ土類金属酸化物微粒子として、気相法により作製した平均粒径が１００ｎｍのＭｇＯ粉末（宇部マテリアルズ製）（ＭｇＯ粉Ｂ）を用いた。
（保護膜形成用塗布液の作製）
このＭｇＯ粉Ｂおよび実施例１の溶液Ａを用いて実施例５の塗布液Ｅを作製した。
ＭｇＯ粉Ｂ ５６．７ｇ
溶液Ａ １００ｇ
ブチル−β−オキシエチルエーテル ３００ｇ
２−プロパノール ８７７ｇ
高分子界面活性剤 微量
を秤量し、これらを超音波ホモジナイザーを用いて１０分間分散させることにより、塗布液Ｅを作製した。
この塗布液Ｅは、それに含まれるイットリウムブトキシドのＹ２Ｏ３換算値のＭｇＯに対する重量比（Ｙ２Ｏ３／ＭｇＯ）が０．１５であり、これらＹ２Ｏ３換算値およびＭｇＯを含む固形分の割合は５重量％であった。
このＭｇＯ粉Ｂおよび実施例１の溶液Ａを用いて実施例５の塗布液Ｅを作製した。
ＭｇＯ粉Ｂ ５６．７ｇ
溶液Ａ １００ｇ
ブチル−β−オキシエチルエーテル ３００ｇ
２−プロパノール ８７７ｇ
高分子界面活性剤 微量
を秤量し、これらを超音波ホモジナイザーを用いて１０分間分散させることにより、塗布液Ｅを作製した。
この塗布液Ｅは、それに含まれるイットリウムブトキシドのＹ２Ｏ３換算値のＭｇＯに対する重量比（Ｙ２Ｏ３／ＭｇＯ）が０．１５であり、これらＹ２Ｏ３換算値およびＭｇＯを含む固形分の割合は５重量％であった。
（塗布法による保護膜の形成）
塗布液Ｅをガラス基板上にバーコート法にて塗布し、その後８０℃にて５分間乾燥し、次いで、５５０℃にて３０分間焼成することにより、実施例５の保護膜付き基板を作製した。
塗布液Ｅをガラス基板上にバーコート法にて塗布し、その後８０℃にて５分間乾燥し、次いで、５５０℃にて３０分間焼成することにより、実施例５の保護膜付き基板を作製した。
［実施例６］
（アミン希土類錯体の作製）
ランタンブトキシド １０００ｇ
ジエタノールアミン １４６７ｇ
２−プロパノール ２０８０ｇ
を秤量し、これらをエバポレータを用いて環流しながら８０℃にて３時間攪拌し、ランタン（Ｌａ）のアミン錯体溶液（溶液Ｂ）を作製した。
この溶液Ｂは、ランタン（Ｌａ）の含有量が酸化ランタン（Ｌａ２Ｏ３）換算で４５４．７ｇであり、Ｌａ２Ｏ３換算で１０重量％の溶液であった。
（アミン希土類錯体の作製）
ランタンブトキシド １０００ｇ
ジエタノールアミン １４６７ｇ
２−プロパノール ２０８０ｇ
を秤量し、これらをエバポレータを用いて環流しながら８０℃にて３時間攪拌し、ランタン（Ｌａ）のアミン錯体溶液（溶液Ｂ）を作製した。
この溶液Ｂは、ランタン（Ｌａ）の含有量が酸化ランタン（Ｌａ２Ｏ３）換算で４５４．７ｇであり、Ｌａ２Ｏ３換算で１０重量％の溶液であった。
（保護膜形成用塗布液の作製）
実施例１のＭｇＯ粉Ａおよび上記の溶液Ｂを用いて実施例６の塗布液Ｆを作製した。
ＭｇＯ粉Ａ ４０ｇ
溶液Ｂ １００ｇ
ブチル−β−オキシエチルエーテル ３００ｇ
２−プロパノール ５６０ｇ
高分子界面活性剤 微量
を秤量し、これらを超音波ホモジナイザーを用いて１０分間分散させることにより、塗布液Ｆを作製した。
この塗布液Ｆは、それに含まれるランタンブトキシドのＬａ２Ｏ３換算値のＭｇＯに対する重量比（Ｌａ２Ｏ３／ＭｇＯ）が０．２０であり、これらＬａ２Ｏ３換算値およびＭｇＯを含む固形分の割合は５重量％であった。
実施例１のＭｇＯ粉Ａおよび上記の溶液Ｂを用いて実施例６の塗布液Ｆを作製した。
ＭｇＯ粉Ａ ４０ｇ
溶液Ｂ １００ｇ
ブチル−β−オキシエチルエーテル ３００ｇ
２−プロパノール ５６０ｇ
高分子界面活性剤 微量
を秤量し、これらを超音波ホモジナイザーを用いて１０分間分散させることにより、塗布液Ｆを作製した。
この塗布液Ｆは、それに含まれるランタンブトキシドのＬａ２Ｏ３換算値のＭｇＯに対する重量比（Ｌａ２Ｏ３／ＭｇＯ）が０．２０であり、これらＬａ２Ｏ３換算値およびＭｇＯを含む固形分の割合は５重量％であった。
（塗布法による保護膜の形成）
塗布液Ｆをガラス基板上にバーコート法にて塗布し、その後８０℃にて５分間乾燥し、次いで、５５０℃にて３０分間焼成することにより、実施例６の保護膜付き基板を作製した。
塗布液Ｆをガラス基板上にバーコート法にて塗布し、その後８０℃にて５分間乾燥し、次いで、５５０℃にて３０分間焼成することにより、実施例６の保護膜付き基板を作製した。
［比較例１］
（蒸着法による保護膜の形成）
電子ビーム蒸着法の蒸着源として、水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）２）を６００℃にて加熱して得られた酸化マグネシウム（ＭｇＯ）粉末をペレット状に加圧成形し、その後１０００℃にて１２０分間焼成し、ＭｇＯペレットを作製した。
（蒸着法による保護膜の形成）
電子ビーム蒸着法の蒸着源として、水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）２）を６００℃にて加熱して得られた酸化マグネシウム（ＭｇＯ）粉末をペレット状に加圧成形し、その後１０００℃にて１２０分間焼成し、ＭｇＯペレットを作製した。
次いで、電子ビーム蒸着法により、上記のＭｇＯペレットを蒸着源としてガラス基板上にＭｇＯ膜を成膜した。
まず、真空チャンバ内にガラス基板を配置し、この真空チャンバ内を１０−３Ｐａ程度まで真空引きし、その後、酸素（Ｏ２）ガスを２×１０−２Ｐａの圧力で真空チャンバ内に供給しながら２００℃に加熱したガラス基板上にＭｇＯ膜を成膜し、比較例１の保護膜付き基板を作製した。
まず、真空チャンバ内にガラス基板を配置し、この真空チャンバ内を１０−３Ｐａ程度まで真空引きし、その後、酸素（Ｏ２）ガスを２×１０−２Ｐａの圧力で真空チャンバ内に供給しながら２００℃に加熱したガラス基板上にＭｇＯ膜を成膜し、比較例１の保護膜付き基板を作製した。
［比較例２］
（保護膜形成用塗布液の作製）
実施例１のＭｇＯ粉Ａを用いて比較例２の塗布液Ｈを作製した。
ＭｇＯ粉Ａ ５０ｇ
ブチル−β−オキシエチルエーテル ３００ｇ
２−プロパノール ６５０ｇ
高分子界面活性剤 微量
を秤量し、これらを超音波ホモジナイザーを用いて１０分間分散させることにより、塗布液Ｈを作製した。
この塗布液Ｈは、希土類酸化物（ＬｎＯ）を含まないので、希土類酸化物（ＬｎＯ）のＭｇＯに対する重量比（ＬｎＯ／ＭｇＯ）は０であり、ＭｇＯを含む固形分の割合は５重量％であった。
（保護膜形成用塗布液の作製）
実施例１のＭｇＯ粉Ａを用いて比較例２の塗布液Ｈを作製した。
ＭｇＯ粉Ａ ５０ｇ
ブチル−β−オキシエチルエーテル ３００ｇ
２−プロパノール ６５０ｇ
高分子界面活性剤 微量
を秤量し、これらを超音波ホモジナイザーを用いて１０分間分散させることにより、塗布液Ｈを作製した。
この塗布液Ｈは、希土類酸化物（ＬｎＯ）を含まないので、希土類酸化物（ＬｎＯ）のＭｇＯに対する重量比（ＬｎＯ／ＭｇＯ）は０であり、ＭｇＯを含む固形分の割合は５重量％であった。
（塗布法による保護膜の形成）
塗布液Ｈをガラス基板上にバーコート法にて塗布し、その後８０℃にて５分間乾燥し、次いで、５５０℃にて３０分間焼成することにより、比較例２の保護膜付き基板を作製した。
塗布液Ｈをガラス基板上にバーコート法にて塗布し、その後８０℃にて５分間乾燥し、次いで、５５０℃にて３０分間焼成することにより、比較例２の保護膜付き基板を作製した。
［比較例３］
（保護膜形成用塗布液の作製）
実施例１のＭｇＯ粉Ａおよび溶液Ａを用いて比較例３の塗布液Ｉを作製した。
ＭｇＯ粉Ａ ４９０ｇ
溶液Ａ １００ｇ
ブチル−β−オキシエチルエーテル ３０００ｇ
２−プロパノール ６４１０ｇ
高分子界面活性剤 微量
を秤量し、これらを超音波ホモジナイザーを用いて１０分間分散させることにより、塗布液Ｉを作製した。
この塗布液Ｉは、それに含まれるイットリウムブトキシドのＹ２Ｏ３換算値のＭｇＯに対する重量比（Ｙ２Ｏ３／ＭｇＯ）が０．０２であり、これらＹ２Ｏ３換算値およびＭｇＯを含む固形分の割合は５重量％であった。
（保護膜形成用塗布液の作製）
実施例１のＭｇＯ粉Ａおよび溶液Ａを用いて比較例３の塗布液Ｉを作製した。
ＭｇＯ粉Ａ ４９０ｇ
溶液Ａ １００ｇ
ブチル−β−オキシエチルエーテル ３０００ｇ
２−プロパノール ６４１０ｇ
高分子界面活性剤 微量
を秤量し、これらを超音波ホモジナイザーを用いて１０分間分散させることにより、塗布液Ｉを作製した。
この塗布液Ｉは、それに含まれるイットリウムブトキシドのＹ２Ｏ３換算値のＭｇＯに対する重量比（Ｙ２Ｏ３／ＭｇＯ）が０．０２であり、これらＹ２Ｏ３換算値およびＭｇＯを含む固形分の割合は５重量％であった。
（塗布法による保護膜の形成）
塗布液Ｉをガラス基板上にバーコート法にて塗布し、その後８０℃にて５分間乾燥し、次いで、５５０℃にて３０分間焼成することにより、比較例３の保護膜付き基板を作製した。
塗布液Ｉをガラス基板上にバーコート法にて塗布し、その後８０℃にて５分間乾燥し、次いで、５５０℃にて３０分間焼成することにより、比較例３の保護膜付き基板を作製した。
［比較例４］
（保護膜形成用塗布液の作製）
実施例１のＭｇＯ粉Ａおよび溶液Ａを用いて比較例４の塗布液Ｊを作製した。
ＭｇＯ粉Ａ １７．６ｇ
溶液Ａ １０００ｇ
ブチル−β−オキシエチルエーテル ５００ｇ
２−プロパノール ８３４ｇ
高分子界面活性剤 微量
を秤量し、これらを超音波ホモジナイザーを用いて１０分間分散させることにより、塗布液Ｊを作製した。
この塗布液Ｊは、それに含まれるイットリウムブトキシドのＹ２Ｏ３換算値のＭｇＯに対する重量比（Ｙ２Ｏ３／ＭｇＯ）が０．８５であり、これらＹ２Ｏ３換算値およびＭｇＯを含む固形分の割合は５重量％であった。
（保護膜形成用塗布液の作製）
実施例１のＭｇＯ粉Ａおよび溶液Ａを用いて比較例４の塗布液Ｊを作製した。
ＭｇＯ粉Ａ １７．６ｇ
溶液Ａ １０００ｇ
ブチル−β−オキシエチルエーテル ５００ｇ
２−プロパノール ８３４ｇ
高分子界面活性剤 微量
を秤量し、これらを超音波ホモジナイザーを用いて１０分間分散させることにより、塗布液Ｊを作製した。
この塗布液Ｊは、それに含まれるイットリウムブトキシドのＹ２Ｏ３換算値のＭｇＯに対する重量比（Ｙ２Ｏ３／ＭｇＯ）が０．８５であり、これらＹ２Ｏ３換算値およびＭｇＯを含む固形分の割合は５重量％であった。
（塗布法による保護膜の形成）
塗布液Ｊをガラス基板上にバーコート法にて塗布し、その後８０℃にて５分間乾燥し、次いで、５５０℃にて３０分間焼成することにより、比較例４の保護膜付き基板を作製した。
塗布液Ｊをガラス基板上にバーコート法にて塗布し、その後８０℃にて５分間乾燥し、次いで、５５０℃にて３０分間焼成することにより、比較例４の保護膜付き基板を作製した。
［保護膜の評価］
実施例１〜６および比較例１〜４それぞれの保護膜付き基板について、保護膜の膜厚、外観、密着性、耐スパッタ性の各評価を行った。
膜 厚：接触指針型膜厚計により測定した。
外 観：光学顕微鏡により保護膜の表面を観察した。評価基準は下記の通りとした。
○：良好（マイクロクラック、ピンホールが認められない。）
△：一部不良（部分的にマイクロクラック、ピンホールが認められる。）
×：不良（マイクロクラック、ピンホールが多数認められる。）
実施例１〜６および比較例１〜４それぞれの保護膜付き基板について、保護膜の膜厚、外観、密着性、耐スパッタ性の各評価を行った。
膜 厚：接触指針型膜厚計により測定した。
外 観：光学顕微鏡により保護膜の表面を観察した。評価基準は下記の通りとした。
○：良好（マイクロクラック、ピンホールが認められない。）
△：一部不良（部分的にマイクロクラック、ピンホールが認められる。）
×：不良（マイクロクラック、ピンホールが多数認められる。）
密着性：日本工業規格ＪＩＳ Ｋ ５４００に準拠して評価を行った。ここでは、保護膜付き基板の表面（保護膜の表面）に１ｍｍ間隔で縦横に１１本の切れ目を入れて１００個の格子を作製し、次いで、その表面に市販の接着用テープを貼り付け、この接着用テープをプラスチック製のへらで擦って十分に密着させた後、一気に剥がす、という操作を５回繰り返し、保護膜の表面を観察した。評価基準は下記の通りとした。
○：１００個の格子が全く剥離しなかったもの
△：１００個の格子の一部が剥離したもの
×：１００個の格子の全てが剥離したもの
○：１００個の格子が全く剥離しなかったもの
△：１００個の格子の一部が剥離したもの
×：１００個の格子の全てが剥離したもの
耐スパッタ性：真空チャンバー内に配置した実施例１〜６および比較例１〜４各々の保護膜付き基板に、イオン銃によりアルゴン（Ａｒ）を加速電圧１ｋＶの条件で所定時間照射し、スパッタ量（深さ）を測定した。照射時間は、２０時間、５０時間の２通りとした。
この評価方法は、イオン銃によるエッチング方法でＰＤＰの放電によるスパッタを模擬したものであり、短時間で保護膜の耐スパッタ性の相対評価を行うことができる。
この評価方法は、イオン銃によるエッチング方法でＰＤＰの放電によるスパッタを模擬したものであり、短時間で保護膜の耐スパッタ性の相対評価を行うことができる。
［電気特性の評価］
図１に示す面放電型のＡＣ型ＰＤＰの保護膜に実施例１〜６および比較例１〜４それぞれの保護膜を適用したＰＤＰを作製し、実施例１〜６および比較例１〜４のＰＤＰとした。
図１に示す面放電型のＡＣ型ＰＤＰの保護膜に実施例１〜６および比較例１〜４それぞれの保護膜を適用したＰＤＰを作製し、実施例１〜６および比較例１〜４のＰＤＰとした。
ここでは、表示電極３、バス電極４およびアドレス電極７に、金（Ａｕ）ペースト（エンゲルハルド社製）を用いて形成したストライプ状のＡｕ膜を用い、誘電体層５に、誘電体ペースト（Ｇ−０４９６：奥野製薬工業社製）を用いて形成した誘電体膜を用い、保護膜６に、実施例１〜６および比較例１〜４それぞれの保護膜を用いた。また、隔壁８に、誘電体ペースト（９７４１：デュポン社製）を用いて形成した誘電体厚膜を用い、蛍光体層９に、Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎを含有する蛍光体ペースト（Ｐ１−Ｇ１:化成オプトニクス社製）を用いて形成した緑色蛍光体層を用い、表示セル１０内に封入するガスをＨｅ−５ｖ／ｖ％Ｘｅの混合ガスとし、その封入圧力を５００Ｔｏｒｒ（６．６５×１０４Ｐａ）とした。
そして、ＰＤＰのパネル電気特性を評価するために、実施例１〜６および比較例１〜４それぞれのＰＤＰについて、２０ＫＨｚにて駆動した場合におけるパネル電気特性として、放電開始電圧Ｖｆ［Ｖ］、放電維持電圧Ｖｓ［Ｖ］を測定した。
これらの評価結果を表１、２に示す。
これらの評価結果を表１、２に示す。
表１及び表２によれば、実施例１〜６の保護膜は、外観が良好で、基板との剥離もなく、耐スパッタ性も良好であった。また、電気特性についても比較例１と同等の電気特性を示し、良好な結果となった。
一方、比較例１の保護膜は、密着性、電気特性は良好であるものの、耐スパッタ性に劣るものであった。
比較例２の保護膜は、外観が不良で、基板との密着性も悪く、耐スパッタ性についても試験途中で膜が剥離してしまい、測定不能であった。また、電気特性についても、この保護膜を用いて作製したＰＤＰでは放電が起こらず、点灯しないため、放電開始電圧と放電維持電圧を測定することができなかった。
一方、比較例１の保護膜は、密着性、電気特性は良好であるものの、耐スパッタ性に劣るものであった。
比較例２の保護膜は、外観が不良で、基板との密着性も悪く、耐スパッタ性についても試験途中で膜が剥離してしまい、測定不能であった。また、電気特性についても、この保護膜を用いて作製したＰＤＰでは放電が起こらず、点灯しないため、放電開始電圧と放電維持電圧を測定することができなかった。
比較例３の保護膜は、電気特性は良好であるが、耐スパッタ性、密着性に劣るものであった。
比較例４の保護膜は、マイクロクラックが認められたため外観不良で、基板との密着性も悪く、耐スパッタ性についても試験途中で膜が剥離してしまい、測定不能であった。また、電気特性についても、実施例１〜６と比較して放電開始電圧、放電維持電圧ともに極めて高い値となった。
以上により、実施例１〜６の保護膜を使用したＰＤＰは、耐スパッタ性、電気特性共に優れており、表示面の寿命を大幅に向上させることが明らかとなった。
比較例４の保護膜は、マイクロクラックが認められたため外観不良で、基板との密着性も悪く、耐スパッタ性についても試験途中で膜が剥離してしまい、測定不能であった。また、電気特性についても、実施例１〜６と比較して放電開始電圧、放電維持電圧ともに極めて高い値となった。
以上により、実施例１〜６の保護膜を使用したＰＤＰは、耐スパッタ性、電気特性共に優れており、表示面の寿命を大幅に向上させることが明らかとなった。
本発明のプラズマディスプレイパネル用保護膜形成用塗布液は、緻密でマイクロクラックやピンホールが無く、耐スパッタ性に優れたＰＤＰの誘電体層用保護膜を形成することができるものであるから、ＰＤＰの長寿命化はもちろんのこと、より大画面化、より薄厚化に対しても極めて有用なものである。
１ 前面板
２ 背面板
３ 表示電極
４ バス電極
５ 誘電体層
６ 保護膜
７ アドレス電極
８ 隔壁
９ 蛍光体層
１０ 表示セル
Ｇ 混合ガス
２ 背面板
３ 表示電極
４ バス電極
５ 誘電体層
６ 保護膜
７ アドレス電極
８ 隔壁
９ 蛍光体層
１０ 表示セル
Ｇ 混合ガス
Claims (2)
- マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム及びバリウムの群から選択される１種以上の元素を主成分とする金属酸化物微粒子とアミン希土類錯体とを含有してなることを特徴とするプラズマディスプレイパネル用保護膜形成用塗布液。
- 前記アミン希土類錯体を希土類酸化物に換算した場合の該希土類酸化物の含有量は、前記金属酸化物微粒子１００重量部に対して５重量部以上かつ７０重量部以下であることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネル用保護膜形成用塗布液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004327795A JP4519610B2 (ja) | 2004-11-11 | 2004-11-11 | プラズマディスプレイパネル用保護膜形成用塗布液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004327795A JP4519610B2 (ja) | 2004-11-11 | 2004-11-11 | プラズマディスプレイパネル用保護膜形成用塗布液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006140000A JP2006140000A (ja) | 2006-06-01 |
| JP4519610B2 true JP4519610B2 (ja) | 2010-08-04 |
Family
ID=36620694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004327795A Expired - Fee Related JP4519610B2 (ja) | 2004-11-11 | 2004-11-11 | プラズマディスプレイパネル用保護膜形成用塗布液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4519610B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4813234B2 (ja) * | 2006-04-04 | 2011-11-09 | 宇部マテリアルズ株式会社 | 交流型プラズマディスプレイパネル用酸化マグネシウム薄膜製造用の液体組成物 |
| JP5025541B2 (ja) * | 2007-03-26 | 2012-09-12 | 宇部マテリアルズ株式会社 | 酸化マグネシウム薄膜およびその製造方法 |
| WO2008139633A1 (en) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Kazufumi Ogawa | Patterned single layer insulating particle film and insulating particle accumulation film where their arrangements are controlled, and method of manufacturing them |
| JP2012059619A (ja) * | 2010-09-10 | 2012-03-22 | Hitachi Consumer Electronics Co Ltd | 保護膜、プラズマディスプレイパネル及び表示装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08325522A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-12-10 | Dainippon Printing Co Ltd | コーティング組成物及びその製造方法、並びに機能性膜及びその製造方法 |
| JPH08329844A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-12-13 | Dainippon Printing Co Ltd | 交流型プラズマディスプレイ及びその製造方法 |
| JPH09129141A (ja) * | 1995-11-01 | 1997-05-16 | Shinto Paint Co Ltd | 金属酸化物薄膜形成用コーティング剤 |
| JP2000129161A (ja) * | 1998-10-21 | 2000-05-09 | Mitsubishi Materials Corp | Ｆｐｄ保護膜用コーティング液及びその調製方法 |
-
2004
- 2004-11-11 JP JP2004327795A patent/JP4519610B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08325522A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-12-10 | Dainippon Printing Co Ltd | コーティング組成物及びその製造方法、並びに機能性膜及びその製造方法 |
| JPH08329844A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-12-13 | Dainippon Printing Co Ltd | 交流型プラズマディスプレイ及びその製造方法 |
| JPH09129141A (ja) * | 1995-11-01 | 1997-05-16 | Shinto Paint Co Ltd | 金属酸化物薄膜形成用コーティング剤 |
| JP2000129161A (ja) * | 1998-10-21 | 2000-05-09 | Mitsubishi Materials Corp | Ｆｐｄ保護膜用コーティング液及びその調製方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2006140000A (ja) | 2006-06-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101479827B (zh) | 等离子显示面板及其制造方法 | |
| JP4727093B2 (ja) | プラズマディスプレイ装置 | |
| JP2007291389A (ja) | プラズマディスプレイパネル用蛍光体及びそれを用いた蛍光膜を備えるプラズマディスプレイパネル | |
| KR100730044B1 (ko) | 격벽용 슬러리, 그린시트 및 플라즈마 디스플레이 패널의격벽 제조방법 | |
| JP3991504B2 (ja) | Ｐｄｐ又はｐａｌｃ用保護膜の製造方法及びそのｐｄｐ又はｐａｌｃ用保護膜並びにこれを用いたｐｄｐ又はｐａｌｃ | |
| JP4519610B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル用保護膜形成用塗布液 | |
| JP5272332B2 (ja) | 蛍光体ペーストおよびディスプレイの製造方法 | |
| KR100943194B1 (ko) | 마그네슘 산화물 입자가 표면에 부착된 플라즈마디스플레이 패널용 보호막, 이의 제조 방법 및 상기보호막을 구비한 플라즈마 디스플레이 패널 | |
| JP2006139999A (ja) | プラズマディスプレイパネル用保護膜およびその形成方法並びにプラズマディスプレイパネル | |
| WO2011118152A1 (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
| JP4589980B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
| US7436108B2 (en) | Red phosphor for plasma display panel and plasma display panel including phosphor layer formed of the red phosphor | |
| KR20060116117A (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법 | |
| CN102449723A (zh) | 等离子显示面板的制造方法 | |
| JP2003082342A (ja) | プラズマディスプレイ装置 | |
| JP5007275B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
| US7067969B2 (en) | Plasma display unit including lanthnum substituted aluminate phosphor | |
| US7781952B2 (en) | Green phosphor for plasma display panel and plasma display panel including phosphor layer formed of the green phosphor | |
| JPH11315041A (ja) | 金属酸化物前駆体組成物及びその製造方法 | |
| JP5337079B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 | |
| JP2010192293A (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
| JP2009283351A (ja) | 保護膜、保護膜の製造方法、プラズマディスプレイパネル及びプラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
| WO2013018335A1 (ja) | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 | |
| JP2013093304A (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
| WO2013018312A1 (ja) | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070808 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091125 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100309 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100423 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100511 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100519 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130528 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140528 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |