JP2907896B2 - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
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- JP2907896B2 JP2907896B2 JP1286703A JP28670389A JP2907896B2 JP 2907896 B2 JP2907896 B2 JP 2907896B2 JP 1286703 A JP1286703 A JP 1286703A JP 28670389 A JP28670389 A JP 28670389A JP 2907896 B2 JP2907896 B2 JP 2907896B2
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- vacuum
- synthetic resin
- coercive force
- resin substrate
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光磁気記録媒体の製造方法、特に、磁気光
学効果を利用してレーザ光により情報の記録・再生を行
なう光磁気記録媒体の製造方法に関する。
学効果を利用してレーザ光により情報の記録・再生を行
なう光磁気記録媒体の製造方法に関する。
従来の光磁気記録媒体は記録特性，再生特性の向上を
目的として、光磁気記録層として複数の磁性層を用いた
ものが提案されており、本発明者らもガドリニウム・鉄
・コバルト・チタン合金からなる垂直磁化可能で高い耐
酸化性を有しかつ高いキュリー温度を示す再生特性のよ
い読出層となる低保磁力層と、テルビウム・鉄・チタン
合金からなる垂直磁化可能で高い耐酸化性を有しかつ低
いキュリー温度を示す記録特性のよい書込層となる高保
磁力層とを順次積層し、少ないエネルギーで書込層に書
き込んだビットを磁気光学効果の大きい読出層に交換結
合により転写し、読出層側から読出すものを既に提案し
ている。
目的として、光磁気記録層として複数の磁性層を用いた
ものが提案されており、本発明者らもガドリニウム・鉄
・コバルト・チタン合金からなる垂直磁化可能で高い耐
酸化性を有しかつ高いキュリー温度を示す再生特性のよ
い読出層となる低保磁力層と、テルビウム・鉄・チタン
合金からなる垂直磁化可能で高い耐酸化性を有しかつ低
いキュリー温度を示す記録特性のよい書込層となる高保
磁力層とを順次積層し、少ないエネルギーで書込層に書
き込んだビットを磁気光学効果の大きい読出層に交換結
合により転写し、読出層側から読出すものを既に提案し
ている。
本発明者らが提案している磁性層材料は、従来の材料
に比べれば耐酸化性が高いが、非常に長い期間高温高湿
度環境下に保存した場合には酸化劣化が発生し問題とな
る。
に比べれば耐酸化性が高いが、非常に長い期間高温高湿
度環境下に保存した場合には酸化劣化が発生し問題とな
る。
すなわち、合成樹脂基板の上に低保磁力層および高保
磁力層を一対の保護層によってはさむことにより，合成
樹脂基板を通して低保磁力層にくる水分や酸素ならびに
高保磁力層の上方からくる水分や酸素を遮断し、低保磁
力層や高保磁力層が酸化されないようにしている。
磁力層を一対の保護層によってはさむことにより，合成
樹脂基板を通して低保磁力層にくる水分や酸素ならびに
高保磁力層の上方からくる水分や酸素を遮断し、低保磁
力層や高保磁力層が酸化されないようにしている。
なお、合成樹脂基板と低保磁力層との間に設けられる
付着強化層は必らずしも設ける必要はない すなわち、従来の光磁気記録媒体の製造方法は、合成
樹脂基板をスパッタ装置に装着し真空排気した後、保護
層、低保磁力層、高保磁力層をスパッタ装置内で順次積
層するものである。
付着強化層は必らずしも設ける必要はない すなわち、従来の光磁気記録媒体の製造方法は、合成
樹脂基板をスパッタ装置に装着し真空排気した後、保護
層、低保磁力層、高保磁力層をスパッタ装置内で順次積
層するものである。
このようにして製造した従来の光磁気記録媒体は記録
・再生してみると、正しく記録再生できない部分が存在
する場合があった。
・再生してみると、正しく記録再生できない部分が存在
する場合があった。
本発明者らは、この問題の原因を検討した結果、読出
層の磁化と書込層の磁化との磁気カップリングが部分的
に弱くなっているためとわかった。
層の磁化と書込層の磁化との磁気カップリングが部分的
に弱くなっているためとわかった。
しかしながら、このような上述した従来の光磁気記録
媒体の製造方法は、基板がエポキシ樹脂等の合成樹脂の
場合には、低保磁力層の磁化と高保磁力層の磁化との交
換結合がディスクの外周部側で一部分不良になるという
欠点があった。
媒体の製造方法は、基板がエポキシ樹脂等の合成樹脂の
場合には、低保磁力層の磁化と高保磁力層の磁化との交
換結合がディスクの外周部側で一部分不良になるという
欠点があった。
本発明者らは、この交換結合不良の問題を解決するた
め種々の製造方法を検討した結果、読出層を形成する前
に真空中において合成樹脂基板を加熱することにより解
決できることがわかった。
め種々の製造方法を検討した結果、読出層を形成する前
に真空中において合成樹脂基板を加熱することにより解
決できることがわかった。
真空中ではなく、大気中で加熱したのでは、交換結合
不良の問題は解決できなかった。
不良の問題は解決できなかった。
以上のことから、この交換結合不良の原因は、合成樹
脂基板中の不純物が磁性膜をスパッタしている間にガス
化してスパッタチャンバー中に出てきて、低保磁力層と
高保磁力層との界面を変質させるためと思われ、大気中
加熱では効果はなく、真空中でなければいけない理由は
この不純物がガス化する温度が減圧下ではかなり下がる
ためと思われる。
脂基板中の不純物が磁性膜をスパッタしている間にガス
化してスパッタチャンバー中に出てきて、低保磁力層と
高保磁力層との界面を変質させるためと思われ、大気中
加熱では効果はなく、真空中でなければいけない理由は
この不純物がガス化する温度が減圧下ではかなり下がる
ためと思われる。
すなわち、本発明の光磁気記録媒体の製造方法は、合
成樹脂基板上に垂直磁化可能で高キュリー点を有する低
保磁力層と垂直磁化可能で低キュリー点を有し前記低保
磁力層との間で交換結合する高保磁力層とを順次積層
し、前記低保磁力層を成膜する前に真空中において前記
合成樹脂基板を加熱し不純物を放出せしめる工程を有し
て構成される。
成樹脂基板上に垂直磁化可能で高キュリー点を有する低
保磁力層と垂直磁化可能で低キュリー点を有し前記低保
磁力層との間で交換結合する高保磁力層とを順次積層
し、前記低保磁力層を成膜する前に真空中において前記
合成樹脂基板を加熱し不純物を放出せしめる工程を有し
て構成される。
次に、本発明の実施例について、図面を用いて説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例を示す工程図、第２図は第
１図に示す実施例を用いて製造した光磁気記録媒体の一
例を示す概略断面図である。
１図に示す実施例を用いて製造した光磁気記録媒体の一
例を示す概略断面図である。
アクリル系樹脂によるトラック案内溝が決定されてい
る直径200mm,厚さ12mmのエポキシ樹脂製ディスク基板を
スパッタ装置内に装着した。1.0×10-3Torr以下に真空
排気後、この真空中において合成樹脂基板１を100℃に
加熱する真空加熱工程S1で３時間保持した。その後、合
成樹脂基板１を60℃以下になるまで冷却した。このとき
の真空度は1.0×10-5Torr以下であった。
る直径200mm,厚さ12mmのエポキシ樹脂製ディスク基板を
スパッタ装置内に装着した。1.0×10-3Torr以下に真空
排気後、この真空中において合成樹脂基板１を100℃に
加熱する真空加熱工程S1で３時間保持した。その後、合
成樹脂基板１を60℃以下になるまで冷却した。このとき
の真空度は1.0×10-5Torr以下であった。
次に、アルゴンガスを導入して合成樹脂基板１を逆ス
パッタした後、アルゴンと酸素との混合ガスを導入して
反応性スパッタリングすることにより300Å厚の酸化タ
ンタルの付着強化層６を形成した。
パッタした後、アルゴンと酸素との混合ガスを導入して
反応性スパッタリングすることにより300Å厚の酸化タ
ンタルの付着強化層６を形成した。
次に、アルゴンと窒素との混合ガスを導入して反応性
スパッタリングすることにより500Å厚の窒化シリコン
の保護層４を形成した。
スパッタリングすることにより500Å厚の窒化シリコン
の保護層４を形成した。
次に、アルゴンガスを導入して、低保磁力層積層工程
S2で原子％で23.0対58.4対14.6対4.0のガドリニウム・
鉄・コバルト・チタン膜の200Åの読出層となる低保磁
力層２を積層し、さらに高保磁力層工程S3で原子％で2
0.2対75.8対4.0のテルビウム・鉄・チタン膜の1000Å厚
の書込層となる高保磁力層３をスパッタリングにより順
次積層することにより、交換結合二層記録層Ａを形成し
た。
S2で原子％で23.0対58.4対14.6対4.0のガドリニウム・
鉄・コバルト・チタン膜の200Åの読出層となる低保磁
力層２を積層し、さらに高保磁力層工程S3で原子％で2
0.2対75.8対4.0のテルビウム・鉄・チタン膜の1000Å厚
の書込層となる高保磁力層３をスパッタリングにより順
次積層することにより、交換結合二層記録層Ａを形成し
た。
最後に、アルゴンと窒素との混合ガスを導入して反応
性スパッタリングすることにより800Å厚の窒化シリコ
ンの保護層５を形成し、第１図に示す光磁気記録媒体を
製造した。
性スパッタリングすることにより800Å厚の窒化シリコ
ンの保護層５を形成し、第１図に示す光磁気記録媒体を
製造した。
以上のように製造したディスク２枚を膜が内側になる
ようにしてホットメルトで貼合せて光磁気記録媒体を製
造した。
ようにしてホットメルトで貼合せて光磁気記録媒体を製
造した。
この光磁気記録媒体を3600rpmで回転し、波長830nmの
半導体レーザを基板を通して照射し、記録周波数10MHz
の信号を12mWの記録パワーで記録し、3.9mWの再生パワ
ーで再生したところ、バンド幅60kHzでのC/N比は60dBが
得られ、高感度で高C/Nの光磁気記録媒体であることが
確認された。
半導体レーザを基板を通して照射し、記録周波数10MHz
の信号を12mWの記録パワーで記録し、3.9mWの再生パワ
ーで再生したところ、バンド幅60kHzでのC/N比は60dBが
得られ、高感度で高C/Nの光磁気記録媒体であることが
確認された。
次に、この光磁気記録媒体をビット・バイ・ビットで
記録・再生検査を行なっても、そのエラー率は10-6台以
下であった。
記録・再生検査を行なっても、そのエラー率は10-6台以
下であった。
比較例として、真空中加熱を行なわないで製造した光
磁気記録媒体のビット・バイ・ビットのエラー率を測定
したところ、多数のディスクを測定すると、中にはエラ
ー率が10-4台以上と悪いディスクもあった。この悪いデ
ィスクでも、再生パワーを2mWとさげ、記録膜面での外
部浮遊磁界がほとんど零であるような特殊な記録再生系
を用いて再生すれば、エラー率は10-6台以下になること
から、通常の記録再生系でエラー率が悪い原因は、読出
層と書込層との磁化の磁気カップリングが不良のためと
判明した。
磁気記録媒体のビット・バイ・ビットのエラー率を測定
したところ、多数のディスクを測定すると、中にはエラ
ー率が10-4台以上と悪いディスクもあった。この悪いデ
ィスクでも、再生パワーを2mWとさげ、記録膜面での外
部浮遊磁界がほとんど零であるような特殊な記録再生系
を用いて再生すれば、エラー率は10-6台以下になること
から、通常の記録再生系でエラー率が悪い原因は、読出
層と書込層との磁化の磁気カップリングが不良のためと
判明した。
なお、真空中加熱温度が60℃以下では、加熱なしのと
きと同じ結果であり、真空中加熱温度が80℃では、交換
結合不良の発生頻度が低くなったが、まだ問題であっ
た。
きと同じ結果であり、真空中加熱温度が80℃では、交換
結合不良の発生頻度が低くなったが、まだ問題であっ
た。
また、大気中加熱では、100℃,110℃では交換結合不
良を解決できず、115℃以上の大気中加熱では基板の機
械的特性（面振れ加速速度等）が劣化するので光磁気記
録媒体として使用することはできなかった。
良を解決できず、115℃以上の大気中加熱では基板の機
械的特性（面振れ加速速度等）が劣化するので光磁気記
録媒体として使用することはできなかった。
本発明の光磁気記録媒体の製造方法は、真空加熱され
た合成樹脂基板に記録層を積層することにより高感度で
高C/Nな光磁気記録媒体を歩留りよく製造することがで
きるという効果がある。
た合成樹脂基板に記録層を積層することにより高感度で
高C/Nな光磁気記録媒体を歩留りよく製造することがで
きるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す工程図、第２図は第１
図に示す実施例にもとづいて製造された光磁気記録媒体
の例を示す概略断面図である。 S1……真空加熱工程、S2……低保磁力層積層工程、S3…
…高保磁力層層積層、１……合成樹脂基板、Ａ……記録
層、２……低保磁力層、３……高保磁力層、4,5……保
護層、６……付着強化層。
図に示す実施例にもとづいて製造された光磁気記録媒体
の例を示す概略断面図である。 S1……真空加熱工程、S2……低保磁力層積層工程、S3…
…高保磁力層層積層、１……合成樹脂基板、Ａ……記録
層、２……低保磁力層、３……高保磁力層、4,5……保
護層、６……付着強化層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 深見 栄三 東京都港区芝５丁目33番１号 日本電気 株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−129956（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−213848（ＪＰ，Ａ)
Claims (6)
- 【請求項１】合成樹脂基板を真空中で加熱する真空加熱
工程と、 前記合成樹脂基板の上に交換結合二層記録層を積層する
記録層積層工程とを含むことを特徴とする光磁気記録媒
体の製造方法。 - 【請求項２】合成樹脂基板を真空中で加熱する真空加熱
工程と、 前記合成樹脂基板の上に垂直磁化可能で高いキュリー点
を有する低保磁力層を積層する低保磁力層積層工程と、 前記低保磁力層の上に垂直磁化可能で低キュリー点を有
し前記低保磁力層との間で交換結合を行う高保磁力層を
積層する高保磁力積層工程 とを含むことを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項３】真空中において合成樹脂基板を加熱し基板
中の不純物を放出せしめる真空加熱工程と、 前記合成樹脂基板の上に低保磁力層を積層する低保磁力
層積層工程と、 前記低保磁力層の上に高保磁力層を積層する高保磁力層
積層工程 とを含むことを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項４】前記真空加熱工程は、前記合成樹脂基板を
真空中で約100℃の温度で加熱することを特徴とする請
求項１記載の光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項５】前記真空加熱工程は、前記合成樹脂基板を
真空中で約100℃の温度で加熱することを特徴とする請
求項２記載の光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項６】前記真空加熱工程は、真空中において前記
合成樹脂基板を約100℃の温度で加熱し基板中の不純物
を放出せしめることを特徴とする請求項３記載の光磁気
記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1286703A JP2907896B2 (ja) | 1989-11-01 | 1989-11-01 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1286703A JP2907896B2 (ja) | 1989-11-01 | 1989-11-01 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03147543A JPH03147543A (ja) | 1991-06-24 |
| JP2907896B2 true JP2907896B2 (ja) | 1999-06-21 |
Family
ID=17707898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1286703A Expired - Lifetime JP2907896B2 (ja) | 1989-11-01 | 1989-11-01 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2907896B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5778652A (en) * | 1980-11-01 | 1982-05-17 | Daido Steel Co Ltd | Thermal magnetic recording carrier and thermal magnetic recording system |
| JPS59129956A (ja) * | 1983-01-17 | 1984-07-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH01213848A (ja) * | 1988-02-23 | 1989-08-28 | Canon Inc | 光磁気記録媒体の製造方法 |
-
1989
- 1989-11-01 JP JP1286703A patent/JP2907896B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03147543A (ja) | 1991-06-24 |
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