JP2906612B2 - マイクロカプセル型導電性接着剤と接着方法 - Google Patents

マイクロカプセル型導電性接着剤と接着方法

Info

Publication number
JP2906612B2
JP2906612B2 JP21244090A JP21244090A JP2906612B2 JP 2906612 B2 JP2906612 B2 JP 2906612B2 JP 21244090 A JP21244090 A JP 21244090A JP 21244090 A JP21244090 A JP 21244090A JP 2906612 B2 JP2906612 B2 JP 2906612B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
microcapsule
adhesive
microcapsules
resin
conductive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP21244090A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0496981A (ja
Inventor
仁昭 伊達
誠 臼居
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP21244090A priority Critical patent/JP2906612B2/ja
Publication of JPH0496981A publication Critical patent/JPH0496981A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2906612B2 publication Critical patent/JP2906612B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199Material of the matrix
    • H01L2224/2929Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29339Silver [Ag] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29344Gold [Au] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29347Copper [Cu] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/29394Base material with a principal constituent of the material being a liquid not provided for in groups H01L2224/293 - H01L2224/29391
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29499Shape or distribution of the fillers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01019Potassium [K]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/0132Binary Alloys
    • H01L2924/01322Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/321Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives

Landscapes

  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 マイクロカプセル型導電性接着剤に関し、 材料構成と、その使用法を提供することを目的とし、 導電性微粒子の表面を樹脂よりなる殻で被覆した第1
のマイクロカプセルと該カプセルよりも粒径が大きく、
硬化剤を樹脂よりなる殻中に封入して形成した第2のマ
イクロカプセルとを接着樹脂中に均一に分散させるなる
ことを特徴としてマイクロカプセル型導電性接着剤を形
成し、該接着剤を接着すべき第1の物体上に塗布し、該
物体に第2の物体を圧接することにより、前記導電性接
着剤を構成する第1のマイクロカプセルおよび第2のマ
イクロカプセルとが圧壊し、導電性微粒子が相互に接触
すると共に、第2のマイクロカプセルに含まれる硬化剤
と接着樹脂とが反応して硬化することを特徴として接着
方法を構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明はマイクロカプセル型導電性接着剤とその接着
方法に関する。
〔従来の技術〕
導電性接着剤として代表的なものは半田であり、プリ
ント配線基板やセラミック基板に電子部品や半導体素子
を装着する場合に、フローソルダリング,リフロー或い
は半田付けなどの方法を用いて接着が行われている。
また、ICやLSIのパッケージングにおいてチップのセ
ラミック基板への装着には金−シリコン(Au−Si)共晶
合金が使用されている。
然し、生産コストの低減と生産性の向上を目的として
導電性接着剤が普及してきており、液晶表示板を構成す
る透明導電膜(ITO膜)への接着,水晶振動子の電極膜
への接着などを始めとし、配線基板上に設けられている
バンプなどの導体パターンへのリード端子の接着にも導
電性接着剤が使用されるようになってきている。
こゝで、現在使用されている導電性接着剤はエポキシ
樹脂に銀(Ag)粉を混練したものが主流であるが、樹脂
としてはポリイミド,フェノール,ポリエステルなども
一部で使用されている。
また、導電フィラーとして、金(Au),銅(Cu)など
の金属の他、グラファイト粉なども一部で使用されてい
る。
このような、導電性接着剤は樹脂中に混入された金属
粒子が相互に接続することにより導電性を生じているも
のであり、導電性を生ずるためには 金属粒子の粒径が小さいこと、 金属粒子の含有量が多いこと、 などが必要である。
さて、部品の小形化が進み、高密度実装が進むに従っ
て、端子間隔が縮小してきており、従来のように基板上
に設けられているバンプなどの導体パターンに導電性接
着剤を塗布し、端子を当接して加熱する方法では端子間
の絶縁を保持することが困難になってきている。
例えば、ビームリードタイプのICの場合、ビームリー
ドの幅は50〜100μmであり、またリード間の間隔も50
〜100μmであるが、これを導電性接着剤を用いてバン
プ接着する場合は、相互のバンプ間の絶縁を保つことは
困難である。
〔発明が解決しようとする課題〕
材料コストの低減と生産性の向上を目的とし、導電性
接着剤が共晶半田に代わって端子接続に使用されつゝあ
るが、半導体ICのように端子数が多く、端子間隔が狭い
金属端子を基板上に設けたバンプのような導体パターン
に接着する場合には、接着の際に導電性接着剤のはみ出
しが生ずることから、端子間の絶縁を保持することは信
頼性の面から困難である。
そこで、このような場合でも信頼性よく絶縁を保ち得
る導電性接着剤を開発することが課題である。
〔課題を解決するための手段〕
上記の課題は導電性微粒子の表面を樹脂よりなる殻で
被覆した第1のマイクロカプセルと、このカプセルより
も粒径が大きく、硬化剤を樹脂よりなる殻中に封入して
形成した第2のマイクロカプセルとを接着樹脂中に均一
に分散させてなることを特徴としてマイクロカプセル型
導電性接着剤を形成し、この接着剤を接着すべき第1の
物体上に塗布し、この物体に第2の物体を圧接すること
により、導電性接着剤を構成する第1のマイクロカプセ
ルおよび第2のマイクロカプセルとが圧壊し、導電性微
粒子が相互に接触すると共に、第2のマイクロカプセル
に含まれる硬化剤と接着樹脂とが反応して硬化すること
を特徴として接着方法を構成することにより解決するこ
とができる。
〔作用〕
本発明に係る導電性接着剤は金属粉と硬化剤とをマイ
クロカプセルに封入して接着樹脂中に分散したものから
なっている。
第1図は本発明に係る導電性接着剤の接着機構を示す
ものである。
すなわち、導電性微粒子1の表面を樹脂よりなる殻2
で被覆した第1のマイクロカプセル3と硬化剤4を殻5
で被覆した第2のマイクロカプセル6とが接着樹脂7の
中に分散して形成してある接着剤を、接合すべき一方の
材料8の上に塗布した後、この上に他の材料9を位置決
めする。
(以上第1図A) 次に、他の材料9に圧力を加えると、第2のマイクロ
カプセル6と第1のマイクロカプセル3とが壊れ、第2
のマイクロカプセル6の中に含まれている硬化剤と接着
樹脂とが反応し、架橋重合が生じて硬化すると共に、露
出した導電性微粒子が相互に接続する結果導電性を示す
ものである。
(以上同図B) また、第2図は導電性粒子1の殻2が破れて接着樹脂
の中で相互に接続して導通状態となっている状態を示し
ている。
さて、このような接着機構が成立するための必要条件
は、 第1および第2のマイクロカプセルの殻、特に第1の
殻が薄くて壊れやすいことで、実験の結果、1μm以下
が好ましい。
第2のマイクロカプセルが第1のマイクロカプセルに
比べ、平均粒径が遥かに大きいこと、 マイクロカプセルの殻は化学的に安定であって、経時
変化を生じないこと。
導電性微粒子の粒径が小さく、また含有量が多いこ
と、 である。
この条件を満たす場合は、凹凸のある二枚の基板間に
接着剤を塗布して圧着する場合、凸部同士の間にある接
着剤だけが働いて接着作用と導通効果を示すが、圧力が
加わらない部分の接着剤は第1および第2のマイクロカ
プセルが壊れないため接着作用は生じない。
なお、第1表は第1のマイクロカプセルAと第2のマ
イクロカプセルBの粒径比B/Aと第2のマイクロカプセ
ルBの破壊度の関係を示しているが、接着が確実に行わ
れるためにはB/Aが>1が必要となる。
なお、10程度と大きくなると硬化剤の量が多過ぎて特
性および取扱の面で適当ではなくなる。
〔実施例〕 試作例1:(第1のマイクロカプセルの製造例) 水370ml中にポリビニルアルコール20gと乳化剤2gとを
溶解させて水相を作った。
また、ジクロロエタン30mlにビスマレイミド(以下略
してBMI)を7gとジアミノジフェニルメタン(以下略し
てDDM)を4g溶解させ、これに粒径が0.3〜0.5μmのAg
粉を5gとチタネートカップリング剤(品名KR−38S,味の
素(株))を0.1gを加えて油相を作った。
この油相に30分間に亙って超音波振動を加えて凝集し
ているAg粉を均一に分散させた。
次に、ホモジナイザを用い、水相を7000rpmで攪拌し
ながら油相を徐々に滴下し、Ag粉の表面に油相が存在す
るサスペンジョンを形成した。
このサスペンジョンをスリーワンモータで200rpmで攪
拌しながら、30mlの水に1gの触媒(ジアザビシクロウン
デセン)を溶解させたものを2時間かけて滴下し、65℃
に昇温して4時間攪拌を続けることによりAg粉の表面で
BMIとDDMとを反応させ、Ag粉の表面に約0.1μmの厚さ
の殻を形成した。
試作例2:(第2のマイクロカプセルの製造例) ジクロロメタン30mlに過酸化ベンゾイル0.01gと硬化
剤としてアミン(品名HY−951,チバガイギ(株))を1g
およびメチルメタクリレート1gを加えて油相を作った。
また、水200mlに乳化剤1gを加えて水相を作った。
そして、ホモジナイザを用いて油相を4000rpmで攪拌
しながら水相を徐々に滴下し、エマルジョンを形成し
た。
このエマルジョンをスリーワンモータで120rpmで攪拌
しながら、66℃に昇温し、7時間かけてその場重合を行
い、ポリメチルメタクリレート(略称PMMA)の中にジク
ロロエタンと硬化剤(アミン,品名HY−951,チバガイギ
(株))を封入した。
次いで、ジクロロエタンを除去してアミンのみを封入
し、殻の厚さが0.5μmで平均粒径が3μmのマイクロ
カプセルを作った。
実施例1: 第3図に示すように、100μm角の金属端子11を100μ
mの間隔で一列に埋め込んだ部材12を用意し、また同形
状の金属端子13を備えた基板14を準備した。
一方、接着剤としては試作例1で形成した第1のマイ
クロカプセルを8g、また試作例2で形成した第2のマイ
クロカプセルを0.3gと接着樹脂(アラールダイトCY−23
0)2gを混練したものを用意した。
先ず、接着剤を金属端子13の並んだ基板14の上に塗布
した。
この状態では同図(A)に示すように接着剤は金属端
子13の上にも絶縁物15の上にもついており接着樹脂7の
中に第1のマイクロカプセル3と第2のマイクロカプセ
ル6とが分散している。
(図では約1:1の量比で表したが第1のマイクロカプセ
ルが遥かに多い。) 次に、部材を400g/cm2の圧力を加え、暫時そのまゝで
放置した。
その結果、部材12の金属端子11と基板14の金属端子13
とは完全に導通状態であり、一方、金属端子11と13の間
は絶縁が保たれていた。
なお、同図(B)において、金属端子11と13の接合面
においては第2のマイクロカプセル6は破れ、また第1
のマイクロカプセル3も殻が破れ導電性微粒子1が露出
している状態を示している。
〔発明の効果〕
本発明の実施により、ビームリードタイプICのように
端子間の間隔が狭く、従来の導電性接着剤では絶縁が保
証できないような用途に対しでも導電性接着剤を使用す
ることが可能となり、これにより工程の短縮を達成する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の原理図、 第2図は導電性微粒子が接続している状態を示す平面図 第3図は実施例1を説明する断面図、 である。 図において、1は導電性微粒子、2と5は殻、3は第1
のマイクロカプセル、4は硬化剤、6は第2のマイクロ
カプセル、7は接着樹脂、である。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−47942(JP,A) 特開 平2−36289(JP,A) 特開 平3−29207(JP,A) 特開 平4−10304(JP,A) 特開 昭63−160350(JP,A) 特開 平3−46774(JP,A) 実開 昭62−107444(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) C09J 9/00 - 9/02 H01L 21/50 - 21/607

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】第1のマイクロカプセルと、第2のマイク
    ロカプセルと、接着樹脂とを有し、 該第1のマイクロカプセルは、導電性微粒子の表面を樹
    脂からなる殻で被覆したものであり、 該第2のマイクロカプセルは、硬化剤を樹脂からなり、
    圧力によって壊れる殻で被覆したものであって、該第1
    のマイクロカプセルよりも粒径が大きいものであり、 該接着樹脂は、熱硬化性樹脂からなり、該第1と第2の
    マイクロカプセルのそれぞれが均一に分散されているも
    のである ことを特徴とするマイクロカプセル型導電性接着剤。
  2. 【請求項2】請求項1記載のマイクロカプセル型導電性
    接着剤を接着すべき第1の物体上に塗布し、該第1の物
    体に第2の物体を圧接して前記導電性接着剤を構成する
    第2のマイクロカプセルと、次いで第1のマイクロカプ
    セルとを圧壊させ、第2のマイクロカプセルに含まれる
    硬化剤と接着樹脂とを硬化反応させるとともに、第1の
    マイクロカプセルに含まれる導電性微粒子を相互に接触
    させることを特徴とする接着方法。
JP21244090A 1990-08-10 1990-08-10 マイクロカプセル型導電性接着剤と接着方法 Expired - Lifetime JP2906612B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21244090A JP2906612B2 (ja) 1990-08-10 1990-08-10 マイクロカプセル型導電性接着剤と接着方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21244090A JP2906612B2 (ja) 1990-08-10 1990-08-10 マイクロカプセル型導電性接着剤と接着方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0496981A JPH0496981A (ja) 1992-03-30
JP2906612B2 true JP2906612B2 (ja) 1999-06-21

Family

ID=16622646

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP21244090A Expired - Lifetime JP2906612B2 (ja) 1990-08-10 1990-08-10 マイクロカプセル型導電性接着剤と接着方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2906612B2 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH082995B2 (ja) * 1991-10-24 1996-01-17 富士通株式会社 マイクロカプセル型導電性フィラーの作製方法
DE69222501T2 (de) * 1991-10-24 1998-02-05 Fujitsu Ltd Verfahren zum Herstellen eines leitenden Füllstoffs vom Mikrokapseltyp
JPH0652715A (ja) * 1992-07-30 1994-02-25 Fuji Kobunshi Kogyo Kk 異方導電性接着剤組成物
EP0785243A3 (en) * 1996-01-18 1998-06-03 Loctite (Ireland) Limited A method of sealing two abutting surfaces in face-to-face contact
JP3572778B2 (ja) * 1996-02-20 2004-10-06 富士通株式会社 接着剤
JP2003317826A (ja) * 2002-04-26 2003-11-07 Shin Etsu Polymer Co Ltd 異方導電性接着剤
JP3737996B2 (ja) * 2002-09-17 2006-01-25 三井ホーム株式会社 木質面材の接合方法
JP2004164910A (ja) * 2002-11-11 2004-06-10 Shin Etsu Polymer Co Ltd 異方導電性接着剤
JP2004331910A (ja) * 2003-05-12 2004-11-25 Seiko Epson Corp 異方導電性接着剤、実装方法、電気光学装置モジュールおよび電子機器
US7279064B2 (en) * 2003-12-18 2007-10-09 Palo Alto Research Center, Incorporated Method of sealing an array of cell microstructures using microencapsulated adhesive

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0496981A (ja) 1992-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6646355B2 (en) Structure comprising beam leads bonded with electrically conductive adhesive
JP2807940B2 (ja) フラックス剤および金属粒子を有する接着剤
WO2007061216A1 (en) Method for bonding between electrical devices using ultrasonic vibration
KR19990022881A (ko) 반도체 장치, 반도체 탑재용 배선 기판 및반도체 장치의 제조 방법
JP2906612B2 (ja) マイクロカプセル型導電性接着剤と接着方法
JPH05320413A (ja) マイクロカプセル型導電性フィラーの作製方法
JPH0570750A (ja) 導電性接着剤
JP3092971B2 (ja) 金属微粒子のポリマ被覆方法
JP3847693B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US6255138B1 (en) Process for producing microencapsulated electroconductive filler
JP2001176924A (ja) 半導体装置の接合方法、半導体装置、電子機器、接合材料
JPS63160352A (ja) 半導体装置の実装方法
JP2970720B2 (ja) マイクロカプセル型導電性接着剤及びその製造方法
JP3162068B2 (ja) 半導体チップの実装方法
JP2007073817A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS63122133A (ja) 半導体チツプの電気的接続方法
JPH08311420A (ja) 異方性導電膜
JP2000011760A (ja) 異方導電性組成物及びそれを用いた異方導電部材の製造方法
JP3148008B2 (ja) 導電性接着剤を用いた基板とチップの接続方法
JPH05235096A (ja) 電子部品の基板への実装方法
JP2002212518A (ja) 異方性導電粘着シート及びそれを用いた電気及び/又は電子素子
JP3283947B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP3702929B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JP2511909B2 (ja) 電気的接続材料のマイクロ形成方法
JPH0636613A (ja) 電子部品用接合材料およびそれを用いた電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080402

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090402

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090402

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100402

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110402

Year of fee payment: 12

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110402

Year of fee payment: 12