JP2857754B2 - ２重反射を用いたオートフォーカシング装置 - Google Patents
２重反射を用いたオートフォーカシング装置Info
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B3/00—Simple or compound lenses
- G02B3/10—Bifocal lenses; Multifocal lenses
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハ表面に焦点
を合わせるオートフォーカシング装置に係るもので、詳
しくは、光源から放射されたビームをウェハ表面で２重
に反射させてフォーカシングの精度を向上させたオート
フォーカシング装置に関する。
を合わせるオートフォーカシング装置に係るもので、詳
しくは、光源から放射されたビームをウェハ表面で２重
に反射させてフォーカシングの精度を向上させたオート
フォーカシング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のオートフォーカシング装置は、図
２に示すように、上面にウェハＷが装着される上下方向
に移動可能なウェハステージ（waferstage）４と、該ウ
ェハステージ４の上方側からレーザービームを放射する
光源（light source）１と、該光源１からの光を反射さ
せる反射ミラー（reflective mirror ）２と、反射され
た光を集束させる集束レンズ（condensing lens ）３
と、その集束された光のウェハＷ表面での反射光を再び
集束させる集束レンズ５と、その集束された光を再び反
射させる反射ミラー６と、その反射された光を検出する
ＣＣＤ検出器（CCDdetector）と、一端はＣＣＤ検出器
７に電気的に接続され、他端はウェハステージ４に電気
的に接続されるコントロールユニット９と、から構成さ
れていた。図中の符号８は、従来のオートフォーカシン
グ装置を用いてウェハステージ４上のウェハＷに焦点を
合わせた後、該ウェハＷ上に所望のパターンを形成する
ため紫外線等の光を所定倍率に縮小して投射する縮小投
影レンズ（reduction projection lens ）を示したもの
である。
２に示すように、上面にウェハＷが装着される上下方向
に移動可能なウェハステージ（waferstage）４と、該ウ
ェハステージ４の上方側からレーザービームを放射する
光源（light source）１と、該光源１からの光を反射さ
せる反射ミラー（reflective mirror ）２と、反射され
た光を集束させる集束レンズ（condensing lens ）３
と、その集束された光のウェハＷ表面での反射光を再び
集束させる集束レンズ５と、その集束された光を再び反
射させる反射ミラー６と、その反射された光を検出する
ＣＣＤ検出器（CCDdetector）と、一端はＣＣＤ検出器
７に電気的に接続され、他端はウェハステージ４に電気
的に接続されるコントロールユニット９と、から構成さ
れていた。図中の符号８は、従来のオートフォーカシン
グ装置を用いてウェハステージ４上のウェハＷに焦点を
合わせた後、該ウェハＷ上に所望のパターンを形成する
ため紫外線等の光を所定倍率に縮小して投射する縮小投
影レンズ（reduction projection lens ）を示したもの
である。
【０００３】このように構成された従来のオートフォー
カシング装置の動作について説明する。例えば、ヘリウ
ム−ネオンレーザービーム（He-Ne lazer beam）が光源
１から放射されて反射ミラー２により反射された後、集
束レンズ３により集束されてウェハステージ４上のウェ
ハＷ表面で反射される。そして、その反射されたビーム
は集束レンズ５により集束されて反射ミラー６で反射さ
れた後、ＣＣＤ検出器７に入射する。次いで、ＣＣＤ検
出器７で検出されたビームは電流に変換されて図示され
ない電気回路を経て電圧に変換された後、その電圧に変
換された位置信号が図示されないアナログ／デジタル変
換器を通ってウェハステージ４の位置を座標値で現わす
ようになる。
カシング装置の動作について説明する。例えば、ヘリウ
ム−ネオンレーザービーム（He-Ne lazer beam）が光源
１から放射されて反射ミラー２により反射された後、集
束レンズ３により集束されてウェハステージ４上のウェ
ハＷ表面で反射される。そして、その反射されたビーム
は集束レンズ５により集束されて反射ミラー６で反射さ
れた後、ＣＣＤ検出器７に入射する。次いで、ＣＣＤ検
出器７で検出されたビームは電流に変換されて図示され
ない電気回路を経て電圧に変換された後、その電圧に変
換された位置信号が図示されないアナログ／デジタル変
換器を通ってウェハステージ４の位置を座標値で現わす
ようになる。
【０００４】そして、コントロールユニット９は検出器
７で得られた座標値と基準値（予め設定された座標値）
とを比較し、その比較結果に従った制御信号をウェハス
テージ４に帰還させて、ウェハステージ４は自動的に上
方又は下方に移動する。このとき、ウェハステージ４が
ΔＺだけ下方に移動すると、ウェハＷ表面で反射される
ビームの経路は、ウェハステージ４が移動する前に反射
されたビームの経路に対して距離ΔＸだけ移動し、この
距離ΔＸは、次式（１）にて示される。
７で得られた座標値と基準値（予め設定された座標値）
とを比較し、その比較結果に従った制御信号をウェハス
テージ４に帰還させて、ウェハステージ４は自動的に上
方又は下方に移動する。このとき、ウェハステージ４が
ΔＺだけ下方に移動すると、ウェハＷ表面で反射される
ビームの経路は、ウェハステージ４が移動する前に反射
されたビームの経路に対して距離ΔＸだけ移動し、この
距離ΔＸは、次式（１）にて示される。
【０００５】ΔＸ＝２・ΔＺ・ｓｉｎθ …（１） ここで、θはウェハＷに対する光の入射角である。した
がって、ウェハステージ４の移動によりＣＣＤ検出器７
で検出されるビームの受光位置も距離ΔＸだけ変化し、
その受光位置を基にして得られた座標値と基準値とを比
較し、その比較結果に従った信号をウェハステージ４に
帰還させると、基準値からのずれ量に応じてウェハステ
ージ４が自動的に上方又は下方に移動する。
がって、ウェハステージ４の移動によりＣＣＤ検出器７
で検出されるビームの受光位置も距離ΔＸだけ変化し、
その受光位置を基にして得られた座標値と基準値とを比
較し、その比較結果に従った信号をウェハステージ４に
帰還させると、基準値からのずれ量に応じてウェハステ
ージ４が自動的に上方又は下方に移動する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ウェハステ
ージ４を移動させて該ウェハステージ４上のウェハＷを
縮小投影レンズ８の焦点位置に合わせるフォーカシング
の過程は、高精度を要する。このため、ウェハステージ
４の微細な移動に対してＣＣＤ検出器７で検出される信
号の変化量をできるだけ大きくするのが望ましい。
ージ４を移動させて該ウェハステージ４上のウェハＷを
縮小投影レンズ８の焦点位置に合わせるフォーカシング
の過程は、高精度を要する。このため、ウェハステージ
４の微細な移動に対してＣＣＤ検出器７で検出される信
号の変化量をできるだけ大きくするのが望ましい。
【０００７】しかしながら、上記従来のオートフォーカ
シング装置においては、ウェハステージ４の変位に対し
て、ＣＣＤ検出器７で検出される信号の変化量が小さ
い。このため、オートフォーカシングの精度が低下して
しまうという問題があった。また、ヘリウム−ネオンレ
ーザー等の比較的大きな光源１が用いられるため、装置
の容積が増大してしまうという問題点もあった。
シング装置においては、ウェハステージ４の変位に対し
て、ＣＣＤ検出器７で検出される信号の変化量が小さ
い。このため、オートフォーカシングの精度が低下して
しまうという問題があった。また、ヘリウム−ネオンレ
ーザー等の比較的大きな光源１が用いられるため、装置
の容積が増大してしまうという問題点もあった。
【０００８】本発明は上記の問題点に着目してなされた
もので、ウェハステージの移動に対し検出される信号の
変化量が大きくなるようにして、フォーカシングの精度
を向上させた２重反射を用いたオートフォーカシング装
置を提供し、また、小型の光源を使用して、装置の容積
を減少させた２重反射を用いたオートフォーカシング装
置を提供することを目的とする。
もので、ウェハステージの移動に対し検出される信号の
変化量が大きくなるようにして、フォーカシングの精度
を向上させた２重反射を用いたオートフォーカシング装
置を提供し、また、小型の光源を使用して、装置の容積
を減少させた２重反射を用いたオートフォーカシング装
置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このため本発明のうちの
請求項１に記載の発明は、光源と、該光源から放射され
たビームをウェハステージ上に載置されたウェハ表面に
角度を持たせて入射させる光学系と、前記ウェハ表面で
反射した前記ビームを受光して電気信号に変換する検出
手段と、該検出手段からの電気信号に基づいて前記ウェ
ハステージの位置を制御する制御手段と、を備えて構成
されるオートフォーカシング装置において、前記ウェハ
表面で反射したビームの進行方向を異なる経路で逆方向
に変換する全反射手段を備え、前記検出手段が、前記全
反射手段で変換され再び前記ウェハ表面で反射したビー
ムを受光する構成とする。
請求項１に記載の発明は、光源と、該光源から放射され
たビームをウェハステージ上に載置されたウェハ表面に
角度を持たせて入射させる光学系と、前記ウェハ表面で
反射した前記ビームを受光して電気信号に変換する検出
手段と、該検出手段からの電気信号に基づいて前記ウェ
ハステージの位置を制御する制御手段と、を備えて構成
されるオートフォーカシング装置において、前記ウェハ
表面で反射したビームの進行方向を異なる経路で逆方向
に変換する全反射手段を備え、前記検出手段が、前記全
反射手段で変換され再び前記ウェハ表面で反射したビー
ムを受光する構成とする。
【００１０】かかる構成によれば、光源から放射された
ビームは、光学系を介してウェハ表面にある入射角で入
射し反射される。その反射ビームは、全反射手段に入射
して進行方向が異なる経路で逆方向に変換され、再びウ
ェハ表面に入射し反射される。このウェハ表面で２重に
反射したビームは、検出手段で受光され電気信号に変換
されて制御手段に送られる。この電気信号に基づいて制
御手段はウェハ表面に焦点が合うようにウェハステージ
の位置を調整する。
ビームは、光学系を介してウェハ表面にある入射角で入
射し反射される。その反射ビームは、全反射手段に入射
して進行方向が異なる経路で逆方向に変換され、再びウ
ェハ表面に入射し反射される。このウェハ表面で２重に
反射したビームは、検出手段で受光され電気信号に変換
されて制御手段に送られる。この電気信号に基づいて制
御手段はウェハ表面に焦点が合うようにウェハステージ
の位置を調整する。
【００１１】また、前記光学系は、前記光源から放射さ
れたビームの一部を透過し、その他は反射するビーム分
離部と、該ビーム分離部を透過したビームを反射させて
前記ウェハ表面に所定の入射角で入射させる反射ミラー
部と、を備え、前記検出手段は、前記ウェハ表面で２重
反射したビームを前記反射ミラー部及び前記ビーム分離
部を介して受光する構成としてもよい。
れたビームの一部を透過し、その他は反射するビーム分
離部と、該ビーム分離部を透過したビームを反射させて
前記ウェハ表面に所定の入射角で入射させる反射ミラー
部と、を備え、前記検出手段は、前記ウェハ表面で２重
反射したビームを前記反射ミラー部及び前記ビーム分離
部を介して受光する構成としてもよい。
【００１２】かかる構成によれば、光源から放射された
ビームは、ビーム分離部によりその一部が分離され、ビ
ーム分離部を透過したビームは反射ミラー部で反射され
てウェハ表面に所定の入射角で入射される。そして、ウ
ェハ表面で反射されたビームは、全反射手段で経路が反
転され、再度ウェハ表面及び反射ミラー部で反射され
て、ビーム分離部を介して検出手段で受光される。
ビームは、ビーム分離部によりその一部が分離され、ビ
ーム分離部を透過したビームは反射ミラー部で反射され
てウェハ表面に所定の入射角で入射される。そして、ウ
ェハ表面で反射されたビームは、全反射手段で経路が反
転され、再度ウェハ表面及び反射ミラー部で反射され
て、ビーム分離部を介して検出手段で受光される。
【００１３】更に、具体的な構成として、前記検出器
は、フォト検出器を用いてもよく、加えて、前記光学系
は、前記光源から放射されたビームのうちのＳ偏光をウ
ェハ表面に入射させるものとしてもよい。また、前記光
源は、レーザーダイオードを用いてもよく、更に、前記
全反射手段は、全反射プリズムを用いてもよい。
は、フォト検出器を用いてもよく、加えて、前記光学系
は、前記光源から放射されたビームのうちのＳ偏光をウ
ェハ表面に入射させるものとしてもよい。また、前記光
源は、レーザーダイオードを用いてもよく、更に、前記
全反射手段は、全反射プリズムを用いてもよい。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
用いて説明する。図１は、本実施形態に係る２重反射を
用いたオートフォーカシング装置の構成を示す図であ
る。図１において、本装置は、上面にウェハＷが装着さ
れ上下方向に移動可能に設けられたウェハステージ１４
と、該ウェハステージ１４の上方側の所定位置に配置さ
れ、例えば、波長６７０ｎｍ等のレーザービームを放射
する光源１１と、入射面に対して平行な偏波を有する入
射光（Ｐ偏光）は反射させ、入射面に垂直な偏波を有す
る入射光（Ｓ偏光）は通過させるビーム分離部としての
ビームスプリッタ（beam splitter ）１２と、該ビーム
スプリッタ１２を通過したＳ偏光ビームを反射させる反
射ミラー部としての反射ミラー１３と、該反射ミラー１
３及びウェハＷ表面で反射されたビームを更に反射させ
て、再びウェハＷ上に入射されるようにビームの進行経
路を逆方向に変換させる全反射手段としての全反射プリ
ズム（total reflection prism）１５と、該全反射プリ
ズム１５で方向転換され、ウェハＷ表面、反射ミラー１
３及びビームスプリッタ１２でそれぞれ反射されたビー
ムが入射され、受光した光信号を電気信号に変換させる
検出手段としての検出器１６と、該検出器１６からの出
力信号に応じてウェハステージ１４を制御する制御手段
としてのコントロールユニット１７と、から構成され
る。また、図中の符号８は、従来と同様の縮小投影レン
ズである。
用いて説明する。図１は、本実施形態に係る２重反射を
用いたオートフォーカシング装置の構成を示す図であ
る。図１において、本装置は、上面にウェハＷが装着さ
れ上下方向に移動可能に設けられたウェハステージ１４
と、該ウェハステージ１４の上方側の所定位置に配置さ
れ、例えば、波長６７０ｎｍ等のレーザービームを放射
する光源１１と、入射面に対して平行な偏波を有する入
射光（Ｐ偏光）は反射させ、入射面に垂直な偏波を有す
る入射光（Ｓ偏光）は通過させるビーム分離部としての
ビームスプリッタ（beam splitter ）１２と、該ビーム
スプリッタ１２を通過したＳ偏光ビームを反射させる反
射ミラー部としての反射ミラー１３と、該反射ミラー１
３及びウェハＷ表面で反射されたビームを更に反射させ
て、再びウェハＷ上に入射されるようにビームの進行経
路を逆方向に変換させる全反射手段としての全反射プリ
ズム（total reflection prism）１５と、該全反射プリ
ズム１５で方向転換され、ウェハＷ表面、反射ミラー１
３及びビームスプリッタ１２でそれぞれ反射されたビー
ムが入射され、受光した光信号を電気信号に変換させる
検出手段としての検出器１６と、該検出器１６からの出
力信号に応じてウェハステージ１４を制御する制御手段
としてのコントロールユニット１７と、から構成され
る。また、図中の符号８は、従来と同様の縮小投影レン
ズである。
【００１５】光源１１は、例えば、レーザーダイオード
等を使用する。これにより、従来用いていたヘリウム−
ネオンレーザー等と比べて光源１１が小型化される。ま
た、検出器１６は、例えば、フォト検出器等の光／電気
変換デバイスを使用する。更に、コントロールユニット
１７は、ウェハステージ１４に電気的に接続されてい
る。なお、反射ミラー１３とウェハＷとの間には、図示
しないが光を集束させる集束レンズを設置してもよい。
等を使用する。これにより、従来用いていたヘリウム−
ネオンレーザー等と比べて光源１１が小型化される。ま
た、検出器１６は、例えば、フォト検出器等の光／電気
変換デバイスを使用する。更に、コントロールユニット
１７は、ウェハステージ１４に電気的に接続されてい
る。なお、反射ミラー１３とウェハＷとの間には、図示
しないが光を集束させる集束レンズを設置してもよい。
【００１６】このように構成された本実施形態の動作を
説明する。光源１１からビームが放射され、該放射され
たビームはビームスプリッタ１２でＰ偏光ビームとＳ偏
光ビームとに分離された後、該Ｐ偏光ビームは反射され
（図示せず）、Ｓ偏光ビームは透過されて直進する。そ
して、Ｓ偏光ビームは反射ミラー１３により反射され、
その反射されたビームはウェハステージ１４のウェハＷ
表面で反射された（反射点Ｒ１）後、その反射されたビ
ームは全反射プリズム１５に入射して反射されながら、
その経路が逆方向に変換されて再びウェハＷ表面で反射
される（反射点Ｒ２）。次いで、その反射されたビーム
は反射ミラー１３に入射して反射され、ビームスプリッ
タ１２に入射して反射された後、その反射されたビーム
は検出器１６に入射される。検出器１６では、入射光信
号が電気信号に変換され、その電気信号を基にウェハス
テージ１４の位置を座標で示す信号が生成されて、コン
トロールユニット１７に送られる。コントロールユニッ
ト１７では、検出器１６からの座標値と予め設定された
座標値とが比較され、その比較結果に従った制御信号が
ウェハステージ１４に帰還されて、ウェハステージ１４
が上方又は下方に移動される。
説明する。光源１１からビームが放射され、該放射され
たビームはビームスプリッタ１２でＰ偏光ビームとＳ偏
光ビームとに分離された後、該Ｐ偏光ビームは反射され
（図示せず）、Ｓ偏光ビームは透過されて直進する。そ
して、Ｓ偏光ビームは反射ミラー１３により反射され、
その反射されたビームはウェハステージ１４のウェハＷ
表面で反射された（反射点Ｒ１）後、その反射されたビ
ームは全反射プリズム１５に入射して反射されながら、
その経路が逆方向に変換されて再びウェハＷ表面で反射
される（反射点Ｒ２）。次いで、その反射されたビーム
は反射ミラー１３に入射して反射され、ビームスプリッ
タ１２に入射して反射された後、その反射されたビーム
は検出器１６に入射される。検出器１６では、入射光信
号が電気信号に変換され、その電気信号を基にウェハス
テージ１４の位置を座標で示す信号が生成されて、コン
トロールユニット１７に送られる。コントロールユニッ
ト１７では、検出器１６からの座標値と予め設定された
座標値とが比較され、その比較結果に従った制御信号が
ウェハステージ１４に帰還されて、ウェハステージ１４
が上方又は下方に移動される。
【００１７】ここで、例えば、ウェハＷの厚さに相当す
る距離ΔＺだけ下方へウェハステージ１４が移動した場
合を考える。この場合、ビームは図１の破線で示した経
路をたどるようになるため、ウェハステージ１４の移動
前後で経路に差が発生する。即ち、ビームスプリッタ１
２を透過したＳ偏光ビームが反射ミラー１３を経由して
ウェハＷ上で最初に反射されるときには、ウェハステー
ジ１４の移動前後で反射点がＲ１からＲ１’に変化する
ため、反射後の経路が図に示したように距離ΔＸだけ移
動する。そして、全反射プリズム１５によりビームの進
行方向が逆方向に変換されて再びウェハＷ表面で反射さ
れるときには、ウェハステージ１４の移動前後で反射点
がＲ２からＲ２’に変化するため、反射後の経路の移動
量が２・ΔＸになる。したがって、検出器１６への入射
ビームの受光位置が、ウェハステージ１４の移動前後で
距離２・ΔＸだけ変化する。
る距離ΔＺだけ下方へウェハステージ１４が移動した場
合を考える。この場合、ビームは図１の破線で示した経
路をたどるようになるため、ウェハステージ１４の移動
前後で経路に差が発生する。即ち、ビームスプリッタ１
２を透過したＳ偏光ビームが反射ミラー１３を経由して
ウェハＷ上で最初に反射されるときには、ウェハステー
ジ１４の移動前後で反射点がＲ１からＲ１’に変化する
ため、反射後の経路が図に示したように距離ΔＸだけ移
動する。そして、全反射プリズム１５によりビームの進
行方向が逆方向に変換されて再びウェハＷ表面で反射さ
れるときには、ウェハステージ１４の移動前後で反射点
がＲ２からＲ２’に変化するため、反射後の経路の移動
量が２・ΔＸになる。したがって、検出器１６への入射
ビームの受光位置が、ウェハステージ１４の移動前後で
距離２・ΔＸだけ変化する。
【００１８】また、ビームがウェハＷ表面で２回反射さ
れるため、ウェハステージ１４上に載置されたウェハＷ
の水平度を検知することもできる。即ち、ウェハＷが傾
いていると、ウェハＷ表面の２ヶ所の反射点のうちの少
なくとも一方が水平時の反射点からずれてくるため、そ
のずれ量に応じて検出器１６への入射ビームの受光位置
が変化することを基にウェハＷの水平度が検知される。
れるため、ウェハステージ１４上に載置されたウェハＷ
の水平度を検知することもできる。即ち、ウェハＷが傾
いていると、ウェハＷ表面の２ヶ所の反射点のうちの少
なくとも一方が水平時の反射点からずれてくるため、そ
のずれ量に応じて検出器１６への入射ビームの受光位置
が変化することを基にウェハＷの水平度が検知される。
【００１９】このように本実施形態によれば、ウェハス
テージ１４の移動に対して、検出器１６に入射されるビ
ームの受光位置が、従来に比べて２倍変化するため、ウ
ェハステージ１４の微細な移動を確実に感知でき、ま
た、ウェハＷの水平度も検知できるので、高い精度でオ
ートフォーカシングを行うことが可能である。更に、光
源１１にレーザーダイオード等を使用することによっ
て、装置の小型化を図ることができる。加えて、Ｓ偏光
ビームはウェハＷの内部を通過せずその表面で反射する
ため、より正確なウェハの位置、したがってウェハステ
ージ１４の位置を検出することもできる。
テージ１４の移動に対して、検出器１６に入射されるビ
ームの受光位置が、従来に比べて２倍変化するため、ウ
ェハステージ１４の微細な移動を確実に感知でき、ま
た、ウェハＷの水平度も検知できるので、高い精度でオ
ートフォーカシングを行うことが可能である。更に、光
源１１にレーザーダイオード等を使用することによっ
て、装置の小型化を図ることができる。加えて、Ｓ偏光
ビームはウェハＷの内部を通過せずその表面で反射する
ため、より正確なウェハの位置、したがってウェハステ
ージ１４の位置を検出することもできる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１〜３、６
のいずれか１つに記載の発明は、ウェハステージの移動
に対して、検出手段に入射されるビームの受光位置が、
従来に比べて２倍変化するため、ウェハステージの微細
な移動を確実に感知でき、また、ウェハの水平度も検知
できるので、高い精度でオートフォーカシングを行うこ
とが可能である。
のいずれか１つに記載の発明は、ウェハステージの移動
に対して、検出手段に入射されるビームの受光位置が、
従来に比べて２倍変化するため、ウェハステージの微細
な移動を確実に感知でき、また、ウェハの水平度も検知
できるので、高い精度でオートフォーカシングを行うこ
とが可能である。
【００２１】また、請求項４に記載の発明は、上記の効
果に加えて、ウェハにＳ偏光ビームを入射させることに
よって、Ｓ偏光ビームはウェハの内部を通過せずその表
面で反射するため、より正確なウェハの位置を検出する
ことができる。更に、請求項５に記載の発明は、上記の
効果に加えて、光源にレーザーダイオードを使用するこ
とによって、装置の小型化を図ることができる。
果に加えて、ウェハにＳ偏光ビームを入射させることに
よって、Ｓ偏光ビームはウェハの内部を通過せずその表
面で反射するため、より正確なウェハの位置を検出する
ことができる。更に、請求項５に記載の発明は、上記の
効果に加えて、光源にレーザーダイオードを使用するこ
とによって、装置の小型化を図ることができる。
【図１】本発明の実施形態に係るオートフォーカシング
装置を示した概略構成図である。
装置を示した概略構成図である。
【図２】従来のオートフォーカシング装置を示した概略
構成図である。
構成図である。
１１ 光源 １２ ビームスプリッタ １３ 反射ミラー １４ ウェハステージ １５ 全反射プリズム １７ 検出器 Ｗ ウェハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03F 7/207 G02B 7/11
Claims (6)
- 【請求項１】光源と、該光源から放射されたビームをウ
ェハステージ上に載置されたウェハ表面に角度を持たせ
て入射させる光学系と、前記ウェハ表面で反射した前記
ビームを受光して電気信号に変換する検出手段と、該検
出手段からの電気信号に基づいて前記ウェハステージの
位置を制御する制御手段と、を備えて構成されるオート
フォーカシング装置において、 前記ウェハ表面で反射したビームの進行方向を異なる経
路で逆方向に変換する全反射手段を備え、前記検出手段
が、前記全反射手段で変換され再び前記ウェハ表面で反
射したビームを受光する構成としたことを特徴とする２
重反射を用いたオートフォーカシング装置。 - 【請求項２】前記光学系は、前記光源から放射されたビ
ームの一部を透過し、その他は反射するビーム分離部
と、該ビーム分離部を透過したビームを反射させて前記
ウェハ表面に所定の入射角で入射させる反射ミラー部
と、を備え、 前記検出手段は、前記ウェハ表面で２重反射したビーム
を前記反射ミラー部及び前記ビーム分離部を介して受光
する構成としたことを特徴とする請求項１記載の２重反
射を用いたオートフォーカシング装置。 - 【請求項３】前記検出器は、フォト検出器であることを
特徴とする請求項１又は２記載の２重反射を用いたオー
トフォーカシング装置。 - 【請求項４】前記光学系は、前記光源から放射されたビ
ームのうちのＳ偏光をウェハ表面に入射させることを特
徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の２重反射
を用いたオートフォーカシング装置。 - 【請求項５】前記光源は、レーザーダイオードであるこ
とを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の２
重反射を用いたオートフォーカシング装置。 - 【請求項６】前記全反射手段は、全反射プリズムである
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の
２重反射を用いたオートフォーカシング装置。
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