JP2850641B2 - 半導体装置の製造方法および製造装置 - Google Patents

半導体装置の製造方法および製造装置

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JP2850641B2 JP14124592A JP14124592A JP2850641B2 JP 2850641 B2 JP2850641 B2 JP 2850641B2 JP 14124592 A JP14124592 A JP 14124592A JP 14124592 A JP14124592 A JP 14124592A JP 2850641 B2 JP2850641 B2 JP 2850641B2
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  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
および製造装置に係り、半導体チップおよびリード等の
被加工体を撮像装置で撮像すると共に、その撮像された
画像データに基づき前記被加工体を加工する半導体装置
の製造方法および製造装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図8は従来のリード認識装置の構成図で
ある。1はICチップおよびリードフレームからなるワ
ークを載置固定する台、2はICチップ、3はリードフ
レーム、4は前記ICチップ2上のパッド、5は前記I
Cチップ2,リードフレーム3のための照明、6はXY
テーブルで、カメラ7およびボンディングツール8を搭
載する。9は前記カメラ7により撮像された画像データ
を画像処理用2値化データに変換する2値化変換手段、
10は前記カメラ7により撮像された画像データを表示
するモニタTV、11は前記2値化変換手段9より転送
された2値化データをストアするビデオRAM(VRA
M)、12はサーチ手段で、基準被写体情報メモリ13
の内容とVRAM11の内容を比較し、リードをサーチ
する。13はサーチすべきリードの幅、位置情報等を記
憶する基準被写体情報メモリ、14は前記サーチ手段1
2により算出された被写体補正量に基づきボンディング
ツール8およびXYテーブル6を制御するボンディング
制御手段である。
【0003】図9は、図8の構成に基づき、モニタTV
10上の画面中心位置に配置されるリード(斜線部)を
全てサーチするサーチ方法の概略フローチャートを示
す。図10はXYテーブル移動,画像取込み,リードサ
ーチをシリーズに実行するタイミングチャートを示す。
【0004】このように、XYテーブル6を移動するこ
とにより、モニタTV10上の画面中心位置に配置され
るリード(斜線部)は次々と変わるから、このデータと
基準被写体情報メモリ13内の基準被写体情報とを順次
比較する。
【0005】図11はVRAM11内におけるリード情
報を図示したもので、20は基準被写体情報メモリ13
によって示される本来配置されるべきリード、21は実
際にワークを載置固定する台1上に配置されたサーチす
べきリード、Cおよびcはリード中心位置を示す中心座
標、Bおよびbはボンディングすべき位置の座標、Wお
よびwはボンディングツール8によりボンディングされ
るワイヤを示す。図12はリードをサーチする処理フロ
ーチャートである。なお、(1)〜(13)は各ステッ
プを示す。
【0006】認識の方法として、ボンディングすべき台
1上に固定後、ICチップ2およびリードを直接認識す
る方法と、台1の直前にて認識し、この台1に固定後、
認識結果を利用する方法とがある。しかし、近年の多ピ
ン化,リード微細化において、後者の方法では、直前の
認識結果と台1に固定、ヒートアップ後の認識間で機械
的外力、熱による変形等により差が発生しやすく、前者
の方法が重要となってきた。
【0007】次に、前者の動作について図8〜図12に
よって説明する。ボンディングすべきワークは図示しな
いフィーダによってワークを載置固定する台1上に固定
される。ボンディング制御手段14は基準被写体情報メ
モリ13の位置情報に基づき、本来リードが配置される
べき位置にカメラ7を配置すべくXYテーブル6を移動
させる(1),(2),(3)。ICチップ2上のパッ
ド4は照明5により照らされカメラ7により撮像され
る。画像データ(アナログ信号)は2値化変換手段9に
より2値化データ(デジタル信号)に変換され、モニタ
TV10に写し出されるとともに、VRAM11へスト
アされる(4),(5)。
【0008】サーチ手段12は図11に示すサーチすべ
きリード21をサーチし(6)、その中心の座標cを算
出する。次に、基準被写体情報メモリ13の情報より本
来配置されるべきリード20の中心座標Cとサーチすべ
きリード21の中心の座標cとの差、すなわち、ズレ量
(C−c)を算出する(7),(8)。さらに、このズ
レ量(C−c)とボンディングすべき座標Bとを加算
し、実際に配置されたリード21上でのボンディングす
べき座標bを算出しボンディング制御手段14に通知す
(9)。ボンディング制御手段14はこの座標bにボ
ンディングツール8を移動させボンディングを行う
【0009】通常、このリードは十数本〜数百本であ
り、この全てのリードについてボンディングすべき座標
bを算出しボンディングを行う(10),(11),
(12)。なお、ステップ(7)で、リードnが検出で
きないときはNGフラグとなる(13)。従来の方法で
は、図9に示すように個々のリードが画面中央に載置さ
れるようにカメラ7を移動し、中央の1本のみをサーチ
する、いわゆるシングルサーチが主流であった。このシ
ングルサーチを総てのリードについて行う。
【0010】この方式では、図10に示すように、XY
テーブル移動,画像取込み,リードサーチがシリーズに
行われ1サイクルが終了する。このため、1サイクルの
処理時間は各処理時間の和となる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】従来のリード認識装置
は以上のように構成されているので、1サイクルの処理
時間がXYテーブル移動,画像取込み,リードサーチ等
の一連の総和時間となり、処理時間増大による生産性阻
害の原因となっていた。
【0012】本発明は、前記のような問題点を解消する
ためになされたもので、移動工程、撮像工程およびサー
チ工程を含む1サイクルの処理時間を大幅に短縮するこ
とにより、生産性向上を図る半導体装置の製造方法およ
び製造装置を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
の製造方法は、撮像装置を移動させる移動工程と、その
後、被加工体を前記撮像装置により撮像する撮像工程
と、前記撮像工程で得られた画像データに基づき前記被
加工体の所定位置をサーチ認識するサーチ工程からな
り、複数の前記所定位置を順次にサーチ認識した後、前
記所定位置に所定の加工を施す半導体装置の製造方法で
あって、前記サーチ工程の少なくとも一部と、前記移動
工程の少なくとも一部とを並行して実行するようにした
ものである。 また、前記サーチ工程の少なくとも一部
と、前記撮像工程の少なくとも一部とを並行して実行す
るようにしたものである。
【0014】一方、本発明による半導体装置の製造装置
は、被加工体を撮像する撮像手段、前記撮像手段を移動
させる移動手段、前記撮像手段で得られた画像データに
基づき前記被加工体の所定位置をサーチするサーチ手
段、及び前記サーチ手段によりサーチされた前記所定位
置に所定の加工を施す加工手段を備えた半導体装置製造
装置であって、前記サーチ手段によるサーチ動作の少な
くとも一部と、前記移動手段による移動動作の少なくと
も一部とを並行して実行するようにしたものである。
た、前記サーチ手段によるサーチ動作の少なくとも一部
と、前記撮像手段による撮像動作の少なくとも一部とを
並行して実行するようにしたものである。
【0015】
【作用】本発明における半導体装置の製造方法は、被加
工体の所定位置をサーチ認識するサーチ工程の少なくと
も一部と、撮像装置を移動させる移動工程の少なくとも
一部とを並行して実行する。 また、サーチ工程の少なく
とも一部と、被加工体を撮像装置により撮像する撮像工
程の少なくとも一部とを並行して実行する。 一方、本発
明における半導体装置の製造装置は、サーチ手段が被加
工体の所定位置をサーチするサーチ動作の少なくとも一
部と、移動手段が撮像手段を移動させる移動動作の少な
くとも一部とを並行して実行する。 また、サーチ動作の
少なくとも一部と、撮像手段が被加工体を撮像する撮像
動作の少なくとも一部とを並行して実行するようにした
ものである。
【0016】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図1について説
明する。図1において、1〜14は図8に示す従来の技
術と同一要素であるため説明を省略する。15はビデオ
RAM11上のデータをワークRAM16上に転送する
データ転送手段、16は転送されたデータをストアする
ワークRAM、17はテーブル移動,画像取込みを制御
するテーブル移動,画像取込み制御手段である。
【0017】図2はXYテーブル移動と画像取込みの一
連の処理と、画像データ退避(ビデオRAM11上デー
タのワークRAM16上への転送)とリードサーチの一
連の処理とを並行して実行するタイミングチャートであ
る。
【0018】図3はXYテーブル移動と画像取込みの一
連の動作を行う処理フローチャート、図4は画像データ
退避とリードサーチの一連の動作を行う処理フローチャ
ートである。図3,図4の(1)〜(10)および
(1)〜(12)は各ステップを示す。
【0019】次に、動作について説明する。図2のタイ
ミングチャートおよび図3のフローチャートに示すよう
に、まず、テーブル移動,画像取込み制御手段17によ
りXYテーブル移動を実行する(1)〜(4)。テーブ
ル停止後、ビデオRAM11の画像が退避されたことを
示す画像取込み完了信号をチェックする(5),
(6)。
【0020】画像取込み完了信号がONであると、先に
取込んだ画像の退避がされておらず、再取込みするとデ
ータを破壊するため、画像取込み完了信号がOFFにな
るまで取込みを待つ。OFFを確認後、画像データ(2
値化画像)をビデオRAM11へ取込み(7)、画像取
込み完了信号をONにする(8)。この繰り返しを全て
のリードについて行う(9),(10)。
【0021】一方、図4のフローチャートに示すよう
に、ビデオRAM11上のデータをワークRAM16上
に転送するデータ転送手段15は、テーブル移動画像
取込み制御手段17とは非同期に動作しており、新たな
画像の取込みを示す画像取込み完了信号をチェックする
(1)〜(2)。信号がOFFであると、新たな画像が
取込まれておらず、信号がONになるまで転送を待つ
(3)。
【0022】ONを確認後、ビデオRAM11のデータ
をワーク16RAM上へ転送し、画像取込み完了信号を
OFFにする(4)。その後、サーチ手段12によりワ
ークRAM16上のデータよりリードがサーチされる
(5)。この繰り返しを全てのリードについて行う
(7)〜(10)。ステップ(6)でリードnが検出で
きなければフラグNGとする(12)。
【0023】これら一連の処理は非同期に実行されてい
るため、図2に示すようにXYテーブル移動、画像取込
み制御手段17が(n+1)番目のリードについて実行
中に、画像データ退避手段およびリードサーチ手段は既
に取込まれているn番目のリードについて画像データ退
避およびサーチを行う。
【0024】このため、前者一連の処理中に後者一連の
処理がかくれ、見かけ上後者の処理時間はゼロで、大幅
な処理時間の短縮が図れる。通常前者と後者の時間的な
比率はほぼ1:1に近く、処理時間1/2,生産率2倍
が実現できる。
【0025】次に、第1ビデオRAMおよび第2ビデオ
RAMを用いた実施例について説明する。図5において
11−1は第1ビデオRAM、11−2は第2ビデオR
AMを示す。図6,図7にその処理フローを示す。図
6,図7の(1)〜(12),(1)〜(11)は各ス
テップを示すものである。図6に示すように画像取込み
RAMを選択し(6)、図7に示す現在サーチ中でない
空きの方の第1のビデオRAM11−1または第2のビ
デオRAM11−2に画像データを取込む(2),
(3),(10)。この方式によるとビデオRAM11
の番号を最適に制御することにより、画像取込みとサー
チが並行して実行できる。
【0026】この例では、リードについて説明したが、
他の被加工体、例えばパッド4等についても適用可能で
ある。また、この例では2値化画像について説明した
が、他の方式、例えば、多値化画像についても適用可能
である。
【0027】以上の説明により理解される通り、並行し
て実行する方法として、カメラより撮像された画像デー
タをビデオRAMへストアする手段と、ビデオRAM上
のデータのうち、全てあるいは特定の一部をワークRA
Mへ転送する手段とを備え、前記ワークRAM上の画像
データをサーチするようにすれば、サーチすべきワーク
RAMは必要最小限の大きさでよい。通常、ビデオRA
Mのサイズは数十キロバイトを必要とし、第二の実施例
のように、もう一面のRAMをもつには、制御上および
デバイス面積、コストの点で制約を受ける可能性がある
が、第一の実施例では、1個のワークRAMですむの
で、少容量のメモリ、安価なメモリ、高速なメモリが使
える等、メモリの制約、コスト上で特に効果がある。
【0028】さらに、並行して実行する方法として、カ
メラより撮像された画像データを第1ビデオRAMある
いは第2ビデオRAMへと選択的にストアする手段と、
前記第1ビデオRAMあるいは第2ビデオRAM上のデ
ータを選択にサーチできる手段とを備え、前記第1ビデ
オRAM、第2ビデオRAMを互いに切換えながらスト
アおよびサーチするようにすれば、ビデオRAMのデー
タを転送することなく、直接アクセス可能なため、高速
にサーチでき、制御が容易である。通常、ビデオRAM
のサイズは数十キロバイトを必要とし、ビデオRAMを
2面もつことは、制御上あるいはメモリのデバイス面積
およびコストの面で制約を受ける。一方、第1の実施例
のように、ビデオRAMの全部あるいは一部をワークR
AMに転送するには、別に転送処理時間を要し(通常数
ms〜数十ms)、処理時間上、制約を受ける可能性が
あるが、第2の実施例ではこのようなことはない。
【0029】
【発明の効果】本発明における半導体装置の製造方法
は、前記サーチ工程の少なくとも一部と、前記移動工程
の少なくとも一部とを並行して実行することにより、移
動工程、撮像工程およびサーチ工程を含む1サイクルの
処理時間を短縮させて、半導体装置の生産性を向上させ
ることができるまた、サーチ工程の少なくとも一部
と、撮像工程の少なくとも一部とを並行して実行するこ
とにより、1サイクルの処理時間をさらに短縮させて、
半導体装置の生産性を向上させることができる。 一方、
本発明における半導体装置の製造装置は、サーチ手段に
よるサーチ動作の少なくとも一部と、移動手段による移
動動作の少なくとも一部とを並行して実行することによ
り、1サイクルの処理時間を短縮させて、半導体装置の
生産性を向上させることができる。 また、サーチ手段に
よるサーチ動作の少なくとも一部と、撮像手段による撮
像動作の少なくとも一部とを並行して実行することによ
り、1サイクルの処理時間をさらに短縮させて、半導体
装置の生産性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例による半導体の認識装置の構
成を示すブロック図である。
【図2】図1の実施例の動作を説明するためのタイミン
グチャートである。
【図3】図1の実施例の処理フローチャートを示す図で
ある。
【図4】図1の実施例の処理フローチャートを示す図で
ある。
【図5】本発明の他の実施例による半導体の認識装置の
構成図を示すブロック図である。
【図6】図5の実施例の処理フローチャートを示す図で
ある。
【図7】図5の実施例の処理フローチャートを示す図で
ある。
【図8】従来のリード認識装置の構成図を示すブロック
図である。
【図9】図8のリード認識装置のサーチ方法を示す図で
ある。
【図10】図8のリード認識装置の動作説明のためのタ
イミングチャートを示す図である。
【図11】図8のリード認識装置のリードサーチ方法を
説明するための図である。
【図12】図8のリード認識装置の処理フローチャート
を示す図である。
【符号の説明】
1 ワークを載置固定する台 2 ICチップ 3 リードフレーム 4 パッド 5 照明 6 XYテーブル 7 カメラ 8 ボンディングツール 9 2値化変換手段 10 モニタTV 11 ビデオRAM 11−1 第1ビデオRAM 11−2 第2ビデオRAM 12 サーチ手段 13 基準被写体情報メモリ 14 ボンディング制御手段 15 データ転送手段 16 ワークRAM 17 テーブル移動,画像取込み制御手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI // G06T 7/00 G06F 15/62 405C 15/70 450 (56)参考文献 特開 平4−279808(JP,A) 特開 平5−6422(JP,A) 特開 平4−278409(JP,A) 特開 平5−54126(JP,A) 特開 昭64−76284(JP,A) 特開 平2−310777(JP,A) 特開 平3−232070(JP,A) 特開 平4−65605(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G01B 11/00 - 11/30 102 G06T 1/00 - 9/20 H01L 21/64 - 21/68 G05D 3/12 H04N 7/18

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 撮像装置を移動させる移動工程と、その
    後、被加工体を前記撮像装置により撮像する撮像工程
    と、前記撮像工程で得られた画像データに基づき前記被
    加工体の所定位置をサーチ認識するサーチ工程からな
    り、複数の前記所定位置を順次にサーチ認識した後、前
    記所定位置に所定の加工を施す半導体装置の製造方法に
    おいて、前記サーチ工程の少なくとも一部と、前記移動
    工程の少なくとも一部とを並行して実行することを特徴
    とする半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項2】 前記サーチ工程の少なくとも一部と、前
    記撮像工程の少なくとも一部とを並行して実行すること
    を特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
  3. 【請求項3】 前記撮像工程が、画像データを第1の記
    憶装置へストアする工程および該第1の記憶装置にスト
    アされた前記画像データの少なくとも一部を第2の記憶
    装置へ転送する工程からなり、前記サーチ工程が、前記
    第2の記憶装置に転送された画像データに基づき実行さ
    れることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装
    置の製造方法。
  4. 【請求項4】 前記撮像工程が、撮像装置による撮像で
    得られた画像データを第1の記憶装置または第2の記憶
    装置へ選択的にストアする工程からなり、前記サーチ工
    程が、前記第1の記憶装置または第2の記憶装置にスト
    アされた画像データを選択的にサーチする工程からな
    り、前記撮像工程とサーチ工程が互いに異なる記憶装置
    を選択することを特徴とする請求項1又は2に記載の半
    導体装置の製造方法。
  5. 【請求項5】 被加工体を撮像する撮像手段、前記撮像
    手段を移動させる移動手段、前記撮像手段で得られた画
    像データに基づき前記被加工体の所定位置をサーチする
    サーチ手段、及び前記サーチ手段によりサーチされた前
    記所定位置に所定の加工を施す加工手段を備えた半導体
    装置製造装置において、前記サーチ手段によるサーチ動
    作の少なくとも一部と、前記移動手段による移動動作の
    少なくとも一部とを並行して実行することを特徴とする
    半導体装置の製造装置。
  6. 【請求項6】 前記サーチ手段によるサーチ動作の少な
    くとも一部と、前記撮像手段による撮像動作の少なくと
    も一部とを並行して実行することを特徴とす る請求項5
    に記載の半導体装置の製造装置。
  7. 【請求項7】 前記撮像手段が、撮像された画像データ
    を第1の記憶装置へストアする手段と、該第1の記憶装
    置にストアされた前記画像データの少なくとも一部を第
    2の記憶装置へ転送する手段とを備え、前記サーチ手段
    が前記第2の記憶装置に転送された画像データをサーチ
    することを特徴とする請求項5又は6に記載の半導体装
    置の製造装置。
  8. 【請求項8】 前記撮像手段が、撮像された画像データ
    を第1の記憶装置または第2の記憶装置へ選択的にスト
    アする手段を備え、サーチ手段が、前記第1の記憶装置
    または第2の記憶装置にストアされた画像データを選択
    的にサーチする手段として構成され、前記撮像手段とサ
    ーチ手段が互いに異なる記憶装置を選択することを特徴
    とする請求項5又は6に記載の半導体装置の製造装置。
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DE112022007042T5 (de) 2022-07-27 2025-07-24 Mitsubishi Electric Corporation Justiersystem, Justierverfahren und Programm
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