JP2826169B2 - バンプ電極用金線 - Google Patents
バンプ電極用金線Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明はワイヤレスボンディング法、特にフリッフチ
ップボンディング法又はテープキャリアボンディング法
により半導体チップを基盤にボンディングする際のバン
プ電極用金線に関する。
ップボンディング法又はテープキャリアボンディング法
により半導体チップを基盤にボンディングする際のバン
プ電極用金線に関する。
〈従来の技術〉 従来、この種のバンプ電極用金線として例えば特開昭
63−301535号公報に開示される如くキャピラリーの先端
から垂下したワイヤの先端を加熱してボールが形成さ
れ、このボール形成時に熱影響を受けて再結晶するボー
ルの根元部の引張り強度が、熱影響を受けない他の部分
の引張り強度に比べ減少し、その後キャピラリーが下降
して該ボールを基盤の配線の上面又は半導体素子の上面
に接着させた状態で、キャピラリーが上昇してワイヤを
引張ることにより上記ボールの根元部、即ち再結晶範囲
のどこかで破断して配線の上面又は半導体素子の上面に
バンプ電極を形成せしめるものがある。
63−301535号公報に開示される如くキャピラリーの先端
から垂下したワイヤの先端を加熱してボールが形成さ
れ、このボール形成時に熱影響を受けて再結晶するボー
ルの根元部の引張り強度が、熱影響を受けない他の部分
の引張り強度に比べ減少し、その後キャピラリーが下降
して該ボールを基盤の配線の上面又は半導体素子の上面
に接着させた状態で、キャピラリーが上昇してワイヤを
引張ることにより上記ボールの根元部、即ち再結晶範囲
のどこかで破断して配線の上面又は半導体素子の上面に
バンプ電極を形成せしめるものがある。
〈発明が解決しようとする課題〉 しかし乍ら、このような従来のバンプ電極用金線にお
いて添加元素の種別及びその含有率の範囲ではボール形
成時に熱影響を受けて再結晶する範囲が比較的に長いた
め、破断する位置にバラツキが多いと共にボールに残る
ティル量が長く、安定したバンプ電極を形成できないと
いう問題がある。
いて添加元素の種別及びその含有率の範囲ではボール形
成時に熱影響を受けて再結晶する範囲が比較的に長いた
め、破断する位置にバラツキが多いと共にボールに残る
ティル量が長く、安定したバンプ電極を形成できないと
いう問題がある。
本発明は斯る従来事情に鑑み、破断位置を一定にして
ホールのティル残り量を短くしながら加工性の低下及び
チップ割れを防止することを目的とする。
ホールのティル残り量を短くしながら加工性の低下及び
チップ割れを防止することを目的とする。
〈課題を解決するための手段〉 上記課題を解決するために本発明が講ずる技術的手段
は、ワイヤが高純度AuにCaを５〜100重量ppmと、Ｙを10
0〜500重量ppmと、Geを30〜100重量ppmかBeを５〜15重
量ppmの１種又は２種とを含有させて形成したことを特
徴とするものである。
は、ワイヤが高純度AuにCaを５〜100重量ppmと、Ｙを10
0〜500重量ppmと、Geを30〜100重量ppmかBeを５〜15重
量ppmの１種又は２種とを含有させて形成したことを特
徴とするものである。
〈作用〉 上記バンプ電極用金線における各成分の限定理由につ
いて述べる。
いて述べる。
Caはボール形成時の再結晶温度を高める作用があるの
で再結晶範囲を短くするが、その含有量が５重量ppm未
満では特性を満足することができず、一方100重量ppm以
上では金線の脆化現象が見られて伸線加工が難しくなる
と共に熱処理性が悪く、しかもボール形成時にボールが
硬くなり過ぎてボンディングの際にチップ割れの原因と
なる。
で再結晶範囲を短くするが、その含有量が５重量ppm未
満では特性を満足することができず、一方100重量ppm以
上では金線の脆化現象が見られて伸線加工が難しくなる
と共に熱処理性が悪く、しかもボール形成時にボールが
硬くなり過ぎてボンディングの際にチップ割れの原因と
なる。
Ｙはホール形成時の再結晶範囲を短くする作用がある
が、その含有量が100重量ppm未満では特性を満足するこ
とができず、一方500重量ppm以上では金線の脆化現象が
見られて伸線加工が難しくなると共に熱処理性が悪く、
しかもボール形成時にボールが硬くなり過ぎてチップ割
れの原因となる。
が、その含有量が100重量ppm未満では特性を満足するこ
とができず、一方500重量ppm以上では金線の脆化現象が
見られて伸線加工が難しくなると共に熱処理性が悪く、
しかもボール形成時にボールが硬くなり過ぎてチップ割
れの原因となる。
Geは加工性を高める作用があるが、その含有量が30重
量ppm未満では特性を満足することができず、一方100重
量ppm以上ではチップ割れの原因となる。
量ppm未満では特性を満足することができず、一方100重
量ppm以上ではチップ割れの原因となる。
Beは加工性を高める作用があるが、その含有量が５重
量ppm未満では特性を満足することができず、一方15重
量ppm以上では金線の脆化現象が見られて伸線加工が難
しくなると共にチップ割れの原因となる。
量ppm未満では特性を満足することができず、一方15重
量ppm以上では金線の脆化現象が見られて伸線加工が難
しくなると共にチップ割れの原因となる。
そして、不可避不純物を含む純度99.99％以上のAuにC
aを５〜100重量ppmとＹを100〜500重量ppm添加すること
によって、再結晶範囲が短くなり、これにGeを30〜100
重量ppmかBeを５〜15重量ppmかこれら両者を複合添加す
ることによって、伸線加工が容易になると共にボールが
硬くなり過ぎないものである。
aを５〜100重量ppmとＹを100〜500重量ppm添加すること
によって、再結晶範囲が短くなり、これにGeを30〜100
重量ppmかBeを５〜15重量ppmかこれら両者を複合添加す
ることによって、伸線加工が容易になると共にボールが
硬くなり過ぎないものである。
〈実施例〉 以下、具体的な実施例について説明する。
各試料は高純度Au（99.999％）にCa,Y,Ge,Beを添加し
て溶解鋳造し、次に溝ロール加工を施し、その途中で焼
なまし処理を施した後に線引加工で25μφの極細金線に
成形したものである。
て溶解鋳造し、次に溝ロール加工を施し、その途中で焼
なまし処理を施した後に線引加工で25μφの極細金線に
成形したものである。
各試料の元素含有量は表（１）に示す通りであり、そ
の試料No.1〜120は本発明の実施品、試料No.121,122は
本発明の組成範囲にない比較品である。
の試料No.1〜120は本発明の実施品、試料No.121,122は
本発明の組成範囲にない比較品である。
上記試料によって機械的特性，熱影響範囲長さ，ボー
ル根元部での切断性，加工性の良否及びチップ割れの有
無を測定した結果を次表（２）に示す。
ル根元部での切断性，加工性の良否及びチップ割れの有
無を測定した結果を次表（２）に示す。
この測定結果により本発明の組成は前述した範囲で最
適であることが理解され、高純度AuにCaを50〜100重量p
pmとＹを250〜1000重量ppmを添加すれば熱影響範囲長さ
が50〜60μｍとなる。
適であることが理解され、高純度AuにCaを50〜100重量p
pmとＹを250〜1000重量ppmを添加すれば熱影響範囲長さ
が50〜60μｍとなる。
尚、本発明の特性に影響を与えない範囲で他の元素、
例えばランタン系の希土類元素やSb,In,Sr,Mg,Ti,Zr,Pb
等を添加することは任意である。
例えばランタン系の希土類元素やSb,In,Sr,Mg,Ti,Zr,Pb
等を添加することは任意である。
〈発明の効果〉 本発明は上記の構成であるから、以下の利点を有す
る。
る。
不可避不純物を含む純度99.99％以上のAuにCaを５〜1
00重量ppmとＹを100〜500重量ppm添加することによっ
て、再結晶範囲が短くなり、これにGeを30〜100重量ppm
かBeを５〜15重量ppmかこれら両者を複合添加すること
によって、伸線加工が容易になると共にボールが硬くな
り過ぎないので、破断位置を一定にしてボールのティル
残り量を短くしながら加工性の低下及びチップ割れを防
止することができる。
00重量ppmとＹを100〜500重量ppm添加することによっ
て、再結晶範囲が短くなり、これにGeを30〜100重量ppm
かBeを５〜15重量ppmかこれら両者を複合添加すること
によって、伸線加工が容易になると共にボールが硬くな
り過ぎないので、破断位置を一定にしてボールのティル
残り量を短くしながら加工性の低下及びチップ割れを防
止することができる。
従って、ワイヤボンダーの機械的な動作でワイヤーを
切断することなく均一なバンプ電極を形成できる。
切断することなく均一なバンプ電極を形成できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 向山 光一郎 東京都三鷹市下連雀８―５―１ 田中電 子工業株式会社三鷹工場内 (56)参考文献 特開 平２−170931（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−84346（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−163226（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/60 311 H01L 21/60 301
Claims (1)
- 【請求項１】細いワイヤの先端を加熱してボールを形成
し、該ボールを配線の上面又は半導体素子の上面に接着
させた状態でワイヤを引張ることにより、ボールがその
根本部から切断されて配線の上面又は半導体素子の上面
にバンプ電極を形成せしめるバンプ電極用金線におい
て、前記ワイヤが高純度AuにCaを５〜100重量ppmと、Ｙ
を100〜500重量ppmと、Geを30〜100重量ppmかBeを５〜1
5重量ppmの１種又は２種とを含有させて形成したことを
特徴とするバンプ電極用金線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2116036A JP2826169B2 (ja) | 1990-05-02 | 1990-05-02 | バンプ電極用金線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2116036A JP2826169B2 (ja) | 1990-05-02 | 1990-05-02 | バンプ電極用金線 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0412543A JPH0412543A (ja) | 1992-01-17 |
| JP2826169B2 true JP2826169B2 (ja) | 1998-11-18 |
Family
ID=14677151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2116036A Expired - Fee Related JP2826169B2 (ja) | 1990-05-02 | 1990-05-02 | バンプ電極用金線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2826169B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2780611B2 (ja) * | 1993-09-06 | 1998-07-30 | 三菱マテリアル株式会社 | 少量成分の合金化で硬質化した金装飾品材 |
| DE102007035591B3 (de) * | 2007-07-30 | 2008-10-23 | Bauer Maschinen Gmbh | Tiefbauvorrichtung zum Erstellen von Schlitzen im Boden |
-
1990
- 1990-05-02 JP JP2116036A patent/JP2826169B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0412543A (ja) | 1992-01-17 |
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