JP2819934B2 - 電子部品の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、電子部品の製造方法
に関するもので、特に、セラミック積層体を用いた電子
部品の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】たとえば、トリマコンデンサとして用い
られる可変コンデンサは、典型的には、ステータ電極お
よびこれに対して回転されるロータ電極を備え、ステー
タ電極とロータ電極との間には誘電体が配置される。こ
の誘電体は、たとえばセラミック誘電体によって与えら
れる。

【０００３】このような可変コンデンサにおいて、容量
調整範囲を広くするには、取得できる最大容量が大きく
される必要がある。最大容量を大きくする一手段とし
て、ステータ電極とロータ電極との間に配置される誘電
体の厚みを薄くすることが行なわれている。しかしなが
ら、誘電体としてセラミック誘電体を用いる場合、その
機械的強度が比較的低いため、その厚みをあまり薄くす
ることができない。

【０００４】この問題を解決するため、ステータ電極ま
たはロータ電極のいずれか一方をセラミック誘電体の内
部に形成することが行なわれている。これによって、セ
ラミック誘電体を厚くして機械的強度を高めながらも、
セラミック誘電体の一部を介してステータ電極とロータ
電極とが対向するようにして、これらステータ電極とロ
ータ電極との間隔を小さくすることによって、大きな最
大容量を得ようとするものである。

【０００５】上述したように、ステータ電極またはロー
タ電極がセラミック誘電体の内部に形成された可変コン
デンサのうち、特にステータ電極がセラミック誘電体の
内部に形成されたものが、たとえば実公昭６３−５２２
３号公報に記載されている。この可変コンデンサにおい
て、上述したようにステータ電極が内部に形成されたセ
ラミック誘電体は、そのまま、この可変コンデンサの基
本的要素の１つであるステータを構成し、このステータ
の表面には、ステータ電極に電気的に接続される端子が
導電膜をもって形成されている。

【０００６】また、セラミック誘電体からなるステータ
の下面には、凹部が形成されていて、ロータ電極を形成
するロータを回転可能に収納するカバーに設けられた係
合片が、この凹部上に係合するようにされている。した
がって、係合片がステータの下面から突出せず、この可
変コンデンサは、プリント回路基板上に問題なく表面実
装されることができる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、ステ
ータ電極が内部に形成されたセラミック誘電体からなる
ステータは、基本的には、積層セラミックコンデンサの
製造技術を用いて製造することができる。しかしなが
ら、積層セラミックコンデンサでは形成される必要のな
い凹部の存在のため、積層セラミックコンデンサの製造
技術を単純には採用できない。上述した公報では、この
ようなステータを得るための方法が記載されていない
が、たとえば、ステータとなるべきセラミック誘電体を
焼成する前の段階において、凹部となるべき形状を与え
ておき、次いで、焼成する方法が考えられる。しかしな
がら、この方法には、凹部形成のための特別な工程を必
要とするとともに、特殊な金型および設備が必要とな
り、ステータのコストが上昇する、と予想される。

【０００８】以上、可変コンデンサを一例として、従来
の製造方法の問題点について説明したが、このような問
題点は、可変コンデンサに限らず、貫通コンデンサ、コ
ンデンサネットワーク、高圧コンデンサ、半導体パッケ
ージなど、凹部が形成されるセラミック積層体を用いた
電子部品を製造する際にも遭遇し得る。しかも、凹部の
形状が複雑であれば、この問題は一層顕著なものとな
る。

【０００９】それゆえに、この発明の目的は、たとえば
可変コンデンサなど、セラミック積層体を用いた電子部
品の製造方法において、特に凹部が形成されたセラミッ
ク積層体を、一般的な積層セラミックコンデンサと実質
的に同様の方法によって製造できるようにするための改
良された方法を提供しようとすることである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】この発明は、凹部が形成
されたセラミック積層体を用いた電子部品の製造方法に
向けられるものである。

【００１１】この発明では、上述した技術的課題を解決
するため、次のようなステップを備えることを特徴とし
ている。すなわち、第１のステップにおいて、焼成によ
り焼失し得る材料からなる複数の焼失用膜が前記凹部の
位置に対応する位置に層状に形成された、セラミック積
層体が用意される。次いで、第２のステップにおいて、
前記セラミック積層体を焼成し、前記焼失用膜を焼失さ
せ、その結果、複数の空洞が層状に形成されるととも
に、前記複数の空洞を介して複数の薄層が形成された、
焼結体が得られる。次いで、第３のステップにおいて、
前記焼結体の前記薄層を粉砕し、その結果、前記凹部が
形成される。

【００１２】

【作用】この発明において、セラミック積層体は、一般
的な積層セラミックコンデンサを製造するために用意さ
れるセラミック積層体と実質的に同様の方法で得ること
ができる。すなわち、焼失用膜を、積層セラミックコン
デンサにおける内部電極の形成と同様、印刷等により形
成することができる。また、セラミック積層体の緊密な
積層状態を得るためのプレス工程についても、積層セラ
ミックコンデンサの場合と同様に適用することができ
る。

【００１３】また、焼結体を得るためのセラミック積層
体の焼成についても、積層セラミックコンデンサに適用
されている焼成と同様に行なうことができる。

【００１４】また、薄層を粉砕して凹部を形成する方法
についても、積層セラミックコンデンサの製造において
適用されている、たとえばバレル研磨やブラスト加工な
どの粉砕方法をそのまま適用することができる。

【００１５】

【発明の効果】したがって、この発明によれば、既に確
立されている一般的な積層セラミックコンデンサの製造
技術をそのまま用いて、凹部をが形成されたセラミック
積層体を用いた電子部品を製造することができる。した
がって、凹部形成のための特別な工程や、特殊な金型ま
たは設備が不要であるので、安価にそのような電子部品
を提供することができる。

【００１６】また、セラミック積層体に形成される凹部
の断面部が、従来の打抜き加工では形成が困難な曲線的
な形状であっても、この発明によれば、それを極めて容
易に形成することができる。

【００１７】

【実施例】この発明による電子部品の製造方法につき、
以下、可変コンデンサの製造方法をその実施例として、
詳述する。図１および図２には、この実施例による可変
コンデンサの製造方法に含まれるステータの製造方法が
示されている。これら図１および図２に示した製造方法
を説明する前に、図３ないし図８を参照して、この実施
例により得られる可変コンデンサ１の構造について説明
する。

【００１８】図３ないし図５に示すように、可変コンデ
ンサ１は、大きくとらえたとき、ステータ２、ロータ３
およびカバー４を備える。ステータ２は、全体として、
セラミック誘電体から構成される。ロータ３は、たとえ
ば黄銅のような金属から構成される。カバー４は、たと
えばステンレス鋼または銅合金のような金属から構成さ
れ、半田付け性を良くするため、少なくとも必要な部分
に、半田、錫、銀などによる表面処理が施されてもよ
い。

【００１９】以下、上述した各要素の詳細な構造につい
て説明する。まず、図６を参照して、ステータ２につい
て説明する。ステータ２は、全体として左右対称の構造
を有している。ステータ２の内部には、ステータ電極５
および６が並んで形成される。これらステータ電極５お
よび６にそれぞれ電気的に接続されるように、ステータ
２の少なくとも側面上には、導電膜によって与えられた
端子７および８が形成される。また、ステータ２の下面
には、その端縁から内方に向かって凹部９および１０が
形成される。この実施例では、ステータ２の下面であっ
て、凹部９および１０が位置する端縁には、わずかに突
出するリブ１１および１２が形成される。

【００２０】なお、上述したように、２つのステータ電
極５および６が設けられたのは、ステータ２の構造を左
右対称とし、端子７および８の形成およびこのステータ
２を用いての可変コンデンサ１の組立てにおいて、ステ
ータ２の方向を考慮する必要をなくすためである。した
がって、このような利点を望まないならば、ステータ電
極５および６のいずれか一方は不要であり、さらには、
この不要とされるステータ電極５または６に接続される
端子７または８も省略してもよい。

【００２１】次に、図７を参照して、ロータ３について
説明する。なお、図７（ａ）には、ロータ３の上面が示
され、同じく（ｂ）には、ロータ３の下面が示されてい
る。

【００２２】ロータ３は、上述したステータ２の上面上
に配置されるものであって、その下面には、突出する段
部によって半円状のロータ電極２３が形成される。ま
た、ロータ３の下面には、ロータ電極２３の高さと等し
い高さを有する凸部２４が形成され、ロータ電極２３の
形成によりロータ３が傾くことが防止される。ロータ３
の上面には、ドライバ溝２５が形成される。

【００２３】次に、図８を参照して、カバー４について
説明する。カバー４は、上述したロータ３に接触してこ
れを回転可能に収納する形状を有している。また、カバ
ー４の下面は、前述したステータ２によって覆われる開
口２６とされ、その上面には、前述したドライバ溝２５
を露出させる調整用穴２７が形成される。

【００２４】調整用穴２７の周縁部は、ばね作用部２８
とされる。ばね作用部２８においてより安定したばね作
用を及ぼすようにするため、調整用穴２７の周縁部にお
いて複数の放射状に延びる切込み２９が設けられる。

【００２５】カバー４の下面の開口２６の周縁部には、
四角形のフランジ３０が形成され、このフランジの相対
向する端縁から下方へ延びるように、係合片３１および
３２がそれぞれ設けられる。係合片３１および３２は、
それぞれ、ステータ２の下面に形成された凹部９および
１０に係合させるため、後で折曲げられるものである。
この折曲げを容易にするため、係合片３１および３２に
は、図８（ｂ）および（ｄ）に示すように、それぞれ、
横長の穴３３および３４が設けられる。

【００２６】フランジ３０の端縁であって、係合片３１
および３２が設けられない端縁の一方から側方および下
方へ延びるように、端子３５が設けられる。

【００２７】以上、図６、図７および図８にそれぞれ単
独で示したステータ２、ロータ３およびカバー４を用い
て、図３ないし図５に示した可変コンデンサ１が組立て
られる。すなわち、ステータ２上にロータ３が置かれ、
ロータ３を覆うようにカバー４が配置される。次いで、
ロータ３をステータ２に圧接させるように、カバー４を
ステータ２に向かって押圧しながら、カバー４に設けら
れた係合片３１および３２の各端部がそれぞれ内方へ折
曲げられる。これによって、係合片３１および３２は、
それぞれ、ステータ２の下面に形成された凹部９および
１０に係合した状態となる。このとき、ステータ２の下
面の端縁部には、リブ１１および１２が設けられている
ので、上述した係合片３１および３２のステータ２に対
する係合がより強固に維持される。

【００２８】カバー４に設けられた端子３５は、ステー
タ２に設けられた端子８と対向する位置にもたらされて
いる。したがって、これら端子３５および８間に半田３
６を付与すれば、カバー４のステータ２に対する固定状
態がより強固になる。

【００２９】このようにして、可変コンデンサ１の組立
が完了する。この組立状態において、カバー４に形成さ
れたばね作用部２８により、ロータ３はステータ２に押
付けられ、ロータ３とステータ２との間で安定した密着
状態が得られる。これによって、ロータ３のトルクおよ
びステータ電極５とロータ電極２３との間で形成される
静電容量が安定する。

【００３０】また、上述した静電容量は、ステータ電極
５に電気的に接続される端子７と、ロータ電極２３を形
成するロータ３に接触するカバー４に設けられた端子３
５または端子８とによって取出される。なお、カバー４
には端子３５が設けられず、係合片３１または３２を一
方の端子として用いてもよい。

【００３１】また、図３（ｄ）によく示されているよう
に、係合片３１および３２は、凹部９および１０内に位
置し、ステータ２の下面から突出しないので、この可変
コンデンサ１は、安定した状態で、たとえばプリント回
路基板（図示せず）上に実装されることができる。この
実装状態において、端子７および３５または８が、それ
ぞれ、プリント回路基板上の導電ランドに直接半田付け
される。

【００３２】前述したように、ステータ電極５および６
が内部に形成されるとともに、下面に凹部９および１０
が形成された、セラミックス誘電体からなるステータ２
は、次のような方法により製造される。

【００３３】多数のステータ２を一挙に得るため、図２
に示すように多数のステータ電極５および６となるべき
導電膜１３が形成されたセラミック誘電体からなるシー
ト１４ｂを含む複数のシート１４ａ〜１４ｅが積重ねら
れる。これらのうち、シート１４ａおよび１４ｃには、
何らの膜も形成されないが、シート１４ｂ上には、上述
したように、導電膜１３がたとえばＡｇ−Ｐｄペースト
をスクリーン印刷することにより縦横に配列されて形成
される。また、シート１４ｄ上には、比較的細いストラ
イプ状に焼失用膜１５がスクリーン印刷により互いに平
行に配列されて形成される。また、複数のシート１４ｅ
上には、比較的太いストライプ状の焼失用膜１６がスク
リーン印刷により互いに平行に配列されて形成される。
これら焼失用膜１５および１６は、焼成により焼失し得
る材料からなるもので、たとえば、カーボンまたは樹脂
によって構成される。図２に示すように積重ねられたシ
ート１４ａ〜１４ｅは、剛体プレスされた後、カットさ
れ、個々のステータ２となるべき複数のチップ状の積層
体に分割される。図２において、シート１４ｂ，１４
ｄ，１４ｅ上に、１個のチップ状の積層体１７となるべ
き領域が四角形によって囲まれている。また、図１
（ａ）には、このような１個のチップ状の積層体１７が
示されている。なお、図１（ａ），（ｂ），（ｃ）は、
前述した図６の線Ｉ−Ｉに沿う断面に相当する断面を示
している。

【００３４】図１（ａ）に示すように、各積層体１７に
は、ステータ電極５（図示せず）および６となるべき導
電膜に加えて、焼失用膜１５および複数の焼失用膜１６
がその内部に層状に形成されている。図１（ａ）の円で
囲んだ部分の拡大図が図１（Ａ）に示されている。

【００３５】積層体１７は焼成され、それによって、図
１（ｂ）に示すような焼結体１８が得られる。焼結体１
８の内部には、ステータ電極５および６は残留するが、
焼失用膜１５および１６は焼失し、それによって、図１
（Ｂ）の拡大図によく示されているように、空洞１９お
よび複数の空洞２０が層状に形成される。これら空洞１
９および２０の形成の結果、これら空洞１９および２０
を介して薄層２１および複数の薄層２２が形成される。

【００３６】次に、焼結体１８は、たとえばバレル研磨
のような研磨工程に付される。これによって、図１
（ｃ）に示すように、焼結体１８の角の部分が面取りさ
れるとともに、薄層２１および２２が粉砕される。その
結果、凹部９および１０が形成される。また、図１
（Ｂ）に示されるように、空洞１９および薄層２１は、
焼結体１８の側面にまで届いていないので、薄層２１の
粉砕の結果、リブ１１および１２が形成される。

【００３７】その後、焼結体１８は、好ましくは、ブラ
スト加工工程に付される。これにより、上述したバレル
研磨だけでは除去されなかった、凹部９および１０の隅
部に残存する薄層２１および２２を完全に除去すること
ができる。

【００３８】なお、焼失用膜１５および１６は、図１で
は、各々１本が連続した膜になっているが、一部不連続
部があっても効果は実質的に同じである。

【００３９】また、この実施例では、粉砕方法として、
バレル研磨およびその後のブラスト加工が実施された
が、この粉砕方法は、これに限定されるものではなく、
たとえば、ウォータージェットや超音波により薄層２１
および２２を粉砕することも可能である。

【００４０】このようにして得られた焼結体１８に、前
述したように、導電膜をもって端子７および８が形成さ
れたとき、図６に示すようなステータ２が得られる。

【００４１】図９、図１０、図１１および図１２には、
それぞれ、この発明に従って有利に得ることができるス
テータ２の変形例が示されている。これら図９、図１
０、図１１および図１２にそれぞれ示したステータ２
は、前述した図６に示したステータ２に代えて、可変コ
ンデンサ１の組立要素として用いることができる。

【００４２】図９に示したステータ２は、凹部９および
１０を備えるが、リブ１１および１２を形成していな
い。図１０に示したステータ２の下面には、その一方の
端縁から他方の端縁にまで一連に延びる１個の凹部４０
が形成されている。図１１に示したステータ２の下面に
は、半楕円の輪郭をもって２つの凹部４８および４９が
形成される。図１２に示したステータ２の下面には、略
台形状の輪郭をもって２つの凹部５０および５１が形成
されている。

【００４３】このようないずれの凹部９，１０，４０，
４８，４９，５０，５１であっても、前述した図１およ
び図２に示す方法によって能率的に形成することができ
る。

【００４４】なお、この発明の方法は、前述したよう
に、カバー４に備える係合片３１および３２を係合させ
るための凹部９，１０，４０，４８，４９，５０，５１
だけでなく、他の機能を有する凹部を形成する場合にも
適用することができる。

【００４５】また、この発明は、上述した可変コンデン
サの製造方法に限らず、凹部が形成されたセラミック積
層体を用いた電子部品の製造方法に広く適用することが
できる。以下、可変コンデンサ以外の電子部品の製造方
法にこの発明が適用されたいくつかの実施例について説
明する。

【００４６】図１３には、積層セラミックコンデンサ１
０１が示されている。この積層セラミックコンデンサ１
０１は、複数の内部電極１０２および１０３を内部に形
成したセラミック積層体１０４、ならびにセラミック積
層体１０４の端部の外表面上に形成されかつ内部電極１
０２または１０３に電気的に接続される外部電極１０５
および１０６を備える。

【００４７】セラミック積層体１０４の表面には、この
積層セラミックコンデンサ１０１の静電容量等の特性の
ように、所望の情報を表わすため、たとえば文字、図形
等が表示されることがある。この表示は、セラミック積
層体１０４の表面に形成された凹部１０７によって与え
られている。この実施例では、凹部１０７によって、
「Ｂ」の文字が表示されている。

【００４８】この発明によれば、上述した表示を与える
凹部１０７が設けられた積層セラミックコンデンサ１０
１を、何ら煩雑な手間を必要とすることなく、能率的に
製造することができる。図１４には、この積層セラミッ
クコンデンサ１０１を製造するための代表的なステップ
が示されている。

【００４９】図１４（ａ）に示すように、セラミック積
層体１０４には、内部電極１０２および１０３に加え
て、焼失用膜１０８が形成されている。この焼失用膜１
０８は、セラミック積層体１０４が焼成されたとき、焼
失し、それによって空洞および薄層が形成される。次
に、このセラミック積層体１０４の焼結体は、たとえば
バレル研磨のような研磨工程に付された後、ブラスト加
工が施される。これによって、図１４（ｂ）に示すよう
に、薄層が粉砕され、凹部１０７が形成される。このよ
うにして得られたセラミック積層体１０４に、図１４
（ｃ）に示すように、外部電極１０５および１０６が形
成されたとき、所望の積層セラミックコンデンサ１０１
が得られる。

【００５０】なお、上述の「Ｂ」の文字は、同様のステ
ップにより、セラミック積層体１０４の両面に容易に形
成できることは勿論である（図示せず）。

【００５１】図１５には、貫通コンデンサ１０９が示さ
れている。貫通コンデンサ１０９は、円筒状のセラミッ
ク積層体１１０を備え、その中心部には、図示しない貫
通端子が貫通する貫通孔１１１が形成されるとともに、
その外周面には、たとえばコネクタなどに含まれるアー
ス板に係止させるための段部を与える凹部１１２が形成
されている。また、セラミック積層体１１０の内部に
は、内部電極１１３が形成されており、セラミック積層
体１１０の外周面および貫通孔１１１の内周面には、そ
れぞれ、外部電極１４６および１４７が形成されてい
る。

【００５２】この発明によれば、上述のような貫通コン
デンサ１０９に備える貫通孔１１１および凹部１１２を
形成するため、特別な工程や特殊な金型または設備が不
要である。図１６には、上述したセラミック積層体１１
０の焼成前の状態が断面図で示されている。また、図１
７（ａ）〜（ｆ）には、セラミック積層体１１０に含ま
れるセラミック誘電体シートａ〜ｆの各々の上面がそれ
ぞれ示されている。

【００５３】図１６ならびに図１７（ａ）および（ｄ）
に示すように、特定のセラミック誘電体シート上には、
貫通孔１１１および凹部１１２を与えるべく、焼失用膜
１１４および１１５が形成される。また、図１６ならび
に図１７（ｂ）、（ｃ）、（ｅ）および（ｆ）に示すよ
うに、特定のセラミック誘電体シート上には、内部電極
１１３が形成される。これらのセラミック誘電体シート
は、積重ねられ、剛体プレスされた後、焼成される。こ
の焼成により、セラミック積層体１１０の焼結体の内部
には、内部電極１１３は残留するが、焼失用膜１１４お
よび１１５は焼失し、その結果、複数の空洞およびこれ
ら空洞を介して複数の薄層が形成される。このセラミッ
ク積層体１１０の焼結体は、次いで、バレル研磨および
ブラスト加工を含む粉砕工程に付され、これによって、
薄層が粉砕され、貫通孔１１１および凹部１１２が形成
される。このようにして得られたセラミック積層体１１
０に外部電極１４６および１４７が形成されたとき、図
１５に示すような所望の貫通コンデンサ１０９が得られ
る。

【００５４】図１８には、コンデンサネットワーク１１
６が示されている。コンデンサネットワーク１１６は、
複数のセラミック誘電体シートが積層されてなるセラミ
ック積層体１１７を備える。セラミック積層体１１７の
相対向する１対の側面には、それぞれ、複数の端子電極
１１８および１１９が形成され、端子電極１１８の各々
の間および端子電極１１９の各々の間には、凹部１２０
および１２１が形成されている。これら凹部１２０およ
び１２１は、端子電極１１８および１１９の隣り合うも
のの間を互いに分離することにより、端子電極１１８お
よび１１９の各々相互間の短絡を防止するとともに、端
子電極１１８および１１９の形成に際して能率的なディ
ッピング等を適用することを可能にする。コンデンサネ
ットワーク１１６には、複数組の積層コンデンサが形成
され、それぞれの積層コンデンサの端子は、相対向する
１対の端子電極１１８および１１９によって与えられ
る。

【００５５】この発明によれば、上述のようなコンデン
サネットワーク１１６に備えるセラミック積層体１１７
に凹部１２０および１２１を形成することが容易であ
る。図１９には、セラミック積層体１１７を得るために
用意されるセラミック誘電体シート１２２，１２３，１
２４，１２５の各々の上面が示されている。ここで、図
１９（ａ）に示したセラミック誘電体シート１２２は、
セラミック積層体１１７の最上段に位置するものであ
り、同（ｄ）に示したセラミック誘電体シート１２５
は、セラミック積層体１１７の最下段に位置するもので
あり、同（ｂ）および（ｃ）にそれぞれ示したセラミッ
ク誘電体シート１２３および１２４は、セラミック誘電
体シート１２２および１２５の間に位置するものであ
り、これらは所望の枚数だけ交互に積層される。

【００５６】セラミック誘電体シート１２２〜１２５に
は、前述した凹部１２０および１２１をそれぞれ与える
焼失用膜１２６および１２７が形成される。また、セラ
ミック誘電体シート１２３および１２４には、それぞ
れ、コンデンサ電極１２８および１２９が形成される。
これらコンデンサ電極１２８および１２９の各々は、図
１８に示した端子電極１１８および１１９に電気的に接
続される。

【００５７】図１９に示したセラミック誘電体シート１
２２〜１２５が積層され、剛体プレスされた後、焼成さ
れる。このようにして得られたセラミック積層体１１７
の焼結体には、コンデンサ電極１２８および１２９が残
留するが、焼失用膜１２６および１２７は焼失し、その
結果、複数の空洞およびこれら空洞を介して複数の薄層
が形成される。次いで、このセラミック積層体１１７の
焼結体は、バレル研磨およびブラスト加工を含む粉砕工
程に付され、薄層が粉砕され、それによって、セラミッ
ク積層体１１７の側面に凹部１２０および１２１が形成
される。次いで、セラミック積層体１１７の各側面を、
たとえば、銀ペースト等の電極塗料中に凹部１２０また
は１２１の途中まで浸漬して引上げ、付着した電極塗料
を焼付けることにより、端子電極１１８および１１９が
形成される。このようにして、図１８に示すコンデンサ
ネットワーク１１６が得られる。

【００５８】図２０には、耐電圧の高いセラミックコン
デンサ、すなわち高圧コンデンサ１３０が示されてい
る。この高圧コンデンサ１３０は、誘電体としての円筒
状のセラミック積層体１３１を備え、その互いに対向す
る両主面には、凹部１３２および１３３が形成されてい
る。凹部１３２および１３３は、緩やかに湾曲した三次
元的な形状を有する内面によって規定されている。この
ような凹部１３２および１３３の内面には、それぞれ電
極１３４および１３５が形成される。したがって、これ
ら電極１３４および１３５は、ロゴスキー電極と呼ばれ
る三次元構造を有しており、一方の電極１３４または１
３５の周縁から、セラミック積層体１３１の外周面に沿
って、他方の電極１３５または１３４の周縁に至る沿面
距離が大きくされ、また、電極１３４および１３５それ
ぞれの周縁近傍の領域における電界集中が抑えられてお
り、それによって、耐電圧が高められている。

【００５９】この発明によれば、上述のような高圧コン
デンサ１３０を容易に製造することができる。図２１に
は、上述した高圧コンデンサ１３０を得る方法に含まれ
る代表的なステップが示されている。

【００６０】図２１（ａ）に示すように、セラミック積
層体１３１には、凹部１３２および１３３となるべき部
分に焼失用膜１３６が形成される。このようなセラミッ
ク積層体１３１は、次いで、焼成される。これによっ
て、焼失用膜１３６は焼失し、セラミック積層体１３１
の内部には、複数の空洞およびそれら空洞を介して薄層
が形成される。次いで、このセラミック積層体１３１の
焼結体は、たとえばバレル研磨およびブラスト加工を含
む粉砕工程に付され、これによって、図２１（ｂ）に示
すように、薄層が粉砕され、三次元的な形状の凹部１３
２および１３３が形成される。これら凹部１３２および
１３３の内面に電極１３４および１３５が形成されたと
き、図２０に示すような高圧コンデンサ１３０が得られ
る。

【００６１】図２２には、半導体パッケージ１３７が示
されている。半導体パッケージ１３７は、信頼性の高い
封止構造を与え得るセラミック積層体１３８を備え、こ
のセラミック積層体１３８には、図示されない半導体集
積回路装置（ＩＣ）が実装される凹部１３９が形成され
る。セラミック積層体１３８の内部には、グラウンド電
極１４０およびコンデンサ電極１４１が形成されてい
る。コンデンサ電極１４１が与えるコンデンサは、半導
体ＩＣから発生したノイズが他の半導体ＩＣの誤動作を
引起こすことを防止するように機能する。

【００６２】この発明によれば、上述のような半導体パ
ッケージ１３７を容易に製造することができる。図２３
には、セラミック積層体１３８を得るための方法に含ま
れるステップが示されている。

【００６３】図２３に示すように、セラミック積層体１
３８を含むセラミック誘電体シート１４２の特定のもの
の上には、グラウンド電極１４０またはコンデンサ電極
１４１がそれぞれ形成される。また、特定のセラミック
誘電体シート１４２上には、凹部１３９となるべき部分
に焼失用膜１４３が形成される。これらセラミック誘電
体シート１４２が積重ねられ、次いで、剛体プレスされ
た後、セラミック積層体１３８は焼成される。これによ
って、焼失用膜１４３が焼失し、セラミック積層体１３
８の焼結体には、空洞および薄層が形成される。次に、
このセラミック積層体１３８の焼結体は、たとえば、バ
レル研磨およびブラスト加工を含む粉砕工程に付され、
その結果、薄層が粉砕され、凹部１３９が形成される。
次いで、パッド電極１４４およびボンディング用電極１
４５を形成したとき、図２２に示すような半導体パッケ
ージ１３７が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例に含まれる典型的なステッ
プを実施して得られた積層体１７または焼結体１８を示
すもので、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は図６（ａ）の線Ｉ
−Ｉに沿う断面に相当する断面を示し、（Ａ）、
（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）
の円で囲んだ部分の拡大図であり、これら図面のうち、
（ａ）、（Ａ）は焼成前の状態を示し、（ｂ）、（Ｂ）
は焼成後の状態を示し、（ｃ）、（Ｃ）は研磨後の状態
を示している。

【図２】図１（ａ）に示した積層体１７を得るために用
意されるセラミック誘電体からなるシート１４ａ〜１４
ｅを示す斜視図である。

【図３】この発明の実施例により得られた可変コンデン
サ１を示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）の
線Ｂ−Ｂに沿う断面図、（ｃ）は底面図、（ｄ）は
（ａ）の線Ｄ−Ｄに沿う断面図である。

【図４】図３に示した可変コンデンサ１の上方から見た
斜視図である。

【図５】図３に示した可変コンデンサ１の下方から見た
斜視図である。

【図６】可変コンデンサ１に含まれるステータ２を示す
もので、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）の線Ｂ−Ｂに
沿う断面図、（ｃ）は底面図、（ｄ）は（ａ）の線Ｄ−
Ｄに沿う断面図である。

【図７】可変コンデンサ１に含まれるロータ３を示すも
ので、（ａ）は上方から見た斜視図、（ｂ）は下方から
見た斜視図である。

【図８】可変コンデンサ１に含まれるカバー４を示すも
ので、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）の線Ｂ−Ｂに沿
う断面図、（ｃ）は底面図、（ｄ）は（ａ）の線Ｄ−Ｄ
に沿う断面図である。

【図９】ステータ２の変形例を示すもので、（ａ）は断
面図、（ｂ）は底面図である。

【図１０】ステータ２の他の変形例を示すもので、
（ａ）は断面図、（ｂ）は底面図である。

【図１１】ステータ２のさらに他の変形例を示すもの
で、（ａ）は断面図、（ｂ）は底面図である。

【図１２】ステータ２のさらに他の変形例を示すもの
で、（ａ）は断面図、（ｂ）は底面図である。

【図１３】この発明の他の実施例により得られた積層セ
ラミックコンデンサ１０１を示すもので、（ａ）は
（ｂ）の線Ａ−Ａに沿う断面図であり、（ｂ）は平面図
である。

【図１４】図１３に示した積層セラミックコンデンサ１
０１の製造方法に含まれる典型的なステップを示す断面
図である。

【図１５】この発明のさらに他の実施例によって得られ
た貫通コンデンサ１０９を示す断面図である。

【図１６】図１５に示したセラミック積層体１１０を得
るための方法を説明するための断面図である。

【図１７】図１６に示したセラミック積層体１１０に含
まれるセラミック誘電体シートａ〜ｆの各々の上面図で
ある。

【図１８】この発明のさらに他の実施例によって得られ
たコンデンサネットワーク１１６を示す斜視図である。

【図１９】図１８に示したセラミック積層体１１７を得
るために用意されるセラミック誘電体シート１２２〜１
２５を示す上面図である。

【図２０】この発明のさらに他の実施例によって得られ
た高圧コンデンサ１３０を示すもので、（ａ）は断面図
であり、（ｂ）は平面図である。

【図２１】図２０に示したセラミック積層体１３０を得
るための方法に含まれる典型的なステップを示す断面図
である。

【図２２】この発明のさらに他の実施例によって得られ
た半導体パッケージ１３７を示すもので、（ａ）は断面
図であり、（ｂ）は平面図である。

【図２３】図２２に示したセラミック積層体１３８を得
るための方法を説明するための断面図である。

【符号の説明】

１ 可変コンデンサ ２ ステータ ３ ロータ ４ カバー ５，６ ステータ電極 ７，８ 端子 ９，１０，４０，４８，４９，５０，５１ 凹部 １３ 導電膜 １４ａ〜１４ｅ シート １５，１６ 焼失用膜 １７ 積層体 １８ 焼結体 １９，２０ 空洞 ２１，２２ 薄層 ２３ ロータ電極 ２５ ドライバ溝 ２６ 開口 ２７ 調整用穴 ２８ ばね作用部 ３１，３２ 係合片 １０１ 積層セラミックコンデンサ １０４，１１０，１１７，１３１，１３８ セラミック
積層体 １０７，１１２，１２０，１２１，１３２，１３３，１
３９ 凹部 １０８，１１４，１１５，１２６，１２７，１３６，１
４３ 焼失用膜 １０９ 貫通コンデンサ １１１ 貫通孔 １１６ コンデンサネットワーク １３０ 高圧コンデンサ １３７ 半導体パッケージ

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 凹部が形成されたセラミック積層体を用
   いた電子部品の製造方法において、 焼成により焼失し得る材料からなる複数の焼失用膜が前
   記凹部の位置に対応する位置に層状に形成された、セラ
   ミック積層体を用意し、 前記セラミック積層体を焼成し、前記焼失用膜を焼失さ
   せ、その結果、複数の空洞が層状に形成されるととも
   に、複数の空洞を介して複数の薄層が形成された、焼結
   体を得、 前記焼結体の前記薄層を粉砕し、その結果、前記凹部を
   形成する、各工程を備えることを特徴とする、電子部品
   の製造方法。