JP2005223036A - 電子部品及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 小型化を促進できる電子部品を提供する。
【解決手段】 電子素子１１の基板１１ｃの裏面１１ｂが筐体１３の側壁部１３ｂの上面１３ｂ１と同一の仮想平面Ａ上に位置しており封止材１６がその上を覆っている。従って封止材１６と電子素子１１の裏面１１ｂとの間に隙間が生じることかなく、電子部品の薄型化を促進することが容易である。また封止材１６は樹脂によって形成されるので基板１１ｃの裏面１１ｂと側壁部１３ｂの上面１３ｂ１の位置がずれた場合にもこの誤差を容易に吸収できる。
【選択図】図１

Description

本発明は筐体内に電子素子を封入する電子部品及びその製造方法に係り、特に筐体の小型化を図ることのできる電子部品及びその製造方法に関する。

図１７および図１８は弾性表面波素子をセラミック製の筐体に設けられた凹部内に封入する構成しめす断面図である。図１７の構成は特許文献１に記載されており、図１８の構成は特許文献２に記載されている。

図１７に示される電気部品の筐体３には凹部が形成され、この凹部によって電子素子１が収納される収納部５が形成されている。前記収納部５内に電子素子１が収納され、この収納部５内において電子素子１が前記筐体３に実装されている。電子素子１には端子（図示せず）が形成されており、この端子が前記収納部５内に形成された接続ランド２に電気的に接続されている。

電子素子１は例えば弾性表面波素子を用いて形成されたバンドパスフィルタである。弾性表面波素子は、圧電基板の表面上に、導電性で比重の小さい材料からなる一対のくし歯状電極（ＩＤＴ（インタディジタルトランスデューサ）電極）のくし歯の部分を、互い違いに並べて配置する構成を有している。このような単純な構造を有する弾性表面波素子は移動体通信端末に実装されるフィルタ、共振器またはデュプレクサを小型化するために非常に適した素子である。

収納部５の上側は開放面となっており、この開放面を塞ぐように金属製の蓋体４が形成されている。収納部５が蓋体４によって密封されることによって、収納部５内に収納された電子素子１が収納部５内に密封された状態で封止される。

図１８に示された電子部品は電子素子１と蓋体４の間に導電性樹脂６が設けられており、電子素子１から発生するジュール熱を外部に放熱しやすくなっている。
特開２００１−７７６５９号公報（第４頁、図１） 特開２００３−８７０９３号公報（第３頁、図１）

図１７に示される電子部品は電子素子１を収納部５内に密封するために、筐体３の上面３ａを電子素子１の裏面１ａより上方に位置させる必要があり、蓋体４と電子素子１の裏面１ａとの間に隙間ｓ１が生じる。このため、電子部品の薄型化が困難になっていた。また、図１８に示される電子部品でも蓋体４と電子素子１の間に隙間ｓ２が生じることは同じである。

本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、蓋体と電子素子の間に隙間を低減することまたは無くすことにより、電子部品の薄型化を促進することのできる電子部品及びその製造方法を提供することを目的とする。

本発明の電子部品は、表面に電子素子が実装又は形成された基板と、基板を収納する収納部を有する筐体を有し、
基板は表面が収納部の底面と対向するように収納部内に収納されて基板の裏面が上側に位置しており、
基板の裏面上から筐体の収納部周囲の側壁部の上にかけて樹脂性の封止材が設けられ、この封止材の上に金属材料膜が積層されていることを特徴とするものである。

本発明では基板の裏面上から筐体の収納部周囲の側壁部の上にかけて樹脂性の封止材が設けられ、この封止材の上に金属材料膜が積層されることにより、筐体の側面部の上面と電子素子の裏面の高さ位置の差を低減することでき、電子部品の薄型化を促進することができる。

特に基板の裏面が筐体の側壁部の上面と同一の仮想平面上に位置しているか、基板の裏面が筐体の側壁部の上面よりも上側に位置していると蓋体と電子素子の間に隙間を無くすことができ、電子部品の薄型化をさらに促進することができる。

前記封止材は基板の裏面の全ての領域上で均一の厚さであってもよいが、基板の裏面上の封止材の表面が凹凸面になっていると表面積が増えて電子素子から発生するジュール熱の放熱効率が高くなる。

また、前記封止材は前記基板裏面の周縁部から筐体の側壁部上にかけて形成されており、基板裏面の内側部上では封止材に貫通孔が形成されて基板上に金属材料膜が直接積層されている領域が存在していると電子素子から発生するジュール熱の放熱効率がさらに高くなるので好ましい。特に前記金属材料膜の表面は基板裏面上で凹凸面となっているとさらに好ましい。

また本発明の前記金属材料膜は筐体の側壁部の外側または内部と筐体の底部の外側または内部に設けられた導通部を介して筐体の下面に設けられた接続部に電気的に接続されているとシールド効果が高くなるので好ましい。

さらに、導通部は筐体の側壁部の外側に設けられた溝部内に形成され、この溝部の下端部は筐体の側壁部内部に位置していて筐体の底面に露出していないことが好ましい。溝部の下端部が筐体の底面に露出していないと電子部品を配線基板上に半田付けするときに溝部内に半田が吸い上げられることを防止できる。

本発明の電子部品の製造方法は以下の工程を有することを特徴とするものである。
（ａ）筐体に凹部を形成して収納部を形成する工程、
（ｂ）表面に電子素子が実装又は形成された基板を表面が収納部の底面と対向するように収納部内に収納して基板の裏面を上側に位置させる工程、
（ｃ）基板の裏面上から筐体の収納部周囲の側壁部の上にかけて樹脂性の封止材を設ける工程、
（ｄ）封止材の上に金属材料膜を積層する工程。

本発明では、前記（ｂ）工程において、基板の裏面が筐体の側壁部の上面と同一の仮想平面上に位置するように基板を配置するか、または、基板の裏面が筐体の側壁部の上面よりも上側に位置するように基板を配置することが好ましい。

本発明では（ｃ）工程において、封止材を基板の裏面の全ての領域上に均一の厚さで形成することが好ましいが、より好ましくは基板の裏面上の封止材の表面を凹凸面にすることである。

さらに本発明では前記（ｃ）工程において、基板裏面の内側部上で封止材に貫通孔を形成し、（ｄ）工程において、貫通孔内に露出する基板上に金属材料膜直接積層することが好ましい。

また（ｄ）工程において、金属材料膜を表面が基板裏面上で凹凸面となるように形成することが好ましい。

前記金属材料膜を筐体の側壁部の外側または内部と筐体の底部の外側または内部に設けられた導通部を介して筐体の底面に設けられた接続部に電気的に接続してシールド効果を高くする方法として、
（ａ）工程の前に
（ｅ）筐体の底面に、電気素子と電気的に接続されるための接続部及び金属材料膜と電気的に接続されるための接続部を形成する工程を有し、
さらに、（ａ）工程または（ｂ）工程の前に
（ｆ）筐体の底面の接続部に電気的に接続される導通部を筐体の側壁部の外側または内部に形成する工程を有し、
（ｃ）工程において導通部を封止材によって覆った後、導通部の上の封止材を除去して導通部の上面を露出させ、（ｄ）工程において金属材料膜と導通部を接続するという方法がある。

本発明では基板の裏面上から筐体の収納部周囲の側壁部の上にかけて樹脂性の封止材が設けられ、この封止材の上に金属材料膜が積層されることにより、筐体の側面部の上面と電子素子の裏面の高さ位置の差を低減することでき、電子部品の薄型化を促進することができる。

特に基板の裏面が筐体の側壁部の上面と同一の仮想平面上に位置しているか、基板の裏面が筐体の側壁部の上面よりも上側に位置していると蓋体と電子素子の間に隙間を無くすことができ、電子部品の薄型化をさらに促進することができる。

また、前記封止材は前記基板裏面の周縁部から筐体の側壁部上にかけて形成されており、基板裏面の内側部上では封止材に貫通孔が形成されて基板上に金属材料膜が直接積層されている領域が存在していると電子素子から発生するジュール熱の放熱効率がさらに高くなる。

また本発明の前記金属材料膜は筐体の側壁部の外側または内部と筐体の底部の外側または内部に設けられた導通部を介して筐体の底面に設けられた接続部に電気的に接続されているとシールド効果が高くなる。

図１は本発明の第１の実施の形態を示す電子部品の断面図である。図１に示される電子部品は弾性表面波素子をセラミック製の筐体に設けられた凹部内に封入したものである。

図１に示される電子部品Ｅ１のセラミック製の積層基板からなる筐体１３には底部１３ａ上に側壁部１３ｂが設けられることにより凹部が形成されている。この凹部によって電子素子１１が収納される収納部１５が形成されている。電子素子１１の基板１１ｃは表面１１ｄが収納部１５の底面１５ａと対向するように収納部１５内に収納されて基板１１ｃの裏面１１ｂが上になっている。

電子素子１１には端子１１ａ、１１ａが形成されており、この端子１１ａ，１１ａが前記収納部１５内に形成された接続ランド１２，１２に電気的に接続されている。
ランド１２，１２は筐体１３の底部１３ａを貫通する導通部２０，２０を介して底部１３ａの下面に設けられた接続部２１，２１に電気的に接続されている。

電子素子１１は例えば弾性表面波素子を用いて形成されたバンドパスフィルタである。弾性表面波素子は、圧電基板の表面上に、導電性で比重の小さい材料からなる一対のくし歯状電極（ＩＤＴ（インタディジタルトランスデューサ）電極）のくし歯の部分を、互い違いに並べて配置する構成を有している。このような単純な構造を有する弾性表面波素子は移動体通信端末に実装されるフィルタ、共振器またはデュプレクサを小型化するために非常に適した素子である。

収納部１５の上側は開放面となっており、この開放面を塞ぐように電子素子１１の基板１１ｃの裏面１１ｂ上から筐体１３の収納部１５周囲の側壁部１３ｂの上にかけて樹脂性の封止材１６が設けられている。さらに、この封止材１６の上に金属材料膜１７が積層されている。封止材１６は例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂によって形成される。特に水分透過性が低いエポキシ樹脂を用いることが好ましい。収納部１５が封止材１６によって密封されることによって、収納部１５内に収納された電子素子１１が収納部１５内に密封された状態で封止される。

図１に示される電子部品では電子素子１１の基板１１ｃの裏面１１ｂが筐体１３の側壁部１３ｂの上面１３ｂ１と同一の仮想平面Ａ上に位置している。従って封止材１６と電子素子１１の裏面１１ｂとの間に隙間が生じることかなく、電子部品の薄型化を促進することが容易である。また封止材１６は樹脂によって形成されるので基板１１ｃの裏面１１ｂと側壁部１３ｂの上面１３ｂ１の位置がずれた場合にもこの誤差を容易に吸収できる。

なお収納部１５が封止材１６によって密封される範囲で、電子素子１１の基板１１ｃの裏面１１ｂが筐体１３の側壁部１３ｂの上面１３ｂ１よりも上側に位置していてもよい。

図１では封止材１６は基板１１ｃの裏面１１ｂの全ての領域上で均一の厚さである。基板１１ｃの裏面１１ｂと側壁部１３ｂの間で封止材１６がわずかに下方にだれることもある。

図１に示されるように、電子部品Ｅ１の筐体１３の側壁部１３ｂの外側および内部には導電性材料からなる導通部２２及び導通部２３が設けられている。さらに筐体１３の底部１３ａの内部を貫通する導通部２４と筐体１３の底面に接続部２５が設けられている。導通部２２、２３、２４と接続部２５は電気的に接続されており、接続部２５はアースに接続される。導通部２２と金属材料膜１７が接続されることにより、金属材料膜１７がアースに接続され金属材料膜１７のシールド効果を向上させることができる。

なお金属材料膜１７に接続されている導通部２２は筐体１３の側壁部１３bの外側に設けられた溝部３０内に形成されている。、この溝部３０の下端部３０ａは筐体１３の側壁部１３ｂ内部に位置していて筐体１３の底面１３ａ１に露出していない。これにより電子部品Ｅ１を配線基板上に半田付けするときに溝部３０内に半田が吸い上げられることを防止できる。

図１の電子部品の金属材料膜１７を外した状態を上からみた平面図を図２に示す。なお図１は図２の１−１線に沿って電子部品Ｅ１を切断し矢印方向からみた断面図である。
図３は本発明の第２の実施の形態を示す電子部品Ｅ２の断面図である。図３に示される電子部品Ｅ２は筐体１３の側壁部１３ｂの内部に導電性材料からなる導通部４０及び導通部４１が設けられている点でのみ図１に示された電子部品Ｅ１と異なっている。導通部４０、４１、２４と接続部２５は電気的に接続されており、接続部２５はアースに接続される。導通部４０と金属材料膜１７が接続されることにより、金属材料膜１７がアースに接続され金属材料膜１７のシールド効果を向上させることができる。

図４及び図５はそれぞれ本発明の第３および第４の実施の形態を示す電子部品の断面図である。

図４に示される電子部品Ｅ３では封止材５１が電子素子１１の基板１１ｃの裏面１１ｂの周縁部１１ｂ１から筐体１３の側壁部１３ｂ上にかけて形成されており、基板１１ｃの裏面１１ｂの内側部１１ｂ２上では封止材５１に貫通孔５１ａが形成されて基板１１ｃ上に金属材料膜５０が直接積層されている領域が存在している。基板１１ｃ上に金属材料膜５０が直接積層されていると電子素子１１から発生するジュール熱の放熱効率が高くなる。金属材料膜５０の表面は基板１１ｃの裏面１１ｂ上で凹部５０ａと凸部５０ｂからなる凹凸面となっており表面積が増加してジュール熱の放熱効率がさらに高くなっている。

図５に示される電子部品Ｅ４は図４に示される電子部品Ｅ３に類似しており、基板１１ｃの裏面１１ｂの内側部１１ｂ２上では封止材５２に複数個の貫通孔が形成されてこれらの貫通孔内で基板１１ｃ上に金属材料膜５３が直接積層されている点で異なっている。金属材料膜５３の表面は基板１１ｃの裏面１１ｂ上で凹部５３ｂと凸部５３ａからなる凹凸面となっている。

図５に示される電子部品Ｅ４は図４に示される電子部品Ｅ３と同等の効果を奏することができる。

図４および図５に示された電子部品Ｅ４、Ｅ５は図１８にしめされた従来の電子部品のように電子素子１と蓋体４の間に高価な導電性樹脂６を設ける必要がなく、電子素子１１から発生するジュール熱を外部に効率よく放熱する構成を低コストで実現できる。

図６に示される電子部品Ｅ５は図４に示される電子部品Ｅ３と類似しており、封止材６０に貫通孔が形成されずに電子部品１１の基板１１ｃの裏面１１ｂ上の封止材６０の表面が凹部６０ｂと凸部６０ａを有する凹凸面になっている点でことなっている。封止材６０の上に積層される金属材料膜６１の表面も凹凸面となっている。

図７に示される電子部品Ｅ６は図５に示される電子部品Ｅ４と類似しており、封止材７０に貫通孔が形成されずに電子部品１１の基板１１ｃの裏面１１ｂ上の封止材７０の表面が凹部７０ｂと凸部７０ａを有する凹凸面になっている点でことなっている。封止材７０の上に積層される金属材料膜７１の表面も凹凸面となっている。

図６および図７に示される電子部品も電子素子１１から発生するジュール熱を外部に効率よく放熱する構成を低コストで実現できる。

図１に示された電子部品の製造方法を説明する。
図８ないし図１２は図１に示された電子部品の製造工程を示す断面図である。まず、筐体１３の底部１３ａの内部を貫通する導通部２４、導通部２0と筐体１３の下面に接続部２１、接続部２５を設け、導通部２４の上にランド１２を形成する。次に筐体１３の底部１３ａの上に基板を積層して側壁部１３ｂを形成する。側壁部１３ｂの内側および内部には導電性材料からなる導通部２２及び導通部２３を形成する。導通部２２は導通部２３の上に孔８０の開いた基板を積層し、この孔８０の内周面上にメッキ等で形成される。

筐体１３の底部１３ａ上に側壁部１３ｂが設けられることにより凹部が形成される。この凹部によって電子素子１１が収納される収納部１５が形成されている。

次に電子素子１１の基板１１ｃの表面１１ｄが収納部１５の底面５ａと対向するように電子素子１１を収納部１５内に収納する。従って基板１１ｃの裏面１１ｂが上になる。電子素子１１には端子１１ａ、１１ａが形成されており、この端子１１ａ，１１ａが前記収納部１５内に形成された接続ランド１２，１２に電気的に接続される。

ランド１２，１２は筐体１３の底部１３ａを貫通する導通部２０，２０を介して底部１３ａの下面に設けられた接続部２１，２１に電気的に接続されている。

電子素子１１は例えば弾性表面波素子を用いて形成されたバンドパスフィルタである。なお電子素子１１の基板１１ｃの裏面１１ｂが筐体１３の側壁部１３ｂの上面１３ｂ１と同一の仮想平面Ａ上に位置するようにしている。ただし、基板１１ｃの裏面１１ｂが筐体１３の側壁部１３ｂの上面１３ｂ１よりも上側に位置するように基板１１ｃを配置してもよい。

図８に示された工程にある電子部品を上からみた平面図を図９にしめす。
なお、図８ないし図１２は２個の電子部品を同時に形成する図になっているが同時に形成する電子部品の個数は任意に決めることができる。

次に図１０に示すように収納部１５の上側の開放面を塞ぐように電子素子１１の基板１１ｃの裏面１１ｂ上から筐体１３の収納部１５周囲の側壁部１３ｂの上にかけて樹脂性の封止材１６を設けて熱を加えて硬化させる。封止材１６は例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂によって形成される。特に水分透過性が低いエポキシ樹脂を用いることが好ましい。収納部１５が封止材１６によって密封されることによって、収納部１５内に収納された電子素子１１が収納部１５内に密封された状態で封止される。図１０では封止材１６を基板１１ｃの裏面１１ｂの全ての領域上に均一の厚さで形成している。本実施の形態のように複数個の電子部品を同時に形成するときでも一枚の封止材１６で全ての電子部品を封止してよい。

次に図１１に示される工程では、導通部２２の上の封止材をダイシングブレードＤを用いて除去して導通部２２の上面を溝部８１の内部に露出させる。ダイシングは図９の点線にそって格子状になされる。図１１のダイシング工程は筐体１３の側壁部１３ｂの厚さ方向に延びて形成されている導通部２２を露出させればよく高い精度を要求されない。もし、側壁部１３ｂの厚さ方向に延びて形成されている導通部２２が形成されず封止材１６の下面に導通部２３が重ねられていると導通部２３の表面を露出させるために加工精度は高いがコストが増加するレーザ装置が必要になる。

次に図１２に示される工程では、封止材１６及び導通部２２の上に金属材料膜１７をメッキによって形成する。導通部２２、２３、２４と接続部２５は電気的に接続されており、接続部２５はアースに接続される。導通部２２と金属材料膜１７が接続されることにより、金属材料膜１７がアースに接続され金属材料膜１７のシールド効果を向上させることができる。

さらに、２点鎖線Ｂ−Ｂに沿ってダイシングして１つ１つの電子部品に分離する。
図４に示される電子部品を形成するときには、図１０に示される工程の後、図１３に示されるように基板１１ｃの裏面１１ｂの内側部上で封止材５１に貫通孔５１ａを形成し、図１４に示される工程で導通部２２の上面を露出させ図１５に示される工程で金属材料膜５０をメッキ形成する。このとき貫通孔５１ａ内に露出する基板１１ｃ上に金属材料膜５０の凹部５０ａを直接積層する。あるいは、あらかじめ貫通孔５１ａが開けられた封止材５１を貫通孔５１ａが基板１１ｃの裏面１１ｂの内側部上に位置するように配置してもよい。

また、封止材に貫通孔を形成する代わりに封止材の表面を凹凸面にすることによって図６や図７に示される電子部品を形成することができる。

なお、上述した実施の形態では。導通部２２を導通部２３の上に孔８０の開いた基板を積層し、この孔８０の内周面上にメッキ等で形成している。この孔の形は円形に限定されるものではなく。図１６に示されるように長方形状の孔９０の内周面上に導通部２２に相当する導通部９１をメッキ形成してもよい。

本発明の第１の実施の形態を示す電子部品の断面図、 本発明の第１の実施の形態を示す電子部品の平面図、 本発明の第２の実施の形態を示す電子部品の断面図、 本発明の第３の実施の形態を示す電子部品の断面図、 本発明の第４の実施の形態を示す電子部品の断面図、 本発明の第５の実施の形態を示す電子部品の断面図、 本発明の第６の実施の形態を示す電子部品の断面図、 図１に示される電子部品の製造方法の一工程を示す断面図、 図１に示される電子部品の製造方法の一工程を示す断面図、 図１に示される電子部品の製造方法の一工程を示す断面図、 図１に示される電子部品の製造方法の一工程を示す断面図、 図１に示される電子部品の製造方法の一工程を示す断面図、 図４に示される電子部品の製造方法の一工程を示す断面図、 図４に示される電子部品の製造方法の一工程を示す断面図、 図４に示される電子部品の製造方法の一工程を示す断面図、 本発明の第７の実施の形態を示す電子部品の平面図、 従来の電子部品の断面図、 従来の電子部品の断面図、

符号の説明

１１ 電子部品
１１ｃ 基板
１３ 筐体
１３ａ 底部
１３ｂ 側壁部
１５ 収納部
１６ 封止材
１７ 金属材料膜

Claims (17)

1. 電子素子が実装又は形成された基板と、前記基板を収納する収納部を有する筐体を有し、
   前記基板は前記表面が前記収納部の底面と対向するように前記収納部内に収納されて前記基板の裏面が上側に位置しており、
   前記基板の裏面上から前記筐体の前記収納部周囲の側壁部の上にかけて樹脂性の封止材が設けられ、この封止材の上に金属材料膜が積層されていることを特徴とする電子部品。
2. 前記基板の裏面が前記筐体の側壁部の上面と同一の仮想平面上に位置している請求項１記載の電子部品。
3. 前記基板の裏面が前記筐体の側壁部の上面よりも上側に位置している請求項１記載の電子部品。
4. 前記封止材は前記基板の裏面の全ての領域上で均一の厚さである請求項１ないし３のいずれかに記載の電子部品。
5. 前記基板の裏面上の前記封止材は表面が凹凸面になっている請求項１ないし３のいずれかに記載の電子部品。
6. 前記封止材は前記基板裏面の周縁部から前記筐体の側壁部上にかけて形成されており、前記基板裏面の内側部上では前記封止材に貫通孔が形成されて前記基板上に前記金属材料膜が直接積層されている領域が存在している請求項１ないし３のいずれかに記載の電子部品。
7. 前記金属材料膜の表面は前記基板裏面上で凹凸面となっている請求項５または６に記載の電子部品。
8. 前記金属材料膜は前記筐体の側壁部の外側または内部と前記筐体の底部の外側または内部に設けられた導通部を介して前記筐体の下面に設けられた接続部に電気的に接続されている請求項１ないし７のいずれかに記載の電子部品。
9. 前記導通部は前記筐体の側壁部の外側に設けられた溝部内に形成され、この溝部の下端部は前記筐体の側壁部内部に位置していて前記筐体の底面に露出していない請求項１ないし８のいずれかに記載の電子部品。
10. 以下の工程を有することを特徴とする電子部品の製造方法、
    （ａ）筐体に凹部を形成して収納部を形成する工程、
    （ｂ）表面に電子素子が実装または形成された基板を表面が前記収納部の底面と対向するように前記収納部内に収納して前記基板の裏面を上側に位置させる工程、
    （ｃ）前記基板の裏面上から前記筐体の前記収納部周囲の側壁部の上にかけて樹脂性の封止材を設ける工程、
    （ｄ）前記封止材の上に金属材料膜を積層する工程。
11. 前記（ｂ）工程において、前記基板の裏面が前記筐体の側壁部の上面と同一の仮想平面上に位置するように前記基板を配置する請求項１０に記載の電子部品の製造方法。
12. 前記（ｂ）工程において、前記基板の裏面が前記筐体の側壁部の上面よりも上側に位置するように前記基板を配置する請求項１０に記載の電子部品の製造方法。
13. 前記（ｃ）工程において、前記封止材を前記基板の裏面の全ての領域上に均一の厚さで形成する請求項１０ないしｌ２のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
14. 前記（ｃ）工程において、前記基板の裏面上の前記封止材の表面を凹凸面にする請求項１０ないしｌ２のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
15. 前記（ｃ）工程において、前記基板裏面の内側部上で前記封止材に貫通孔を形成し、前記（ｄ）工程において、貫通孔内に露出する前記基板上に前記金属材料膜直接積層する請求項１０ないしｌ２のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
16. 前記（ｄ）工程において、前記金属材料膜を表面が前記基板裏面上で凹凸面となるように形成する請求項１４または１５に記載の電子部品の製造方法。
17. 前記（ａ）工程の前に
    （ｅ）前記筐体の底面に、前記電気素子と電気的に接続されるための接続部及び前記金属材料膜と電気的に接続されるための接続部を形成する工程を有し、
    さらに、前記（ａ）工程または前記（ｂ）工程の前に
    （ｆ）前記筐体の底面の接続部に電気的に接続される導通部を前記筐体の側壁部の外側または内部に形成する工程を有し、
    前記（ｃ）工程において前記導通部を前記封止材によって覆った後、前記導通部の上の前記封止材を除去して前記導通部の上面を露出させ、前記（ｄ）工程において前記金属材料膜と前記導通部を接続する請求項１０ないしｌ６のいずれかに記載の電子部品の製造方法。

Images