JP2808774B2 - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JP2808774B2 JP2808774B2 JP2004175A JP417590A JP2808774B2 JP 2808774 B2 JP2808774 B2 JP 2808774B2 JP 2004175 A JP2004175 A JP 2004175A JP 417590 A JP417590 A JP 417590A JP 2808774 B2 JP2808774 B2 JP 2808774B2
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- magnetic head
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- thin film
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、多数チャンネルを同時に記録・再生する薄
膜磁気ヘッドに関する。
膜磁気ヘッドに関する。
従来の技術 近年、記録容量の増大に伴ない、データを貯蔵する磁
気記録装置も高容量、高密度化が進行している。磁気テ
ープ装置においては、記憶容量の増加に比例してアクセ
スタイムが遅くなるという欠点がある。これを抑えるた
めには、テープスピードの高速化および多数チャンネル
を同時に記録・再生することが必要となってくる。
気記録装置も高容量、高密度化が進行している。磁気テ
ープ装置においては、記憶容量の増加に比例してアクセ
スタイムが遅くなるという欠点がある。これを抑えるた
めには、テープスピードの高速化および多数チャンネル
を同時に記録・再生することが必要となってくる。
多数チャンネルを同時に記録・再生できる装置とし
て、現在実用換されている装置は、IBM社で開発された
＃3480磁気テープ装置である。これは18チャンネルを有
する薄膜磁気ヘッドにより、2m/secのスピードで記録・
再生できるものである。
て、現在実用換されている装置は、IBM社で開発された
＃3480磁気テープ装置である。これは18チャンネルを有
する薄膜磁気ヘッドにより、2m/secのスピードで記録・
再生できるものである。
現在、さらに高容量化を目指して1/2″幅に36チャン
ネルを有する薄膜磁気ヘッドが研究，開発されつつあ
る。
ネルを有する薄膜磁気ヘッドが研究，開発されつつあ
る。
発明が解決しようとする課題 1/2″幅で36チャンネルを有する薄膜磁気ヘッドにお
いて、最も大きい課題は、薄膜形成プロセスにおいて、
1/2″幅に36チャンネルを形成することではなく、薄膜
素子と接続するケーブルをいかに作成するかということ
である。第４図は従来の単一の磁性基板11にMR素子（磁
気抵抗効果素子12）が形成され、チャンネル１（CH1）
から順番に列んでいる様子を示し、例えば第５図に示す
ように、磁性基板11とフェライトカバー13に対して、FP
C（フレキシブルプリント基板）14を用い、FPCのリード
の一部をそのリードを被覆したポリイミドより露出さ
せ、薄膜素子と直接、金−金圧接接合、金−錫結合、半
田による接合等の手段により接続することが従来より行
われてきた。従来の18チャンネルの磁気ヘッドにおいて
は、リード線ピッチがおよそ315μｍ、リード線幅が100
μｍであった。この比率を36チャンネルの磁気ヘッドに
適用すると、リード線ピッチを158μｍ、リード線幅を5
0μｍとしなければならず、FPC作製の限界にあり、コス
トも非常に高くなるという欠点があった。
いて、最も大きい課題は、薄膜形成プロセスにおいて、
1/2″幅に36チャンネルを形成することではなく、薄膜
素子と接続するケーブルをいかに作成するかということ
である。第４図は従来の単一の磁性基板11にMR素子（磁
気抵抗効果素子12）が形成され、チャンネル１（CH1）
から順番に列んでいる様子を示し、例えば第５図に示す
ように、磁性基板11とフェライトカバー13に対して、FP
C（フレキシブルプリント基板）14を用い、FPCのリード
の一部をそのリードを被覆したポリイミドより露出さ
せ、薄膜素子と直接、金−金圧接接合、金−錫結合、半
田による接合等の手段により接続することが従来より行
われてきた。従来の18チャンネルの磁気ヘッドにおいて
は、リード線ピッチがおよそ315μｍ、リード線幅が100
μｍであった。この比率を36チャンネルの磁気ヘッドに
適用すると、リード線ピッチを158μｍ、リード線幅を5
0μｍとしなければならず、FPC作製の限界にあり、コス
トも非常に高くなるという欠点があった。
本発明はこのような課題を解決し、安価で、高密度の
チャンネル数を持つ磁気ヘッドを提供することを目的と
する。
チャンネル数を持つ磁気ヘッドを提供することを目的と
する。
課題を解決するための手段 本発明は、上記課題を解決するために、最終的に得ら
れる薄膜素子間ピッチの２倍の距離を隔てて複数個の薄
膜素子が形成された一対の磁性基板の前記薄膜素子が形
成された面どうしが貼り合わされて構成される磁気テー
プ記録再生用の薄膜磁気ヘッドであって、 磁気テープと対向する面内において前記薄膜素子が同
一直線上に配設され、かつ前記面内で前記直線と直交す
る方向における前記各薄膜素子の膜の材料および積層順
序が同一であることを特徴とする構成とする。
れる薄膜素子間ピッチの２倍の距離を隔てて複数個の薄
膜素子が形成された一対の磁性基板の前記薄膜素子が形
成された面どうしが貼り合わされて構成される磁気テー
プ記録再生用の薄膜磁気ヘッドであって、 磁気テープと対向する面内において前記薄膜素子が同
一直線上に配設され、かつ前記面内で前記直線と直交す
る方向における前記各薄膜素子の膜の材料および積層順
序が同一であることを特徴とする構成とする。
また、前記薄膜磁気ヘッドにおいて、薄膜素子が磁気
抵抗効果素子を備える構成とする。
抵抗効果素子を備える構成とする。
更には、前記薄膜磁気ヘッドにおいて、磁性基板が、
主に薄膜素子が形成される面と主にリードが形成される
面とを備え、これらの面が線分によって交わり、その交
差角が前記基板の内部側で鈍角を成すことを特徴とする
構成とする。
主に薄膜素子が形成される面と主にリードが形成される
面とを備え、これらの面が線分によって交わり、その交
差角が前記基板の内部側で鈍角を成すことを特徴とする
構成とする。
作用 本発明は、上記した構成により次の作用を有す。
最終的に得られる薄膜素子間ピッチの２倍の距離を経
てて複数個の薄膜素子を予め各磁性基板上に形成し、こ
れらの薄膜素子が形成された面どうしが貼り合わされた
構成とすることにより、高密度で高位置精度の薄膜素子
の形成が容易となる。
てて複数個の薄膜素子を予め各磁性基板上に形成し、こ
れらの薄膜素子が形成された面どうしが貼り合わされた
構成とすることにより、高密度で高位置精度の薄膜素子
の形成が容易となる。
各磁性基板が貼り合わされた後に磁気テープと対向す
る面内において薄膜素子を一直線上に配列する構成とす
ることにより、この直線と直交する方向に相対的に移動
する磁気テープを記録再生するときに、各チャンネル間
における信号の記録再生の時間差を小さくできる。ま
た、磁気テープの相対的移動方向における各チャンネル
の膜構成の順序が同じくなって各チャンネル毎の記録再
生特性を同等とすることができる。
る面内において薄膜素子を一直線上に配列する構成とす
ることにより、この直線と直交する方向に相対的に移動
する磁気テープを記録再生するときに、各チャンネル間
における信号の記録再生の時間差を小さくできる。ま
た、磁気テープの相対的移動方向における各チャンネル
の膜構成の順序が同じくなって各チャンネル毎の記録再
生特性を同等とすることができる。
更に、磁性基板が主に薄膜素子が形成される面と主に
リードが形成される面とを備えてこれらの面が線分によ
って交わり、その交差角が前記基板の内部側で鈍角を成
すこととすることにより、リード部に半田付け等により
接合された２つのFPCが互いに干渉することなく存在で
きる空隙を生じることができてチャンネル間ピッチの大
きな２つの分離されたFPCを使用できる。
リードが形成される面とを備えてこれらの面が線分によ
って交わり、その交差角が前記基板の内部側で鈍角を成
すこととすることにより、リード部に半田付け等により
接合された２つのFPCが互いに干渉することなく存在で
きる空隙を生じることができてチャンネル間ピッチの大
きな２つの分離されたFPCを使用できる。
実施例 以下本発明を、図面の実施例を参照して詳細に説明す
る。
る。
第１図に、本発明に係わる薄膜磁気ヘッドの再生側ヘ
ッドの実施例を示す。Ni−Znフェライトのような高い比
抵抗を持つ第１の磁性基板１の薄膜を形成する面のMR素
子形成部とリード接続部が150゜〜170゜の角度θになる
ように研削、ラップ加工する。つぎに第２図の下半分に
召すようにこの第１の磁性基板１上に、第１ギャップ層
（２−ａ）として、Al2O3またはSiO2等の絶縁物をスパ
ッタリング等で1000〜2000Å厚に形成し、バイアス用導
体３として、Tiを真空蒸着法等で1500Å程度形成する。
さらにMR素子４を500Å程度形成し、所定のパターンに
なるようにケミカルエッチングまたはイオンエッチング
等によりエッチングを行う。つぎに第１図に示すような
リード部５に金を蒸着等により形成し、パターンを出し
た後、MR素子４上に、第２のギャップ（２−ｂ）とし
て、Al2O3またはSiO2をスパッタリング等で5000〜8000
Å厚に形成する。この時、形成されるMR素子４のパター
ンは、所定のパターン数の半数とし、１チャンネルおき
に配置する。素子のない部分は、ケミカルエッチングま
たはイオンエッチングにより、Al2O3またはSiO2等の絶
縁層を除去する。
ッドの実施例を示す。Ni−Znフェライトのような高い比
抵抗を持つ第１の磁性基板１の薄膜を形成する面のMR素
子形成部とリード接続部が150゜〜170゜の角度θになる
ように研削、ラップ加工する。つぎに第２図の下半分に
召すようにこの第１の磁性基板１上に、第１ギャップ層
（２−ａ）として、Al2O3またはSiO2等の絶縁物をスパ
ッタリング等で1000〜2000Å厚に形成し、バイアス用導
体３として、Tiを真空蒸着法等で1500Å程度形成する。
さらにMR素子４を500Å程度形成し、所定のパターンに
なるようにケミカルエッチングまたはイオンエッチング
等によりエッチングを行う。つぎに第１図に示すような
リード部５に金を蒸着等により形成し、パターンを出し
た後、MR素子４上に、第２のギャップ（２−ｂ）とし
て、Al2O3またはSiO2をスパッタリング等で5000〜8000
Å厚に形成する。この時、形成されるMR素子４のパター
ンは、所定のパターン数の半数とし、１チャンネルおき
に配置する。素子のない部分は、ケミカルエッチングま
たはイオンエッチングにより、Al2O3またはSiO2等の絶
縁層を除去する。
一方、第１の磁性基板１と同様にMR素子４形成部とリ
ード５形成部の面が150゜〜170゜の角度θになるように
研磨された第２の磁性基板６上に第２図の上半分に示す
ように第２ギャップ層（２−ｂ）として、Al2O3またはS
iO2等の絶縁物をスパッタリング等により5000〜8000Å
の厚さに形成する。次にMR素子４を500Å程度の厚さに
形成した後、バイアス用導体３として、Tiを真空蒸着法
等により1000〜2000Åの厚さに形成し、所定のパターン
となるようにケミカルエッチングまたはイオンエッチン
グ等によりエッチングを行う。さらにリード５部に金を
蒸着法により形成し、Ti上に第１のギャップ（２−ａ）
として、Al2O3またはSiO2をスパッタリング等で1000〜2
000Å厚に形成する。この時、形成されるMR素子４のパ
ターンは、第１の磁性基板１と同じく所定のパターン数
の半数ではあるが、チャンネルが異なるように配置す
る。すなわち第１の磁性基板１が1,3,5,7等と奇数チャ
ンネル（CH）に形成されておれば、第２の磁性基板６は
2,4,6等と偶数チャンネル（CH）として形成する。
ード５形成部の面が150゜〜170゜の角度θになるように
研磨された第２の磁性基板６上に第２図の上半分に示す
ように第２ギャップ層（２−ｂ）として、Al2O3またはS
iO2等の絶縁物をスパッタリング等により5000〜8000Å
の厚さに形成する。次にMR素子４を500Å程度の厚さに
形成した後、バイアス用導体３として、Tiを真空蒸着法
等により1000〜2000Åの厚さに形成し、所定のパターン
となるようにケミカルエッチングまたはイオンエッチン
グ等によりエッチングを行う。さらにリード５部に金を
蒸着法により形成し、Ti上に第１のギャップ（２−ａ）
として、Al2O3またはSiO2をスパッタリング等で1000〜2
000Å厚に形成する。この時、形成されるMR素子４のパ
ターンは、第１の磁性基板１と同じく所定のパターン数
の半数ではあるが、チャンネルが異なるように配置す
る。すなわち第１の磁性基板１が1,3,5,7等と奇数チャ
ンネル（CH）に形成されておれば、第２の磁性基板６は
2,4,6等と偶数チャンネル（CH）として形成する。
このようにして作られた２個の磁性基板1,6は第２図
に示すように第１の磁性基板１上の薄膜素子と第２の磁
性基板６上の薄膜素子が薄膜素子側を向かい合せて貼り
合せた時に交互に配置されるようにすなわち重ならない
ように接着剤７で接着し、磁気テープ走行面の円筒加工
を行った後、テープ走行面端部逃げ溝加工やテープ浮上
制御用の溝を入れた後、第３図のようにFPC8とリード部
を金−金結合を半田付等により接合し、再生用ヘッドと
して記録ヘッドと組み合せる。
に示すように第１の磁性基板１上の薄膜素子と第２の磁
性基板６上の薄膜素子が薄膜素子側を向かい合せて貼り
合せた時に交互に配置されるようにすなわち重ならない
ように接着剤７で接着し、磁気テープ走行面の円筒加工
を行った後、テープ走行面端部逃げ溝加工やテープ浮上
制御用の溝を入れた後、第３図のようにFPC8とリード部
を金−金結合を半田付等により接合し、再生用ヘッドと
して記録ヘッドと組み合せる。
一方、記録ヘッドも前述の再生ヘッドと同様、２個の
磁性基板上に分割して薄膜素子を形成する。
磁性基板上に分割して薄膜素子を形成する。
発明の効果 以上にように、本発明によれば、予め、広いピッチで
作製した薄膜素子を貼り合わせることにより、容易に高
精度の狭いピッチの複数チャンネルを有する薄膜磁気ヘ
ッドを提供できる。
作製した薄膜素子を貼り合わせることにより、容易に高
精度の狭いピッチの複数チャンネルを有する薄膜磁気ヘ
ッドを提供できる。
また、薄膜素子を一直線上に配列する構成とすること
により、各チャンネルにおける記録再生特性を一致させ
ることができる。
により、各チャンネルにおける記録再生特性を一致させ
ることができる。
また、磁気テープの相対的移動方向における各チャン
ネルの膜材料と積層の順序を同じとすることにより、信
号処理が容易になってエラーも減少させることができ
る。
ネルの膜材料と積層の順序を同じとすることにより、信
号処理が容易になってエラーも減少させることができ
る。
更に、磁性基板が主に薄膜素子が形成される面と主に
リードが形成される面とを備えてこれらの面が線分によ
って交わり、その交差角が前記基板の内部側で鈍角を成
すことにより広ピッチのFPCを用いて容易に高密度のチ
ャンネル数を持つ磁気ヘッドを提供できる。
リードが形成される面とを備えてこれらの面が線分によ
って交わり、その交差角が前記基板の内部側で鈍角を成
すことにより広ピッチのFPCを用いて容易に高密度のチ
ャンネル数を持つ磁気ヘッドを提供できる。
第１図は本発明の実施例における薄膜素子を配置した一
方の磁性基板の斜視図、第２図はテープ走行面より見た
２個の磁性基板の貼り合せ面の断面図、第３図は２個の
磁性基板の貼り合せ後の薄膜磁気ヘッド完成品の要部斜
視図、第４図は薄膜素子を配置した従来の磁性基板の斜
視図、第５図は従来の薄膜磁気ヘッドの要部斜視図であ
る。 1,6……磁性基板、４……磁気抵抗効果素子（薄膜素
子）、７……接着剤。
方の磁性基板の斜視図、第２図はテープ走行面より見た
２個の磁性基板の貼り合せ面の断面図、第３図は２個の
磁性基板の貼り合せ後の薄膜磁気ヘッド完成品の要部斜
視図、第４図は薄膜素子を配置した従来の磁性基板の斜
視図、第５図は従来の薄膜磁気ヘッドの要部斜視図であ
る。 1,6……磁性基板、４……磁気抵抗効果素子（薄膜素
子）、７……接着剤。
Claims (3)
- 【請求項１】最終的に得られる薄膜素子間ピッチの２倍
の距離を隔てて複数個の薄膜素子が形成された一対の磁
性基板の前記薄膜素子が形成された面どうしが貼り合わ
されて構成される磁気テープ記録再生用の薄膜磁気ヘッ
ドであって、 磁気テープと対向する面内において前記薄膜素子が同一
直線上に配設され、かつ前記面内で前記直線と直行する
方向における前記各薄膜素子の膜の材料および積層順序
が同一であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】薄膜素子が磁気抵抗効果素子を備えること
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の薄膜磁気ヘ
ッド。 - 【請求項３】磁性基板が、主に薄膜素子が形成される面
と主にリードが形成される面とを備え、これらの面が線
分によって交わり、その交差角が前記基板の内部側で鈍
角を成すことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
の薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004175A JP2808774B2 (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004175A JP2808774B2 (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03209612A JPH03209612A (ja) | 1991-09-12 |
| JP2808774B2 true JP2808774B2 (ja) | 1998-10-08 |
Family
ID=11577383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004175A Expired - Fee Related JP2808774B2 (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2808774B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6570738B1 (en) * | 2000-08-03 | 2003-05-27 | Storage Technology Corporation | Tape head modules having adjacent substrates each provided with write and/or read elements |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2226079A5 (ja) * | 1973-04-13 | 1974-11-08 | Honeywell Bull Soc Ind | |
| JPS63217516A (ja) * | 1987-03-05 | 1988-09-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
-
1990
- 1990-01-11 JP JP2004175A patent/JP2808774B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03209612A (ja) | 1991-09-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |