JP2002157710A - 磁気ヘッド並びにこれを用いた磁気記録再生方法及び磁気記録再生装置 - Google Patents
磁気ヘッド並びにこれを用いた磁気記録再生方法及び磁気記録再生装置Info
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- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 狭幅トラック（５μｍ以下）であっても、複
数のＭＲヘッドにて再生を可能とし、これにより、この
ような狭幅トラックにおけるノントラッキング再生を可
能にする。 【解決手段】 下部シールド層６（磁気シールド材）、
第１のＭＲ素子７、中間シールド層８（磁気シールド
材）の順に積層して構成した下側ＭＲヘッド２に、さら
に上記積層方向に上記中間シールド層の上に、第２のＭ
Ｒ素子９、上部シールド層１０（磁気シールド材）の順
に積層するとともに、積層された複数のＭＲ素子を積層
方向に対してほぼ直交する方向（幅方向）にずらして形
成する。
数のＭＲヘッドにて再生を可能とし、これにより、この
ような狭幅トラックにおけるノントラッキング再生を可
能にする。 【解決手段】 下部シールド層６（磁気シールド材）、
第１のＭＲ素子７、中間シールド層８（磁気シールド
材）の順に積層して構成した下側ＭＲヘッド２に、さら
に上記積層方向に上記中間シールド層の上に、第２のＭ
Ｒ素子９、上部シールド層１０（磁気シールド材）の順
に積層するとともに、積層された複数のＭＲ素子を積層
方向に対してほぼ直交する方向（幅方向）にずらして形
成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果型薄
膜磁気ヘッド（以下、「ＭＲヘッド」という。）及びこ
れを用いた磁気記録の再生方法に関する。具体的には、
ＭＲヘッドのマルチ化による記録密度の高密度化及びＭ
Ｒヘッドを用いたノントラッキング再生方法の技術に関
する。
膜磁気ヘッド（以下、「ＭＲヘッド」という。）及びこ
れを用いた磁気記録の再生方法に関する。具体的には、
ＭＲヘッドのマルチ化による記録密度の高密度化及びＭ
Ｒヘッドを用いたノントラッキング再生方法の技術に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録薄膜磁気ヘッドにおいて
は、磁気記録媒体の大容量化を図るために、更なる高密
度記録が求められ、狭トラック化に適した磁気ヘッドで
あるＭＲヘッドが採用されるようになってきている。
は、磁気記録媒体の大容量化を図るために、更なる高密
度記録が求められ、狭トラック化に適した磁気ヘッドで
あるＭＲヘッドが採用されるようになってきている。
【０００３】そして、磁気記録の大容量化、高密度化の
実現化のために多チャンネル化が望まれ、ＭＲヘッドの
マルチ化（複数のＭＲヘッドを配置すること）が求めら
れている。
実現化のために多チャンネル化が望まれ、ＭＲヘッドの
マルチ化（複数のＭＲヘッドを配置すること）が求めら
れている。
【０００４】また、磁気テープの再生方法としてのいわ
ゆるノントラッキング方式にあっては、１つのトラック
に対して２つの磁気ヘッドを対応させるものであり、マ
ルチ磁気ヘッドが実用化されている。
ゆるノントラッキング方式にあっては、１つのトラック
に対して２つの磁気ヘッドを対応させるものであり、マ
ルチ磁気ヘッドが実用化されている。
【０００５】たとえば、磁気テープにおけるヘリカルス
キャン方式におけるＭＲヘッドのマルチ化には従来、以
下の２つがあった。
キャン方式におけるＭＲヘッドのマルチ化には従来、以
下の２つがあった。
【０００６】第１のＭＲヘッドのマルチ化は、１つの回
転ドラムに、その周方向に適宜離間した位置に、たとえ
ば、中心角で１８０°離間した位置に２つのＭＲヘッド
をそれぞれ搭載することにより実現することができる。
転ドラムに、その周方向に適宜離間した位置に、たとえ
ば、中心角で１８０°離間した位置に２つのＭＲヘッド
をそれぞれ搭載することにより実現することができる。
【０００７】図７は、このように１つの回転ドラムａに
２つのＭＲヘッドｂ1、ｂ2を周方向に１８０°離間させ
て配置したものである。
２つのＭＲヘッドｂ1、ｂ2を周方向に１８０°離間させ
て配置したものである。
【０００８】このようにＭＲヘッドｂ1、ｂ2を回転ドラ
ムａに配設することにより、第１のＭＲヘッドｂ1が磁
気テープｃに接触して所定のトラックＴｒ1を再生した
後、その半周後、第２のＭＲヘッドｂ2が上記トラック
Ｔｒ1に隣接するトラックＴｒ2を再生することになり、
ＭＲヘッドｂ1、ｂ2のマルチ化が実現されている（図８
参照）。なお、一般には、このように隣接したトラック
Ｔｒに磁気記録する場合には、アジマス角が異なるよう
にすることが行われ、再生ヘッドにあっても異なったア
ジマス角の磁気ヘッドが備えられる。また、図示及び説
明は省略したが、記録ヘッドは同じ回転ドラムに設けら
れており、所定のトラック幅、トラックピッチ及びアジ
マス角でトラックを形成するようになっている。
ムａに配設することにより、第１のＭＲヘッドｂ1が磁
気テープｃに接触して所定のトラックＴｒ1を再生した
後、その半周後、第２のＭＲヘッドｂ2が上記トラック
Ｔｒ1に隣接するトラックＴｒ2を再生することになり、
ＭＲヘッドｂ1、ｂ2のマルチ化が実現されている（図８
参照）。なお、一般には、このように隣接したトラック
Ｔｒに磁気記録する場合には、アジマス角が異なるよう
にすることが行われ、再生ヘッドにあっても異なったア
ジマス角の磁気ヘッドが備えられる。また、図示及び説
明は省略したが、記録ヘッドは同じ回転ドラムに設けら
れており、所定のトラック幅、トラックピッチ及びアジ
マス角でトラックを形成するようになっている。
【０００９】また、このように配置された２つのＭＲヘ
ッドｂ1、ｂ2で、ノンアジマスで記録された１つのトラ
ックＴｒを再生するようにすれば、ノントラッキング再
生方式を実現することができる（図９参照）。
ッドｂ1、ｂ2で、ノンアジマスで記録された１つのトラ
ックＴｒを再生するようにすれば、ノントラッキング再
生方式を実現することができる（図９参照）。
【００１０】第２のＭＲヘッドのマルチ化には、１つの
ヘッド基板（ヘッドチップ）ｄに２つのＭＲヘッドｅ
1、ｅ2をその幅方向（ギャップ方向に対して直交する方
向）に離間して形成したもので、このようなヘッド基板
ｄを回転ドラムａの周面に設けることにより実現するこ
とができる（図１０参照）。
ヘッド基板（ヘッドチップ）ｄに２つのＭＲヘッドｅ
1、ｅ2をその幅方向（ギャップ方向に対して直交する方
向）に離間して形成したもので、このようなヘッド基板
ｄを回転ドラムａの周面に設けることにより実現するこ
とができる（図１０参照）。
【００１１】このようにＭＲヘッドｅ1、ｅ2を隣接して
形成することにより、これらＭＲヘッドｅ1、ｅ2が磁気
テープｃに接触しているとき、これら２つのＭＲヘッド
ｅ1、ｅ2が隣接する２つのトラックＴｒ1、Ｔｒ2を同時
に再生することになる（図１１参照）。
形成することにより、これらＭＲヘッドｅ1、ｅ2が磁気
テープｃに接触しているとき、これら２つのＭＲヘッド
ｅ1、ｅ2が隣接する２つのトラックＴｒ1、Ｔｒ2を同時
に再生することになる（図１１参照）。
【００１２】また、このような１つのヘッド基板ｄに配
置した２つのＭＲヘッドｅ1、ｅ2にあっても、上述の第
１のＭＲヘッドのマルチ化と同様に、ノンアジマスで記
録された１つのトラックＴｒを２つのＭＲヘッドｅ1、
ｅ2で再生するようにすれば、ノントラッキング再生方
式を実現することができる（図１２参照）。
置した２つのＭＲヘッドｅ1、ｅ2にあっても、上述の第
１のＭＲヘッドのマルチ化と同様に、ノンアジマスで記
録された１つのトラックＴｒを２つのＭＲヘッドｅ1、
ｅ2で再生するようにすれば、ノントラッキング再生方
式を実現することができる（図１２参照）。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記２つの
ＭＲヘッドのマルチ化にあっては、従来のトラック幅寸
法、トラックピッチにおいて採用できたが、さらなる記
録密度の高密度化を図るための狭トラック化においては
採用することができないという問題があった。
ＭＲヘッドのマルチ化にあっては、従来のトラック幅寸
法、トラックピッチにおいて採用できたが、さらなる記
録密度の高密度化を図るための狭トラック化においては
採用することができないという問題があった。
【００１４】すなわち、上記第１のＭＲヘッドのマルチ
化にあっては、２つのＭＲヘッドｂ1、ｂ2のアライメン
ト誤差（位置精度誤差）が０．５μｍ〜１μｍ位あり、
従来のトラック幅寸法（１０μｍ〜２０μｍ）のように
広い場合には、上記０．５μｍ〜１μｍという誤差は無
視できるものであったが、近年のトラック幅寸法は５μ
ｍ以下を実現できるようになっており、このような狭幅
トラックにおいては上記アライメント誤差（０．５μｍ
〜１μｍ）は無視できず、これを再生することはできな
い。
化にあっては、２つのＭＲヘッドｂ1、ｂ2のアライメン
ト誤差（位置精度誤差）が０．５μｍ〜１μｍ位あり、
従来のトラック幅寸法（１０μｍ〜２０μｍ）のように
広い場合には、上記０．５μｍ〜１μｍという誤差は無
視できるものであったが、近年のトラック幅寸法は５μ
ｍ以下を実現できるようになっており、このような狭幅
トラックにおいては上記アライメント誤差（０．５μｍ
〜１μｍ）は無視できず、これを再生することはできな
い。
【００１５】また、上記第２のＭＲヘッドのマルチ化に
あっては、ＭＲヘッドｅのＭＲ素子ｆをこれに水平バイ
アスを与えるために２つのハード膜ｇ、ｇで幅方向から
挟む必要があり、これらハード膜ｇが１０μｍ〜２０μ
ｍの長さをしているため、ＭＲ素子ｆとＭＲ素子ｆとの
間の間隔が１０μｍ〜２０μｍになってしまう。そのた
め、トラックピッチが１０μｍ〜２０μｍのトラックＴ
ｒでなければ、このようなＭＲヘッドｅ、ｅで再生する
ことはできない（図１３参照）。
あっては、ＭＲヘッドｅのＭＲ素子ｆをこれに水平バイ
アスを与えるために２つのハード膜ｇ、ｇで幅方向から
挟む必要があり、これらハード膜ｇが１０μｍ〜２０μ
ｍの長さをしているため、ＭＲ素子ｆとＭＲ素子ｆとの
間の間隔が１０μｍ〜２０μｍになってしまう。そのた
め、トラックピッチが１０μｍ〜２０μｍのトラックＴ
ｒでなければ、このようなＭＲヘッドｅ、ｅで再生する
ことはできない（図１３参照）。
【００１６】かかるマルチＭＲヘッドは従来のトラック
幅寸法（１０μｍ〜２０μｍ）の場合には、トラックピ
ッチも１０μｍ〜２０μｍ位になるため、問題なく再生
することができたが、近年の狭幅トラック（５μｍ以
下）にあっては、トラックピッチも５μｍ近傍の値であ
るため、再生することができない。なお、２つのＭＲヘ
ッドで複数置きのトラックを再生することも考えられる
が、複数のトラックを跨いで再生することは、磁気記録
再生システム上、好ましくない。
幅寸法（１０μｍ〜２０μｍ）の場合には、トラックピ
ッチも１０μｍ〜２０μｍ位になるため、問題なく再生
することができたが、近年の狭幅トラック（５μｍ以
下）にあっては、トラックピッチも５μｍ近傍の値であ
るため、再生することができない。なお、２つのＭＲヘ
ッドで複数置きのトラックを再生することも考えられる
が、複数のトラックを跨いで再生することは、磁気記録
再生システム上、好ましくない。
【００１７】そこで、本発明は、狭幅トラック（たとえ
ば、５μｍ以下）であっても、複数のＭＲヘッドにて再
生を可能とし、これにより、このような狭幅トラックに
おけるノントラッキング再生を可能にすることを課題と
する。
ば、５μｍ以下）であっても、複数のＭＲヘッドにて再
生を可能とし、これにより、このような狭幅トラックに
おけるノントラッキング再生を可能にすることを課題と
する。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明磁気ヘッドは、磁気シールド材、ＭＲ素子、
磁気シールド材の順に積層して構成したＭＲヘッドに、
さらに上記積層方向に磁気シールド材、ＭＲ素子、磁気
シールド材の順に積層するとともに、積層された複数の
ＭＲ素子を積層方向に対してほぼ直交する方向（幅方
向）にずらして形成したものである。
に、本発明磁気ヘッドは、磁気シールド材、ＭＲ素子、
磁気シールド材の順に積層して構成したＭＲヘッドに、
さらに上記積層方向に磁気シールド材、ＭＲ素子、磁気
シールド材の順に積層するとともに、積層された複数の
ＭＲ素子を積層方向に対してほぼ直交する方向（幅方
向）にずらして形成したものである。
【００１９】したがって、本発明磁気ヘッドにあって
は、複数のＭＲ素子を積層して構成したので、ＭＲ素子
の幅寸法Ｗ及びＭＲ素子間の幅方向のズレ量（形成ピッ
チＰ）を小さく、かつ、その精度をきわめて良好にする
ことができ、狭幅トラック（たとえば、５μｍ以下）の
磁気記録媒体に対するＭＲヘッドのマルチ化を可能と
し、したがって、記録密度の高密度化に寄与することが
できる。
は、複数のＭＲ素子を積層して構成したので、ＭＲ素子
の幅寸法Ｗ及びＭＲ素子間の幅方向のズレ量（形成ピッ
チＰ）を小さく、かつ、その精度をきわめて良好にする
ことができ、狭幅トラック（たとえば、５μｍ以下）の
磁気記録媒体に対するＭＲヘッドのマルチ化を可能と
し、したがって、記録密度の高密度化に寄与することが
できる。
【００２０】また、本発明ノントラッキング再生方法に
あっては、磁気シールド材、ＭＲ素子、磁気シールド材
の順に積層して構成したＭＲヘッドに、さらに上記積層
方向に磁気シールド材、ＭＲ素子、磁気シールド材の順
に積層するとともに、隣接する２つのＭＲ素子を積層方
向に対してほぼ直交する方向（幅方向）にずらして積層
した磁気ヘッドを用いて１つのトラックに対する再生を
行うようにしたものである。
あっては、磁気シールド材、ＭＲ素子、磁気シールド材
の順に積層して構成したＭＲヘッドに、さらに上記積層
方向に磁気シールド材、ＭＲ素子、磁気シールド材の順
に積層するとともに、隣接する２つのＭＲ素子を積層方
向に対してほぼ直交する方向（幅方向）にずらして積層
した磁気ヘッドを用いて１つのトラックに対する再生を
行うようにしたものである。
【００２１】したがって、複数のＭＲ素子を積層して構
成したので、ＭＲ素子の幅寸法Ｗ及びＭＲ素子間の幅方
向のズレ量（形成ピッチＰ）を小さく、かつ、その精度
をきわめて良好にすることができ、狭幅トラック（たと
えば、５μｍ以下）の磁気記録媒体に対してもノントラ
ッキング再生方法を採用することができ、よって、記録
密度の高密度化に寄与することができる。
成したので、ＭＲ素子の幅寸法Ｗ及びＭＲ素子間の幅方
向のズレ量（形成ピッチＰ）を小さく、かつ、その精度
をきわめて良好にすることができ、狭幅トラック（たと
えば、５μｍ以下）の磁気記録媒体に対してもノントラ
ッキング再生方法を採用することができ、よって、記録
密度の高密度化に寄与することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の詳細を添付図面
に示した各実施の形態に従って説明する。
に示した各実施の形態に従って説明する。
【００２３】図１乃至図３は、本発明の第１の実施の形
態を示すもので、２つのＭＲヘッドを有するマルチＭＲ
ヘッドに適用したものである。
態を示すもので、２つのＭＲヘッドを有するマルチＭＲ
ヘッドに適用したものである。
【００２４】図１はマルチＭＲヘッド１の概略を拡大し
て示し、記録媒体との接対面から見た平面図である。
て示し、記録媒体との接対面から見た平面図である。
【００２５】マルチＭＲヘッド１は、図１に示すよう
に、下側のＭＲヘッド２と上側のＭＲヘッド３とを２つ
の非磁性基板４、５で積層方向から狭持したものであ
る。
に、下側のＭＲヘッド２と上側のＭＲヘッド３とを２つ
の非磁性基板４、５で積層方向から狭持したものであ
る。
【００２６】すなわち、下部非磁性基板４と、該下部非
磁性基板４上に積層された下部シールド層６と、該下部
シールド層６上に積層された第１のＭＲ素子７と、該第
１のＭＲ素子７の上に積層された中間シールド層８と、
該中間シールド層８上に積層された第２のＭＲ素子９
と、該第２のＭＲ素子９の上に積層された上部シールド
層１０と、該上部シールド層１０上に積層された上部非
磁性基板５とから成る。なお、図示は省略したが、各シ
ールド層６、１０と非磁性基板４、５との間及び各シー
ルド層６、８、１０と各ＭＲ素子７、９との間にはそれ
ぞれ絶縁層が設けられる。かかる構成は、下側ＭＲヘッ
ド２の上部シールド層と上側ＭＲヘッド３の下部シール
ド層とを中間シールド層８として共通化（一体化）した
ものであり、特許請求の範囲の請求項２に記載したもの
に相当する。なお、積層した各ＭＲヘッド２、３の隣接
する側のシールド層を共通化（一体化）にせず、各別の
ものとしても良い。
磁性基板４上に積層された下部シールド層６と、該下部
シールド層６上に積層された第１のＭＲ素子７と、該第
１のＭＲ素子７の上に積層された中間シールド層８と、
該中間シールド層８上に積層された第２のＭＲ素子９
と、該第２のＭＲ素子９の上に積層された上部シールド
層１０と、該上部シールド層１０上に積層された上部非
磁性基板５とから成る。なお、図示は省略したが、各シ
ールド層６、１０と非磁性基板４、５との間及び各シー
ルド層６、８、１０と各ＭＲ素子７、９との間にはそれ
ぞれ絶縁層が設けられる。かかる構成は、下側ＭＲヘッ
ド２の上部シールド層と上側ＭＲヘッド３の下部シール
ド層とを中間シールド層８として共通化（一体化）した
ものであり、特許請求の範囲の請求項２に記載したもの
に相当する。なお、積層した各ＭＲヘッド２、３の隣接
する側のシールド層を共通化（一体化）にせず、各別の
ものとしても良い。
【００２７】各ＭＲ素子７、９は、下側から垂直バイア
ス膜としてのＳＡＬ（soft adjacent layer）膜１０、
中間分離膜（絶縁膜）１１、磁気抵抗効果膜（ＭＲエレ
メント）１２の順に積層して構成されている。なお、Ｍ
Ｒ素子７、９は薄膜プロセス技術により製造されるた
め、その幅寸法Ｗは、たとえば、Ｗ＝１μｍ位に形成す
ることができる。
ス膜としてのＳＡＬ（soft adjacent layer）膜１０、
中間分離膜（絶縁膜）１１、磁気抵抗効果膜（ＭＲエレ
メント）１２の順に積層して構成されている。なお、Ｍ
Ｒ素子７、９は薄膜プロセス技術により製造されるた
め、その幅寸法Ｗは、たとえば、Ｗ＝１μｍ位に形成す
ることができる。
【００２８】また、各ＭＲ素子７、９はその幅方向から
ハード膜１４、１４による狭持されており、水平バイア
スが与えられている。
ハード膜１４、１４による狭持されており、水平バイア
スが与えられている。
【００２９】ＭＲ素子７、９は、その積層方向から見て
隣接する側の端部がほぼ一致するように形成されてお
り、したがって、ＭＲ素子７、９の形成ピッチＰはＭＲ
素子７、９の幅寸法（Ｗ＝１μｍ）とほぼ同じに形成さ
れている。
隣接する側の端部がほぼ一致するように形成されてお
り、したがって、ＭＲ素子７、９の形成ピッチＰはＭＲ
素子７、９の幅寸法（Ｗ＝１μｍ）とほぼ同じに形成さ
れている。
【００３０】また、上記マルチＭＲヘッド１は薄膜プロ
セスで製造されるため、上記２つのＭＲ素子７、９のア
ライメント誤差は０．０５μｍ位に抑えることができ
る。
セスで製造されるため、上記２つのＭＲ素子７、９のア
ライメント誤差は０．０５μｍ位に抑えることができ
る。
【００３１】なお、各部の材質については省略したが、
各部について用いられる既存の材料が適用できる。
各部について用いられる既存の材料が適用できる。
【００３２】また、このようなＭＲ素子７、９にセンス
電流を与え、かつ、その出力を取り出すリード線の一
方、たとえば、接地（ＧＮＤ）側を共通にすることによ
り、配線の簡略化を図ることができる（図２参照）。
電流を与え、かつ、その出力を取り出すリード線の一
方、たとえば、接地（ＧＮＤ）側を共通にすることによ
り、配線の簡略化を図ることができる（図２参照）。
【００３３】しかして、かかるマルチＭＲヘッド１によ
れば、各ＭＲ素子７、９の幅寸法Ｗを小さく形成するこ
とができるので、狭幅トラック（５μｍ以下）でかつト
ラックピッチ５μｍ以下のトラックの再生を可能とし、
しかも、マルチＭＲヘッド１であるため、狭幅トラック
の多チャンネル化を実現することができる。
れば、各ＭＲ素子７、９の幅寸法Ｗを小さく形成するこ
とができるので、狭幅トラック（５μｍ以下）でかつト
ラックピッチ５μｍ以下のトラックの再生を可能とし、
しかも、マルチＭＲヘッド１であるため、狭幅トラック
の多チャンネル化を実現することができる。
【００３４】また、上記第１の実施の形態にあっては、
２つのＭＲ素子７、９との間のシールド層を中間シール
ド層８として共通化したので、積層工程を１つ省略する
ことができ、コストダウンを図ることができる。
２つのＭＲ素子７、９との間のシールド層を中間シール
ド層８として共通化したので、積層工程を１つ省略する
ことができ、コストダウンを図ることができる。
【００３５】上記第１の実施の形態において、２つのＭ
Ｒ素子７、９を積層したマルチＭＲヘッド１について説
明したが、その数は２つの限らず、３つでも、４つでも
可能である。このようにすれば、さらに多チャンネル化
を図ることができる。
Ｒ素子７、９を積層したマルチＭＲヘッド１について説
明したが、その数は２つの限らず、３つでも、４つでも
可能である。このようにすれば、さらに多チャンネル化
を図ることができる。
【００３６】また、上記したマルチＭＲヘッド１は、２
つの非磁性基板４、５によりＭＲ素子７、９を設けたも
のについて説明したが、これは、磁気記録媒体として磁
気テープにおけるマルチＭＲヘッドとして好適なもので
あり、磁気記録媒体として磁気ディスクにおけるマルチ
ＭＲヘッドとして適用する場合には、一方の非磁性基板
に上述のようなシールド層６、８、１０及びＭＲ素子
７、９を積層するようにすればよい。
つの非磁性基板４、５によりＭＲ素子７、９を設けたも
のについて説明したが、これは、磁気記録媒体として磁
気テープにおけるマルチＭＲヘッドとして好適なもので
あり、磁気記録媒体として磁気ディスクにおけるマルチ
ＭＲヘッドとして適用する場合には、一方の非磁性基板
に上述のようなシールド層６、８、１０及びＭＲ素子
７、９を積層するようにすればよい。
【００３７】このように構成したマルチＭＲヘッド１
は、ノントラッキング再生方法に適用することができ
る。
は、ノントラッキング再生方法に適用することができ
る。
【００３８】たとえば、ノンアジマスのトラックの幅寸
法Ｗが５μｍである場合、ノンアジマスのＭＲ素子７、
９の幅寸法Ｗをトラック幅寸法の１／２（２．５μｍ）
と同じか又はそれより小さく形成し、また、互いの形成
ピッチＰ（積層方向から見たズレ量）を上記トラックの
幅寸法の１／２（２．５μｍ）と同じになるように形成
する（図３参照）。
法Ｗが５μｍである場合、ノンアジマスのＭＲ素子７、
９の幅寸法Ｗをトラック幅寸法の１／２（２．５μｍ）
と同じか又はそれより小さく形成し、また、互いの形成
ピッチＰ（積層方向から見たズレ量）を上記トラックの
幅寸法の１／２（２．５μｍ）と同じになるように形成
する（図３参照）。
【００３９】このように構成したマルチＭＲヘッド１に
よれば、２つのＭＲヘッド２、３のうち少なくとも一方
が必ず、トラックＴｒに対してＯＮトラック状態を維持
することができ、ノントラッキング再生方法が実現され
る。
よれば、２つのＭＲヘッド２、３のうち少なくとも一方
が必ず、トラックＴｒに対してＯＮトラック状態を維持
することができ、ノントラッキング再生方法が実現され
る。
【００４０】なお、かかるノントラッキング再生方法に
用いるマルチＭＲヘッド１をノンアジマスのトラックに
ついて、ノンアジマスのＭＲ素子７、９で再生すること
について説明したが、これに限らず、アジマス記録のト
ラックについて、＋アジマスのトラックを＋アジマスの
２つのＭＲ素子で再生し、−アジマスのトラックを−ア
ジマスの２つのＭＲ素子で再生するようにしても良い。
このようにすれば、２チャンネルのノントラッキング再
生方法を構成することができる。また、このような同一
アジマスの２つのＭＲ素子を組として、複数形成するこ
とのでき、このようにするとさらなる多チャンネル化、
延いては、磁気記録媒体の高密度化を図ることができ
る。
用いるマルチＭＲヘッド１をノンアジマスのトラックに
ついて、ノンアジマスのＭＲ素子７、９で再生すること
について説明したが、これに限らず、アジマス記録のト
ラックについて、＋アジマスのトラックを＋アジマスの
２つのＭＲ素子で再生し、−アジマスのトラックを−ア
ジマスの２つのＭＲ素子で再生するようにしても良い。
このようにすれば、２チャンネルのノントラッキング再
生方法を構成することができる。また、このような同一
アジマスの２つのＭＲ素子を組として、複数形成するこ
とのでき、このようにするとさらなる多チャンネル化、
延いては、磁気記録媒体の高密度化を図ることができ
る。
【００４１】図４は本発明磁気ヘッドの第２の実施の形
態を示すものである。
態を示すものである。
【００４２】この第２の実施の形態が前記第１の実施の
形態と比較して相違する点は、上記中間シールド層を上
下に分割し、かつ、これらシールド層間に磁束遮断層を
設けた点のみであるので、図面には要部のみを示し、ま
た、その説明は上記相違点についてのみ行い、他の部分
については図面の各部に前記第１の実施の形態に係るマ
ルチＭＲヘッドにおける同様の部分に付した符号と同じ
符号を付すことによりその説明を省略する。
形態と比較して相違する点は、上記中間シールド層を上
下に分割し、かつ、これらシールド層間に磁束遮断層を
設けた点のみであるので、図面には要部のみを示し、ま
た、その説明は上記相違点についてのみ行い、他の部分
については図面の各部に前記第１の実施の形態に係るマ
ルチＭＲヘッドにおける同様の部分に付した符号と同じ
符号を付すことによりその説明を省略する。
【００４３】マルチＭＲヘッド１Ａは、下部非磁性基板
４と、該下部非磁性基板４上に積層された下部シールド
層６と、該下部シールド層６上に積層された第１のＭＲ
素子７と、該第１のＭＲ素子７の上に積層された第１の
上部シールド層１５と、該第１の上部シールド層１５上
に積層された磁束遮断層１６と、該磁束遮断層１６上に
積層された第２の下部シールド層１７と、該第２の下部
シールド層１７の上に積層された第２のＭＲ素子９と、
該第２のＭＲ素子９の上に積層された上部シールド層１
０と、該上部シールド層１０上に積層された上部非磁性
基板５とから成る。
４と、該下部非磁性基板４上に積層された下部シールド
層６と、該下部シールド層６上に積層された第１のＭＲ
素子７と、該第１のＭＲ素子７の上に積層された第１の
上部シールド層１５と、該第１の上部シールド層１５上
に積層された磁束遮断層１６と、該磁束遮断層１６上に
積層された第２の下部シールド層１７と、該第２の下部
シールド層１７の上に積層された第２のＭＲ素子９と、
該第２のＭＲ素子９の上に積層された上部シールド層１
０と、該上部シールド層１０上に積層された上部非磁性
基板５とから成る。
【００４４】しかして、かかるマルチＭＲヘッド１Ａに
あっても、各層を薄膜プロセス技術により製造すること
にことができ、各ＭＲ素子７、９の幅寸法Ｗを小さく形
成することができるので、狭幅トラック（５μｍ以下）
でかつトラックピッチ５μｍ以下のトラックＴｒの再生
を可能とし、しかも、マルチＭＲヘッド１Ａであるた
め、狭幅トラックの多チャンネル化を実現することがで
きる。
あっても、各層を薄膜プロセス技術により製造すること
にことができ、各ＭＲ素子７、９の幅寸法Ｗを小さく形
成することができるので、狭幅トラック（５μｍ以下）
でかつトラックピッチ５μｍ以下のトラックＴｒの再生
を可能とし、しかも、マルチＭＲヘッド１Ａであるた
め、狭幅トラックの多チャンネル化を実現することがで
きる。
【００４５】また、上記第２の実施の形態にあっては、
ＭＲ素子７、９との間のシールド層（第１の上部シール
ド層１５と第２の下部シールド層１７）を２つで構成
し、かつこれら２つのシールド層１５、１７間に磁束遮
断層１６を設けたので、２つのＭＲ素子７、９間でのク
ロストークをなくすことができ、さらなる高密度化に寄
与する。
ＭＲ素子７、９との間のシールド層（第１の上部シール
ド層１５と第２の下部シールド層１７）を２つで構成
し、かつこれら２つのシールド層１５、１７間に磁束遮
断層１６を設けたので、２つのＭＲ素子７、９間でのク
ロストークをなくすことができ、さらなる高密度化に寄
与する。
【００４６】図５及び図６は本発明磁気ヘッドの第３の
実施の形態を示すものである。
実施の形態を示すものである。
【００４７】この第３の実施の形態が前記第１の実施の
形態と比較して相違する点は、積層された各ＭＲ素子
７、９をその積層方向から見て重なるように（オーバー
ラップするように）設けた点のみであるので、図面には
要部のみを示し、また、その説明は上記相違点について
のみ行い、他の部分については図面の各部に前記第１の
実施の形態に係るマルチＭＲヘッド１における同様の部
分に付した符号と同じ符号を付すことによりその説明を
省略する。
形態と比較して相違する点は、積層された各ＭＲ素子
７、９をその積層方向から見て重なるように（オーバー
ラップするように）設けた点のみであるので、図面には
要部のみを示し、また、その説明は上記相違点について
のみ行い、他の部分については図面の各部に前記第１の
実施の形態に係るマルチＭＲヘッド１における同様の部
分に付した符号と同じ符号を付すことによりその説明を
省略する。
【００４８】マルチＭＲヘッド１Ｂの積層されたＭＲ素
子７Ｂ、９Ｂは、その積層方向から見て隣接する側の端
部が重なるように（オーバーラップするように）して形
成されており、したがって、ＭＲ素子７Ｂ、９Ｂの形成
ピッチＰはＭＲ素子７Ｂ、９Ｂの幅寸法Ｗよりも小さく
形成されている（図５参照）。
子７Ｂ、９Ｂは、その積層方向から見て隣接する側の端
部が重なるように（オーバーラップするように）して形
成されており、したがって、ＭＲ素子７Ｂ、９Ｂの形成
ピッチＰはＭＲ素子７Ｂ、９Ｂの幅寸法Ｗよりも小さく
形成されている（図５参照）。
【００４９】そして、このようなマルチＭＲヘッド１Ｂ
のＭＲ素子７Ｂ、９Ｂは、その幅寸法Ｗをトラックの幅
寸法よりも大きく、トラックピッチの２倍よりも小さく
形成し、また、その互いの形成ピッチＰ（積層方向から
見たズレ量）をトラックピッチと同じ形成されている
（図６参照）。
のＭＲ素子７Ｂ、９Ｂは、その幅寸法Ｗをトラックの幅
寸法よりも大きく、トラックピッチの２倍よりも小さく
形成し、また、その互いの形成ピッチＰ（積層方向から
見たズレ量）をトラックピッチと同じ形成されている
（図６参照）。
【００５０】このように、ＭＲ素子７Ｂ、９Ｂの幅寸法
Ｗとトラック幅寸法とを一致させる必要はなく、トラッ
ク幅＜ＭＲ幅、トラック幅＞ＭＲ幅、トラック幅＝ＭＲ
幅のいずれでもかまわない。
Ｗとトラック幅寸法とを一致させる必要はなく、トラッ
ク幅＜ＭＲ幅、トラック幅＞ＭＲ幅、トラック幅＝ＭＲ
幅のいずれでもかまわない。
【００５１】しかして、かかるマルチＭＲヘッド１Ｂに
あっても、各ＭＲ素子７Ｂ、９Ｂの幅寸法Ｗを小さく形
成することができるので、狭幅トラック（５μｍ以下）
でかつトラックピッチ５μｍ以下のトラックの再生を可
能とし、しかも、マルチＭＲヘッド１であるため、狭幅
トラックの多チャンネル化を実現することができ、さら
に、ＭＲ素子７Ｂ、９Ｂの幅をトラックの幅より大きく
することができるので、ＭＲ素子７Ｂ、９Ｂをラフに形
成することができる。
あっても、各ＭＲ素子７Ｂ、９Ｂの幅寸法Ｗを小さく形
成することができるので、狭幅トラック（５μｍ以下）
でかつトラックピッチ５μｍ以下のトラックの再生を可
能とし、しかも、マルチＭＲヘッド１であるため、狭幅
トラックの多チャンネル化を実現することができ、さら
に、ＭＲ素子７Ｂ、９Ｂの幅をトラックの幅より大きく
することができるので、ＭＲ素子７Ｂ、９Ｂをラフに形
成することができる。
【００５２】このように構成したマルチＭＲヘッド１Ｂ
によれば、２つの同一アジマスＭＲヘッド２、３にする
ことにより、少なくとも一方が必ず、同一アジマス記録
のトラックＴｒに対してＯＮトラック状態を維持するこ
とができ、ノントラッキング再生方法が実現される。
によれば、２つの同一アジマスＭＲヘッド２、３にする
ことにより、少なくとも一方が必ず、同一アジマス記録
のトラックＴｒに対してＯＮトラック状態を維持するこ
とができ、ノントラッキング再生方法が実現される。
【００５３】なお、かかる場合、一方のＭＲ素子７Ｂが
正規のトラックを走査しているとき、他方のＭＲ素子９
Ｂは隣接するトラックを走査することになるので、隣接
するトラックには異なったアジマス記録を行っておく必
要がある（図５参照）。
正規のトラックを走査しているとき、他方のＭＲ素子９
Ｂは隣接するトラックを走査することになるので、隣接
するトラックには異なったアジマス記録を行っておく必
要がある（図５参照）。
【００５４】なお、上記各実施の形態にあっては、本発
明磁気ヘッドを、磁気テープにおけるヘリカルスキャン
方式の再生ヘッドに適用したものについて説明したが、
この他、固定ヘッドにも適用することができ、さらに
は、ＨＤＤなどの磁気ディスクの再生ヘッドとして適用
することもできる。
明磁気ヘッドを、磁気テープにおけるヘリカルスキャン
方式の再生ヘッドに適用したものについて説明したが、
この他、固定ヘッドにも適用することができ、さらに
は、ＨＤＤなどの磁気ディスクの再生ヘッドとして適用
することもできる。
【００５５】この他、上記各実施の形態において示した
各部の具体的な形状乃至構造は、本発明を実施するに当
たっての具体化のほんの一例を示したものに過ぎず、こ
れらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈される
ことがあってはならないものである。
各部の具体的な形状乃至構造は、本発明を実施するに当
たっての具体化のほんの一例を示したものに過ぎず、こ
れらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈される
ことがあってはならないものである。
【００５６】
【発明の効果】以上に記載したとおり、本発明磁気ヘッ
ドは、磁気シールド材、ＭＲ素子、磁気シールド材の順
に積層して構成したＭＲヘッドに、さらに上記積層方向
に磁気シールド材、ＭＲ素子、磁気シールド材の順に積
層するとともに、積層された複数のＭＲ素子を積層方向
に対してほぼ直交する方向（幅方向）にずらして形成し
たことを特徴とする。
ドは、磁気シールド材、ＭＲ素子、磁気シールド材の順
に積層して構成したＭＲヘッドに、さらに上記積層方向
に磁気シールド材、ＭＲ素子、磁気シールド材の順に積
層するとともに、積層された複数のＭＲ素子を積層方向
に対してほぼ直交する方向（幅方向）にずらして形成し
たことを特徴とする。
【００５７】したがって、本発明磁気ヘッドにあって
は、複数のＭＲ素子を積層して構成したので、ＭＲ素子
の幅寸法Ｗ及びＭＲ素子間の幅方向のズレ量（形成ピッ
チＰ）を小さく、かつ、その精度をきわめて良好にする
ことができ、狭幅トラック（たとえば、５μｍ以下）の
磁気記録媒体に対するＭＲヘッドのマルチ化を可能と
し、したがって、記録密度の高密度化に寄与することが
できる。
は、複数のＭＲ素子を積層して構成したので、ＭＲ素子
の幅寸法Ｗ及びＭＲ素子間の幅方向のズレ量（形成ピッ
チＰ）を小さく、かつ、その精度をきわめて良好にする
ことができ、狭幅トラック（たとえば、５μｍ以下）の
磁気記録媒体に対するＭＲヘッドのマルチ化を可能と
し、したがって、記録密度の高密度化に寄与することが
できる。
【００５８】請求項２にかかる発明によれば、一のＭＲ
ヘッドとこれと隣接するＭＲヘッドとの互いに接触する
磁気シールド材を共通にしたので、磁気シールド材の共
通化により、積層工程の削減することができコストダウ
ンに寄与する。
ヘッドとこれと隣接するＭＲヘッドとの互いに接触する
磁気シールド材を共通にしたので、磁気シールド材の共
通化により、積層工程の削減することができコストダウ
ンに寄与する。
【００５９】請求項３にかかる発明によれば、一のＭＲ
ヘッドとこれと隣接するＭＲヘッドとの互いに接触する
磁気シールド材間に磁束遮断層を設けたので、複数のＭ
Ｒヘッドが隣接して設けられているにもかかわらず、各
ＭＲヘッドのクロストークを防止することができる。
ヘッドとこれと隣接するＭＲヘッドとの互いに接触する
磁気シールド材間に磁束遮断層を設けたので、複数のＭ
Ｒヘッドが隣接して設けられているにもかかわらず、各
ＭＲヘッドのクロストークを防止することができる。
【００６０】請求項４にかかる発明によれば、幅方向に
ずれて形成されたＭＲ素子を、積層方向から見て、隣接
するＭＲ素子同士の端部が重なるようにしたので、比較
的、ＭＲヘッドの幅寸法Ｗをラフに形成することができ
る。
ずれて形成されたＭＲ素子を、積層方向から見て、隣接
するＭＲ素子同士の端部が重なるようにしたので、比較
的、ＭＲヘッドの幅寸法Ｗをラフに形成することができ
る。
【００６１】請求項５にかかる発明によれば、積層方向
に対して直交する方向にずらされたＭＲ素子のずれ方
を、積層方向から見て、各ＭＲ素子が重ならないように
したので、これらの位置精度を良くすることによりさら
なるトラックの幅狭化及びトラックピッチの狭化に対応
することができ、記録密度の高密度化に寄与する。
に対して直交する方向にずらされたＭＲ素子のずれ方
を、積層方向から見て、各ＭＲ素子が重ならないように
したので、これらの位置精度を良くすることによりさら
なるトラックの幅狭化及びトラックピッチの狭化に対応
することができ、記録密度の高密度化に寄与する。
【００６２】また、本発明磁気記録再生方法は、磁気シ
ールド材、ＭＲ素子、磁気シールド材の順に積層して構
成したＭＲヘッドに、さらに上記積層方向に磁気シール
ド材、ＭＲ素子、磁気シールド材の順に積層するととも
に、隣接する２つの同一アジマスのＭＲ素子を積層方向
に対してほぼ直交する方向（幅方向）にずらして積層し
た磁気ヘッドを用いて、１つのトラックに対する再生を
行うことを特徴とする。
ールド材、ＭＲ素子、磁気シールド材の順に積層して構
成したＭＲヘッドに、さらに上記積層方向に磁気シール
ド材、ＭＲ素子、磁気シールド材の順に積層するととも
に、隣接する２つの同一アジマスのＭＲ素子を積層方向
に対してほぼ直交する方向（幅方向）にずらして積層し
た磁気ヘッドを用いて、１つのトラックに対する再生を
行うことを特徴とする。
【００６３】したがって、複数のＭＲ素子を積層して構
成したので、ＭＲ素子の幅寸法Ｗ及びＭＲ素子間の幅方
向のズレ量（形成ピッチＰ）を小さく、かつ、その精度
をきわめて良好にすることができ、狭幅トラック（たと
えば、５μｍ以下）の磁気記録媒体に対してもノントラ
ッキング再生方法を採用することができ、よって、記録
密度の高密度化に寄与することができる。
成したので、ＭＲ素子の幅寸法Ｗ及びＭＲ素子間の幅方
向のズレ量（形成ピッチＰ）を小さく、かつ、その精度
をきわめて良好にすることができ、狭幅トラック（たと
えば、５μｍ以下）の磁気記録媒体に対してもノントラ
ッキング再生方法を採用することができ、よって、記録
密度の高密度化に寄与することができる。
【００６４】請求項７にかかる発明によれば、各ＭＲ素
子の幅寸法Ｗを、トラックピッチの半分より狭く、か
つ、２つのＭＲ素子の幅方向へのずれ量Ｐが上記トラッ
クピッチとほぼ同じにされた磁気ヘッドを用いて、１つ
のトラックに対する再生を行うようにしたので、狭幅ト
ラック（たとえば、５μｍ以下）の磁気記録媒体に対し
てもノントラッキング再生方法を採用することができ、
よって、記録密度の高密度化に寄与することができる。
子の幅寸法Ｗを、トラックピッチの半分より狭く、か
つ、２つのＭＲ素子の幅方向へのずれ量Ｐが上記トラッ
クピッチとほぼ同じにされた磁気ヘッドを用いて、１つ
のトラックに対する再生を行うようにしたので、狭幅ト
ラック（たとえば、５μｍ以下）の磁気記録媒体に対し
てもノントラッキング再生方法を採用することができ、
よって、記録密度の高密度化に寄与することができる。
【００６５】請求項８にかかる発明によれば、各ＭＲ素
子の幅寸法Ｗを、トラックピッチより広く、かつ、２つ
のＭＲ素子の幅方向へのずれ量Ｐが上記トラックピッチ
とほぼ同じにされたマルチ磁気ヘッドを用いて、１つの
トラックに対する再生を行うようにしたので、狭幅トラ
ック（たとえば、５μｍ以下）の磁気記録媒体に対して
もノントラッキング再生方法を採用することができ、よ
って、記録密度の高密度化に寄与することができる。
子の幅寸法Ｗを、トラックピッチより広く、かつ、２つ
のＭＲ素子の幅方向へのずれ量Ｐが上記トラックピッチ
とほぼ同じにされたマルチ磁気ヘッドを用いて、１つの
トラックに対する再生を行うようにしたので、狭幅トラ
ック（たとえば、５μｍ以下）の磁気記録媒体に対して
もノントラッキング再生方法を採用することができ、よ
って、記録密度の高密度化に寄与することができる。
【図１】図２及び図３とともに本発明磁気ヘッドの第１
の実施の形態を示すもので、本図は概略平面図である。
の実施の形態を示すもので、本図は概略平面図である。
【図２】ＭＲヘッドの回路図である。
【図３】トラックとＭＲヘッドとの位置関係を示す図で
ある。
ある。
【図４】本発明磁気ヘッドの第２の実施の形態を示す概
略平面図である。
略平面図である。
【図５】図６とともに本発明磁気ヘッドの第３の実施の
形態を示すもので、本図は概略平面図である。
形態を示すもので、本図は概略平面図である。
【図６】トラックとＭＲヘッドとの位置関係を示す図で
ある。
ある。
【図７】図８及び図９とともに従来のマルチＭＲヘッド
を示すもので、本図は概略平面図である。
を示すもので、本図は概略平面図である。
【図８】トラックとＭＲヘッドとの位置関係を示す図で
ある。
ある。
【図９】ノントラッキング再生方法を説明するための図
である。
である。
【図１０】図１１乃至図１３とともに別の従来のマルチ
ＭＲヘッドを示すもので、本図は概略平面図である。
ＭＲヘッドを示すもので、本図は概略平面図である。
【図１１】トラックとＭＲヘッドとの位置関係を示す図
である。
である。
【図１２】ノントラッキング再生方法を説明するための
図である。
図である。
【図１３】問題点を説明するための概略斜視図である。
１…マルチＭＲヘッド（磁気ヘッド）、２…下側ＭＲヘ
ッド、３…上側ＭＲヘッド、６…下部シールド層（磁気
シールド材）、７…第１のＭＲ素子、８…中間シールド
層（磁気シールド材）、９…第２のＭＲ素子、１０…上
部シールド層（磁気シールド材）、Ｗ…ＭＲ素子の幅寸
法、Ｐ…ＭＲ素子間の幅方向のズレ量（形成ピッチ）、
１Ａ…マルチＭＲヘッド（磁気ヘッド）、１５…第１の
上部シールド層（磁気シールド材）、１６…磁束遮断
層、１７…第２の下部シールド層（磁気シールド材）、
１Ｂ…マルチＭＲヘッド（磁気ヘッド）、７Ｂ…第１の
ＭＲ素子、９Ｂ…第２のＭＲ素子
ッド、３…上側ＭＲヘッド、６…下部シールド層（磁気
シールド材）、７…第１のＭＲ素子、８…中間シールド
層（磁気シールド材）、９…第２のＭＲ素子、１０…上
部シールド層（磁気シールド材）、Ｗ…ＭＲ素子の幅寸
法、Ｐ…ＭＲ素子間の幅方向のズレ量（形成ピッチ）、
１Ａ…マルチＭＲヘッド（磁気ヘッド）、１５…第１の
上部シールド層（磁気シールド材）、１６…磁束遮断
層、１７…第２の下部シールド層（磁気シールド材）、
１Ｂ…マルチＭＲヘッド（磁気ヘッド）、７Ｂ…第１の
ＭＲ素子、９Ｂ…第２のＭＲ素子
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１２年１１月２０日（２０００．１１．
２０）
２０）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の名称】 磁気ヘッド並びにこれを用いた磁気
記録再生方法及び磁気記録再生装置
記録再生方法及び磁気記録再生装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１０】 請求項９に記載した磁気記録再生装置
であって、 一のＭＲヘッドとこれと隣接するＭＲヘッドとの互いに
接触する磁気シールド材が共通にされた磁気ヘッドを備
えたことを特徴とする磁気記録再生装置。
であって、 一のＭＲヘッドとこれと隣接するＭＲヘッドとの互いに
接触する磁気シールド材が共通にされた磁気ヘッドを備
えたことを特徴とする磁気記録再生装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果型薄
膜磁気ヘッド（以下、「ＭＲヘッド」という。）並びに
これを用いた磁気記録の再生方法及び磁気記録の再生装
置に関する。具体的には、ＭＲヘッドのマルチ化による
記録密度の高密度化及びＭＲヘッドを用いたノントラッ
キング再生方法並びに再生装置の技術に関する。
膜磁気ヘッド（以下、「ＭＲヘッド」という。）並びに
これを用いた磁気記録の再生方法及び磁気記録の再生装
置に関する。具体的には、ＭＲヘッドのマルチ化による
記録密度の高密度化及びＭＲヘッドを用いたノントラッ
キング再生方法並びに再生装置の技術に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】また、上記第２のＭＲヘッドのマルチ化に
あっては、ＭＲヘッドｅのＭＲ素子ｆをこれに水平バイ
アスを与えるために２つのハード膜ｇ、ｇで幅方向から
挟む必要があり、これらハード膜ｇが１０μｍ〜２０μ
ｍの長さをしているため、ＭＲ素子ｆとＭＲ素子ｆとの
間の間隔が１０μｍ〜２０μｍになってしまう。そのた
め、トラックピッチが１０μｍ〜２０μｍのトラックＴ
ｒでなければ、このようなＭＲヘッドｅ1、ｅ2で再生す
ることはできない（図１３参照）。
あっては、ＭＲヘッドｅのＭＲ素子ｆをこれに水平バイ
アスを与えるために２つのハード膜ｇ、ｇで幅方向から
挟む必要があり、これらハード膜ｇが１０μｍ〜２０μ
ｍの長さをしているため、ＭＲ素子ｆとＭＲ素子ｆとの
間の間隔が１０μｍ〜２０μｍになってしまう。そのた
め、トラックピッチが１０μｍ〜２０μｍのトラックＴ
ｒでなければ、このようなＭＲヘッドｅ1、ｅ2で再生す
ることはできない（図１３参照）。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２０】また、本発明磁気記録の再生方法にあって
は、磁気シールド材、ＭＲ素子、磁気シールド材の順に
積層して構成したＭＲヘッドに、さらに上記積層方向に
磁気シールド材、ＭＲ素子、磁気シールド材の順に積層
するとともに、隣接する２つのＭＲ素子を積層方向に対
してほぼ直交する方向（幅方向）にずらして積層した磁
気ヘッドを用いて１つのトラックに対する再生を行うよ
うにしたものである。
は、磁気シールド材、ＭＲ素子、磁気シールド材の順に
積層して構成したＭＲヘッドに、さらに上記積層方向に
磁気シールド材、ＭＲ素子、磁気シールド材の順に積層
するとともに、隣接する２つのＭＲ素子を積層方向に対
してほぼ直交する方向（幅方向）にずらして積層した磁
気ヘッドを用いて１つのトラックに対する再生を行うよ
うにしたものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２１】したがって、複数のＭＲ素子を積層して構
成したので、ＭＲ素子の幅寸法Ｗ及びＭＲ素子間の幅方
向のズレ量（形成ピッチＰ）を小さく、かつ、その精度
をきわめて良好にすることができ、狭幅トラック（たと
えば、５μｍ以下）の磁気記録媒体に対してもノントラ
ッキング再生方法を採用することができ、よって、記録
密度の高密度化に寄与することができる。さらに、本発
明磁気記録再生装置にあっては、磁気シールド材、ＭＲ
素子、磁気シールド材の順に積層して構成したＭＲヘッ
ドに、さらに上記積層方向に磁気シールド材、ＭＲ素
子、磁気シールド材の順に積層するとともに、積層した
複数のＭＲ素子を積層方向に対してほぼ直交する方向
（幅方向）にずらして形成した磁気ヘッドを備えたもの
である。したがって、本発明磁気記録再生装置にあって
は、複数のＭＲ素子を積層して構成した磁気ヘッドを備
えたので、ＭＲ素子の幅寸法Ｗ及びＭＲ素子間の幅方向
のズレ量（形成ピッチＰ）を小さく、かつ、その精度を
きわめて良好にすることができ、狭幅トラック（たとえ
ば、５μｍ以下）の磁気記録媒体に対するＭＲヘッドの
マルチ化が可能となり、これにより、記録密度の高密度
化に寄与することができる。
成したので、ＭＲ素子の幅寸法Ｗ及びＭＲ素子間の幅方
向のズレ量（形成ピッチＰ）を小さく、かつ、その精度
をきわめて良好にすることができ、狭幅トラック（たと
えば、５μｍ以下）の磁気記録媒体に対してもノントラ
ッキング再生方法を採用することができ、よって、記録
密度の高密度化に寄与することができる。さらに、本発
明磁気記録再生装置にあっては、磁気シールド材、ＭＲ
素子、磁気シールド材の順に積層して構成したＭＲヘッ
ドに、さらに上記積層方向に磁気シールド材、ＭＲ素
子、磁気シールド材の順に積層するとともに、積層した
複数のＭＲ素子を積層方向に対してほぼ直交する方向
（幅方向）にずらして形成した磁気ヘッドを備えたもの
である。したがって、本発明磁気記録再生装置にあって
は、複数のＭＲ素子を積層して構成した磁気ヘッドを備
えたので、ＭＲ素子の幅寸法Ｗ及びＭＲ素子間の幅方向
のズレ量（形成ピッチＰ）を小さく、かつ、その精度を
きわめて良好にすることができ、狭幅トラック（たとえ
ば、５μｍ以下）の磁気記録媒体に対するＭＲヘッドの
マルチ化が可能となり、これにより、記録密度の高密度
化に寄与することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４０】なお、かかるノントラッキング再生方法に
用いるマルチＭＲヘッド１をノンアジマスのトラックに
ついて、ノンアジマスのＭＲ素子７、９で再生すること
について説明したが、これに限らず、アジマス記録のト
ラックについて、＋アジマスのトラックを＋アジマスの
２つのＭＲ素子で再生し、−アジマスのトラックを−ア
ジマスの２つのＭＲ素子で再生するようにしても良い。
このようにすれば、２チャンネルのノントラッキング再
生方法を構成することができる。また、このような同一
アジマスの２つのＭＲ素子を組として、複数形成するこ
とができ、このようにするとさらなる多チャンネル化、
延いては、磁気記録媒体の高密度化を図ることができ
る。
用いるマルチＭＲヘッド１をノンアジマスのトラックに
ついて、ノンアジマスのＭＲ素子７、９で再生すること
について説明したが、これに限らず、アジマス記録のト
ラックについて、＋アジマスのトラックを＋アジマスの
２つのＭＲ素子で再生し、−アジマスのトラックを−ア
ジマスの２つのＭＲ素子で再生するようにしても良い。
このようにすれば、２チャンネルのノントラッキング再
生方法を構成することができる。また、このような同一
アジマスの２つのＭＲ素子を組として、複数形成するこ
とができ、このようにするとさらなる多チャンネル化、
延いては、磁気記録媒体の高密度化を図ることができ
る。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４４】しかして、かかるマルチＭＲヘッド１Ａに
あっても、各層を薄膜プロセス技術により製造すること
ができ、各ＭＲ素子７、９の幅寸法Ｗを小さく形成する
ことができるので、狭幅トラック（５μｍ以下）でかつ
トラックピッチ５μｍ以下のトラックＴｒの再生を可能
とし、しかも、マルチＭＲヘッド１Ａであるため、狭幅
トラックの多チャンネル化を実現することができる。
あっても、各層を薄膜プロセス技術により製造すること
ができ、各ＭＲ素子７、９の幅寸法Ｗを小さく形成する
ことができるので、狭幅トラック（５μｍ以下）でかつ
トラックピッチ５μｍ以下のトラックＴｒの再生を可能
とし、しかも、マルチＭＲヘッド１Ａであるため、狭幅
トラックの多チャンネル化を実現することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５８】請求項２及び請求項１０にかかる発明によ
れば、一のＭＲヘッドとこれと隣接するＭＲヘッドとの
互いに接触する磁気シールド材を共通にしたので、磁気
シールド材の共通化により、積層工程の削減することが
できコストダウンに寄与する。
れば、一のＭＲヘッドとこれと隣接するＭＲヘッドとの
互いに接触する磁気シールド材を共通にしたので、磁気
シールド材の共通化により、積層工程の削減することが
できコストダウンに寄与する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５９】請求項３及び請求項１１にかかる発明によ
れば、一のＭＲヘッドとこれと隣接するＭＲヘッドとの
互いに接触する磁気シールド材間に磁束遮断層を設けた
ので、複数のＭＲヘッドが隣接して設けられているにも
かかわらず、各ＭＲヘッドのクロストークを防止するこ
とができる。
れば、一のＭＲヘッドとこれと隣接するＭＲヘッドとの
互いに接触する磁気シールド材間に磁束遮断層を設けた
ので、複数のＭＲヘッドが隣接して設けられているにも
かかわらず、各ＭＲヘッドのクロストークを防止するこ
とができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００６０】請求項４及び請求項１２にかかる発明によ
れば、幅方向にずれて形成されたＭＲ素子を、積層方向
から見て、隣接するＭＲ素子同士の端部が重なるように
したので、比較的、ＭＲヘッドの幅寸法Ｗをラフに形成
することができる。
れば、幅方向にずれて形成されたＭＲ素子を、積層方向
から見て、隣接するＭＲ素子同士の端部が重なるように
したので、比較的、ＭＲヘッドの幅寸法Ｗをラフに形成
することができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００６１】請求項５及び請求項１３にかかる発明によ
れば、積層方向に対して直交する方向にずらされたＭＲ
素子のずれ方を、積層方向から見て、各ＭＲ素子が重な
らないようにしたので、これらの位置精度を良くするこ
とによりさらなるトラックの幅狭化及びトラックピッチ
の狭化に対応することができ、記録密度の高密度化に寄
与する。
れば、積層方向に対して直交する方向にずらされたＭＲ
素子のずれ方を、積層方向から見て、各ＭＲ素子が重な
らないようにしたので、これらの位置精度を良くするこ
とによりさらなるトラックの幅狭化及びトラックピッチ
の狭化に対応することができ、記録密度の高密度化に寄
与する。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００６５】請求項８にかかる発明によれば、各ＭＲ素
子の幅寸法Ｗを、トラックピッチより広く、かつ、２つ
のＭＲ素子の幅方向へのずれ量Ｐが上記トラックピッチ
とほぼ同じにされたマルチ磁気ヘッドを用いて、１つの
トラックに対する再生を行うようにしたので、狭幅トラ
ック（たとえば、５μｍ以下）の磁気記録媒体に対して
もノントラッキング再生方法を採用することができ、よ
って、記録密度の高密度化に寄与することができる。さ
らに、本発明磁気記録再生装置は、磁気シールド材、Ｍ
Ｒ素子、磁気シールド材の順に積層して構成したＭＲヘ
ッドに、さらに上記積層方向に磁気シールド材、ＭＲ素
子、磁気シールド材の順に積層するとともに、積層した
複数のＭＲ素子を積層方向に対してほぼ直交する方向
（幅方向）にずらして形成した磁気ヘッドを備えたこと
を特徴とする。したがって、本発明磁気記録再生装置に
あっては、複数のＭＲ素子を積層して構成した磁気ヘッ
ドを備えたので、ＭＲ素子の幅寸法Ｗ及びＭＲ素子間の
幅方向のズレ量（形成ピッチＰ）を小さく、かつ、その
精度をきわめて良好にすることができ、狭幅トラック
（たとえば、５μｍ以下）の磁気記録媒体に対するＭＲ
ヘッドのマルチ化が可能となり、これにより、記録密度
の高密度化に寄与することができる。
子の幅寸法Ｗを、トラックピッチより広く、かつ、２つ
のＭＲ素子の幅方向へのずれ量Ｐが上記トラックピッチ
とほぼ同じにされたマルチ磁気ヘッドを用いて、１つの
トラックに対する再生を行うようにしたので、狭幅トラ
ック（たとえば、５μｍ以下）の磁気記録媒体に対して
もノントラッキング再生方法を採用することができ、よ
って、記録密度の高密度化に寄与することができる。さ
らに、本発明磁気記録再生装置は、磁気シールド材、Ｍ
Ｒ素子、磁気シールド材の順に積層して構成したＭＲヘ
ッドに、さらに上記積層方向に磁気シールド材、ＭＲ素
子、磁気シールド材の順に積層するとともに、積層した
複数のＭＲ素子を積層方向に対してほぼ直交する方向
（幅方向）にずらして形成した磁気ヘッドを備えたこと
を特徴とする。したがって、本発明磁気記録再生装置に
あっては、複数のＭＲ素子を積層して構成した磁気ヘッ
ドを備えたので、ＭＲ素子の幅寸法Ｗ及びＭＲ素子間の
幅方向のズレ量（形成ピッチＰ）を小さく、かつ、その
精度をきわめて良好にすることができ、狭幅トラック
（たとえば、５μｍ以下）の磁気記録媒体に対するＭＲ
ヘッドのマルチ化が可能となり、これにより、記録密度
の高密度化に寄与することができる。
Claims (8)
- 【請求項１】 磁気シールド材、磁気抵抗効果型薄膜素
子（以下、「ＭＲ素子」という。）、磁気シールド材の
順に積層して構成した磁気抵抗効果型薄膜ヘッド（以
下、「ＭＲヘッド」という。）に、さらに上記積層方向
に磁気シールド材、ＭＲ素子、磁気シールド材の順に積
層するとともに、積層した複数のＭＲ素子を積層方向に
対してほぼ直交する方向（幅方向）にずらして形成した
ことを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】 請求項１に記載した磁気ヘッドであっ
て、 一のＭＲヘッドとこれと隣接するＭＲヘッドとの互いに
接触する磁気シールド材が共通にされたことを特徴とす
る磁気ヘッド。 - 【請求項３】 請求項１に記載した磁気ヘッドであっ
て、 一のＭＲヘッドとこれと隣接するＭＲヘッドとの互いに
接触する磁気シールド材間に磁束遮断層を設けたことを
特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項４】 請求項１に記載した磁気ヘッドであっ
て、 幅方向にずれて形成されたＭＲ素子のずれ方が、積層方
向から見て、隣接するＭＲ素子同士の端部が重なるよう
にしたことを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項５】 請求項１に記載した磁気ヘッドであっ
て、 積層方向に対して直交する方向にずらされたＭＲ素子の
ずれ方が、積層方向から見て、各ＭＲ素子が重ならない
ようにしたことを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項６】 磁気シールド材、磁気抵抗効果型薄膜素
子（以下、「ＭＲ素子」という。）、磁気シールド材の
順に積層して構成した磁気抵抗効果型薄膜ヘッド（以
下、「ＭＲヘッド」という。）に、さらに上記積層方向
に磁気シールド材、ＭＲ素子、磁気シールド材の順に積
層するとともに、隣接する２つの同一アジマスのＭＲ素
子を積層方向に対してほぼ直交する方向（幅方向）にず
らして積層した磁気ヘッドを用いて、１つのトラックに
対する再生を行うことを特徴とする磁気記録再生方法。 - 【請求項７】 請求項６に記載した磁気記録再生方法で
あって、 各ＭＲ素子の幅寸法が、トラックピッチの半分より狭
く、かつ、２つのＭＲ素子の幅方向へのずれ量が上記ト
ラックピッチとほぼ同じにされた磁気ヘッドを用いて、
１つのトラックに対する再生を行うことを特徴とする磁
気記録再生方法。 - 【請求項８】 請求項６に記載した磁気記録再生方法で
あって、 各ＭＲ素子の幅寸法が、トラックピッチより広く、か
つ、２つのＭＲ素子の幅方向へのずれ量が上記トラック
ピッチとほぼ同じにされたマルチ磁気ヘッドを用いて、
１つのトラックに対する再生を行うことを特徴とする磁
気記録再生方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000348377A JP2002157710A (ja) | 2000-11-15 | 2000-11-15 | 磁気ヘッド並びにこれを用いた磁気記録再生方法及び磁気記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000348377A JP2002157710A (ja) | 2000-11-15 | 2000-11-15 | 磁気ヘッド並びにこれを用いた磁気記録再生方法及び磁気記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002157710A true JP2002157710A (ja) | 2002-05-31 |
Family
ID=18821975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000348377A Pending JP2002157710A (ja) | 2000-11-15 | 2000-11-15 | 磁気ヘッド並びにこれを用いた磁気記録再生方法及び磁気記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002157710A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7636219B2 (en) | 2006-04-14 | 2009-12-22 | Sony Corporation | Magnetic recording and reproducing apparatus and magnetic recording and reproducing method |
| US7839603B2 (en) | 2006-02-27 | 2010-11-23 | Sony Corporation | Magnetic head device and magnetic recording/reproducing apparatus |
| JP2015005319A (ja) * | 2013-06-21 | 2015-01-08 | 株式会社東芝 | 磁気ヘッド、磁気記録再生装置、および磁気ヘッドの製造方法 |
| US9042059B1 (en) * | 2014-05-15 | 2015-05-26 | HGST Netherlands B.V. | Current-perpendicular-to-the-plane (CPP) magnetoresistive (MR) sensor structure with multiple stacked sensors and improved center shield |
| US9087982B2 (en) | 2013-11-18 | 2015-07-21 | Tdk Corporation | Manufacturing method for pattern multilayer body and mask set |
| US20180268847A1 (en) * | 2014-12-04 | 2018-09-20 | Western Digital (Fremont), Llc | Stripe height lapping control structures for a multiple sensor array |
-
2000
- 2000-11-15 JP JP2000348377A patent/JP2002157710A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7839603B2 (en) | 2006-02-27 | 2010-11-23 | Sony Corporation | Magnetic head device and magnetic recording/reproducing apparatus |
| US7636219B2 (en) | 2006-04-14 | 2009-12-22 | Sony Corporation | Magnetic recording and reproducing apparatus and magnetic recording and reproducing method |
| JP2015005319A (ja) * | 2013-06-21 | 2015-01-08 | 株式会社東芝 | 磁気ヘッド、磁気記録再生装置、および磁気ヘッドの製造方法 |
| US9087982B2 (en) | 2013-11-18 | 2015-07-21 | Tdk Corporation | Manufacturing method for pattern multilayer body and mask set |
| US9042059B1 (en) * | 2014-05-15 | 2015-05-26 | HGST Netherlands B.V. | Current-perpendicular-to-the-plane (CPP) magnetoresistive (MR) sensor structure with multiple stacked sensors and improved center shield |
| US20180268847A1 (en) * | 2014-12-04 | 2018-09-20 | Western Digital (Fremont), Llc | Stripe height lapping control structures for a multiple sensor array |
| US10460751B2 (en) * | 2014-12-04 | 2019-10-29 | Western Digital (Fremont), Llc | Stripe height lapping control structures for a multiple sensor array |
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| A521 | Written amendment |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20081113 |