JP2807664B2 - ネガティブ電圧駆動回路 - Google Patents

ネガティブ電圧駆動回路

Info

Publication number
JP2807664B2
JP2807664B2 JP26990796A JP26990796A JP2807664B2 JP 2807664 B2 JP2807664 B2 JP 2807664B2 JP 26990796 A JP26990796 A JP 26990796A JP 26990796 A JP26990796 A JP 26990796A JP 2807664 B2 JP2807664 B2 JP 2807664B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
negative voltage
clock signal
input terminal
pumping
node
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP26990796A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH09128984A (ja
Inventor
種 相 李
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SK Hynix Inc
Original Assignee
Hyundai Electronics Industries Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hyundai Electronics Industries Co Ltd filed Critical Hyundai Electronics Industries Co Ltd
Publication of JPH09128984A publication Critical patent/JPH09128984A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2807664B2 publication Critical patent/JP2807664B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/06Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
    • H02M3/07Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
    • H02M3/073Charge pumps of the Schenkel-type

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はネガティブ電圧駆動
回路に関し、特にフラッシュEEPROMセルのゲート
電極にネガティブ電圧(Negative Voltage)を供給する
ためのネガティブ電圧駆動回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般的にフラッシュEEPROMセルに
貯蔵されたデータを消去するためにフラッシュEEPR
OMセルのゲート電極にネガティブ電極を供給する。
【0003】このようなネガティブ電極を供給するため
には図1に図示されているごとく第1及び第2クロック
信号によりネガティブ電圧を発生するチャージポンプ
1、発生されたネガティブ電圧を安定させるためのレギ
ュレーター2、ネガティブ電圧をフラッシュEEPRO
Mセルのゲート電極Gに供給するためのパストランジス
ターT及び前記第1及び第2クロック信号によりパスト
ランジスターTを制御するためのネガティブ電圧駆動回
路3が要求される。
【0004】本発明は図1のネガティブ電圧駆動回路3
に関するものであり、まず従来のネガティブ電圧駆動回
路を図2及び図6を参照して説明する。
【0005】第1クロック信号CK1 はポンピングキャパ
シターM3に、第2クロック信号CK2はポンピングキャパ
シターM4に各々印加される。前記第1及び第2クロック
信号CK1 ,CK2 は図6に図示されている如く相互に反転
した位相である。
【0006】ポンピングキャパシターM3,M4を経由した
第1及び第2クロック信号CK1 ,CK2 を入力とするPM
OSトランジスターM1,M2が交互にターンオン(turn-o
n )され、入力端子inを通じて供給されるネガティブ電
圧がロードキャパシターC2が接続された出力端子out に
伝達される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかし、出力端にポン
ピングキャパシターM4が直接連結されているため、負荷
によりクロック信号を入力とするポンピングキャパシタ
ーM3,M4によりカップリングされる電圧は変動すること
になる。更に、PMOSトランジスターM1,M2がバディ
エフェクト(body effect )を受けるためトランジスタ
ーのしきい電圧が増加することになる。
【0008】しかも、このしきい電圧がポンピングキャ
パシタM3,M4とロードキャパシターC2によって現れるカ
ップリング電圧よりも高くなる場合、前記PMOSトラ
ンジスターM1,M2はそれ以上ターンオンされることなく
チャージポンプの出力電圧をそれ以上出力することがで
きなくなり出力が飽和(saturation)状態になる。
【0009】前記ロードキャパシターC2の容量がポンピ
ングキャパシターM3,M4の容量より大きく、パストラン
ジスターM1,M2のガンマエフェクト(γ−effect)が大
きくなると、出力が希望する電圧まで降下する前に飽和
状態になる。
【0010】結局、このような回路は出力電圧が負荷キ
ャパシタンスにより大きく影響を受ける問題点があり、
またクロック信号によりカップリング電圧が変化するた
め電源電圧Vccによっても大きく影響を受ける短所があ
る。
【0011】したがって本発明は、チャージポンプの出
力電圧をロードキャパシターの容量又は供給電圧の影響
を受けずに、フラッシュEEPROMセルのゲート電極
に大きいネガティブ電圧を供給することができるように
するネガティブ電圧駆動回路を提供することにその目的
がある。
【0012】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めの本発明は、入力端子と出力端子間に接続されるが第
1及び第2クロック信号により交互に動作するクロスラ
ッチポンピング回路により制御されるトランジスター
と、前記出力端子に接続され前記第1クロック信号を入
力とし、前記入力端子と出力端子が分離されたときポン
ピング動作をするポンピングキャパシターにより構成さ
れることを特徴とする。
【0013】
【発明の実施の形態】以下に、本発明を添付した図面を
参照して詳細に説明する。図3は本発明の第1実施形態
によるネガティブ電圧駆動回路図であり、図6を参照し
て説明する。
【0014】チャージポンプからネガティブ電圧が印加
される入力端子inと第1クロック信号CK1 入力端子間に
トランジスターM1及びポンピングキャパシターM4がノー
ドN1を通じて直列に接続され、前記入力端子と第2クロ
ック信号CK2 入力端子間にトランジスターM2及びポンピ
ングキャパシターM5がノードN2を通じて直列に接続され
る。
【0015】前記トランジスターM1,M2の各ゲート端子
はノードN1,N2に各々接続される。前記ノードN2を入力
として、入力端子inと出力端子out 間にトランジスター
M3が接続される。前記第1クロック信号CK1 入力端子と
出力端子間にポンピングキャパシターM6が接続される。
前記トランジスターM1,M2及びポンピングキャパシター
M4,M5はクロスラッチポンプ回路で動作され、とりわけ
前記トランジスターM1,M2はPMOSラッチ回路で動作
する。
【0016】図3の如く構成された本発明の動作原理を
次の如く説明する。第1クロック信号CK1 はポンピング
キャパシターM4,M6に印加され、一方、第2クロック信
号CK2 はポンピングキャパシターM5に印加される。
【0017】第1クロック信号CK1 がロー(low )から
ハイ(high)になり、一方、第2クロック信号CK2 はハ
イからローの状態になる場合、トランジスターM3がター
ンオンされ入力端子と出力端子が相互に連結されるが、
入力と出力の位相は入力がローで出力はハイであるため
出力において入力側にチャージが流出することになり出
力電圧は降下することになる。このときトランジスター
M1がターンオンされノードN1をディスチャージすること
になる。
【0018】その後、第1クロック信号CK1 がハイから
ローの状態になり、一方、第2クロック信号CK2 がロー
からハイの状態になる場合、トランジスターM2がターン
オンされ入力端子inの電位はチャージポンプ1の出力電
圧と同じくなる。
【0019】一方、トランジスターM3はオフになりポン
ピングキャパシターM6のキャパシタンスにより出力ノー
ドの電圧は瞬間的に下がり、第1クロック信号CK1 がロ
ーの間チャージポンプの出力電圧を維持することにな
る。
【0020】このような動作を繰り返すことによりネガ
ティブ電圧駆動回路3の出力はチャージポンプ1の出力
より常に低い電圧を維持することになるのでフラッシュ
EEPROMセルのゲート電極Gに大きなネガティブ電
圧を供給することができるようになる。
【0021】図4は本発明の第2実施形態によるネガテ
ィブ電圧駆動回路を説明するための回路図である。
【0022】第1クロック信号CK1 はポンピングキャパ
シターM4,M6に印加され、一方、第2クロック信号CK2
はポンピングキャパシターM5に印加される。前記クロッ
ク信号CK1 ,CK2 はハイとローの信号が周期的に変化し
ながら印加される。
【0023】第1クロック信号CK1 がローからハイにな
り、一方、第2クロック信号CK2 がハイからローの状態
になる場合、トランジスターM1,M3がターンオンされ出
力と入力が連結されるが、出力と入力の位相は入力がロ
ーで出力はハイであるため出力から入力側にチャージが
流出することになり出力の電圧は降下し、トランジスタ
ーM1もオン(on)になってノードN1をディスチャージす
ることになる。
【0024】第1クロック信号CK1 がハイからローにな
り、一方、第2クロック信号CK2 はローからハイになる
場合、トランジスターM2はターンオンされる反面、トラ
ンジスターM1,M3はターンオフされる。
【0025】その後、ポンピングキャパシターM6により
出力ノードの電圧は瞬間的に降下し第1クロック信号CK
1 がローの間、ネガティブ電圧を維持することができ
る。このような動作を繰り返ししてネガティブ電圧駆動
回路出力はチャージポンプ1回路の出力より常により低
い電圧を維持することができることによりフラッシュE
EPROMセルのゲート電極Gに大きなネガティブ電圧
を供給することができる。
【0026】図5は本発明の第3実施形態によるネガテ
ィブ電圧駆動回路を説明するための回路図である。第1
クロック信号CK1 の入力信号はポンピングキャパシター
M5,M7に、一方、第2クロック信号CK2 はポンピングキ
ャパシターM6に各々印加される。前記クロック信号はハ
イとローの信号が周期的に変化しながら印加される。
【0027】第1クロック信号CK1 がローからハイにな
り、第2クロック信号CK2 がハイからローの状態になる
場合、トランジスターM1,M3,M4がターンオンされ、出
力と入力が連結されるが、入力と出力の位相は入力がロ
ーで出力はハイであるため入力側にチャージが流出して
出力電圧は降下し、トランジスターM1,M3もターンオン
されノードN1をディスチャージすることになる。
【0028】第1クロック信号CK1 がハイからローにな
り、第2クロック信号CK2 がローからハイ状態になる場
合、トランジスターM2はターンオンされる反面、トラン
ジスターM1,M3,M4はターンオフされ、ポンピングキャ
パシターM7により出力out の電圧は瞬間的に降下して第
1クロック信号CK1 がローの間、ネガティブ電圧を維持
することになる。
【0029】このような動作を繰り返すことになり出力
はネガティブチャージポンプ1回路の出力より常により
低い電圧を維持することにより、フラッシュEEPRO
Mセルのゲート電極Gに大きなネガティブ電圧を供給す
ることになる。
【0030】図7は従来のネガティブ電圧駆動回路を説
明するための波形図であり、図面に図示された如く図1
のレギュレーター2を経由したネガティブ電圧V1は−8
[V]まで降下するが、ネガティブ電圧駆動回路の出力
電圧V3は略−1[V]において飽和状態になるためネガ
ティブ電圧V1をフラッシュEEPROMセルのゲート電
極Gに充分に供給することができない。
【0031】図8(A)及び図8(B)はレギュレータ
ー及び本発明のネガティブ電圧駆動回路を説明するため
の波形図である。
【0032】図8(A)は図1のレギュレーター2を経
由したネガティブ電圧V1を表し、図8(B)はネガティ
ブ電圧駆動回路3の出力電圧V3を表す。
【0033】図面に図示された如くネガティブ電圧駆動
回路3の出力電圧はレギュレーター2を経由したネガテ
ィブ電圧より低い電圧で維持されるためフラッシュEE
PROMセルのゲート電極Gにネガティブ電圧V1を充分
に供給することができる。
【0034】
【発明の効果】上述した如く本発明はセルのゲート電極
に大きいネガティブ電圧を供給することができる卓越し
た効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】ネガティブチャージポンプを説明するためのブ
ロック図である。
【図2】従来のネガティブ電圧駆動回路図である。
【図3】本発明の第1実施形態によるネガティブ電圧駆
動回路図である。
【図4】本発明の第2実施形態によるネガティブ電圧駆
動回路図である。
【図5】本発明の第3実施形態によるネガティブ電圧駆
動回路図である。
【図6】従来及び本発明によるネガティブ電圧駆動回路
を説明するための波形図である。
【図7】図1のレギュレーター及びネガティブ電圧駆動
回路の出力波形図である。
【図8】(A)は図1のレギュレーターの出力波形図、
(B)は本発明によるネガティブ電圧駆動回路の出力波
形図である。
【符号の説明】
1…チャージポンプ 2…レギュレーター 3…ネガティブ電圧駆動回路

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ネガティブ電圧駆動回路において、 入力端子と出力端子間に接続され、第1及び第2クロッ
    ク信号により交互に動作するクロスラッチポンピング回
    路により制御されるスイッチング素子と、 前記出力端子に接続され且つ前記第1クロック信号を入
    力し、前記入力端子と出力端子が分離されたとき動作す
    るポンピング動作をするポンピングキャパシターにより
    構成されることを特徴とするネガティブ電圧駆動回路。
  2. 【請求項2】 請求項1において、 前記トランジスターはPMOSトランジスターにより構
    成されていることを特徴とするネガティブ電圧駆動回
    路。
  3. 【請求項3】 請求項1において、 前記クロスラッチポンピング回路は第1及び第2クロッ
    ク信号を各々入力とする第1及び第2ポンピングキャパ
    シターと、 前記第1及び第2ポンピングキャパシターに入力される
    第1及び第2クロック信号により交互に動作するPMO
    Sラッチ回路により構成されていることを特徴とするネ
    ガティブ電圧駆動回路。
  4. 【請求項4】 請求項1において、 前記ポンピングキャパシターはドレイン及びソース端子
    が第1クロック信号入力端子に接続されているPMOS
    トランジスターにより構成されていることを特徴とする
    ネガティブ電圧駆動回路。
  5. 【請求項5】 ネガティブ電圧駆動回路において、チャ
    ージポンプから電圧が印加される入力端子と第1クロッ
    ク信号入力端子間に直列に接続され、ゲート端子が第2
    ポンピングキャパシタに接続される第1PMOSトラン
    ジスター及び第1ポンピングキャパシターと、 前記入力端子と第2クロック信号入力端子間に直列に接
    続され、ゲート端子が第1ポンピングキャパシターに接
    続される第2PMOSトランジスター及び第2ポンピン
    グキャパシターと、 前記入力端子と出力端子間に接続される第3PMOSト
    ランジスターと、前記第1クロック信号入力端子と出力
    端子間に接続される第3ポンピングキャパシターにより
    構成されることを特徴とするネガティブ電圧駆動回路。
  6. 【請求項6】 ネガティブ電圧駆動回路において、 チャージポンプからネガティブ電圧が印加される入力端
    子及び出力端子間に接続された第1PMOSトランジス
    タと、 上記入力端子及び第1ノッド間に接続されゲート電極が
    上記第1PMOSトランジスタのゲート電極及び第2ノ
    ッドに接続された第2PMOSトランジスタと、 上記出力端子及び上記第2ノッド間に接続されゲート電
    極が上記第1ノッドに接続された第3PMOSトランジ
    スタと、 第1クロック信号の入力を受ける第1クロック信号入力
    端子及び上記第1ノッド間に接続された第1ポンピング
    キャパシタと、 第2クロック信号の入力を受ける第2クロック信号入力
    端子及び上記第2ノッド間に接続された第2ポンピング
    キャパシタと、 上記出力端子及び上記第1クロック信号入力端子間に接
    続された第3ポンピングキャパシタからなることを特徴
    とするネガティブ電圧駆動回路。
  7. 【請求項7】ネガティブ電圧駆動回路において、 チャージポンプからネガティブ電圧が印加される入力端
    子及び第1ノッド間に接続された第1PMOSトランジ
    スタと、 上記入力端子及び第2ノッド間に接続されゲート電極が
    上記第1PMOSトランジスタのゲート電極及び第3ノ
    ッドに各々接続された第2PMOSトランジスタと、 上記第1ノッド及び上記第3ノッド間に接続されゲート
    電極が上記第2ノッドに接続された第3PMOSトラン
    ジスタと、 第1クロック信号の入力を受ける第1クロック信号入力
    端子及び上記第2ノッド間に接続された第1ポンピング
    キャパシタと、 第2クロック信号の入力を受ける第2クロック信号入力
    端子及び上記第3ノッド間に接続された第2ポンピング
    キャパシタと、 上記出力端子及び上記第1クロック信号入力端子間に接
    続された第3ポンピングキャパシタと、 上記第1ノッド及び上記出力端子間に接続されゲート電
    極が上記第3ノッドに接続された第4PMOSトランジ
    スタからなることを特徴とするネガティブ電圧駆動回
    路。
JP26990796A 1995-10-14 1996-10-11 ネガティブ電圧駆動回路 Expired - Fee Related JP2807664B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR95-35435 1995-10-14
KR1019950035435A KR100208443B1 (ko) 1995-10-14 1995-10-14 네가티브 전압 구동회로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09128984A JPH09128984A (ja) 1997-05-16
JP2807664B2 true JP2807664B2 (ja) 1998-10-08

Family

ID=19430205

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP26990796A Expired - Fee Related JP2807664B2 (ja) 1995-10-14 1996-10-11 ネガティブ電圧駆動回路

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5838190A (ja)
JP (1) JP2807664B2 (ja)
KR (1) KR100208443B1 (ja)
DE (1) DE19642377B4 (ja)
GB (1) GB2306259B (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100256226B1 (ko) * 1997-06-26 2000-05-15 김영환 레퍼런스 전압 발생 장치
FR2773012B1 (fr) * 1997-12-24 2001-02-02 Sgs Thomson Microelectronics Dispositif a pompe de charges negatives
US20030016070A1 (en) * 2001-07-17 2003-01-23 Wenhua Yang Bootstrap module for multi-stage circuit
US20080068068A1 (en) * 2006-09-19 2008-03-20 Sridhar Yadala Method and system for charge pumps
CN100592153C (zh) * 2007-06-08 2010-02-24 群康科技(深圳)有限公司 负电压产生电路
CN104714589B (zh) * 2015-01-09 2017-08-25 中国电子科技集团公司第二十四研究所 一种cmos片上直流负电压产生电路
JP6679402B2 (ja) * 2016-04-28 2020-04-15 ラピスセミコンダクタ株式会社 昇圧回路
CN110265080A (zh) * 2019-06-25 2019-09-20 中国科学院微电子研究所 一种字线电压产生电路

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1239781B (it) * 1990-05-08 1993-11-15 Texas Instruments Italia Spa Circuito e metodo per commutare selettivamente tensioni negative in circuiti integrati cmos
JP2575956B2 (ja) * 1991-01-29 1997-01-29 株式会社東芝 基板バイアス回路
US5126590A (en) * 1991-06-17 1992-06-30 Micron Technology, Inc. High efficiency charge pump
KR940005691B1 (ko) * 1991-10-25 1994-06-22 삼성전자 주식회사 기판전압 발생 장치의 차아지 펌프회로
IT1258242B (it) * 1991-11-07 1996-02-22 Samsung Electronics Co Ltd Dispositivo di memoria a semiconduttore includente circuiteria di pompaggio della tensione di alimentazione
KR950002726B1 (ko) * 1992-03-30 1995-03-24 삼성전자주식회사 기판전압 발생기의 전하 펌프 회로
JP3170038B2 (ja) * 1992-05-19 2001-05-28 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
JP2755047B2 (ja) * 1992-06-24 1998-05-20 日本電気株式会社 昇圧電位発生回路
US5347171A (en) * 1992-10-15 1994-09-13 United Memories, Inc. Efficient negative charge pump
US5412257A (en) * 1992-10-20 1995-05-02 United Memories, Inc. High efficiency N-channel charge pump having a primary pump and a non-cascaded secondary pump
US5436587A (en) * 1993-11-24 1995-07-25 Sundisk Corporation Charge pump circuit with exponetral multiplication

Also Published As

Publication number Publication date
DE19642377B4 (de) 2014-10-30
GB2306259A (en) 1997-04-30
GB2306259B (en) 2000-05-31
JPH09128984A (ja) 1997-05-16
US5838190A (en) 1998-11-17
KR100208443B1 (ko) 1999-07-15
KR970023446A (ko) 1997-05-30
DE19642377A1 (de) 1997-04-17
GB9621077D0 (en) 1996-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4557577B2 (ja) チャージポンプ回路
US5532916A (en) Voltage converting circuit and multiphase clock generating circuit used for driving the same
KR100259784B1 (ko) 승압 회로
KR100374644B1 (ko) 승압 전압의 조절이 가능한 전압 승압 회로
US6026002A (en) Circuit configuration for supplying an electronic load circuit
JP2005533443A (ja) 周波数安定化リングオシレータ
JPS6053553B2 (ja) 電圧供給装置
JP2845206B2 (ja) 高電圧発生回路
JPH09198887A (ja) 高電圧発生回路
US6366482B1 (en) Voltage conversion circuit
JP2807664B2 (ja) ネガティブ電圧駆動回路
JPH09154274A (ja) チャージポンプ回路
JP3096252B2 (ja) ネガティブ電圧駆動回路
JP3430155B2 (ja) 電源昇圧回路
JP3638696B2 (ja) Vco回路の駆動方法及びvco回路
JPH11299227A (ja) チャージポンプ回路
JPS5815427A (ja) 電池用電源回路
JPH01134796A (ja) 不揮発性半導体記憶装置
KR102291175B1 (ko) 차지 펌프 회로, 반도체 장치 및 반도체 기억장치
JPH02122705A (ja) 低消費電流型cmos水晶発振回路
WO1998027477A1 (en) A regulator system for charge pump circuits
JP3702169B2 (ja) 昇圧システム
JP3096711B2 (ja) チャージポンプの出力電圧制御装置
KR100231730B1 (ko) 네가티브 전압 구동 회로
CN116610176A (zh) 包括电荷泵电路的电压调节器

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070724

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080724

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080724

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090724

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090724

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100724

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110724

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110724

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120724

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130724

Year of fee payment: 15

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees