JP2804620B2 - 光デイスク評価装置 - Google Patents
光デイスク評価装置Info
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- JP2804620B2 JP2804620B2 JP27051390A JP27051390A JP2804620B2 JP 2804620 B2 JP2804620 B2 JP 2804620B2 JP 27051390 A JP27051390 A JP 27051390A JP 27051390 A JP27051390 A JP 27051390A JP 2804620 B2 JP2804620 B2 JP 2804620B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光デイスクの品質を評価するための装置に
係り、特に、未使用光デイスクのデータ記録領域での欠
陥を検出する光デイスクの評価装置に関する。
係り、特に、未使用光デイスクのデータ記録領域での欠
陥を検出する光デイスクの評価装置に関する。
データが記録された光デイスクからデータを再生する
場合には、レンズによる収束光を光デイスクに照射し、
そこからの反射光を光検出器で検出して電気信号を得る
ようにしている。光デイスク上では、データの各ビツト
がピツトとして記録されるが、ピツト部とピツト間とで
反射率が異なるため、得られる電気信号はピツト部とピ
ツト間とに応じてレベルが異なる。
場合には、レンズによる収束光を光デイスクに照射し、
そこからの反射光を光検出器で検出して電気信号を得る
ようにしている。光デイスク上では、データの各ビツト
がピツトとして記録されるが、ピツト部とピツト間とで
反射率が異なるため、得られる電気信号はピツト部とピ
ツト間とに応じてレベルが異なる。
なお、以下では、光デイスクとは、光ビームのみによ
つて記録が行なわれ、光ビームによつて再生が行なわれ
る光デイスクばかりでなく、光ビームと磁気手段とで記
録が行なわれ、光ビームによつて再生が行なわれる光磁
気デイスクも含む。したがつて、光磁気デイスク上での
データのビツトが記録される磁化領域もピツトというこ
とにする。
つて記録が行なわれ、光ビームによつて再生が行なわれ
る光デイスクばかりでなく、光ビームと磁気手段とで記
録が行なわれ、光ビームによつて再生が行なわれる光磁
気デイスクも含む。したがつて、光磁気デイスク上での
データのビツトが記録される磁化領域もピツトというこ
とにする。
さて、上記のようにして得られる電気信号は微分回路
で微分され、その出力である微分信号の零クロス点を検
出することにより、ピツトを検出してデータを再生する
ようにしている。
で微分され、その出力である微分信号の零クロス点を検
出することにより、ピツトを検出してデータを再生する
ようにしている。
ところで、かかる光デイスクの表面に傷などの欠陥が
あると、この欠陥で反射率が変化することにより、得ら
れる電気信号にレベル変動が生ずる。この欠陥が微小で
あつてこれによる電気信号のレベルが微小であつても、
この電気信号を微分すると、この微小欠陥によるレベル
変動時点で微分波形が生じ、データ検出の際にこの微粉
波形の零クロス点も生じて再生データにエラーが発生す
ることになる。
あると、この欠陥で反射率が変化することにより、得ら
れる電気信号にレベル変動が生ずる。この欠陥が微小で
あつてこれによる電気信号のレベルが微小であつても、
この電気信号を微分すると、この微小欠陥によるレベル
変動時点で微分波形が生じ、データ検出の際にこの微粉
波形の零クロス点も生じて再生データにエラーが発生す
ることになる。
かかるエラーがたまに生ずるものであれば、通常デー
タに付加されて記録される誤り訂正符号でもつて訂正可
能であるが、エラーが頻繁に生ずるようになると、もは
や訂正が不能となる。このような光デイスクは使用不能
なものである。そこで、光デイスクを使用に供する際に
は、それが使用可能であるか否かを評価する必要があ
る。
タに付加されて記録される誤り訂正符号でもつて訂正可
能であるが、エラーが頻繁に生ずるようになると、もは
や訂正が不能となる。このような光デイスクは使用不能
なものである。そこで、光デイスクを使用に供する際に
は、それが使用可能であるか否かを評価する必要があ
る。
従来の光デイスク評価装置は、一般に、光デイスクか
らの再生信号を一定のスライスレベルでスライスし、欠
陥を検出するものであつた。すなわち、プリピツトが形
成されている未使用の光デイスクについて、第５図によ
つて説明すると、同図（ａ）に示すように、光デイスク
からはプリピツトから得られるID信号を含む再生信号が
得られるが、この光デイスクに欠陥があると、再生信号
にはn1,n2,n3で示す欠陥が現われる。なお、この再生信
号の基準レベル（信号成分も欠陥もないときのレベル）
E0に対して正レベルの欠陥n1を明欠陥、負レベルの欠陥
n2,n3を暗欠陥ということにする。
らの再生信号を一定のスライスレベルでスライスし、欠
陥を検出するものであつた。すなわち、プリピツトが形
成されている未使用の光デイスクについて、第５図によ
つて説明すると、同図（ａ）に示すように、光デイスク
からはプリピツトから得られるID信号を含む再生信号が
得られるが、この光デイスクに欠陥があると、再生信号
にはn1,n2,n3で示す欠陥が現われる。なお、この再生信
号の基準レベル（信号成分も欠陥もないときのレベル）
E0に対して正レベルの欠陥n1を明欠陥、負レベルの欠陥
n2,n3を暗欠陥ということにする。
かかる再生信号を基準レベルE0よりも高レベルのスラ
イスレベルE+と低レベルのスライスレベルE-でスライス
すると、第５図（ｂ）に示すように、スライスレベルE+
によつてこれよりも高レベルの明欠陥n1が検出され、ま
た、第５図（ｃ）に示すように、スライスレベルE-によ
つてこれよりも低レベルの暗欠陥n2が検出される。この
ように検出された欠陥により、光デイスクの品質評価が
なされていた。
イスレベルE+と低レベルのスライスレベルE-でスライス
すると、第５図（ｂ）に示すように、スライスレベルE+
によつてこれよりも高レベルの明欠陥n1が検出され、ま
た、第５図（ｃ）に示すように、スライスレベルE-によ
つてこれよりも低レベルの暗欠陥n2が検出される。この
ように検出された欠陥により、光デイスクの品質評価が
なされていた。
しかしながら、第５図（ａ）における暗欠陥n3はスラ
イスレベルE-にひつかからない。このようなスライスレ
ベルE+,E-のいずれにもひつかからない微小欠陥はこの
方法によつて検出することができない。
イスレベルE-にひつかからない。このようなスライスレ
ベルE+,E-のいずれにもひつかからない微小欠陥はこの
方法によつて検出することができない。
一方、データが記録された光デイスクからデータを再
生するに際しては、光デイスクからの再生信号を微分
し、その微分波形の零クロス点を検出することによつて
データを検出している。このような再生方法によると、
第５図（ａ）における微小な暗欠陥n3もかなり大きな微
分波形して現われ、データエラーの原因となる。第５図
（ｄ）は第５図（ａ）に示す再生信号の微分波形を表わ
しており、微小欠陥n3も振幅が大きい微分波形n3′とし
て現われる場合もある。
生するに際しては、光デイスクからの再生信号を微分
し、その微分波形の零クロス点を検出することによつて
データを検出している。このような再生方法によると、
第５図（ａ）における微小な暗欠陥n3もかなり大きな微
分波形して現われ、データエラーの原因となる。第５図
（ｄ）は第５図（ａ）に示す再生信号の微分波形を表わ
しており、微小欠陥n3も振幅が大きい微分波形n3′とし
て現われる場合もある。
したがつて、実際に使用される光デイスクの品質は、
上記従来の光デイスク評価装置で評価される品質よりも
低いものとなり、正しい評価がなされないことになる。
上記従来の光デイスク評価装置で評価される品質よりも
低いものとなり、正しい評価がなされないことになる。
従来の光デイスク評価装置の他の例が特開昭62−2915
50号公報に記載されている。
50号公報に記載されている。
これは、光デイスクからの再生信号を微分し、その微
分波形を基準電圧とレベル比較することによつて欠陥を
検出するものであり、光デイスクでの反射率の不均一性
による再生信号の基準レベルの変動を微分によつて除去
するようにしたものである。
分波形を基準電圧とレベル比較することによつて欠陥を
検出するものであり、光デイスクでの反射率の不均一性
による再生信号の基準レベルの変動を微分によつて除去
するようにしたものである。
ところで、この方法によると、第５図で説明したよう
に、同図（ａ）に示す微小欠陥n3も、微分されると、同
図（ｄ）に示すように振幅が大きな微分波形n3′とな
り、検出されるようになり、光デイスクの品質評価の精
度が高まることになる。
に、同図（ａ）に示す微小欠陥n3も、微分されると、同
図（ｄ）に示すように振幅が大きな微分波形n3′とな
り、検出されるようになり、光デイスクの品質評価の精
度が高まることになる。
しかしながら、光デイスクの反射率は、再生信号の基
準レベルに影響を与えるのみならず、データや欠陥の振
幅にも影響を与える。したがつて、同じ品質の光デイス
クであつても、再生信号のデータや欠陥の振幅がより小
さい光デイスクに対しては、これを微分しても欠陥の微
分波形はやはり振幅が小さく、欠陥が検出されない場合
もある。このような微小な欠陥も、再生信号を微分し、
その微分波形のゼロクロス点からデータを検出する際に
は、同時に検出されてしまい、データエラーの原因とな
る。
準レベルに影響を与えるのみならず、データや欠陥の振
幅にも影響を与える。したがつて、同じ品質の光デイス
クであつても、再生信号のデータや欠陥の振幅がより小
さい光デイスクに対しては、これを微分しても欠陥の微
分波形はやはり振幅が小さく、欠陥が検出されない場合
もある。このような微小な欠陥も、再生信号を微分し、
その微分波形のゼロクロス点からデータを検出する際に
は、同時に検出されてしまい、データエラーの原因とな
る。
このことは、光デイスクの反射率が不均一な場合でも
同様であり、再生信号の振幅が小さい部分での欠陥が検
出できない場合もある。
同様であり、再生信号の振幅が小さい部分での欠陥が検
出できない場合もある。
本発明の目的は、かかる問題を解消し、再生信号の振
幅の大きさにかかわらず、該再生信号から微小欠陥を効
率よく検出し、品質評価の精度を高めることができるよ
うにした光デイスク評価装置を提供することにある。
幅の大きさにかかわらず、該再生信号から微小欠陥を効
率よく検出し、品質評価の精度を高めることができるよ
うにした光デイスク評価装置を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明は、プリピツトが
形成されている光デイスクからの再生信号を微分する微
分回路と、該微分回路から出力される該プリピツトの微
分波形の振幅が一定となる利得で該微分回路の出力信号
を増幅する自動利得制御回路と、該自動車利得制御回路
の出力信号を、該プリペツトの微分波形の期間以外の期
間、一定の基準電圧とレベル比較するコンパレータとを
設ける。
形成されている光デイスクからの再生信号を微分する微
分回路と、該微分回路から出力される該プリピツトの微
分波形の振幅が一定となる利得で該微分回路の出力信号
を増幅する自動利得制御回路と、該自動車利得制御回路
の出力信号を、該プリペツトの微分波形の期間以外の期
間、一定の基準電圧とレベル比較するコンパレータとを
設ける。
また、本発明は、プリピツトが形成されている光デイ
スクからの再生信号を微分する微分回路と、該微分回路
から出力される該プリピツトの微分波形の振幅に応じた
レベルの基準電圧を発生する基準電圧発生回路と、該微
分回路の出力信号と該基準電圧とをレベル比較するコン
パレータとを設ける。
スクからの再生信号を微分する微分回路と、該微分回路
から出力される該プリピツトの微分波形の振幅に応じた
レベルの基準電圧を発生する基準電圧発生回路と、該微
分回路の出力信号と該基準電圧とをレベル比較するコン
パレータとを設ける。
光デイスクからの再生信号の振幅が一定しなくとも、
あるいは光デイスク毎に再生信号の振幅が異なつても、
自動利得制御回路から出力される微分波形の振幅は再生
信号の振幅の違いに影響されなくなる。したがつて、微
小欠陥が、再生信号の振幅が小さいために、より微小と
なつても、自動利得制御回路から出力されるこの微小欠
陥の微分波形は振幅が大きくなり、コンパレータでの検
出が可能となる。
あるいは光デイスク毎に再生信号の振幅が異なつても、
自動利得制御回路から出力される微分波形の振幅は再生
信号の振幅の違いに影響されなくなる。したがつて、微
小欠陥が、再生信号の振幅が小さいために、より微小と
なつても、自動利得制御回路から出力されるこの微小欠
陥の微分波形は振幅が大きくなり、コンパレータでの検
出が可能となる。
また、光デイスクから再生されるプリピツトの微分波
形の振幅に応じたレベルの基準電圧を形成し、光デイス
クの再生信号の微分波形のこの基準電圧とをレベル比較
するから、この再生信号の振幅が変化してもこれに応じ
て基準電圧のレベルが変動することになり、再生信号の
振幅が小さくなつてさらに振幅が小さくなつた微小欠陥
も検出できる。
形の振幅に応じたレベルの基準電圧を形成し、光デイス
クの再生信号の微分波形のこの基準電圧とをレベル比較
するから、この再生信号の振幅が変化してもこれに応じ
て基準電圧のレベルが変動することになり、再生信号の
振幅が小さくなつてさらに振幅が小さくなつた微小欠陥
も検出できる。
以下、本発明の実施例を図面によつて説明する。
第１図は本発明による光デイスク評価装置の一実施例
を示す構成図であつて、１は光デイスク、２はフオーカ
スレンズ、３は偏光ビームスプリツタ、４はレンズ、５
はプリズム、６は半導体レーザ、７はλ/2板、８はレン
ズ、９は偏光ビームスプリツタ、10,11は受光素子、12
は加算増幅器、13は微分増幅器、14はAGC（自動利得制
御）回路、15,16はコンパレータ、17,18は分圧回路、1
9,20は出力端子、21は２値化回路、22はIDエリア検出回
路、23はインバータである。
を示す構成図であつて、１は光デイスク、２はフオーカ
スレンズ、３は偏光ビームスプリツタ、４はレンズ、５
はプリズム、６は半導体レーザ、７はλ/2板、８はレン
ズ、９は偏光ビームスプリツタ、10,11は受光素子、12
は加算増幅器、13は微分増幅器、14はAGC（自動利得制
御）回路、15,16はコンパレータ、17,18は分圧回路、1
9,20は出力端子、21は２値化回路、22はIDエリア検出回
路、23はインバータである。
また、第２図は第１図の各部での信号を示す波形図で
あつて、第１図に対応する信号には同一符号をつけてい
る。
あつて、第１図に対応する信号には同一符号をつけてい
る。
第１図および第２図において、半導体レーザ６から出
力されるレーザ光はプリズム５でビーム状に形成され、
さらに、レンズ４によつて平行ビームとなる。この平行
ビームは偏光ビームスプリツタ３を通り、フオーカスレ
ンズ２によつて光デイスク１の記録面上に収束，照射さ
れる。
力されるレーザ光はプリズム５でビーム状に形成され、
さらに、レンズ４によつて平行ビームとなる。この平行
ビームは偏光ビームスプリツタ３を通り、フオーカスレ
ンズ２によつて光デイスク１の記録面上に収束，照射さ
れる。
ここで、光デイスク１は製造されたままの未使用のも
のであるが、予めトラツクアドレスやセクタアドレスな
どを表わすID信号がプリピツトとして記録されている。
このプリピツトが形成されている領域以外の領域がデー
タの記録領域である。
のであるが、予めトラツクアドレスやセクタアドレスな
どを表わすID信号がプリピツトとして記録されている。
このプリピツトが形成されている領域以外の領域がデー
タの記録領域である。
光デイスク１の記録面からの反射ビームはフオーカス
レンズ２で平行ビームとなり、偏光ビームスプリツタ３
が反射され、λ/2板７で偏波面が回転する。λ/2板７か
ら出力される平行ビームはレンズ８で収束光となり、収
束点の前方に配置された偏光ビームスプリツタ９によつ
て偏光面が異なる２つの収束ビームに分割される。偏光
ビームスプリツタ９から出力される２つの収束ビーム
は、夫々別々の受光素子10,11で受光される。受光素子1
0,11は２分割のセンサであり、受光素子10,11の出力信
号を演算処理することにより、トラツキング制御信号や
フオーカス制御信号が得られる。
レンズ２で平行ビームとなり、偏光ビームスプリツタ３
が反射され、λ/2板７で偏波面が回転する。λ/2板７か
ら出力される平行ビームはレンズ８で収束光となり、収
束点の前方に配置された偏光ビームスプリツタ９によつ
て偏光面が異なる２つの収束ビームに分割される。偏光
ビームスプリツタ９から出力される２つの収束ビーム
は、夫々別々の受光素子10,11で受光される。受光素子1
0,11は２分割のセンサであり、受光素子10,11の出力信
号を演算処理することにより、トラツキング制御信号や
フオーカス制御信号が得られる。
また、受光素子10,11の出力信号は加算増幅器12で加
算され、光デイスク１上のプリピツトのID信号を含む再
生信号ａが得られる。光デイスク１に欠陥があると、第
２図に示すように、再生信号ａに、たとえば明欠陥n1や
暗欠陥n2,n3が現われる。この再生信号ａは微分増幅回
路14で微分され、微分信号ｄが得られる。この微分信号
ｄは、ID信号の微分波形ID′とともに、欠陥n1,n2,n3の
微分波形n1′,n1″,n2′,n2″,n3′,n3″も含まれてお
り、AGC回路14に供給されて増幅される。
算され、光デイスク１上のプリピツトのID信号を含む再
生信号ａが得られる。光デイスク１に欠陥があると、第
２図に示すように、再生信号ａに、たとえば明欠陥n1や
暗欠陥n2,n3が現われる。この再生信号ａは微分増幅回
路14で微分され、微分信号ｄが得られる。この微分信号
ｄは、ID信号の微分波形ID′とともに、欠陥n1,n2,n3の
微分波形n1′,n1″,n2′,n2″,n3′,n3″も含まれてお
り、AGC回路14に供給されて増幅される。
AGC回路14から出力される微分信号ｅは、２値化回路2
1で２値化された後、IDエリア検出回路22に供給され、I
D信号が検出されて微分回路13から出力される微分信号
ｄでのID信号が存在する期間（すなわち、IDエリア）を
表わすIDエリア信号ｂが生成される。
1で２値化された後、IDエリア検出回路22に供給され、I
D信号が検出されて微分回路13から出力される微分信号
ｄでのID信号が存在する期間（すなわち、IDエリア）を
表わすIDエリア信号ｂが生成される。
AGC回路14は、このIDエリア信号ｂによつて動作が制
御され、IDエリア信号ｂが表わす微分信号のIDエリアで
その振幅（すなわち、微分波形ID′の振幅）が予め決め
られた一定の大きさとなるように利得が制御され、IDエ
リア以外のエリア（以下、欠陥検出エリアという）で
は、この欠陥エリアの直前での利得が保持される。すな
わち、微分信号ｄは、AGC回路14により、ID信号の微分
波形ID′の振幅が一定の大きさとなり、欠陥n1,n2,n3の
微分波形n1′,n1″,n2′,n2″,n3′,n3″は、AGC回路14
により、その直前の微分波形ID′の振幅が一定の大きさ
となる利得で増幅されることになる。
御され、IDエリア信号ｂが表わす微分信号のIDエリアで
その振幅（すなわち、微分波形ID′の振幅）が予め決め
られた一定の大きさとなるように利得が制御され、IDエ
リア以外のエリア（以下、欠陥検出エリアという）で
は、この欠陥エリアの直前での利得が保持される。すな
わち、微分信号ｄは、AGC回路14により、ID信号の微分
波形ID′の振幅が一定の大きさとなり、欠陥n1,n2,n3の
微分波形n1′,n1″,n2′,n2″,n3′,n3″は、AGC回路14
により、その直前の微分波形ID′の振幅が一定の大きさ
となる利得で増幅されることになる。
そこで、光デイスク１の記録面での反射率の不均一性
や光デイスク間の反射率のバラツキなどの原因により、
再生信号ａの振幅が小さくなつて微分信号ｄ中の微小欠
陥の微分波形（たとえば、微分波形n3′）の振幅が非常
に小さくなつていたとしても、AGC回路14の上記作用に
より、微分信号ｅでの欠陥n3の微分波形n3′,n3″は充
分増幅され、上記の原因に影響されない大きな振幅とな
る。
や光デイスク間の反射率のバラツキなどの原因により、
再生信号ａの振幅が小さくなつて微分信号ｄ中の微小欠
陥の微分波形（たとえば、微分波形n3′）の振幅が非常
に小さくなつていたとしても、AGC回路14の上記作用に
より、微分信号ｅでの欠陥n3の微分波形n3′,n3″は充
分増幅され、上記の原因に影響されない大きな振幅とな
る。
AGC回路14からの出力される微分信号ｅはコンパレー
タ15,16に供給される。コンパレータ15では、微分信号
ｅが分圧回路17で電源電圧を分圧して得られる基準電圧
E+とレベル比較され、微分信号ｅからその基準レベルE0
よりも高レベルの欠陥n1,n2,n3に対する微分波形n1″,n
2″,n3″が抽出され、明欠陥信号ｆとして出力端子19か
ら出力される。また、コンパレータ16でも、同様に、微
分信号ｅが分圧回路18で電源電圧を分圧して得られる基
準電圧E-とレベル比較され、微分信号ｅからの基準レベ
ルE0よりも低レベルの欠陥n1,n2,n3に対する微分波形
n1′,n2′,n3′が抽出され、暗欠陥信号ｇとして出力端
子20から出力される。
タ15,16に供給される。コンパレータ15では、微分信号
ｅが分圧回路17で電源電圧を分圧して得られる基準電圧
E+とレベル比較され、微分信号ｅからその基準レベルE0
よりも高レベルの欠陥n1,n2,n3に対する微分波形n1″,n
2″,n3″が抽出され、明欠陥信号ｆとして出力端子19か
ら出力される。また、コンパレータ16でも、同様に、微
分信号ｅが分圧回路18で電源電圧を分圧して得られる基
準電圧E-とレベル比較され、微分信号ｅからの基準レベ
ルE0よりも低レベルの欠陥n1,n2,n3に対する微分波形
n1′,n2′,n3′が抽出され、暗欠陥信号ｇとして出力端
子20から出力される。
なお、コンパレータ15,16は、IDエリア信号ｂをイン
バータ23で反転して得られる制御信号ｃにより、欠陥検
出エリアでのみ動作するように制御される。
バータ23で反転して得られる制御信号ｃにより、欠陥検
出エリアでのみ動作するように制御される。
このようにして、光デイスクなどの特性に影響されて
微小欠陥がより小さい振幅で再生信号に含まれていて
も、その微分波形はその影響が除かれて大きな振幅とな
るので、微小欠陥も効率よく検出されることになる。
微小欠陥がより小さい振幅で再生信号に含まれていて
も、その微分波形はその影響が除かれて大きな振幅とな
るので、微小欠陥も効率よく検出されることになる。
なお、欠陥の個数を評価のデータとする場合には、明
欠陥信号ｆもしくは暗欠陥信号ｇでのパルスをカウント
すればよい。また、欠陥の大きさを評価のデータとする
場合には、第２図において、基準時点t0からの明欠陥信
号ｆおよび暗欠陥信号ｇでの各パルスまでの時間T1〜T6
を計測することにより、T2−T1が明欠陥n1の大きさとし
て、T4−T3が暗欠陥n2の大きさとして、また、T6−T5が
暗欠陥n3の大きさとして夫々得ることができる。
欠陥信号ｆもしくは暗欠陥信号ｇでのパルスをカウント
すればよい。また、欠陥の大きさを評価のデータとする
場合には、第２図において、基準時点t0からの明欠陥信
号ｆおよび暗欠陥信号ｇでの各パルスまでの時間T1〜T6
を計測することにより、T2−T1が明欠陥n1の大きさとし
て、T4−T3が暗欠陥n2の大きさとして、また、T6−T5が
暗欠陥n3の大きさとして夫々得ることができる。
第３図は本発明による光デイスク評価装置の他の実施
例を示す構成図であつて、23はAGC回路、24,25はピーク
検波ホールド回路、26,27は分圧回路であり、第１図に
対応する部分には同一符号をつけて重複する説明を省略
する。
例を示す構成図であつて、23はAGC回路、24,25はピーク
検波ホールド回路、26,27は分圧回路であり、第１図に
対応する部分には同一符号をつけて重複する説明を省略
する。
また、第４図は第１図の各部での信号を示す波形図で
あって、第３図に対応する信号には同一符号をつけてい
る。
あって、第３図に対応する信号には同一符号をつけてい
る。
第３図および第４図において、第１図に示した実施例
と同様に、再生信号ａが微分回路13で微分されて微分信
号ｄが得られる。この微分信号ｄは、AGC回路23でID信
号の微分波形ID′の振幅が予め決められた一定の大きさ
となるように増幅された後、第１図に示した実施例のよ
うに、２値化回路21とIDエリア検出回路22とで処理され
てIDエリア信号ｂが生成される。
と同様に、再生信号ａが微分回路13で微分されて微分信
号ｄが得られる。この微分信号ｄは、AGC回路23でID信
号の微分波形ID′の振幅が予め決められた一定の大きさ
となるように増幅された後、第１図に示した実施例のよ
うに、２値化回路21とIDエリア検出回路22とで処理され
てIDエリア信号ｂが生成される。
ピーク検波ホールド回路24はこのIDエリア信号ｂによ
つて動作が切換え制御され、IDエリアで微分信号ｄにお
けるID信号の微分波形ID′の正のピークレベルを検出
し、欠陥検出エリアでこのピークレベルの電圧ｅをホー
ルドして出力する。同様にして、ピーク検波ホールド回
路25は微分信号ｄにおける微分波形ID′の負のピークレ
ベルを検出し、欠陥エリアでこのピークレベルの電圧ｆ
をホールドして出力する。
つて動作が切換え制御され、IDエリアで微分信号ｄにお
けるID信号の微分波形ID′の正のピークレベルを検出
し、欠陥検出エリアでこのピークレベルの電圧ｅをホー
ルドして出力する。同様にして、ピーク検波ホールド回
路25は微分信号ｄにおける微分波形ID′の負のピークレ
ベルを検出し、欠陥エリアでこのピークレベルの電圧ｆ
をホールドして出力する。
なお、微分信号ｄの微分波形ID′を正，負に全波整流
して平滑し、これによつて得られる平滑電圧を電圧e,f
としてもよい。
して平滑し、これによつて得られる平滑電圧を電圧e,f
としてもよい。
また、ここで、正，負とは、微分信号ｄの基準レベル
E0に対するものであることはいうまでもない。
E0に対するものであることはいうまでもない。
このようにして得られた電圧ｅが分圧回路26で分圧さ
れて正の基準電圧E+が生成され、同様に、分圧回路27に
より、電圧ｆから負の基準電圧E-が生成される。コンパ
レータ15はインバータ23から制御信号ｃによつて欠陥検
出エリアのみ動作し、微分信号ｄと基準電圧E+とをレベ
ル比較して微分信号ｄの明欠陥n1″,n2″,n3″からなる
明欠陥信号ｇを出力する。同様に、コンパレータ16は微
分信号ｄと基準電圧E-とをレベル比較し、微分信号ｄの
暗欠陥n1′,n2′,n3′からなる暗欠陥信号ｈを出力す
る。
れて正の基準電圧E+が生成され、同様に、分圧回路27に
より、電圧ｆから負の基準電圧E-が生成される。コンパ
レータ15はインバータ23から制御信号ｃによつて欠陥検
出エリアのみ動作し、微分信号ｄと基準電圧E+とをレベ
ル比較して微分信号ｄの明欠陥n1″,n2″,n3″からなる
明欠陥信号ｇを出力する。同様に、コンパレータ16は微
分信号ｄと基準電圧E-とをレベル比較し、微分信号ｄの
暗欠陥n1′,n2′,n3′からなる暗欠陥信号ｈを出力す
る。
以上のように、この実施例では、再生信号の振幅に応
じてコンパレータ15,16の基準電圧E+,E-のレベルが変化
するから、再生信号の振幅が小さくなって微小欠陥の微
分波形の振幅がより小さくなっても、これにつれて基準
電圧E+,E-のレベルも低くなり、再生レベルに関係なく
微小欠陥が検出されることになる。
じてコンパレータ15,16の基準電圧E+,E-のレベルが変化
するから、再生信号の振幅が小さくなって微小欠陥の微
分波形の振幅がより小さくなっても、これにつれて基準
電圧E+,E-のレベルも低くなり、再生レベルに関係なく
微小欠陥が検出されることになる。
なお、第３図において、ピーク検波ホールド回路24,2
5の代りに、全波整流回路，半波整流回路などを用いて
もよい。
5の代りに、全波整流回路，半波整流回路などを用いて
もよい。
以上説明したように本発明によれば、再生レベルの変
化にかかわらず、微小欠陥を効率よく検出することがで
き、光デイスク品質評価の精度がより向上することにな
る。
化にかかわらず、微小欠陥を効率よく検出することがで
き、光デイスク品質評価の精度がより向上することにな
る。
第１図は本発明による光デイスク評価装置の一実施例を
示す構成図、第２図は第１図の各部の信号を示す波形
図、第３図は本発明による光デイスク評価装置の他の実
施例を示す構成図、第４図は第３図の各部の信号を示す
波形図、第５図は従来の光デイスク評価装置の一例の動
作を示す図である。 １……光デイスク、12……加算増幅器、13……微分増幅
器、14……AGC回路、15,16……コンパレータ、17,18…
…分圧回路、21……２値化回路、22……IDエリア検出回
路、23……AGC回路、24,25……ピーク検波ホールド回
路、26,27……分圧回路。
示す構成図、第２図は第１図の各部の信号を示す波形
図、第３図は本発明による光デイスク評価装置の他の実
施例を示す構成図、第４図は第３図の各部の信号を示す
波形図、第５図は従来の光デイスク評価装置の一例の動
作を示す図である。 １……光デイスク、12……加算増幅器、13……微分増幅
器、14……AGC回路、15,16……コンパレータ、17,18…
…分圧回路、21……２値化回路、22……IDエリア検出回
路、23……AGC回路、24,25……ピーク検波ホールド回
路、26,27……分圧回路。
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 7/26 G11B 7/00 G11B 20/18 501 G11B 23/00
Claims (2)
- 【請求項１】プリピツトが形成された光デイスクを回転
させて収束光を照射し、該光デイスクからの反射光を受
光して電気信号を得、該電気信号から該光デイスクの欠
陥を検出するようにした光デイスク評価装置であつて、 該電気信号を微分する微分回路と、 該微分回路から出力される該プリピツトの微分波形の振
幅が一定となる利得が設定され、該微分回路の出力信号
を増幅する自動利得制御回路と、 該自動利得制御回路の出力信号の該プリピツトの微分波
形の期間以外の期間動作し、該自動利得制御回路の出力
信号を一定の基準電圧とレベル比較して前記欠陥の微分
波形を検出するコンパレータと を備えたことを特徴とする光デイスク評価装置。 - 【請求項２】プリピツトが形成された光デイスクを回転
させて収束光を照射し、該光デイスクからの反射光を受
光して電気信号を得、該電気信号から該光デイスクの欠
陥を検出するようにした光デイスク評価装置であつて、 該電気信号を微分する微分回路と、 該微分回路から出力される該プリピツトの微分波形の振
幅に応じたレベルの基準電圧を発生する基準電圧発生回
路と、 該微分回路の出力信号の該プリピツトの微分波形の期間
以外の期間動作し、該微分回路の出力信号を該基準電圧
とレベル比較して前記欠陥の微分波形を検出するコンパ
レータと を備えたことを特徴とする光デイスク評価装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27051390A JP2804620B2 (ja) | 1990-10-11 | 1990-10-11 | 光デイスク評価装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27051390A JP2804620B2 (ja) | 1990-10-11 | 1990-10-11 | 光デイスク評価装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04147447A JPH04147447A (ja) | 1992-05-20 |
| JP2804620B2 true JP2804620B2 (ja) | 1998-09-30 |
Family
ID=17487284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27051390A Expired - Fee Related JP2804620B2 (ja) | 1990-10-11 | 1990-10-11 | 光デイスク評価装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2804620B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4844663B2 (ja) | 2009-09-14 | 2011-12-28 | 株式会社デンソー | レーダ装置 |
-
1990
- 1990-10-11 JP JP27051390A patent/JP2804620B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04147447A (ja) | 1992-05-20 |
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|---|---|---|---|
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