JPH1021547A - 光ディスクのディフェクト検出方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ディフェクトを的確に検出できる光ディスク
のディフェクト検出方法及びその装置を提供する。 【解決手段】 ＲＦ信号のエンベロープを信号ＥＶとし
て検出し、エンベロープ信号ＥＶの直流成分ＥＤＣを抽
出した後、エンベロープ直流成分ＥＤＣのレベルよりも
所定量低レベルの暗ディフェクト検出レベルＶａを生成
し、この検出レベルＶａとエンベロープ信号ＥＶのレベ
ルとを比較し、検出レベルＶａよりもエンベロープ信号
ＥＶのレベルが小さいときに暗ディフェクト検出信号Ｄ
１を出力し、エンベロープ信号ＥＶのレベルよりも所定
量低レベルの明ディフェクト検出レベルＶｂを生成し、
この検出レベルＶｂとエンベロープ信号ＥＶの直流成分
ＥＤＣのレベルとを比較し、この直流成分ＥＤＣのレベ
ルよりも明ディフェクト検出レベルＶｂが大きいときに
明ディフェクト検出信号Ｄ２を出力する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクの表面
に付着した傷や汚れ等のディフェクトを検出する光ディ
スクのディフェクト検出方法及びその装置に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】近年、情報の書き込みが可能な光ディス
クが普及し、広く使用されるようになってきている。例
えば、この一例である追記型光ディスク１は、図２に示
すように、トラッキング用グル−ブが形成された基板１
Ａ上にシアニン色素によって記録層１Ｂが形成され、さ
らにこの記録層１Ｂの上に金の反射層１Ｃ及び紫外線硬
化樹脂による保護層１Ｄが形成されている。

【０００３】この追記型光ディスクに情報を記録すると
きは、基板側からレーザ光２が照射されて記録層１Ｂに
ピットが形成され、情報記録が行われる。

【０００４】また、図３に示すように、光ディスク１の
基板表面に傷や汚れ等のディフェクト１Ｅを生じたとき
には、このディフェクト１Ｅによって記録層１Ｂに照射
されるレーザ光の強度が低下されると共に、光ディスク
装置（図示せず）への反射光強度が変化され、適切なピ
ットを形成することができなくなると共に、フォーカス
／トラッキングサーボが乱される。例えば、光ディスク
１の基板表面に傷が付くと記録層に照射される光量が減
少すると共に光ディスクからの反射光強度も低減し、基
板表面にインク等が付着すると記録層に照射される光量
が減少すると共に光ディスクからの反射光強度は増加す
る。

【０００５】このため、従来の光ディスク装置において
は、光ディスク表面のディフェクトを検出し、正常の情
報記録を行えるように工夫している。ここで、ディフェ
クトを検出する場合、光ディスクからの反射光量に対応
したレベルを有するＲＦ信号のエンベロープ信号を使用
している。即ち、このエンベロープ信号が第１の検出基
準レベル以下となったときに暗ディフェクトとして検出
し、第２の検出基準レベル以上となったときに明ディフ
ェクトとして検出している。ここで、前記第１及び第２
の検出基準レベルは所定の値に固定して設定されてい
る。

【０００６】この検出結果に基づいて、光ディスク装置
では、ディフェクトが存在する箇所において各サーボの
乱れを軽減する処理等を施している。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ようにディフェクト検出にエンベロープ信号のレベルを
そのまま用い、検出基準レベルが固定されているので、
指紋や汚れ等のエンベロープ信号のレベル変動が小さい
ディフェクトについては検出が非常に難しく、これらの
ディフェクトを検出できないことも多々あった。

【０００８】本発明の目的は上記の問題点に鑑み、ディ
フェクトを的確に検出できる光ディスクのディフェクト
検出方法及びその装置を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために請求項１では、レーザ光を用いて記録層に
情報を記録可能な光ディスクの表面に付着した汚れや傷
等のディフェクトを検出する光ディスクのディフェクト
検出方法であって、前記光ディスクの記録面からの反射
光より得られたＲＦ信号のエンベロープを信号として検
出すると共に、該エンベロープ信号の直流成分を抽出し
た後、該エンベロープ直流成分のレベルよりも所定量低
レベルの暗ディフェクト検出レベルを生成すると共に、
前記暗ディフェクト検出レベルと前記エンベロープ信号
のレベルとを比較し、前記暗ディフェクト検出レベルよ
りも前記エンベロープレベルが小さいときに暗ディフェ
クト検出となし、前記エンベロープ信号のレベルよりも
所定量低レベルの明ディフェクト検出レベルを生成する
と共に、前記明ディフェクト検出レベルと前記エンベロ
ープ信号の直流成分レベルとを比較し、前記直流成分レ
ベルよりも前記明ディフェクト検出レベルが大きいとき
に明ディフェクト検出となす光ディスクのディフェクト
検出方法を提案する。

【００１０】該光ディスクのディフェクト検出方法によ
れば、光ディスクの記録面からの反射光より得られたＲ
Ｆ信号のエンベロープが信号として検出され、該エンベ
ロープ信号の直流成分が抽出される。この後、該エンベ
ロープ直流成分のレベルよりも所定量低レベルの暗ディ
フェクト検出レベルが生成され、前記暗ディフェクト検
出レベルと前記エンベロープ信号のレベルとがを比較さ
れる。この比較の結果、前記暗ディフェクト検出レベル
よりも前記エンベロープレベルが小さいときに暗ディフ
ェクト検出となされる。また、前記エンベロープ信号の
レベルよりも所定量低レベルの明ディフェクト検出レベ
ルが生成され、該明ディフェクト検出レベルと前記エン
ベロープ信号の直流成分レベルとが比較される。この比
較の結果、前記直流成分レベルよりも前記明ディフェク
ト検出レベルが大きいときに明ディフェクト検出となさ
れる。

【００１１】これにより、ディフェクト検出レベルはＲ
Ｆ信号のレベルに従って変動するので、情報が記録され
た部分或いは情報が未記録の部分等の違いによりＲＦ信
号のレベル変動が生じても、適切な暗ディフェクト検出
レベル及び明ディフェクト検出レベルが生成される。

【００１２】また、請求項２では、請求項１記載の光デ
ィスクのディフェクト検出方法において、前記暗ディフ
ェクト検出レベル及び前記明ディフェクト検出レベルの
それぞれを少なくとも２つのうちから選択可能とした光
ディスクのディフェクト検出方法を提案する。

【００１３】該光ディスクのディフェクト検出方法によ
れば、暗ディフェクト検出レベル及び前記明ディフェク
ト検出レベルのそれぞれは、少なくとも２つのうちから
選択可能とされ、例えば、情報の記録再生時にサーボ系
のゲインダウン或いはミュート機能をイネーブルとする
検出レベルや、又は情報の記録再生動作を行う前に光デ
ィスクの表面状態を確認するときの検出レベル等が必要
に応じて切り替えられる。

【００１４】また、請求項３では、レーザ光を用いて記
録層に情報を記録可能な光ディスクの表面に付着した汚
れや傷等のディフェクトを検出する光ディスクのディフ
ェクト検出装置であって、前記光ディスクの記録面から
の反射光より得られたＲＦ信号のエンベロープを信号と
して検出するエンベロープ検出手段と、該エンベロープ
検出手段によって検出されたエンベロープ信号の直流成
分を抽出する直流成分抽出手段と、該エンベロープ直流
成分のレベルよりも所定量低レベルの暗ディフェクト検
出レベルを生成する暗ディフェクト検出レベル生成手段
と、前記エンベロープ信号のレベルよりも所定量低レベ
ルの明ディフェクト検出レベルを生成する明ディフェク
ト検出レベル生成手段と、前記暗ディフェクト検出レベ
ルと前記エンベロープ信号のレベルとを比較し、前記暗
ディフェクト検出レベルよりも前記エンベロープレベル
が小さいときに暗ディフェクト検出信号を出力する第１
の比較手段と、前記エンベロープ信号の直流成分レベル
と前記明ディフェクト検出レベルとを比較し、前記直流
成分レベルよりも前記明ディフェクト検出レベルが大き
いときに明ディフェクト検出信号を出力する第２の比較
手段とを備えた光ディスクのディフェクト検出装置を提
案する。

【００１５】該光ディスクのディフェクト検出装置によ
れば、エンベロープ検出手段によって光ディスクの記録
面からの反射光より得られたＲＦ信号のエンベロープが
信号として検出され、該エンベロープ信号の直流成分が
直流成分抽出手段によって抽出される。この後、暗ディ
フェクト検出レベル生成手段によって、前記エンベロー
プ直流成分のレベルよりも所定量低レベルの暗ディフェ
クト検出レベルが生成されると共に、明ディフェクト検
出レベル生成手段によって前記エンベロープ信号のレベ
ルよりも所定量低レベルの明ディフェクト検出レベルが
生成される。これにより、前記エンベロープ信号の直流
成分レベル及びディフェクト検出レベルはＲＦ信号のレ
ベルに従って変動するので、情報が記録された部分或い
は情報が未記録の部分等の違いによりＲＦ信号のレベル
変動が生じても、適切な暗ディフェクト検出レベル及び
明ディフェクト検出レベルが生成される。さらに、第１
の比較手段によって前記暗ディフェクト検出レベルと前
記エンベロープ信号のレベルとが比較され、前記暗ディ
フェクト検出レベルよりも前記エンベロープレベルが小
さいときに暗ディフェクト検出信号が出力され、また第
２の比較手段によって前記明ディフェクト検出レベルと
前記エンベロープ信号の直流成分レベルとが比較され、
前記直流成分レベルよりも前記明ディフェクト検出レベ
ルが大きいときに明ディフェクト検出信号が出力され
る。

【００１６】また、請求項４では、請求項３記載の光デ
ィスクのディフェクト検出装置において、前記暗ディフ
ェクト検出レベル生成手段及び明ディフェクト検出レベ
ル生成手段は、少なくとも２種類の検出レベルを生成可
能である光ディスクのディフェクト検出装置を提案す
る。

【００１７】該光ディスクのディフェクト検出装置によ
れば、暗ディフェクト検出レベル生成手段及び前記明デ
ィフェクト検出レベル生成手段のそれぞれは、少なくと
も２種類の検出レベルのうちから任意の検出レベルを生
成可能であり、例えば、情報の記録再生時にサーボ系の
ゲインダウン或いはミュート機能をイネーブルとする検
出レベルや、又は情報の記録再生動作を行う前に光ディ
スクの表面状態を確認するときの検出レベル等が必要に
応じて生成される。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の一
実施形態を説明する。図１は、一実施形態における光デ
ィスクのディフェクト検出装置を示す構成図である。図
において、１０は１ビームプッシュプル法を用いた光ピ
ックアップ、２１はＲＦ信号検出回路、２２はエンベロ
ープ検出回路、２３はＤＣ成分抽出回路、２４は暗ディ
フェクト検出レベル生成回路、２５は明ディフェクト検
出レベル生成回路、２６は第１の比較回路、２７は第２
の比較回路、２８はディフェクト検出信号出力回路であ
る。

【００１９】光ピックアップ１０は、周知の４分割のフ
ォトディテクタ１１を備え、光ディスクにおけるトラッ
クの左側に位置するディテクタ１１ａ、１１ｄの合計受
光量及び右側に位置するディテクタ１１ｂ，１１ｃの合
計受光量を用いてトラッキング補正を、また対角線上に
位置するディテクタ１１ａ、１１ｃの合計受光量及びデ
ィテクタ１１ｂ，１１ｄの合計受光量を用いて非点収差
法等によりフォーカス補正を行えるものである。

【００２０】ＲＦ信号検出回路２１は、抵抗器２１ａ〜
２１ｆ及び差動増幅器２１ｇから構成され、差動増幅器
２１ｇの非反転入力端子には抵抗器２１ａ〜２１ｄのそ
れぞれを介してフォトディテクタ１１のディテクタ１１
ａ〜１１ｄに接続されている。また、差動増幅器２１ｇ
の反転入力端子は抵抗器２１ｅを介してその出力端子に
接続されると共に抵抗器２１ｆを介して接地されてい
る。これにより、差動増幅器２１ｇからはディテクタ１
１ａ〜１１ｄの出力信号を合成したＲＦ信号が出力され
る。

【００２１】エンベロープ検出回路２２は、差動増幅器
２２ａ，２２ｂ、ダイオード２２ｃ，２２ｄ、コンデン
サ２２ｅ，２２ｆ、及び抵抗器２２ｇ〜２２ｊから構成
されている。差動増幅器２２ａの非反転入力端子にはＲ
Ｆ信号検出回路２１から出力されるＲＦ信号が入力さ
れ、反転入力端子はコンデンサ２２ｅを介してその出力
端子及び抵抗器２２ｇの一端に接続されると共に、ダイ
オード２２ｃを介して抵抗器２２ｇの他端及びダイオー
ド２２ｄのアノードに接続されている。ここで、差動増
幅器２２ａの反転入力端子側がダイオード２２ｃのアノ
ードとなる。

【００２２】また、差動増幅器２２ｂの非反転入力端子
はダイオード２２ｄのカソードに接続されると共に、直
列接続されたコンデンサ２２ｆ及び抵抗器２２ｈと抵抗
器２２ｉとの並列回路にを介して接地されている。さら
に、差動増幅器２２ｂの出力端子はその反転入力端子に
接続されると共に抵抗器２２ｊを介して差動増幅器２２
ａの反転入力端子に接続されている。

【００２３】これにより、エンベロープ検出回路２２か
らはＲＦ信号の包絡線成分、即ちエンベロープが検出さ
れ、エンベロープ信号ＥＶが出力される。

【００２４】ＤＣ成分抽出回路２３は、抵抗器２３ａと
コンデンサ２３ｂから構成され、抵抗器２３ａの一端に
はエンベロープ信号ＥＶが入力され、他端はコンデンサ
２３ｂを介して接地されている。これにより、抵抗器２
３ａの他端からエンベロープ信号ＥＶの直流成分ＥＤＣ
が出力される。

【００２５】暗ディフェクト検出レベル生成回路２４
は、差動増幅器２４ａ、抵抗器２４ｂ〜２４ｅ及び電子
スイッチＳＷ１から構成されている。差動増幅器２４ａ
の非反転入力端子にはエンベロープ信号の直流成分ＥＤ
Ｃが入力されている。

【００２６】また、差動増幅器２４ａの出力端子はその
反転入力端子に接続されると共に、抵抗器２４ｂ，２４
ｃからなる第１の分圧回路と抵抗器２４ｄ，２４ｅから
なる第２の分圧回路に接続されている。

【００２７】さらに、前記第１及び第２の分圧回路によ
って生成された電圧Ｖ１１，Ｖ１２のそれぞれは電子ス
イッチＳＷ１の２つの接点ＳＷ１ａ，ＳＷ１ｂに入力さ
れ、切り替え制御信号Ｖcom によって電子スイッチＳＷ
１が切り替えられて、電圧Ｖ１１，Ｖ１２の何れか一方
が暗ディフェクト検出レベル電圧Ｖａとして電子スイッ
チＳＷ１の接片ＳＷ１ｃから出力される。ここで、切り
替え制御信号Ｖcom はロー・ハイレベルの２値信号であ
り、手動入力であっても良いし、ＣＰＵから入力される
ものであっても良い。

【００２８】明ディフェクト検出レベル生成回路２５
は、差動増幅器２５ａ、抵抗器２５ｂ〜２５ｅ及び電子
スイッチＳＷ２から構成されている。差動増幅器２５ａ
の非反転入力端子にはエンベロープ信号ＥＶが入力され
ている。

【００２９】また、差動増幅器２５ａの出力端子はその
反転入力端子に接続されると共に、抵抗器２５ｂ，２５
ｃからなる第１の分圧回路と抵抗器２５ｄ，２５ｅから
なる第２の分圧回路に接続されている。

【００３０】さらに、前記第１及び第２の分圧回路によ
って生成された電圧Ｖ２１，Ｖ２２のそれぞれは電子ス
イッチＳＷ２の２つの接点ＳＷ２ａ，ＳＷ２ｂに入力さ
れ、切り替え制御信号Ｖcom によって電子スイッチＳＷ
２が切り替えられて、電圧Ｖ２１，Ｖ２２の何れか一方
が明ディフェクト検出レベル電圧Ｖｂとして電子スイッ
チＳＷ２の接片ＳＷ２ｃから出力される。

【００３１】第１の比較回路２６は、コンパレータ２６
ａ及び抵抗器２６ｂから構成され、コンパレータ２６ａ
の非反転入力端子には暗ディフェクト検出レベル生成回
路２４から出力される暗ディフェクト検出レベル電圧Ｖ
ａが入力され、反転入力端子にはエンベロープ信号ＥＶ
が入力されている。さらに、コンパレータ２６ａの出力
端子は抵抗器２６ｂを介してハイレベル電圧にプルアッ
プされている。

【００３２】これにより、コンパレータ２６ａの出力端
子から出力される暗ディフェクト検出信号Ｄ１は、電圧
Ｖａのレベルがエンベロープ信号ＥＶの電圧レベルより
も大きいときはハイレベルとなり、また電圧Ｖａのレベ
ルがエンベロープ信号ＥＶの電圧レベル以下のときはロ
ーレベルとなる。暗ディフェクト検出信号Ｄ１がハイレ
ベルのとき暗ディフェクトを検出したものとされる。

【００３３】第２の比較回路２７は、コンパレータ２７
ａ及び抵抗器２７ｂから構成され、コンパレータ２７ａ
の非反転入力端子には明ディフェクト検出レベル生成回
路２５から出力される明ディフェクト検出レベル電圧Ｖ
ｂが入力され、反転入力端子は暗ディフェクト検出レベ
ル生成回路２４の差動増幅器２４ａの出力端子に接続さ
れている。これにより、コンパレータ２７ａの反転入力
端子にはエンベロープ信号の直流成分ＥＤＣと同等の信
号が入力される。さらに、コンパレータ２７ａの出力端
子は抵抗器２７ｂを介してハイレベル電圧にプルアップ
されている。

【００３４】これにより、コンパレータ２７ａの出力端
子から出力される明ディフェクト検出信号Ｄ２は、電圧
Ｖｂのレベルがエンベロープ信号の直流成分ＥＤＣの電
圧レベルよりも大きいときはハイレベルとなり、また電
圧Ｖｂのレベルが直流成分ＥＤＣの電圧レベル以下のと
きはローレベルとなる。明ディフェクト検出信号Ｄ２が
ハイレベルのとき明ディフェクトを検出したものとされ
る。

【００３５】ディフェクト検出信号出力回路２８は、２
入力のＯＲ回路２８ａと抵抗器２８ｂから構成され、Ｏ
Ｒ回路２８ａには暗ディフェクト検出信号Ｄ１及び明デ
ィフェクト検出信号Ｄ２が入力され、これらの何れか一
方或いは両方がハイレベルとなったときにＯＲ回路２８
ａの出力信号はハイレベルとなる。ＯＲ回路２８ａの出
力信号は抵抗器２８ｂを介してディフェクト検出信号Ｄ
３として出力される。

【００３６】次に、前述の構成よりなる本実施形態の動
作を図４に示す信号波形図に基づいて説明する。光ディ
スクの表面に付くディフェクトの種類によって反射光強
度、即ちＲＦ信号レベルが変化する。例えば、光ディス
ク１の基板表面に傷が付くと記録層に照射される光量が
減少すると共に光ディスクからの反射光強度も低減し、
基板表面にインク等が付着すると記録層に照射される光
量が減少すると共に光ディスクからの反射光強度は増加
する。

【００３７】このようにディフェクトによってレベルが
変化した反射光からＲＦ信号検出回路２１によりＲＦ信
号が検出され、さらにエンベロープ検出回路２２によっ
てＲＦ信号のエンベロープが信号として検出される。

【００３８】また、エンベロープ信号ＥＶの直流成分が
ＤＣ成分抽出回路２３によって抽出される。

【００３９】この後、暗ディフェクト検出レベル生成回
路２４において、エンベロープ信号ＥＶの直流成分レベ
ルＥＤＣが所定の分圧比によって分圧され、前記直流成
分レベルよりも所定量低レベルの暗ディフェクト検出レ
ベルＶａが生成される。

【００４０】また、明ディフェクト検出レベル生成回路
２５において、エンベロープ信号ＥＶが所定の分圧比に
よって分圧され、エンベロープ信号ＥＶのレベルよりも
所定量低レベルの明ディフェクト検出レベルＶｂが生成
される。

【００４１】暗ディフェクト検出レベルＶａは、第１の
比較回路２６においてエンベロープ信号ＥＶのレベルと
比較される。これにより、エンベロープ信号ＥＶにおい
てそのレベルが特に落ち込んだ部分、即ち暗ディフェク
トの部分が検出され、このとき第１の比較回路２６から
ハイレベルのパルス状の暗ディフェクト検出信号Ｄ１が
出力される。

【００４２】また、明ディフェクト検出レベルＶｂは、
第２の比較回路２７においてエンベロープ信号ＥＶの直
流成分ＥＤＣのレベルと比較される。これにより、エン
ベロープ信号ＥＶのレベルを所定量下げた明ディフェク
ト検出レベルにおいてそのレベルが特に高い部分、即ち
明ディフェクトの部分が検出され、このとき第２の比較
回路２７からハイレベルのパルス状の明ディフェクト検
出信号Ｄ２が出力される。

【００４３】さらに、これらの暗ディフェクト検出信号
Ｄ１及び明ディフェクト検出信号Ｄ２はＯＲ回路２８ａ
によって論理和されて、ディフェクト検出信号Ｄ３とし
て出力される。

【００４４】従って、本実施形態によれば、ディフェク
ト検出に用いる信号、即ちエンベロープ信号ＥＶ、エン
ベロープ信号の直流成分ＥＤＣ、暗ディフェクト検出レ
ベルＶａ及び明ディフェクト検出レベルＶｂのそれぞれ
は、ＲＦ信号のレベルに従って変動するので、情報が記
録された部分或いは情報が未記録の部分等の違いにより
ＲＦ信号のレベル変動が生じても、適切な暗ディフェク
ト検出レベル及び明ディフェクト検出レベルが生成さ
れ、暗ディフェクト及び明ディフェクトを的確に検出す
ることができる。

【００４５】さらに、暗ディフェクト検出レベルＶａ及
び明ディフェクト検出レベルＶｂは、それぞれの検出レ
ベル生成回路２４，２５において、エンベロープ信号Ｅ
Ｖ或いはその直流成分ＥＤＣから抵抗分圧によって生成
されるため、微小なレベルの違いを抵抗器の精度を持っ
て生成できるので、指紋や汚れ等の検出レベルが浅いデ
ィフェクトも容易に検出することができる。

【００４６】また、暗ディフェクト検出レベルＶａ及び
明ディフェクト検出レベルＶｂを２種類から選択できる
ようにしているので、光ディスクの種類等の違いによっ
てこれらのレベルを切り替えることにより適切なディフ
ェクト検出を行うことができる。

【００４７】尚、本実施形態では、暗ディフェクト検出
レベルＶａ及び明ディフェクト検出レベルＶｂを２種類
から選択できるようにしたが、複数の抵抗分圧回路を備
えて３種以上の多数種から選択できるようにしても良い
し、またＣＰＵ、ディジタル／アナログ変換器及びアナ
ログ／ディジタル変換器を組み合わせてエンベロープ信
号ＥＶ及びその直流成分ＥＤＣから微小なレベル間隔で
複数種の暗ディフェクト検出レベルＶａ及び明ディフェ
クト検出レベルＶｂを選択的に生成するようにしても良
い。

【００４８】

【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項１記
載のディフェクト検出方法によれば、情報が記録された
部分或いは情報が未記録の部分等の違いによりＲＦ信号
のレベル変動が生じても、適切な暗ディフェクト検出レ
ベル及び明ディフェクト検出レベルが生成され、これに
基づいて暗或いは明ディフェクトが検出されるので、情
報記録部の未記録部と同様な精度で、また指紋や汚れ等
の検出レベルが浅いディフェクトも容易に検出すること
ができる。

【００４９】また、請求項２記載の光ディスクのディフ
ェクト検出方法によれば、上記の効果に加えて、必要に
応じてディフェクト検出レベルを切り替えることができ
るので、光ディスクの種類の違いにより通常の情報記録
再生動作時に感度がよすぎること等よる弊害を回避する
ことができる。

【００５０】また、請求項３記載の光ディスクのディフ
ェクト検出装置によれば、情報が記録された部分或いは
情報が未記録の部分等の違いによりＲＦ信号のレベル変
動が生じても、検出レベル生成手段によって適切な暗デ
ィフェクト検出レベル及び明ディフェクト検出レベルが
生成され、これに基づいて暗或いは明ディフェクトが検
出されるので、情報記録部の未記録部と同様な精度で、
また指紋や汚れ等の検出レベルが浅いディフェクトも容
易に検出することができる。

【００５１】また、請求項４記載の光ディスクのディフ
ェクト検出装置によれば、上記の効果に加えて、必要に
応じてディフェクト検出レベルを切り替えることができ
るので、光ディスクの種類の違いにより通常の情報記録
再生動作時に感度がよすぎること等よる弊害を回避する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態のディフェクト検出装置を
示す構成図

【図２】追記型光ディスクの一例を示す構成図

【図３】ディフェクトの影響を説明する図

【図４】本発明の一実施形態における信号波形図

【符号の説明】

１…光ディスク、１Ａ…基板、１Ｂ…記録層、１Ｃ…反
射層、１Ｄ…保護層、１Ｅ…ディフェクト、１０…光ピ
ックアップ、１１…フォトディテクタ、１１ａ〜１１ｄ
…ディテクタ、２１…ＲＦ信号検出回路、２１ａ〜２１
ｆ…抵抗器、２１ｇ…差動増幅器、２２…エンベロープ
検出回路、２２ａ，２２ｂ…差動増幅器、２２ｃ，２２
ｄ…ダイオード、２２ｅ，２２ｆ…コンデンサ、２２ｇ
〜２２ｊ…抵抗器、２３…ＤＣ成分抽出回路、２３ａ…
抵抗器、２３ｂ…コンデンサ、２４…暗ディフェクト検
出レベル生成回路、２４ａ…差動増幅器、２４ｂ〜２４
ｅ…抵抗器、ＳＷ１…電子スイッチ、２５…明ディフェ
クト検出レベル生成回路、２５ａ…差動増幅器、２５ｂ
〜２５ｅ…抵抗器、ＳＷ２…電子スイッチ、２６…第１
の比較回路、２６ａ…コンパレータ、２６ｂ…抵抗器、
２７…第２の比較回路、２７ａ…コンパレータ、２７ｂ
…抵抗器、２８…ディフェクト検出信号出力回路、２８
ａ…ＯＲ回路、２８ｂ…抵抗器。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 レーザ光を用いて記録層に情報を記録可
   能な光ディスクの表面に付着した汚れや傷等のディフェ
   クトを検出する光ディスクのディフェクト検出方法であ
   って、 前記光ディスクの記録面からの反射光より得られたＲＦ
   信号のエンベロープを信号として検出すると共に、 該エンベロープ信号の直流成分を抽出した後、 該エンベロープ直流成分のレベルよりも所定量低レベル
   の暗ディフェクト検出レベルを生成すると共に、 前記暗ディフェクト検出レベルと前記エンベロープ信号
   のレベルとを比較し、前記暗ディフェクト検出レベルよ
   りも前記エンベロープレベルが小さいときに暗ディフェ
   クト検出となし、 前記エンベロープ信号のレベルよりも所定量低レベルの
   明ディフェクト検出レベルを生成すると共に、 前記明ディフェクト検出レベルと前記エンベロープ信号
   の直流成分レベルとを比較し、前記直流成分レベルより
   も前記明ディフェクト検出レベルが大きいときに明ディ
   フェクト検出となすことを特徴とする光ディスクのディ
   フェクト検出方法。
2. 【請求項２】 前記暗ディフェクト検出レベル及び前記
   明ディフェクト検出レベルのそれぞれを少なくとも２つ
   のうちから選択可能としたことを特徴とする請求項１記
   載の光ディスクのディフェクト検出方法。
3. 【請求項３】 レーザ光を用いて記録層に情報を記録可
   能な光ディスクの表面に付着した汚れや傷等のディフェ
   クトを検出する光ディスクのディフェクト検出装置であ
   って、 前記光ディスクの記録面からの反射光より得られたＲＦ
   信号のエンベロープを信号として検出するエンベロープ
   検出手段と、 該エンベロープ検出手段によって検出されたエンベロー
   プ信号の直流成分を抽出する直流成分抽出手段と、 該エンベロープ直流成分のレベルよりも所定量低レベル
   の暗ディフェクト検出レベルを生成する暗ディフェクト
   検出レベル生成手段と、 前記エンベロープ信号のレベルよりも所定量低レベルの
   明ディフェクト検出レベルを生成する明ディフェクト検
   出レベル生成手段と、 前記暗ディフェクト検出レベルと前記エンベロープ信号
   のレベルとを比較し、前記暗ディフェクト検出レベルよ
   りも前記エンベロープレベルが小さいときに暗ディフェ
   クト検出信号を出力する第１の比較手段と、 前記明ディフェクト検出レベルと前記エンベロープ信号
   の直流成分レベルとを比較し、前記直流成分レベルより
   も明ディフェクト検出レベルが大きいときに明ディフェ
   クト検出信号を出力する第２の比較手段とを備えたこと
   を特徴とする光ディスクのディフェクト検出装置。
4. 【請求項４】 前記暗ディフェクト検出レベル生成手段
   及び明ディフェクト検出レベル生成手段は、少なくとも
   ２種類の検出レベルを生成可能であることを特徴とする
   請求項３記載の光ディスクのディフェクト検出装置。