JPH1040546A - 光ディスクのディフェクト検出方法及びその装置 - Google Patents
光ディスクのディフェクト検出方法及びその装置Info
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- JPH1040546A JPH1040546A JP19234196A JP19234196A JPH1040546A JP H1040546 A JPH1040546 A JP H1040546A JP 19234196 A JP19234196 A JP 19234196A JP 19234196 A JP19234196 A JP 19234196A JP H1040546 A JPH1040546 A JP H1040546A
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- G11B20/1816—Testing
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Signal Processing For Digital Recording And Reproducing (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ディフェクトを的確に検出できる光ディスク
のディフェクト検出方法及びその装置を提供する。 【解決手段】 ＲＦ信号のエンベロープを信号ＥＶとし
て検出し、エンベロープ信号ＥＶの直流成分ＥＤＣを抽
出した後、エンベロープ直流成分ＥＤＣのレベルよりも
所定量低レベルの暗ディフェクト検出レベルＶａを生成
し、この検出レベルＶａとエンベロープ信号ＥＶのレベ
ルとを比較し、検出レベルＶａよりもエンベロープ信号
ＥＶのレベルが小さいときに暗ディフェクト検出信号Ｄ
１を出力し、エンベロープ信号ＥＶのレベルよりも所定
量低レベルの明ディフェクト検出レベルＶｂを生成し、
この検出レベルＶｂとエンベロープ信号ＥＶの直流成分
ＥＤＣのレベルとを比較し、この直流成分ＥＤＣのレベ
ルよりも明ディフェクト検出レベルＶｂが大きいときに
明ディフェクト検出信号Ｄ２を出力する。
のディフェクト検出方法及びその装置を提供する。 【解決手段】 ＲＦ信号のエンベロープを信号ＥＶとし
て検出し、エンベロープ信号ＥＶの直流成分ＥＤＣを抽
出した後、エンベロープ直流成分ＥＤＣのレベルよりも
所定量低レベルの暗ディフェクト検出レベルＶａを生成
し、この検出レベルＶａとエンベロープ信号ＥＶのレベ
ルとを比較し、検出レベルＶａよりもエンベロープ信号
ＥＶのレベルが小さいときに暗ディフェクト検出信号Ｄ
１を出力し、エンベロープ信号ＥＶのレベルよりも所定
量低レベルの明ディフェクト検出レベルＶｂを生成し、
この検出レベルＶｂとエンベロープ信号ＥＶの直流成分
ＥＤＣのレベルとを比較し、この直流成分ＥＤＣのレベ
ルよりも明ディフェクト検出レベルＶｂが大きいときに
明ディフェクト検出信号Ｄ２を出力する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクの表面
に付着した傷や汚れ等のディフェクトを検出する光ディ
スクのディフェクト検出方法及びその装置に関するもの
である。
に付着した傷や汚れ等のディフェクトを検出する光ディ
スクのディフェクト検出方法及びその装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報の書き込みが可能な光ディス
クが普及し、広く使用されるようになってきている。例
えば、この一例である追記型光ディスク１は、図２に示
すように、トラッキング用グル−ブが形成された基板１
Ａ上にシアニン色素によって記録層１Ｂが形成され、さ
らにこの記録層１Ｂの上に金の反射層１Ｃ及び紫外線硬
化樹脂による保護層１Ｄが形成されている。
クが普及し、広く使用されるようになってきている。例
えば、この一例である追記型光ディスク１は、図２に示
すように、トラッキング用グル−ブが形成された基板１
Ａ上にシアニン色素によって記録層１Ｂが形成され、さ
らにこの記録層１Ｂの上に金の反射層１Ｃ及び紫外線硬
化樹脂による保護層１Ｄが形成されている。
【０００３】この追記型光ディスクに情報を記録すると
きは、基板側からレーザ光２が照射されて記録層１Ｂに
ピットが形成され、情報記録が行われる。
きは、基板側からレーザ光２が照射されて記録層１Ｂに
ピットが形成され、情報記録が行われる。
【０００４】また、図３に示すように、光ディスク１の
基板表面に傷や汚れ等のディフェクト１Ｅを生じたとき
には、このディフェクト１Ｅによって記録層１Ｂに照射
されるレーザ光の強度が低下されると共に、光ディスク
装置（図示せず）への反射光強度が変化され、適切なピ
ットを形成することができなくなると共に、フォーカス
／トラッキングサーボが乱される。例えば、光ディスク
１の基板表面に傷が付くと記録層に照射される光量が減
少すると共に光ディスクからの反射光強度も低減し、基
板表面にインク等が付着すると記録層に照射される光量
が減少すると共に光ディスクからの反射光強度は増加す
る。
基板表面に傷や汚れ等のディフェクト１Ｅを生じたとき
には、このディフェクト１Ｅによって記録層１Ｂに照射
されるレーザ光の強度が低下されると共に、光ディスク
装置（図示せず）への反射光強度が変化され、適切なピ
ットを形成することができなくなると共に、フォーカス
／トラッキングサーボが乱される。例えば、光ディスク
１の基板表面に傷が付くと記録層に照射される光量が減
少すると共に光ディスクからの反射光強度も低減し、基
板表面にインク等が付着すると記録層に照射される光量
が減少すると共に光ディスクからの反射光強度は増加す
る。
【０００５】このため、従来の光ディスク装置において
は、光ディスク表面のディフェクトを検出し、正常の情
報記録を行えるように工夫している。ここで、ディフェ
クトを検出する場合、光ディスクからの反射光量に対応
したレベルを有するＲＦ信号のエンベロープ信号を使用
している。即ち、このエンベロープ信号が第１の検出基
準レベル以下となったときに暗ディフェクトとして検出
し、第２の検出基準レベル以上となったときに明ディフ
ェクトとして検出している。ここで、前記第１及び第２
の検出基準レベルは所定の値に固定して設定されてい
る。
は、光ディスク表面のディフェクトを検出し、正常の情
報記録を行えるように工夫している。ここで、ディフェ
クトを検出する場合、光ディスクからの反射光量に対応
したレベルを有するＲＦ信号のエンベロープ信号を使用
している。即ち、このエンベロープ信号が第１の検出基
準レベル以下となったときに暗ディフェクトとして検出
し、第２の検出基準レベル以上となったときに明ディフ
ェクトとして検出している。ここで、前記第１及び第２
の検出基準レベルは所定の値に固定して設定されてい
る。
【０００６】この検出結果に基づいて、光ディスク装置
では、ディフェクトが存在する箇所において各サーボの
乱れを軽減する処理等を施している。
では、ディフェクトが存在する箇所において各サーボの
乱れを軽減する処理等を施している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ようにディフェクト検出にエンベロープ信号のレベルを
そのまま用い、検出基準レベルが固定されているので、
指紋や汚れ等のエンベロープ信号のレベル変動が小さい
ディフェクトについては検出が非常に難しく、これらの
ディフェクトを検出できないことも多々あった。
ようにディフェクト検出にエンベロープ信号のレベルを
そのまま用い、検出基準レベルが固定されているので、
指紋や汚れ等のエンベロープ信号のレベル変動が小さい
ディフェクトについては検出が非常に難しく、これらの
ディフェクトを検出できないことも多々あった。
【０００８】本発明の目的は上記の問題点に鑑み、ディ
フェクトを的確に検出できる光ディスクのディフェクト
検出方法及びその装置を提供することにある。
フェクトを的確に検出できる光ディスクのディフェクト
検出方法及びその装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために請求項１では、レーザ光を用いて記録層に
情報を記録可能な光ディスクの表面に付着した汚れや傷
等のディフェクトを検出する光ディスクのディフェクト
検出方法であって、前記光ディスクに対して情報の記録
或いは再生を行う前にディフェクトを検出する際には、
前記光ディスクの記録面からの反射光より得られたＲＦ
信号のエンベロープを信号として検出すると共に、該エ
ンベロープ信号の直流成分を抽出した後、該エンベロー
プ直流成分のレベルよりも所定量低レベルの第１の暗デ
ィフェクト検出レベルを生成すると共に、前記第１の暗
ディフェクト検出レベルと前記エンベロープ信号のレベ
ルとを比較し、前記第１の暗ディフェクト検出レベルよ
りも前記エンベロープレベルが小さいときに暗ディフェ
クト検出となし、前記エンベロープ信号のレベルよりも
所定量低レベルの第１の明ディフェクト検出レベルを生
成すると共に、前記第１の明ディフェクト検出レベルと
前記エンベロープ信号の直流成分レベルとを比較し、前
記直流成分レベルよりも前記第１の明ディフェクト検出
レベルが大きいときに明ディフェクト検出となし、前記
光ディスクに対して情報の記録或いは再生を行うときに
ディフェクトを検出する際には、前記光ディスクの記録
面からの反射光より得られたＲＦ信号のエンベロープを
信号として検出すると共に、該エンベロープ信号の直流
成分を抽出した後、該エンベロープ直流成分のレベルよ
りも所定量低レベルであり、且つ前記第１の暗ディフェ
クト検出レベルよりも所定量低レベルの第２の暗ディフ
ェクト検出レベルを生成すると共に、前記第２の暗ディ
フェクト検出レベルと前記エンベロープ信号のレベルと
を比較し、前記第２の暗ディフェクト検出レベルよりも
前記エンベロープレベルが小さいときに暗ディフェクト
検出となし、前記エンベロープ信号のレベルよりも所定
量低レベルであり、且つ前記第１の明ディフェクト検出
レベルよりも所定量低レベルの第２の明ディフェクト検
出レベルを生成すると共に、前記第２の明ディフェクト
検出レベルと前記エンベロープ信号の直流成分レベルと
を比較し、前記直流成分レベルよりも前記第２の明ディ
フェクト検出レベルが大きいときに明ディフェクト検出
となす光ディスクのディフェクト検出方法を提案する。
成するために請求項１では、レーザ光を用いて記録層に
情報を記録可能な光ディスクの表面に付着した汚れや傷
等のディフェクトを検出する光ディスクのディフェクト
検出方法であって、前記光ディスクに対して情報の記録
或いは再生を行う前にディフェクトを検出する際には、
前記光ディスクの記録面からの反射光より得られたＲＦ
信号のエンベロープを信号として検出すると共に、該エ
ンベロープ信号の直流成分を抽出した後、該エンベロー
プ直流成分のレベルよりも所定量低レベルの第１の暗デ
ィフェクト検出レベルを生成すると共に、前記第１の暗
ディフェクト検出レベルと前記エンベロープ信号のレベ
ルとを比較し、前記第１の暗ディフェクト検出レベルよ
りも前記エンベロープレベルが小さいときに暗ディフェ
クト検出となし、前記エンベロープ信号のレベルよりも
所定量低レベルの第１の明ディフェクト検出レベルを生
成すると共に、前記第１の明ディフェクト検出レベルと
前記エンベロープ信号の直流成分レベルとを比較し、前
記直流成分レベルよりも前記第１の明ディフェクト検出
レベルが大きいときに明ディフェクト検出となし、前記
光ディスクに対して情報の記録或いは再生を行うときに
ディフェクトを検出する際には、前記光ディスクの記録
面からの反射光より得られたＲＦ信号のエンベロープを
信号として検出すると共に、該エンベロープ信号の直流
成分を抽出した後、該エンベロープ直流成分のレベルよ
りも所定量低レベルであり、且つ前記第１の暗ディフェ
クト検出レベルよりも所定量低レベルの第２の暗ディフ
ェクト検出レベルを生成すると共に、前記第２の暗ディ
フェクト検出レベルと前記エンベロープ信号のレベルと
を比較し、前記第２の暗ディフェクト検出レベルよりも
前記エンベロープレベルが小さいときに暗ディフェクト
検出となし、前記エンベロープ信号のレベルよりも所定
量低レベルであり、且つ前記第１の明ディフェクト検出
レベルよりも所定量低レベルの第２の明ディフェクト検
出レベルを生成すると共に、前記第２の明ディフェクト
検出レベルと前記エンベロープ信号の直流成分レベルと
を比較し、前記直流成分レベルよりも前記第２の明ディ
フェクト検出レベルが大きいときに明ディフェクト検出
となす光ディスクのディフェクト検出方法を提案する。
【００１０】該光ディスクのディフェクト検出方法によ
れば、光ディスクに対して情報の記録或いは再生を行う
前にディフェクトを検出する際には、光ディスクの記録
面からの反射光より得られたＲＦ信号のエンベロープが
信号として検出され、該エンベロープ信号の直流成分が
抽出される。この後、該エンベロープ直流成分のレベル
よりも所定量低レベルの第１の暗ディフェクト検出レベ
ルが生成され、前記第１の暗ディフェクト検出レベルと
前記エンベロープ信号のレベルとが比較される。この比
較の結果、前記第１の暗ディフェクト検出レベルよりも
前記エンベロープレベルが小さいときに暗ディフェクト
検出となされる。また、前記エンベロープ信号のレベル
よりも所定量低レベルの第１の明ディフェクト検出レベ
ルが生成され、該第１の明ディフェクト検出レベルと前
記エンベロープ信号の直流成分レベルとが比較される。
この比較の結果、前記直流成分レベルよりも前記第１の
明ディフェクト検出レベルが大きいときに明ディフェク
ト検出となされる。
れば、光ディスクに対して情報の記録或いは再生を行う
前にディフェクトを検出する際には、光ディスクの記録
面からの反射光より得られたＲＦ信号のエンベロープが
信号として検出され、該エンベロープ信号の直流成分が
抽出される。この後、該エンベロープ直流成分のレベル
よりも所定量低レベルの第１の暗ディフェクト検出レベ
ルが生成され、前記第１の暗ディフェクト検出レベルと
前記エンベロープ信号のレベルとが比較される。この比
較の結果、前記第１の暗ディフェクト検出レベルよりも
前記エンベロープレベルが小さいときに暗ディフェクト
検出となされる。また、前記エンベロープ信号のレベル
よりも所定量低レベルの第１の明ディフェクト検出レベ
ルが生成され、該第１の明ディフェクト検出レベルと前
記エンベロープ信号の直流成分レベルとが比較される。
この比較の結果、前記直流成分レベルよりも前記第１の
明ディフェクト検出レベルが大きいときに明ディフェク
ト検出となされる。
【００１１】また、光ディスクに対して情報の記録或い
は再生を行うときにディフェクトを検出する際には、光
ディスクの記録面からの反射光より得られたＲＦ信号の
エンベロープが信号として検出され、該エンベロープ信
号の直流成分が抽出される。この後、前記第１の暗ディ
フェクト検出レベルよりも所定量低レベルの第２の暗デ
ィフェクト検出レベルが生成され、前記第２の暗ディフ
ェクト検出レベルと前記エンベロープ信号のレベルとが
比較される。この比較の結果、前記第２の暗ディフェク
ト検出レベルよりも前記エンベロープレベルが小さいと
きに暗ディフェクト検出となされる。また、前記第１の
明ディフェクト検出レベルよりも所定量低レベルの第２
の明ディフェクト検出レベルが生成され、該第２の明デ
ィフェクト検出レベルと前記エンベロープ信号の直流成
分レベルとが比較される。この比較の結果、前記直流成
分レベルよりも前記第２の明ディフェクト検出レベルが
大きいときに明ディフェクト検出となされる。
は再生を行うときにディフェクトを検出する際には、光
ディスクの記録面からの反射光より得られたＲＦ信号の
エンベロープが信号として検出され、該エンベロープ信
号の直流成分が抽出される。この後、前記第１の暗ディ
フェクト検出レベルよりも所定量低レベルの第２の暗デ
ィフェクト検出レベルが生成され、前記第２の暗ディフ
ェクト検出レベルと前記エンベロープ信号のレベルとが
比較される。この比較の結果、前記第２の暗ディフェク
ト検出レベルよりも前記エンベロープレベルが小さいと
きに暗ディフェクト検出となされる。また、前記第１の
明ディフェクト検出レベルよりも所定量低レベルの第２
の明ディフェクト検出レベルが生成され、該第２の明デ
ィフェクト検出レベルと前記エンベロープ信号の直流成
分レベルとが比較される。この比較の結果、前記直流成
分レベルよりも前記第２の明ディフェクト検出レベルが
大きいときに明ディフェクト検出となされる。
【００１２】これにより、ディフェクト検出レベルはＲ
Ｆ信号のレベルに従って変動するので、情報が記録され
た部分或いは情報が未記録の部分等の違いによりＲＦ信
号のレベル変動が生じても、適切な暗ディフェクト検出
レベル及び明ディフェクト検出レベルが生成されると共
に、第１の暗ディフェクト検出レベル及び第１の明ディ
フェクト検出レベルを用いて、極微細なものから大きな
のもに至るまで情報記録に影響を及ぼす全てのディフェ
クトが検出されると共に、第２の暗ディフェクト検出レ
ベル及び第２の明ディフェクト検出レベルを用いて、ト
ラッキングサーボに影響を及ぼす比較的大きなディフェ
クトが検出される。
Ｆ信号のレベルに従って変動するので、情報が記録され
た部分或いは情報が未記録の部分等の違いによりＲＦ信
号のレベル変動が生じても、適切な暗ディフェクト検出
レベル及び明ディフェクト検出レベルが生成されると共
に、第１の暗ディフェクト検出レベル及び第１の明ディ
フェクト検出レベルを用いて、極微細なものから大きな
のもに至るまで情報記録に影響を及ぼす全てのディフェ
クトが検出されると共に、第２の暗ディフェクト検出レ
ベル及び第２の明ディフェクト検出レベルを用いて、ト
ラッキングサーボに影響を及ぼす比較的大きなディフェ
クトが検出される。
【００１３】また、請求項２では、レーザ光を用いて記
録層に情報を記録可能な光ディスクの表面に付着した汚
れや傷等のディフェクトを検出する光ディスクのディフ
ェクト検出装置であって、前記光ディスクの記録面から
の反射光より得られたＲＦ信号のエンベロープを信号と
して検出するエンベロープ検出手段と、該エンベロープ
検出手段によって検出されたエンベロープ信号の直流成
分を抽出する直流成分抽出手段と、該エンベロープ直流
成分のレベルよりも所定量低レベルの第１の暗ディフェ
クト検出レベルと、該第１の暗ディフェクト検出レベル
よりも所定量低レベルの第２の暗ディフェクト検出レベ
ルとを生成する暗ディフェクト検出レベル生成手段と、
前記エンベロープ信号のレベルよりも所定量低レベルの
第１の明ディフェクト検出レベルと、該第１の明ディフ
ェクト検出レベルよりも所定量低レベルの第２の明ディ
フェクト検出レベルとを生成する明ディフェクト検出レ
ベル生成手段と、前記第１の暗ディフェクト検出レベル
または第２の暗ディフェクト検出レベルの何れか一方を
選択する第１の選択手段と、前記第１の明ディフェクト
検出レベルまたは第２の明ディフェクト検出レベルの何
れか一方を選択する第２の選択手段と、前記第１の選択
手段によって選択された暗ディフェクト検出レベルと前
記エンベロープ信号のレベルとを比較し、前記暗ディフ
ェクト検出レベルよりも前記エンベロープレベルが小さ
いときに暗ディフェクト検出信号を出力する第１の比較
手段と、前記第２の選択手段によって選択された明ディ
フェクト検出レベルと前記エンベロープ信号の直流成分
レベルとを比較し、前記直流成分レベルよりも明ディフ
ェクト検出レベルが大きいときに明ディフェクト検出信
号を出力する第２の比較手段とを備えた光ディスクのデ
ィフェクト検出装置を提案する。
録層に情報を記録可能な光ディスクの表面に付着した汚
れや傷等のディフェクトを検出する光ディスクのディフ
ェクト検出装置であって、前記光ディスクの記録面から
の反射光より得られたＲＦ信号のエンベロープを信号と
して検出するエンベロープ検出手段と、該エンベロープ
検出手段によって検出されたエンベロープ信号の直流成
分を抽出する直流成分抽出手段と、該エンベロープ直流
成分のレベルよりも所定量低レベルの第１の暗ディフェ
クト検出レベルと、該第１の暗ディフェクト検出レベル
よりも所定量低レベルの第２の暗ディフェクト検出レベ
ルとを生成する暗ディフェクト検出レベル生成手段と、
前記エンベロープ信号のレベルよりも所定量低レベルの
第１の明ディフェクト検出レベルと、該第１の明ディフ
ェクト検出レベルよりも所定量低レベルの第２の明ディ
フェクト検出レベルとを生成する明ディフェクト検出レ
ベル生成手段と、前記第１の暗ディフェクト検出レベル
または第２の暗ディフェクト検出レベルの何れか一方を
選択する第１の選択手段と、前記第１の明ディフェクト
検出レベルまたは第２の明ディフェクト検出レベルの何
れか一方を選択する第２の選択手段と、前記第１の選択
手段によって選択された暗ディフェクト検出レベルと前
記エンベロープ信号のレベルとを比較し、前記暗ディフ
ェクト検出レベルよりも前記エンベロープレベルが小さ
いときに暗ディフェクト検出信号を出力する第１の比較
手段と、前記第２の選択手段によって選択された明ディ
フェクト検出レベルと前記エンベロープ信号の直流成分
レベルとを比較し、前記直流成分レベルよりも明ディフ
ェクト検出レベルが大きいときに明ディフェクト検出信
号を出力する第２の比較手段とを備えた光ディスクのデ
ィフェクト検出装置を提案する。
【００１４】該光ディスクのディフェクト検出装置によ
れば、エンベロープ検出手段によって光ディスクの記録
面からの反射光より得られたＲＦ信号のエンベロープが
信号として検出され、該エンベロープ信号の直流成分が
直流成分抽出手段によって抽出される。この後、暗ディ
フェクト検出レベル生成手段によって、前記エンベロー
プ直流成分のレベルよりも所定量低レベルの第１の暗デ
ィフェクト検出レベル及び該第１の暗ディフェクト検出
レベルよりも所定量低レベルの第２の暗ディフェクト検
出レベルが生成されると共に、明ディフェクト検出レベ
ル生成手段によって前記エンベロープ信号のレベルより
も所定量低レベルの第１の明ディフェクト検出レベル及
び該第１の明ディフェクト検出レベルよりも所定量低レ
ベルの第２の明ディフェクト検出レベルが生成される。
これにより、前記エンベロープ信号の直流成分レベル及
びディフェクト検出レベルはＲＦ信号のレベルに従って
変動するので、情報が記録された部分或いは情報が未記
録の部分等の違いによりＲＦ信号のレベル変動が生じて
も、適切な暗ディフェクト検出レベル及び明ディフェク
ト検出レベルが生成されると共に、第１及び第２の暗デ
ィフェクト検出レベル及び第１及び第２の明ディフェク
ト検出レベルのそれぞれは、第１及び第２の選択手段に
よって選択され、例えば、情報の記録再生時にサーボ系
のゲインダウン或いはミュート機能をイネーブルとする
際には検出範囲の小さい第２の暗及び明ディフェクト検
出レベルが用いられ、情報の記録再生動作を行う前に光
ディスクの表面状態を確認する際には、検出範囲の大き
い第１の暗及び明ディフェクト検出レベル用いられる。
れば、エンベロープ検出手段によって光ディスクの記録
面からの反射光より得られたＲＦ信号のエンベロープが
信号として検出され、該エンベロープ信号の直流成分が
直流成分抽出手段によって抽出される。この後、暗ディ
フェクト検出レベル生成手段によって、前記エンベロー
プ直流成分のレベルよりも所定量低レベルの第１の暗デ
ィフェクト検出レベル及び該第１の暗ディフェクト検出
レベルよりも所定量低レベルの第２の暗ディフェクト検
出レベルが生成されると共に、明ディフェクト検出レベ
ル生成手段によって前記エンベロープ信号のレベルより
も所定量低レベルの第１の明ディフェクト検出レベル及
び該第１の明ディフェクト検出レベルよりも所定量低レ
ベルの第２の明ディフェクト検出レベルが生成される。
これにより、前記エンベロープ信号の直流成分レベル及
びディフェクト検出レベルはＲＦ信号のレベルに従って
変動するので、情報が記録された部分或いは情報が未記
録の部分等の違いによりＲＦ信号のレベル変動が生じて
も、適切な暗ディフェクト検出レベル及び明ディフェク
ト検出レベルが生成されると共に、第１及び第２の暗デ
ィフェクト検出レベル及び第１及び第２の明ディフェク
ト検出レベルのそれぞれは、第１及び第２の選択手段に
よって選択され、例えば、情報の記録再生時にサーボ系
のゲインダウン或いはミュート機能をイネーブルとする
際には検出範囲の小さい第２の暗及び明ディフェクト検
出レベルが用いられ、情報の記録再生動作を行う前に光
ディスクの表面状態を確認する際には、検出範囲の大き
い第１の暗及び明ディフェクト検出レベル用いられる。
【００１５】さらに、第１の比較手段によって前記第１
の選択手段によって選択された第１或いは第２の暗ディ
フェクト検出レベルと前記エンベロープ信号のレベルと
が比較され、前記暗ディフェクト検出レベルよりも前記
エンベロープレベルが小さいときに暗ディフェクト検出
信号が出力され、また第２の比較手段によって前記第２
の選択手段によって選択された第１或いは第２の明ディ
フェクト検出レベルと前記エンベロープ信号の直流成分
レベルとが比較され、前記直流成分レベルよりも前記明
ディフェクト検出レベルが大きいときに明ディフェクト
検出信号が出力される。
の選択手段によって選択された第１或いは第２の暗ディ
フェクト検出レベルと前記エンベロープ信号のレベルと
が比較され、前記暗ディフェクト検出レベルよりも前記
エンベロープレベルが小さいときに暗ディフェクト検出
信号が出力され、また第２の比較手段によって前記第２
の選択手段によって選択された第１或いは第２の明ディ
フェクト検出レベルと前記エンベロープ信号の直流成分
レベルとが比較され、前記直流成分レベルよりも前記明
ディフェクト検出レベルが大きいときに明ディフェクト
検出信号が出力される。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の一
実施形態を説明する。図１は、本発明の第１の実施形態
における光ディスクのディフェクト検出装置を示す構成
図である。図において、１０は１ビームプッシュプル法
を用いた光ピックアップ、２１はＲＦ信号検出回路、２
２はエンベロープ検出回路、２３はＤＣ成分抽出回路、
２４は暗ディフェクト検出レベル生成回路、２５は明デ
ィフェクト検出レベル生成回路、２６は第１の比較回
路、２７は第２の比較回路、２８はディフェクト検出信
号出力回路である。
実施形態を説明する。図１は、本発明の第１の実施形態
における光ディスクのディフェクト検出装置を示す構成
図である。図において、１０は１ビームプッシュプル法
を用いた光ピックアップ、２１はＲＦ信号検出回路、２
２はエンベロープ検出回路、２３はＤＣ成分抽出回路、
２４は暗ディフェクト検出レベル生成回路、２５は明デ
ィフェクト検出レベル生成回路、２６は第１の比較回
路、２７は第２の比較回路、２８はディフェクト検出信
号出力回路である。
【００１７】光ピックアップ１０は、周知の４分割のフ
ォトディテクタ１１を備え、光ディスクにおけるトラッ
クの左側に位置するディテクタ１１ａ、１１ｄの合計受
光量及び右側に位置するディテクタ１１ｂ，１１ｃの合
計受光量を用いてトラッキング補正を、また対角線上に
位置するディテクタ１１ａ、１１ｃの合計受光量及びデ
ィテクタ１１ｂ，１１ｄの合計受光量を用いて非点収差
法等によりフォーカス補正を行えるものである。
ォトディテクタ１１を備え、光ディスクにおけるトラッ
クの左側に位置するディテクタ１１ａ、１１ｄの合計受
光量及び右側に位置するディテクタ１１ｂ，１１ｃの合
計受光量を用いてトラッキング補正を、また対角線上に
位置するディテクタ１１ａ、１１ｃの合計受光量及びデ
ィテクタ１１ｂ，１１ｄの合計受光量を用いて非点収差
法等によりフォーカス補正を行えるものである。
【００１８】ＲＦ信号検出回路２１は、抵抗器２１ａ〜
２１ｆ及び差動増幅器２１ｇから構成され、差動増幅器
２１ｇの非反転入力端子には抵抗器２１ａ〜２１ｄのそ
れぞれを介してフォトディテクタ１１のディテクタ１１
ａ〜１１ｄに接続されている。また、差動増幅器２１ｇ
の反転入力端子は抵抗器２１ｅを介してその出力端子に
接続されると共に抵抗器２１ｆを介して接地されてい
る。これにより、差動増幅器２１ｇからはディテクタ１
１ａ〜１１ｄの出力信号を合成したＲＦ信号が出力され
る。
２１ｆ及び差動増幅器２１ｇから構成され、差動増幅器
２１ｇの非反転入力端子には抵抗器２１ａ〜２１ｄのそ
れぞれを介してフォトディテクタ１１のディテクタ１１
ａ〜１１ｄに接続されている。また、差動増幅器２１ｇ
の反転入力端子は抵抗器２１ｅを介してその出力端子に
接続されると共に抵抗器２１ｆを介して接地されてい
る。これにより、差動増幅器２１ｇからはディテクタ１
１ａ〜１１ｄの出力信号を合成したＲＦ信号が出力され
る。
【００１９】エンベロープ検出回路２２は、差動増幅器
２２ａ，２２ｂ、ダイオード２２ｃ，２２ｄ、コンデン
サ２２ｅ，２２ｆ、及び抵抗器２２ｇ〜２２ｊから構成
されている。差動増幅器２２ａの非反転入力端子にはＲ
Ｆ信号検出回路２１から出力されるＲＦ信号が入力さ
れ、反転入力端子はコンデンサ２２ｅを介してその出力
端子及び抵抗器２２ｇの一端に接続されると共に、ダイ
オード２２ｃを介して抵抗器２２ｇの他端及びダイオー
ド２２ｄのアノードに接続されている。ここで、差動増
幅器２２ａの反転入力端子側がダイオード２２ｃのアノ
ードとなる。
２２ａ，２２ｂ、ダイオード２２ｃ，２２ｄ、コンデン
サ２２ｅ，２２ｆ、及び抵抗器２２ｇ〜２２ｊから構成
されている。差動増幅器２２ａの非反転入力端子にはＲ
Ｆ信号検出回路２１から出力されるＲＦ信号が入力さ
れ、反転入力端子はコンデンサ２２ｅを介してその出力
端子及び抵抗器２２ｇの一端に接続されると共に、ダイ
オード２２ｃを介して抵抗器２２ｇの他端及びダイオー
ド２２ｄのアノードに接続されている。ここで、差動増
幅器２２ａの反転入力端子側がダイオード２２ｃのアノ
ードとなる。
【００２０】また、差動増幅器２２ｂの非反転入力端子
はダイオード２２ｄのカソードに接続されると共に、直
列接続されたコンデンサ２２ｆ及び抵抗器２２ｈと抵抗
器２２ｉとの並列回路にを介して接地されている。さら
に、差動増幅器２２ｂの出力端子はその反転入力端子に
接続されると共に抵抗器２２ｊを介して差動増幅器２２
ａの反転入力端子に接続されている。
はダイオード２２ｄのカソードに接続されると共に、直
列接続されたコンデンサ２２ｆ及び抵抗器２２ｈと抵抗
器２２ｉとの並列回路にを介して接地されている。さら
に、差動増幅器２２ｂの出力端子はその反転入力端子に
接続されると共に抵抗器２２ｊを介して差動増幅器２２
ａの反転入力端子に接続されている。
【００２１】これにより、エンベロープ検出回路２２か
らはＲＦ信号の包絡線成分、即ちエンベロープが検出さ
れ、エンベロープ信号ＥＶが出力される。
らはＲＦ信号の包絡線成分、即ちエンベロープが検出さ
れ、エンベロープ信号ＥＶが出力される。
【００２２】ＤＣ成分抽出回路２３は、抵抗器２３ａと
コンデンサ２３ｂから構成され、抵抗器２３ａの一端に
はエンベロープ信号ＥＶが入力され、他端はコンデンサ
２３ｂを介して接地されている。これにより、抵抗器２
３ａの他端からエンベロープ信号ＥＶの直流成分ＥＤＣ
が出力される。
コンデンサ２３ｂから構成され、抵抗器２３ａの一端に
はエンベロープ信号ＥＶが入力され、他端はコンデンサ
２３ｂを介して接地されている。これにより、抵抗器２
３ａの他端からエンベロープ信号ＥＶの直流成分ＥＤＣ
が出力される。
【００２３】暗ディフェクト検出レベル生成回路２４
は、差動増幅器２４ａ、抵抗器２４ｂ〜２４ｅ及び電子
スイッチＳＷ１から構成されている。差動増幅器２４ａ
の非反転入力端子にはエンベロープ信号の直流成分ＥＤ
Ｃが入力されている。
は、差動増幅器２４ａ、抵抗器２４ｂ〜２４ｅ及び電子
スイッチＳＷ１から構成されている。差動増幅器２４ａ
の非反転入力端子にはエンベロープ信号の直流成分ＥＤ
Ｃが入力されている。
【００２４】また、差動増幅器２４ａの出力端子はその
反転入力端子に接続されると共に、抵抗器２４ｂ，２４
ｃからなる第１の分圧回路と抵抗器２４ｄ，２４ｅから
なる第２の分圧回路に接続されている。
反転入力端子に接続されると共に、抵抗器２４ｂ，２４
ｃからなる第１の分圧回路と抵抗器２４ｄ，２４ｅから
なる第２の分圧回路に接続されている。
【００２５】さらに、前記第１の分圧回路によって生成
された第１の暗ディフェクト検出レベル電圧Ｖ１１、及
び前記第２の分圧回路によって生成された第２の暗ディ
フェクト検出レベル電圧Ｖ１２のそれぞれは、電子スイ
ッチＳＷ１の２つの接点ＳＷ１ａ，ＳＷ１ｂに入力さ
れ、切り替え制御信号Ｖcom によって電子スイッチＳＷ
１が切り替えられて、第１或いは第２の暗ディフェクト
検出レベル電圧Ｖ１１，Ｖ１２の何れか一方が暗ディフ
ェクト検出レベル電圧Ｖａとして電子スイッチＳＷ１の
接片ＳＷ１ｃから出力される。
された第１の暗ディフェクト検出レベル電圧Ｖ１１、及
び前記第２の分圧回路によって生成された第２の暗ディ
フェクト検出レベル電圧Ｖ１２のそれぞれは、電子スイ
ッチＳＷ１の２つの接点ＳＷ１ａ，ＳＷ１ｂに入力さ
れ、切り替え制御信号Ｖcom によって電子スイッチＳＷ
１が切り替えられて、第１或いは第２の暗ディフェクト
検出レベル電圧Ｖ１１，Ｖ１２の何れか一方が暗ディフ
ェクト検出レベル電圧Ｖａとして電子スイッチＳＷ１の
接片ＳＷ１ｃから出力される。
【００２６】ここで、第１の暗ディフェクト検出レベル
電圧Ｖ１１は、直流成分ＥＤＣよりも所定量低い電圧と
なるように、また第２の暗ディフェクト検出レベル電圧
Ｖ１２は第１の暗ディフェクト検出レベル電圧Ｖ１１よ
りも所定量低い電圧となるように抵抗器２４ｂ〜２４ｅ
の抵抗値が設定されている。
電圧Ｖ１１は、直流成分ＥＤＣよりも所定量低い電圧と
なるように、また第２の暗ディフェクト検出レベル電圧
Ｖ１２は第１の暗ディフェクト検出レベル電圧Ｖ１１よ
りも所定量低い電圧となるように抵抗器２４ｂ〜２４ｅ
の抵抗値が設定されている。
【００２７】また、切り替え制御信号Ｖcom はロー・ハ
イレベルの２値信号であり、手動入力であっても良い
し、ＣＰＵから入力されるものであっても良い。
イレベルの２値信号であり、手動入力であっても良い
し、ＣＰＵから入力されるものであっても良い。
【００２８】明ディフェクト検出レベル生成回路２５
は、差動増幅器２５ａ、抵抗器２５ｂ〜２５ｅ及び電子
スイッチＳＷ２から構成されている。差動増幅器２５ａ
の非反転入力端子にはエンベロープ信号ＥＶが入力され
ている。
は、差動増幅器２５ａ、抵抗器２５ｂ〜２５ｅ及び電子
スイッチＳＷ２から構成されている。差動増幅器２５ａ
の非反転入力端子にはエンベロープ信号ＥＶが入力され
ている。
【００２９】また、差動増幅器２５ａの出力端子はその
反転入力端子に接続されると共に、抵抗器２５ｂ，２５
ｃからなる第１の分圧回路と抵抗器２５ｄ，２５ｅから
なる第２の分圧回路に接続されている。
反転入力端子に接続されると共に、抵抗器２５ｂ，２５
ｃからなる第１の分圧回路と抵抗器２５ｄ，２５ｅから
なる第２の分圧回路に接続されている。
【００３０】さらに、前記第１の分圧回路によって生成
された第１の明ディフェクト検出レベル電圧Ｖ２１、及
び前記第２の分圧回路によって生成された第２の明ディ
フェクト検出レベル電圧Ｖ２２のそれぞれは、電子スイ
ッチＳＷ２の２つの接点ＳＷ２ａ，ＳＷ２ｂに入力さ
れ、切り替え制御信号Ｖcom によって電子スイッチＳＷ
２が切り替えられて、第１或いは第２の明ディフェクト
検出レベル電圧Ｖ２１，Ｖ２２の何れか一方が明ディフ
ェクト検出レベル電圧Ｖｂとして電子スイッチＳＷ２の
接片ＳＷ２ｃから出力される。
された第１の明ディフェクト検出レベル電圧Ｖ２１、及
び前記第２の分圧回路によって生成された第２の明ディ
フェクト検出レベル電圧Ｖ２２のそれぞれは、電子スイ
ッチＳＷ２の２つの接点ＳＷ２ａ，ＳＷ２ｂに入力さ
れ、切り替え制御信号Ｖcom によって電子スイッチＳＷ
２が切り替えられて、第１或いは第２の明ディフェクト
検出レベル電圧Ｖ２１，Ｖ２２の何れか一方が明ディフ
ェクト検出レベル電圧Ｖｂとして電子スイッチＳＷ２の
接片ＳＷ２ｃから出力される。
【００３１】ここで、第１の明ディフェクト検出レベル
電圧Ｖ２１は、エンベロープ信号ＥＶよりも所定量低い
電圧となるように、また第２の明ディフェクト検出レベ
ル電圧Ｖ２２は第１の明ディフェクト検出レベル電圧Ｖ
２１よりも所定量低い電圧となるように抵抗器２５ｂ〜
２５ｅの抵抗値が設定されている。
電圧Ｖ２１は、エンベロープ信号ＥＶよりも所定量低い
電圧となるように、また第２の明ディフェクト検出レベ
ル電圧Ｖ２２は第１の明ディフェクト検出レベル電圧Ｖ
２１よりも所定量低い電圧となるように抵抗器２５ｂ〜
２５ｅの抵抗値が設定されている。
【００３２】第１の比較回路２６は、コンパレータ２６
ａ及び抵抗器２６ｂから構成され、コンパレータ２６ａ
の非反転入力端子には暗ディフェクト検出レベル生成回
路２４から出力される暗ディフェクト検出レベル電圧Ｖ
ａが入力され、反転入力端子にはエンベロープ信号ＥＶ
が入力されている。さらに、コンパレータ２６ａの出力
端子は抵抗器２６ｂを介してハイレベル電圧にプルアッ
プされている。
ａ及び抵抗器２６ｂから構成され、コンパレータ２６ａ
の非反転入力端子には暗ディフェクト検出レベル生成回
路２４から出力される暗ディフェクト検出レベル電圧Ｖ
ａが入力され、反転入力端子にはエンベロープ信号ＥＶ
が入力されている。さらに、コンパレータ２６ａの出力
端子は抵抗器２６ｂを介してハイレベル電圧にプルアッ
プされている。
【００３３】これにより、コンパレータ２６ａの出力端
子から出力される暗ディフェクト検出信号Ｄ１は、電圧
Ｖａのレベルがエンベロープ信号ＥＶの電圧レベルより
も大きいときはハイレベルとなり、また電圧Ｖａのレベ
ルがエンベロープ信号ＥＶの電圧レベル以下のときはロ
ーレベルとなる。暗ディフェクト検出信号Ｄ１がハイレ
ベルのとき暗ディフェクトを検出したものとされる。
子から出力される暗ディフェクト検出信号Ｄ１は、電圧
Ｖａのレベルがエンベロープ信号ＥＶの電圧レベルより
も大きいときはハイレベルとなり、また電圧Ｖａのレベ
ルがエンベロープ信号ＥＶの電圧レベル以下のときはロ
ーレベルとなる。暗ディフェクト検出信号Ｄ１がハイレ
ベルのとき暗ディフェクトを検出したものとされる。
【００３４】第２の比較回路２７は、コンパレータ２７
ａ及び抵抗器２７ｂから構成され、コンパレータ２７ａ
の非反転入力端子には明ディフェクト検出レベル生成回
路２５から出力される明ディフェクト検出レベル電圧Ｖ
ｂが入力され、反転入力端子は暗ディフェクト検出レベ
ル生成回路２４の差動増幅器２４ａの出力端子に接続さ
れている。これにより、コンパレータ２７ａの反転入力
端子にはエンベロープ信号の直流成分ＥＤＣと同等の信
号が入力される。さらに、コンパレータ２７ａの出力端
子は抵抗器２７ｂを介してハイレベル電圧にプルアップ
されている。
ａ及び抵抗器２７ｂから構成され、コンパレータ２７ａ
の非反転入力端子には明ディフェクト検出レベル生成回
路２５から出力される明ディフェクト検出レベル電圧Ｖ
ｂが入力され、反転入力端子は暗ディフェクト検出レベ
ル生成回路２４の差動増幅器２４ａの出力端子に接続さ
れている。これにより、コンパレータ２７ａの反転入力
端子にはエンベロープ信号の直流成分ＥＤＣと同等の信
号が入力される。さらに、コンパレータ２７ａの出力端
子は抵抗器２７ｂを介してハイレベル電圧にプルアップ
されている。
【００３５】これにより、コンパレータ２７ａの出力端
子から出力される明ディフェクト検出信号Ｄ２は、電圧
Ｖｂのレベルがエンベロープ信号の直流成分ＥＤＣの電
圧レベルよりも大きいときはハイレベルとなり、また電
圧Ｖｂのレベルが直流成分ＥＤＣの電圧レベル以下のと
きはローレベルとなる。明ディフェクト検出信号Ｄ２が
ハイレベルのとき明ディフェクトを検出したものとされ
る。
子から出力される明ディフェクト検出信号Ｄ２は、電圧
Ｖｂのレベルがエンベロープ信号の直流成分ＥＤＣの電
圧レベルよりも大きいときはハイレベルとなり、また電
圧Ｖｂのレベルが直流成分ＥＤＣの電圧レベル以下のと
きはローレベルとなる。明ディフェクト検出信号Ｄ２が
ハイレベルのとき明ディフェクトを検出したものとされ
る。
【００３６】ディフェクト検出信号出力回路２８は、２
入力のＯＲ回路２８ａと抵抗器２８ｂから構成され、Ｏ
Ｒ回路２８ａには暗ディフェクト検出信号Ｄ１及び明デ
ィフェクト検出信号Ｄ２が入力され、これらの何れか一
方或いは両方がハイレベルとなったときにＯＲ回路２８
ａの出力信号はハイレベルとなる。ＯＲ回路２８ａの出
力信号は抵抗器２８ｂを介してディフェクト検出信号Ｄ
３として出力される。
入力のＯＲ回路２８ａと抵抗器２８ｂから構成され、Ｏ
Ｒ回路２８ａには暗ディフェクト検出信号Ｄ１及び明デ
ィフェクト検出信号Ｄ２が入力され、これらの何れか一
方或いは両方がハイレベルとなったときにＯＲ回路２８
ａの出力信号はハイレベルとなる。ＯＲ回路２８ａの出
力信号は抵抗器２８ｂを介してディフェクト検出信号Ｄ
３として出力される。
【００３７】次に、前述の構成よりなる本実施形態の動
作を図４に示す信号波形図に基づいて説明する。光ディ
スクの表面に付くディフェクトの種類によって反射光強
度、即ちＲＦ信号レベルが変化する。例えば、光ディス
ク１の基板表面に傷が付くと記録層に照射される光量が
減少すると共に光ディスクからの反射光強度も低減し、
基板表面にインク等が付着すると記録層に照射される光
量が減少すると共に光ディスクからの反射光強度も低減
する。
作を図４に示す信号波形図に基づいて説明する。光ディ
スクの表面に付くディフェクトの種類によって反射光強
度、即ちＲＦ信号レベルが変化する。例えば、光ディス
ク１の基板表面に傷が付くと記録層に照射される光量が
減少すると共に光ディスクからの反射光強度も低減し、
基板表面にインク等が付着すると記録層に照射される光
量が減少すると共に光ディスクからの反射光強度も低減
する。
【００３８】このようにディフェクトによってレベルが
変化した反射光からＲＦ信号検出回路２１によりＲＦ信
号が検出され、さらにエンベロープ検出回路２２によっ
てＲＦ信号のエンベロープが信号として検出される。
変化した反射光からＲＦ信号検出回路２１によりＲＦ信
号が検出され、さらにエンベロープ検出回路２２によっ
てＲＦ信号のエンベロープが信号として検出される。
【００３９】また、エンベロープ信号ＥＶの直流成分が
ＤＣ成分抽出回路２３によって抽出される。
ＤＣ成分抽出回路２３によって抽出される。
【００４０】この後、暗ディフェクト検出レベル生成回
路２４において、エンベロープ信号ＥＶの直流成分レベ
ルＥＤＣが所定の分圧比によって分圧され、前記直流成
分レベルよりも所定量低レベルの暗ディフェクト検出レ
ベルＶａが生成される。
路２４において、エンベロープ信号ＥＶの直流成分レベ
ルＥＤＣが所定の分圧比によって分圧され、前記直流成
分レベルよりも所定量低レベルの暗ディフェクト検出レ
ベルＶａが生成される。
【００４１】また、明ディフェクト検出レベル生成回路
２５において、エンベロープ信号ＥＶが所定の分圧比に
よって分圧され、エンベロープ信号ＥＶのレベルよりも
所定量低レベルの明ディフェクト検出レベルＶｂが生成
される。
２５において、エンベロープ信号ＥＶが所定の分圧比に
よって分圧され、エンベロープ信号ＥＶのレベルよりも
所定量低レベルの明ディフェクト検出レベルＶｂが生成
される。
【００４２】暗ディフェクト検出レベルＶａは、第１の
比較回路２６においてエンベロープ信号ＥＶのレベルと
比較される。これにより、エンベロープ信号ＥＶにおい
てそのレベルが特に落ち込んだ部分、即ち暗ディフェク
トの部分が検出され、このとき第１の比較回路２６から
ハイレベルのパルス状の暗ディフェクト検出信号Ｄ１が
出力される。
比較回路２６においてエンベロープ信号ＥＶのレベルと
比較される。これにより、エンベロープ信号ＥＶにおい
てそのレベルが特に落ち込んだ部分、即ち暗ディフェク
トの部分が検出され、このとき第１の比較回路２６から
ハイレベルのパルス状の暗ディフェクト検出信号Ｄ１が
出力される。
【００４３】また、明ディフェクト検出レベルＶｂは、
第２の比較回路２７においてエンベロープ信号ＥＶの直
流成分ＥＤＣのレベルと比較される。これにより、エン
ベロープ信号ＥＶのレベルを所定量下げた明ディフェク
ト検出レベルにおいてそのレベルが特に高い部分、即ち
明ディフェクトの部分が検出され、このとき第２の比較
回路２７からハイレベルのパルス状の明ディフェクト検
出信号Ｄ２が出力される。
第２の比較回路２７においてエンベロープ信号ＥＶの直
流成分ＥＤＣのレベルと比較される。これにより、エン
ベロープ信号ＥＶのレベルを所定量下げた明ディフェク
ト検出レベルにおいてそのレベルが特に高い部分、即ち
明ディフェクトの部分が検出され、このとき第２の比較
回路２７からハイレベルのパルス状の明ディフェクト検
出信号Ｄ２が出力される。
【００４４】さらに、これらの暗ディフェクト検出信号
Ｄ１及び明ディフェクト検出信号Ｄ２はＯＲ回路２８ａ
によって論理和されて、ディフェクト検出信号Ｄ３とし
て出力される。
Ｄ１及び明ディフェクト検出信号Ｄ２はＯＲ回路２８ａ
によって論理和されて、ディフェクト検出信号Ｄ３とし
て出力される。
【００４５】一方、光ディスクに対して情報の記録或い
は再生を行う前にディフェクトを検出する際には、電子
スイッチＳＷ１，ＳＷ２によって第１の暗ディフェクト
検出レベル電圧Ｖ１１と第１の明ディフェクト検出レベ
ル電圧Ｖ２１が選択され、ディフェクトの検出範囲が大
きく設定され、光ディスクに対して情報の記録或いは再
生を行うときにディフェクトを検出する際には、電子ス
イッチＳＷ１，ＳＷ２によって第２の暗ディフェクト検
出レベル電圧Ｖ１２と第２の明ディフェクト検出レベル
電圧Ｖ２２が選択され、ディフェクトの検出範囲が小さ
く設定される。
は再生を行う前にディフェクトを検出する際には、電子
スイッチＳＷ１，ＳＷ２によって第１の暗ディフェクト
検出レベル電圧Ｖ１１と第１の明ディフェクト検出レベ
ル電圧Ｖ２１が選択され、ディフェクトの検出範囲が大
きく設定され、光ディスクに対して情報の記録或いは再
生を行うときにディフェクトを検出する際には、電子ス
イッチＳＷ１，ＳＷ２によって第２の暗ディフェクト検
出レベル電圧Ｖ１２と第２の明ディフェクト検出レベル
電圧Ｖ２２が選択され、ディフェクトの検出範囲が小さ
く設定される。
【００４６】従って、本実施形態によれば、ディフェク
ト検出に用いる信号、即ちエンベロープ信号ＥＶ、エン
ベロープ信号の直流成分ＥＤＣ、暗ディフェクト検出レ
ベルＶａ及び明ディフェクト検出レベルＶｂのそれぞれ
は、ＲＦ信号のレベルに従って変動するので、情報が記
録された部分或いは情報が未記録の部分等の違いにより
ＲＦ信号のレベル変動が生じても、適切な暗ディフェク
ト検出レベル及び明ディフェクト検出レベルが生成さ
れ、暗ディフェクト及び明ディフェクトを的確に検出す
ることができる。
ト検出に用いる信号、即ちエンベロープ信号ＥＶ、エン
ベロープ信号の直流成分ＥＤＣ、暗ディフェクト検出レ
ベルＶａ及び明ディフェクト検出レベルＶｂのそれぞれ
は、ＲＦ信号のレベルに従って変動するので、情報が記
録された部分或いは情報が未記録の部分等の違いにより
ＲＦ信号のレベル変動が生じても、適切な暗ディフェク
ト検出レベル及び明ディフェクト検出レベルが生成さ
れ、暗ディフェクト及び明ディフェクトを的確に検出す
ることができる。
【００４７】さらに、第１及び第２の暗ディフェクト検
出レベル電圧Ｖ１１，Ｖ１２並びに第１及び第２の明デ
ィフェクト検出レベル電圧Ｖ２１，Ｖ２２は、それぞれ
の検出レベル生成回路２４，２５において、エンベロー
プ信号ＥＶ或いはその直流成分ＥＤＣから抵抗分圧によ
って生成されるため、微小なレベルの違いを抵抗器の精
度を持って生成できるので、指紋や汚れ等の検出レベル
が浅いディフェクトも容易に検出することができる。
出レベル電圧Ｖ１１，Ｖ１２並びに第１及び第２の明デ
ィフェクト検出レベル電圧Ｖ２１，Ｖ２２は、それぞれ
の検出レベル生成回路２４，２５において、エンベロー
プ信号ＥＶ或いはその直流成分ＥＤＣから抵抗分圧によ
って生成されるため、微小なレベルの違いを抵抗器の精
度を持って生成できるので、指紋や汚れ等の検出レベル
が浅いディフェクトも容易に検出することができる。
【００４８】また、暗ディフェクト検出レベルＶａ及び
明ディフェクト検出レベルＶｂを２種類から目的に応じ
て選択できるようにし、例えば、情報の記録再生時にサ
ーボ系のゲインダウン或いはミュート機能をイネーブル
とする際には検出範囲の小さい第２の暗及び明ディフェ
クト検出レベル電圧Ｖ１２，Ｖ２２を用い、情報の記録
再生動作を行う前に光ディスクの表面状態を確認する際
には、検出範囲の大きい第１の暗及び明ディフェクト検
出レベル電圧Ｖ１１，Ｖ２１を用いているので、情報記
録再生動作前の詳細なディフェクト検出、及び情報記録
再生時のトラッキングサーボ系に影響を与えるディフェ
クトのみの検出を選択的に行うことができる。
明ディフェクト検出レベルＶｂを２種類から目的に応じ
て選択できるようにし、例えば、情報の記録再生時にサ
ーボ系のゲインダウン或いはミュート機能をイネーブル
とする際には検出範囲の小さい第２の暗及び明ディフェ
クト検出レベル電圧Ｖ１２，Ｖ２２を用い、情報の記録
再生動作を行う前に光ディスクの表面状態を確認する際
には、検出範囲の大きい第１の暗及び明ディフェクト検
出レベル電圧Ｖ１１，Ｖ２１を用いているので、情報記
録再生動作前の詳細なディフェクト検出、及び情報記録
再生時のトラッキングサーボ系に影響を与えるディフェ
クトのみの検出を選択的に行うことができる。
【００４９】次に、本発明の第２の実施形態を説明す
る。図５は、第２の実施形態における光ディスクのディ
フェクト検出装置を示す構成図である。図において、前
述した第１の実施形態と同一構成部分は同一符号をもっ
て表しその説明を省略する。また、第１の実施形態と第
２の実施形態との相違点は、第１の実施形態における暗
ディフェクト検出レベル生成回路２４及び明ディフェク
ト検出レベル生成回路２５に代えて、アナログ／ディジ
タル（Ａ／Ｄ）変換器３１，３２、ディジタル／アナロ
グ（Ｄ／Ａ）変換器３３，３４及びＣＰＵ３５を設けた
ことにある。
る。図５は、第２の実施形態における光ディスクのディ
フェクト検出装置を示す構成図である。図において、前
述した第１の実施形態と同一構成部分は同一符号をもっ
て表しその説明を省略する。また、第１の実施形態と第
２の実施形態との相違点は、第１の実施形態における暗
ディフェクト検出レベル生成回路２４及び明ディフェク
ト検出レベル生成回路２５に代えて、アナログ／ディジ
タル（Ａ／Ｄ）変換器３１，３２、ディジタル／アナロ
グ（Ｄ／Ａ）変換器３３，３４及びＣＰＵ３５を設けた
ことにある。
【００５０】即ち、Ａ／Ｄ変換器３１は、ＤＣ成分抽出
回路から出力される直流成分ＥＤＣを入力し、この電圧
値をディジタル値Ｄedc に変換してＣＰＵ３５に出力す
る。
回路から出力される直流成分ＥＤＣを入力し、この電圧
値をディジタル値Ｄedc に変換してＣＰＵ３５に出力す
る。
【００５１】Ａ／Ｄ変換器３２は、エンベロープ検出回
路２２から出力されるエンベロープ信号ＥＶを入力し、
この電圧値をディジタル値Ｄevに変換してＣＰＵ３５に
出力する。
路２２から出力されるエンベロープ信号ＥＶを入力し、
この電圧値をディジタル値Ｄevに変換してＣＰＵ３５に
出力する。
【００５２】Ｄ／Ａ変換器３３は、ＣＰＵ３５から出力
される暗ディフェクト検出レベル値Ｄa に対応する電圧
Ｖａを第１の比較回路２６に出力する。
される暗ディフェクト検出レベル値Ｄa に対応する電圧
Ｖａを第１の比較回路２６に出力する。
【００５３】Ｄ／Ａ変換器３４は、ＣＰＵ３５から出力
される明ディフェクト検出レベル値Ｄb に対応する電圧
Ｖｂを第２の比較回路２７に出力する。
される明ディフェクト検出レベル値Ｄb に対応する電圧
Ｖｂを第２の比較回路２７に出力する。
【００５４】ＣＰＵ３５は、切替え制御信号Ｖcom を入
力し、この切替え制御信号Ｖcom がローレベルであるか
ハイレベルであるかによって暗ディフェクト検出レベル
値Ｄa 及び明ディフェクト検出レベル値Ｄb を変化させ
て出力する。
力し、この切替え制御信号Ｖcom がローレベルであるか
ハイレベルであるかによって暗ディフェクト検出レベル
値Ｄa 及び明ディフェクト検出レベル値Ｄb を変化させ
て出力する。
【００５５】即ち、図６のフローチャートに示すよう
に、ＣＰＵ３５は予め設定されたプログラムに従って動
作し、動作を開始すると、切替え制御信号Ｖcom のレベ
ルがＴＴＬレベルのハイレベルであるかローレベルであ
るかを判定する（ＳＡ１）。ここでは、光ディスクに対
して情報の記録或いは再生を行う前にディフェクトを検
出する場合には切替え制御信号Ｖcom はハイレベルに設
定され、光ディスクに対して情報の記録或いは再生を行
うときに（行いながら）ディフェクトを検出する場合に
は切替え制御信号Ｖcom はローレベルに設定されるもの
とする。
に、ＣＰＵ３５は予め設定されたプログラムに従って動
作し、動作を開始すると、切替え制御信号Ｖcom のレベ
ルがＴＴＬレベルのハイレベルであるかローレベルであ
るかを判定する（ＳＡ１）。ここでは、光ディスクに対
して情報の記録或いは再生を行う前にディフェクトを検
出する場合には切替え制御信号Ｖcom はハイレベルに設
定され、光ディスクに対して情報の記録或いは再生を行
うときに（行いながら）ディフェクトを検出する場合に
は切替え制御信号Ｖcom はローレベルに設定されるもの
とする。
【００５６】前記ＳＡ１の判定の結果、切替え制御信号
Ｖcom がハイレベルであるときは、暗補正値Ｃa として
第１の暗補正値Ｃa1を選択する（Ｃa ＝Ｃa1）（ＳＡ
２）と共に、明補正値Ｃb として第１の明補正値Ｃb1を
選択する（Ｃb ＝Ｃb1）（ＳＡ３）。
Ｖcom がハイレベルであるときは、暗補正値Ｃa として
第１の暗補正値Ｃa1を選択する（Ｃa ＝Ｃa1）（ＳＡ
２）と共に、明補正値Ｃb として第１の明補正値Ｃb1を
選択する（Ｃb ＝Ｃb1）（ＳＡ３）。
【００５７】また、前記ＳＡ１の判定の結果、切替え制
御信号Ｖcom がローレベルであるときは、暗補正値Ｃa
として第２の暗補正値Ｃa2を選択する（Ｃa ＝Ｃa2）
（ＳＡ４）と共に、明補正値Ｃb として第２の明補正値
Ｃb2を選択する（Ｃb ＝Ｃb2）（ＳＡ５）。
御信号Ｖcom がローレベルであるときは、暗補正値Ｃa
として第２の暗補正値Ｃa2を選択する（Ｃa ＝Ｃa2）
（ＳＡ４）と共に、明補正値Ｃb として第２の明補正値
Ｃb2を選択する（Ｃb ＝Ｃb2）（ＳＡ５）。
【００５８】ここで、第２の暗補正値Ｃa2は第１の暗補
正値Ｃa1よりも大きな所定値に設定されていると共に、
第２の明補正値Ｃb2は第１の明補正値Ｃb1よりも大きな
所定値に設定されいている。
正値Ｃa1よりも大きな所定値に設定されていると共に、
第２の明補正値Ｃb2は第１の明補正値Ｃb1よりも大きな
所定値に設定されいている。
【００５９】この後、ＣＰＵ３５は、直流成分ＥＤＣの
ディジタル値Ｄedc から暗補正値Ｃa を減算した値を暗
ディフェクト検出レベル値Ｄa とする（ＳＡ６）と共
に、エンベロープ信号ＥＶのディジタル値Ｄevから明補
正値Ｃb を減算した値を明ディフェクト検出レベル値Ｄ
b とする（ＳＡ７）。
ディジタル値Ｄedc から暗補正値Ｃa を減算した値を暗
ディフェクト検出レベル値Ｄa とする（ＳＡ６）と共
に、エンベロープ信号ＥＶのディジタル値Ｄevから明補
正値Ｃb を減算した値を明ディフェクト検出レベル値Ｄ
b とする（ＳＡ７）。
【００６０】次いで、ＣＰＵ３５は、これらの暗ディフ
ェクト検出レベル値Ｄa 及び明ディフェクト検出レベル
値Ｄb をＤ／Ａ変換器３３，３４に出力する（ＳＡ８，
ＳＡ９）。この後、前記ＳＡ１の処理に移行し、前述し
た処理を繰り返し実行する。
ェクト検出レベル値Ｄa 及び明ディフェクト検出レベル
値Ｄb をＤ／Ａ変換器３３，３４に出力する（ＳＡ８，
ＳＡ９）。この後、前記ＳＡ１の処理に移行し、前述し
た処理を繰り返し実行する。
【００６１】前述した第２の実施形態においても、第１
の実施形態と同様の効果が得られると共に、暗ディフェ
クト検出レベル及び明ディフェクト検出レベルをプログ
ラムによって任意に変更することができる。
の実施形態と同様の効果が得られると共に、暗ディフェ
クト検出レベル及び明ディフェクト検出レベルをプログ
ラムによって任意に変更することができる。
【００６２】尚、前述した実施形態は、一例であり本願
発明がこれに限定されないことは言うまでもない。
発明がこれに限定されないことは言うまでもない。
【００６３】
【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項１記
載の光ディスクのディフェクト検出方法によれば、情報
が記録された部分或いは情報が未記録の部分等の違いに
よりＲＦ信号のレベル変動が生じても、適切な暗ディフ
ェクト検出レベル及び明ディフェクト検出レベルが生成
されると共に、第１及び第２の暗ディフェクト検出レベ
ル及び第１及び第２の明ディフェクト検出レベルのそれ
ぞれが、目的に応じて用いられ、例えば、情報の記録再
生時にサーボ系のゲインダウン或いはミュート機能をイ
ネーブルとする際には検出範囲の小さい第２の暗及び明
ディフェクト検出レベルが用いられ、情報の記録再生動
作を行う前に光ディスクの表面状態を確認する際には、
検出範囲の大きい第１の暗及び明ディフェクト検出レベ
ル用いられるので、情報記録再生動作前の詳細なディフ
ェクト検出、及び情報記録再生時のトラッキングサーボ
系に影響を与えるディフェクトのみの検出を選択的に行
うことができる。
載の光ディスクのディフェクト検出方法によれば、情報
が記録された部分或いは情報が未記録の部分等の違いに
よりＲＦ信号のレベル変動が生じても、適切な暗ディフ
ェクト検出レベル及び明ディフェクト検出レベルが生成
されると共に、第１及び第２の暗ディフェクト検出レベ
ル及び第１及び第２の明ディフェクト検出レベルのそれ
ぞれが、目的に応じて用いられ、例えば、情報の記録再
生時にサーボ系のゲインダウン或いはミュート機能をイ
ネーブルとする際には検出範囲の小さい第２の暗及び明
ディフェクト検出レベルが用いられ、情報の記録再生動
作を行う前に光ディスクの表面状態を確認する際には、
検出範囲の大きい第１の暗及び明ディフェクト検出レベ
ル用いられるので、情報記録再生動作前の詳細なディフ
ェクト検出、及び情報記録再生時のトラッキングサーボ
系に影響を与えるディフェクトのみの検出を選択的に行
うことができる。
【００６４】また、請求項２記載の光ディスクのディフ
ェクト検出装置によれば、情報が記録された部分或いは
情報が未記録の部分等の違いによりＲＦ信号のレベル変
動が生じても、適切な暗ディフェクト検出レベル及び明
ディフェクト検出レベルが生成されると共に、第１及び
第２の暗ディフェクト検出レベル及び第１及び第２の明
ディフェクト検出レベルのそれぞれが、目的に応じて第
１及び第２の選択手段によって選択され、例えば、情報
の記録再生時にサーボ系のゲインダウン或いはミュート
機能をイネーブルとする際には検出範囲の小さい第２の
暗及び明ディフェクト検出レベルが用いられ、情報の記
録再生動作を行う前に光ディスクの表面状態を確認する
際には、検出範囲の大きい第１の暗及び明ディフェクト
検出レベル用いられるので、情報記録再生動作前の詳細
なディフェクト検出、及び情報記録再生時のトラッキン
グサーボ系に影響を与えるディフェクトのみの検出を選
択的に行うことができる。
ェクト検出装置によれば、情報が記録された部分或いは
情報が未記録の部分等の違いによりＲＦ信号のレベル変
動が生じても、適切な暗ディフェクト検出レベル及び明
ディフェクト検出レベルが生成されると共に、第１及び
第２の暗ディフェクト検出レベル及び第１及び第２の明
ディフェクト検出レベルのそれぞれが、目的に応じて第
１及び第２の選択手段によって選択され、例えば、情報
の記録再生時にサーボ系のゲインダウン或いはミュート
機能をイネーブルとする際には検出範囲の小さい第２の
暗及び明ディフェクト検出レベルが用いられ、情報の記
録再生動作を行う前に光ディスクの表面状態を確認する
際には、検出範囲の大きい第１の暗及び明ディフェクト
検出レベル用いられるので、情報記録再生動作前の詳細
なディフェクト検出、及び情報記録再生時のトラッキン
グサーボ系に影響を与えるディフェクトのみの検出を選
択的に行うことができる。
【図１】本発明の第１の実施形態のディフェクト検出装
置を示す構成図
置を示す構成図
【図２】追記型光ディスクの一例を示す構成図
【図３】ディフェクトの影響を説明する図
【図４】本発明の第１の実施形態における信号波形図
【図５】本発明の第２の実施形態のディフェクト検出装
置を示す構成図
置を示す構成図
【図６】本発明の第２の実施形態におけるＣＰＵの処理
動作を説明するフローチャート
動作を説明するフローチャート
１…光ディスク、１Ａ…基板、１Ｂ…記録層、１Ｃ…反
射層、１Ｄ…保護層、１Ｅ…ディフェクト、１０…光ピ
ックアップ、１１…フォトディテクタ、１１ａ〜１１ｄ
…ディテクタ、２１…ＲＦ信号検出回路、２１ａ〜２１
ｆ…抵抗器、２１ｇ…差動増幅器、２２…エンベロープ
検出回路、２２ａ，２２ｂ…差動増幅器、２２ｃ，２２
ｄ…ダイオード、２２ｅ，２２ｆ…コンデンサ、２２ｇ
〜２２ｊ…抵抗器、２３…ＤＣ成分抽出回路、２３ａ…
抵抗器、２３ｂ…コンデンサ、２４…暗ディフェクト検
出レベル生成回路、２４ａ…差動増幅器、２４ｂ〜２４
ｅ…抵抗器、ＳＷ１…電子スイッチ、２５…明ディフェ
クト検出レベル生成回路、２５ａ…差動増幅器、２５ｂ
〜２５ｅ…抵抗器、ＳＷ２…電子スイッチ、２６…第１
の比較回路、２６ａ…コンパレータ、２６ｂ…抵抗器、
２７…第２の比較回路、２７ａ…コンパレータ、２７ｂ
…抵抗器、２８…ディフェクト検出信号出力回路、２８
ａ…ＯＲ回路、２８ｂ…抵抗器、３１，３２…Ａ／Ｄ変
換器、３３，３４…Ｄ／Ａ変換器、３５…ＣＰＵ。
射層、１Ｄ…保護層、１Ｅ…ディフェクト、１０…光ピ
ックアップ、１１…フォトディテクタ、１１ａ〜１１ｄ
…ディテクタ、２１…ＲＦ信号検出回路、２１ａ〜２１
ｆ…抵抗器、２１ｇ…差動増幅器、２２…エンベロープ
検出回路、２２ａ，２２ｂ…差動増幅器、２２ｃ，２２
ｄ…ダイオード、２２ｅ，２２ｆ…コンデンサ、２２ｇ
〜２２ｊ…抵抗器、２３…ＤＣ成分抽出回路、２３ａ…
抵抗器、２３ｂ…コンデンサ、２４…暗ディフェクト検
出レベル生成回路、２４ａ…差動増幅器、２４ｂ〜２４
ｅ…抵抗器、ＳＷ１…電子スイッチ、２５…明ディフェ
クト検出レベル生成回路、２５ａ…差動増幅器、２５ｂ
〜２５ｅ…抵抗器、ＳＷ２…電子スイッチ、２６…第１
の比較回路、２６ａ…コンパレータ、２６ｂ…抵抗器、
２７…第２の比較回路、２７ａ…コンパレータ、２７ｂ
…抵抗器、２８…ディフェクト検出信号出力回路、２８
ａ…ＯＲ回路、２８ｂ…抵抗器、３１，３２…Ａ／Ｄ変
換器、３３，３４…Ｄ／Ａ変換器、３５…ＣＰＵ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ１１Ｂ 20/18 ５７２ Ｇ１１Ｂ 20/18 ５７２Ｆ
Claims (2)
- 【請求項１】 レーザ光を用いて記録層に情報を記録可
能な光ディスクの表面に付着した汚れや傷等のディフェ
クトを検出する光ディスクのディフェクト検出方法であ
って、 前記光ディスクに対して情報の記録或いは再生を行う前
にディフェクトを検出する際には、 前記光ディスクの記録面からの反射光より得られたＲＦ
信号のエンベロープを信号として検出すると共に、 該エンベロープ信号の直流成分を抽出した後、 該エンベロープ直流成分のレベルよりも所定量低レベル
の第１の暗ディフェクト検出レベルを生成すると共に、 前記第１の暗ディフェクト検出レベルと前記エンベロー
プ信号のレベルとを比較し、前記第１の暗ディフェクト
検出レベルよりも前記エンベロープレベルが小さいとき
に暗ディフェクト検出となし、 前記エンベロープ信号のレベルよりも所定量低レベルの
第１の明ディフェクト検出レベルを生成すると共に、 前記第１の明ディフェクト検出レベルと前記エンベロー
プ信号の直流成分レベルとを比較し、前記直流成分レベ
ルよりも前記第１の明ディフェクト検出レベルが大きい
ときに明ディフェクト検出となし、 前記光ディスクに対して情報の記録或いは再生を行うと
きにディフェクトを検出する際には、 前記光ディスクの記録面からの反射光より得られたＲＦ
信号のエンベロープを信号として検出すると共に、 該エンベロープ信号の直流成分を抽出した後、 該エンベロープ直流成分のレベルよりも所定量低レベル
であり、且つ前記第１の暗ディフェクト検出レベルより
も所定量低レベルの第２の暗ディフェクト検出レベルを
生成すると共に、 前記第２の暗ディフェクト検出レベルと前記エンベロー
プ信号のレベルとを比較し、前記第２の暗ディフェクト
検出レベルよりも前記エンベロープレベルが小さいとき
に暗ディフェクト検出となし、 前記エンベロープ信号のレベルよりも所定量低レベルで
あり、且つ前記第１の明ディフェクト検出レベルよりも
所定量低レベルの第２の明ディフェクト検出レベルを生
成すると共に、 前記第２の明ディフェクト検出レベルと前記エンベロー
プ信号の直流成分レベルとを比較し、前記直流成分レベ
ルよりも前記第２の明ディフェクト検出レベルが大きい
ときに明ディフェクト検出となすことを特徴とする光デ
ィスクのディフェクト検出方法。 - 【請求項２】 レーザ光を用いて記録層に情報を記録可
能な光ディスクの表面に付着した汚れや傷等のディフェ
クトを検出する光ディスクのディフェクト検出装置であ
って、 前記光ディスクの記録面からの反射光より得られたＲＦ
信号のエンベロープを信号として検出するエンベロープ
検出手段と、 該エンベロープ検出手段によって検出されたエンベロー
プ信号の直流成分を抽出する直流成分抽出手段と、 該エンベロープ直流成分のレベルよりも所定量低レベル
の第１の暗ディフェクト検出レベル、及び該第１の暗デ
ィフェクト検出レベルよりも所定量低レベルの第２の暗
ディフェクト検出レベルを生成する暗ディフェクト検出
レベル生成手段と、 前記エンベロープ信号のレベルよりも所定量低レベルの
第１の明ディフェクト検出レベル、及び該第１の明ディ
フェクト検出レベルよりも所定量低レベルの第２の明デ
ィフェクト検出レベルを生成する明ディフェクト検出レ
ベル生成手段と、 前記第１の暗ディフェクト検出レベルまたは第２の暗デ
ィフェクト検出レベルの何れか一方を選択する第１の選
択手段と、 前記第１の明ディフェクト検出レベルまたは第２の明デ
ィフェクト検出レベルの何れか一方を選択する第２の選
択手段と、 前記第１の選択手段によって選択された暗ディフェクト
検出レベルと前記エンベロープ信号のレベルとを比較
し、前記暗ディフェクト検出レベルよりも前記エンベロ
ープレベルが小さいときに暗ディフェクト検出信号を出
力する第１の比較手段と、 前記第２の選択手段によって選択された明ディフェクト
検出レベルと前記エンベロープ信号の直流成分レベルと
を比較し、前記直流成分レベルよりも明ディフェクト検
出レベルが大きいときに明ディフェクト検出信号を出力
する第２の比較手段とを備えたことを特徴とする光ディ
スクのディフェクト検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19234196A JPH1040546A (ja) | 1996-07-22 | 1996-07-22 | 光ディスクのディフェクト検出方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19234196A JPH1040546A (ja) | 1996-07-22 | 1996-07-22 | 光ディスクのディフェクト検出方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1040546A true JPH1040546A (ja) | 1998-02-13 |
Family
ID=16289670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19234196A Pending JPH1040546A (ja) | 1996-07-22 | 1996-07-22 | 光ディスクのディフェクト検出方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1040546A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7339867B2 (en) * | 2004-02-19 | 2008-03-04 | Sony Corporation | Defect-signal generating circuit and optical disk reproducing device having the same |
| JP2009076120A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Panasonic Corp | 信号再生装置 |
| US7646682B2 (en) | 2003-11-17 | 2010-01-12 | Keng-Lon Lei | Focusing controller and method thereof for an optical disk drive |
| US7769120B2 (en) | 2004-01-20 | 2010-08-03 | Jay Hu | Dynamically adjusting sync windows |
| US7787337B2 (en) | 2004-08-17 | 2010-08-31 | Sherlock Chu | Method for detecting data defect in optical recording medium |
| US9959901B1 (en) | 2016-10-12 | 2018-05-01 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Inspection method for optical disc |
-
1996
- 1996-07-22 JP JP19234196A patent/JPH1040546A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7646682B2 (en) | 2003-11-17 | 2010-01-12 | Keng-Lon Lei | Focusing controller and method thereof for an optical disk drive |
| US7738333B2 (en) | 2003-11-17 | 2010-06-15 | Shih-Fang Chen | Optical disk drive for writing a re-writable optical disk and method thereof |
| US7778128B2 (en) | 2003-11-17 | 2010-08-17 | Yi-Lin Lai | Focusing controller apparatus and method for an optical disk drive |
| USRE42451E1 (en) | 2003-11-17 | 2011-06-14 | Han Holdings, LLC | Method and device for generating a stable power control signal |
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| JP2009076120A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Panasonic Corp | 信号再生装置 |
| US9959901B1 (en) | 2016-10-12 | 2018-05-01 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Inspection method for optical disc |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010515 |