JP2783087B2 - 磁気抵抗ヘッドの検査方法及び装置 - Google Patents

磁気抵抗ヘッドの検査方法及び装置

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JP2783087B2
JP2783087B2 JP4257551A JP25755192A JP2783087B2 JP 2783087 B2 JP2783087 B2 JP 2783087B2 JP 4257551 A JP4257551 A JP 4257551A JP 25755192 A JP25755192 A JP 25755192A JP 2783087 B2 JP2783087 B2 JP 2783087B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク等の磁気
媒体から再生を行う磁気抵抗ヘッド(Magneto
Resistive head、以下MRヘッドと称す
る)の検査方法及び装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、磁気ディスク等の磁気媒体用の薄
膜磁気ヘッドとして、磁気抵抗効果を利用したMRヘッ
ドが実用化され始めている。
【0003】MRヘッドは、パーマロイ等の強磁性体薄
膜の磁気抵抗効果を利用したものであるため、磁気媒体
との相対速度に依存することなく大きな再生出力を得る
ことができるが、バルクハウゼンノイズを発生する不良
品が生成されてしまう恐れがある。バルクハウゼンノイ
ズは、主として磁壁が磁性体内の欠陥や夾雑物等にひっ
かかりながら移動することに起因するものであり、この
ようなノイズを生じるヘッドでは一部の領域で正常な再
生動作が期待できない。このため、MRヘッド製造時の
検査においては、バルクハウゼンノイズ等のノイズを発
生しない良品であることを確認する必要がある。
【0004】しかしながら、バルクハウゼンノイズは、
出たり出なかったりランダムに発生するものであり定量
化することができないので、これを検出することは非常
に困難である。ヘッド用の薄膜材料自体からバルクハウ
ゼンノイズが出るかどうか検査する方法としては、非磁
性基板上の磁性薄膜にリング型ヘッドのギャップ部を接
触させた状態で外部からこの磁性薄膜に直流又は交流の
磁界を印加し、リング型ヘッドから出るノイズ状信号に
基づいてその薄膜の特性評価を行う方法が公知である
(特開昭60−69810号公報)。しかしながらこの
方法は、MRヘッドを形成する前の薄膜材料の状態で行
うものであるため、実際に完成したヘッドに本当にバル
クハウゼンノイズが発生するかどうかという相関関係が
不明であるから、正確な評価方法として採用できない。
しかもこの公知方法によると、リング型ヘッドや外部か
ら磁界を印加する手段を用意しなければならないため、
検査装置が複雑となってしまう。
【0005】このため、完成したMRヘッド自体につい
てバルクハウゼンノイズが発生するかどうか検査できる
ことがどうしても必要となる。従来のこの種のノイズ検
出方法としては、完成したMRヘッドに一定のセンス電
流を流した状態でその出力電圧を何度も検出することに
よりピークシフト量やアシンメトリ等の測定項目につい
て膨大な量のデータを得、その分布を取ってバルクハウ
ゼンノイズが発生しているかどうか評価することが行わ
れていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこのよう
な検査方法によると、膨大な量のデータを必要とするの
で、1つのMRヘッドの検査に1〜数分程度要すること
となり、効率の良い検査を行うことができなかった。
【0007】従って本発明は、検査処理が簡単であり、
しかも検査時間を大幅に低減させることができるMRヘ
ッドの検査方法及び装置を提供するものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、検査す
べきMRヘッドにセンス電流を流してこのMRヘッドか
ら出力電圧を受け取り、受け取った出力電圧に基づいて
所望の項目の測定結果を得ることによりMRヘッドの検
査を行う場合に、センス電流の値を徐々に変化させてM
Rヘッドから出力電圧を得るようにしたMRヘッドの検
査方法が提供される。さらに、本発明によれば、検査す
べきMRヘッドにセンス電流を流すためのセンス電流供
給手段と、このMRヘッドからの出力電圧に基づいて所
望の項目の測定結果を得る測定手段とを備えており、上
述のセンス電流供給手段がセンス電流の値を徐々に変化
させるように構成されているMRヘッドの検査装置が提
供される。
【0009】
【作用】MRヘッドに供給されるセンス電流を徐々に変
化させながらこのMRヘッドのTAA(トラックアベレ
ージアンプリチュード、出力)、PW50(半値幅)、ア
シンメトリ等の所望の項目の測定結果を得ているので、
バルクハウゼンノイズが生じ易いセンス電流領域を全て
カバーすることとなり、ノイズ発生を極めて容易に検出
することが可能となる。
【0010】
【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。
【0011】図2は、本発明の一実施例であるMRヘッ
ド用検出装置の回路構成を概略的に示すブロック図であ
る。
【0012】同図において、20は検査すべきMRヘッ
ドを示しており、このMRヘッド20の2つの電極には
通常のヘッドリード/ライトIC21が接続されてい
る。ヘッドリード/ライトIC21は、可変のセンス電
流を供給するために設けられており、例えばシリコンシ
ステムズ社(Silicon Systems In
c.)製のSSI2020Rが本実施例では用いられて
いる。
【0013】ヘッドリード/ライトIC21のチップセ
レクト端子CS(反転)及びリード/ライト選択端子R
/W(Wは反転)は接地されており、このため、このI
C21は書き込み電流を供給するモード、即ち、センス
電流を供給するモードに選択されている。また、ヘッド
セレクト端子HS0、HS1は接地されており、従って
H0X、H0Y端子をMRヘッド20の2つの電極に接
続することにより、センス電流が供給可能となってい
る。
【0014】MRヘッド20の2つの電極には、ACカ
プラ22並びにヘッドアンプ23及び24を介して測定
ユニット25がさらに接続されている。測定ユニット2
5は、磁気ヘッドの単体レベルにおける電磁気変換特性
及びエラー特性を評価可能な装置であり、本実施例では
例えばグジック(GUZIK)社製のリード・ライトア
ナライザーRWA−301が用いられている。
【0015】測定ユニット25は、磁気ヘッドのTAA
(トラックアベレージアンプリチュード、出力)、PW
50(半値幅)、アシンメトリ(=|T1 −T2 |、ただ
しT1 は出力電圧の正のピークから次の負のピークまで
の半周期、T2 はその負のピークから次の正のピークま
での半周期)、アンプリチュードアシンメトリ(=(V
1 −V2 )/(V1 +V2 )、ただしV1 は出力電圧の
正のピーク値、V2 はその負のピーク値)、分解能等の
所望の項目を測定でき、その結果を表示することも可能
である。
【0016】測定ユニット25の測定結果である種々の
デジタルデータは、この測定ユニットに接続されたコン
ピュータ26へ送られる。このコンピュータ26は、上
述したリード・ライトアナライザーRWA−301の一
部を用いてもよいし、これとは全く別個に設けたもので
あってもよい。
【0017】コンピュータ26の所定ビットの出力端子
が、D/A変換器27を介してヘッドリード/ライトI
C21の書き込み電流調整端子WCに接続されている。
この書き込み電流調整端子WCは、書き込み電流の調整
を行うために設けられている端子である。さらに、コン
ピュータ26の1ビットの出力端子がIC21の書き込
み電流の方向を変えるためのライトデータ入力端子WD
Iに接続されている。
【0018】図1は、コンピュータ26の制御プログラ
ムを表すフローチャートであり、以下同図を用いてMR
ヘッド20の検査方法について説明する。
【0019】まずステップS1において、MRヘッド2
0に印加するセンス電流の方向が初期設定される。この
センス電流の方向は、IC21のライトデータ入力端子
WDIへ送る1ビットのライトデータを「0」又は
「1」に設定することによって制御される。ステップS
1では、さらに、センス電流に対応するデータIS がI
S←0mAに初期化され、このセンス電流データIS
最大値ISMAXが所定値、例えばISMAX←15〜20mA
程度の一定値に初期設定される。このセンス電流データ
S は、所定のタイミング毎にD/A変換器27へ出力
され直流電圧に変換されてIC21の書き込み電流調整
端子WCへ印加される。その結果、MRヘッド20に印
加されるセンス電流は、センス電流データIS に対応し
た値となる。
【0020】ステップS2においては、センス電流デー
タIS がその最大値ISMAX以下であるかどうか判別さ
れ、IS ≦ISMAXの場合のみステップS3へ進む。ステ
ップS3ではセンス電流データIS が1mAだけ増大せ
しめられ、次のステップS4ではそのセンス電流におけ
る試験項目、例えばTAAの測定が行われる。
【0021】ステップS2において、IS がISMAXを越
えたと判別すると、プログラムはステップS5へ進み、
測定結果データの集計、表示等が行われてこのMRヘッ
ドに関するこの試験項目の検査が終了する。
【0022】図3は、このようにセンス電流を徐々に変
化させて測定したMRヘッド20のTAA特性を表す図
である。
【0023】同図の破線30に示すように、MRヘッド
20が良品である場合は、センス電流の変化に伴ってT
AAが一次関数的に変化し、センス電流がある値を越え
ると飽和する。しかしながら、MRヘッド20がバルク
ハウゼンノイズを発生する不良品である場合は、同図の
実線31に示すように、センス電流を変化していく途中
でバルクハウゼンノイズが発生しTAAが乱れてしまう
ので、良品、不良品の判別が容易に行えることとなる。
【0024】バルクハウゼンノイズは、センス電流があ
る一定の値のときに比較的発生し易いが必ずしもこの領
域で生じるとは限らない。しかしながら、本実施例のご
とくセンス電流を変化させてTAAを測定すれば、バル
クハウゼンノイズの発生を簡単にかつ短時間に確実に検
知でき、しかも電流可変回路を新たに設けるだけでよい
ため検査装置の構成は複雑とならない。
【0025】図4は、センス電流を徐々に変化させて測
定したMRヘッド20のPW50特性を表す図である。
【0026】PW50特性を測定しても、MRヘッド20
がバルクハウゼンノイズを発生する不良品である場合
は、センス電流を変化していく途中でバルクハウゼンノ
イズによるPW50の乱れが発生するので、良品、不良品
の判別が容易に行えることとなる。
【0027】図5は、センス電流を徐々に変化させて測
定したMRヘッド20のアンプリチュードアシンメトリ
特性を表す図である。
【0028】アンプリチュードアシンメトリ特性を測定
しても、MRヘッド20がバルクハウゼンノイズを発生
する不良品である場合は、センス電流を変化していく途
中でバルクハウゼンノイズによるアンプリチュードアシ
ンメトリの乱れが同様に発生するので、良品、不良品の
判別が容易に行えることとなる。
【0029】TAA、PW50、アンプリチュードアシン
メトリの他の項目について同様にセンス電流を変化させ
て測定してもよいことは明らかである。また、上述の実
施例では1mAのステップ幅で段階的にセンス電流を増
大させているが、これとは異なるセンス電流変化方法を
用いてもよいことは明らかである。例えば、ステップ幅
が異なっていてもよいし、連続的に変化させてもよく、
減少させていってもよい。または一定回数の電流増加、
減少の繰り返しを行っても良い。
【0030】また、上述の実施例においては、ヘッドリ
ード/ライトIC21とコンピュータ26の一部とが本
発明のセンス電流供給手段に対応しているが、これとは
異なる構成であってもセンス電流供給手段を実現可能で
ある。また、本発明の測定手段が測定ユニット25とコ
ンピュータ26の一部とで実施されているが、これとは
異なる構成であってもよいことも明らかである。
【0031】以上の説明は、バルクハウゼンノイズ発生
を検査する点について述べているが、本発明の検査方法
及び装置がバルクハウゼンノイズとは異なるノイズにつ
いても同様に検出できることはいうまでもない。
【0032】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、センス電流の値を徐々に変化させてMRヘッドから
出力電圧を得、その出力電圧に基づいて所望の項目の測
定結果を得るようにしているので、バルクハウゼンノイ
ズ等を高精度かつ短時間に検出できる。即ち、検査処理
が簡単であり、しかも検査時間を大幅に低減させること
ができる。また、そのための検査装置の構成が複雑とは
ならない。
【図面の簡単な説明】
【図1】図2の実施例におけるコンピュータの制御プロ
グラムを表すフローチャートである。
【図2】本発明の一実施例におけるMRヘッド用検査装
置の回路構成を概略的に示すブロック図である
【図3】図2の実施例においてセンス電流を変化させて
測定したMRヘッドのTAA特性を表す図である。
【図4】図2の実施例においてセンス電流を変化させて
測定したMRヘッドのPW50特性を表す図である。
【図5】図2の実施例においてセンス電流を変化させて
測定したMRヘッドのアンプリチュードアシンメトリ特
性を表す図である。
【符号の説明】
20 MRヘッド 21 ヘッドリード/ライトIC 22 ACカプラ 23、24 ヘッドアンプ 25 測定ユニット 26 コンピュータ 27 D/A変換器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山中 昇 東京都中央区日本橋一丁目13番1号ティ ーディーケイ株式会社内 (56)参考文献 特開 平2−105316(JP,A) 特開 平4−105211(JP,A) 特開 平3−91111(JP,A) 特開 昭60−171618(JP,A) 特開 昭60−136020(JP,A) 特開 昭59−90226(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G11B 5/455 G11B 5/39

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 検査すべき磁気抵抗ヘッドにセンス電流
    を流して該磁気抵抗ヘッドから出力電圧を受け取り、該
    受け取った出力電圧に基づいて所望の項目の測定結果を
    得ることにより該磁気抵抗ヘッドの検査を行う方法であ
    って、前記センス電流の値を徐々に変化させて前記磁気
    抵抗ヘッドから出力電圧を得るようにしたことを特徴と
    する磁気抵抗ヘッドの検査方法。
  2. 【請求項2】 検査すべき磁気抵抗ヘッドにセンス電流
    を流すためのセンス電流供給手段と、該磁気抵抗ヘッド
    から得られる出力電圧に基づいて所望の項目の測定結果
    を得る測定手段とを備えた検査装置であって、前記セン
    ス電流供給手段が前記センス電流の値を徐々に変化させ
    るように構成されていることを特徴とする磁気抵抗ヘッ
    ドの検査装置。
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JPH04105211A (ja) * 1990-08-24 1992-04-07 Mitsubishi Electric Corp 磁気ヘッド装置の特性測定装置

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