JP2773714B2 - 磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッドの検査方法及び装置 - Google Patents
磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッドの検査方法及び装置Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
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- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
Landscapes
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- Magnetic Heads (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果（Ｍ
Ｒ）素子を有する磁気ヘッドの検査方法及び装置に関す
る。
Ｒ）素子を有する磁気ヘッドの検査方法及び装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気ディスク等の磁気媒体用の薄
膜磁気ヘッドとして、磁気抵抗効果を利用したＭＲ素子
を有する磁気ヘッドが実用化され始めている。
膜磁気ヘッドとして、磁気抵抗効果を利用したＭＲ素子
を有する磁気ヘッドが実用化され始めている。
【０００３】ＭＲ素子を有する磁気ヘッドは、外部媒体
から発生した磁力をＭＲ素子の内部抵抗の変化によって
読み取りを行うものであるため、磁気ヘッドの出力特性
を判断する上で、ＭＲ素子の内部抵抗の再現性を検査す
る必要がある。
から発生した磁力をＭＲ素子の内部抵抗の変化によって
読み取りを行うものであるため、磁気ヘッドの出力特性
を判断する上で、ＭＲ素子の内部抵抗の再現性を検査す
る必要がある。
【０００４】特にＭＲ素子は、パーマロイ等の強磁性体
薄膜の磁気抵抗効果を利用したものであるため、磁気媒
体との相対速度に依存することなく大きな再生出力を得
ることができるが、バルクハウゼンノイズを発生する不
良品が生成されてしまう可能性がある。バルクハウゼン
ノイズは、主として磁壁が磁性体内の欠陥や夾雑物等に
ひっかかりながら移動することに起因するものであり、
このようなノイズを生じるヘッドでは一部の領域で正常
な再生動作が期待できない。このため、ＭＲ素子を有す
る磁気ヘッド製造時の検査においては、バルクハウゼン
ノイズ等のノイズを発生しない良品であることを確認す
る必要がある。
薄膜の磁気抵抗効果を利用したものであるため、磁気媒
体との相対速度に依存することなく大きな再生出力を得
ることができるが、バルクハウゼンノイズを発生する不
良品が生成されてしまう可能性がある。バルクハウゼン
ノイズは、主として磁壁が磁性体内の欠陥や夾雑物等に
ひっかかりながら移動することに起因するものであり、
このようなノイズを生じるヘッドでは一部の領域で正常
な再生動作が期待できない。このため、ＭＲ素子を有す
る磁気ヘッド製造時の検査においては、バルクハウゼン
ノイズ等のノイズを発生しない良品であることを確認す
る必要がある。
【０００５】従来のこの種の検査方法としては、ＭＲ素
子を有する磁気ヘッドを単体として完成させた後、これ
を支持ばねに取り付けて一定電流を流すと共に実際に磁
気ディスク上を走らせ、その結果、ＭＲ素子を有する磁
気ヘッドから得られる出力電圧波形を測定することによ
ってバルクハウゼンノイズの発生の有無及び出力特性を
評価していた。
子を有する磁気ヘッドを単体として完成させた後、これ
を支持ばねに取り付けて一定電流を流すと共に実際に磁
気ディスク上を走らせ、その結果、ＭＲ素子を有する磁
気ヘッドから得られる出力電圧波形を測定することによ
ってバルクハウゼンノイズの発生の有無及び出力特性を
評価していた。
【０００６】また、特開平６−１５０２６４号公報に
は、ヘッドブロック上に配列されたギャップデプス加工
後の複数のＭＲ素子を有する磁気ヘッドに、これらヘッ
ドの空気ベアリング面に垂直でありかつ正弦波状に変化
する交番外部磁界を印加し、この外部磁界の変化に対す
る各ＭＲ素子の出力電圧を検出して電磁変換特性を得る
ようにした本出願人による磁気ヘッドの検査方法が開示
されている。
は、ヘッドブロック上に配列されたギャップデプス加工
後の複数のＭＲ素子を有する磁気ヘッドに、これらヘッ
ドの空気ベアリング面に垂直でありかつ正弦波状に変化
する交番外部磁界を印加し、この外部磁界の変化に対す
る各ＭＲ素子の出力電圧を検出して電磁変換特性を得る
ようにした本出願人による磁気ヘッドの検査方法が開示
されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来のい
ずれの検査方法も、ＭＲ素子の外部から磁場を印加する
方式であるため、ＭＲ素子から検出される出力波形の歪
が、ＭＲ素子に実際に印加される磁場に安定性又は再現
性がないことによるものなのかＭＲ素子自体が発生する
ノイズ又は歪によるものなのか明確に判別できず、従っ
て、ＭＲ素子の正確な再現性評価、検査を行うことがで
きなかった。
ずれの検査方法も、ＭＲ素子の外部から磁場を印加する
方式であるため、ＭＲ素子から検出される出力波形の歪
が、ＭＲ素子に実際に印加される磁場に安定性又は再現
性がないことによるものなのかＭＲ素子自体が発生する
ノイズ又は歪によるものなのか明確に判別できず、従っ
て、ＭＲ素子の正確な再現性評価、検査を行うことがで
きなかった。
【０００８】従って本発明の目的は、ＭＲ素子外部から
の影響をできるだけ抑圧し、正しい再現性評価を行うこ
とのできる、ＭＲ素子を有する磁気ヘッドの検査方法及
び装置を提供することにある。
の影響をできるだけ抑圧し、正しい再現性評価を行うこ
とのできる、ＭＲ素子を有する磁気ヘッドの検査方法及
び装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、外部か
ら交番磁界を印加することなしにＭＲ素子に正弦波状に
変化する電流を流し、電流の変化に対するＭＲ素子の端
子電圧変化を測定してこのＭＲ素子の電磁変換特性を検
査する検査方法が提供される。
ら交番磁界を印加することなしにＭＲ素子に正弦波状に
変化する電流を流し、電流の変化に対するＭＲ素子の端
子電圧変化を測定してこのＭＲ素子の電磁変換特性を検
査する検査方法が提供される。
【００１０】ＭＲ素子に流すセンス電流は通常一定に保
たれるが、本発明ではこのセンス電流を変化させること
によってＭＲ素子に印加される磁界を変化させ、磁界の
変化に対するＭＲ素子の抵抗変化に基づく端子電圧変化
を測定している。このように、ＭＲ素子自体に流れる電
流によって磁界を発生させて自己の電磁変換特性を検査
しているので、ＭＲ素子外部からの影響がほとんど排除
され、ＭＲ素子の正しい再現性評価を行うことが可能と
なる。
たれるが、本発明ではこのセンス電流を変化させること
によってＭＲ素子に印加される磁界を変化させ、磁界の
変化に対するＭＲ素子の抵抗変化に基づく端子電圧変化
を測定している。このように、ＭＲ素子自体に流れる電
流によって磁界を発生させて自己の電磁変換特性を検査
しているので、ＭＲ素子外部からの影響がほとんど排除
され、ＭＲ素子の正しい再現性評価を行うことが可能と
なる。
【００１１】さらに本発明によれば、ヘッドブロック上
に配列されたギャップデプス加工後の複数の磁気ヘッド
の各ＭＲ素子に外部から交番磁界を印加することなしに
正弦波状に変化する電流を流し、電流の変化に対するＭ
Ｒ素子の端子電圧変化を測定してこのＭＲ素子の電磁変
換特性を検査する検査方法が提供される。
に配列されたギャップデプス加工後の複数の磁気ヘッド
の各ＭＲ素子に外部から交番磁界を印加することなしに
正弦波状に変化する電流を流し、電流の変化に対するＭ
Ｒ素子の端子電圧変化を測定してこのＭＲ素子の電磁変
換特性を検査する検査方法が提供される。
【００１２】本発明の一実施態様においては、ＭＲ素子
に流す電流の変化に対するＭＲ素子の端子電圧変化の高
周波成分を検出している。
に流す電流の変化に対するＭＲ素子の端子電圧変化の高
周波成分を検出している。
【００１３】本発明の他の実施態様においては、ＭＲ素
子に流す電流の変化に対するＭＲ素子の抵抗変化に基づ
く端子電圧変化分のみをブリッジ回路によって取り出し
ている。
子に流す電流の変化に対するＭＲ素子の抵抗変化に基づ
く端子電圧変化分のみをブリッジ回路によって取り出し
ている。
【００１４】
【００１５】さらにまた、本発明によれば、ＭＲ素子に
正弦波状に変化する電流を流すための電流発生手段と、
外部から交番磁界を印加することなしに電流発生手段か
らＭＲ素子に与えられた電流の変化に対するＭＲ素子の
端子電圧変化を測定してこのＭＲ素子の電磁変換特性を
検査する検査手段とを備えた検査装置が提供される。
正弦波状に変化する電流を流すための電流発生手段と、
外部から交番磁界を印加することなしに電流発生手段か
らＭＲ素子に与えられた電流の変化に対するＭＲ素子の
端子電圧変化を測定してこのＭＲ素子の電磁変換特性を
検査する検査手段とを備えた検査装置が提供される。
【００１６】さらに本発明によれば、ヘッドブロック上
に配列されたギャップデプス加工後の複数の磁気ヘッド
のＭＲ素子の各々の出力電極に電気的に接触可能なプロ
ーブ手段と、プローブ手段を介して各ＭＲ素子に正弦波
状に変化する電流を流すための電流発生手段と、外部か
ら交番磁界を印加することなしに電流発生手段からＭＲ
素子に与えられた電流の変化に対するＭＲ素子の端子電
圧変化をプローブ手段を介して測定してこのＭＲ素子の
電磁変換特性を検査する検査手段とを備えた検査装置が
提供される。
に配列されたギャップデプス加工後の複数の磁気ヘッド
のＭＲ素子の各々の出力電極に電気的に接触可能なプロ
ーブ手段と、プローブ手段を介して各ＭＲ素子に正弦波
状に変化する電流を流すための電流発生手段と、外部か
ら交番磁界を印加することなしに電流発生手段からＭＲ
素子に与えられた電流の変化に対するＭＲ素子の端子電
圧変化をプローブ手段を介して測定してこのＭＲ素子の
電磁変換特性を検査する検査手段とを備えた検査装置が
提供される。
【００１７】本発明の一実施態様においては、検査手段
はＭＲ素子に与えられた電流の変化に対するＭＲ素子の
端子電圧変化の高周波成分を検出する手段である。
はＭＲ素子に与えられた電流の変化に対するＭＲ素子の
端子電圧変化の高周波成分を検出する手段である。
【００１８】本発明の他の実施態様においては、検査手
段は、ＭＲ素子の両端が一辺に接続されており、電流変
化に対するＭＲ素子の抵抗変化に基づく端子電圧変化分
のみを取り出すブリッジ回路によって構成されている。
段は、ＭＲ素子の両端が一辺に接続されており、電流変
化に対するＭＲ素子の抵抗変化に基づく端子電圧変化分
のみを取り出すブリッジ回路によって構成されている。
【００１９】
【００２０】
【発明の実施の形態】以下図面を用いて本発明の実施形
態を詳細に説明する。
態を詳細に説明する。
【００２１】図１は、本発明の一実施形態であるＭＲ素
子を有する磁気ヘッドの検査装置の回路構成を概略的に
示すブロック図である。
子を有する磁気ヘッドの検査装置の回路構成を概略的に
示すブロック図である。
【００２２】同図において、１０は検査されるべきＭＲ
素子を有する磁気ヘッドが複数設けられているヘッドブ
ロック、１１はこのヘッドブロック１０をその上に一時
的に固定する載置台、１２は載置台１１を移動させるＸ
−Ｙ−Ｚ−θテーブル、１３はそのコントローラ、１４
は制御用コンピュータである。
素子を有する磁気ヘッドが複数設けられているヘッドブ
ロック、１１はこのヘッドブロック１０をその上に一時
的に固定する載置台、１２は載置台１１を移動させるＸ
−Ｙ−Ｚ−θテーブル、１３はそのコントローラ、１４
は制御用コンピュータである。
【００２３】ヘッドブロック１０は、ウエハ上にＭＲ素
子を有する多数の磁気ヘッドを薄膜技術によって形成し
た後、このウエハをそれぞれが複数の磁気ヘッドを含む
ように列単位でバー状に切断し、その空気ベアリング
（ＡＢＳ）面を研磨してギャップデプス加工を終えたも
のである。図２にはこのヘッドブロックの一例が表わさ
れている。同図において、１０１は磁気ヘッド、１０２
はその磁気ヘッド１０１のＭＲ素子の入出力端子、１０
３はＡＢＳ面をそれぞれ示している。このように、ヘッ
ドブロック１０には、単体に切り離される前の状態のＭ
Ｒ素子を有する磁気ヘッド１０１が複数存在している。
子を有する多数の磁気ヘッドを薄膜技術によって形成し
た後、このウエハをそれぞれが複数の磁気ヘッドを含む
ように列単位でバー状に切断し、その空気ベアリング
（ＡＢＳ）面を研磨してギャップデプス加工を終えたも
のである。図２にはこのヘッドブロックの一例が表わさ
れている。同図において、１０１は磁気ヘッド、１０２
はその磁気ヘッド１０１のＭＲ素子の入出力端子、１０
３はＡＢＳ面をそれぞれ示している。このように、ヘッ
ドブロック１０には、単体に切り離される前の状態のＭ
Ｒ素子を有する磁気ヘッド１０１が複数存在している。
【００２４】プローブピン１５は、ヘッドブロック１０
における各ＭＲ素子の入出力端子１０２に電気的に接触
可能に静止位置に固定して設けられており、このプロー
ブピン１５と各入出力端子１０２とは、Ｘ−Ｙ−Ｚ−θ
テーブル１２及びこれを制御するＸ−Ｙ−Ｚ−θコント
ローラ１３によって載置台１１を移動することによって
位置合わせされる。プローブピン１５と各入出力端子１
０２との位置合わせは、この部分を光学系１６を介して
撮像するＣＣＤ撮像器１７及びこの像を表示するＴＶモ
ニタ１８によって監視可能である。
における各ＭＲ素子の入出力端子１０２に電気的に接触
可能に静止位置に固定して設けられており、このプロー
ブピン１５と各入出力端子１０２とは、Ｘ−Ｙ−Ｚ−θ
テーブル１２及びこれを制御するＸ−Ｙ−Ｚ−θコント
ローラ１３によって載置台１１を移動することによって
位置合わせされる。プローブピン１５と各入出力端子１
０２との位置合わせは、この部分を光学系１６を介して
撮像するＣＣＤ撮像器１７及びこの像を表示するＴＶモ
ニタ１８によって監視可能である。
【００２５】電流電源１９は、任意波形発生装置２０か
ら与えられる例えば正弦波のように時間の経過に応じて
連続的かつ周期的に変化する電圧波形に応じた波形の電
流を発生するものであり、この連続的かつ周期的に変化
する電流はプローブピン１５を介して電気的に接続され
たＭＲ素子に供給される。プローブピン１５には、さら
に、周波数フィルタ（ハイパスフィルタ）２１を介して
オシロスコープ２２及び制御用コンピュータ１４が接続
されており、ＭＲ素子からの出力される端子電圧の変化
分のうち、比較的高い周波数であるノイズ成分があると
きはそのノイズ成分のみが周波数フィルタ２１を通って
オシロスコープ２２に入力されて表示されると共に制御
用コンピュータ１４にも入力される。なおこの場合、任
意波形発生装置２０から出力される電圧、従って電流電
源１９から出力される電流の周波数は、周波数フィルタ
２１の遮断周波数より低い値に設定することが必要であ
る。
ら与えられる例えば正弦波のように時間の経過に応じて
連続的かつ周期的に変化する電圧波形に応じた波形の電
流を発生するものであり、この連続的かつ周期的に変化
する電流はプローブピン１５を介して電気的に接続され
たＭＲ素子に供給される。プローブピン１５には、さら
に、周波数フィルタ（ハイパスフィルタ）２１を介して
オシロスコープ２２及び制御用コンピュータ１４が接続
されており、ＭＲ素子からの出力される端子電圧の変化
分のうち、比較的高い周波数であるノイズ成分があると
きはそのノイズ成分のみが周波数フィルタ２１を通って
オシロスコープ２２に入力されて表示されると共に制御
用コンピュータ１４にも入力される。なおこの場合、任
意波形発生装置２０から出力される電圧、従って電流電
源１９から出力される電流の周波数は、周波数フィルタ
２１の遮断周波数より低い値に設定することが必要であ
る。
【００２６】Ｘ−Ｙ−Ｚ−θコントローラ１３及び電流
電源１９は、制御用コンピュータ１４に接続されてお
り、このコンピュータ１４からの指示によって所定の制
御動作を行う。
電源１９は、制御用コンピュータ１４に接続されてお
り、このコンピュータ１４からの指示によって所定の制
御動作を行う。
【００２７】図３は、コンピュータ１４の制御プログラ
ムを表すフローチャートであり、以下同図を用いてＭＲ
素子を有する磁気ヘッドの検査方法について説明する。
ムを表すフローチャートであり、以下同図を用いてＭＲ
素子を有する磁気ヘッドの検査方法について説明する。
【００２８】まずステップＳ１において、Ｘ−Ｙ−Ｚ−
θテーブル１２の載置台１１上に固定されているヘッド
ブロック１０上の検査すべきＭＲ素子の入出力端子とプ
ローブピン１５との位置合わせを行う。図２には、この
位置合わせによってプローブピン１５が入出力端子１０
２に接触させられている状態が示されている。この位置
合わせには、Ｘ−Ｙ−Ｚ−θコントローラ１３へ指示す
ることによってＸ−Ｙ−Ｚ−θテーブル１２を移動させ
る周知の位置合わせ技術を利用する。
θテーブル１２の載置台１１上に固定されているヘッド
ブロック１０上の検査すべきＭＲ素子の入出力端子とプ
ローブピン１５との位置合わせを行う。図２には、この
位置合わせによってプローブピン１５が入出力端子１０
２に接触させられている状態が示されている。この位置
合わせには、Ｘ−Ｙ−Ｚ−θコントローラ１３へ指示す
ることによってＸ−Ｙ−Ｚ−θテーブル１２を移動させ
る周知の位置合わせ技術を利用する。
【００２９】次いでステップＳ２において、どのような
周波数を有するどのような連続波形の電流を発生させる
か任意波形発生装置２０に指示する。次にステップＳ３
において、電流印加の開始を指示する。これにより、例
えば正弦波状に変化するセンス電流が、電流電源１９か
ら検査すべき磁気ヘッドのＭＲ素子に印加される。
周波数を有するどのような連続波形の電流を発生させる
か任意波形発生装置２０に指示する。次にステップＳ３
において、電流印加の開始を指示する。これにより、例
えば正弦波状に変化するセンス電流が、電流電源１９か
ら検査すべき磁気ヘッドのＭＲ素子に印加される。
【００３０】このＭＲ素子を流れる電流によって磁界が
発生し、その電流の連続的変化に基づく磁界変化がＭＲ
素子自体に作用して自己の抵抗が変化する。このＭＲ素
子の入出力端子からの電圧を周波数フィルタ２１を通す
と、センス電流の変化に基づく低周波の端子電圧変化分
（センス電流変化によるＭＲ素子の抵抗変化とこれに乗
算される電流の変化とが相乗された変化分）が取り除か
れ、比較的高い周波数であるバルクハウゼンノイズ等の
ノイズ成分があるときはそのノイズ成分のみがオシロス
コープ２２に印加されて表示される。
発生し、その電流の連続的変化に基づく磁界変化がＭＲ
素子自体に作用して自己の抵抗が変化する。このＭＲ素
子の入出力端子からの電圧を周波数フィルタ２１を通す
と、センス電流の変化に基づく低周波の端子電圧変化分
（センス電流変化によるＭＲ素子の抵抗変化とこれに乗
算される電流の変化とが相乗された変化分）が取り除か
れ、比較的高い周波数であるバルクハウゼンノイズ等の
ノイズ成分があるときはそのノイズ成分のみがオシロス
コープ２２に印加されて表示される。
【００３１】図４の（Ａ）は、任意波形発生装置２０の
出力電圧波形（電流電源１９の出力電流波形）を示して
いる。このような連続的に変化する波形にセンス電流を
流した場合、バルクハウゼンノイズ発生のない良品のＭ
Ｒ素子では同図（Ｂ）に示すように連続的に滑らかに変
化する端子電圧波形となる。しかしながら、同図（Ｃ）
に示すごとく、バルクハウゼンノイズが発生している場
合は、ノイズ成分が生じてしまう。本実施形態では、こ
のノイズ成分のみを周波数フィルタ２１で取り出してい
るのである。
出力電圧波形（電流電源１９の出力電流波形）を示して
いる。このような連続的に変化する波形にセンス電流を
流した場合、バルクハウゼンノイズ発生のない良品のＭ
Ｒ素子では同図（Ｂ）に示すように連続的に滑らかに変
化する端子電圧波形となる。しかしながら、同図（Ｃ）
に示すごとく、バルクハウゼンノイズが発生している場
合は、ノイズ成分が生じてしまう。本実施形態では、こ
のノイズ成分のみを周波数フィルタ２１で取り出してい
るのである。
【００３２】一方、コンピュータ１４は、ステップＳ４
において、上述のごときノイズ成分電圧をＡ／Ｄ変換し
データとして取り込み、次のステップＳ５において、入
力データの解析を行う。コンピュータ１４は、この入力
データからそのＭＲ素子のバルクハウゼンノイズの度合
及び出力の大きさを求める。
において、上述のごときノイズ成分電圧をＡ／Ｄ変換し
データとして取り込み、次のステップＳ５において、入
力データの解析を行う。コンピュータ１４は、この入力
データからそのＭＲ素子のバルクハウゼンノイズの度合
及び出力の大きさを求める。
【００３３】次いで、ステップＳ６に示すように、上述
のデータの取り込み（ステップＳ４）及び解析（ステッ
プＳ５）の処理を必要に応じてｎ回（ｎは１以上の整
数）実行する。また、ステップＳ７に示すように、上述
のセンス電流の印加（ステップＳ３）、データの取り込
み（ステップＳ４）及び解析（ステップＳ５）の処理を
必要に応じてｍ回（ｍは１以上の整数）実行する。
のデータの取り込み（ステップＳ４）及び解析（ステッ
プＳ５）の処理を必要に応じてｎ回（ｎは１以上の整
数）実行する。また、ステップＳ７に示すように、上述
のセンス電流の印加（ステップＳ３）、データの取り込
み（ステップＳ４）及び解析（ステップＳ５）の処理を
必要に応じてｍ回（ｍは１以上の整数）実行する。
【００３４】次いで、ステップＳ８において、バルクハ
ウゼンノイズ発生の有無によるその磁気ヘッドの良品、
不良品の判定を行う。
ウゼンノイズ発生の有無によるその磁気ヘッドの良品、
不良品の判定を行う。
【００３５】このように本実施形態によれば、ＭＲ素子
に流すセンス電流を連続的に変化させることによってＭ
Ｒ素子に印加される磁界を変化させ、この磁界の変化に
対するＭＲ素子の抵抗変化に基づく端子電圧変化を見て
そこにノイズ成分が重畳されているかどうかを検出して
いる。このように、ＭＲ素子自体に流れる電流によって
磁界を発生させて自己の電磁変換特性を検査しているの
で、ＭＲ素子外部からの影響がほとんど排除され、ＭＲ
素子の正しい再現性評価を行うことが可能となる。しか
も、センス電流を連続的に変化させることとＭＲ素子の
入出力端子に周波数フィルタを接続するという簡単な構
成で検査を行うことができる。
に流すセンス電流を連続的に変化させることによってＭ
Ｒ素子に印加される磁界を変化させ、この磁界の変化に
対するＭＲ素子の抵抗変化に基づく端子電圧変化を見て
そこにノイズ成分が重畳されているかどうかを検出して
いる。このように、ＭＲ素子自体に流れる電流によって
磁界を発生させて自己の電磁変換特性を検査しているの
で、ＭＲ素子外部からの影響がほとんど排除され、ＭＲ
素子の正しい再現性評価を行うことが可能となる。しか
も、センス電流を連続的に変化させることとＭＲ素子の
入出力端子に周波数フィルタを接続するという簡単な構
成で検査を行うことができる。
【００３６】さらに本実施形態によれば、ヘッドブロッ
ク１０というバー状態でＭＲループ特性を観測可能であ
るため、従来のごとくＭＲ素子を有する磁気ヘッド単体
に完成させ浮上させて特性評価する必要がなく、工程数
を大幅に短縮可能である。また、バルクハウゼンノイズ
の定量化がコンピュータで瞬時に測定、評価できるた
め、今まで定量化が困難であり判断の難しかったノイズ
の定量化が可能となった。しかもその評価、選別が非常
に短時間に行える。
ク１０というバー状態でＭＲループ特性を観測可能であ
るため、従来のごとくＭＲ素子を有する磁気ヘッド単体
に完成させ浮上させて特性評価する必要がなく、工程数
を大幅に短縮可能である。また、バルクハウゼンノイズ
の定量化がコンピュータで瞬時に測定、評価できるた
め、今まで定量化が困難であり判断の難しかったノイズ
の定量化が可能となった。しかもその評価、選別が非常
に短時間に行える。
【００３７】以上述べた実施形態では、ＭＲ素子を有す
る磁気ヘッドをヘッドブロック単位で検査しているが、
磁気ヘッド単体に分離した後に同様の方法で検査するこ
とももちろん可能である。また、ＭＲ素子に印加するセ
ンス電流も正弦波に限定されることなく、連続的に変化
する波形であればどのようなものでもよい。しかも、必
ずしも周期的に変化するものでなくともよい。
る磁気ヘッドをヘッドブロック単位で検査しているが、
磁気ヘッド単体に分離した後に同様の方法で検査するこ
とももちろん可能である。また、ＭＲ素子に印加するセ
ンス電流も正弦波に限定されることなく、連続的に変化
する波形であればどのようなものでもよい。しかも、必
ずしも周期的に変化するものでなくともよい。
【００３８】図５は、本発明の他の実施形態であるＭＲ
素子を有する磁気ヘッドの検査装置の回路構成を概略的
に示すブロック図である。
素子を有する磁気ヘッドの検査装置の回路構成を概略的
に示すブロック図である。
【００３９】同図において、５０は検査されるべきＭＲ
素子を有する磁気ヘッドが複数設けられているヘッドブ
ロックで図１の実施形態におけるヘッドブロック１０と
同様のもの、５１はこのヘッドブロック５０をその上に
一時的に固定する載置台、５２は載置台５１を移動させ
るＸ−Ｙ−Ｚ−θテーブル、５３はそのコントローラ、
５４は制御用コンピュータである。
素子を有する磁気ヘッドが複数設けられているヘッドブ
ロックで図１の実施形態におけるヘッドブロック１０と
同様のもの、５１はこのヘッドブロック５０をその上に
一時的に固定する載置台、５２は載置台５１を移動させ
るＸ−Ｙ−Ｚ−θテーブル、５３はそのコントローラ、
５４は制御用コンピュータである。
【００４０】プローブピン５５は、ヘッドブロック５０
における各ＭＲ素子の入出力端子に電気的に接触可能に
静止位置に固定して設けられており、このプローブピン
５５と各入出力端子とは、Ｘ−Ｙ−Ｚ−θテーブル５２
及びこれを制御するＸ−Ｙ−Ｚ−θコントローラ５３に
よって載置台５１を移動することによって位置合わせさ
れる。プローブピン５５と各入出力端子との位置合わせ
は、この部分を光学系５６を介して撮像するＣＣＤ撮像
器５７及びこの像を表示するＴＶモニタ５８によって監
視可能である。
における各ＭＲ素子の入出力端子に電気的に接触可能に
静止位置に固定して設けられており、このプローブピン
５５と各入出力端子とは、Ｘ−Ｙ−Ｚ−θテーブル５２
及びこれを制御するＸ−Ｙ−Ｚ−θコントローラ５３に
よって載置台５１を移動することによって位置合わせさ
れる。プローブピン５５と各入出力端子との位置合わせ
は、この部分を光学系５６を介して撮像するＣＣＤ撮像
器５７及びこの像を表示するＴＶモニタ５８によって監
視可能である。
【００４１】電流電源５９は、任意波形発生装置６０か
ら与えられる例えば正弦波のように時間の経過に応じて
連続的かつ周期的に変化する電圧波形に応じた波形の電
流を発生するものであり、この連続的かつ周期的に変化
する電流はプローブピン５５を介して電気的に接続され
たＭＲ素子に供給される。プローブピン５５には、さら
に、ブリッジ回路６１を介してオシロスコープ６２及び
制御用コンピュータ５４が接続されている。これによ
り、ＭＲ素子からの出力される端子電圧の変化分のう
ち、電流変化に対するＭＲ素子の抵抗変化に基づく端子
電圧変化分のみが取り出され、オシロスコープ６２に入
力されて表示されると共に制御用コンピュータ５４にも
入力される。
ら与えられる例えば正弦波のように時間の経過に応じて
連続的かつ周期的に変化する電圧波形に応じた波形の電
流を発生するものであり、この連続的かつ周期的に変化
する電流はプローブピン５５を介して電気的に接続され
たＭＲ素子に供給される。プローブピン５５には、さら
に、ブリッジ回路６１を介してオシロスコープ６２及び
制御用コンピュータ５４が接続されている。これによ
り、ＭＲ素子からの出力される端子電圧の変化分のう
ち、電流変化に対するＭＲ素子の抵抗変化に基づく端子
電圧変化分のみが取り出され、オシロスコープ６２に入
力されて表示されると共に制御用コンピュータ５４にも
入力される。
【００４２】ブリッジ回路６１は、２つの固定抵抗６１
０及び６１１、１つの可変抵抗６１２並びにＭＲ素子に
よって各辺が構成されており、その入力端子に電流電源
５９の出力端子が接続されかつその出力端子にオシロス
コープ６２及び制御用コンピュータ５４が接続されるこ
とによって構成されている。
０及び６１１、１つの可変抵抗６１２並びにＭＲ素子に
よって各辺が構成されており、その入力端子に電流電源
５９の出力端子が接続されかつその出力端子にオシロス
コープ６２及び制御用コンピュータ５４が接続されるこ
とによって構成されている。
【００４３】Ｘ−Ｙ−Ｚ−θコントローラ５３及び電流
電源５９は、制御用コンピュータ５４に接続されてお
り、このコンピュータ５４からの指示によって所定の制
御動作を行う。
電源５９は、制御用コンピュータ５４に接続されてお
り、このコンピュータ５４からの指示によって所定の制
御動作を行う。
【００４４】図６は、コンピュータ５４の制御プログラ
ムを表すフローチャートであり、以下同図を用いてＭＲ
素子を有する磁気ヘッドの検査方法について説明する。
ムを表すフローチャートであり、以下同図を用いてＭＲ
素子を有する磁気ヘッドの検査方法について説明する。
【００４５】まずステップＳ１１において、Ｘ−Ｙ−Ｚ
−θテーブル５２の載置台５１上に固定されているヘッ
ドブロック５０上の検査すべきＭＲ素子の入出力端子と
プローブピン５５との位置合わせを行う。この位置合わ
せには、Ｘ−Ｙ−Ｚ−θコントローラ５３へ指示するこ
とによってＸ−Ｙ−Ｚ−θテーブル５２を移動させる周
知の位置合わせ技術を利用する。
−θテーブル５２の載置台５１上に固定されているヘッ
ドブロック５０上の検査すべきＭＲ素子の入出力端子と
プローブピン５５との位置合わせを行う。この位置合わ
せには、Ｘ−Ｙ−Ｚ−θコントローラ５３へ指示するこ
とによってＸ−Ｙ−Ｚ−θテーブル５２を移動させる周
知の位置合わせ技術を利用する。
【００４６】次いでステップＳ１２において、どのよう
な周波数を有するどのような波形の電流を発生させるか
任意波形発生装置６０に指示する。次にステップＳ１３
において、電流印加の開始を指示する。これにより、例
えば正弦波状に変化するセンス電流が、電流電源５９か
ら検査すべき磁気ヘッドのＭＲ素子に印加される。
な周波数を有するどのような波形の電流を発生させるか
任意波形発生装置６０に指示する。次にステップＳ１３
において、電流印加の開始を指示する。これにより、例
えば正弦波状に変化するセンス電流が、電流電源５９か
ら検査すべき磁気ヘッドのＭＲ素子に印加される。
【００４７】このＭＲ素子を流れる電流によって磁界が
発生し、その電流の連続的変化に基づく磁界変化がＭＲ
素子自体に作用して自己の抵抗が変化する。ＭＲ素子が
ブリッジ回路６１の一辺を構成しているため、センス電
流の変化によるオームの法則による電圧変化分は相殺さ
れ、ブリッジ回路６１の出力端子には、センス電流の変
化に基づくＭＲ素子の抵抗変化に対応する端子電圧変化
分のみが現れる。これがオシロスコープ６２に印加され
て表示される。ただし、一定のセンス電流をＭＲ素子に
印加した状態で可変抵抗６１２を調整し、ブリッジ回路
６１の出力電圧が零となるように（ブリッジの平衡が保
たれるように）ブリッジ回路６１を初期設定しておく。
発生し、その電流の連続的変化に基づく磁界変化がＭＲ
素子自体に作用して自己の抵抗が変化する。ＭＲ素子が
ブリッジ回路６１の一辺を構成しているため、センス電
流の変化によるオームの法則による電圧変化分は相殺さ
れ、ブリッジ回路６１の出力端子には、センス電流の変
化に基づくＭＲ素子の抵抗変化に対応する端子電圧変化
分のみが現れる。これがオシロスコープ６２に印加され
て表示される。ただし、一定のセンス電流をＭＲ素子に
印加した状態で可変抵抗６１２を調整し、ブリッジ回路
６１の出力電圧が零となるように（ブリッジの平衡が保
たれるように）ブリッジ回路６１を初期設定しておく。
【００４８】これにより、バルクハウゼンノイズが発生
している場合は、図４の（Ｃ）に示すごときノイズ成分
を有する波形がオシロスコープ６２に表示される。な
お、任意波形発生装置６０の出力電圧をもオシロスコー
プ６２に同時に印加して両波形を相殺しノイズ成分のみ
が画面上に表示されるようにしてもよい。
している場合は、図４の（Ｃ）に示すごときノイズ成分
を有する波形がオシロスコープ６２に表示される。な
お、任意波形発生装置６０の出力電圧をもオシロスコー
プ６２に同時に印加して両波形を相殺しノイズ成分のみ
が画面上に表示されるようにしてもよい。
【００４９】一方、コンピュータ５４は、ステップＳ１
４において、上述のごときブリッジ回路６１の出力電圧
をＡ／Ｄ変換しデータとして取り込み、次のステップＳ
１５において、入力データの解析を行う。入力データと
しては、少なくとも１周期分の電流を印加したときのブ
リッジ出力電圧変化を表すものを用意する。コンピュー
タ５４は、この入力データからＭＲループの波形の連続
性及び波形の傾きを計算してそのＭＲ素子を有する磁気
ヘッドのバルクハウゼンノイズの度合及び出力の大きさ
を求める。
４において、上述のごときブリッジ回路６１の出力電圧
をＡ／Ｄ変換しデータとして取り込み、次のステップＳ
１５において、入力データの解析を行う。入力データと
しては、少なくとも１周期分の電流を印加したときのブ
リッジ出力電圧変化を表すものを用意する。コンピュー
タ５４は、この入力データからＭＲループの波形の連続
性及び波形の傾きを計算してそのＭＲ素子を有する磁気
ヘッドのバルクハウゼンノイズの度合及び出力の大きさ
を求める。
【００５０】次いで、ステップＳ１６に示すように、上
述のデータの取り込み（ステップＳ１４）及び解析（ス
テップＳ１５）の処理を必要に応じてｎ回（ｎは１以上
の整数）実行する。また、ステップＳ１７に示すよう
に、上述の変化するセンス電流の印加（ステップＳ１
３）、データの取り込み（ステップＳ１４）及び解析
（ステップＳ１５）の処理を必要に応じてｍ回（ｍは１
以上の整数）実行する。
述のデータの取り込み（ステップＳ１４）及び解析（ス
テップＳ１５）の処理を必要に応じてｎ回（ｎは１以上
の整数）実行する。また、ステップＳ１７に示すよう
に、上述の変化するセンス電流の印加（ステップＳ１
３）、データの取り込み（ステップＳ１４）及び解析
（ステップＳ１５）の処理を必要に応じてｍ回（ｍは１
以上の整数）実行する。
【００５１】次いで、ステップＳ１８において、バルク
ハウゼンノイズ発生の有無によるその磁気ヘッドの良
品、不良品の判定を行う。
ハウゼンノイズ発生の有無によるその磁気ヘッドの良
品、不良品の判定を行う。
【００５２】このように本実施形態によれば、ＭＲ素子
に流すセンス電流を連続的に変化させることによってＭ
Ｒ素子に印加される磁界を変化させ、この磁界の変化に
対するＭＲ素子の抵抗変化に基づく端子電圧変化を見て
そこにノイズ成分が重畳されているかどうかを検出して
いる。このように、ＭＲ素子自体に流れる電流によって
磁界を発生させて自已の電磁変換特性を検査しているの
で、ＭＲ素子外部からの影響がほとんど排除され、ＭＲ
素子の正しい再現性評価を行うことが可能となる。しか
も、センス電流を連続的に変化させることとＭＲ素子の
入出力端子にブリッジ回路を接続するという簡単な構成
で検査を行うことができる。
に流すセンス電流を連続的に変化させることによってＭ
Ｒ素子に印加される磁界を変化させ、この磁界の変化に
対するＭＲ素子の抵抗変化に基づく端子電圧変化を見て
そこにノイズ成分が重畳されているかどうかを検出して
いる。このように、ＭＲ素子自体に流れる電流によって
磁界を発生させて自已の電磁変換特性を検査しているの
で、ＭＲ素子外部からの影響がほとんど排除され、ＭＲ
素子の正しい再現性評価を行うことが可能となる。しか
も、センス電流を連続的に変化させることとＭＲ素子の
入出力端子にブリッジ回路を接続するという簡単な構成
で検査を行うことができる。
【００５３】さらに本実施形態によれば、ヘッドブロッ
ク５０というバー状態でＭＲループ特性を観測可能であ
るため、従来のごとくＭＲ素子を有する磁気ヘッド単体
に完成させ浮上させて特性評価する必要がなく、工程数
を大幅に短縮可能である。また、バルクハウゼンノイズ
の定量化がコンピュータで瞬時に測定、評価できるた
め、今まで定量化が困難であり判断の難しかったノイズ
の定量化が可能となった。しかもその評価、選別が非常
に短時間に行える。
ク５０というバー状態でＭＲループ特性を観測可能であ
るため、従来のごとくＭＲ素子を有する磁気ヘッド単体
に完成させ浮上させて特性評価する必要がなく、工程数
を大幅に短縮可能である。また、バルクハウゼンノイズ
の定量化がコンピュータで瞬時に測定、評価できるた
め、今まで定量化が困難であり判断の難しかったノイズ
の定量化が可能となった。しかもその評価、選別が非常
に短時間に行える。
【００５４】以上述べた実施形態では、ＭＲ素子を有す
る磁気ヘッドをヘッドブロック単位で検査しているが、
磁気ヘッド単体に分離した後に同様の方法で検査するこ
とももちろん可能である。また、ＭＲ素子に印加するセ
ンス電流も正弦波に限定されることなく、連続的に変化
する波形であればどのようなものでもよい。しかも、必
ずしも周期的に変化するものでなくともよい。
る磁気ヘッドをヘッドブロック単位で検査しているが、
磁気ヘッド単体に分離した後に同様の方法で検査するこ
とももちろん可能である。また、ＭＲ素子に印加するセ
ンス電流も正弦波に限定されることなく、連続的に変化
する波形であればどのようなものでもよい。しかも、必
ずしも周期的に変化するものでなくともよい。
【００５５】以上述べた実施形態は全て本発明を例示的
に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明
は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することがで
きる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均
等範囲によってのみ規定されるものである。
に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明
は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することがで
きる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均
等範囲によってのみ規定されるものである。
【００５６】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明では、
外部から交番磁界を印加することなしにＭＲ素子に正弦
波状に変化する電流を流し、この電流の変化に対するＭ
Ｒ素子の端子電圧変化を測定することによってＭＲ素子
の電磁変換特性を検査している。即ち、センス電流を正
弦波状に変化させることによってＭＲ素子に印加される
磁界を正弦波状に変化させ、この磁界変化に対するＭＲ
素子の抵抗変化に基づく端子電圧変化を測定している。
このように、ＭＲ素子自体に流れる電流によって磁界を
発生させて自己の電磁変換特性を検査しているので、Ｍ
Ｒ素子外部からの影響がほとんど排除され、ＭＲ素子の
正しい再現性評価を行うことが可能となる。
外部から交番磁界を印加することなしにＭＲ素子に正弦
波状に変化する電流を流し、この電流の変化に対するＭ
Ｒ素子の端子電圧変化を測定することによってＭＲ素子
の電磁変換特性を検査している。即ち、センス電流を正
弦波状に変化させることによってＭＲ素子に印加される
磁界を正弦波状に変化させ、この磁界変化に対するＭＲ
素子の抵抗変化に基づく端子電圧変化を測定している。
このように、ＭＲ素子自体に流れる電流によって磁界を
発生させて自己の電磁変換特性を検査しているので、Ｍ
Ｒ素子外部からの影響がほとんど排除され、ＭＲ素子の
正しい再現性評価を行うことが可能となる。
【図１】本発明の一実施形態であるＭＲ素子を有する磁
気ヘッドの検査装置の回路構成を概略的に示すブロック
図である。
気ヘッドの検査装置の回路構成を概略的に示すブロック
図である。
【図２】図１の実施形態におけるヘッドブロックの一例
が表わす図である。
が表わす図である。
【図３】図１の実施形態におけるコンピュータの制御プ
ログラムを表すフローチャートである。
ログラムを表すフローチャートである。
【図４】任意波形発生装置の出力電圧波形及びＭＲ素子
の端子電圧波形を示す波形図である。
の端子電圧波形を示す波形図である。
【図５】本発明の他の実施形態であるＭＲ素子を有する
磁気ヘッドの検査装置の回路構成を概略的に示すブロッ
ク図である。
磁気ヘッドの検査装置の回路構成を概略的に示すブロッ
ク図である。
【図６】図５の実施形態におけるコンピュータの制御プ
ログラムを表すフローチャートである。
ログラムを表すフローチャートである。
１０、５０ ヘッドブロック １１、５１ 載置台 １２、５２ Ｘ−Ｙ−Ｚ−θテーブル １３、５３ Ｘ−Ｙ−Ｚ−θコントローラ １４、５４ 制御用コンピュータ １５、５５ プローブピン １６、５６ 光学系 １７、５７ ＣＣＤ撮像器 １８、５８ ＴＶモニタ １９、５９ 電流電源 ２０、６０ 任意波形発生装置 ２１ 周波数フィルタ ２２、６２ オシロスコープ ６１ ブリッジ回路
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−84147（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−150264（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−187619（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−105316（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 5/455 G11B 5/39
Claims (8)
- 【請求項１】 外部から交番磁界を印加することなしに
磁気抵抗効果素子に正弦波状に変化する電流を流し、該
電流の変化に対する該磁気抵抗効果素子の端子電圧変化
を測定して該磁気抵抗効果素子の電磁変換特性を検査す
ることを特徴とする磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッ
ドの検査方法。 - 【請求項２】 ヘッドブロック上に配列されたギャップ
デプス加工後の複数の磁気ヘッドの各磁気抵抗効果素子
に外部から交番磁界を印加することなしに正弦波状に変
化する電流を流し、該電流の変化に対する該磁気抵抗効
果素子の端子電圧変化を測定して該磁気抵抗効果素子の
電磁変換特性を検査することを特徴とする磁気抵抗効果
素子を有する磁気ヘッドの検査方法。 - 【請求項３】 磁気抵抗効果素子に流す電流の変化に対
する該磁気抵抗効果素子の端子電圧変化の高周波成分を
検出することを特徴とする請求項１又は２に記載の方
法。 - 【請求項４】 磁気抵抗効果素子に流す電流の変化に対
する該磁気抵抗効果素子の抵抗変化に基づく端子電圧変
化分のみをブリッジ回路によって取り出すようにしたこ
とを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。 - 【請求項５】 磁気抵抗効果素子に正弦波状に変化する
電流を流すための電流発生手段と、外部から交番磁界を
印加することなしに該電流発生手段から該磁気抵抗効果
素子に与えられた電流の変化に対する該磁気抵抗効果素
子の端子電圧変化を測定して該磁気抵抗効果素子の電磁
変換特性を検査する検査手段とを備えたことを特徴とす
る磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッドの検査装置。 - 【請求項６】 ヘッドブロック上に配列されたギャップ
デプス加工後の複数の磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子の
各々の出力電極に電気的に接触可能なプローブ手段と、
該プローブ手段を介して各磁気抵抗効果素子に正弦波状
に変化する電流を流すための電流発生手段と、外部から
交番磁界を印加することなしに該電流発生手段から該磁
気抵抗効果素子に与えられた電流の変化に対する該磁気
抵抗効果素子の端子電圧変化を前記プローブ手段を介し
て測定して該磁気抵抗効果素子の電磁変換特性を検査す
る検査手段とを備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素
子を有する磁気ヘッドの検査装置。 - 【請求項７】 前記検査手段は、前記磁気抵抗効果素子
に与えられた電流の変化に対する該磁気抵抗効果素子の
端子電圧変化の高周波成分を検出する手段であることを
特徴とする請求項５又は６に記載の装置。 - 【請求項８】 前記検査手段は、前記磁気抵抗効果素子
の両端が一辺に接続されており、電流変化に対する該磁
気抵抗効果素子の抵抗変化に基づく端子電圧変化分のみ
を取り出すブリッジ回路によって構成されていることを
特徴とする請求項５又は６に記載の装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7300465A JP2773714B2 (ja) | 1995-10-26 | 1995-10-26 | 磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッドの検査方法及び装置 |
| US08/733,282 US5854554A (en) | 1995-10-26 | 1996-10-17 | Method and apparatus for testing a magnetic head during manufacture utilizing an internal magnetic field |
| SG1996010893A SG43429A1 (en) | 1995-10-26 | 1996-10-18 | Method and apparatus for testing head with magnetoresistive transducer element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7300465A JP2773714B2 (ja) | 1995-10-26 | 1995-10-26 | 磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッドの検査方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09120514A JPH09120514A (ja) | 1997-05-06 |
| JP2773714B2 true JP2773714B2 (ja) | 1998-07-09 |
Family
ID=17885128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7300465A Expired - Fee Related JP2773714B2 (ja) | 1995-10-26 | 1995-10-26 | 磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッドの検査方法及び装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5854554A (ja) |
| JP (1) | JP2773714B2 (ja) |
| SG (1) | SG43429A1 (ja) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100440794B1 (ko) * | 1997-05-23 | 2004-09-18 | 삼성전자주식회사 | 자기저항 헤드의 자기저항 센서 고유저항 측정 방법 |
| US6373649B1 (en) * | 1998-07-02 | 2002-04-16 | Seagate Technology Llc | Reduced head population detection in a disc drive |
| US6320714B1 (en) * | 1998-07-13 | 2001-11-20 | Seagate Technology Llc | Reduced head population detection in a disc drive |
| JP3603636B2 (ja) * | 1999-01-28 | 2004-12-22 | Ｔｄｋ株式会社 | 複合型磁気ヘッドの検査方法及び装置 |
| US6522495B1 (en) | 1999-04-16 | 2003-02-18 | International Business Machines Corporation | System, method and program for determining the magnetic center shift within a disk drive system |
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| US6359433B1 (en) * | 1999-12-14 | 2002-03-19 | International Business Machines Corp. | Method and apparatus for preventing data loss in disk drives using predictive failure analysis of magnetoresistive head resistance |
| US6512367B2 (en) | 2000-02-11 | 2003-01-28 | Seagate Technology Llc | Method and apparatus for testing a magnetic head |
| US6479988B2 (en) * | 2000-06-06 | 2002-11-12 | Tdk Corporation | Method and apparatus for testing thin-film magnetic head |
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| US6538430B2 (en) | 2001-08-23 | 2003-03-25 | International Business Machines Corporation | Screening test for transverse magnetic-field excited noise in giant magnetoresistive heads |
| SG103357A1 (en) * | 2001-08-31 | 2004-04-29 | Toshiba Kk | Method and apparatus for measuring magnetic head |
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| US6927569B2 (en) * | 2002-09-16 | 2005-08-09 | International Business Machines Corporation | Techniques for electrically characterizing tunnel junction film stacks with little or no processing |
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