JP6596341B2 - 検査装置および検査方法 - Google Patents
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Description
複数のプローブと、
電流の流れによって発生した磁場を測定する磁気センサと、
検査項目を選択する検査内容選択部と、
前記パターンの設計データを読み出し、前記検査内容選択部で選択された検査項目に基づき、前記基板における被検査位置を絞り込んで前記被検査位置を含む所定単位の領域を被検査領域として抽出する不良解析位置絞り込み処理部と、
前記被検査位置に基づいて、前記複数のプローブから検査に用いるプローブを選択するプローブ選択部と、
前記プローブ選択部で選択されたプローブが前記パターンに接触するように前記選択されたプローブの駆動を制御し、且つ、前記不良解析位置絞り込み処理部で抽出された前記被検査領域上を前記磁気センサが走査するように前記磁気センサの駆動を制御する位置補正部と、
前記選択されたプローブの接触により前記パターンに電流が流れて発生する磁場のうち、前記被検査領域上を走査する前記磁気センサによって測定された磁場を分布化する磁場分布取得部と、
前記磁場分布取得部で取得された磁場分布を所定単位で画像化して検査画像を作成する検査画像作成部と、
を有することを特徴とする検査装置に関する。
前記位置補正部は、前記撮像部で撮像された画像と、前記パターンの設計データからの情報とを用いて、前記パターンの設計値からの位置ずれ量を取得し、前記パターンの設計データと前記位置ずれ量にしたがって、前記選択されたプローブが前記パターンに接触するように前記選択されたプローブの駆動を制御し、且つ、前記パターンの設計データと前記位置ずれ量にしたがって、前記被検査領域の補正を行い、前記磁気センサが前記補正された被検査領域上を走査するように前記磁気センサの駆動を制御することが好ましい。
検査項目を選択する工程と、
前記選択された検査項目に基づき、前記パターンの設計データから、前記基板における被検査位置を絞り込んで前記被検査位置を含む所定単位の領域を被検査領域として抽出する工程と、
複数のプローブから前記被検査領域の前記パターンに電流を流すのに適したプローブを選択する工程と、
前記パターンの位置を測定する工程と、
前記選択されたプローブのプロービングを行い、前記基板の前記パターンに接触させる工程と、
前記プロービングを行ったプローブに電流を印加する工程と、
磁気センサを用い、前記被検査領域の走査をさせる工程と、
前記走査をする前記磁気センサを用い、前記被検査領域の磁場を測定する工程と、
前記プロービングを行ったプローブへの電流の印加により前記パターンに電流が流れて発生する磁場のうち、前記被検査領域を走査する前記磁気センサによって測定された磁場を分布化し、取得された磁場分布を所定単位で画像化して検査画像を作成する工程と、
前記パターンの設計データから前記検査画像に対応する比較画像を作成する工程と、
前記検査画像と前記比較画像とを比較して、前記検査画像の良否の判定を行う工程と、
前記判定の結果を検査結果として表示する工程と、
を有することを特徴とする検査方法に関する。
前記磁気センサを用い、前記被検査領域の走査をさせる工程は、前記パターンの設計データと前記位置ずれ量にしたがって前記被検査領域の補正を行い、前記磁気センサを用いて前記補正された被検査領域を走査させる工程であり、
前記被検査領域の磁場を測定する工程は、前記補正された被検査領域の磁場を測定する工程であり、
前記検査画像を作成する工程は、前記補正された被検査領域上を走査する前記磁気センサによって測定された磁場を分布化し、取得された磁場分布を所定単位で画像化して前記検査画像を作成する工程であることが好ましい。
図1は、本発明の実施の形態1における検査装置1の概略構成図である。
ステージ3は、例えば、図1に示すように、基板2を載置して保持することができる。
尚、以下、本明細書では、基板2の被検査パターンの「接続端子または接続端子以外の部分であって接続端子としての利用が可能な部分」を便宜的にまとめて、「接続端子」と称することにする。
例えば、画像比較部27は、検査画像と比較画像に所定の閾値を超える差異が含まれていない場合、被検査パターンに欠陥がないという意味で、「良」の判定をする。一方、画像比較部27は、検査画像と比較画像に所定の閾値を超える差異が含まれている場合、「否」の判定をする。そして、画像比較部27は検査画像と比較画像の差分を抽出し、抽出された差分から被検査パターンの不良箇所を特定する。
次に、本発明の実施の形態2における検査方法を説明する。
具体的には、基板2について、被検査パターンと、例えば、短絡および断線等の検査項目が選択される。
具体的には、不良解析位置絞り込み処理部18(上述したように、便宜上「解析位置絞り込み部18」と略記することがある。)において、検査内容選択部16で選択された検査項目に基づき、データ保存部17に保存された被検査パターンの設計データが読み出される。
すなわち、プローブ選択部19において、被検査領域Aの被検査パターンに電流を流すのに適した一対のプローブ部がプローブ部5〜8の中から選択される。その結果、被検査領域Aの被検査パターンに電流を流すのに適した一対のプローブが、プローブP1〜P4(図4では図示されない)の中から選択される。
2 基板
3 ステージ
4 ステージ駆動部
5,6,7,8 プローブ部
9 スキャナ部
10 電源部
11 磁気センサ
12 撮像部
14 全体制御部
15 バス
16 検査内容選択部
17 データ保存部
18 不良解析位置絞り込み処理部
19 プローブ選択部
20 補正情報入力部
21 位置補正部
22 ステージ制御部
23 磁場信号処理部
24 磁場分布取得部
25 検査画像作成部
26 比較画像作成部
27 画像比較部
28 検査結果表示部
30 駆動部
41,42,43,44 接続端子
P1,P2,P3,P4 プローブ
Claims (9)
- 被検査対象の基板に形成されたパターンを検査する検査装置であって、
複数のプローブと、
電流の流れによって発生した磁場を測定する磁気センサと、
検査項目を選択する検査内容選択部と、
前記パターンの設計データを読み出し、前記検査内容選択部で選択された検査項目に基づき、前記基板における被検査位置を絞り込んで前記被検査位置を含む所定単位の領域を被検査領域として抽出する不良解析位置絞り込み処理部と、
前記被検査位置に基づいて、前記複数のプローブから検査に用いるプローブを選択するプローブ選択部と、
前記プローブ選択部で選択されたプローブが前記パターンに接触するように前記選択されたプローブの駆動を制御し、且つ、前記不良解析位置絞り込み処理部で抽出された前記被検査領域上を前記磁気センサが走査するように前記磁気センサの駆動を制御する位置補正部と、
前記選択されたプローブの接触により前記パターンに電流が流れて発生する磁場のうち、前記被検査領域上を走査する前記磁気センサによって測定された磁場を分布化する磁場分布取得部と、
前記磁場分布取得部で取得された磁場分布を所定単位で画像化して検査画像を作成する検査画像作成部と、
前記検査画像と、前記パターンの設計データから作成された比較画像とを比較して、前記パターンの欠陥を検出する画像比較部と、
を有することを特徴とする検査装置。 - 前記不良解析位置絞り込み処理部は、前記パターンの不良が発生し易い箇所を前記被検査位置として絞り込むことを特徴とする請求項1に記載の検査装置。
- 前記基板の表面側であって前記基板と離間する位置、および前記基板の裏面側であって前記基板と離間する位置に前記複数のプローブが配置されており、前記プローブ選択部は、前記複数のプローブから一対のプローブを選択することを特徴とする請求項1または2に記載の検査装置。
- 前記被検査対象の基板に形成されたアライメントマークを撮像する撮像部を有し、
前記位置補正部は、前記撮像部で撮像された画像と、前記パターンの設計データからの情報とを用いて、前記パターンの設計値からの位置ずれ量を取得し、前記パターンの設計データと前記位置ずれ量にしたがって、前記選択されたプローブが前記パターンに接触するように前記選択されたプローブの駆動を制御し、且つ、前記パターンの設計データと前記位置ずれ量にしたがって、前記被検査領域の補正を行い、前記磁気センサが前記補正された被検査領域上を走査するように前記磁気センサの駆動を制御することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の検査装置。 - 前記基板を保持するステージを有し、前記ステージは、前記プローブが、前記基板の表面または裏面に接触するように、前記基板の表面および裏面それぞれの少なくとも一部が外部に向かって露出するように構成されることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の検査装置。
- 被検査対象の基板に形成されたパターンを検査する検査方法であって、
検査項目を選択する工程と、
前記選択された検査項目に基づき、前記パターンの設計データから、前記基板における被検査位置を絞り込んで前記被検査位置を含む所定単位の領域を被検査領域として抽出する工程と、
複数のプローブから前記被検査領域の前記パターンに電流を流すのに適したプローブを選択する工程と、
前記パターンの位置を測定する工程と、
前記選択されたプローブのプロービングを行い、前記基板の前記パターンに接触させる工程と、
前記プロービングを行ったプローブに電流を印加する工程と、
磁気センサを用い、前記被検査領域の走査をさせる工程と、
前記走査をする前記磁気センサを用い、前記被検査領域の磁場を測定する工程と、
前記プロービングを行ったプローブへの電流の印加により前記パターンに電流が流れて発生する磁場のうち、前記被検査領域を走査する前記磁気センサによって測定された磁場を分布化し、取得された磁場分布を所定単位で画像化して検査画像を作成する工程と、
前記パターンの設計データから前記検査画像に対応する比較画像を作成する工程と、
前記検査画像と前記比較画像とを比較して、前記検査画像の良否の判定を行う工程と、
前記判定の結果を検査結果として表示する工程と、
を有することを特徴とする検査方法。 - 前記被検査位置を含む所定単位の領域を被検査領域として抽出する工程は、前記パターンの不良が発生し易い箇所を前記被検査位置として絞り込むことを特徴とする請求項6に記載の検査方法。
- 前記プローブを選択する工程は、前記基板の表面側であって前記基板と離間する位置、および前記基板の裏面側であって前記基板と離間する位置に配置された前記複数のプローブから、一対のプローブを選択することを特徴とする請求項6または7に記載の検査方法。
- 前記パターンの位置を測定する工程は、前記基板のアライメントマークを撮像し、得られた画像と前記パターンの設計データからの情報とを用いて前記パターンの設計値からの位置ずれ量を取得し、前記パターンの設計データと前記位置ずれ量にしたがって前記パターンの位置を決める工程であり、
前記磁気センサを用い、前記被検査領域の走査をさせる工程は、前記パターンの設計データと前記位置ずれ量にしたがって前記被検査領域の補正を行い、前記磁気センサを用いて前記補正された被検査領域を走査させる工程であり、
前記被検査領域の磁場を測定する工程は、前記補正された被検査領域の磁場を測定する工程であり、
前記検査画像を作成する工程は、前記補正された被検査領域上を走査する前記磁気センサによって測定された磁場を分布化し、取得された磁場分布を所定単位で画像化して前記検査画像を作成する工程であることを特徴とする請求項6〜8のいずれか1項に記載の検査方法。
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