JPH08297806A - Mrヘッドのセンス電流設定方法 - Google Patents
Mrヘッドのセンス電流設定方法Info
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- JPH08297806A JPH08297806A JP10192795A JP10192795A JPH08297806A JP H08297806 A JPH08297806 A JP H08297806A JP 10192795 A JP10192795 A JP 10192795A JP 10192795 A JP10192795 A JP 10192795A JP H08297806 A JPH08297806 A JP H08297806A
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- Japan
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- sense current
- head
- current value
- magnetic disk
- disk device
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Abstract
(57)【要約】
【目的】MRヘッドを搭載した磁気ディスク装置で、M
Rヘッドに流すセンス電流値の最適値を、R/Wマージ
ンの結果から決定し、設定する。 【構成】1のパソコンから、8のMRヘッドに流すセン
ス電流値を変化させた状態でR/W試験をおこない、そ
れぞれのセンス電流値でのデータ判定結果を集計してセ
ンス電流のR/Wマージンを求め、その中心値をセンス
電流最適値として設定する。 【効果】本発明により、従来のセンス電流設定方法では
設定できなかったR/W動作に関した最適値に設定する
ことが可能となり、MRヘッドのR/Wにおける信頼性
向上と、センス電流値設定不良による不良数を大幅に低
減することができる。
Rヘッドに流すセンス電流値の最適値を、R/Wマージ
ンの結果から決定し、設定する。 【構成】1のパソコンから、8のMRヘッドに流すセン
ス電流値を変化させた状態でR/W試験をおこない、そ
れぞれのセンス電流値でのデータ判定結果を集計してセ
ンス電流のR/Wマージンを求め、その中心値をセンス
電流最適値として設定する。 【効果】本発明により、従来のセンス電流設定方法では
設定できなかったR/W動作に関した最適値に設定する
ことが可能となり、MRヘッドのR/Wにおける信頼性
向上と、センス電流値設定不良による不良数を大幅に低
減することができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】MRヘッドを搭載した磁気ディス
ク装置、HDA、及びMRヘッド。
ク装置、HDA、及びMRヘッド。
【0002】
【従来の技術】MRヘッドに流すセンス電流値を変える
ことにより、図1−(a),(b)のように、磁化反転
が同一周期で発生するデータパターンでの再生信号の出
力波形が、+側と−側とで、振幅の非対称性が変化す
る。このことを利用して、出力波形の+側出力、−側出
力それぞれのピーク値をコンパレータで比較し、差が最
小になるとき(図1−(b))のセンス電流値をそのヘ
ッドのセンス電流最適値として設定する方法が(特開平
06−259714号公報)にて提案されている。
ことにより、図1−(a),(b)のように、磁化反転
が同一周期で発生するデータパターンでの再生信号の出
力波形が、+側と−側とで、振幅の非対称性が変化す
る。このことを利用して、出力波形の+側出力、−側出
力それぞれのピーク値をコンパレータで比較し、差が最
小になるとき(図1−(b))のセンス電流値をそのヘ
ッドのセンス電流最適値として設定する方法が(特開平
06−259714号公報)にて提案されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】センス電流値に相関す
るR/W特性(書き込みデータが、正確に再生できる動
作特性)の要因には、再生信号の出力波形の対称性の他
にもバルクハウゼンノイズ等たくさんの要因がある為、
再生信号の出力波形の対称性が最適になる条件は、必ず
しもR/W特性の最適条件とは一致しないので従来の設
定方法ではR/W特性が最適になるセンス電流値に設定
することができない。そのため、装置検査工程等R/W
試験を繰り返す検査工程で、センス電流値がR/W特性
の最適値でないために不良品と判定されるヘッドが多数
存在し、必要外に不良率が高くなり、生産性、コストパ
フォーマンス等の向上を妨げる原因となる。
るR/W特性(書き込みデータが、正確に再生できる動
作特性)の要因には、再生信号の出力波形の対称性の他
にもバルクハウゼンノイズ等たくさんの要因がある為、
再生信号の出力波形の対称性が最適になる条件は、必ず
しもR/W特性の最適条件とは一致しないので従来の設
定方法ではR/W特性が最適になるセンス電流値に設定
することができない。そのため、装置検査工程等R/W
試験を繰り返す検査工程で、センス電流値がR/W特性
の最適値でないために不良品と判定されるヘッドが多数
存在し、必要外に不良率が高くなり、生産性、コストパ
フォーマンス等の向上を妨げる原因となる。
【0004】本発明の目的は、MRヘッドに流すセンス
電流値をR/W特性の最適値に設定することにより、M
RヘッドをR/W特性の最適条件下で動作させることが
可能となり、設定不良による不良品の数を大幅に低減で
き、R/W動作の信頼性、生産性、コストパフォーマン
スを向上することにある。
電流値をR/W特性の最適値に設定することにより、M
RヘッドをR/W特性の最適条件下で動作させることが
可能となり、設定不良による不良品の数を大幅に低減で
き、R/W動作の信頼性、生産性、コストパフォーマン
スを向上することにある。
【0005】第5、第6の発明は、上記目的に加えて経
時的にヘッドのR/W特性が変化した場合でも実機上で
センス電流値をその時点の最適値に設定することによ
り、ヘッド、HDA等、ハード面の交換なしに、半永続
的にMRヘッドをR/W特性の最適条件下で動作させる
ことにある。
時的にヘッドのR/W特性が変化した場合でも実機上で
センス電流値をその時点の最適値に設定することによ
り、ヘッド、HDA等、ハード面の交換なしに、半永続
的にMRヘッドをR/W特性の最適条件下で動作させる
ことにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】第1〜第4の発明は、セ
ンス電流値を変化させてR/W試験を繰り返すことによ
り、センス電流のR/Wマージン(書き込みデータが、
正確に再生可能なセンス電流値の範囲)を測定し、その
結果から最適値を求め設定することにより、MRヘッド
をR/W特性の最適条件下で動作させることが可能とな
り、上記課題を達成できる。
ンス電流値を変化させてR/W試験を繰り返すことによ
り、センス電流のR/Wマージン(書き込みデータが、
正確に再生可能なセンス電流値の範囲)を測定し、その
結果から最適値を求め設定することにより、MRヘッド
をR/W特性の最適条件下で動作させることが可能とな
り、上記課題を達成できる。
【0007】第5の発明は、一定期間、上位装置からデ
ータアクセスがない場合、データエリア外の専用シリン
ダに於いてセンス電流のR/Wマージンを測定し、その
結果から最適値を求め更新設定することにより、経時的
なヘッド、ディスク等ハード面のR/W特性の変化に、
定期的に対応することができる。
ータアクセスがない場合、データエリア外の専用シリン
ダに於いてセンス電流のR/Wマージンを測定し、その
結果から最適値を求め更新設定することにより、経時的
なヘッド、ディスク等ハード面のR/W特性の変化に、
定期的に対応することができる。
【0008】第6の発明は、上位装置からn回データラ
イトアクセスがあると、次のデータライトコマンド内
で、ターゲットトラックにおいてライトデータを使って
センス電流のR/Wマージンを測定し、その結果から最
適値を求め更新設定することにより、経時的なヘッド、
ディスク等ハード面のR/W特性の変化に、ライト動作
回数に合わせて対応することができる。
イトアクセスがあると、次のデータライトコマンド内
で、ターゲットトラックにおいてライトデータを使って
センス電流のR/Wマージンを測定し、その結果から最
適値を求め更新設定することにより、経時的なヘッド、
ディスク等ハード面のR/W特性の変化に、ライト動作
回数に合わせて対応することができる。
【0009】
【作用】MRヘッドに流すセンス電流値を、設定可能範
囲内で何点かに設定する。
囲内で何点かに設定する。
【0010】それぞれのセンス電流値設定条件下でR/
W試験を行い、R/W性能を満足したときのセンス電流
値をR/W動作の可能範囲として、多点で上記動作を繰
り返せばR/W動作の可能なセンス電流範囲が求まる。
これは、出力波形の非対称性や、バルクハウゼンノイズ
等、たくさんの要因が影響し合った結果、最終的にR/
W動作にどれだけ影響を及ぼしているか、又は、影響を
受けにくいセンス電流領域はどこかを総合的に判断した
ことになる。このセンス電流範囲の中心値をセンス電流
値とすれば、R/W動作に関して最適値に設定したこと
になる。
W試験を行い、R/W性能を満足したときのセンス電流
値をR/W動作の可能範囲として、多点で上記動作を繰
り返せばR/W動作の可能なセンス電流範囲が求まる。
これは、出力波形の非対称性や、バルクハウゼンノイズ
等、たくさんの要因が影響し合った結果、最終的にR/
W動作にどれだけ影響を及ぼしているか、又は、影響を
受けにくいセンス電流領域はどこかを総合的に判断した
ことになる。このセンス電流範囲の中心値をセンス電流
値とすれば、R/W動作に関して最適値に設定したこと
になる。
【0011】第5、第6の発明は、上記の設定を定期的
に行えるため、MRヘッドの性能劣化や装置の環境変化
等によるR/W性能の変化に対応することができ、自動
的に保守が行え、また、障害の早期発見にもつながる。
に行えるため、MRヘッドの性能劣化や装置の環境変化
等によるR/W性能の変化に対応することができ、自動
的に保守が行え、また、障害の早期発見にもつながる。
【0012】
【実施例】以下に本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。
る。
【0013】図2は、センス電流のR/Wマージン測定
時のブロック図である。1のパソコンから、5のI/F
回路を介して12の各ヘッドごとのセンス電流値制御部
にセンス電流値Is1を設定する。12のセンス電流値制
御部は、6のセンス電流駆動回路を制御して、8のMR
ヘッドに設定されたセンス電流値Is1を流す。8のMR
ヘッドは、7の磁気記録媒体上の漏洩磁束の変化をセン
ス電流値Is1にて電気信号に変換し、再生信号は、9の
作動増幅器、10のデータ弁別回路を経て11のデータ
制御部にて、データ判定される。データ判定結果は5の
I/F回路を介して1のパソコンに報告される。
時のブロック図である。1のパソコンから、5のI/F
回路を介して12の各ヘッドごとのセンス電流値制御部
にセンス電流値Is1を設定する。12のセンス電流値制
御部は、6のセンス電流駆動回路を制御して、8のMR
ヘッドに設定されたセンス電流値Is1を流す。8のMR
ヘッドは、7の磁気記録媒体上の漏洩磁束の変化をセン
ス電流値Is1にて電気信号に変換し、再生信号は、9の
作動増幅器、10のデータ弁別回路を経て11のデータ
制御部にて、データ判定される。データ判定結果は5の
I/F回路を介して1のパソコンに報告される。
【0014】1のパソコンは、このデータ判定結果をセ
ンス電流値Is1でのR/W試験の結果として処理する。
次に、1のパソコンはセンス電流値Is2を設定し、同上
の流れにてデータ判定結果をセンス電流値Is2でのR/
W試験の結果として処理する。これをn回繰り返して、
R/W試験の結果がR/W性能の仕様を満足する時のセ
ンス電流値の範囲をセンス電流のR/Wマージンとす
る。
ンス電流値Is1でのR/W試験の結果として処理する。
次に、1のパソコンはセンス電流値Is2を設定し、同上
の流れにてデータ判定結果をセンス電流値Is2でのR/
W試験の結果として処理する。これをn回繰り返して、
R/W試験の結果がR/W性能の仕様を満足する時のセ
ンス電流値の範囲をセンス電流のR/Wマージンとす
る。
【0015】図3は、センス電流のR/Wマージン測定
からセンス電流値設定までのフロー図である。パソコン
よりヘッド一本ずつ、全ヘッドについてセンス電流のR
/Wマージンを測定する。図2での動作と同様に、セン
ス電流値をIs1に設定し、R/Wテストを実施して、合
否判定する。次に、次のセンス電流値Is2にて同様に繰
返し、Isnまでn回繰返し、連続した合格Isxの数を判
定し、敷居値以下の場合は、当ヘッドを不合格とする。
敷居値以上の場合は、このセンス電流値の範囲をセンス
電流のR/Wマージンとして、その中心値を設定値Isc
とする。パソコンより設定値IscをIsを管理制御する
RAMに書き込み登録する。磁気記録媒体上に設定値を
保管するエリアがある装置の場合は、磁気記録媒体上に
書き込み登録する。磁気記録媒体上に設定値を保管する
エリアがない装置の場合は、ディスク制御装置等に記録
し、制御したり、設定値データとして他媒体に記録して
おき、後で別の方法により制御する。以上のシーケンス
を全ヘッドについて実行し、総合判定で不合格ヘッドが
ないかを判定し、センス電流値設定終了とする。このよ
うに実機上で、実際のR/W動作でのマージンから求め
たセンス電流設定値を設定することにより、R/W動作
における最適条件に、設定することが可能になる。
からセンス電流値設定までのフロー図である。パソコン
よりヘッド一本ずつ、全ヘッドについてセンス電流のR
/Wマージンを測定する。図2での動作と同様に、セン
ス電流値をIs1に設定し、R/Wテストを実施して、合
否判定する。次に、次のセンス電流値Is2にて同様に繰
返し、Isnまでn回繰返し、連続した合格Isxの数を判
定し、敷居値以下の場合は、当ヘッドを不合格とする。
敷居値以上の場合は、このセンス電流値の範囲をセンス
電流のR/Wマージンとして、その中心値を設定値Isc
とする。パソコンより設定値IscをIsを管理制御する
RAMに書き込み登録する。磁気記録媒体上に設定値を
保管するエリアがある装置の場合は、磁気記録媒体上に
書き込み登録する。磁気記録媒体上に設定値を保管する
エリアがない装置の場合は、ディスク制御装置等に記録
し、制御したり、設定値データとして他媒体に記録して
おき、後で別の方法により制御する。以上のシーケンス
を全ヘッドについて実行し、総合判定で不合格ヘッドが
ないかを判定し、センス電流値設定終了とする。このよ
うに実機上で、実際のR/W動作でのマージンから求め
たセンス電流設定値を設定することにより、R/W動作
における最適条件に、設定することが可能になる。
【0016】次に、上記設定方法による設定を実施する
際の装置構成例について説明する。
際の装置構成例について説明する。
【0017】図4は、上位に2のディスク制御装置を接
続して3の磁気ディスク装置のセンス電流値を設定する
方法のブロック図である。この場合、2のディスク制御
装置が、3の磁気ディスク装置のR/W制御を行うの
で、1のパソコンからは、センス電流値設定コマンド、
R/W試験実行コマンド等を発行するだけで済み、R/
W試験実行結果は、R/W試験終了後に、2のディスク
制御装置から1のパソコンに報告するので、その時にセ
ンス電流値設定の処理を行えばよく、パソコンにかかる
負担が少ないので、多数の装置を同時に設定することが
できる。
続して3の磁気ディスク装置のセンス電流値を設定する
方法のブロック図である。この場合、2のディスク制御
装置が、3の磁気ディスク装置のR/W制御を行うの
で、1のパソコンからは、センス電流値設定コマンド、
R/W試験実行コマンド等を発行するだけで済み、R/
W試験実行結果は、R/W試験終了後に、2のディスク
制御装置から1のパソコンに報告するので、その時にセ
ンス電流値設定の処理を行えばよく、パソコンにかかる
負担が少ないので、多数の装置を同時に設定することが
できる。
【0018】図5は、4の制御用マイクロプログラムを
搭載した磁気ディスク装置に、直接1のパソコンを接続
してセンス電流値を設定する方法のブロック図である。
この場合、4の制御用マイクロプログラムが磁気ディス
ク装置のR/W制御を行うので、図4の場合と同様で、
1のパソコンからは、センス電流値設定コマンド、R/
W試験実行コマンド等を発行するだけで済み、R/W試
験実行結果は、R/W試験終了後に、4の制御用マイク
ロプログラムから1のパソコンに報告するので、その時
にセンス電流値設定の処理を行えばよく、パソコンにか
かる負担が少ないので、多数の装置を同時に設定するこ
とができる。
搭載した磁気ディスク装置に、直接1のパソコンを接続
してセンス電流値を設定する方法のブロック図である。
この場合、4の制御用マイクロプログラムが磁気ディス
ク装置のR/W制御を行うので、図4の場合と同様で、
1のパソコンからは、センス電流値設定コマンド、R/
W試験実行コマンド等を発行するだけで済み、R/W試
験実行結果は、R/W試験終了後に、4の制御用マイク
ロプログラムから1のパソコンに報告するので、その時
にセンス電流値設定の処理を行えばよく、パソコンにか
かる負担が少ないので、多数の装置を同時に設定するこ
とができる。
【0019】図6は、1のパソコンに、3の磁気ディス
ク装置を直接接続してセンス電流値を設定する方法のブ
ロック図である。この場合、1のパソコンが磁気ディス
ク装置のR/W制御まで行わなくてはならず、パソコン
の負担が膨大になり、一台ずつの設定方法となる。
ク装置を直接接続してセンス電流値を設定する方法のブ
ロック図である。この場合、1のパソコンが磁気ディス
ク装置のR/W制御まで行わなくてはならず、パソコン
の負担が膨大になり、一台ずつの設定方法となる。
【0020】第5の発明は、図7を使って説明する。上
位に2のディスク制御装置が接続された3の磁気ディス
ク装置や、4の制御用マイクロプログラムを搭載した磁
気ディスク装置において、最上位の13のCPUから一
定期間データアクセスがない場合、2のディスク制御装
置内、又は、3の磁気ディスク装置内のマイクロプログ
ラムが、データエリア外の専用トラックにて上記と同様
のセンス電流のR/Wマージンを測定する。測定結果か
ら設定値を求め、Isを管理制御するRAMと磁気記録
媒体上に書き込み、更新登録する。このようにして、O
N LINE中の磁気ディスク装置をON LINEの
まま定期的に、センス電流値を最適値に更新することが
でき、経時的なヘッド、ディスク等のハード面の変化に
も対応することができる。
位に2のディスク制御装置が接続された3の磁気ディス
ク装置や、4の制御用マイクロプログラムを搭載した磁
気ディスク装置において、最上位の13のCPUから一
定期間データアクセスがない場合、2のディスク制御装
置内、又は、3の磁気ディスク装置内のマイクロプログ
ラムが、データエリア外の専用トラックにて上記と同様
のセンス電流のR/Wマージンを測定する。測定結果か
ら設定値を求め、Isを管理制御するRAMと磁気記録
媒体上に書き込み、更新登録する。このようにして、O
N LINE中の磁気ディスク装置をON LINEの
まま定期的に、センス電流値を最適値に更新することが
でき、経時的なヘッド、ディスク等のハード面の変化に
も対応することができる。
【0021】第6の発明は、図7を使って説明する。上
位に2のディスク制御装置が接続された3の磁気ディス
ク装置や、4の制御用マイクロプログラムを搭載した磁
気ディスク装置において、2のディスク制御装置内、又
は、3の磁気ディスク装置内のマイクロプログラムが、
最上位の13のCPUからデータアクセスの回数をカウ
ントし、ある一定回数に達した場合、次のデータライト
コマンドで、同のマイクロプログラムが、ターゲットト
ラックにて、上位から指定のライトデータを使って、上
記と同様のセンス電流のR/Wマージンを測定する。測
定結果から設定値を求め、Isを管理制御するRAMと
磁気記録媒体上に書き込み、更新登録する。このように
して、ON LINE中の磁気ディスク装置をON L
INEのままライト動作回数に合わせて、センス電流値
を最適値に更新することができ、経時的なヘッド、ディ
スク等のハード面の変化にも対応することができる。
位に2のディスク制御装置が接続された3の磁気ディス
ク装置や、4の制御用マイクロプログラムを搭載した磁
気ディスク装置において、2のディスク制御装置内、又
は、3の磁気ディスク装置内のマイクロプログラムが、
最上位の13のCPUからデータアクセスの回数をカウ
ントし、ある一定回数に達した場合、次のデータライト
コマンドで、同のマイクロプログラムが、ターゲットト
ラックにて、上位から指定のライトデータを使って、上
記と同様のセンス電流のR/Wマージンを測定する。測
定結果から設定値を求め、Isを管理制御するRAMと
磁気記録媒体上に書き込み、更新登録する。このように
して、ON LINE中の磁気ディスク装置をON L
INEのままライト動作回数に合わせて、センス電流値
を最適値に更新することができ、経時的なヘッド、ディ
スク等のハード面の変化にも対応することができる。
【0022】
【発明の効果】本発明により、従来のセンス電流設定方
法では設定できなかったR/W動作に関した最適値に設
定することが可能となり、MRヘッドのR/Wにおける
信頼性向上と、センス電流値設定不良による不良数を大
幅に低減することができる。
法では設定できなかったR/W動作に関した最適値に設
定することが可能となり、MRヘッドのR/Wにおける
信頼性向上と、センス電流値設定不良による不良数を大
幅に低減することができる。
【図1】再生信号の出力波形である。
【図2】センス電流のR/Wマージン測定時のブロック
図である。
図である。
【図3】センス電流のR/Wマージン測定からセンス電
流値設定のフローチャート図である。
流値設定のフローチャート図である。
【図4】本発明のセンス電流を設定するときの装置構成
例1である。
例1である。
【図5】本発明のセンス電流を設定するときの装置構成
例2である。
例2である。
【図6】本発明のセンス電流を設定するときの装置構成
例3である。
例3である。
【図7】本発明のセンス電流を設定するときの装置構成
例4である。
例4である。
1…パソコン、 2…ディスク制御装置、 3…磁
気ディスク装置、4…制御用マイクロプログラム内臓の
磁気ディスク装置、5…I/F回路、6…センス電流駆
動回路、 7…磁気記録媒体、 8…MRヘッ
ド、9…差動増幅器、 10…データ弁別回路、
11…データ制御部、12…センス電流値制御部、
13…CPU等の上位装置。
気ディスク装置、4…制御用マイクロプログラム内臓の
磁気ディスク装置、5…I/F回路、6…センス電流駆
動回路、 7…磁気記録媒体、 8…MRヘッ
ド、9…差動増幅器、 10…データ弁別回路、
11…データ制御部、12…センス電流値制御部、
13…CPU等の上位装置。
Claims (6)
- 【請求項1】磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッド(以
下、MRヘッドと称する)を搭載した磁気ディスク装置
で、MRヘッドに流すセンス電流値を再生信号の出力波
形の非対称性等でなくR/Wマージン(書き込みデータ
が、正確に再生できる動作範囲)により設定することを
特徴とした磁気ディスク装置及びセンス電流設定方法。 - 【請求項2】MRヘッドを搭載した磁気ディスク装置
で、請求項1に記載した方法により、検査工程中にMR
ヘッドに流すセンス電流値を設定することを特徴とした
検査方法。 - 【請求項3】MRヘッドを搭載した磁気ディスク装置
で、請求項1に記載した方法により、実機上で設定する
ことを特徴とした磁気ディスク装置及びセンス電流設定
方法。 - 【請求項4】請求項1に記載した方法により、センス電
流値を設定することを特徴としたMRヘッド、及びHD
Aの検査方法、及び設定方法。 - 【請求項5】MRヘッドを搭載した磁気ディスク装置
で、ON LINE中一定期間上位装置からデータアク
セスがない時、データエリア以外のシリンダで、R/W
マージンを測定しその結果より、センス電流値を更新設
定することを特徴とした磁気ディスク装置及びセンス電
流設定方法。 - 【請求項6】MRヘッドを搭載した磁気ディスク装置
で、ON LINE中一定回数上位装置からデータライ
トアクセスがあった場合、データエリアに於いて上位装
置から送られたライトデータ、ターゲットトラックを使
用して、R/Wマージンを測定しその結果より、センス
電流値を更新設定することを特徴とした磁気ディスク装
置及びセンス電流設定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10192795A JPH08297806A (ja) | 1995-04-26 | 1995-04-26 | Mrヘッドのセンス電流設定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10192795A JPH08297806A (ja) | 1995-04-26 | 1995-04-26 | Mrヘッドのセンス電流設定方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08297806A true JPH08297806A (ja) | 1996-11-12 |
Family
ID=14313552
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10192795A Pending JPH08297806A (ja) | 1995-04-26 | 1995-04-26 | Mrヘッドのセンス電流設定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08297806A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1271474A1 (en) * | 2001-06-25 | 2003-01-02 | Nec Corporation | Function block |
EP1286335A1 (de) * | 2001-08-17 | 2003-02-26 | Philips Corporate Intellectual Property GmbH | Schaltungsanordnung zur Steuerung eines magnetoresistiven Sensors |
KR100505586B1 (ko) * | 1998-01-14 | 2005-09-30 | 삼성전자주식회사 | 하드디스크 드라이브의 번-인 테스트 진행 상태 판별 장치 및방법 |
-
1995
- 1995-04-26 JP JP10192795A patent/JPH08297806A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100505586B1 (ko) * | 1998-01-14 | 2005-09-30 | 삼성전자주식회사 | 하드디스크 드라이브의 번-인 테스트 진행 상태 판별 장치 및방법 |
EP1271474A1 (en) * | 2001-06-25 | 2003-01-02 | Nec Corporation | Function block |
EP1286335A1 (de) * | 2001-08-17 | 2003-02-26 | Philips Corporate Intellectual Property GmbH | Schaltungsanordnung zur Steuerung eines magnetoresistiven Sensors |
WO2003016827A3 (en) * | 2001-08-17 | 2004-05-27 | Koninkl Philips Electronics Nv | Circuit arrangement for controlling a magnetoresistive sensor |
US7288858B2 (en) | 2001-08-17 | 2007-10-30 | Nxp B.V. | Circuit arrangement for controlling a sensor |
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